JP2020012924A - 発光装置、電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】発光領域の外縁がなめらかで表示ムラが生じ難い発光装置、該発光装置を備えた電子機器を提供すること。【解決手段】発光装置は、矩形の発光画素Ｐが配置された表示部１０５と、表示部１０５における発光領域Ｅ１を画定して、表示部１０５の発光領域Ｅ１以外を遮光する遮光部１２４と、を有し、発光領域Ｅ１と遮光部１２４との境界ＢＬの少なくとも一部が曲線状（この場合は円形）である。【選択図】図６

Description

本発明は、発光装置、電子機器に関する。

発光装置として、例えば画素に有機発光素子（ＯＬＥＤ；Organic Light Emitting Diode）を備えた有機ＥＬ装置が知られている。有機ＥＬ装置は、液晶表示装置と比較すると、照明装置が不要であることから構造が簡素であり、プラスチック基板に有機発光素子と駆動回路とを形成すれば、薄型で可撓性を有し、様々な形状に対応可能な表示デバイスを実現できる点で優れている。

例えば、特許文献１には、画素に有機発光素子を備えた表示部が円形状であるディスプレイ装置が開示されている。有機発光素子は、アノード電極と、アノード電極上に設けられた有機発光層と、有機発光層上に設けられたカソード電極層とを含んで構成されている。このような有機発光素子に対して駆動トランジスターから供給されるデータ電流により有機発光層が発光することで、映像が表示される。

また、例えば、特許文献２には、カラー画像を表示する領域の縁部に配設されている複数の原色ごとの端部サブ画素からなる端部単位画素と、端部単位画素の内方に配設されている原色ごとの内部サブ画素からなる内部単位画素とを具備する画像表示領域を備え、端部単位画素が、内部単位画素よりも小面積に設定されていると共に、端部サブ画素は、原色ごとの面積比が内部サブ画素と同等となるように設定され、画像表示領域の外縁位置に応じて端部サブ画素の並列方向を内部サブ画素の並列方向と異ならせた画像表示装置が開示されている。
このような画像表示装置によれば、非矩形の画像表示領域の端部でも内方と同様の色バランスで画像を表示することができるとしている。また、画像表示装置の例として、液晶表示装置だけでなく、サブ画素にＥＬ素子を備えた自発光型であってもよいとされている。

特開２０１６−８１０３１号公報 特開２０１０−２８６８２５号公報

上記特許文献１のディスプレイ装置によれば、表示部に配置された画素は矩形であって、円形である表示部の外縁は、実際には矩形の画素の配置に起因して段差が生じ階段形状となっている。したがって、表示部において階段形状の外縁が視認され、表示に違和感を覚えるおそれがある。

一方で、このような表示部の外縁における階段形状を緩和するために、上記特許文献２に示されているように、画像表示領域の外縁位置に応じて、内部サブ画素よりも面積が小さい端部サブ画素を配置することが考えられる。しかしながら、これらのサブ画素にＥＬ素子を備える構成とすると、端部サブ画素では、内部サブ画素に対して制御すべき発光に係る電流値が異なってしまう。それゆえに、端部サブ画素と内部サブ画素との間で輝度差が生じて表示ムラとなるという課題があった。

本願の発光装置は、矩形の発光画素が配置された表示部と、表示部における発光領域を画定して、表示部の発光領域以外を遮光する遮光部と、を有し、発光領域と遮光部との境界の少なくとも一部が曲線状であることを特徴とする。

上記の発光装置において、発光画素は発光素子を含み、発光素子を被覆する封止膜を備え、遮光部は、封止膜上に設けられていることが好ましい。

また、上記の発光装置において、発光領域における発光画素は、封止膜上に配置された、少なくとも赤、緑、青の中から選ばれる着色層を有し、遮光部は、複数の色の着色層が封止膜上に積層されてなることを特徴とする。

上記の発光装置において、発光素子は、第１電極と、共通電極として機能する第２電極と、第１電極と第２電極との間に配置された発光機能層と、を有し、発光画素が配置された領域の外側に第２電極コンタクト部を備えていることが好ましい。

また、上記の発光装置において、第２電極コンタクト部は、発光領域の外周側に配置された発光画素から等距離に配置されていることが好ましい。

また、上記の発光装置において、第２電極コンタクト部は、発光素子の第１電極と同層に設けられた電極を有し、該電極と第２電極とが、第２電極コンタクト部で接していることが好ましい。

上記の発光装置において、表示部は、発光画素が配置された領域の外縁と第２電極コンタクト部との間に配置されたダミー画素を有し、ダミー画素は、発光画素と同じ発光素子を含み、第１電極と発光機能層との間に設けられた絶縁膜を有することが好ましい。

また、上記の発光装置において、発光機能層の外縁は、発光画素が配置された領域の外縁と第２電極コンタクト部との間に位置することが好ましい。

本願の電子機器は、上記に記載の発光装置を備えたことを特徴とする。

第１実施形態の発光装置の構成を示す概略平面図。 第１実施形態の発光装置の構造を示す概略断面図。 第１実施形態の発光装置の電気的な構成を示す回路ブロック図。 第１実施形態の発光画素における画素回路を示す等価回路図。 表示部における駆動線の配置を示す概略平面図。 第１実施形態の発光装置における表示部の構成を示す概略平面図。 第１実施形態の発光画素におけるカラーフィルターの配置を示す概略平面図。 図５のＣ−Ｃ’線に沿った第１実施形態の発光パネルの構造を示す概略断面図。 第１実施形態の発光パネルの発光画素における光共振構造を示す拡大断面図。 第２実施形態の発光装置の構成を示す概略平面図。 第２実施形態の発光装置の構造を示す概略断面図。 第２実施形態の発光装置における表示部の構成を示す概略平面図。 第２実施形態の発光装置における発光パネルの構造を示す概略断面図。 第３実施形態の電子機器としてのヘッドマウントディスプレイを示す斜視図。 第３実施形態のヘッドマウントディスプレイにおける発光装置の配置を示す概略平面図。 発光装置における変形例の表示部を示す概略平面図。 発光装置における変形例の表示部を示す概略平面図。 発光装置における変形例の表示部を示す概略平面図。 変形例の発光画素の配置を示す概略平面図。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、説明する部分が認識可能な程度の大きさとなるように、適宜拡大または縮小して表示している。

（第１実施形態）
＜発光装置＞
本実施形態の発光装置の基本的な構成について、図１〜図２を参照して説明する。図１は第１実施形態の発光装置の構成を示す概略平面図、図２は第１実施形態の発光装置の構造を示す概略断面図である。なお、図１に示したＡ−Ａ’線は、発光装置１００の発光部１０６における中心を横断する線分である。

図１及び図２に示すように、本実施形態の発光装置１００は、素子基板１０と、素子基板１０に対向して配置された透光性の対向基板２０とを有する発光パネル１１０を備えている。素子基板１０には、発光部１０６と遮光部１２４とを含む表示部１０５が設けられている。表示部１０５の詳しい構成については後述するが、表示部１０５には複数の発光画素が配置されている。発光画素は発光素子を含み、表示部１０５の周辺には、発光素子の駆動に係る駆動回路としての、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０２が設けられている。発光装置１００は、発光画素に設けられた発光素子を個別に駆動可能なアクティブ駆動型である。

素子基板１０は対向基板２０よりも一回り大きく、対向基板２０からはみ出た素子基板１０の一辺部である端子部１０ａに外部駆動回路との接続を図るための複数の外部接続用端子１０４が配列している。複数の外部接続用端子１０４と表示部１０５との間に、データ線駆動回路１０１が設けられている。素子基板１０の端子部１０ａと直交して対向する２つの辺部のそれぞれと表示部１０５との間に走査線駆動回路１０２が設けられている。素子基板１０の端子部１０ａと反対側の辺部と表示部１０５との間に検査回路１０３が設けられている。検査回路１０３は、データ線駆動回路１０１から複数の発光画素のそれぞれに対して供給されるデータ信号を検出して、複数の発光画素のそれぞれが正常に動作しているか否かを検査可能な構成となっている。駆動回路としてのデータ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０２と、検査回路１０３とを含めて周辺回路と呼ぶ。

本実施形態では、表示部１０５から発光（表示光）が得られる領域を発光領域Ｅ１と呼び、表示部１０５において発光領域Ｅ１以外の領域に遮光部１２４が設けられている。以降、遮光部１２４が設けられた領域を遮光領域Ｅ２と呼ぶ。本実施形態において、表示部１０５の外形は矩形（長方形）であり、発光領域Ｅ１の外形は矩形ではなく円形である。発光領域Ｅ１は表示部１０５のほぼ中央に設けられている。

以降、素子基板１０の端子部１０ａにおいて、複数の外部接続用端子１０４が配列した方向をＸ方向とし、素子基板１０上において、Ｘ方向に直交する方向をＹ方向として説明する。また、Ｘ方向とＹ方向とに直交し、素子基板１０から対向基板２０に向かう方向をＺ方向として説明する。また、Ｚ方向に沿って対向基板２０側から見ることを平面視または平面的にと言う。

図２に示すように、素子基板１０と対向基板２０とは、透光性の例えばエポキシ系樹脂からなる充填材４０を介して貼り合されている。充填材４０は、表示部１０５を覆うと共に、走査線駆動回路１０２を含む周辺回路に一部が掛かるように配置されている。

素子基板１０には、複数の発光素子を含む素子部１２１と、素子部１２１を覆う封止膜１２２と、封止膜１２２上において、発光画素に対応して配置されたカラーフィルター１２３と、が設けられている。また、封止膜１２２上には、発光領域Ｅ１を囲む遮光領域Ｅ２に遮光部１２４が設けられている。素子部１２１は、平面視において、カラーフィルター１２３と遮光部１２４とに重なるように設けられている。つまり、発光部１０６をなす素子部１２１の発光素子から発した光は、封止膜１２２及びカラーフィルター１２３を透過して対向基板２０側から射出される。表示部１０５は、素子部１２１、封止膜１２２、カラーフィルター１２３、遮光部１２４を含むものであって、これらの構成の詳しい内容については、後述する。なお、本実施形態において、素子部１２１が形成される素子基板１０は、基材としてシリコン基板などの半導体基板が用いられている。

このような発光パネル１１０において、表示部１０５には、素子部１２１における発光素子の駆動に係る駆動回路としてのデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０２との電気的な接続を図るための駆動線が設けられている。駆動線の詳しい構成については後述する。

＜発光装置の電気的な構成＞
次に、発光装置１００における電気的な構成について、図３及び図５を参照して説明する。図３は第１実施形態の発光装置の電気的な構成を示す回路ブロック図、図４は第１実施形態の発光画素における画素回路を示す等価回路図、図５は表示部における駆動線の配置を示す概略平面図である。

図３に示すように、発光装置１００は、発光部１０６及び遮光部１２４を含む表示部１０５と、データ線駆動回路１０１と、走査線駆動回路１０２とを含む発光パネル１１０を有している。また、前述した外部接続用端子１０４（図１参照）を介して発光パネル１１０に接続される、外部駆動回路である、制御回路１１１と、電源回路１１２とを有している。なお、図３の回路ブロック図では、図１に示した検査回路１０３の図示を省略している。

