JP6885134B2 - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、該電気光学装置を備えた電子機器に関する。

電気光学装置として画素ごとに有機エレクトロルミネッセンス（Electro−Luminescence）素子を備えた有機ＥＬ装置が知られている。有機ＥＬ素子は、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）に比べて小型化、薄型化が可能であることから、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）や電子ビューファインダー（ＥＶＦ）などのマイクロディスプレイへの応用が注目されている。このようなマイクロディスプレイにおいてカラー表示を実現する手段として、白色発光が得られる有機ＥＬ素子とカラーフィルターとを組み合わせる構成が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１に記載の有機ＥＬ装置では、基板上に配置された複数の有機ＥＬ素子を覆って封止層が形成され、封止層上に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の着色層で構成されたカラーフィルターがフォトリソグラフィ法を用いて形成される。カラーフィルターを構成する各着色層は、封止層上における高さが着色層よりも低い凸部で区分されている。したがって、隣り合う着色層同士の縁部が互いに接したり、一方の縁部が他方の縁部に重なり合ったりしている。

特開２０１４−０８９８０４号公報

画素サイズが小さいマイクロディスプレイとしての有機ＥＬ装置において良好な視角特性を得るためには、カラーフィルターを構成する着色層を各有機ＥＬ素子に対して高精度に形成することが求められる。したがって、カラーフィルターの製造プロセスにおいては、各着色層の管理特性（例えば、寸法や位置など）の制御を精度良く行うことが望ましい。しかしながら、上記特許文献１に示されているように、隣り合う着色層同士の縁部が互いに接したり、一方の縁部が他方の縁部に重なり合うように形成される場合、各着色層の寸法や位置などを正確に測定することが困難であるという課題がある。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例］本適用例に係る電気光学装置は、基板と、前記基板上の第１領域に画素ごとに配置された有機ＥＬ素子と、前記第１領域に設けられ、前記有機ＥＬ素子を覆う封止部と、前記封止部上に設けられたカラーフィルターと、前記カラーフィルターを評価するための評価用パターンと、前記基板の端部と前記封止部との間に配置された台座部と、を備え、前記評価用パターンは前記台座部上に配置されていることを特徴とする。

本適用例によれば、評価用パターンの寸法、位置などを測定すれば、カラーフィルターを構成する着色層の寸法、位置などの管理特性に係る情報を入手することができる。また、評価用パターンは基板において台座部上に配置されていることから、台座部上に配置しない場合に比べて、封止部上に設けられるカラーフィルターの着色層の管理特性に係る情報を適切に入手できる。さらに、台座部は基板の端部と封止部との間に配置されていることから、カラーフィルターと同様に封止部上に評価用パターンを設ける場合に比べて、有機ＥＬ素子からの発光が評価用パターンを透過して、第１領域における表示に係る発光に影響を及ぼし難い。すなわち、画素の有機ＥＬ素子に対して着色層が適正かつ高精度に配置されているか否かを製造プロセスにて評価用パターンを用いて評価し管理することが可能であることから、視角特性などの表示特性を良好な状態に実現可能な電気光学装置を提供できる。特に、封止部上において隣り合う着色層が重なっていない場合に比べて、隣り合う着色層同士の縁部が互いに接したり、一方の縁部が他方の縁部に重なり合うようにカラーフィルターが形成されている場合に、評価用パターンによってカラーフィルターの着色層の管理特性に係る情報を適切に入手できることは有効である。

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記基板上における前記台座部の高さは前記封止部の高さと略同一であることが好ましい。
この構成によれば、封止部上に設けられるカラーフィルターと同じ条件で評価用パターンを設けることができることから、カラーフィルターの着色層の管理特性に係る情報を精度よく入手できる。なお、略同一であるとは、封止部の高さを基準として台座部の高さが製造プロセスにおける形成精度のばらつきの範囲内であって、例えば９０％〜１１０％の範囲内にあることを言う。

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記封止部は、有機封止層と、前記有機封止層を挟む無機封止層とからなり、前記台座部は前記封止部と同じ層構成であることが好ましい。
この構成によれば、気体や液体が透過し難い無機封止層と、平坦化し易い有機封止層とにより封止部を構成することで、水分や酸素などの影響を受けて失活し易い有機ＥＬ素子を封止部で保護すると共に、カラーフィルターが設けられる封止部を平坦化することができる。さらに、台座部を封止部と同じ層構成とすることで、封止部上のカラーフィルターの着色層及び台座部上の評価用パターンのそれぞれにおける形状を安定化させることができる。

［適用例］本適用例に係る他の電気光学装置は、基板と、前記基板上の第１領域に画素ごとに配置された有機ＥＬ素子と、前記第１領域に設けられ、前記有機ＥＬ素子を覆う封止部と、前記封止部上に設けられたカラーフィルターと、前記カラーフィルターを評価するための評価用パターンと、前記評価用パターンの上方において、前記第１領域を囲んで設けられた遮光部と、前記評価用パターンと前記遮光部との間に設けられたｎ層の透光性部材と、を備え、前記評価用パターンは、以下の数式（１）を満たす位置に設けられていることが好ましい。

ｎは１以上の整数であり、Ｌｐは平面視における前記遮光部の前記第１領域側の端部から前記評価用パターンの端部までの距離であり、Ｌｎはｎ層の前記透光性部材のそれぞれにおける前記評価用パターン上における厚みであり、θ_nは前記評価用パターンの端部の法線に対して斜め方向に発する斜め光が前記透光性部材のそれぞれを透過するときの当該透光性部材の法線に対する角度である。

本適用例によれば、評価用パターンの寸法、位置などを測定すれば、カラーフィルターを構成する着色層の寸法、位置などの管理特性に係る情報を入手することができる。また、評価用パターンと遮光部との間にはｎ層の透光性部材が配置されている。遮光部の第１領域側の端部から評価用パターンの端部までの距離が上記数式（１）を満たすことにより、有機ＥＬ素子からの発光が評価用パターンを透過し、且つｎ層の透光性部材を透過して第１領域における表示に係る発光に影響を及ぼすことを抑制可能である。詳しくは、評価用パターンの端部の法線に対して斜め方向に発する斜め光が透光性部材のそれぞれを透過するときの当該透光性部材の法線に対する角度と当該透光性部材の厚みとによって、当該透光性部材に対する斜め光の入射位置と射出位置とが規定されるからである。すなわち、画素の有機ＥＬ素子に対して着色層が適正かつ高精度に配置されているか否かを製造プロセスにて評価用パターンを用いて評価可能であると共に、評価用パターンを設けることに伴う光漏れを抑制できる。ゆえに、視角特性などの表示特性を良好な状態に実現可能であって優れた表示品質を有する電気光学装置を提供できる。特に、封止部上において隣り合う着色層が重なっていない場合に比べて、隣り合う着色層同士の縁部が互いに接したり、一方の縁部が他方の縁部に重なり合うようにカラーフィルターが形成されている場合に、評価用パターンによってカラーフィルターの着色層の管理特性に係る情報を入手できることは有効である。

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記基板の端部と前記封止部との間に配置された台座部、を備え、前記評価用パターンは前記台座部上に配置されていることが好ましい。
この構成によれば、評価用パターンは基板において台座部上に配置されていることから、台座部上に配置しない場合に比べて、封止部上に設けられるカラーフィルターの着色層の管理特性に係る情報を適切に入手できる。

上記適用例に記載の電気光学装置において、ｎ層の前記透光性部材は、前記カラーフィルターと前記評価用パターンとを覆う接着層と、前記接着層に積層された対向基板とを含むことが好ましい。
この構成によれば、接着層を介して積層された対向基板によって、カラーフィルター及び評価用パターンを保護できると共に、封止部に水分や酸素などが浸入することを対向基板で防ぐことができる。言い換えれば、ｎ層の透光性部材として、接着層と対向基板とが評価用パターンと遮光部との間に配置されていても、上記数式（１）を満たすことにより、適正な位置に評価用パターンを配置して、表示に影響を及ぼす光漏れを防ぐことができる。つまり、優れた表示品質と耐久品質とを有する電気光学装置を提供できる。

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記遮光部は、前記第１領域を囲むように設けられたケース部であり、前記評価用パターンと前記ケース部との間に、前記接着層と前記対向基板とが配置されているとしてもよい。
この構成によれば、接着層及び対向基板のそれぞれは、評価用パターンとケース部との間に配置されるｎ層の透光性部材を構成するものであり、ケース部の第１領域側の端部から評価用パターンの端部までの距離Ｌｐが上記数式（１）を満たすことから、評価用パターンを設けることに伴う光漏れをケース部によって遮光することができる。

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記遮光部は、前記対向基板と前記接着層との界面、または前記対向基板の前記界面と反対側の面に設けられた遮光層であるとしてもよい。
この構成によれば、対向基板と接着層との界面に遮光部としての遮光層が設けられた場合には、接着層は透光性部材を構成するものであり、対向基板の上記界面と反対側の面に遮光部としての遮光層が設けられた場合には、接着層及び対向基板がｎ層の透光性部材を構成するものである。いずれの場合も、遮光層の第１領域側の端部から評価用パターンの端部までの距離Ｌｐが上記数式（１）を満たすことから、評価用パターンを設けることに伴う光漏れを対向基板に設けられた遮光層によって遮光することができる。
また、上述した適用例に示したように遮光部をケース部とする場合に比べて、遮光部としての遮光層を評価用パターンに近づけて配置できることから、上記距離Ｌｐの長さを短くできる。言い換えれば、光漏れを考慮したときの評価用パターンの配置可能な範囲を小さくできることから、評価用パターンを設けたとしてもより小型な電気光学装置とすることができる。

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記評価用パターンは、前記カラーフィルターの着色層における寸法精度を評価するための、少なくとも赤、緑、青の３色の着色パターンを含み、前記少なくとも赤、緑、青の３色の着色パターンは、互いに離間して配置されていることが好ましい。
この構成によれば、評価用パターンを構成する少なくとも赤、緑、青の３色の着色パターンは、互いに離間して配置されているので、それぞれの着色パターンの寸法、位置などを正確に測定できる。これらの着色パターンの測定結果から、カラーフィルターにおける着色層の管理特性に係る情報を入手できる。

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記着色パターンは、色ごとに複数のパターンを有し、前記複数のパターンは互いに離間して配置されていることが好ましい。
この構成によれば、複数のパターンのうちの１つが変形したり消失したりしても、他のパターンを測定することで、カラーフィルターの着色層における管理特性に係る情報を入手できる。

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記着色パターンの前記複数のパターンのうちの１つは他のパターンと異なる形状となっているとしてもよい。
この構成によれば、複数のパターンの中から特定のパターンを識別することや、異なるパターン同士を比較して、カラーフィルターにおいて対応する色の着色層の位置ずれなどを把握することが可能となる。

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記基板上に前記カラーフィルターの着色層における位置精度を評価するための位置評価用パターンを有し、前記位置評価用パターンは、少なくとも赤、緑、青の３色のそれぞれに対応して設けられていることが好ましい。
この構成によれば、位置評価用パターンによって、有機ＥＬ素子に対するカラーフィルターの着色層の位置精度に係る情報を入手することができる。また、カラーフィルターの着色層における寸法などに求められる精度と、位置に求められる精度とが異なっていた場合、要求される精度に基づいて、位置評価用パターンを構成することができる。

［適用例］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
本適用例によれば、視角特性などの表示特性を良好な状態に実現可能な電気光学装置を備えているので、表示において見栄えのよい電子機器を提供することができる。

［適用例］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、基板上の第１領域に画素ごとに有機ＥＬ素子を形成する工程と、前記第１領域に亘り前記有機ＥＬ素子を覆う封止部を形成する工程と、前記封止部上にカラーフィルターを形成する工程と、前記基板の端部と前記封止部との間に台座部を形成する工程と、を備え、前記カラーフィルターを形成する工程では、フォトリソグラフィ法により、前記カラーフィルターの着色層を形成すると共に、前記着色層の形成材料を用いて、前記カラーフィルターを評価するための評価用パターンを前記台座部上に形成することを特徴とする。

