CN113471257A - 显示面板及移动终端 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供一种显示面板及移动终端,该显示面板包括显示区以及设置于显示区一侧的虚拟像素区,虚拟像素区内设置有多个虚拟子像素;其中,显示面板还包括设置于虚拟像素区内的多条信号线,至少一信号线与显示面板的阴极层搭接,信号线在其延伸方向上的宽度大于或等于一个虚拟子像素的尺寸,同时将虚拟子像素区中的部分信号线设置为网格结构,从而将显示面板的阴极搭接区设置于虚拟像素区内,并减少了虚拟像素区的宽度,进而减小了显示面板的边框宽度,更进一步地有利于显示面板的窄边框设计。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及移动终端。
背景技术
随着显示技术的发展,人们对有机电致发光(OrganicLightEmittingDiode,以下简称OLED)显示器件提出了更高的品味要求:以高效率、全面屏等来改善显示屏外观、增强用户的体验感。其中,有机电致发光显示器件包括正常像素区和虚拟像素区(dummypixel),虚拟像素区的设计主要为缓解显示面板中制作过程中的负载效应,以及提高高精度金属掩模板蒸镀过程的均匀性,从而提高正常像素区显示的均匀性。
目前,当前技术的有机电致发光显示器件需要在虚拟像素区与显示面板的边框位置之间设置有阴极搭接区以实现显示面板的阴极通过阴极搭接区中的过孔与电源负极走线导通。由于阴极搭接区需要有一定的宽度,从而增加了显示面板的边框厚度,进一步影响显示面板的开口率。
因此,亟需一种显示面板及移动终端以解决上述技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及移动终端,以解决当前技术的有机电致发光显示器件需要在虚拟像素区与显示面板的边框位置之间设置有阴极搭接区而增加了显示面板的边框厚度,进一步影响显示面板的开口率的技术问题。
本申请实施例提供一种显示面板,包括显示区以及设置于所述显示区一侧的虚拟像素区,所述虚拟像素区内设置有多个虚拟子像素;
其中,所述显示面板还包括设置于所述虚拟像素区内的多条信号线,至少一所述信号线与所述显示面板的阴极层搭接,所述信号线在其延伸方向上的宽度大于或等于一个所述虚拟子像素的尺寸。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述显示区内设置有多个发光子像素,所述虚拟子像素与所述发光子像素相邻设置;
其中,每一所述发光子像素的尺寸与每一所述虚拟子像素的尺寸相同,相邻所述发光子像素和所述虚拟子像素的间距、与相邻两个所述发光子像素的间距相同。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述显示区内设置有薄膜晶体管阵列层以及设置于所述薄膜晶体管阵列层上的发光器件层;
其中,所述信号线与所述薄膜晶体管阵列层或所述发光器件层上的至少一导电层同层设置。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述虚拟像素区内设置有第一绝缘层以及设置于所述第一绝缘层上的像素定义层,所述像素定义层包括多个第一开口;
其中,所述第一绝缘层与所述薄膜晶体管阵列层的至少一绝缘层同层设置,部分所述信号线位于所述第一开口内。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述信号线包括第一导电层,所述第一导电层设置于所述第一绝缘层上,所述第一导电层的宽度大于所述第一开口的底边;
其中,所述第一导电层沿第一方向延伸,且所述第一导电层至少跨越沿所述第一方向排列的两个所述虚拟子像素。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述信号线还包括第二导电层,位于所述第一开口的部分所述第二导电层与所述第一导电层搭接,位于所述第一开口的部分所述阴极层与所述第二导电层搭接;
其中,所述第二导电层包括多个第一连接部以及对应于多个所述虚拟子像素内的主体部,沿着所述第一方向排列的相邻两个所述主体部之间通过所述第一连接部搭接。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述第一连接部设置于沿着所述第一方向排列的多个过孔内,所述过孔设置于所述第一绝缘层内。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述第二导电层还包括沿着第二方向排列的多个第二连接部,沿着所述第二方向排列的相邻两个所述主体部之间通过所述第二连接部搭接;
其中,每一所述第二连接部的长度大于每一所述第一连接部的长度。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述第一导电层与所述薄膜晶体管阵列层中的源漏极同层设置且材料相同,所述第二导电层与所述发光器件层中的阳极层同层设置且材料相同。
相应地,本申请实施例还提供一种移动终端,所述移动终端包括终端主体和如上任一项所述的显示面板,所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