表示部１０５には、Ｘ方向とＹ方向とに亘って発光画素Ｐが配置されている。Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とすると、行方向にｎ個、列方向にｍ個の発光画素Ｐが表示部１０５に配列した状態となっている。したがって、表示部１０５には、配列したｎ列×ｍ行の複数の発光画素Ｐに対応して、各種の信号を供給するための駆動線が配置されている。また、本実施形態では、Ｘ方向（行方向）に配列する３つの発光画素Ｐを１つの表示単位画素として、表示単位画素から赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光が得られる構成となっている。これによって、遮光部１２４で囲まれた発光部１０６においてカラー表示を可能としている。

制御回路１１１は、走査線駆動回路１０２に対して制御信号Ｃｔｒ１を供給すると共に、データ線駆動回路１０１に対して制御信号Ｃｔｒ２を供給する。また、制御回路１１１は、データ線駆動回路１０１に対して、表示部１０５における各行の発光画素Ｐに対応した画像データＶｄａｔａを行ごとに供給する。また、制御回路１１１は電源回路１１２による各種の電源電圧の生成を制御する。

制御信号Ｃｔｒ１は、走査線駆動回路１０２を制御するためのパルス信号である、垂直同期信号、水平同期信号、クロック信号、イネーブル信号を含むものである。制御信号Ｃｔｒ２は、データ線駆動回路１０１を制御するための水平同期信号、サンプリング信号、ドットクロック信号、ラッチパルス信号、イネーブル信号を含むものである。画像データＶｄａｔａは、走査線駆動回路１０２から表示部１０５に送出される走査信号ＧＷＲにより選択された行の発光画素Ｐごとの階調値（階調レベル）に対応したデジタル信号である。

走査線駆動回路１０２は、垂直同期信号により規定される各フレーム期間において各行の発光画素Ｐにおける画素回路１４０（図４参照）に行ごとに順番に選択して操作するための走査信号ＧＷＲを制御信号Ｃｔｒ１に基づいて生成する。走査信号ＧＷＲは、表示部１０５に設けられＸ方向に延在する走査線１３２を経由して発光部１０６の画素回路１４０に供給される。なお、走査線駆動回路１０２は、走査信号ＧＷＲの他に、上記画素回路１４０に供給する各種の制御信号を行ごとに生成するが、図３では図示を省略している。図３では、走査線駆動回路１０２の詳しい構成を示していないが、公知の回路構成を採用することができ、例えば、シフトレジスタ、ラッチ回路、デマルチプレクサなどを含んで構成される。

データ線駆動回路１０１は、画像データＶｄａｔａと、制御信号Ｃｔｒ２とに基づいて、水平走査期間ごとに、走査線駆動回路１０２によって選択された行の各発光画素Ｐの階調値に対応したｎ列分のデータ信号Ｖｉｄを生成する。データ信号Ｖｉｄは、表示部１０５に設けられＹ方向に延在する第１データ線１３１ａを経由して発光部１０６の画素回路１４０に供給される。図３では、データ線駆動回路１０１の詳しい構成を示していないが、公知の回路構成を採用することができ、例えば、シフトレジスタ、データラッチ回路、ラインラッチ回路、Ｄ／Ａ（デジタル／アナログ）変換回路、デマルチプレクサなどを含んで構成される。

電源回路１１２は、表示部１０５（発光画素Ｐの画素回路１４０）、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、及び制御回路１１１のそれぞれにおいて駆動に必要な各種の電源電圧を生成し供給する。また、電源回路１１２は、データ線駆動回路１０１に対して、駆動に係る電源電位を供給するだけでなく、発光画素Ｐにおける階調値に対応した複数レベルの階調基準電圧を供給する。

電源回路１１２が生成する電源電位は、ＶＤＤ、ＶＨＨ、ＶＥＬである。ＶＤＤはロジック用の低電圧（例えば、１．８Ｖ）である。ＶＨＨはロジック及びアンプ用の高電圧（例えば、５．５Ｖ）である。ＶＥＬは画素回路１４０（図４参照）への供給電圧（例えば、ＶＨＨと同じ５．５Ｖ）である。なお、電源回路１１２は、上記の他に、基準電位ＶＳＳや、画素回路１４０の陰極電位ＶＣＴやリセット電圧ＶＯＲＳＴ（図４参照）などを生成するが、図３では図示を省略している。

図４に示すように、発光画素Ｐにおける画素回路１４０は、Ｙ方向に延在する第１データ線１３１ａと、Ｘ方向に延在する走査線１３２及び電源線１３３との交差部に対応して設けられた、６つのＰ型ＭＯＳＦＥＴ（金属酸化膜半導体電界効果型トランジスター）１４１〜１４６と、２つの蓄積容量１４７，１４８と、発光素子１５０とを含んで構成されている。以降、６つのＰ型ＭＯＳＦＥＴを、説明の都合上、第１トランジスター１４１、第２トランジスター１４２、第３トランジスター１４３、第４トランジスター１４４、第５トランジスター１４５、第６トランジスター１４６と呼ぶ。第１データ線１３１ａと並行して第２データ線１３１ｂと電位線１３４とが設けられている。電位線１３４にはリセット電圧ＶＯＲＳＴが電源回路１１２から供給される。第１データ線１３１ａ及び走査線１３２は、画素回路１４０の駆動に係る駆動線の一例である。

第１トランジスター１４１は、駆動トランジスターとして機能するものであって、ソースまたはドレインのうちの一方が電源線１３３に接続され、他方が第３トランジスター１４３及び第４トランジスター１４４のソースまたはドレインのうちの一方に接続される。また、第１トランジスター１４１のゲートは、第２トランジスター１４２のソースまたはドレインのうちの一方に接続される。第１トランジスター１４１のゲートと電源線１３３との間に蓄積容量１４７が接続されている。電源線１３３には、前述したように電源回路１１２から電源電位ＶＥＬが供給される。つまり、蓄積容量１４７は、電源電位ＶＥＬに対する第１トランジスター１４１のゲート電位の保持容量として機能するものである。

第２トランジスター１４２は、書き込みトランジスターとして機能するものであって、ソースまたはドレインのうちの他方が第２データ線１３１ｂに接続される。第２トランジスター１４２は、走査線１３２を経由してゲートに供給される走査信号ＧＷＲによって選択／非選択が制御される。なお、走査線１３２は、走査線駆動回路１０２に接続されている。

第３トランジスター１４３は、閾値補償トランジスターとして機能するものであって、ゲートに制御信号ＧＣＭＰが供給されて、ＯＮ／ＯＦＦが制御される。

第４トランジスター１４４は、電流供給制御トランジスターとして機能するものであって、ソースまたはドレインのうちの一方が第１トランジスター１４１のソースまたはドレインのうちの他方と、第３トランジスター１４３のソースまたはドレインのうちの一方とに接続される。第４トランジスター１４４のソースまたはドレインのうちの他方は発光素子１５０の第１電極としての陽極（アノード）１５１に接続される。ゲートには制御信号ＧＥＬが供給されて、第４トランジスター１４４のＯＮ／ＯＦＦが制御される。第４トランジスター１４４により、例えば、発光装置１００の電源投入後に、発光素子１５０に電流が流れて意図しない発光が起こることを回避することができる。

第５トランジスター１４５は、リセットトランジスターとして機能するものであって、ソースまたはドレインのうちの一方が第４トランジスター１４４のソースまたはドレインのうちの他方に接続される。第５トランジスター１４５のソースまたはドレインのうちの他方が電位線１３４に接続される。ゲートには制御信号ＧＯＲＳＴが供給されて、第５トランジスター１４５のＯＮ／ＯＦＦが制御される。電位線１３４には前述したように、電源回路１１２からリセット電圧ＶＯＲＳＴが供給される。

第６トランジスター１４６は、ソースまたはドレインのうちの一方が第１データ線１３１ａに接続され、他方が第２データ線１３１ｂに接続されている。ゲートには制御信号ＧＦＩＸが供給されて、第６トランジスター１４６のＯＮ／ＯＦＦが制御される。第１データ線１３１ａにはデータ線駆動回路１０１からデータ信号Ｖｉｄが供給される。第１データ線１３１ａと第２データ線１３１ｂとの間に蓄積容量１４８が接続されている。つまり、蓄積容量１４８は、第６トランジスター１４６によって第１データ線１３１ａから第２データ線１３１ｂへ転送されるデータ信号Ｖｉｄの転送容量として機能するものである。

なお、図４には、詳しく図示していないが、表示部１０５のＹ方向の総発光画素数ｍを任意の数であるｑ個で割った本数が各行ごとに配置されている。つまり、１本の第２データ線１３１ｂに付帯する画素回路１４０の数を任意の数であるｑ個として、第６トランジスター１４６を制御することにより、列方向においてグループ分けされたｑ個の発光画素Ｐごとに、第１データ線１３１ａからデータ信号Ｖｉｄを画素回路１４０に供給することができる構成となっている。例えば、総発光画素数ｍが７２０で、ｑが９０であるとき、１本の第２データ線１３１ｂには９０個の画素回路１４０が付帯し、Ｘ方向１行あたり８本の第２データ線１３１ｂが配置される。

発光素子１５０の陽極１５１は、上述したように、第４トランジスター１４４のソースまたはドレインのうちの他方と、第５トランジスター１４５のソースまたはドレインのうちの一方とに接続されている。複数の発光素子１５０に跨って設けられ共通電極として機能する第２電極としての陰極１５３は、陰極配線１３９に接続される。陰極配線１３９には電源回路１１２から陰極電位ＶＣＴが供給される。陰極電位ＶＣＴは、基準電位ＶＳＳ（例えば、０Ｖの接地電位）であってもよい。

発光素子１５０は、第１電極としての陽極１５１と第２電極としての陰極１５３との間に発光機能層を有する、有機発光ダイオードである。陽極１５１と陰極１５３との間に電流が流れると、陽極１５１から注入された正孔と、陰極１５３から注入された電子とが、発光機能層において励起子（エキシトン；正孔と電子とがクーロン力にて互いに束縛された状態）を形成し、励起子（エキシトン）が消滅する際（正孔と電子とが再結合する際）にエネルギーの一部が蛍光や燐光となって放出される。本実施形態では、発光機能層から白色光が得られる構成となっている。

第１トランジスター１４１及び発光素子１５０は、電源線１３３と陰極配線１３９との間に直列に接続される。第１トランジスター１４１は駆動トランジスターであり、ゲート電位に応じて発光素子１５０に流れる電流を制御する。言い換えると、第１トランジスター１４１は電流源として機能する。発光素子１５０のＯＮ／ＯＦＦは、第４トランジスター１４４により制御され、発光素子１５０に流れる電流の電流量は、第１トランジスター１４１によって制御される。第２トランジスター１４２、第３トランジスター１４３、第４トランジスター１４４、第６トランジスター１４６は、画素回路１４０内のノードの電位を制御する為に用いられる。これによって、データ線駆動回路１０１から第１データ線１３１ａを経由して画素回路１４０に供給されるデータ信号Ｖｉｄに基づき、所定の階調値（階調レベル）に対応した発光が所定のタイミングで発光素子１５０から得られる構成となっている。なお、発光素子１５０の駆動に係る画素回路１４０は、第１トランジスター１４１〜第６トランジスター１４６を有する構成に限定されるものではない。例えば、第２データ線１３１ｂ、第６トランジスター１４６、蓄積容量１４８を削除して、第１データ線１３１ａに第２トランジスター１４２と、第３トランジスター１４３とを接続させた構成としてもよい。発光素子１５０に流れる電流に応じた輝度で発光素子１５０は発光するので、高精度な階調制御を行う為には、電流源である駆動トランジスターを備える構成が好ましい。