本適用例によれば、着色層と同時に形成された評価用パターンの寸法、位置などを測定すれば、カラーフィルターの形成工程における着色層の寸法、位置などの管理特性に係る情報を入手することができる。また、基板において台座部上に評価用パターンを形成することから、台座部上に形成しない場合に比べて、露光時における基板上の着色層の位置と評価用パターンの位置との差を小さくできる。したがって、着色層の形成精度と、評価用パターンの形成精度との差が生じ難くなるため、カラーフィルターの着色層の管理特性に係る情報を適切に入手できる。さらに、台座部を基板の端部と封止部との間に形成することから、カラーフィルターと同様に封止部上に評価用パターンを形成する場合に比べて、有機ＥＬ素子からの発光が評価用パターンを透過して、第１領域における表示に係る発光に影響を及ぼし難い。すなわち、画素の有機ＥＬ素子に対して着色層が適正かつ高精度に形成されているか否かを製造プロセスにて評価用パターンを用いて評価可能であることから、視角特性などの表示特性を良好な状態に実現可能な電気光学装置を製造することができる。特に、カラーフィルターの形成工程において、封止部上で隣り合う着色層を重ならないように形成する場合に比べて、隣り合う着色層同士の縁部が互いに接したり、一方の縁部が他方の縁部に重なり合うようにカラーフィルターを形成する場合に、評価用パターンによってカラーフィルターの着色層の管理特性に係る情報を適切に入手できることは有効である。

［適用例］本適用例に係る他の電気光学装置の製造方法は、基板上の第１領域に画素ごとに有機ＥＬ素子を形成する工程と、前記第１領域に亘り前記有機ＥＬ素子を覆う封止部を形成する工程と、前記封止部上にカラーフィルターを形成する工程と、前記カラーフィルターを評価するための評価用パターンを形成する工程と、前記評価用パターン上にｎ層の透光性部材を配置する工程と、前記評価用パターンの上方に、前記第１領域を囲む遮光部を配置する工程と、を備え、前記評価用パターンを、以下の数式（１）を満たす位置に形成することを特徴とする。

ｎは１以上の整数であり、Ｌｐは平面視における前記遮光部の前記第１領域側の端部から前記評価用パターンの端部までの距離であり、Ｌｎはｎ層の前記透光性部材のそれぞれにおける前記評価用パターン上における厚みであり、θ_nは前記評価用パターンの端部の法線に対して斜め方向に発する斜め光がｎ層の前記透光性部材のそれぞれを透過するときの当該透光性部材の法線に対する角度である。

本適用例によれば、評価用パターンの寸法、位置などを測定すれば、カラーフィルターの形成工程における着色層の寸法、位置などの管理特性に係る情報を入手することができる。また、評価用パターンと遮光部との間にはｎ層の透光性部材が配置される。遮光部の第１領域側の端部から評価用パターンの端部までの距離が上記数式（１）を満たすように評価用パターンが形成されることにより、有機ＥＬ素子からの発光が評価用パターンを透過し、且つｎ層の透光性部材を透過して第１領域における表示に係る発光に影響を及ぼすことを抑制可能である。詳しくは、評価用パターンの端部の法線に対して斜め方向に発する斜め光が透光性部材のそれぞれを透過するときの当該透光性部材の法線に対する角度と当該透光性部材の厚みとによって、当該透光性部材に対する斜め光の入射位置と射出位置とが規定されるからである。すなわち、画素の有機ＥＬ素子に対して着色層が適正かつ高精度に配置されているか否かを製造プロセスにて評価用パターンを用いて評価可能であると共に、評価用パターンを形成することに伴う光漏れを抑制できる。ゆえに、視角特性などの表示特性を良好な状態に実現可能であって優れた表示品質を有する電気光学装置を製造することができる。特に、カラーフィルターの形成工程において、封止部上で隣り合う着色層を重ならないように形成する場合に比べて、隣り合う着色層同士の縁部が互いに接したり、一方の縁部が他方の縁部に重なり合うようにカラーフィルターを形成する場合に、評価用パターンによってカラーフィルターの着色層の管理特性に係る情報を入手できることは有効である。

上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記カラーフィルターを形成する工程は、前記基板が複数面付けされるマザー基板と、前記カラーフィルターの着色層の形成材料と、少なくとも２つ以上の前記基板を同時に露光可能な露光用レチクルとを用いて、フォトリソグラフィ法により、前記マザー基板に前記着色層と前記評価用パターンとを形成し、前記露光用レチクルは、少なくとも２つの前記基板の前記評価用パターンを露光可能な露光パターンを有するとしてもよい。
この方法によれば、マザー基板に面付けされた複数の基板のすべてに評価用パターンを形成しなくてもよい。すなわち、露光用レチクルにおける評価用パターン用の露光パターンを適正に配置することで、カラーフィルターの着色層における管理特性に係る情報を入手するために測定を行う評価用パターンをマザー基板において特定することができる。言い換えれば、作業者は測定対象の評価用パターンを特定し易く、マザー基板上のすべての基板に対して測定を行わなくてもよいので作業効率が向上する。

電子機器としてのヘッドマウントディスプレイを示す模式図。 第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。 第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。 サブ画素における有機ＥＬ素子及びカラーフィルターの配置を示す概略平面図。 図４のＡ−Ａ’線に沿ったサブ画素の構造を示す概略断面図。 素子基板における評価用パターンの配置の一例を示す概略平面図。 寸法評価用パターンにおける着色パターンの配置例を示す概略平面図。 位置評価用パターンにおける着色パターンの配置例を示す概略平面図。 図６のＣ−Ｃ’線に沿った有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図。 図６のＤ−Ｄ’線に沿った有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図。 第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。 マザー基板における素子基板（基材）の面付けの状態を示す概略平面図。 素子基板における評価用パターンの他の配置例を示す概略平面図。 マザー基板における評価用パターンの他の配置例を示す概略平面図。 第２実施形態の有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図。 第３実施形態の有機ＥＬ装置の素子基板における評価用パターンの配置例を示す概略平面図。 図１６のＥ−Ｅ’線に沿った第３実施形態の有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

（第１実施形態）
＜電子機器＞
まず、本実施形態の電気光学装置が表示部に適用された電子機器の一例としてヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）を挙げ、図１を参照して説明する。図１は、電子機器としてのヘッドマウントディスプレイを示す模式図である。

ヘッドマウントディスプレイ（Head Mount Display；ＨＭＤ）１０００は、左右の眼に対応して情報を表示するための一対の光学ユニット１００１Ｌ，１００１Ｒと、一対の光学ユニット１００１Ｌ，１００１Ｒを使用者の頭部に装着するための装着部（図示省略）と、電源部及び制御部（図示省略）などを有している。ここで、一対の光学ユニット１００１Ｌ，１００１Ｒは左右対称の構成であるため、右眼用の光学ユニット１００１Ｒを例として説明する。

光学ユニット１００１Ｒは、表示部１００Ｒと、集光光学系１００２と、Ｌ字状に折れ曲がった導光体１００３とを備えている。導光体１００３にはハーフミラー層１００４が設けられている。光学ユニット１００１Ｒにおいて、表示部１００Ｒから射出された表示光は、集光光学系１００２によって導光体１００３に入射し、ハーフミラー層１００４で反射して右眼に導かれる。ハーフミラー層１００４に投影された表示光（映像）は虚像である。したがって、使用者は、表示部１００Ｒによる表示（虚像）とハーフミラー層１００４の先にある外界の双方を視認することができる。つまり、ＨＭＤ１０００は、透過型（シースルー型）の投射型表示装置である。

導光体１００３はロッドレンズを組み合わせたものであって、ロッドインテグレーターを形成している。導光体１００３の光の入射側に、集光光学系１００２と表示部１００Ｒとが配置され、集光光学系１００２により集光された表示光を、上記ロッドレンズが受光する構成となっている。また、導光体１００３のハーフミラー層１００４は、集光光学系１００２で集光され、ロッドレンズ内で全反射して伝達される光束を、右眼に向って反射する角度を有している。

表示部１００Ｒは、制御部から伝送された表示信号を、文字や映像などの画像情報として表示領域に表示することができる。表示された画像情報は、集光光学系１００２によって実像から虚像に変換される。本実施形態において表示部１００Ｒには、後述する本実施形態の電気光学装置である自発光型の有機ＥＬ装置１００が適用されている。表示部１００Ｒの表示領域以外からの発光が集光光学系１００２によって集光され表示に影響を及ぼさないように、表示部１００Ｒの集光光学系１００２側には、表示領域を囲むように枠状のケース部１０１が設けられている。

なお、上述した通り、左眼用の光学ユニット１００１Ｌについても、後述する本実施形態の有機ＥＬ装置１００が適用された表示部１００Ｌを有し、構成及び機能は上記右眼用の光学ユニット１００１Ｒと同じである。

本実施形態によれば、表示部１００Ｌ，１００Ｒとして自発光型の有機ＥＬ装置１００が適用されているので、受光型の液晶装置を用いる場合に比べて、バックライトなどの照明装置を必要としないことから、小型で軽量であると共に、見栄えのよいシースルー型のＨＭＤ１０００を提供することができる。

なお、本実施形態の有機ＥＬ装置１００が適用されるＨＭＤ１０００は、両眼に対応した一対の光学ユニット１００１Ｌ，１００１Ｒを備える構成に限定されず、例えば、片方の光学ユニット１００１Ｒを備える構成であってもよい。また、シースルー型に限定されず、外光を遮光した状態で表示を視認する没入型であってもよい。

＜有機ＥＬ装置＞
次に、本実施形態に係る電気光学装置としての有機ＥＬ装置１００について、図２から図５を参照して説明する。図２は第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図、図３は第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図、図４はサブ画素における有機ＥＬ素子及びカラーフィルターの配置を示す概略平面図、図５は図４のＡ−Ａ’線に沿ったサブ画素の構造を示す概略断面図である。本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００は、上述したヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）の表示部に好適な自発光型のマイクロディスプレイである。

図２に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０と、対向基板４０とを有している。両基板は、接着層４２（図５参照）を介して対向配置され接着されている。

素子基板１０は、第１領域としての表示領域Ｅ１と、表示領域Ｅ１よりも外側の周辺領域である非表示領域Ｅ２とを有している。表示領域Ｅ１には、赤色（Ｒ）光が発せられるサブ画素１８Ｒと、緑色（Ｇ）光が発せられるサブ画素１８Ｇと、青色（Ｂ）光が発せられるサブ画素１８Ｂとが、例えばマトリックス状に配列されている。有機ＥＬ装置１００では、サブ画素１８Ｒ、サブ画素１８Ｇ、サブ画素１８Ｂ、を含む画素１９が表示単位となって、フルカラーの表示が提供される。

なお、以降の説明では、サブ画素１８Ｒ及びサブ画素１８Ｇ並びにサブ画素１８Ｂを総称して、サブ画素１８と称する場合がある。本実施形態のサブ画素１８は、本発明における画素に相当するものである。表示領域Ｅ１は、サブ画素１８から表示光が発せられ、表示に寄与する領域である。表示領域Ｅ１よりも外側の非表示領域Ｅ２は上述したようにケース部１０１（図１参照）によって覆われている。したがって、サブ画素１８から発した表示光が非表示領域Ｅ２で拡散あるいは乱反射して迷光となって射出されたとしても、該迷光はケース部１０１によって遮光される構成となっている。