本申请实施例通过在显示面板的虚拟像素区内设置多条信号线,至少一信号线与显示面板的阴极层搭接,信号线在其延伸方向上的宽度大于或等于一个虚拟子像素的尺寸,同时将虚拟子像素区中的部分信号线设置为网格结构,从而将显示面板的阴极搭接区设置于虚拟像素区内,并减少了虚拟像素区的宽度,进而减小了显示面板的边框宽度,更进一步地有利于显示面板的窄边框设计。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图;
图2为本申请实施例提供的显示面板在显示区的截面示意图;
图3为本申请第一实施例提供的显示面板在虚拟像素区内的截面示意图;
图4为本申请第二实施例提供的显示面板在虚拟像素区内的截面示意图;
图5为本申请第二实施例提供的显示面板在虚拟像素区内的信号线的俯视图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
本申请实施例针对当前技术的有机电致发光显示器件需要在虚拟像素区与显示面板的边框位置之间设置有阴极搭接区而增加了显示面板的边框厚度,进一步影响显示面板的开口率的技术问题,本申请实施例能够解决上述技术问题。
请参阅图1至图5,本申请实施例提供一种显示面板100,包括显示区110以及设置于所述显示区110一侧的虚拟像素区121,所述虚拟像素区121内设置有多个虚拟子像素13;
其中,所述显示面板100还包括设置于所述虚拟像素区121内的多条信号线122,至少一所述信号线122与所述显示面板100的阴极层1133搭接,所述信号线122在其延伸方向上的宽度大于或等于一个所述虚拟子像素13的尺寸。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
实施例一
如图1所示,为本申请实施例提供的显示面板100的结构示意图;其中,所述显示面板100包括显示区110以及围绕于所述显示区110外围的非显示区120,所述非显示区120中靠近所述显示区110的一侧设置有虚拟像素区121,所述虚拟像素区121内设置有多个虚拟子像素13;
其中,所述显示面板100还包括设置于所述虚拟像素区121内的多条信号线122,至少一所述信号线122与所述显示面板100的阴极层1133搭接,所述信号线122在其延伸方向上的宽度大于或等于一个所述虚拟子像素13的尺寸。
在本申请实施例中,所述显示区110内设置有多个发光子像素12,所述虚拟子像素13与所述发光子像素12相邻设置;
其中,每一所述发光子像素12的尺寸与每一所述虚拟子像素13的尺寸相同,相邻所述发光子像素12和所述虚拟子像素13的间距、与相邻两个所述发光子像素12的间距相同。
在本申请实施例中,所述虚拟像素区121也为所述显示面板100的阴极搭接区。
如图2所述,为本申请实施例提供的显示面板100在显示区110的截面示意图;其中,所述显示面板100对应于所述显示区110的部分包括衬底11、设置于所述衬底11上的薄膜晶体管阵列层111以及设置于所述薄膜晶体管阵列层111上的像素定义层112,所述像素定义层112对应于所述显示区110的部分包括多个第二开口1121,所述薄膜晶体管阵列层111对应于所述第二开口1121的部分设置有阳极层1131,所述阳极层1131上设置有有机发光层1132,所述像素定义层112上还设置有阴极层1133,所述阴极层1133由所述显示区110延伸至部分所述非显示区120,所述阴极层1133通过所述第二开口1121与所述有机发光层1132相接触;其中,所述阳极层1131、所述有机发光层1132以及所述阴极层1133构成发光器件层113。
具体地,所述有机发光层1132的宽度对应于所述虚拟子像素13的尺寸。
在本申请实施例中,所述衬底11采用聚酰亚胺(PI)或者其他合适的柔性材料制作形成。
在本申请实施例中,所述薄膜晶体管阵列层111包括多个薄膜晶体管,所述多个薄膜晶体管可以为铟镓锌氧化物半导体(IGZO)薄膜晶体管,也可以为低温多晶硅薄膜晶体管,当然,也可采用其他现有技术中常用的薄膜晶体管。其中,所述薄膜晶体管阵列层111包括多层导电层以及多层绝缘层。与现有技术一样,所述导电层用于形成栅极1113线、数据线、薄膜晶体管的栅极1113、源极1115以及漏极1116等,所述绝缘层用于将相邻的导电层绝缘设置,所述绝缘层的材料可以为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、或二者的组合,此处不展开叙述。
进一步地,所述薄膜晶体管阵列层111包括设置于所述衬底11上的第一缓冲层11111、设置于所述第一缓冲层11111上的有源层1112、设置于所述第一缓冲层11111上并覆盖所述有源层1112的第二缓冲层11112、设置于所述第二缓冲层11112上的栅极1113、设置于所述第二缓冲层11112上并覆盖所述栅极1113的层间绝缘层1114、设置于所述层间绝缘层1114上的源极1115以及漏极1116、设置于所述层间绝缘层1114上并覆盖所述源极1115、及所述漏极1116的钝化层1117以及设置于所述钝化层1117上的平坦化层1118。其中,所述第一缓冲层11111与所述第二缓冲层11112组成所述薄膜晶体管阵列层111的缓冲层1111,所述缓冲层1111、所述层间绝缘层1114、所述钝化层1117以及所述平坦化层1118组成所述薄膜晶体管阵列层111的所述绝缘层,所述有源层1112、所述栅极1113、所述源极1115及所述漏极1116组成所述薄膜晶体管阵列层111的所述导电层。
具体地,所述阳极层1131设置于所述平坦化层1118上并与所述漏极1116电连接,所述像素定义层112设置于所述平坦化层1118上并部分覆盖所述阳极层1131,所述像素定义层112还包括多个第二开口1121,所述有机发光层1132对应位于所述第二开口1121内并与部分所述阳极层1131相接触;所述阴极层1133设置于所述像素定义层112上并通过所述第二开口1121与所述有机发光层1132相接触。