次に、表示部１０５における駆動線の配置について、図５を参照して説明する。図５に示すように、表示部１０５は、外形におけるＸ方向の長さＬ１が、Ｙ方向の長さＬ２よりも長い矩形である。表示部１０５は、発光部１０６と遮光部１２４とを含み、外形が円形の発光部１０６は、表示部１０５のＸ方向及びＹ方向の中心に位置している。駆動線として走査線１３２を例に挙げて説明する。前述したように、走査線１３２は、表示部１０５に配置された複数の発光画素Ｐの発光素子１５０のそれぞれに対応してＸ方向に延在して設けられている。したがって、表示部１０５における走査線１３２のＸ方向の長さはＬ１である。例えば、発光部１０６の中心（言い換えれば、表示部１０５の中心）を通る走査線１３２Ａは、発光部１０６における長さが最も長いＬ３であり、遮光部１２４における長さが最も短い２×Ｌ４となる。走査線１３２ＡのＸ方向の長さＬ１は、Ｌ１＝Ｌ３＋２×Ｌ４の関係となる。これに対して、発光部１０６の中心からＹ方向に外れた位置にある走査線１３２Ｂは、発光部１０６における長さがＬ３よりも短いＬ５であり、遮光部１２４における長さが２×Ｌ４よりも長い２×Ｌ６となる。発光部１０６の中心から外れた位置にある走査線１３２ＢのＸ方向の長さＬ１は、Ｌ１＝Ｌ５＋２×Ｌ６の関係となる。

つまり、表示部１０５が矩形であるためＸ方向に延在する走査線１３２の長さはＬ１で一定であり、発光部１０６が矩形とは異なる円形であることから、発光部１０６における走査線１３２の部分の長さが短いほど、遮光部１２４における走査線１３２の部分の長さが長くなる。図５には図示していないが、表示部１０５における駆動線としての第１データ線１３１ａの配置は、走査線１３２と同様であって、表示部１０５が矩形であるためＹ方向に延在する第１データ線１３１ａの長さはＬ２で一定であり、発光部１０６が矩形とは異なる円形であることから、発光部１０６における第１データ線１３１ａの部分の長さが短いほど、遮光部１２４における第１データ線１３１ａの部分の長さが長くなる。
なお、表示部１０５に対する発光部１０６の相対的な位置は、表示部１０５の中央に位置することに限定されない。その場合も、発光部１０６と遮光部１２４とにおける上述した駆動線の長さに関する技術的な特徴を有する。

＜表示部の構成＞
次に、表示部１０５の構成について、図６を参照して説明する。図６は第１実施形態の発光装置における表示部の構成を示す概略平面図である。図６では、遮光部１２４の下層の構成がわかるように表示し、発光領域Ｅ１と遮光部１２４が配置された遮光領域Ｅ２との境界ＢＬを二点鎖線で示している。

図６に示すように、表示部１０５の外形はＸ方向に長い矩形である。また、発光画素Ｐの外形はＹ方向に長い矩形である。表示部１０５には、前述したように、ｍ行ｎ列に亘って矩形の発光画素Ｐが複数配置されている。すなわち、表示部１０５において、Ｘ方向にｎ個、Ｙ方向にｍ個、合計がｎ×ｍ個の発光画素Ｐがマトリックス状に配置されている。複数の発光画素Ｐが配置された矩形の領域を囲んでダミー画素ＤＰが配置されている。さらに、ダミー画素ＤＰを取り囲むように第２電極コンタクト部としての陰極コンタクト部１０８が配置されている。つまり、複数の発光画素Ｐが配置された矩形の領域と陰極コンタクト部１０８との間にダミー画素ＤＰが配置されている。

本実施形態では、ダミー画素ＤＰ及び陰極コンタクト部１０８は、発光画素Ｐの構造を模して形成されている。言い換えれば、複数の発光画素Ｐが配置された矩形の領域を囲んで、それぞれ１個分の発光画素Ｐに相当する大きさのダミー画素ＤＰと陰極コンタクト部１０８とが配置されている。なお、ダミー画素ＤＰや陰極コンタクト部１０８の数はこれに限定されるものではない。

このような表示部１０５に対して、円形の発光領域Ｅ１を画定すべく遮光部１２４が配置されている。発光領域Ｅ１と遮光領域Ｅ２との境界ＢＬの外形は円形である。発光領域Ｅ１には表示に寄与する発光画素Ｐが配置されている。遮光領域Ｅ２にも発光画素Ｐが配置されているが、当該発光画素Ｐに対して遮光部１２４が重ねて配置される。したがって、遮光領域Ｅ２には表示に寄与しない発光画素Ｐが配置されていることになる。このような表示に寄与しない発光画素Ｐを以降、遮光画素ＰＳ（図６では、遮光画素ＰＳを単に「Ｓ」と表示している）と呼ぶ。つまり、表示部１０５には、発光画素Ｐと、遮光画素ＰＳと、ダミー画素ＤＰと、陰極コンタクト部１０８とが配置されている。発光領域Ｅ１の外縁では、表示に寄与する発光画素Ｐと遮光部１２４とが重なった状態となっている。なお、発光画素ＰのＸ方向及びＹ方向における配置ピッチと、発光領域Ｅ１の大きさとの関係にもよるが、発光領域Ｅ１の外縁において遮光部１２４は、１色の発光画素Ｐと重なることに限らず、２色あるいは３色の発光画素Ｐと重なることがあり得る。発光画素Ｐ、遮光画素ＰＳ、ダミー画素ＤＰ、陰極コンタクト部１０８の詳しい構成や構造については後述する。

＜発光画素及びカラーフィルター＞
次に、発光画素Ｐとカラーフィルターとの関係について、図７を参照して説明する。図７は第１実施形態の発光画素におけるカラーフィルターの配置を示す概略平面図である。本実施形態の発光装置１００は、発光画素Ｐに白色発光が得られる発光素子１５０と、カラーフィルター１２３とを備えることでカラー表示を実現している。なお、カラーフィルター１２３は、図２に示したように、素子部１２１のうち発光領域Ｅ１内の発光画素Ｐに対応して配置されている。

図７に示すように、Ｘ方向とＹ方向とに配列する発光画素Ｐには、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の中から選ばれる着色層が配置されている。具体的には、本実施形態のカラーフィルター１２３は、ストライプ方式の３色の着色層１２３Ｒ，１２３Ｇ，１２３Ｂを含んで構成されている。３色の着色層１２３Ｒ，１２３Ｇ，１２３Ｂのそれぞれは、Ｙ方向に配列した発光画素Ｐに対応して同じくＹ方向に延在して配置されている。以降、赤の着色層１２３Ｒが配置された発光画素Ｐを発光画素ＰＲと呼び、緑の着色層１２３Ｇが配置された発光画素Ｐを発光画素ＰＧと呼び、青の着色層１２３Ｂが配置された発光画素Ｐを発光画素ＰＢと呼ぶことがある。

Ｙ方向に隣り合う同色の発光画素Ｐの間及びＸ方向に隣り合う異なる色の発光画素Ｐの間は、絶縁膜１５４によって電気的に絶縁されている。発光画素ＰＲ，ＰＧ，ＰＢのそれぞれにおける画素発光領域、すなわち画素発光面積は、絶縁膜１５４に設けられた開口部１５４ｒ，１５４ｇ，１５４ｂによって規定されている。本実施形態における開口部１５４ｒ，１５４ｇ，１５４ｂの形状はＹ方向に長い矩形状である。本実施形態では、発光画素ＰＲ，ＰＧ，ＰＢのそれぞれにおける画素発光面積が同じとなるように、開口部１５４ｒ，１５４ｇ，１５４ｂが形成されているが、これに限定されるものではなく、表示における色相バランスを考慮して、色ごとに開口部１５４ｒ，１５４ｇ，１５４ｂの大きさや形状を異ならせてもよい。

着色層１２３Ｒと着色層１２３Ｇとの境界は、Ｘ方向に隣り合う開口部１５４ｒと開口部１５４ｇとの間に位置している。着色層１２３Ｇと着色層１２３Ｂとの境界は、Ｘ方向に隣り合う開口部１５４ｇと開口部１５４ｂとの間に位置している。同様に、着色層１２３Ｂと着色層１２３Ｒとの境界は、Ｘ方向に隣り合う開口部１５４ｂと開口部１５４ｒとの間に位置している。

カラーフィルター１２３は、Ｙ方向にストライプ状に延在する各着色層１２３Ｒ，１２３Ｇ，１２３ＢのＸ方向における端部と重なる位置に設けられた透光性のＣＦ隔壁部１２３ａを含んで構成されている。続いて、発光パネル１１０におけるカラーフィルター１２３を含む発光画素Ｐの詳しい構造について、説明する。

＜発光パネルの構造＞
発光装置１００の発光パネル１１０の構造について、図８を参照して説明する。図８は図６のＣ−Ｃ’線に沿った第１実施形態の発光パネルの構造を示す概略断面図である。この場合、Ｃ−Ｃ’線は、表示部１０５において、Ｘ方向に、Ｇ、Ｂ、Ｒの順に配置された発光画素Ｐと、複数の遮光画素ＰＳと、ダミー画素ＤＰと、陰極コンタクト部１０８とを横断する線分である。また、図８では、複数の遮光画素ＰＳのうちの一部を省略して表示している。

図８に示すように、発光パネル１１０は、透光性の充填材４０を介して貼り合された素子基板１０と透光性の対向基板２０とを有している。素子基板１０の基材１０ｓは、前述したように、例えばシリコン基板などの半導体基板が用いられている。基材１０ｓ上には、発光画素Ｐの画素回路１４０を構成する、各種のトランジスターや蓄積容量を含む回路部１４０ａと発光素子１５０とが形成されている。なお、図８では、第１トランジスター１４１と第４トランジスター１４４とを示し、他のトランジスターや蓄積容量の図示を省略している。

発光素子１５０は、第１電極としての陽極１５１と、第２電極としての陰極１５３と、これらの電極間に挟持された発光機能層１５２とを有している。陽極１５１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明電極であって、各発光画素ＰＲ，ＰＧ，ＰＢと、遮光画素ＰＳと、ダミー画素ＤＰとにそれぞれ電気的に独立して形成されている。

発光機能層１５２は、白色光が得られる有機発光層を有するものであって、異なる色の発光画素ＰＲ，ＰＧ，ＰＢと、遮光画素ＰＳと、ダミー画素ＤＰとに亘って形成されている。なお、発光機能層１５２の構成は、特に限定されるものではないが、白色光は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光が得られる有機発光層を組み合わせることにより実現できる。また、青（Ｂ）と黄（Ｙ）の発光が得られる有機発光層を組み合わせても擬似白色光を得ることができる。また、有機発光層以外に、有機発光層に効率的に正孔を注入輸送するために陽極１５１側に設けられた正孔注入輸送層や、有機発光層に効率的に電子を注入輸送するために陰極１５３側に設けられた電子注入輸送層などを含んで構成される。

陰極１５３は、光透過性と光反射性とを兼ね備えるように成膜された、例えば、Ａｇ（銀）とＭｇ（マグネシウム）の合金からなり、異なる色の発光画素ＰＲ，ＰＧ，ＰＢと、遮光画素ＰＳと、ダミー画素ＤＰと、陰極コンタクト部１０８とに亘って形成されている。