素子基板１０は、対向基板４０よりも大きく、対向基板４０からはみ出した素子基板１０の第１辺に沿って、複数の外部接続用端子１０２が配列されている。複数の外部接続用端子１０２と表示領域Ｅ１との間には、データ線駆動回路１５が設けられている。該第１辺と直交し互いに対向する他の第２辺、第３辺と表示領域Ｅ１との間には、走査線駆動回路１６が設けられている。外部接続用端子１０２には、表示に係る制御信号や電源などを供給する外部駆動回路との接続を図るためのフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）１０３が実装されている。

対向基板４０は、素子基板１０よりも小さく、外部接続用端子１０２が露出されるように配置されている。対向基板４０は、光透過性の基板であり、例えば石英基板やガラス基板などを使用することができる。対向基板４０は、表示領域Ｅ１において、サブ画素１８に配置された後述する有機ＥＬ素子３０が損傷しないように保護する役割を有し、少なくとも表示領域Ｅ１に対向するように配置される。本実施形態の有機ＥＬ装置１００には、サブ画素１８から発する光を対向基板４０側から取り出す、トップエミッション方式が採用されている。

以降の説明では、外部接続用端子１０２が配列された上記第１辺に沿った方向をＸ方向とし、該第１辺と直交し互いに対向する他の２辺（第２辺、第３辺）に沿った方向をＹ方向とする。素子基板１０から対向基板４０に向かう方向をＺ方向とする。また、Ｚ方向に沿って対向基板４０側から見ることを「平面視」と言う。

本実施形態では、表示領域Ｅ１において、同色の発光が得られるサブ画素１８が行方向（Ｘ方向）に配列され、異なる色の発光が得られるサブ画素１８が列方向（Ｙ方向）に配列される、所謂、横ストライプ方式のサブ画素１８の配置が採用されている。サブ画素１８には、有機ＥＬ素子３０とカラーフィルター３６（図４または図５参照）とが配置されている。有機ＥＬ素子３０及びカラーフィルター３６の詳しい構成については後述する。

なお、図２では、表示領域Ｅ１におけるサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの配置を視認できるように模式的に示しているが、サブ画素１８の配置は、列方向（Ｙ方向）においてＲ、Ｇ、Ｂの順であることに限定されない。例えば、Ｂ、Ｇ、Ｒの順であってもよい。また、サブ画素１８の配置は、横または縦のストライプ方式であることに限定されず、デルタ方式、モザイク方式、ペンタイル方式、ベイヤー方式、Ｓストライプ方式であってもよく、サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの形状や大きさは同じであることに限定されない。例えば、視感度に応じて、サブ画素１８Ｒ，１８Ｇに対してサブ画素１８Ｂの大きさを大きくして、輝度バランスを図る構成としてもよい。

［有機ＥＬ装置の電気的な構成］
図３に示すように、有機ＥＬ装置１００は、互いに交差する走査線１２及びデータ線１３と、電源線１４とを有している。走査線１２は走査線駆動回路１６に電気的に接続され、データ線１３はデータ線駆動回路１５に電気的に接続されている。また、走査線１２とデータ線１３とで区画された領域にサブ画素１８が設けられている。

サブ画素１８は、有機ＥＬ素子３０と、有機ＥＬ素子３０の駆動を制御する画素回路２０とを有している。以降、サブ画素１８Ｒに配置された有機ＥＬ素子３０を有機ＥＬ素子３０Ｒと呼び、サブ画素１８Ｇに配置された有機ＥＬ素子３０を有機ＥＬ素子３０Ｇと呼び、サブ画素１８Ｂに配置された有機ＥＬ素子３０を有機ＥＬ素子３０Ｂと呼ぶ。

有機ＥＬ素子３０は、画素電極３１と、発光機能層３２と、対向電極３３とで構成される。画素電極３１は、発光機能層に３２に正孔を注入する陽極として機能する。対向電極３３は、発光機能層３２に電子を注入する陰極として機能する。発光機能層３２では、注入された正孔と電子とにより、励起子（エキシトン；正孔と電子とがクーロン力にて互いに束縛された状態）が形成され、励起子（エキシトン）が消滅する際（正孔と電子とが再結合する際）にエネルギーの一部が蛍光や燐光となって放出される。本実施形態では、発光機能層３２から白色発光が得られるように、発光機能層３２が構成されている。

画素回路２０は、スイッチング用トランジスター２１と、蓄積容量２２と、駆動用トランジスター２３と、を含んでいる。２つのトランジスター２１，２３は、例えばｎチャネル型もしくはｐチャネル型トランジスターを用いて構成することができる。

スイッチング用トランジスター２１のゲートは、走査線１２に電気的に接続されている。スイッチング用トランジスター２１のソースは、データ線１３に電気的に接続されている。スイッチング用トランジスター２１のドレインは、駆動用トランジスター２３のゲートに電気的に接続されている。

駆動用トランジスター２３のドレインは、有機ＥＬ素子３０の画素電極３１に電気的に接続されている。駆動用トランジスター２３のソースは、電源線１４に電気的に接続されている。駆動用トランジスター２３のゲートと電源線１４との間には、蓄積容量２２が電気的に接続されている。

走査線駆動回路１６から供給される制御信号により走査線１２が駆動されてスイッチング用トランジスター２１がオン（ＯＮ）状態になると、データ線１３から供給される画像信号に基づく電位がスイッチング用トランジスター２１を介して蓄積容量２２に保持される。蓄積容量２２の電位すなわち駆動用トランジスター２３のゲート電位に応じて、駆動用トランジスター２３のオン・オフ（ＯＮ・ＯＦＦ）状態が決まる。そして、駆動用トランジスター２３がオン（ＯＮ）状態になると、駆動用トランジスター２３を介して、電源線１４から有機ＥＬ素子３０にゲート電位に応じた量の電流が流れる。有機ＥＬ素子３０は、発光機能層３２に流れる電流量に応じた輝度で発光する。

なお、画素回路２０の構成は、２つのトランジスター２１，２３を有することに限定されず、例えば、有機ＥＬ素子３０に流れる電流を制御するためのトランジスターをさらに備えていてもよい。

［画素電極及びカラーフィルターの配置］
次に、図４を参照して、サブ画素１８における有機ＥＬ素子３０の画素電極３１及びカラーフィルター３６の配置について説明する。

図４に示すように、Ｘ方向とＹ方向とにマトリックス状に配置された複数のサブ画素１８には、それぞれ有機ＥＬ素子３０の画素電極３１が配置されている。具体的には、Ｘ方向に並ぶ、サブ画素１８Ｒには有機ＥＬ素子３０Ｒの画素電極３１Ｒが配置され、サブ画素１８Ｇには有機ＥＬ素子３０Ｇの画素電極３１Ｇが配置され、サブ画素１８Ｂには有機ＥＬ素子３０Ｂの画素電極３１Ｂが配置されている。Ｙ方向に配列した異なる色の３つのサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを１つの画素１９として表示がなされる構成になっている。３つのサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを含む画素１９の外形はほぼ正方形である。

画素電極３１（３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ）のそれぞれは、平面視で略矩形状であり、長手方向がＸ方向に沿って配置されている。Ｘ方向及びＹ方向における画素１９の配置ピッチは、例えば１０μｍ以下である。したがって、各サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８ＢのＹ方向における幅は３μｍ〜４μｍ程度以下となる。

各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂの外縁を覆って絶縁膜２８が形成されている。絶縁膜２８には、画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ上に、平面視で略矩形状の開口部２８ＫＲ，２８ＫＧ，２８ＫＢが形成されている。開口部２８ＫＲ，２８ＫＧ，２８ＫＢ内において、画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂのそれぞれが露出している。なお、開口部２８ＫＲ，２８ＫＧ，２８ＫＢの形状は略矩形状であることに限定されず、例えば短辺側が円弧状であるトラック状でもよい。サブ画素１８Ｒに対して開口部２８ＫＲは、Ｘ方向にオフセットされて配置されている。Ｘ方向にオフセットされた部分には、有機ＥＬ素子３０Ｒの画素電極３１Ｒと前述した駆動用トランジスター２３との電気的な接続を図るコンタクト部（図示省略）が設けられている。すなわち、コンタクト部は絶縁膜２８で覆われている。他のサブ画素１８Ｇ，１８Ｂにおける開口部２８ＫＧ，２８ＫＢの配置も同様である。

サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂには、カラーフィルター３６が配置されている。カラーフィルター３６は、赤色（Ｒ）の着色層３６Ｒ、緑色（Ｇ）の着色層３６Ｇ、青色（Ｂ）の着色層３６Ｂで構成されている。具体的には、Ｘ方向に配列する複数のサブ画素１８Ｒに対して着色層３６Ｒが配置されている。同じくＸ方向に配列する、複数のサブ画素１８Ｇに対して着色層３６Ｇが配置され、複数のサブ画素１８Ｂに対して着色層３６Ｂが配置されている。

つまり、着色層３６Ｒは、Ｘ方向に配列する画素電極３１Ｒ（開口部２８ＫＲ）と重なるようにＸ方向に延在してストライプ状に配置されている。着色層３６Ｇは、Ｘ方向に配列する画素電極３１Ｇ（開口部２８ＫＧ）と重なるようにＸ方向に延在してストライプ状に配置されている。同じく、着色層３６Ｂは、Ｘ方向に配列する画素電極３１Ｂ（開口部２８ＫＢ）と重なるようにＸ方向に延在してストライプ状に配置されている。

本実施形態では、Ｙ方向に隣り合うサブ画素１８Ｒとサブ画素１８Ｇとの境界では、着色層３６Ｒと着色層３６Ｇとが重なり合って配置されている。Ｙ方向に隣り合うサブ画素１８Ｇとサブ画素１８Ｂとの境界では、着色層３６Ｇと着色層３６Ｂとが重なり合って配置されている。また、図示しないが、Ｙ方向に隣り合うサブ画素１８Ｂとサブ画素１８Ｒとの境界では、着色層３６Ｂと着色層３６Ｒとが重なり合って配置されている。

［サブ画素の構造］
次に、図５を参照して、有機ＥＬ装置１００におけるサブ画素１８の構造について説明する。図５に示すように、有機ＥＬ装置１００は、接着層４２を介して対向配置された素子基板１０と対向基板４０とを有している。接着層４２は、素子基板１０と対向基板４０とを接着する役割を有し、光透過性を有する例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などで構成されている。

素子基板１０は、本発明における基板としての基材１１と、基材１１上において、Ｚ方向に順に積層された反射層２５と、透光層２６と、有機ＥＬ素子３０と、封止層３４と、カラーフィルター３６とを備えている。

基材１１は、例えばシリコンなどの半導体基板である。基材１１には、前述した等価回路における、走査線１２、データ線１３、電源線１４、データ線駆動回路１５、走査線駆動回路１６、画素回路２０（スイッチング用トランジスター２１、蓄積容量２２、駆動用トランジスター２３）などが、公知技術を用いて形成されている。図５では、これらの配線や回路構成の図示を省略している。

なお、基材１１は、シリコンなどの半導体基板に限定されず、例えば石英やガラスなどの基板であってもよい。換言すれば、画素回路２０を構成するトランジスターは、半導体基板にアクティブ層を有するＭＯＳ型トランジスターであってもよいし、石英やガラスなどの基板に形成された薄膜トランジスターや電界効果型のトランジスターであってもよい。

反射層２５は、サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂに跨って配置され、各サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの有機ＥＬ素子３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂから発した光を対向基板４０側に反射させるものである。反射層２５の形成材料としては、高い反射率を実現可能な例えばアルミニウムや銀あるいはこれらの金属の合金などが用いられる。

反射層２５上には、透光層２６が設けられている。透光層２６は、第１絶縁膜２６ａ、第２絶縁膜２６ｂ、及び第３絶縁膜２６ｃを含んで構成されている。第１絶縁膜２６ａは、反射層２５上においてサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂに跨って配置されている。第２絶縁膜２６ｂは、第１絶縁膜２６ａに積層され、サブ画素１８Ｒとサブ画素１８Ｇとに跨って配置されている。第３絶縁膜２６ｃは、第２絶縁膜２６ｂに積層され、サブ画素１８Ｒに配置されている。