在本申请实施例中,所述有机发光层1132具体包括:空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、以及设于电子传输层上的电子注入层。
在本申请实施例中,所述显示面板100还包括覆盖所述发光器件层113上的薄膜封装层14,所述薄膜封装层14用于阻隔水氧入侵所述发光器件层113。
在本申请实施例中,所述显示面板100还包括设于所述薄膜封装层14远离所述衬底11的一侧依次制作的光学胶填充层15以及保护盖板16。其中,所述光学胶填充层15包括透明光学胶(OCA)在内的各类胶材,所述保护盖板16用于对所述显示面板100整体进行保护。
在本申请实施例中,在所述非显示区120内远离所述虚拟像素区121的一侧,所述保护盖板16与所述薄膜晶体管阵列层111之间还设置有框胶17,所述框胶17用于阻隔水氧入侵所述显示区110以及所述虚拟像素区121。
在本申请实施例中,在所述非显示区120内远离所述框胶17的一侧还设置有柔性电路板18。
如图2所述,为本申请第一实施例提供的显示面板100在虚拟像素区121内的截面示意图;其中,所述显示面板100对应于所述虚拟像素区121内设置有第一绝缘层以及设置于所述第一绝缘层上的所述像素定义层112,所述像素定义层112对应于所述虚拟像素区121包括多个第一开口1122;
其中,所述第一绝缘层与所述薄膜晶体管阵列层111的至少一所述绝缘层同层设置,部分所述信号线122位于所述第一开口1122内;所述信号线122与所述薄膜晶体管阵列层111或所述发光器件层113上的至少一所述导电层同层设置。
具体地,所述虚拟像素区121对应于所述虚拟子像素13的部分包括所述衬底11、设置于所述衬底11上的所述缓冲层1111、设置于所述缓冲层1111上的所述层间绝缘层1114、设置于所述层间绝缘层1114上的所述钝化层1117、设置于所述钝化层1117上的所述平坦化层1118以及设置于所述平坦化层1118上的所述像素定义层112,所述像素定义层112对应于所述虚拟子像素13的部分包括多个所述第一开口1122;
其中,所述缓冲层1111、所述层间绝缘层1114、所述钝化层1117以及所述平坦化层1118构成所述第一绝缘层,所述信号线122设置于所述层间绝缘层1114上且对应设置于所述第一开口1122的底部,所述信号线122的宽度大于所述虚拟子像素13的尺寸,所述信号线122的两端被所述钝化层1117覆盖,所述阴极层1133通过所述第一开口1122与所述信号线122搭接。
在本申请实施例中,所述信号线122为第一导电层1221,所述第一导电层1221与所述显示面板100的电源负极信号连接。所述第一导电层1221与所述薄膜晶体管阵列层111中的所述源极1115、以及所述漏极1116同层设置且材料相同。
进一步地,所述第一导电层1221在所述显示区110地外围形成公共总线(busline)。
针对当前技术的有机电致发光显示器件需要在虚拟像素区121与显示面板100的边框位置之间设置有阴极搭接区而增加了显示面板100的边框厚度,进一步影响显示面板100的开口率的技术问题,本申请第一实施例通过在显示面板100的虚拟像素区121内设置多条信号线122,至少一信号线122与显示面板100的阴极层1133搭接,信号线122在其延伸方向上的宽度大于或等于一个虚拟子像素13的尺寸,且该信号线122设置于层间绝缘层1114上且对应设置于像素定义层112的第一开口1122的底部,所述信号线122的宽度大于所述虚拟子像素13的尺寸,所述阴极层1133通过所述第一开口1122与所述信号线122搭接,从而将显示面板100的阴极搭接区设置于虚拟像素区121内,进而减小了显示面板100的边框宽度,更进一步地有利于显示面板100的窄边框设计。
实施例二
如图2所述,为本申请第二实施例提供的显示面板100在虚拟像素区121内的截面示意图;本申请实施例二与本申请实施例一的不同之处仅在于,所述信号线122包括设置于所述层间绝缘层1114上且对应设置于所述像素定义层112的第一开口1122的底部的所述第一导电层1221以及设置于所述第一导电层1221并部分覆盖所述平坦化层1118的第二导电层1222。其中,所述第二导电层1222与所述发光器件层113中的所述阳极层1131同层设置且材料相同,所述第二导电层1222优选为上层氧化铟锡薄膜、中层银金属薄膜以及下层氧化铟锡薄膜构成的复合薄膜。
在本申请第二实施例中,所述像素定义层112覆盖部分所述第二导电层1222,所述阴极层1133通过所述第一开口1122与所述第二导电层1222搭接。
如图4所示,为本申请第二实施例提供的显示面板100在所述虚拟像素区121内的信号线122的俯视图。其中,所述第一导电层1221沿第一方向D1延伸,且所述第一导电层1221至少跨越沿所述第一方向D1排列的两个所述虚拟子像素13。
具体地,所述第二导电层1222为一网状结构,所述第二导电层1222包括多个第一连接部12222以及对应于多个所述虚拟子像素13内的主体部12221,沿着所述第一方向D1排列的相邻两个所述主体部12221之间通过所述第一连接部12222搭接。
在本申请实施例中,所述第一连接部12222设置于沿着所述第一方向D1排列的多个过孔内,所述过孔设置于所述第一绝缘层内。其中,所述过孔设置于所述第一绝缘层中的所述平坦化层1118或者所述钝化层1117内。