赤（Ｒ）の発光画素ＰＲでは、陽極１５１上に開口部１５４ｒが開口するように絶縁膜１５４が形成されている。緑（Ｇ）の発光画素ＰＧでは、陽極１５１上に開口部１５４ｇが開口するように絶縁膜１５４が形成されている。青（Ｂ）の発光画素ＰＢでは、陽極１５１上に開口部１５４ｂが開口するように絶縁膜１５４が形成されている。遮光画素ＰＳでは、陽極１５１上に開口部１５４ｓが開口するように絶縁膜１５４が形成されている。一方で、ダミー画素ＤＰでは、陽極１５１を被覆するように絶縁膜１５４が形成されている。したがって、ダミー画素ＤＰに含まれる発光素子１５０には電流が流れない構成となっていることから、ダミー画素ＤＰは常に非発光な状態となっている。

発光画素Ｐの構造を模して形成された陰極コンタクト部１０８にも、発光素子１５０の陽極１５１と同層に透明導電膜を用いて形成された電極１５１ｂが配置されている。また、この電極１５１ｂ上に開口部１５４ｃが開口するように絶縁膜１５４が形成されている。さらに、共通電極である陰極１５３は陰極コンタクト部１０８に跨るように形成されている。発光機能層１５２の外縁は、ダミー画素ＤＰと陰極コンタクト部１０８との間に位置している。つまり、陰極コンタクト部１０８には発光機能層１５２が形成されていないので、陰極コンタクト部１０８の開口部１５４ｃにおいて電極１５１ｂと陰極１５３とが短絡した状態となっている。なお、図６に示したように、陰極コンタクト部１０８のＸ方向における幅は、発光画素Ｐの１個分に相当するものであるが、これに限定されず、例えば２個分の発光画素Ｐの大きさとしてもよい。

発光画素ＰＲ，ＰＧ，ＰＢ、遮光画素ＰＳ、ダミー画素ＤＰのそれぞれの陽極１５１と、陰極コンタクト部１０８の電極１５１ｂと、画素回路１４０のトランジスターなどが形成された回路部１４０ａとの間には、回路部１４０ａ側から反射層１３５、第１絶縁膜１３６、光学調整層１３８などが形成されている。反射層１３５、第１絶縁膜１３６、光学調整層１３８などは、光共振構造を構成するものである。光共振構造の詳しい構成については後述するが、反射層１３５は、発光画素ＰＲ，ＰＧ，ＰＢ、遮光画素ＰＳ、ダミー画素ＤＰごとに電気的に独立して形成されている。発光画素ＰＲ，ＰＧ，ＰＢ、遮光画素ＰＳ、ダミー画素ＤＰに含まれる陽極１５１は、光学調整層１３８、第１絶縁膜１３６を貫通して反射層１３５に至る陽極コンタクト部１５１ａを介して回路部１４０ａの第４トランジスター１４４に接続されている。つまり、発光画素ＰＲ，ＰＧ，ＰＢ、遮光画素ＰＳ、ダミー画素ＤＰにおける反射層１３５は、陽極１５１と第４トランジスター１４４との電気的な接続に係る中継層として機能するように形成されている。

陰極コンタクト部１０８に含まれる電極１５１ｂもまた、光学調整層１３８、第１絶縁膜１３６を貫通するコンタクト部１５１ｃを介して反射層１３５に接続されている。この場合の反射層１３５は、陰極電位ＶＣＴが供給される陰極配線１３９（図４参照）の一部として機能するように形成されている。

画素回路１４０の回路部１４０ａ及び発光素子１５０と、ダミー画素ＤＰと、陰極コンタクト部１０８とを含む素子部１２１を被覆するように封止膜１２２が形成されている。封止膜１２２は、少なくとも表示部１０５に亘って形成された無機膜からなる第１封止膜１２２ａと、第１封止膜１２２ａの表面の凹凸を緩和すべく形成された有機膜からなる中間封止膜１２２ｂと、中間封止膜１２２ｂを覆って形成された無機膜からなる第２封止膜１２２ｃとを含んで構成されている。中間封止膜１２２ｂは、平面視で発光画素ＰＲ，ＰＧ，ＰＢと、遮光画素ＰＳと、ダミー画素ＤＰと、陰極コンタクト部１０８とに重なるように形成されている。つまり、中間封止膜１２２ｂの外縁は、陰極コンタクト部１０８よりも外側に位置している。中間封止膜１２２ｂの外縁よりもさらに外側は、無機膜からなる第１封止膜１２２ａと第２封止膜１２２ｃとが積層された状態となっている。無機膜は、発光素子１５０に水分や酸素などが浸入して発光機能層１５２が失活することを防ぐべく、例えば、シリコンの酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）などが用いられ、蒸着法などにより形成される。無機膜によって構成される第１封止膜１２２ａの膜厚は例えば４００ｎｍ、第２封止膜１２２ｃの膜厚は例えば８００ｎｍである。有機膜は、例えば、透光性に優れたエポキシ系樹脂が用いられ、印刷法などにより形成される。中間封止膜１２２ｂの膜厚は例えば２．６μｍである。

表面が平坦な状態となった封止膜１２２上には、ストライプ方式のカラーフィルター１２３の着色層１２３Ｒ，１２３Ｇ，１２３Ｂを形成するにあたり、まず、透光性のＣＦ隔壁部１２３ａが形成される。ＣＦ隔壁部１２３ａは、カラーフィルター１２３用の色材を含まない感光性樹脂を塗布して所定の膜厚の感光性樹脂層を形成し、露光・現像してポストベークすることにより、平面視で隣り合う異なる色の発光画素Ｐの間にストライプ状に形成される。このようなＣＦ隔壁部１２３ａの封止膜１２２上における高さ（膜厚）は、この後に形成される着色層１２３Ｒ，１２３Ｇ，１２３Ｂの膜厚よりも小さい。言い換えれば、着色層１２３Ｒ，１２３Ｇ，１２３Ｂは、ＣＦ隔壁部１２３ａに対して被さるように形成される。

着色層１２３Ｒ，１２３Ｇ，１２３Ｂは、該当する色の色材を含む感光性樹脂を塗布して所定の膜厚の感光性樹脂層を形成し、露光・現像してポストベークすることにより、ストライプ状に形成される。色材を含む感光性樹脂を塗布する方法として、例えばスピンコート法が用いられるが、予め、ＣＦ隔壁部１２３ａを形成しておくことによって、着色層１２３Ｒ，１２３Ｇ，１２３Ｂにおいてそれぞれ所定の膜厚を確保し易い構造となっている。本実施形態では、緑（Ｇ）の着色層１２３Ｇ、青（Ｂ）の着色層１２３Ｂ、赤（Ｒ）の着色層１２３Ｒの順に形成されている。着色層１２３Ｒ，１２３Ｇ，１２３Ｂの膜厚は、必ずしも同一ではなく、表示における色光の透過率と色純度とを考慮して設定される。本実施形態では、緑（Ｇ）の着色層１２３Ｇの平均膜厚がおよそ１．０μｍ、青（Ｂ）の着色層１２３Ｂの平均膜厚がおよそ１．３μｍ、赤（Ｒ）の着色層１２３Ｒの平均膜厚がおよそ１．６μｍに設定されている。つまり、膜厚が小さい順に着色層が形成されている。

本実施形態では、緑（Ｇ）の着色層１２３Ｇ、青（Ｂ）の着色層１２３Ｂ、赤（Ｒ）の着色層１２３Ｒをこの順に積層して遮光部１２４を形成している。発光領域Ｅ１を囲む遮光領域Ｅ２に、複数の色の着色層１２３Ｇ，１２３Ｂ，１２３Ｒを重ねることによって遮光部１２４を形成し、発光領域Ｅ１の発光画素Ｐから斜め方向に漏れる光を遮光部１２４において遮光している。具体的には、発光領域Ｅ１の外縁に封止膜１２２上にＣＦ隔壁部１２３ａが配置されている。つまり、発光領域Ｅ１の外縁に、平面視で円形となるようにＣＦ隔壁部１２３ａが形成されている。この場合、発光領域Ｅ１と遮光部１２４との境界ＢＬは、赤（Ｒ）の発光画素ＰＲ上に位置している。発光領域Ｅ１の外縁に位置する赤（Ｒ）の発光画素ＰＲにおいて封止膜１２２上にＣＦ隔壁部１２３ａが配置され、当該ＣＦ隔壁部１２３ａの外側において、複数の色の着色層１２３Ｇ，１２３Ｂ，１２３Ｒを重ねることによって遮光部１２４が形成されている。

カラーフィルター１２３を覆うように充填材４０を塗布し、透光性の対向基板２０を貼り合せて充填材４０を硬化させる。充填材４０は例えば熱硬化型のエポキシ系樹脂であって、膜厚はおよそ２．０μｍである。

＜光共振構造＞
次に、発光パネル１１０における光共振構造について図９を参照して説明する。図９は第１実施形態の発光パネルの発光画素における光共振構造を示す拡大断面図である。

本実施形態の発光装置１００における発光パネル１１０は、上述したように、発光素子１５０からの白色光をカラーフィルター１２３の着色層１２３Ｒ，１２３Ｇ，１２３Ｂを透過させて、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかの色光を発光画素Ｐから取り出す構成としている。さらに、色光の色純度を向上させる観点から発光画素Ｐに色光の波長に応じた光共振構造が取り入れられている。

図９は、赤（Ｒ）の発光が得られる発光画素ＰＲ、緑（Ｇ）の発光が得られる発光画素ＰＧ、青（Ｂ）の発光が得られる発光画素ＰＢにおけるそれぞれの光共振構造を示すものである。
図９に示すように、各発光画素ＰＲ，ＰＧ，ＰＢの透光性の陽極１５１の下層には反射層１３５が配置されている。また、陰極１５３は、光透過性と光反射性とを兼ね備えるように構成されている。したがって、陽極１５１と陰極１５３との間の発光機能層１５２で発して陰極１５３を透過し、カラーフィルター１２３の各着色層１２３Ｒ，１２３Ｇ，１２３Ｂに入射する光は、陽極１５１を透過して反射層１３５で反射した光や、反射層１３５と陰極１５３との間で多重に反射した光が含まれる。

発光画素ＰＲ，ＰＧ，ＰＢにおいて、反射層１３５と陰極１５３との間の光学的な距離を、異ならせることにより、反射層１３５と陰極１５３との間で光共振を発生させ、色光に応じた特定波長の光の強度を向上させる。光共振によって得られる特定波長としての共振波長λは、以下の数式（１）によって導かれる。

ｍλ＝２ｎｄ＋Φ・・・（１）
数式（１）において、ｍは正の整数（０，１，２，・・・）で光共振の次元を指し、ｎは反射層１３５と陰極１５３との間の光学的な層の屈折率であり、ｄは当該光学的な層の膜厚であり、Φは反射位相シフトである。実際には、反射層１３５と陰極１５３との間に複数の層が存在することから、各層の屈折率と膜厚との積の和を当てはめてｍλの値を求める。

また、発光画素ＰＲ，ＰＧ，ＰＢにおいて、陽極１５１の膜厚は同等であり、陽極１５１と陰極１５３との間の発光機能層１５２の膜厚もまた同等である。本実施形態では、発光画素ＰＲ，ＰＧ，ＰＢにおいて、陽極１５１と反射層１３５との間の光学的な距離を異ならせることで、上記数式（１）においてｍ＝１に相当する光共振を起こさせている。なお、陰極１５３上の封止膜１２２やカラーフィルター１２３においても、わずかながら相互の界面において反射が生ずる。これらの反射による光共振の次元は、ｍ＝５〜１０に相当するものであるが、封止膜１２２やカラーフィルター１２３を構成する光学的な層の屈折率や膜厚を考慮すると、これらの反射による光共振は、実質的に無視することができる。