すなわち、サブ画素１８Ｂの透光層２６は第１絶縁膜２６ａで構成され、サブ画素１８Ｇの透光層２６は第１絶縁膜２６ａと第２絶縁膜２６ｂとで構成され、サブ画素１８Ｒの透光層２６は第１絶縁膜２６ａと第２絶縁膜２６ｂと第３絶縁膜２６ｃとで構成されている。したがって、透光層２６の膜厚は、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、サブ画素１８Ｒの順に大きくなっている。

透光層２６上には、有機ＥＬ素子３０が設けられている。有機ＥＬ素子３０は、Ｚ方向に順に積層された画素電極３１と、発光機能層３２と、対向電極３３とを含む。画素電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの透明導電膜で構成され、サブ画素１８ごとに島状に形成されている。

各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂの周縁部を覆うように絶縁膜２８が配置されている。上述したように、絶縁膜２８には、画素電極３１Ｒ上に開口部２８ＫＲが形成され、画素電極３１Ｇ上に開口部２８ＫＧが形成され、画素電極３１Ｂ上に開口部２８ＫＢが形成されている。絶縁膜２８は、例えば酸化シリコンなどからなる。

開口部２８ＫＲ，２８ＫＧ，２８ＫＢが設けられた部分では、画素電極３１（３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ）と発光機能層３２とが接し、画素電極３１から発光機能層３２に正孔が供給され、対向電極３３から電子が供給されて発光機能層３２が発光する。つまり、開口部２８ＫＲ，２８ＫＧ，２８ＫＢが設けられた領域が、発光機能層３２が発光する発光領域となる。絶縁膜２８が設けられた領域では、画素電極３１から発光機能層３２への正孔の供給が抑制され、発光機能層３２の発光が抑制される。

発光機能層３２は、サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂに跨って表示領域Ｅ１（図２参照）の全域を覆うように配置されている。発光機能層３２は、Ｚ方向に順に積層された、例えば正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、及び電子輸送層などを有している。有機発光層は、青色から赤色までの波長範囲の光を発する。有機発光層は、単層で構成されていてもよいし、例えば、青色発光層、緑色発光層、赤色発光層を含んだり、青色発光層と、赤色（Ｒ）及び緑色（Ｇ）の波長範囲を含む発光が得られる黄色発光層とを含んだりする複数層で構成されていてもよい。

対向電極３３は、発光機能層３２を覆うように配置されている。対向電極３３は、光透過性と光反射性とを兼ね備えるように、例えばマグネシウムと銀との合金などで構成され、その膜厚が制御されている。

対向電極３３を覆う封止層３４は、Ｚ方向に順に積層された第１封止層３４ａと、平坦化層３４ｂと、第２封止層３４ｃとで構成されている。第１封止層３４ａと第２封止層３４ｃとは、無機材料を用いて形成された無機封止層である。無機材料としては、水分や酸素などを通し難い、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどが挙げられる。このような封止層３４は、少なくとも発光機能層３２（有機ＥＬ素子３０）が配置されている表示領域Ｅ１に亘って形成される。本発明における封止部は、封止層３４を含んで構成されている。

第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃを形成する方法としては真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、ＣＶＤ法などが挙げられる。有機ＥＬ素子３０に熱などのダメージを与え難い点で、真空蒸着法やイオンプレーティング法を採用することが望ましい。第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃの膜厚は、成膜時にクラックなどが生じ難く、且つ透光性が得られるように、例えば５０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度、好ましくは２００ｎｍ〜４００ｎｍ程度となっている。

平坦化層３４ｂは、透光性の有機封止層であって、例えば、熱または紫外線硬化型のエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂のいずれかの樹脂材料を用いて形成することができる。平坦化層３４ｂは、複数の有機ＥＬ素子３０を覆った第１封止層３４ａに積層して形成されている。

平坦化層３４ｂは、第１封止層３４ａの成膜時における欠陥（ピンホール、クラック）や異物などを被覆し、略平坦な面を形成する。また、第１封止層３４ａの表面は、膜厚が異なる透光層２６の影響を受けて凹凸が生ずるので、該凹凸を緩和するため、例えば１μｍ〜５μｍ程度の膜厚で平坦化層３４ｂを形成することが好ましい。これによって、封止層３４上に形成されるカラーフィルター３６が該凹凸の影響を受け難くなる。透光層２６に起因する該凹凸を緩和する観点から平坦化層３４ｂは、厚膜化し易い有機封止層によって構成されることが好ましいが、塗布型の無機材料（酸化シリコンなど）を用いて形成してもよい。

封止層３４上には、隣り合うサブ画素１８同士の間に光透過性の凸部３５が設けられている。凸部３５は、着色材料（色材）を含まない感光性樹脂材料を用いてフォトリソグラフィ法で形成されている。凸部３５は、カラーフィルター３６の着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂをそれぞれ区分するように、封止層３４上においてＸ方向に延在しストライプ状（スジ状）に配置されている。凸部３５の断面形状は、例えば台形状であるが、矩形状など、他の形状であってもよい。

なお、凸部３５は、ストライプ状に配置されることに限定されず、例えば、各サブ画素１８の画素電極３１における開口部２８ＫＢ，２８ＫＧ，２８ＫＲを囲むように、Ｘ方向とＹ方向とに延在して格子状に配置されていてもよい。凸部３５の高さは、後述する着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの平均膜厚よりも低い（小さい）ことが好ましい。

カラーフィルター３６は、封止層３４上に形成されている。カラーフィルター３６は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の着色材料を含む感光性樹脂材料を用いてフォトリソグラフィ法で形成された着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂで構成されている。すなわち、凸部３５と着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの主材料は同じである。着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂは、サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂに対応して形成されている。

各着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂは、封止層３４上において、隣り合う凸部３５の間を埋めると共に、凸部３５上の少なくとも一部を覆うように形成されている。各着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂのうち、隣り合う着色層同士は、その一部が互いに重なるように形成されている。

例えば、着色層３６Ｇに隣り合う着色層３６Ｂは、凸部３５の側壁に接すると共に、その一方の縁部が凸部３５の頭頂部を覆った着色層３６Ｇの縁部と重なっている。同様に、着色層３６Ｇに隣り合う着色層３６Ｒは、凸部３５の側壁に接すると共に、その縁部が凸部３５の頭頂部を覆った着色層３６Ｇの縁部と重なっている。

図示を省略するが、凸部３５及び着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの形成方法を簡単に説明する。凸部３５の形成方法としては、封止層３４上に着色材料を含まない感光性樹脂材料をスピンコート法を用いて塗布してプレベークすることにより、感光性樹脂層を形成する。感光性樹脂材料はポジタイプでもネガタイプでもよい。フォトリソグラフィ法を用いて、感光性樹脂層を露光・現像することにより、封止層３４上に凸部３５が形成される。

着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂも、凸部３５と同様に、各色の着色材料を含む感光性樹脂材料をスピンコート法により塗布して感光性樹脂層を形成した後、その感光性樹脂層をフォトリソグラフィ法を用いて露光・現像することにより形成する。本実施形態では、着色層３６Ｇ、着色層３６Ｂ、着色層３６Ｒの順で形成している。

したがって、着色層３６Ｇの縁部は凸部３５の頭頂部を覆うと共に、一方が着色層３６Ｂの縁部によって覆われ、他方が着色層３６Ｒの縁部によって覆われる。着色層３６Ｂの縁部の一方は凸部３５の頭頂部を覆うと共に着色層３６Ｒの縁部によって覆われ、他方は着色層３６Ｇの縁部を覆う。着色層３６Ｒの縁部の一方は着色層３６Ｇの縁部を覆い、他方は着色層３６Ｂの縁部を覆う。つまり、凸部３５はカラーフィルター３６を形成する工程で形成することが可能であることから、後述するカラーフィルター３６の形成工程は、凸部３５を形成する工程を含むとして説明する。

［光共振構造］
本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００は、反射層２５と対向電極３３との間に光共振構造を有している。有機ＥＬ装置１００において、発光機能層３２が発した光は、反射層２５と対向電極３３との間で繰り返し反射され、反射層２５と対向電極３３との間の光学的な距離に対応する特定波長（共振波長）の光の強度が増幅され、表示光として対向基板４０からＺ方向に射出される。

本実施形態において、透光層２６は、反射層２５と対向電極３３との間の光学的な距離を調整する役割を有している。上述した通り、透光層２６の膜厚は、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、サブ画素１８Ｒの順に大きくなっている。その結果、反射層２５と対向電極３３との間の光学的な距離は、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、サブ画素１８Ｒの順に大きくなっている。なお、光学的な距離は、反射層２５と対向電極３３との間に存在する各層の屈折率と膜厚との積の合計で表すことができる。

例えば、サブ画素１８Ｂでは、共振波長（輝度が最大となるピーク波長）が４７０ｎｍとなるように、透光層２６の膜厚が設定されている。サブ画素１８Ｇでは、共振波長が５４０ｎｍとなるように、透光層２６の膜厚が設定されている。サブ画素１８Ｒでは、共振波長が６１０ｎｍとなるように、透光層２６の膜厚が設定されている。

その結果、サブ画素１８Ｂから４７０ｎｍをピーク波長とする青色光（Ｂ）が発せられ、サブ画素１８Ｇから５４０ｎｍをピーク波長とする緑色光（Ｇ）が発せられ、サブ画素１８Ｒから６１０ｎｍをピーク波長とする赤色光（Ｒ）が発せられる。換言すれば、有機ＥＬ装置１００は、特定波長の光の強度を増幅する光共振構造を有し、サブ画素１８Ｂでは発光機能層３２が発する白色光から青色の光成分を取り出し、サブ画素１８Ｇでは発光機能層３２が発する白色光から緑色の光成分を取り出し、サブ画素１８Ｒでは発光機能層３２が発する白色光から赤色の光成分を取り出している。

なお、透光層２６の代わりに、画素電極３１（３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ）の膜厚を互いに異ならせることで、反射層２５と対向電極３３との間の光学的な距離を調整する構成としてもよい。

このようなサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂにおいて、封止層３４上にカラーフィルター３６が配置されている。サブ画素１８Ｂの有機ＥＬ素子３０Ｂに封止層３４を介して着色層３６Ｂが配置されている。したがって、４７０ｎｍをピーク波長とする青色光（Ｂ）が着色層３６Ｂを透過することによって色純度が高められる。同様に、サブ画素１８Ｇの有機ＥＬ素子３０Ｇに封止層３４を介して着色層３６Ｇが配置され、サブ画素１８Ｒの有機ＥＬ素子３０Ｒに封止層３４を介して着色層３６Ｒが配置されている。したがって、５４０ｎｍをピーク波長とする緑色光（Ｇ）が着色層３６Ｇを透過することによって色純度が高められ、６１０ｎｍをピーク波長とする赤色光（Ｒ）が着色層３６Ｒを透過することによって色純度が高められる。

上記のように、サブ画素１８から発せられた光は、対向電極３３から封止層３４側に射出される光であり、有機ＥＬ素子３０の発光機能層３２の内部で発せられる光のスペクトルとは異なるスペクトルの光である。

その一方で、着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂのそれぞれは特定波長域の光だけを透過して特定波長域以外の光を吸収する。したがって、頭頂部が異なる色の着色層で覆われた凸部３５を通過する光は、その波長域の一部または全部が異なる色の着色層で吸収されて輝度が低下する。つまり、異なる色の発光が得られる隣り合ったサブ画素１８同士の境界部では、赤色光（Ｒ）が着色層３６Ｇや着色層３６Ｂを透過することで輝度が低下し、緑色光（Ｇ）が着色層３６Ｂや着色層３６Ｒを透過することで輝度が低下し、青色光（Ｂ）が着色層３６Ｒや着色層３６Ｇを透過することで輝度が低下する。