进一步地,所述第二导电层1222还包括沿着第二方向D2排列的多个第二连接部12223,沿着所述第二方向D2排列的相邻两个所述主体部12221之间通过所述第二连接部12223搭接;
其中,每一所述第二连接部12223的长度大于每一所述第一连接部12222的长度。
在本申请实施例中,将所述第二导电层1222设置成网状图案可以有效增大所述第二导电层1222与所述第一导电层1221之间的接触面积,更方便地将所述阴极层1133与所述第一导电层1221搭接起来,进而减小了所述虚拟像素区121的宽度。
针对当前技术的有机电致发光显示器件需要在虚拟像素区121与显示面板100的边框位置之间设置有阴极搭接区而增加了显示面板100的边框厚度,进一步影响显示面板100的开口率的技术问题,本申请第二实施例通过在显示面板100的虚拟像素区121内设置多条信号线122,至少一信号线122与显示面板100的阴极层1133搭接,信号线122在其延伸方向上的宽度大于或等于一个虚拟子像素13的尺寸,且该信号线122包括设置于层间绝缘层1114上且对应设置于像素定义层112的第一开口1122的底部的第一导电层1221以及设置于第一导电层1221并部分覆盖平坦化层1118的第二导电层1222,其中,第一导电层1221连接显示面板100的电源负极信号,第二导电层1222与发光器件层113中的阳极层1131同层设置且材料相同,且第二导电层1222为网状结构,阴极层1133通过第二导电层1222与第一导电层1221搭接,从而将显示面板100的阴极搭接区设置于虚拟像素区121内,实现在虚拟像素区121内的部分阴极层1133通过第二导电层1222与上述连接电源负极讯号的第一导电层1221的搭接,使得整体显示面板100较原有设计减少了虚拟像素区121的宽度,同时省略了原有显示面板100预留的阴极搭接区的宽度,从而使得显示面板100的边框得到缩减。
在本申请的上述实施例中,所述显示面板100的制备方法如下:
首先,提供所述衬底11,在所述衬底11上制备所述薄膜晶体管阵列层111;其中,所述薄膜晶体管阵列层111包含像素电路,其中每个像素电路包含电流驱动的发光单元、驱动晶体管和开关晶体管、以及电容等部分。
其中,形成所述薄膜晶体管阵列层111的方法主要包括化学气相沉积法、物理气相沉积或蚀刻工艺等方式。
之后,在所述薄膜晶体管阵列层111上依次形成所述阳极层1131以及所述像素定义层112,并对所述像素定义层112进行开孔,形成多个所述第一开口1122以及多个所述第二开口1121。
再之后,在所述衬底11上定义出所述虚拟像素区121,所述虚拟像素区121位于靠近所述显示区110的一侧,并通过喷墨打印方式在所述第一开口1122以及所述第二开口1121内形成所述有机发光层1132。其中,位于所述虚拟像素区121内的层间绝缘层1114上还设置有所述第一导电层1221,所述第一导电层1221与所述薄膜晶体管阵列层111的源漏极1116同层设置且材料相同,所述第一导电层1221对应设置于所述第一开口1122的底部,所述第一导电层1221的宽度大于所述虚拟子像素13的尺寸,所述第一导电层1221的两端被所述钝化层1117覆盖;位于所述虚拟像素区121内的所述阳极层1131为网状结构,所述网状结构经图案化工艺制成。
再之后,通过镭射切割的方式去除位于所述虚拟像素区121内的所述有机发光层1132,或者,通过镭射切割的方式去除位于所述虚拟像素区121内的所述有机发光层1132以及所述阳极层1131。
然后,在所述像素定义层112上整面沉积形成所述阴极层1133,所述阴极层1133通过所述第一开口1122与所述第一导电层1221搭接,所述阴极层1133通过所述第二开口1121与所述有机发光层1132搭接。
最后,在所述阴极层1133上依次制备所述薄膜封装层14、设于所述薄膜封装层14远离所述衬底11的一侧的光学胶填充层15以及设于所述光学胶填充层15上的保护盖板16,得到所述显示面板100。
相应地,本申请实施例还提供一种移动终端,所述移动终端包括如上任一项所述的显示面板100,上述移动终端在车载、手机、平板、电脑及电视产品上具有广阔的应用空间。
本申请的上述实施例主要是提供一种缩减显示面板100的边框,减少非显示区120域宽度的方案。该方案具体是通过在喷墨打印OLED器件的发光器件层113,并干燥结束后,清除位于虚拟像素区121内的有机发光层1132,同时,将虚拟像素区121内的阳极层1131的图案连成网状结构,且阳极下设置连接电源负极讯号的走线,实现在该区域面的部分阴极层1133通过阳极层1131与上述连接电源负极讯号的走线的搭接,使得整体显示面板100较原有设计减少了虚拟像素区121的宽度,同时省略了原有显示面板100预留的阴极搭接区的宽度,从而使得显示面板100的边框得到缩减。
本申请实施例提供一种显示面板100及移动终端,该显示面板100包括显示区110以及设置于显示区110一侧的虚拟像素区121,虚拟像素区121内设置有多个虚拟子像素13;其中,显示面板100还包括设置于虚拟像素区121内的多条信号线122,至少一信号线122与显示面板100的阴极层1133搭接,信号线122在其延伸方向上的宽度大于或等于一个虚拟子像素13的尺寸,同时将虚拟子像素13区中的部分信号线122设置为网格结构,从而将显示面板100的阴极搭接区设置于虚拟像素区121内,并减少了虚拟像素区121的宽度,进而减小了显示面板100的边框宽度,更进一步地有利于显示面板100的窄边框设计。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板100及移动终端进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,包括显示区以及设置于所述显示区一侧的虚拟像素区,所述虚拟像素区内设置有多个虚拟子像素;