具体的には、発光画素ＰＲでは、反射層１３５と陽極１５１との間に、反射層１３５を覆い平坦化層として機能する第１絶縁膜１３６と、第１絶縁膜１３６を覆い、反射層１３５を電気的に独立させて区分するための第２絶縁膜１３７と、第１光学調整層１３８ａと、第２光学調整層１３８ｂとが形成されている。反射層１３５は、光反射性の金属である例えばアルミニウム（Ａｌ）またはＡｌを含む合金からなる。第１絶縁膜１３６は、例えば屈折率が１．４６のシリコン酸化膜（ＳｉＯ₂膜）であり、膜厚は例えば３５ｎｍである。第２絶縁膜１３７は、例えば屈折率が１．８のシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）であり、膜厚は例えば５０ｎｍである。第１光学調整層１３８ａ及び第２光学調整層１３８ｂは、例えば屈折率が１．４６のシリコン酸化膜（ＳｉＯ₂膜）であり、膜厚はそれぞれ例えば５０ｎｍである。第１光学調整層１３８ａと第２光学調整層１３８ｂとを合わせて、単に、光学調整層１３８と呼ぶこともある。したがって、光学調整層１３８の屈折率は１．４６であり、膜厚は１００ｎｍとなる。陽極１５１は、例えば屈折率が１．７〜１．８のＩＴＯ膜を用い、膜厚が例えば２０ｎｍとなるように形成されている。発光機能層１５２は、上述したように有機発光層などを含んでいるが、本実施形態では、屈折率が１．７〜１．８、膜厚を例えば１００ｎｍとする。陰極１５３は、例えばＡｇ（銀）とＭｇ（マグネシウム）とを含む合金であり、光透過性と光反射性とを有するように膜厚が例えば２０ｎｍとなるように成膜されている。このような発光画素ＰＲにおける光共振構造によれば、光共振により光強度が向上した共振波長λがおよそ６１０ｎｍの共振光が得られる。このような共振光が着色層１２３Ｒを透過することにより、発光画素ＰＲからは色純度が向上した赤（Ｒ）の色光が得られる。

発光画素ＰＧでは、反射層１３５と陽極１５１との間に、第１絶縁膜１３６と、第２絶縁膜１３７と、第２光学調整層１３８ｂとが形成されている。言い換えれば、発光画素ＰＲに比べて発光画素ＰＧは、第１光学調整層１３８ａが形成されていない分だけ、反射層１３５と陰極１５３との間の光学的な距離が小さくなっている。このような発光画素ＰＧにおける光共振構造によれば、光共振により光強度が向上した共振波長λがおよそ５４０ｎｍの共振光が得られる。このような共振光が着色層１２３Ｇを透過することにより、発光画素ＰＧからは色純度が向上した緑（Ｇ）の色光が得られる。

発光画素ＰＢでは、反射層１３５と陽極１５１との間に、第１絶縁膜１３６と、第２絶縁膜１３７とが形成されている。言い換えれば、発光画素ＰＲに比べて発光画素ＰＢは、光学調整層１３８が形成されていない分だけ、反射層１３５と陰極１５３との間の光学的な距離が小さくなっている。このような発光画素ＰＢにおける光共振構造によれば、光共振により光強度が向上した共振波長λがおよそ４７０ｎｍの共振光が得られる。このような共振光が着色層１２３Ｂを透過することにより、発光画素ＰＢからは色純度が向上した青（Ｂ）の色光が得られる。

上記第１実施形態の発光装置１００によれば、以下の効果が得られる。
（１）発光装置１００の発光パネル１１０は、矩形の発光画素Ｐが配置された表示部１０５と、表示部１０５における発光領域Ｅ１を画定して、表示部１０５の発光領域Ｅ１以外を遮光する遮光部１２４と、を有し、発光領域Ｅ１と遮光部１２４との境界ＢＬが円形となっている。したがって、発光画素Ｐの形状が矩形であったとしても、発光領域Ｅ１の外形が階段状とならず、発光領域Ｅ１の外形をなめらかな円形とすることができる。また、発光領域Ｅ１の外縁において遮光部１２４と重なる発光画素Ｐの大きさは、発光領域Ｅ１内に配置された発光画素Ｐの大きさと同じである。したがって、発光領域Ｅ１の外縁において遮光部１２４と重なる発光画素Ｐの発光に係る電流値は、発光領域Ｅ１内の発光画素Ｐの発光に係る電流値と同水準となる。ゆえに、発光領域Ｅ１の外縁側で輝度ムラ、すなわち表示ムラが生じ難い発光装置１００を提供できる。換言すれば、発光領域Ｅ１の外縁において遮光部１２４と重なる発光画素Ｐの駆動トランジスターとして、発光領域Ｅ１内の発光画素Ｐの駆動トランジスターと同等のものを用いることができ、特別なデータ信号などを用意することなく、これらの発光画素Ｐの画素回路１４０を同様に制御することができる。

（２）発光領域Ｅ１における発光画素Ｐは、発光素子１５０と、発光素子１５０を被覆する封止膜１２２上に配置された、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の中から選ばれる着色層とを有し、遮光部１２４は、複数の色の着色層１２３Ｇ，１２３Ｂ，１２３Ｒが封止膜１２２上に積層されてなる。したがって、発光領域Ｅ１においてフルカラーの表示が可能であると共に、３色の着色層１２３Ｇ，１２３Ｂ，１２３Ｒを用いて遮光部１２４を構成することから、遮光部１２４を新たに形成する工程が不要となる。また、遮光部１２４を封止膜１２２上に設けることで、発光素子１５０に対して遮光部１２４を近接して配置することができる。したがって、発光領域Ｅ１の外縁に位置する発光画素Ｐから法線方向に対して斜め方向に発光領域Ｅ１の外側に漏れる光を、遮光部１２４によって確実に遮光することができる。ゆえに、発光領域Ｅ１において見栄えのよいカラー表示が可能な発光装置１００を提供できる。

（３）陰極コンタクト部１０８は、発光画素Ｐにおける発光素子１５０の構造を模して形成され、発光素子１５０の陽極１５１と同層に形成された電極１５１ｂを有している。電極１５１ｂは、電極１５１ｂ上に形成された絶縁膜１５４の開口部１５４ｃにおいて、陰極１５３と接している。また、電極１５１ｂはコンタクト部１５１ｃを介して回路部１４０ａの陰極配線１３９に接続されている。陰極配線１３９には陰極電位ＶＣＴが与えられている。したがって、陽極１５１を形成する際に、陰極コンタクト部１０８を構成する電極１５１ｂを形成できるので、製造工程が複雑にならず、簡素な構成の発光装置１００を提供できる。

（４）表示部１０５は、複数の発光画素Ｐ及び遮光画素ＰＳが配置された領域と陰極コンタクト部１０８との間にダミー画素ＤＰを有している。発光機能層１５２は、複数の発光画素Ｐ及び遮光画素ＰＳが配置された領域とダミー画素ＤＰとに亘って形成されている。発光機能層１５２の外縁は、ダミー画素ＤＰと陰極コンタクト部１０８との間に位置している。したがって、発光機能層１５２の形成において、例えば発光機能層１５２の外縁側における膜厚が変動したとしても、このような膜厚の変動が発光画素Ｐに影響することを避けることができる。つまり、複数の発光画素Ｐ及び遮光画素ＰＳが配置された領域における発光機能層１５２の膜厚の均一化を図ることが可能となることから、発光機能層１５２の膜厚のバラツキに起因する発光画素Ｐにおける輝度ムラをより低減することができる。また、ダミー画素ＤＰにおける発光素子１５０は陽極１５１が絶縁膜１５４によって覆われていることから陽極１５１と発光機能層１５２とが絶縁されており非発光となっている。つまり、遮光領域Ｅ２において予期せずに発光が生じない構成となっている。

（第２実施形態）
＜他の発光装置＞
次に、第２実施形態の発光装置の基本的な構成について、図１０及び図１１を参照して説明する。図１０は第２実施形態の発光装置の構成を示す概略平面図、図１１は第２実施形態の発光装置の構造を示す概略断面図である。なお、図１０に示したＦ−Ｆ’線は、発光装置２００の発光部２０６における中心を横断する線分である。第２実施形態の発光装置２００は、上記第１実施形態の発光装置１００に対して、表示部における発光画素Ｐ、ダミー画素ＤＰ、第２電極コンタクト部としての陰極コンタクト部１０８の配置を異ならせたものである。また、第２実施形態の発光装置２００の画素回路を含む電気的な構成や、発光画素Ｐにおけるカラーフィルター１２３の配置、光共振構造も、上記の発光装置１００と同じである。したがって、上記の発光装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。

図１０に示すように、本実施形態の発光装置２００は、素子基板１０Ｂと、素子基板１０Ｂに対向して配置された透光性の対向基板２０とを有する発光パネル２１０を備えている。素子基板１０Ｂには、発光部２０６と発光部２０６を囲んで配置された遮光部１２４とを含む表示部２０５が設けられている。表示部２０５の詳しい構成については後述するが、発光部２０６には矩形の発光画素Ｐが配置されている。発光画素Ｐは発光素子１５０を含み、表示部２０５の周辺には、発光素子１５０の駆動に係る駆動回路としての、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０２、及び検査回路１０３が設けられている。発光装置２００もまた、発光画素Ｐに設けられた発光素子１５０を個別に駆動可能なアクティブ駆動型である。

素子基板１０Ｂの端子部１０ａには、外部駆動回路との接続を図るため、複数の外部接続用端子１０４が設けられている。外部駆動回路から外部接続用端子１０４を経由して各種の信号や電源電位がデータ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０２に供給されて、発光パネル２１０が駆動される。

本実施形態では、発光部２０６が設けられた領域が発光領域Ｅ１であり、発光部２０６を囲むように遮光部１２４が設けられた領域が遮光領域Ｅ２である。表示部２０５の外形は矩形（長方形）であり、発光部２０６（発光領域Ｅ１）の外形は矩形ではなく円形である。発光部２０６は表示部２０５のほぼ中央に設けられている。遮光領域Ｅ２において、発光部２０６の外周に沿ってダミー画素ＤＰと第２電極コンタクト部としての陰極コンタクト部２０８とが設けられている。

図１１に示すように、素子基板１０Ｂと対向基板２０とは、透光性の例えばエポキシ系樹脂からなる充填材４０を介して貼り合されている。充填材４０は、表示部２０５を覆うと共に、走査線駆動回路１０２を含む周辺回路に一部が掛かるように配置されている。

素子基板１０Ｂには、複数の発光素子１５０を含む素子部１２１と、素子部１２１を覆う封止膜１２２と、封止膜１２２上において、発光画素Ｐに対応して配置されたカラーフィルター１２３と、が設けられている。また、封止膜１２２上には、発光部２０６（発光領域Ｅ１）を囲む遮光領域Ｅ２に遮光部１２４が設けられている。素子部１２１は、平面視において、カラーフィルター１２３と重なると共に、一部が遮光部１２４と重なるように設けられている。つまり、素子部１２１の基材１０ｓ上における配置が上記第１実施形態の発光装置１００と異なっている構成の１つである。発光領域Ｅ１において、発光素子１５０から発した光は、封止膜１２２及びカラーフィルター１２３を透過して対向基板２０側から射出される。表示部２０５は、素子部１２１、封止膜１２２、カラーフィルター１２３、遮光部１２４を含むものであって、これらの構成の詳しい内容については、後述する。なお、素子部１２１が形成される素子基板１０Ｂは、基材１０ｓとしてシリコン基板などの半導体基板が用いられている。

