CN113690279A - 显示面板及电子设备 - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 212
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 55
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 42
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 21
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 15
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 12
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本申请公开了一种显示面板及电子设备,所述显示面板具有显示区和位于所述显示区至少一侧的冗余像素区,所述显示面板包括依次设置的基板、电源走线、发光功能层以及阴极;所述电源走线的至少部分位于所述冗余像素区;所述发光功能层覆盖所述显示区和所述冗余像素区;所述阴极与所述电源走线电连接。本申请减小了电源走线在冗余像素区以外的非显示区的占用空间,有利于实现显示面板的窄边框设计。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及电子设备。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性,因此受到广泛的关注,并作为新一代的显示方式,已开始逐渐取代传统的液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD),被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等显示产品中。
在OLED显示面板中,若OLED器件结构含有蒸镀图形化的膜层,尤其是使用常规掩膜板的蒸镀膜层,一般会有一定宽度的非成膜保证区。另外,为保证发光器件具有良好的均一性,该非成膜保证区必须设计在显示区以外,导致在蒸镀膜层以后成膜的面阴极,需要在蒸镀膜层以外设置阴极搭接区,即非成膜保证区实际占用了一定的边框空间。因此,如何减少非显示区的宽度,以实现显示面板的窄边框设计是亟待解决的问题。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及电子设备,以解决现有技术中存在的在非显示区设置阴极搭接区时无法缩小显示面板边框的技术问题。
本申请实施例提供一种显示面板,所述显示面板具有显示区和位于所述显示区至少一侧的冗余像素区,所述显示面板包括:
基板;
电源走线,所述电源走线设置在所述基板上,所述电源走线的至少部分位于所述冗余像素区;
发光功能层,所述发光功能层设置在所述电源走线上,所述发光功能层覆盖所述显示区和所述冗余像素区;以及
阴极,所述阴极设置在所述发光功能层上,并与所述电源走线电连接。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述显示面板还包括冗余子像素,所述冗余子像素位于所述冗余像素区,所述冗余子像素具有金属图案,相邻的至少两个所述冗余子像素的所述金属图案连接形成所述电源走线。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述显示面板还包括源漏金属层,所述源漏金属层位于所述基板和所述发光功能层之间,所述金属图案位于所述源漏金属层中。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述源漏金属层包括冗余源极和冗余漏极,所述冗余子像素包括所述冗余源极和所述冗余漏极,一所述冗余子像素的所述冗余源极和相邻所述冗余子像素的所述冗余源极连接形成所述金属图案;和/或
一所述冗余子像素的所述冗余漏极和相邻所述冗余子像素的所述冗余漏极连接形成所述金属图案。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述显示面板具有至少一沟槽,所述沟槽位于所述冗余像素区,所述沟槽裸露出所述电源走线;
所述沟槽的底部设置有底切结构,所述发光功能层和所述阴极于所述底切结构处断开,所述阴极的部分覆盖所述沟槽的侧壁且连接于所述电源走线。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述显示面板包括依次设置于所述电源走线上的绝缘层和导电层,所述导电层位于所述发光功能层远离所述阴极的一侧,所述导电层包括一凸出部分,所述凸出部分伸入所述沟槽且相对所述绝缘层悬空设置,所述凸出部分、所述绝缘层的侧壁以及所述电源走线的表面界定形成所述底切结构。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述显示面板包括依次设置于所述电源走线上的钝化层、平坦化层、所述导电层以及像素界定层,所述像素界定层位于所述发光功能层远离所述阴极的一侧,所述沟槽贯穿所述阴极、所述发光功能层、所述像素界定层、所述导电层、所述平坦化层以及所述钝化层;