其中,所述显示面板还包括设置于所述虚拟像素区内的多条信号线,至少一所述信号线与所述显示面板的阴极层搭接,所述信号线在其延伸方向上的宽度大于或等于一个所述虚拟子像素的尺寸。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示区内设置有多个发光子像素,所述虚拟子像素与所述发光子像素相邻设置;
其中,每一所述发光子像素的尺寸与每一所述虚拟子像素的尺寸相同,相邻所述发光子像素和所述虚拟子像素的间距、与相邻两个所述发光子像素的间距相同。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示区内设置有薄膜晶体管阵列层以及设置于所述薄膜晶体管阵列层上的发光器件层;
其中,所述信号线与所述薄膜晶体管阵列层或所述发光器件层上的至少一导电层同层设置。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述虚拟像素区内设置有第一绝缘层以及设置于所述第一绝缘层上的像素定义层,所述像素定义层包括多个第一开口;
其中,所述第一绝缘层与所述薄膜晶体管阵列层的至少一绝缘层同层设置,部分所述信号线位于所述第一开口内。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述信号线包括第一导电层,所述第一导电层设置于所述第一绝缘层上,所述第一导电层的宽度大于所述第一开口的底边;
其中,所述第一导电层沿第一方向延伸,且所述第一导电层至少跨越沿所述第一方向排列的两个所述虚拟子像素。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述信号线还包括第二导电层,位于所述第一开口的部分所述第二导电层与所述第一导电层搭接,位于所述第一开口的部分所述阴极层与所述第二导电层搭接;
其中,所述第二导电层包括多个第一连接部以及对应于多个所述虚拟子像素内的主体部,沿着所述第一方向排列的相邻两个所述主体部之间通过所述第一连接部搭接。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第一连接部设置于沿着所述第一方向排列的多个过孔内,所述过孔设置于所述第一绝缘层内。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第二导电层还包括沿着第二方向排列的多个第二连接部,沿着所述第二方向排列的相邻两个所述主体部之间通过所述第二连接部搭接;
其中,每一所述第二连接部的长度大于每一所述第一连接部的长度。
9.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第一导电层与所述薄膜晶体管阵列层中的源漏极同层设置且材料相同,所述第二导电层与所述发光器件层中的阳极层同层设置且材料相同。
10.一种移动终端,其特征在于,所述移动终端包括终端主体和如权利要求1至9任一项所述的显示面板,所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113690279A (zh) * | 2021-08-04 | 2021-11-23 | 惠州华星光电显示有限公司 | 显示面板及电子设备 |
CN114267251A (zh) * | 2021-12-16 | 2022-04-01 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种显示装置及拼接显示装置 |
CN115136317A (zh) * | 2022-05-24 | 2022-09-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法和显示装置 |
WO2023070427A1 (zh) * | 2021-10-28 | 2023-05-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010145454A (ja) * | 2008-12-16 | 2010-07-01 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置および電子機器 |
CN102024421A (zh) * | 2009-09-17 | 2011-04-20 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示设备 |
US20160372535A1 (en) * | 2015-06-17 | 2016-12-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
CN107275506A (zh) * | 2016-04-04 | 2017-10-20 | 三星显示有限公司 | 具有用于密封显示单元的保护层和封装层的显示设备 |
CN108121119A (zh) * | 2016-11-29 | 2018-06-05 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示器 |