このような発光パネル２１０において、表示部２０５には、発光素子１５０の駆動に係る駆動回路としてのデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０２との電気的な接続を図るための駆動線が設けられている。駆動線は、矩形の表示部２０５において長辺に沿ったＸ方向と、短辺に沿ったＹ方向とに配置されている。発光部２０６が円形であり、表示部２０５が矩形であることから、発光部２０６が設けられた発光領域Ｅ１においてＸ方向またはＹ方向に配置された駆動線の部分が短いほど、遮光部１２４が設けられた遮光領域Ｅ２においてＸ方向またはＹ方向に配置された駆動線の部分が長くなっている。

＜表示部の構成＞
次に、表示部２０５の構成について、図１２を参照して説明する。図１２は第２実施形態の発光装置における表示部の構成を示す概略平面図である。なお、図１２は図１０の表示部２０５に示した二点鎖線で囲まれた四角形の領域Ｈを拡大した平面図である。

図１２に示すように、表示部２０５は、発光部２０６と遮光部１２４とを含んで構成されている。発光部２０６にはＹ方向における辺部の長さがＸ方向における辺部の長さよりも長い矩形の発光画素ＰがＸ方向とＹ方向とに複数配列している。発光画素Ｐを認識可能な状態に拡大すると、発光部２０６の外周には発光画素Ｐの形状に起因する段差がある。一方で、発光部２０６の外縁に位置する発光画素Ｐと遮光部１２４とは重なっており、遮光部１２４によって画定された発光領域Ｅ１と遮光領域Ｅ２との境界ＢＬは曲線状となっている。つまり、発光部２０６の外形は実質的になめらかな円形となっている。遮光領域Ｅ２には、発光領域Ｅ１の外縁に位置する発光画素Ｐの一部と、ダミー画素ＤＰ、陰極コンタクト部２０８、配線部２０９とが配置されている。

発光部２０６を囲むようにダミー画素ＤＰが配置されている。さらに、ダミー画素ＤＰの外側に陰極コンタクト部２０８が配置されている。つまり、ダミー画素ＤＰ及び陰極コンタクト部２０８の外形もまた見かけ上では円形となっている。陰極コンタクト部２０８よりも外側は、発光画素Ｐ、ダミー画素ＤＰ、陰極コンタクト部２０８に係る配線が配置された配線部２０９となっている。

本実施形態において、ダミー画素ＤＰはもちろんのこと、ダミー画素ＤＰに対して隣り合う陰極コンタクト部２０８もまた、発光画素Ｐの構造を模して構成されている。ダミー画素ＤＰ及び陰極コンタクト部２０８の具体的な構造は後述する。

図１２において、発光部２０６の外周側に配置されたダミー画素ＤＰの数は３個であるが、これに限定されるものではない。発光部２０６の外周に沿って少なくとも１つのダミー画素ＤＰが配置されていればよい。また、ダミー画素ＤＰの外周側に配置された陰極コンタクト部２０８は、発光画素Ｐの平面的な大きさに換算して２個分であるが、これに限定されるものではない。ダミー画素ＤＰの外周に沿って少なくとも発光画素Ｐの１個分に相当する陰極コンタクト部２０８が配置されていればよい。本実施形態では、陰極コンタクト部２０８は、発光部２０６の外縁に位置する発光画素Ｐに対してダミー画素ＤＰを挟んで等距離に配置されている。言い換えれば、円形の発光部２０６の中心から陰極コンタクト部２０８までの距離は、Ｘ方向及びＹ方向において等距離となっている。

図１２には、発光部２０６におけるカラーフィルター１２３の詳しい構成を図示していないが、第２実施形態の発光パネル２１０においても上記第１実施形態の発光パネル１１０と同様に、各色の発光画素ＰＲ，ＰＧ，ＰＢに応じてストライプ方式の着色層１２３Ｒ，１２３Ｇ，１２３Ｂが設けられている。

＜発光パネルの構造＞
次に、発光装置２００の発光パネル２１０の構造について、図１３を参照して説明する。図１３は第２実施形態の発光装置における発光パネルの構造を示す概略断面図である。なお、図１３は、図１２に示した表示部２０５の一部をＪ−Ｊ’線に沿って切ったときの概略断面図である。この場合、Ｊ−Ｊ’線は、Ｘ方向に、Ｂ、Ｒ、Ｇ、Ｂの順に配置された発光画素Ｐを横断すると共に、ダミー画素ＤＰと陰極コンタクト部２０８とを横断する線分である。

図１３に示すように、発光パネル２１０は、透光性の充填材４０を介して貼り合された素子基板１０Ｂと透光性の対向基板２０とを有している。素子基板１０Ｂの基材１０ｓは、例えばシリコン基板などの半導体基板が用いられている。基材１０ｓ上には、発光画素Ｐの画素回路１４０を構成する、各種のトランジスターや蓄積容量を含む回路部１４０ａと発光素子１５０とが形成されている。なお、図１３では、第１トランジスター１４１と第４トランジスター１４４とを示し、他のトランジスターや蓄積容量の図示を省略している。

発光素子１５０の陽極１５１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明電極であって、各発光画素ＰＲ，ＰＧ，ＰＢとダミー画素ＤＰとにそれぞれ電気的に独立して形成されている。

発光機能層１５２は、白色光が得られる有機発光層を有するものであって、異なる色の発光画素ＰＲ，ＰＧ，ＰＢとダミー画素ＤＰとに亘って形成されている。

発光素子１５０の陰極１５３は、光透過性と光反射性とを兼ね備えるように成膜された、例えば、Ａｇ（銀）とＭｇ（マグネシウム）の合金からなり、異なる色の発光画素ＰＲ，ＰＧ，ＰＢとダミー画素ＤＰと陰極コンタクト部２０８とに亘って形成されている。

赤（Ｒ）の発光画素ＰＲでは、陽極１５１上に開口部１５４ｒが開口するように絶縁膜１５４が形成されている。緑（Ｇ）の発光画素ＰＧでは、陽極１５１上に開口部１５４ｇが開口するように絶縁膜１５４が形成されている。青（Ｂ）の発光画素ＰＢでは、陽極１５１上に開口部１５４ｂが開口するように絶縁膜１５４が形成されている。一方で、ダミー画素ＤＰでは、陽極１５１を被覆するように絶縁膜１５４が形成されている。したがって、ダミー画素ＤＰに含まれる発光素子１５０には電流が流れない構成となっていることから、ダミー画素ＤＰは常に非発光な状態となっている。なお、図１２に示したように、発光画素Ｐに隣り合うダミー画素ＤＰの数は、本実施形態では３個であるが、図１３では説明の都合上で、１つのダミー画素ＤＰを図示している。

発光画素Ｐにおける発光素子１５０の構造を模して形成された陰極コンタクト部２０８にも、発光素子１５０の陽極１５１と同層に透明導電膜を用いて形成された電極１５１ｂが配置されている。また、この電極１５１ｂ上に開口部１５４ｃが開口するように絶縁膜１５４が形成されている。さらに、共通電極である陰極１５３は陰極コンタクト部２０８に跨るように形成されている。発光機能層１５２の外縁は、ダミー画素ＤＰと陰極コンタクト部２０８との間に位置している。つまり、陰極コンタクト部２０８には発光機能層１５２が形成されていないので、陰極コンタクト部２０８の開口部１５４ｃにおいて電極１５１ｂと陰極１５３とが短絡した状態となっている。なお、図１２に示したように、陰極コンタクト部２０８のＸ方向における幅は、発光画素Ｐの２個分に相当するものであるが、本実施形態では、説明の都合上で、陰極コンタクト部２０８を発光画素Ｐの１個分に相当する大きさで図示している。

発光画素ＰＲ，ＰＧ，ＰＢ、ダミー画素ＤＰのそれぞれの陽極１５１と、陰極コンタクト部２０８の電極１５１ｂと、画素回路１４０のトランジスターなどが形成された回路部１４０ａとの間には、回路部１４０ａ側から反射層１３５、第１絶縁膜１３６、光学調整層１３８などが形成されている。反射層１３５、第１絶縁膜１３６、光学調整層１３８などは、光共振構造を構成するものである。光共振構造は、上記第１実施形態の発光パネル１１０において図９を用いて説明した構成と同じである。したがって、共振構造の詳しい説明については省略する。発光画素ＰＲ，ＰＧ，ＰＢ、ダミー画素ＤＰに含まれる陽極１５１は、第１絶縁膜１３６を貫通して中継層として機能する反射層１３５に至る陽極コンタクト部１５１ａを介して回路部１４０ａの第４トランジスター１４４に接続されている。

陰極コンタクト部２０８に含まれる電極１５１ｂは、第１絶縁膜１３６を貫通するコンタクト部１５１ｃを介して、陰極電位ＶＣＴが供給される陰極配線１３９（図４参照）の一部として機能するように形成された反射層１３５に接続されている。

画素回路１４０の回路部１４０ａ及び発光素子１５０と、ダミー画素ＤＰと、陰極コンタクト部２０８とを含む素子部１２１を被覆するように封止膜１２２が形成されている。封止膜１２２は、少なくとも表示部１０５に亘って形成された無機膜からなる第１封止膜１２２ａと、第１封止膜１２２ａの表面の凹凸を緩和すべく形成された有機膜からなる中間封止膜１２２ｂと、中間封止膜１２２ｂを覆って形成された無機膜からなる第２封止膜１２２ｃとを含んで構成されている。中間封止膜１２２ｂは、平面視で発光画素ＰＲ，ＰＧ，ＰＢと、ダミー画素ＤＰと、陰極コンタクト部２０８とに重なるように形成されている。つまり、中間封止膜１２２ｂの外縁は、陰極コンタクト部２０８よりも外側に位置している。中間封止膜１２２ｂの外縁よりもさらに外側は、無機膜からなる第１封止膜１２２ａと第２封止膜１２２ｃとが積層された状態となっている。このような封止膜１２２の材料構成は、上記第１実施形態の発光パネル１１０と同様であって、第１封止膜１２２ａは、例えばＳｉＯＮ膜を用いて形成され、その膜厚は例えば４００ｎｍである。第２封止膜１２２ｃもまた例えばＳｉＯＮ膜を用いて形成され、その膜厚は例えば８００ｎｍである。中間封止膜１２２ｂは、例えば、透光性に優れたエポキシ系樹脂を用いて形成され、その膜厚は例えば２．６μｍである。

表面が平坦な状態となった封止膜１２２上には、ストライプ方式のカラーフィルター１２３の着色層１２３Ｒ，１２３Ｇ，１２３Ｂを形成するにあたり、まず、透光性のＣＦ隔壁部１２３ａが形成される。ＣＦ隔壁部１２３ａは、カラーフィルター１２３用の色材を含まない感光性樹脂を塗布して所定の膜厚の感光性樹脂層を形成し、露光・現像してポストベークすることにより、平面視で隣り合う異なる色の発光画素Ｐの間にストライプ状に形成される。このようなＣＦ隔壁部１２３ａの封止膜１２２上における高さ（膜厚）は、この後に形成される着色層１２３Ｒ，１２３Ｇ，１２３Ｂの膜厚よりも小さい。言い換えれば、着色層１２３Ｒ，１２３Ｇ，１２３Ｂは、ＣＦ隔壁部１２３ａに対して被さるように形成される。