所述凸出部分伸入所述沟槽且相对所述钝化层悬空设置,所述凸出部分、所述钝化层的侧壁以及所述电源走线的表面界定形成所述底切结构。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述显示面板包括依次设置于所述电源走线上的钝化层、所述导电层、平坦化层、阳极以及像素界定层,所述像素界定层位于所述发光功能层远离所述阴极的一侧,所述沟槽贯穿所述阴极、所述发光功能层、所述像素界定层、所述阳极、所述平坦化层、所述导电层以及所述钝化层;
所述凸出部分伸入所述沟槽且相对所述钝化层悬空设置,所述凸出部分、所述钝化层的侧壁以及所述电源走线的表面界定形成所述底切结构。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述电源走线设置在所述冗余像素区。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述显示面板还具有外围区,所述外围区与所述冗余像素区相邻设置,且位于所述冗余像素区远离所述显示区的一侧;
所述电源走线包括第一电源走线和第二电源走线,所述第一电源走线位于所述冗余像素区,所述第二电源走线位于所述外围区,所述第二电源走线与所述第一电源走线相连。
本申请实施例还提供一种电子设备,所述电子设备包括如前述任一实施例所述的显示面板。
相较于现有技术中的显示面板,本申请提供的显示面板包括依次设置的基板、电源走线、发光功能层以及阴极,电源走线的至少部分位于冗余像素区,阴极与电源走线电连接。本申请通过将电源走线的至少部分设置在冗余像素区,利用了冗余像素区的空间,进而在显示面板的版图设计中,可以减少电源走线在冗余像素区以外的非显示区域的宽度,从而有利于实现显示面板的窄边框设计。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请第一实施例提供的显示面板的平面结构示意图。
图2是本申请第一实施例提供的显示面板的截面结构示意图。
图3是本申请第一实施例提供的显示面板中冗余像素区的平面结构示意图。
图4A至图4I是本申请第一实施例提供的显示面板的制备方法中各阶段依次得到的结构示意图。
图5是本申请第二实施例提供的显示面板的截面结构示意图。
图6A至图6J是本申请第二实施例提供的显示面板的制备方法中各阶段依次得到的结构示意图。
图7是本申请第三实施例提供的显示面板的平面结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。此外,应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请,并不用于限制本申请。在本申请中,在未作相反说明的情况下,使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下,具体为附图中的图面方向;而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种显示面板及电子设备。以下分别进行详细说明。需说明的是,以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
本申请提供一种显示面板,所述显示面板具有显示区和位于所述显示区至少一侧的冗余像素区。所述显示面板包括依次设置的基板、电源走线、发光功能层以及阴极。所述电源走线的至少部分位于所述冗余像素区。所述发光功能层覆盖所述显示区和所述冗余像素区。所述阴极与所述电源走线电连接。
由此,本申请通过将电源走线的至少部分设置在冗余像素区,利用了冗余像素区的空间,进而在显示面板的版图设计中,可以减少电源走线在冗余像素区以外的非显示区域的宽度,从而有利于实现显示面板的窄边框设计。
下面通过具体实施例对本申请提供的显示面板进行详细的阐述。
请参照图1至图3,本申请第一实施例提供一种显示面板100。显示面板100具有显示区1和位于显示区1至少一侧的冗余像素区2。显示面板100包括依次设置的基板10、电源走线21、发光功能层60以及阴极70。电源走线21的至少部分位于冗余像素区2。发光功能层60覆盖显示区1和冗余像素区2。阴极70与电源走线21电连接。
如图1所示,冗余像素区2围设在显示区1的周侧。在本实施例中,显示面板100还具有外围区3。外围区3与冗余像素区2相邻设置。外围区3位于冗余像素区2远离显示区1的一侧。
需要说明的是,在一些实施例中,冗余像素区2也可以设置在显示区1的两侧或三侧,冗余像素区2的位置可以根据显示面板100的实际应用需求进行设定,本申请对此不作限定。
其中,电源走线21用于向阴极70输入电源信号,电源走线21可以为VSS信号走线。在本实施例中,电源走线21包括第一电源走线211和第二电源走线212。第一电源走线211位于冗余像素区2。第二电源走线212位于外围区3。第二电源走线212与第一电源走线211相连。