換言すれば、サブ画素１８Ｒの有機ＥＬ素子３０Ｒから斜め方向に発せられ、赤色の着色層３６Ｒを透過し、青色の着色層３６Ｂまたは緑色の着色層３６Ｇに入射した光は遮光される。同様にサブ画素１８Ｇの有機ＥＬ素子３０Ｇから斜め方向に発せられ、緑色の着色層３６Ｇを透過し、青色の着色層３６Ｂまたは赤色の着色層３６Ｒに入射した光は遮光される。サブ画素１８Ｂの有機ＥＬ素子３０Ｂから斜め方向に発せられ、青色の着色層３６Ｂを透過し、緑色の着色層３６Ｇまたは赤色の着色層３６Ｒに入射した光は遮光される。したがって、各有機ＥＬ素子３０の位置とカラーフィルター３６の各着色層の位置とにより、有機ＥＬ装置１００から取り出される光の方向が規定される。

有機ＥＬ装置１００において、各サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂから発せられる光の色純度を高め、良好な視角特性を得るためには、カラーフィルター３６を構成する各着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの寸法や位置などの精度を高めることが求められる。また、着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂのそれぞれを区分する凸部３５についても同様である。特に、本実施形態では、凸部３５及び着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂは、それぞれＸ方向に延在してストライプ状に形成されている。したがって、サブ画素１８において、Ｘ方向に比べてＹ方向における凸部３５及び着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの有機ＥＬ素子３０に対する相対的な形成精度を高める必要がある。それゆえに、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００は、凸部３５及びカラーフィルター３６の寸法や位置などの管理特性を評価するための評価用パターンを備えており、評価用パターンの寸法や位置などを測定することで、凸部３５及びカラーフィルター３６の形成精度を管理している。以降、評価用パターンについて説明する。なお、上述したように凸部３５の形成工程はカラーフィルター３６の形成工程に含まれることから、以降、カラーフィルター３６は凸部３５を含むとして説明する。

［評価用パターン］
まず、本実施形態のカラーフィルター３６を評価するための評価用パターンの概略について、図６〜図８を参照して説明する。図６は素子基板における評価用パターンの配置の一例を示す概略平面図、図７は寸法評価用パターンにおける着色パターンの配置例を示す概略平面図、図８は位置評価用パターンにおける着色パターンの配置例を示す概略平面図である。

図６に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００における素子基板１０には、カラーフィルター３６を評価するための評価用パターンとして、寸法評価用パターン５０と位置評価用パターン６０とが設けられている。寸法評価用パターン５０及び位置評価用パターン６０は、いずれも表示領域Ｅ１よりも外側の非表示領域Ｅ２に設けられている。なお、非表示領域Ｅ２には表示領域Ｅ１を囲むようにカラーフィルター遮光部３６Ｓ（以降、簡略化してＣＦ遮光部３６Ｓとして示す）が設けられている。ＣＦ遮光部３６Ｓの構成については後述するが、３色の着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂを重ねることにより遮光性を付与した構成となっている。なお、前述した封止層３４は、表示領域Ｅ１だけでなくＣＦ遮光部３６Ｓと平面視で重なるように設けられている。本実施形態における寸法評価用パターン５０及び位置評価用パターン６０は、素子基板１０の外周端部と封止層３４を含む封止部３７の端部との間に配置されている。

寸法評価用パターン５０は、Ｙ方向においてＣＦ遮光部３６Ｓと外部接続用端子１０２との間で、Ｘ方向のほぼ中央部側に配置されている。平面視では、ＣＦ遮光部３６Ｓの外側においてＸ方向に延在するデータ線駆動回路１５と重なるように配置されている。

寸法評価用パターン５０は、所謂ＴＥＧ（Test Element Group）の役割を有し、カラーフィルター３６の各着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂ及び凸部３５の寸法精度を評価するためのものである。ここでいう寸法精度とは、各着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂ及び凸部３５の寸法（幅）、形状、膜厚などの管理特性を含む。

具体的には、図７に示すように、寸法評価用パターン５０は、色ごとに設けられた着色パターンとしてのパターン群５０Ｒと、パターン群５０Ｇと、パターン群５０Ｂと、パターン群５１とで構成される。パターン群５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂのそれぞれは、カラーフィルター３６における各色の着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂと同じ感光性樹脂材料で形成された複数のパターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５を有する。パターン群５１は、凸部３５と同じ色材を含まない感光性樹脂材料で形成された複数のパターンＰ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ１４，Ｐ１５を有する。

パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５は、着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂと同様に、それぞれＸ方向に延在してストライプ状に形成されている。また、Ｙ方向に隣り合うパターン同士は互いに離間されて形成されている。つまり、隣り合うパターン同士の間には凸部３５が配置されていない。この点が、凸部３５上において、一部（縁部）が互いに重なるように形成されるカラーフィルター３６の着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂと異なる。

着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂは、凸部３５上において、隣り合う着色層同士の縁部が互いに重なるように形成されるため、カラーフィルター３６の製造プロセスにおいて、各着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂや凸部３５の寸法（幅）、形状、膜厚などを正確に測定することは困難である。

寸法評価用パターン５０を構成するパターン群５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂ，５１は、カラーフィルター３６の製造プロセスにおいて、着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂや凸部３５と同じ材料及び製造プロセスで形成されている。

したがって、寸法評価用パターン５０を測定すれば、各着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂ及び凸部３５の寸法、形状、膜厚などの管理特性に係る情報を入手することができる。各パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５のＹ方向における幅は、各着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの幅の２倍以内であり、各着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂと同じ幅であることが好ましい。凸部３５と同じ材料及び製造プロセスで形成されるパターン群５１の各パターンＰ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ１４，Ｐ１５も同様に、凸部３５のＹ方向の幅の２倍以内であり、凸部３５と同じ幅であることが好ましい。

パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５のうち、Ｙ方向における中央に配置されたパターンＰ３が、測定対象とするパターンである。各着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂに対応するパターンが一つだけ孤立して設けられていると、フォトリソグラフィ法でパターンを形成する際に、オーバー露光やオーバー現像になり易く、パターンの形状が崩れたり（変形したり）、あるいは、消失したりすることがある。そのため、複数のパターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５を設け、測定対象とするパターンＰ３をパターンＰ１，Ｐ２及びパターンＰ４，Ｐ５の間に配置することで、オーバー露光やオーバー現像を防ぎ、パターンＰ３が変形したり消失したりすることを抑止している。

パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５のうち、パターンＰ３は、その両側に配置されたパターンＰ１，Ｐ２，Ｐ４，Ｐ５と異なる。より具体的には、パターンＰ３のＸ方向における長さは、その両側に配置されたパターンＰ１，Ｐ２，Ｐ４，Ｐ５の長さよりも長い。これにより、パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５の中から、測定対象とするパターンＰ３を容易に識別できる。凸部３５に係るパターンＰ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ１４，Ｐ１５も同様であって、Ｙ方向における中央に配置された測定対象のパターンＰ１３のＸ方向における長さが、他のパターンＰ１１，Ｐ１２，Ｐ１４，Ｐ１５よりも長い。

位置評価用パターン６０は、寸法評価用パターン５０と同様に、ＴＥＧ（Test Element Group）の役割を有し、カラーフィルター３６の各着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂ及び凸部３５の素子基板１０上における位置精度を評価するためのものである。ここでいう位置精度とは、例えば、各着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂ及び凸部３５の位置ずれ（特定方向へのシフトなど）、回転、倍率のずれ、歪みなどの管理特性を含む。

図６に示すように、位置評価用パターン６０は、素子基板１０の非表示領域Ｅ２においてＣＦ遮光部３６Ｓの外側であって、素子基板１０の角部に配置されている。なお、図６では、位置評価用パターン６０が素子基板１０のすべての角部に配置された状態を示しているが、位置評価用パターン６０は、４箇所の角部のうち少なくとも１箇所に設けられていればよい。

図８に示すように、位置評価用パターン６０は、３色の着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂに対応したパターン群６０Ｒと、パターン群６０Ｇと、パターン群６０Ｂと、凸部３５に対応したパターン群６１とで構成される。パターン群６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂは、略矩形に形成されたパターンＰ２１と、パターンＰ２１を囲むように枠状に形成されたパターンＰ２２とを有する。パターンＰ２１は、パターンＰ２２の開口部内において、Ｘ方向及びＹ方向に間隔を置いて形成されている。パターン群６１は、同じく矩形状に形成されたパターンＰ３１と、パターンＰ３１を囲むように枠状に形成されたパターンＰ２２とを有する。パターンＰ３１は、パターンＰ２２の開口部内において、Ｘ方向及びＹ方向に間隔を置いて形成されている。

パターン群６０Ｒ，６０Ｇ，６０ＢのパターンＰ２１は、カラーフィルター３６の着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂと同じ色材を含む感光性樹脂材料で形成されている。パターン群６１のパターンＰ３１は、凸部３５と同じ色材を含まない感光性樹脂材料で形成されている。パターン群６０Ｒ，６０Ｇ，６０ＢのパターンＰ２１及びパターン群６１のパターンＰ３１は、カラーフィルター３６の製造プロセスにおいて形成されている。

パターン群６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂ，６１のパターンＰ２２は、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、金属材料、窒化シリコンなどで形成されている。パターン群６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂ，６１のパターンＰ２２は、カラーフィルター３６を製造する前のプロセスにおいて形成されている。

パターン群６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂ，６１のそれぞれは、パターンＰ２２の開口部の内端とパターンＰ２１及びパターンＰ３１の外周との間に所定の間隔が空くように設計されている。したがって、パターンＰ２２の内端とパターンＰ２１及びパターンＰ３１の外周との間隔（距離）を測定し設計値と比較することで、パターンＰ２２に対してパターンＰ２１及びパターンＰ３１の位置ずれがあるか否かがわかり、位置ずれがある場合は位置ずれの大きさ及びその方向がわかる。これにより、基材１１上におけるカラーフィルター３６の各着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂ及び凸部３５の位置に係る情報を入手することができる。

［基材上のおける評価パターンの配置］
次に、寸法評価用パターン５０及び位置評価用パターン６０の基材１１上における構造について、図９及び図１０を参照して説明する。図９は図６のＣ−Ｃ’線に沿った有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図、図１０は図６のＤ−Ｄ’線に沿った有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図である。

寸法評価用パターン５０は、上述したように、それぞれに独立した複数のパターンにより構成されるパターン群５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂ，５１を有している。したがって、表示領域Ｅ１に配置された有機ＥＬ素子３０からの発光がパターン群５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂ、５１に入射すると、入射光を透過させてしまう。とりわけ、複数のパターンは、間隔を置いてＹ方向に並列していることから、入射光が複数のパターンによって回折して、その一部が表示領域Ｅ１に入射する迷光となるおそれがある。そのため、寸法評価用パターン５０は、表示領域Ｅ１から発する表示光を阻害しないように、非表示領域Ｅ２に設けられたＣＦ遮光部３６Ｓよりも外側に配置することが好ましい。その上で、寸法評価用パターン５０としての機能を果たすように配置することが求められる。

具体的には、図９に示すように、有機ＥＬ装置１００は、接着層４２を介して対向配置され接着された素子基板１０と対向基板４０とを有する。素子基板１０において、表示領域Ｅ１に配置された有機ＥＬ素子３０を封止する封止層３４を含む封止部３７は、その端部が、非表示領域Ｅ２にはみ出るように形成されている。封止部３７の端部では、平坦化層３４ｂの終端が傾斜面を構成している。平坦化層３４ｂが途切れた付近で第１封止層３４ａと第２封止層３４ｃが重なった部分までが封止部３７である。