着色層１２３Ｒ，１２３Ｇ，１２３Ｂは、該当する色の色材を含む感光性樹脂を塗布して所定の膜厚の感光性樹脂層を形成し、露光・現像してポストベークすることにより、ストライプ状に形成される。色材を含む感光性樹脂を塗布する方法として、例えばスピンコート法が用いられるが、予め、ＣＦ隔壁部１２３ａを形成しておくことによって、着色層１２３Ｒ，１２３Ｇ，１２３Ｂにおいてそれぞれ所定の膜厚を確保し易い構造となっている。本実施形態においても上記第１実施形態と同様に、緑（Ｇ）の着色層１２３Ｇ、青（Ｂ）の着色層１２３Ｂ、赤（Ｒ）の着色層１２３Ｒの順に形成されている。着色層１２３Ｒ，１２３Ｇ，１２３Ｂの膜厚は、必ずしも同一ではなく、表示における色光の透過率と色純度とを考慮して設定される。本実施形態においても、緑（Ｇ）の着色層１２３Ｇの平均膜厚はおよそ１．０μｍであり、青（Ｂ）の着色層１２３Ｂの平均膜厚はおよそ１．３μｍであり、赤（Ｒ）の着色層１２３Ｒの平均膜厚はおよそ１．６μｍである。つまり、膜厚が小さい順に着色層が形成されている。

本実施形態では、平面視で、ダミー画素ＤＰと陰極コンタクト部２０８とに重なるように、緑（Ｇ）の着色層１２３Ｇ、青（Ｂ）の着色層１２３Ｂ、赤（Ｒ）の着色層１２３Ｒをこの順に積層して遮光部１２４を形成している。具体的には、この場合、発光部２０６の外縁に位置する青（Ｂ）の発光画素ＰＢにおいて封止膜１２２上にＣＦ隔壁部１２３ａが配置され、当該ＣＦ隔壁部１２３ａよりも外側において３色の着色層１２３Ｇ、着色層１２３Ｂ、着色層１２３Ｒを重ねて形成して遮光部１２４が構成されている。つまり、発光部２０６と遮光部１２４との境界ＢＬは、青（Ｂ）の発光画素ＰＢ上に位置している。また、発光部２０６と遮光部１２４との境界ＢＬに位置するＣＦ隔壁部１２３ａは、平面視で円形となっている。

カラーフィルター１２３を覆うように充填材４０を塗布し、透光性の対向基板２０を貼り合せて充填材４０を硬化させる。充填材４０は例えば熱硬化型のエポキシ系樹脂であって、膜厚はおよそ２．０μｍである。

上記第２実施形態の発光パネル２１０を備えた発光装置２００によれば、以下の効果が得られる。
（１）発光装置２００の発光パネル２１０は、矩形の発光画素Ｐが配置された発光部２０６と、発光部２０６を囲むように配置された遮光部１２４とを含む表示部２０５を備えている。遮光部１２４は発光部２０６の外縁に位置する発光画素Ｐと重なるように配置され、発光部２０６と遮光部１２４との境界ＢＬは曲線状となっている。これにより、矩形の発光画素Ｐが配置されていても外縁がなめらかな円形である発光部２０６を実現できる。また、発光部２０６（発光領域Ｅ１）の外縁において遮光部１２４と重なる発光画素Ｐの大きさは、発光領域Ｅ１内に配置された発光画素Ｐの大きさと同じである。したがって、発光領域Ｅ１の外縁において遮光部１２４と重なる発光画素Ｐの発光に係る電流値は、発光領域Ｅ１内の発光画素Ｐの発光に係る電流値と同水準となる。ゆえに、発光領域Ｅ１の外縁側で輝度ムラ、すなわち表示ムラが生じ難い。さらに、表示部２０５の周辺には、発光画素Ｐにおける発光素子１５０を含む画素回路１４０の駆動に係るデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２が配置されている。表示部２０５には、これらの駆動回路と画素回路１４０とを電気的に接続させる駆動線としての第１データ線１３１ａ及び走査線１３２が設けられている。発光部２０６（発光領域Ｅ１）が円形であり、表示部２０５が矩形であることから、発光領域Ｅ１に配置された駆動線の部分が短いほど、遮光領域Ｅ２に配置された駆動線の部分が長くなる。言い換えれば、表示部２０５に亘って、Ｘ方向に配置される駆動線の長さ、またはＹ方向に配置される駆動線の長さは一定である。つまり、円形の発光部２０６ではＸ方向またはＹ方向に延在する駆動線に付帯する発光画素Ｐの数が異なる部分が含まれるが、実質的な駆動線の容量や抵抗は一定であるため、駆動線に係る駆動負荷のバラツキを低減して、発光画素Ｐ間の輝度ムラ、すなわち表示ムラが生じ難い発光装置２００を提供することができる。

（２）第２電極コンタクト部としての陰極コンタクト部２０８は、円形の発光部２０６との間に所定の数のダミー画素ＤＰを挟んで配置されている。したがって、発光部２０６から陰極コンタクト部２０８との間の距離が等距離となり、陰極コンタクト部２０８から発光部２０６における陰極１５３までの配線抵抗が均一化されるため、該配線抵抗のバラツキに起因する発光部２０６内の輝度ムラをより低減することができる。

（３）陰極コンタクト部２０８は、発光画素Ｐにおける発光素子１５０の構造を模して形成され、発光素子１５０の陽極１５１と同層に形成された電極１５１ｂを有している。電極１５１ｂは、電極１５１ｂ上に形成された絶縁膜１５４の開口部１５４ｃにおいて、陰極１５３と接している。また、電極１５１ｂはコンタクト部１５１ｃを介して回路部１４０ａの陰極配線１３９に接続されている。陰極配線１３９には陰極電位ＶＣＴが与えられている。したがって、陽極１５１を形成する際に、陰極コンタクト部２０８を構成する電極１５１ｂを形成できるので、製造工程が複雑にならず、簡素な構成の発光装置２００を提供できる。

（４）発光部２０６の複数の発光画素Ｐが配置された領域の外縁と陰極コンタクト部２０８との間にダミー画素ＤＰを有している。発光機能層１５２は、発光部２０６において複数の発光画素Ｐが配置された領域とダミー画素ＤＰとに亘って形成されている。発光機能層１５２の外縁は、ダミー画素ＤＰと陰極コンタクト部２０８との間に位置している。したがって、発光機能層１５２の形成において、例えば発光機能層１５２の外縁側における膜厚が変動したとしても、このような膜厚の変動が発光部２０６に影響することを避けることができる。つまり、ダミー画素ＤＰを設けることで発光部２０６における発光機能層１５２の膜厚の均一化を図ることが可能となることから、発光機能層１５２の膜厚のバラツキに起因する発光部２０６における輝度ムラをより低減することができる。また、ダミー画素ＤＰにおける発光素子１５０は陽極１５１が絶縁膜１５４によって覆われていることから陽極１５１と発光機能層１５２とが絶縁されており非発光となっている。つまり、ダミー画素ＤＰにおいて予期せずに発光が生じない構成となっている。

（５）発光素子１５０を被覆する封止膜１２２上にはカラーフィルター１２３が配置され、発光部２０６を囲む遮光部１２４は、複数の色の着色層１２３Ｇ，１２３Ｂ，１２３Ｒを重ねることにより構成されている。したがって、発光部２０６においてカラー表示が可能であると共に、発光素子１５０に対して遮光部１２４が近接して配置されているため発光部２０６の外縁に位置する発光素子１５０から法線方向に対して斜め方向に発した光は遮光部１２４によって確実に遮光される。すなわち、見栄えがよいカラー表示が可能な発光装置２００を提供できる。

（第３実施形態）
＜電子機器＞
次に、上記第１実施形態の発光装置１００が適用された電子機器の一例について、図１４及び図１５を参照して説明する。図１４は第３実施形態の電子機器としてのヘッドマウントディスプレイを示す斜視図、図１５は第３実施形態のヘッドマウントディスプレイにおける発光装置の配置を示す概略平面図である。

図１４に示すように、本実施形態の電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）１０００は、ゴーグルのような形態であって、使用者Ｍの頭部において両眼を覆うように装着して外光を遮断し、表示された例えば仮想現実の映像を楽しむＶＲ（Virtual Reality）型の表示システムである。

図１５に示すように、ＨＭＤ１０００の両眼を覆うフード１００１の内部には、左眼用と右眼用としてそれぞれ上記第１実施形態の発光装置１００が設けられている。以降、左眼用を発光装置１００Ｌと呼び、右眼用を発光装置１００Ｒと呼ぶ。左右の発光装置１００Ｌ，１００Ｒは、フード１００１の内部に装着されたときに、発光部１０６以外の遮光部１２４を含む表示部１０５とその周辺部とが遮光部材によって覆われた状態となっている。発光部１０６は、左眼と右眼とに対応してその視角範囲をカバーするように円形となっている。

ＨＭＤ１０００は、左右の発光装置１００Ｌ，１００Ｒのそれぞれに映像を表示させるためのコントローラー（図示省略）を備えている。コントローラーは、表示させる映像や音声などを記憶させる記憶媒体を内蔵すると共に、外部から映像信号などを入力可能となっている。また、コントローラーは、外部のネットワークに対して有線接続あるいは無線接続が可能となっている。すなわち、様々な映像ソースを用いて映像及び映像に付帯する音声や音楽などを楽しむことが可能な構成となっている。

本実施形態のＨＭＤ１０００は、左眼と右眼とに対応した一対の発光装置１００Ｌ，１００Ｒを備えており、発光部１０６（発光領域Ｅ１）の外縁はなめらかな円形となっていることから、表示された映像の外縁が階段状とならず、且つ輝度ムラに起因する表示ムラが生じ難い発光画素Ｐの配置となっている。また、発光部１０６以外の遮光部１２４からの光漏れが防止されている。したがって、使用者ＭはＨＭＤ１０００を装着することで、発光部１０６に表示された映像を没入して視認することができる。

なお、人間は、水平方向に１５０度程度、上下方向に１３０度程度の視角範囲を有していることから、没入感を確保するには、ＨＭＤ１０００において、水平方向と上下方向とにおいてそれぞれ１００度以上の角度範囲で映像を視認可能であることが望ましい。したがって、発光部１０６における映像を１００度以上の角度範囲で視認可能とするために、発光部１０６の大きさを調整したり、左右の発光部１０６のそれぞれに対応してレンズなどの光学素子を配置したりする構成としてもよい。

また、ＨＭＤ１０００において、左眼と右眼とに対応して設けられる一対の表示装置は、上記第１実施形態の発光装置１００に限定されるものではなく、上記第２実施形態の発光装置２００を適用しても同様な効果が得られる。

なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。

（変形例１）上記第１実施形態の発光装置１００における発光部１０６（発光領域Ｅ１）の外形は、円形であることに限定されず、発光領域Ｅ１と遮光部１２４との境界の少なくとも一部が曲線状であればよい。図１６〜図１８は発光装置における変形例の表示部を示す概略平面図である。
例えば、図１６に示すように、変形例の表示部１０５Ｂは、矩形の発光画素Ｐが配置された発光部１０６Ｂと、発光部１０６Ｂを囲む遮光部１２４Ｂとを有している。発光部１０６Ｂと遮光部１２４Ｂとの境界ＢＬはなめらかな曲線状であって、発光部１０６Ｂ（発光領域Ｅ１）の外形は楕円形となっている。