CN108630823A (zh) * | 2017-03-20 | 2018-10-09 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
CN110767680A (zh) * | 2018-09-30 | 2020-02-07 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板、显示屏及显示终端 |
CN110888278A (zh) * | 2019-11-19 | 2020-03-17 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
CN111430373A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-07-17 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 |
-
2021
- 2021-06-21 CN CN202110684503.5A patent/CN113471257B/zh active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010145454A (ja) * | 2008-12-16 | 2010-07-01 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置および電子機器 |
CN102024421A (zh) * | 2009-09-17 | 2011-04-20 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示设备 |
US20160372535A1 (en) * | 2015-06-17 | 2016-12-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
CN107275506A (zh) * | 2016-04-04 | 2017-10-20 | 三星显示有限公司 | 具有用于密封显示单元的保护层和封装层的显示设备 |
CN108121119A (zh) * | 2016-11-29 | 2018-06-05 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示器 |
CN108630823A (zh) * | 2017-03-20 | 2018-10-09 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
CN110767680A (zh) * | 2018-09-30 | 2020-02-07 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板、显示屏及显示终端 |
CN110888278A (zh) * | 2019-11-19 | 2020-03-17 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
CN111430373A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-07-17 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113690279A (zh) * | 2021-08-04 | 2021-11-23 | 惠州华星光电显示有限公司 | 显示面板及电子设备 |
US12063828B2 (en) | 2021-08-04 | 2024-08-13 | Huizhou China Star Optoelectronics Display Co., Ltd. | Display panel and electronic device having power supply wire in redundant pixel area electrically connected to light-emitting function layer |
WO2023070427A1 (zh) * | 2021-10-28 | 2023-05-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
GB2621953A (en) * | 2021-10-28 | 2024-02-28 | Boe Technology Group Co Ltd | Display panel and display device |
CN114267251A (zh) * | 2021-12-16 | 2022-04-01 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种显示装置及拼接显示装置 |
CN115136317A (zh) * | 2022-05-24 | 2022-09-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法和显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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