表示領域Ｅ１を覆う封止層３４上には、Ｙ方向に間隔を置いて複数の凸部３５が形成されている。Ｙ方向に隣り合う凸部３５の間に、着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂのそれぞれが配置されている。封止層３４の非表示領域Ｅ２にはみ出た部分には、ＣＦ遮光部３６Ｓが形成されている。ＣＦ遮光部３６Ｓは、封止層３４側から順に積層された着色層３６Ｇ，３６Ｂ，３６Ｒからなる。積層の順番は、着色層３６Ｇ，３６Ｂ，３６Ｒの形成の順による。

本実施形態の寸法評価用パターン５０は基材１１上に設けられた台座部３４Ｄの上に形成されている。台座部３４Ｄは、基材１１の端部と封止部３７の端部との間に設けられている。基材１１上における台座部３４Ｄの構造は、封止層３４と同じであって、第１封止層３４ａ、平坦化層３４ｂ、第２封止層３４ｃとからなる。つまり、基材１１上における台座部３４Ｄの高さは封止層３４を含む封止部３７の高さと同じである。なお、図９において、台座部３４Ｄ上の寸法評価用パターン５０は、３つのパターンを有するように表示されているが、実際には、図７に示したように、パターンＰ１〜Ｐ５、パターンＰ１１〜Ｐ１５を含むものである。

枠状のケース部１０１は、対向基板４０の光の射出側において表示領域Ｅ１を囲むように配置されている。また、ケース部１０１は、対向基板４０及び接着層４２の側面と、対向基板４０からＹ方向にはみ出した素子基板１０の部分とに対向するように配置されている。ケース部１０１には、対向基板４０への装着時の位置精度を考慮して、表示領域Ｅ１の大きさよりもやや大きな開口部が形成されている。なお、図９には図示していないが、対向基板４０からＹ方向にはみ出した素子基板１０の部分とケース部１０１との隙間は、外部からの水分などの浸入を防ぐべく、例えばシリコン樹脂などのモールド材を充填して封止される。

表示領域Ｅ１に配置された有機ＥＬ素子３０は面光源であって、カラーフィルター３６を透過して対向基板４０側から射出され、ケース部１０１の開口部を透過する光は表示光である。有機ＥＬ素子３０から発してＣＦ遮光部３６Ｓに入射する光はＣＦ遮光部３６Ｓで吸収されて強度が減衰または遮光される。有機ＥＬ素子３０から発して封止部３７の端部から漏れる光は、非表示領域Ｅ２において、素子基板１０と対向基板４０との間で拡散あるいは乱反射して迷光となる。

寸法評価用パターン５０は、非表示領域Ｅ２において台座部３４Ｄ上に設けられていることから、寸法評価用パターン５０の表示領域Ｅ１側の端部を透過する迷光は、接着層４２と対向基板４０とを透過して、表示領域Ｅ１から発する表示光と混ざるおそれがある。

一方で、表示領域Ｅ１から射出される表示光に上記迷光が混ざったとしても、前述したＨＭＤ１０００において実際の表示に影響を及ぼすか否かは、有機ＥＬ装置１００に対向配置される集光光学系１００２の集光能力による。集光光学系１００２の集光能力は一般的に開口数で与えられ、光軸を基準として集光光学系１００２が集光可能な入射光の角度で表すことができ、本明細書では集光光学系１００２が有機ＥＬ装置１００から発する光りを飲み込むことが可能な飲み込み角度θｇとする。

図９に示すように、例えば、寸法評価用パターン５０の表示領域Ｅ１側の端部の法線に対して角度θ₁で接着層４２を透過する迷光は、接着層４２と屈折率が異なる対向基板４０に入射すると、対向基板４０の入射位置の法線に対して、角度θ₂で対向基板４０を透過する。対向基板４０を角度θ₂で透過した迷光は、対向基板４０よりも屈折率が小さい空気層に入射することから、角度θ₂よりも大きな角度θ₃で対向基板４０から射出する。対向基板４０から角度θ₃で射出した迷光がケース部１０１に入射する場合は、ケース部１０１で遮光されるが、ケース部１０１の開口部における表示領域Ｅ１側の端部から漏れる場合は、表示光に混ざることになる。ケース部１０１の開口部における端部の位置は、必ずしも表示領域Ｅ１の端部の位置と同じではない。

そこで、発明者は、以下の数式（１）を満たす位置に寸法評価用パターン５０を配置することとした。

ｎは１以上の整数であり、Ｌｐは平面視における遮光部としてのケース部１０１の表示領域Ｅ１側の端部から寸法評価用パターン５０の端部までの距離であり、Ｌｎは、寸法評価用パターン５０とケース部１０１との間に配置されるｎ層の透光性部材のそれぞれにおける寸法評価用パターン５０上における厚みであり、θ_nは寸法評価用パターン５０の端部の法線に対して斜め方向に発する斜め光が上記透光性部材のそれぞれを透過するときの当該透光性部材の法線に対する角度である。

本実施形態において、寸法評価用パターン５０とケース部１０１との間に配置されたｎ層の透光性部材は、接着層４２と、対向基板４０と、空気層とであることから、上記数式（１）を本実施形態に当てはめると、以下の数式（２）となる。

この場合、Ｌ１は寸法評価用パターン５０と対向基板４０との間の接着層４２のＺ方向における厚みであり、Ｌ２は対向基板４０の厚みであり、Ｌ３はＺ方向における対向基板４０とケース部１０１との隙間の長さである。

また、接着層４２の屈折率をｎ１とし、対向基板４０の屈折率をｎ２とし、空気層の屈折率をｎ３とすると、上記数式（２）は、以下の数式（３）に変換することができる。

つまり、接着層４２から入射して対向基板４０を透過する光の角度θ₂は、接着層４２の屈折率ｎ１と、対向基板４０の屈折率ｎ２と、対向基板４０に入射する光の角度θ₁とによって定義することができる。同様にして、対向基板４０から入射して空気層を透過する光の角度θ₃は、対向基板４０の屈折率ｎ２と、空気層の屈折率ｎ３と、空気層に入射する光の角度θ₂によって定義することができる。すなわち、距離Ｌｐは、各透光性部材の厚みＬ１，Ｌ２，Ｌ３と、角度θ₁とによって定義できる。

よって、図９によれば、Ｌ１×ｔａｎθ₁＝ｙ₁、Ｌ２×ｔａｎθ₂＝ｙ₂、Ｌ３×ｔａｎθ₃＝ｙ₃であることから、Ｌｐ＞ｙ₁＋ｙ₂＋ｙ₃となる。ｙ₁はＹ方向における寸法評価用パターン５０の端部から角度θ₁の迷光が接着層４２を透過して対向基板４０に入射するときの第１の入射位置までの距離である。ｙ₂はＹ方向における第１の入射位置から角度θ₂で対向基板４０を透過した迷光が空気層に入射するときの第２の入射位置までの距離である。ｙ₃はＹ方向における第２の入射位置からケース部１０１の端部までの距離である。

空気層を角度θ₃で透過した迷光が、ケース部１０１の表示領域Ｅ１側の端部から漏れると、表示光に混ざることになるが、実際には、上述したように、集光光学系１００２の飲み込み角度θｇと同じかそれよりも角度θ₃が小さくなると、表示に影響を及ぼすことになる。したがって、集光光学系１００２の飲み込み角度θｇから得られる角度θ₃に基づいて角度θ₁を逆算すれば、寸法評価用パターン５０を設ける場合の基材１１上におけるケース部１０１の端部からの最短距離を導くことができる。距離Ｌｐを当該最短距離よりも大きくすれば、基材１１上に寸法評価用パターン５０を設けることに起因する光漏れの影響を実際に回避することができる。

例えば、接着層４２の厚みＬ１を５μｍ、屈折率ｎ１を１．５とし、対向基板４０の厚みＬ２を１１５０μｍ（１．１５ｍｍ）、屈折率ｎ２を１．４６とし、空気層の厚みＬ３を１５μｍ、屈折率ｎ３を１とする。集光光学系１００２の飲み込み角度θｇから得られる角度θ₃を１２度として、角度θ₂及び角度θ₁を逆算した。角度θ₂はおよそ８．１９度、角度θ₁はおよそ７．９７度となった。そこで、上記数式（３）にこれを当てはめて算出すると、ｙ₁は１μｍ、ｙ₂は１６５μｍ、ｙ₃は３μｍとなり、上記最短距離は１６９μｍとなった。すなわち、寸法評価用パターン５０を設けることに起因する迷光の光漏れを防ぐには、ケース部１０１の表示領域Ｅ１側の端部から寸法評価用パターン５０の端部までのＹ方向における距離Ｌｐを１６９μｍよりも大きくすることが好ましい。これによって、台座部３４Ｄの位置と寸法評価用パターン５０における複数のパターンの位置とを特定することができる。

なお、非表示領域Ｅ２における接着層４２と対向基板４０との界面における迷光の反射を防ぐ観点から、接着層４２の屈折率ｎ１と対向基板４０の屈折率ｎ２との差が小さくなるように、それぞれの材料を選択することが好ましい。また、接着層４２の厚みＬ１や対向基板４０とケース部１０１との隙間における空気層の厚みＬ３は、μｍ単位であるのに対して、対向基板４０の厚みＬ２はｍｍ単位であることから、上記最短距離はほぼ対向基板４０の厚みＬ２によって決まると考えてもよい。つまり、集光光学系１００２における飲み込み角度θｇと対向基板４０の厚みＬ２とを考慮して、ケース部１０１の表示領域Ｅ１側の端部から基材１１上の寸法評価用パターン５０の端部までの距離Ｌｐを求めてもよい。

位置評価用パターン６０は、図６に示したように、基材１１の角部に設けられている。例えば、図１０に示すように、対向基板４０からはみ出た基材１１の角部に位置評価用パターン６０を設けた場合には、寸法評価用パターン５０のような光漏れを考慮する必要はない。

図１０に示すように、基材１１の第１封止層３４ａと第２封止層３４ｃとが積層された部分に、まず、位置評価用パターン６０のうちのパターンＰ２２を形成する。その後、カラーフィルター３６の形成工程において、凸部３５と同じ色材を含まない感光性樹脂材料を用いてパターンＰ３１を形成する。続いて、着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂと同じ色材を含む感光性樹脂材料を用いてパターンＰ２１を形成する。位置評価用パターン６０が設けられた部分は、対向基板４０からはみ出た基材１１の部分を覆うケース部１０１の部分と近接して対向することになる。なお、パターンＰ２１やパターンＰ３１を囲むパターンＰ２２は、第２封止層３４ｃ上に形成することに限定されず、第１封止層３４ａ上に形成してもよいし、第１封止層３４ａよりも下層に形成してもよい。

有機ＥＬ装置１００はマイクロディスプレイであって、画素１９のサイズが直視型のディスプレイと比べて非常に小さいので、視野角特性などの表示特性を考慮すると、サブ画素１８におけるカラーフィルター３６の凸部３５及び着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの高い形成精度を実現する必要がある。本実施形態では、図６に示すように、素子基板１０の基材１１に、カラーフィルター３６の評価用パターンとして寸法評価用パターン５０と位置評価用パターン６０とを設けた。カラーフィルター３６における寸法精度と位置精度とに求められる管理特性の水準は必ずしも同じでないため、それぞれに必要な水準を考慮して、寸法評価用パターン５０と位置評価用パターン６０とを設けることが可能となる。

なお、画素１９のサイズやサブ画素１８の形態によっては、基材１１上における寸法評価用パターン５０の相対的な位置を測定してカラーフィルター３６の位置精度を特定し、位置評価用パターン６０を省いてもよい。言い換えれば、本発明の評価用パターンは、少なくとも寸法評価用パターン５０を含む構成であればよい。

＜電気光学装置の製造方法＞
次に、本実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置１００の製造方法について、図１１及び図１２を参照して説明する。図１１は有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート、図１２はマザー基板における素子基板（基材）の面付けの状態を示す概略平面図である。