可以理解的是,在现有技术中,为了降低显示区内VSS信号线的电压降,通常会在外围区设置一定宽度的VSS信号走线。本申请的发明人在实验探究中发现,为了改善因显示区内VSS信号线的电压降而导致的显示面板亮度不均的问题,外围区需要预留足够的空间来满足VSS信号走线的宽度设计需求,然而,当外围区中VSS信号走线的宽度较大时,占据了大量外围区的空间,不利于显示面板的窄边框设计。
针对上述技术问题,本实施例将电源走线21设置为包括第一电源走线211和第二电源走线212,由于第一电源走线211位于冗余像素区2,通过利用冗余像素区2的空间来形成电源走线21的一部分,进而当电源走线21的总宽度一定时,可以减小外围区3的第二电源走线212的宽度,从而能够节省外围区3的空间,有利于实现显示面板100的窄边框设计。
结合图2和图3,显示面板100包括依次设置于基板10上的源漏金属层20、绝缘层30、导电层40以及像素界定层50。像素界定层50位于发光功能层60远离阴极70的一侧。
其中,源漏金属层20包括源极22、漏极23、冗余源极24以及冗余漏极25。源极22和漏极23位于显示区1。冗余源极24和冗余漏极25位于冗余像素区2。其中,冗余源极24不与显示面板100中的数据线(图中未示出)电连接,冗余漏极25不与显示面板100中的阳极41电连接。
绝缘层30包括依次设置于源漏金属层20上的钝化层31和平坦化层32。平坦化层32位于导电层40靠近基板10的一侧。钝化层31上开设有第一开孔311和第二开孔312。第一开孔311位于显示区1,且裸露出源极22。第二开孔312位于冗余像素区2,且裸露出第一电源走线211。平坦化层32上开设有第三开孔321和第四开孔322。第三开孔321位于显示区1,且连通于第一开孔311。第四开孔322位于冗余像素区2,且连通于第二开孔312。
导电层40为阳极层。导电层40包括依次设置于平坦化层32上的阳极41和导电部42。阳极41位于显示区1。阳极41依次通过第三开孔321和第一开孔311与源极22电连接。导电部42位于冗余像素区2。导电部42自第四开孔322的顶部延伸至钝化层31远离基板10的表面。导电部42超出钝化层31的部分为凸出部分421。
像素界定层50包括依次设置的第一像素界定层51和第二像素界定层52。其中,第一像素界定层51上开设有第一开口511和第二开口512。第一开口511位于显示区1,且裸露出阳极41。第二开口512位于冗余像素区2。第二开口512与第四开孔322连通设置。第二像素界定层52上开设有第三开口521和第四开口522。第三开口521位于显示区1,且连通于第一开口511。第四开口522位于冗余像素区2,且连通于第二开口512。
需要说明的是,在本实施例中,显示面板100还包括依次设置于基板10和源漏金属层20之间的缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极金属层、介电绝缘层等膜层结构,上述膜层结构可以参照现有技术,在此不再赘述。
在本实施例中,第二开孔312、第四开孔322、第二开口512以及第四开口522连通形成一沟槽80。也即,沟槽80贯穿阴极70、发光功能层60、像素界定层50、导电层40、平坦化层32以及钝化层31。沟槽80位于冗余像素区2。沟槽80裸露出第一电源走线211。沟槽80的底部设置有底切结构30A。凸出部分421伸入沟槽80且相对钝化层31悬空设置。凸出部分421、第二开孔312的侧壁以及第一电源走线211的表面界定形成底切结构30A。其中,发光功能层60和阴极70于底切结构30A处断开。阴极70的部分覆盖沟槽80的侧壁且连接于第一电源走线211。
在冗余像素区2,显示面板100包括冗余子像素21。如图3所示,冗余子像素21具有金属图案21A。相邻的至少两个冗余子像素21的金属图案21A连接形成第一电源走线211。
需要说明的是,本实施例仅示意出了相邻的三个冗余子像素21的金属图案21A连接形成第一电源走线211时的结构,但并不限于此。其中,连接形成第一电源走线211的金属图案21A的数量可以根据显示面板100中冗余子像素21的设计情况进行设定,为了最大限度地减小显示面板100中外围区3的空间,可以完全利用上冗余像素区2的空间,也即,将冗余像素区2中所有冗余子像素21的金属图案21A均连接形成第一电源走线211,由此,能使显示面板100的边框达到最小化。
在本实施例中,金属图案21A位于源漏金属层20中。冗余子像素21包括冗余源极24和冗余漏极25。每一冗余子像素21的冗余源极24和冗余漏极25相连,相邻冗余子像素21的冗余源极24连接形成金属图案21A。由于源漏金属层20为显示面板100的原有膜层,通过使用源漏金属层20中的金属图案21A形成第一电源走线211,能够在不增加面板制程的基础上实现窄边框设计。
在一些实施例中,可以仅利用不同冗余子像素21的冗余源极24连接形成金属图案21A,即,一冗余子像素21的冗余源极24和相邻冗余子像素21的冗余源极24连接形成金属图案21A;或者,还可以仅利用不同冗余子像素21的冗余漏极25连接形成金属图案21A,即,一冗余子像素21的冗余漏极25和相邻冗余子像素21的冗余漏极25连接形成金属图案21A,在此不再赘述。