また、発光部１０６の外形はすべて曲線状でなくてもよい。例えば、図１７に示すように、変形例の表示部１０５Ｃは、矩形の発光画素Ｐが配置された発光部１０６Ｃと、発光部１０６Ｃを囲む遮光部１２４Ｃとを有している。発光部１０６Ｃと遮光部１２４Ｃとの境界は、なめらかな楕円形の境界ＢＬ１と、直線状の境界ＢＬ２とにより構成されている。つまり、発光部１０６Ｃ（発光領域Ｅ１）の外形は、右下の一部が斜めに欠かれた楕円形となっている。これは、ＨＭＤ１０００に装着した際に、左眼用の発光装置１００Ｌに対応した表示部１０５Ｃとなっている。右眼用の発光装置１００Ｒでは、平面視で左下の一部が斜めに切り欠かれた楕円形の発光部１０６Ｃとすればよい。すなわち、両眼に対応して発光部１０６を大きくしてゆくと、実質的に使用者Ｍの鼻部側の視野が制限されることが考えられるため、これに対応した形状の発光部１０６Ｃとしたものである。

さらには、図１８に示すように、変形例の表示部１０５Ｄは、矩形の発光画素Ｐが配置された発光部１０６Ｄと、発光部１０６Ｄを囲む遮光部１２４Ｄとを有している。発光部１０６Ｄと遮光部１２４Ｄとの境界ＢＬは、Ｘ方向に対向する辺部が円弧状であり、Ｙ方向に対向する辺部は直線状となっている。つまり、発光部１０６Ｄと遮光部１２４Ｄとの境界ＢＬの外形は、トラック状となっている。これによれば、図１６に示した発光部１０６Ｂや図１７に示した発光部１０６Ｃに比べて、水平方向（左右方向）の視角範囲をさらに拡大することができる。

なお、上記第２実施形態の発光部２０６の外形も、円形であることに限定されず、上記変形例１に示したように、楕円形、一部が直線状となった楕円形、トラック状であってもよい。

（変形例２）カラー表示を可能とする赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光が得られる発光画素ＰＲ，ＰＧ，ＰＢの配置、言い換えれば、発光画素ＰＲ，ＰＧ，ＰＢに対応するカラーフィルター１２３の配置は、ストライプ状であることに限定されない。図１９は変形例の発光画素の配置を示す概略平面図である。図１９に示すように、変形例の表示単位画素は、例えば、Ｘ方向に隣り合うように配置された緑（Ｇ）の発光画素ＰＧ及び赤（Ｒ）の発光画素ＰＲと、発光画素ＰＧ，ＰＲに対してＹ方向に隣り合うように配置された青（Ｂ）の発光画素ＰＢとにより構成されている。発光画素ＰＢには青（Ｂ）の着色層１２３Ｂが配置され、発光画素ＰＧには緑（Ｇ）の着色層１２３Ｇが配置され、発光画素ＰＲには赤（Ｒ）の着色層１２３Ｒが配置されている。発光画素ＰＢにおける画素発光領域（言い換えれば画素発光面積）は、絶縁膜１５４に設けられた開口部１５４ｂによって規定されている。同様に、発光画素ＰＧにおける画素発光領域は、絶縁膜１５４に設けられた開口部１５４ｇによって規定され、発光画素ＰＲにおける画素発光領域は、絶縁膜１５４に設けられた開口部１５４ｒによって規定されている。発光画素ＰＲ，ＰＧ，ＰＢを組み合わせた表示単位画素の形状は正方形であり、他の色に比べて視感度が小さい青（Ｂ）の発光画素ＰＢの画素発光面積が最も大きくなっている。このような発光画素ＰＲ，ＰＧ，ＰＢの配置によれば、それぞれの画素発光面積を同一とする場合に比べて、表示における明るさや色相バランスが調整された表示単位画素とすることができる。
なお、Ｙ方向に隣り合うように緑（Ｇ）の発光画素ＰＧ及び赤（Ｒ）の発光画素ＰＲを配置し、これに対してＸ方向に隣り合うように青（Ｂ）の発光画素ＰＢを配置してもよい。いずれの場合も青（Ｂ）の着色層１２３Ｂだけがストライプ状の配置となる。
また、表示単位画素に含まれる発光画素Ｐは、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色に限定されず、３原色以外の例えば黄色（Ｙ）を含めて４色の発光画素Ｐで構成されるとしてもよい。

（変形例３）上記第１実施形態の発光装置１００では、表示部１０５に遮光部１２４によって画定された１つの発光領域Ｅ１を設ける構成としたが、これに限定されない。例えば、発光装置１００を上記第３実施形態のＨＭＤ１０００に適用する場合、表示部１０５に遮光部１２４によって左眼と右眼とに対応して２つの発光領域Ｅ１を画定する構成としてもよい。発光装置２００においても同様に、表示部２０５に左眼と右眼とに対応して２つの発光部２０６を設ける構成としてもよい。

（変形例４）上記第１実施形態の発光装置１００あるいは上記第２実施形態の発光装置２００が適用される電子機器は、上記第３実施形態のＨＭＤ１０００に限定されない。例えば、腕に装着して用いる携帯型情報端末の表示装置として発光装置１００あるいは発光装置２００を用いてもよい。

以下に、実施形態から導き出される内容を記載する。

本願の発光装置は、矩形の発光画素が配置された表示部と、表示部における発光領域を画定して、表示部の発光領域以外を遮光する遮光部と、を有し、発光領域と遮光部との境界の少なくとも一部が曲線状であることを特徴とする。

本願の構成によれば、発光画素の形状が矩形であったとしても、発光領域の外形が階段状とならず、発光領域の外形の少なくとも一部をなめらかな曲線状とすることができる。また、発光領域の外縁において遮光部と重なる発光画素の大きさは、発光領域内に配置された発光画素の大きさと同じである。したがって、遮光部と重なる発光画素の発光に係る電流値は、発光領域内の発光画素の発光に係る電流値と同水準となる。ゆえに、発光領域の外縁側で輝度ムラ、すなわち表示ムラが生じ難い発光装置を提供できる。

上記の発光装置において、発光画素は発光素子を含み、発光素子を被覆する封止膜を備え、遮光部は、封止膜上に設けられていることが好ましい。
この構成によれば、封止膜上に遮光部が配置されるので、発光領域の外縁に配置された発光画素から法線方向に対して斜め方向に発し、発光領域の外側に漏れる光を遮光部で確実に遮光することができる。言い換えれば、発光領域の外側に漏れる光によって表示品質が低下することを防ぐことができる。

また、上記の発光装置において、発光領域における発光画素は、封止膜上に配置された、少なくとも赤、緑、青の中から選ばれる着色層を有し、遮光部は、複数の色の着色層が封止膜上に積層されてなることを特徴とする。
この構成によれば、発光領域においてフルカラーの表示が可能であると共に、着色層を用いて遮光部を構成することから、遮光部を新たに形成する工程が不要となる。

上記の発光装置において、発光素子は、第１電極と、共通電極として機能する第２電極と、第１電極と第２電極との間に配置された発光機能層と、を有し、発光画素が配置された領域の外側に第２電極コンタクト部を備えていることが好ましい。
この構成によれば、第２電極コンタクト部を経由して、発光画素における共通電極としての第２電極に所定の電位を供給することができる。

また、上記の発光装置において、第２電極コンタクト部は、発光領域の外周側に配置された発光画素から等距離に配置されていることが好ましい。
この構成によれば、第２電極コンタクト部から第２電極までの配線抵抗が均一化されるため、該配線抵抗のバラツキに起因する発光領域の発光画素における輝度ムラをより低減することができる。

また、上記の発光装置において、第２電極コンタクト部は、発光素子の第１電極と同層に設けられた電極を有し、該電極と第２電極とが、第２電極コンタクト部で接していることが好ましい。
この構成によれば、第１電極を形成する際に、第２電極コンタクト部を構成する電極を形成できるので、製造工程が複雑にならず、簡素な構成の発光装置を提供できる。

上記の発光装置において、表示部は、発光画素が配置された領域の外縁と第２電極コンタクト部との間に配置されたダミー画素を有し、ダミー画素は、発光画素と同じ発光素子を含み、第１電極と発光機能層との間に設けられた絶縁膜を有することが好ましい。
この構成によれば、ダミー画素における予期しない発光を防止することができる。

また、上記の発光装置において、発光機能層の外縁は、発光画素が配置された領域の外縁と第２電極コンタクト部との間に位置することが好ましい。
この構成によれば、発光機能層の形成において、例えば発光機能層の外縁側における膜厚が変動したとしても、発光機能層の外縁は、発光画素が配置された領域の外側に配置されるため、発光画素が配置された領域における発光機能層の膜厚の均一化を図ることが可能となる。したがって、発光機能層の膜厚のバラツキに起因する輝度ムラをより低減することができる。

本願の電子機器は、上記に記載の発光装置を備えたことを特徴とする。
本願の構成によれば、表示に寄与する発光領域の外形がなめらかで、表示ムラが生じ難く、優れた表示品質を有する電子機器を提供することができる。

１００…発光装置、１０１…駆動回路としてのデータ線駆動回路、１０２…駆動回路としての走査線駆動回路、１０５…表示部、１０６…発光部、１０８…第２電極コンタクト部としての陰極コンタクト部、１１０…発光パネル、１２２…封止膜、１２３…カラーフィルター、１２３Ｂ…青（Ｂ）の着色層、１２３Ｇ…緑（Ｇ）の着色層、１２３Ｒ…赤（Ｒ）の着色層、１２４…遮光部、１５０…発光素子、１５１…第１電極としての陽極、１５１ｂ…第２電極コンタクト部に設けられた電極、１５２…発光機能層、１５３…第２電極としての陰極、１５４…絶縁膜、１０００…電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、Ｅ１…発光領域、ＤＰ…ダミー画素、Ｐ…発光画素。

Claims (9)

1. 矩形の発光画素が配置された表示部と、
   前記表示部における発光領域を画定して、前記表示部の前記発光領域以外を遮光する遮光部と、を有し、
   前記発光領域と前記遮光部との境界の少なくとも一部が曲線状である、発光装置。
2. 前記発光画素は発光素子を含み、
   前記発光素子を被覆する封止膜を備え、
   前記遮光部は、前記封止膜上に設けられている、請求項１に記載の発光装置。
3. 前記発光領域における前記発光画素は、前記封止膜上に配置された、少なくとも赤、緑、青の中から選ばれる着色層を有し、
   前記遮光部は、複数の色の前記着色層が前記封止膜上に積層されてなる、請求項１または２に記載の発光装置。
4. 前記発光素子は、第１電極と、共通電極として機能する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置された発光機能層と、を有し、
   前記発光画素が配置された領域の外側に第２電極コンタクト部を備えている、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発光装置。
5. 前記第２電極コンタクト部は、前記発光領域の外周側に配置された前記発光画素から等距離に配置されている、請求項４に記載の発光装置。
6. 前記第２電極コンタクト部は、前記発光素子の前記第１電極と同層に設けられた電極を有し、前記電極と前記第２電極とが前記第２電極コンタクト部で接している、請求項４または５に記載の発光装置。
7. 前記表示部は、前記発光画素が配置された領域の外縁と前記第２電極コンタクト部との間に配置されたダミー画素を有し、
   前記ダミー画素は、前記発光画素と同じ前記発光素子を含み、前記第１電極と前記発光機能層との間に設けられた絶縁膜を有する、請求項４乃至６のいずれか一項に記載の発光装置。
8. 前記発光機能層の外縁は、前記発光画素が配置された領域の外縁と前記第２電極コンタクト部との間に位置する、請求項７に記載の発光装置。
9. 請求項１乃至８のいずれか一項に記載の発光装置を備えた、電子機器。

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