図１１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法は、基材１１に有機ＥＬ素子３０を形成する工程（ステップＳ１）と、封止部３７を形成する工程（ステップＳ２）と、カラーフィルター３６を形成する工程（ステップＳ３）と、接着層４２を形成する工程（ステップＳ４）と、接着層４２を介して素子基板１０と対向基板４０とを貼り合わせる工程（ステップＳ５）と、ケース部１０１を装着する工程（ステップＳ６）とを備えている。なお、基材１１にデータ線駆動回路１５、走査線駆動回路１６などの周辺回路、及び画素回路２０、並びにこれらの回路を接続させる配線や外部接続用端子１０２などを形成する工程は、上述したように公知の方法を用いることができる。また、反射層２５や透光層２６も同様である。したがって、ステップＳ１から説明する。

ステップＳ１の有機ＥＬ素子３０の形成工程では、表示領域Ｅ１においてサブ画素１８ごとに画素電極３１を形成し、複数のサブ画素１８に跨るように発光機能層３２と、対向電極３３とを形成して、サブ画素１８ごとに有機ＥＬ素子３０を形成する。そして、ステップＳ２へ進む。

ステップＳ２の封止部３７の形成工程では、表示領域Ｅ１に形成された複数の有機ＥＬ素子３０、具体的には対向電極３３を覆うように無機材料を用いて第１封止層３４ａを形成する。続いて樹脂材料を用いて有機封止層を形成し、有機封止層をパターニングして平坦化層３４ｂを形成する。平坦化層３４ｂを覆うと共に、平坦化層３４ｂからはみ出た第１封止層３４ａを覆うように無機材料を用いて第２封止層３４ｃを形成する。これにより封止層３４が形成され、封止層３４を含む封止部３７ができあがる。また、同時に、基材１１の端部と封止部３７の端部との間に、封止層３４と同じ層構成の台座部３４Ｄを形成する。そして、ステップＳ３へ進む。

ステップＳ３のカラーフィルター３６の形成工程では、まず、封止部３７を覆うように色材を含まない感光性樹脂材料を塗布して透明な感光性樹脂層を形成する。これをフォトリソグラフィ法により露光・現像して、凸部３５と、寸法評価用パターン５０におけるパターン群５１と、位置評価用パターン６０におけるパターン群６１のパターンＰ３１とを同時に形成する。

続いて、例えば、緑（Ｇ）の色材を含む感光性樹脂材料を塗布して凸部３５を覆う緑（Ｇ）の感光性樹脂層を形成する。これをフォトリソグラフィ法により露光・現像して、所定の隣り合う凸部３５の間を埋めた着色層３６Ｇと、寸法評価用パターン５０のうちパターン群５０Ｇと、位置評価用パターン６０のうちパターン群６０ＧのパターンＰ２１とを形成する。次に、青（Ｂ）の色材を含む感光性樹脂材料を塗布して凸部３５と着色層３６Ｇとを覆う青（Ｂ）の感光性樹脂層を形成する。これをフォトリソグラフィ法により露光・現像して、所定の隣り合う凸部３５の間を埋めた着色層３６Ｂと、寸法評価用パターン５０のうちパターン群５０Ｂと、位置評価用パターン６０のうちパターン群６０ＢのパターンＰ２１とを形成する。そして、赤（Ｒ）の色材を含む感光性樹脂材料を塗布して凸部３５と着色層３６Ｇと着色層３６Ｂとを覆う赤（Ｒ）の感光性樹脂層を形成する。これをフォトリソグラフィ法により露光・現像して、所定の隣り合う凸部３５の間を埋めた着色層３６Ｒと、寸法評価用パターン５０のうちパターン群５０Ｒと、位置評価用パターン６０のうちパターン群６０ＲのパターンＰ２１とを形成する。また、非表示領域Ｅ２において、封止層３４上に３つの着色層３６Ｇ，３６Ｂ，３６Ｒを順に積層してパターニングすることによりＣＦ遮光部３６Ｓを形成する。なお、寸法評価用パターン５０は、台座部３４Ｄ上において、上述した数式（２）を満たす位置に形成し、位置評価用パターン６０は、基材１１の角部に形成する。そして、ステップＳ４へ進む。

ステップＳ４の接着層４２の形成工程では、素子基板１０のカラーフィルター３６と寸法評価用パターン５０とを覆うように接着剤を塗布して接着層４２を形成する。そして、ステップＳ５へ進む。

ステップＳ５の貼り合わせ工程では、接着層４２を介して素子基板１０と対向基板４０とを貼り合わせし、接着層４２を硬化させる。そして、ステップＳ６へ進む。

ステップＳ６のケース部１０１の装着工程では、表示領域Ｅ１に対応した開口部を有する枠状のケース部１０１を、対向基板４０を覆うように装着する。

上記ステップＳ１〜ステップＳ５は、実際には、図１２に示すように、複数の素子基板１０（基材１１）が設計上においてＸ方向とＹ方向とにマトリックス状に面付けされるマザー基板１０Ｍを用いて行われる。また、フォトリソグラフィ法を用いてカラーフィルター３６を形成する工程（ステップＳ３）では、１回の露光において、複数の基材１１（例えば図１２に示すようにＣ１〜Ｃ４の４つの基材１１）を露光対象として同時に露光が可能な露光用レチクル（露光用マスク）ＥＸＳを用い、マザー基板１０Ｍに対して露光用レチクルＥＸＳの位置を１回の露光ごとに変えるステップ露光を行う。このような、露光用レチクルＥＸＳを用いる場合、寸法評価用パターン５０と位置評価用パターン６０とに対応する露光パターンは、必ずしもＣ１〜Ｃ４のすべてに対応して存在している必要はない。例えば、対角方向に位置するＣ２とＣ３とに対応して存在していればよい。

すなわち、カラーフィルター３６を形成する工程は、基材１１が複数面付けされるマザー基板１０Ｍと、カラーフィルター３６の形成材料と、少なくとも２つ以上の基材１１を同時に露光可能な露光用レチクルＥＸＳとを用いて、フォトリソグラフィ法により、マザー基板１０Ｍに凸部３５及び着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂと評価用パターンとを形成する。露光用レチクルＥＸＳは、少なくとも２つの基材１１の評価用パターンを露光可能な露光パターンを有する。なお、このような露光用レチクルＥＸＳは、凸部３５と、３色の着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂとに対応して合計で４つ用意される。

カラーフィルター３６の形成工程では、凸部３５、各着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂをそれぞれ形成した段階で、対応する寸法評価用パターン５０及び位置評価用パターン６０が形成された基材１１（この場合は、Ｃ２とＣ３）を特定して、寸法や位置などの測定を行う。測定結果に基づいて形成されたカラーフィルター３６の形成精度が所望の状態となっているか判断し、不具合があれば形成条件などを変更する処置を行う。マザー基板１０Ｍにおける測定対象の基材１１を容易に特定することができ、面付けされたすべての基材１１の評価用パターンを測定する必要がないので、作業が容易となる。

次に、素子基板１０における評価用パターンの他の配置例について、図１３及び１４を参照して説明する。図１３は素子基板における評価用パターンの他の配置例を示す概略平面図、図１４はマザー基板における評価用パターンの他の配置例を示す概略平面図である。

図１３に示すように、寸法評価用パターン５０は、平面視で、ＣＦ遮光部３６Ｓの外側であって、データ線駆動回路１５と重なるように配置されているだけでなく、データ線駆動回路１５に対してＹ方向において表示領域Ｅ１を挟んで反対側であって、素子基板１０の端部と封止層３４を含む封止部３７の端部との間に設けられていてもよい。

また、寸法評価用パターン５０は表示領域Ｅ１を囲むＣＦ遮光部３６Ｓに対してＸ方向に沿った位置に配置されることに限定されない。素子基板１０のＹ方向に沿った辺の端部と、封止層３４を含む封止部３７の端部との間にＹ方向に沿って配置された寸法評価用パターン５０Ｖを備えていてもよい。寸法評価用パターン５０Ｖは、図７に示した、寸法評価用パターン５０のパターン群５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂ，５１をＹ方向に順に配列させたものである。なお、複数のパターンＰ１〜Ｐ５及び複数のパターンＰ１１〜Ｐ１５の延在方向は、表示領域Ｅ１における凸部３５及び着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの配置に対応した状態とする。換言すれば、寸法評価用パターン５０は、表示領域Ｅ１における凸部３５及び着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの配置に対応し、素子基板１０の端部と封止部３７の端部との間のスペースの状態に応じて配置することができる。

また、マザー基板１０Ｍを用いる場合、寸法評価用パターン５０は、必ずしも素子基板１０上に配置されることに限定されない。例えば、図１４に示すように、マザー基板１０Ｍにおいて複数の素子基板１０をＸ方向とＹ方向とにそれぞれ間隔を置いて配置（形成）する場合、当該間隔部分に寸法評価用パターン５０（５０Ｖ）や位置評価用パターン６０を配置してもよい。寸法評価用パターン５０（５０Ｖ）や位置評価用パターン６０は、マザー基板１０Ｍを用いてカラーフィルター３６を形成する際に使用できる状態であればよく、マザー基板１０Ｍの当該間隔部分をダイシングして有機ＥＬパネルを取り出す構成としてもよい。このようにすれば、評価用パターンが素子基板１０に残らないことから、評価用パターンを設けることに起因する光漏れを考慮する必要が無くなる。ただし、完成後の有機ＥＬパネルにおけるカラーフィルター３６の形成精度が所望の状態であるか否かを、後から評価用パターンを用いて分析することはできない。換言すれば、素子基板１０に評価用パターンを残存させれば、後から評価用パターンを用いてカラーフィルター３６の形成精度が所望の状態であるか否かを分析できるという効果を奏する。

上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１００とその製造方法によれば、以下の効果が得られる。
（１）カラーフィルター３６の寸法や位置などの管理特性を評価するための寸法評価用パターン５０は、基材１１上において、基材１１の端部と封止部３７の端部との間に設けられた台座部３４Ｄ上に配置されている。台座部３４Ｄは、有機ＥＬ素子３０を封止する封止層３４と同じ層構成であり、基材１１上における封止層３４を含む封止部３７の高さと台座部３４Ｄの高さは同じである。したがって、フォトリソグラフィ法でカラーフィルター３６を形成するにあたり、露光時の基材１１上おける、凸部３５及び着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの位置と、寸法評価用パターン５０の位置とがほぼ同じとなることから、凸部３５及び着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの形成精度と、寸法評価用パターン５０の形成精度がほぼ同等となる。このような、寸法評価用パターン５０を測定すれば、表示領域Ｅ１において異なる色の着色層同士が凸部３５上で重なり合うように配置されていたとしても、凸部３５及び着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの形成精度に係る管理特性の情報を適切に入手することができる。そして、当該管理特性の情報に基づいて、カラーフィルター３６の形成工程において、凸部３５及び着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの形成条件を管理すれば、各色のサブ画素１８において、有機ＥＬ素子３０に対して凸部３５と着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂとを精度よく形成することができる。すなわち、各色のサブ画素１８において、有機ＥＬ素子３０に対して凸部３５を含むカラーフィルター３６が精度よく配置された有機ＥＬ装置１００を提供あるいは製造することができる。

（２）遮光部としてのケース部１０１の表示領域Ｅ１側の端部から寸法評価用パターン５０の端部までの距離Ｌｐが以下の数式（２）を満たすように、基材１１上に台座部３４Ｄ及び寸法評価用パターン５０が形成される。