需要说明的是,在冗余像素区2,由源漏金属层20图案化形成的金属图案21A均可以连接形成第一电源走线211,当第一电源走线211的横截面面积越大时,对显示区1内的VSS信号线(图中未示出)的电压降的改善效果越好,显示面板100的亮度越均一,显示效果就越好。其中,金属图案21A的具体结构还可以根据显示面板100中冗余像素区2的结构设计进行设定,如还可以利用数据线、电容结构等图案连接形成,只要保证利用冗余像素区2的金属图案21A形成第一电源走线211,均在本申请的保护范围内。
另外,在一些实施例中,当显示面板100中设置有位于薄膜晶体管(图中未示出)下方的遮光金属层(图中未示出)时,还可以利用冗余像素区2中位于遮光金属层中的金属图案形成第一电源走线211,在此不再赘述。
在本实施例中,第二电源走线212位于源漏金属层20中。第二电源走线212在外围区3与阴极70搭接,以降低显示区1内VSS信号线的电压降。其中,第二电源走线212与阴极70的具体搭接结构可以参照现有技术,在此不再赘述。
需要说明的是,在本实施例中,显示面板100还包括设置于阴极70远离发光功能层60一侧的封装层(图中未示出),封装层的具体结构可以参照现有技术,在此不再赘述。
由于冗余像素区2的金属图案21A不与显示面板100内的信号线如数据线、扫描线等电连接,因此,本实施例提供的显示面板100以冗余像素区2的金属图案21A作为电源走线21的一部分,通过利用冗余像素区2的空间来形成第一电源走线211,进而当电源走线21的宽度一定时,可以减小位于外围区3的第二电源走线212的宽度,从而能够大大节省外围区3的空间,以满足显示面板100窄边框的设计需求。
请参照图4A至图4I,本申请实施例还提供一种如前述第一实施例所述的显示面板100的制备方法,其包括以下步骤:
B11:提供一基板10,并在基板10上依次形成第一电源走线211、钝化层31以及平坦化层32。
请参照图4A,步骤B11具体包括以下步骤:
B111:提供一基板10,并在基板10上依次形成缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极金属层以及介电绝缘层(图中未示出)。其中,上述膜层的具体结构和制造工艺均可以参照现有技术,在此不再赘述。
B112:在基板10上形成源漏金属层20,并对源漏金属层20进行图案化处理,以形成源极22、漏极23以及第一电源走线211。
B113:在源漏金属层20上形成钝化层31,并对钝化层31进行图案化处理,以在钝化层31上形成第一开孔311。
B114:在钝化层31上形成平坦化层32,并对平坦化层32进行图案化处理,以在平坦化层32上形成第三开孔321和第四开孔322。第三开孔321连通于第一开孔311。
B12:在平坦化层32上形成阳极41和导电部42,如图4B所示。
首先,在平坦化层32上形成导电层40;接着,对导电层40进行图案化处理,以形成阳极41和导电部42。
B13:在导电层40上形成第一像素界定层51,并对第一像素界定层51进行图案化处理,以形成第一开口511和第二开口512,如图4C所示。
B14:在第一像素界定层51上形成光阻层50A,光阻层50A覆盖导电部42,并裸露出钝化层31的表面,如图4D所示。
B15:在冗余像素区2,对钝化层31未被光阻层50A覆盖的部分进行刻蚀,以形成底切结构30A,如图4E所示。
具体的,可以采用湿法蚀刻工艺对钝化层31未被光阻层50A覆盖的部分进行蚀刻,并保证过刻,以使钝化层31上形成第二开孔312,且导电部42相对于钝化层31凸出设置,导电部42超出钝化层31的部分形成凸出部分421。凸出部分421、第二开孔312的侧壁以及第一电源走线211的表面界定形成底切结构30A。
B16:剥离光阻层50A,如图4F所示。
B17:在第一像素界定层51上形成第二像素界定层52,并在第二像素界定层52上形成第三开口521和第四开口522,第二开孔312、第四开孔322、第二开口512以及第四开口522连通形成沟槽80,如图4G所示。
B18:在第二像素界定层52上形成发光功能层60,如图4H所示。
其中,可以采用蒸镀工艺形成发光功能层60。在蒸镀过程中,通过调节发光材料的蒸镀角度,可以减小发光功能层60在第一电源走线211表面的覆盖面积。
B19:在发光功能层60上形成阴极70,以形成显示面板100,如图4I所示。
具体的,采用蒸镀工艺形成阴极70。在蒸镀工艺中,通过调节阴极70材料的蒸镀角度,可以增大阴极70在第一电源走线211上的覆盖面积,进而提高阴极70和第一电源走线211的搭接面积,从而能够降低第一电源走线211的电阻。
请参照图5,本申请第二实施例还提供一种显示面板100,本申请第二实施例提供的显示面板100与第一实施例的不同之处在于:导电层40位于钝化层31和平坦化层32之间。沟槽80贯穿阴极70、发光功能层60、像素界定层50、阳极41、平坦化层32、导电层40以及钝化层31。其中,导电层40可以为金属层。
请参照图6A至图6J,本申请实施例还提供一种如前述第二实施例所述的显示面板100的制备方法,其包括以下步骤:
B21:提供一基板10,并在基板10上依次形成第一电源走线211、钝化层31以及导电层40。
请参照图6A,步骤B21具体包括以下步骤:
B211:提供一基板10,并在基板10上依次形成缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极金属层以及介电绝缘层(图中未示出)。其中,上述膜层的具体结构和制造工艺均可以参照现有技术,在此不再赘述。
B212:在源漏金属层20上形成钝化层31,并对钝化层31进行图案化处理,以在钝化层31上形成第一开孔311。
B213:在钝化层31上形成导电层40,并对导电层40进行图案化处理,以在冗余像素区2形成导电部42。
B22:在导电层40上形成平坦化层32,并对平坦化层32进行图案化处理,以在平坦化层32上形成第三开孔321和第四开孔322,第四开孔322位于冗余像素区2,且裸露出导电部42的侧面,如图6B所示。
B23:在平坦化层32上形成阳极41,阳极41通过导电层40与源极22电连接,如图6C所示。
B24:在阳极41上形成第一像素界定层51,并对第一像素界定层51进行图案化处理,以形成第一开口511和第二开口512,如图6D所示。
B25:在第一像素界定层51上形成光阻层50A,光阻层50A覆盖导电部42,并裸露出钝化层31的表面,如图6E所示。
B26:在冗余像素区2,对钝化层31未被光阻层50A覆盖的部分进行刻蚀,以形成底切结构30A,如图6F所示。
B27:剥离光阻层50A,如图6G所示。
B28:在第一像素界定层51上形成第二像素界定层52,并在第二像素界定层52上形成第三开口521和第四开口522,第二开孔312、第四开孔322、第二开口512以及第四开口522连通形成沟槽80,如图6H所示。
B29:在第二像素界定层52上形成发光功能层60,如图6I所示。
其中,可以采用蒸镀工艺形成发光功能层60。在蒸镀过程中,通过调节发光材料的蒸镀角度,可以减小发光功能层60在第一电源走线211表面的覆盖面积。
B30:在发光功能层60上形成阴极70,以形成显示面板100,如图6J所示。
具体的,采用蒸镀工艺形成阴极70。在蒸镀工艺中,通过调节阴极70材料的蒸镀角度,可以增大阴极70在第一电源走线211上的覆盖面积,进而提高阴极70和第一电源走线211的搭接面积,从而能够降低第一电源走线211的电阻。
请参照图7,本申请第三实施例还提供一种显示面板100,本申请第三实施例提供的显示面板100与第一实施例的不同之处在于:电源走线21设置在冗余像素区2。
本实施例通过仅利用冗余像素区2的空间形成电源走线21,可以完全避免因电源走线21在外围区3的占用空间,进而能够进一步缩小显示面板的边框。
相较于现有技术中的显示面板,本申请提供的显示面板包括依次设置的基板、电源走线、发光功能层以及阴极,电源走线的至少部分位于冗余像素区,阴极与电源走线电连接。本申请通过将电源走线的至少部分设置在冗余像素区,利用了冗余像素区的空间,进而在显示面板的版图设计中,可以减少电源走线在冗余像素区以外的非显示区域的宽度,从而有利于实现显示面板的窄边框设计。
本申请实施例还提供一种电子设备,所述电子设备可以为手机、平板、笔记本电脑、电视等显示产品。其中,所述电子设备包括显示面板,所述显示面板可以为前述任一实施例所述的显示面板,显示面板的具体结构可以参照前述实施例的描述,在此不再赘述。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及电子设备进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (11)
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板具有显示区和位于所述显示区至少一侧的冗余像素区,所述显示面板包括:
基板;
电源走线,所述电源走线设置在所述基板上,所述电源走线的至少部分位于所述冗余像素区;
发光功能层,所述发光功能层设置在所述电源走线上,所述发光功能层覆盖所述显示区和所述冗余像素区;以及
阴极,所述阴极设置在所述发光功能层上,并与所述电源走线电连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括冗余子像素,所述冗余子像素位于所述冗余像素区,所述冗余子像素具有金属图案,相邻的至少两个所述冗余子像素的所述金属图案连接形成所述电源走线。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括源漏金属层,所述源漏金属层位于所述基板和所述发光功能层之间,所述金属图案位于所述源漏金属层中。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述源漏金属层包括冗余源极和冗余漏极,所述冗余子像素包括所述冗余源极和所述冗余漏极,一所述冗余子像素的所述冗余源极和相邻所述冗余子像素的所述冗余源极连接形成所述金属图案;和/或
一所述冗余子像素的所述冗余漏极和相邻所述冗余子像素的所述冗余漏极连接形成所述金属图案。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板具有至少一沟槽,所述沟槽位于所述冗余像素区,所述沟槽裸露出所述电源走线;
所述沟槽的底部设置有底切结构,所述发光功能层和所述阴极于所述底切结构处断开,所述阴极的部分覆盖所述沟槽的侧壁且连接于所述电源走线。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括依次设置于所述电源走线上的绝缘层和导电层,所述导电层位于所述发光功能层远离所述阴极的一侧,所述导电层包括一凸出部分,所述凸出部分伸入所述沟槽且相对所述绝缘层悬空设置,所述凸出部分、所述绝缘层的侧壁以及所述电源走线的表面界定形成所述底切结构。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括依次设置于所述电源走线上的钝化层、平坦化层、所述导电层以及像素界定层,所述像素界定层位于所述发光功能层远离所述阴极的一侧,所述沟槽贯穿所述阴极、所述发光功能层、所述像素界定层、所述导电层、所述平坦化层以及所述钝化层;
所述凸出部分伸入所述沟槽且相对所述钝化层悬空设置,所述凸出部分、所述钝化层的侧壁以及所述电源走线的表面界定形成所述底切结构。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括依次设置于所述电源走线上的钝化层、所述导电层、平坦化层、阳极以及像素界定层,所述像素界定层位于所述发光功能层远离所述阴极的一侧,所述沟槽贯穿所述阴极、所述发光功能层、所述像素界定层、所述阳极、所述平坦化层、所述导电层以及所述钝化层;
所述凸出部分伸入所述沟槽且相对所述钝化层悬空设置,所述凸出部分、所述钝化层的侧壁以及所述电源走线的表面界定形成所述底切结构。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述电源走线设置在所述冗余像素区。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还具有外围区,所述外围区与所述冗余像素区相邻设置,且位于所述冗余像素区远离所述显示区的一侧;
所述电源走线包括第一电源走线和第二电源走线,所述第一电源走线位于所述冗余像素区,所述第二电源走线位于所述外围区,所述第二电源走线与所述第一电源走线相连。
11.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括如权利要求1至10任一项所述的显示面板。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110891220.8A CN113690279A (zh) | 2021-08-04 | 2021-08-04 | 显示面板及电子设备 |
PCT/CN2021/112130 WO2023010603A1 (zh) | 2021-08-04 | 2021-08-11 | 显示面板及电子设备 |
US17/435,073 US20240023388A1 (en) | 2021-08-04 | 2021-08-11 | Display panel and electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110891220.8A CN113690279A (zh) | 2021-08-04 | 2021-08-04 | 显示面板及电子设备 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113690279A true CN113690279A (zh) | 2021-11-23 |
Family
ID=78578796
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110891220.8A Pending CN113690279A (zh) | 2021-08-04 | 2021-08-04 | 显示面板及电子设备 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240023388A1 (zh) |
CN (1) | CN113690279A (zh) |
WO (1) | WO2023010603A1 (zh) |
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-
2021
- 2021-08-04 CN CN202110891220.8A patent/CN113690279A/zh active Pending
- 2021-08-11 WO PCT/CN2021/112130 patent/WO2023010603A1/zh active Application Filing
- 2021-08-11 US US17/435,073 patent/US20240023388A1/en active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2023010603A1 (zh) | 2023-02-09 |
US20240023388A1 (en) | 2024-01-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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