Ｌ１は寸法評価用パターン５０と対向基板４０との間の接着層４２のＺ方向における厚みであり、Ｌ２は対向基板４０の厚みであり、Ｌ３はＺ方向における対向基板４０とケース部１０１との隙間の長さである。角度θ₁は寸法評価用パターン５０の端部の法線に対して斜め方向に発する斜め光が接着層４２を透過するときの法線に対する角度であり、角度θ₂は角度θ₁で入射した斜め光が対向基板４０を透過するときの法線に対する角度であり、角度θ₃は角度θ₂で入射した斜め光が対向基板４０とケース部１０１との間の空気層を透過してケース部１０１の表示領域Ｅ１側の端部から漏れるときの角度である。
これによれば、台座部３４Ｄ上に寸法評価用パターン５０を設けることに起因する光漏れを防止することができる。なお、角度θ₃は、集光光学系１００２の飲み込み角度θｇを考慮して規定される。

（３）寸法評価用パターン５０は着色パターンとしてのパターン群５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂ，５１を有し、パターン群５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂ，５１のそれぞれは独立した複数のパターンからなる。これによれば、色（透明である場合も含む）ごとに１つのパターンにより寸法評価用パターン５０を構成する場合に比べて、フォトリソグラフィ法におけるオーバー露光やオーバー現像によって、パターンが欠損したり、消失したりすることを抑制できる。言い換えれば、確実に寸法評価用パターン５０を形成して、これを測定することにより、凸部３５及び着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの管理特性に係る情報を入手することができる。

（４）寸法評価用パターン５０の着色パターンは複数のパターンからなり、そのうちの少なくとも１つは他のパターンと異なる形状（本実施形態ではＸ方向における長さが他のパターンに比べて長い）となっている。これにより、測定対象のパターンを容易に特定できる。

（５）カラーフィルター３６の位置精度を評価するための位置評価用パターン６０が、寸法評価用パターン５０とは別に設けられている。寸法評価用パターン５０に求められる管理特性の水準と、位置評価用パターン６０に求められる管理特性の水準とが異なる場合には、位置評価用パターン６０を別に設けることは有効である。また、位置評価用パターン６０を対向基板４０からはみ出た素子基板１０の角部に設ければ、位置評価用パターン６０を設けることに起因する光漏れの心配は不要となる。なお、位置評価用パターン６０を封止部３７の端部の近傍に設ける場合には、上記数式（２）を満たす位置に設けることが好ましい。また、位置評価用パターン６０を寸法評価用パターン５０と同様に台座部３４Ｄ上に配置してもよい。

（第２実施形態）
次に、第２実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置について、図１５を参照して説明する。図１５は第２実施形態の有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図である。第２実施形態の有機ＥＬ装置は、上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１００に対して遮光部の構成を異ならせたものである。したがって、他の構成は有機ＥＬ装置１００と同じであることから、有機ＥＬ装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細の説明は省略する。図１５は上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１００の構造を示す図６におけるＣ−Ｃ’線に対応させた概略断面図である。

図１５に示すように、本実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置２００は、接着層４２を介して貼り合わされた素子基板１０と対向基板４０とを有する。素子基板１０は、上記第１実施形態に示したように、表示領域Ｅ１においてサブ画素１８ごとに配置された有機ＥＬ素子３０と、有機ＥＬ素子３０を被覆する封止層３４を含む封止部３７と、封止層３４上に設けられたカラーフィルター３６と、を有している。また、素子基板１０は、基材１１の端部と封止部３７の端部との間に設けられた台座部３４Ｄと、台座部３４Ｄ上に設けられた、カラーフィルター３６を評価するための寸法評価用パターン５０とを有している。

有機ＥＬ装置２００は、対向基板４０の表示光の射出側において、表示領域Ｅ１を囲むように設けられた枠状のケース部１０１を有している。また、ケース部１０１と対向基板４０との間において、対向基板４０の表面に設けられた遮光部としての遮光層４３を有している。遮光層４３もまた表示領域Ｅ１を囲むと共に非表示領域Ｅ２に亘って枠状に設けられている。遮光層４３は、光吸収性を有する、金属やその合金あるいは、黒色の顔料などを含む樹脂層を用いて形成することができる。

遮光層４３は、遮光層４３の表示領域Ｅ１側の端部と表示領域Ｅ１の端部とが同じ位置となるように対向基板４０に設けられている。寸法評価用パターン５０の表示領域Ｅ１側の端部から法線に対して角度θ₁で斜め方向に発した斜め光（迷光）は、接着層４２を透過して対向基板４０に入射する。対向基板４０に角度θ₁で入射した斜め光（迷光）が、角度θ₂で対向基板４０を透過して遮光層４３の端部からケース部１０１側に射出されると、角度θ₃で射出されることから表示光に混ざることになる。

Ｙ方向における遮光層４３の表示領域Ｅ１側の端部と表示領域Ｅ１の端部とを同じ位置とすると、寸法評価用パターン５０と遮光層４３との間には接着層４２と対向基板４０とが介在することから、これを上記第１実施形態の数式（１）に当てはめれば、以下の数式（４）となる。

すなわち、遮光層４３の表示領域Ｅ１側の端部から寸法評価用パターン５０の端部までの距離Ｌｐは、上記数式（４）で与えられる。言い換えれば、上記第１実施形態に比べて遮光部としての遮光層４３の表示領域Ｅ１側の端部から寸法評価用パターン５０の端部までの最短距離を縮めることができる。

上記第２実施形態によれば、上記第１実施形態の効果（１）、（３）、（４）、（５）に加えて、以下の効果が得られる。
（６）表示光が射出される対向基板４０の外側の表面に遮光層４３が形成されているため、対向基板４０に対してケース部１０１の装着位置が多少ばらついたとしても、寸法評価用パターン５０を設けることに起因する迷光を遮光層４３で確実に遮光して、迷光が表示光に影響を及ぼすことを防ぐことができる。

（第３実施形態）
次に、第３実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置について、図１６、図１７を参照して説明する。図１６は第３実施形態の有機ＥＬ装置の素子基板における評価用パターンの配置例を示す概略平面図、図１７は図１６のＥ−Ｅ’線に沿った第３実施形態の有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図である。第３実施形態の有機ＥＬ装置は、上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１００に対して遮光部の構成を異ならせると共に、寸法評価用パターン５０の配置を異ならせたものである。したがって、他の構成は有機ＥＬ装置１００と同じであることから、有機ＥＬ装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細の説明は省略する。

図１６に示すように、本実施形態の電気光学装置における素子基板３１０は、表示領域Ｅ１を囲むように配置されたＣＦ遮光部３６Ｓを有している。ＣＦ遮光部３６Ｓは、封止部３７の封止層３４上に設けられている。カラーフィルター３６の寸法や形状などを評価するための寸法評価用パターン５０は、ＣＦ遮光部３６Ｓの形成範囲内にあって、データ線駆動回路１５に沿った位置に設けられている。また、カラーフィルター３６の形式によっては、基材１１のＹ方向の辺部に沿った位置に寸法評価用パターン５０Ｖを設けてもよい。ＣＦ遮光部３６Ｓの基材１１の端部側の位置と、寸法評価用パターン５０，５０Ｖの端部の位置とは、この場合同じである。

また、基材１１の４箇所の角部には、位置評価用パターン６０が配置されている。なお、位置評価用パターン６０は、４箇所の角部のうち少なくとも１箇所に配置されていればよい。

図１７に示すように、本実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置３００は、接着層４２を介して貼り合わされた素子基板３１０と対向基板４０とを有する。素子基板３１０は、表示領域Ｅ１においてサブ画素１８ごとに配置された有機ＥＬ素子３０と、有機ＥＬ素子３０を被覆する封止層３４を含む封止部３７と、封止層３４上に設けられたカラーフィルター３６と、を有している。また、素子基板３１０において、カラーフィルター３６を評価するための寸法評価用パターン５０は、封止層３４上に配置されている。

有機ＥＬ装置３００は、対向基板４０の表示光の射出側において、表示領域Ｅ１を囲むように設けられた枠状のケース部１０１を有している。また、対向基板４０と接着層４２との界面に、遮光部の一例としての遮光層４４を有している。遮光層４４もまた表示領域Ｅ１を囲むと共に非表示領域Ｅ２に亘って枠状に設けられている。遮光層４４は、光吸収性を有する、金属やその合金あるいは、黒色の顔料などを含む樹脂層を用いて形成することができる。

遮光層４４は、遮光層４４の表示領域Ｅ１側の端部と、表示領域Ｅ１の端部とが同じ位置になるように対向基板４０に設けられている。寸法評価用パターン５０の表示領域Ｅ１側の端部から法線に対して角度θ₁で斜め方向に発した斜め光（迷光）は、接着層４２を透過して対向基板４０に入射する。対向基板４０に角度θ₁で入射した斜め光（迷光）が、角度θ₂で対向基板４０を透過して遮光層４４の端部から漏れると、角度θ₃でケース部１０１側に射出され表示光と混ざることになる。

本実施形態では、Ｚ方向において寸法評価用パターン５０の近くに遮光部としての遮光層４４を配置することによって、寸法評価用パターン５０の端部から斜め方向に発する迷光を遮光層４４で遮光し易くなることから、寸法評価用パターン５０を表示領域Ｅ１に近い位置に配置が可能となる。Ｙ方向における遮光層４４の表示領域Ｅ１側の端部と表示領域Ｅ１の端部とを同じ位置とすれば、遮光層４４と寸法評価用パターン５０との間に配置された透光性部材は接着層４２のみであることから、上記第１実施形態で説明した上記数式（１）に本実施形態の有機ＥＬ装置３００における構成を当てはめると以下の数式（５）となる。

すなわち、遮光層４４の表示領域Ｅ１側の端部から寸法評価用パターン５０の端部までの距離Ｌｐは、上記数式（５）で与えられる。
したがって、対向基板４０の厚みＬ２を考慮する必要が無くなり、遮光層４４の表示領域Ｅ１側の端部から寸法評価用パターン５０の端部までの最短距離を、上記第１実施形態や上記第２実施形態に比べて小さくすることが可能となる。ゆえに、寸法評価用パターン５０を封止層３４上に設けることが可能となる。加えて、寸法評価用パターン５０の表示領域Ｅ１側にＣＦ遮光部３６Ｓが配置されるようにすれば、寸法評価用パターン５０の端部から漏れる迷光の一部をＣＦ遮光部３６Ｓで遮光することも可能となる。

上記第３実施形態によれば、上記第１実施形態の効果（３）、（４）、（５）に加えて、以下の効果が得られる。
（７）有機ＥＬ装置３００は、素子基板３１０の封止層３４上にカラーフィルター３６と、寸法評価用パターン５０とが配置されている。基材１１上における各着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂと寸法評価用パターン５０の位置（高さ）が同じであることから、寸法評価用パターン５０を測定することで、カラーフィルター３６における凸部３５及び着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの形成精度に係る情報を適切に入手することができる。

（８）表示光が射出される対向基板４０の接着層４２との界面に遮光部としての遮光層４４が形成されているため、上記第２実施形態の効果（６）と同様に、対向基板４０に対してケース部１０１の装着位置が多少ばらついたとしても、寸法評価用パターン５０を設けることに起因する迷光を遮光層４４で確実に遮光して、表示光に影響を及ぼすことを防ぐことができる。さらに、基材１１上において寸法評価用パターン５０を設ける位置に係る最短距離を上記第１実施形態や上記第２実施形態に比べてさらに小さくすることができる。それゆえに、寸法評価用パターン５０を封止層３４上に配置することも可能となることから、上記第１実施形態のように寸法評価用パターン５０を配置するための台座部３４Ｄを設ける必要が無くなる。すなわち、台座部３４Ｄを設けるためのスペースが必要なくなるので、素子基板３１０をより小さくして有機ＥＬ装置３００の小型化を図ることができる。

本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置の製造方法並びに該電気光学装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）上記第１実施形態では、寸法評価用パターン５０が配置される台座部３４Ｄの層構成を封止層３４と同じとしたが、これに限定されない。例えば、基材１１上における封止層３４の高さとほぼ同等となるように、他の構成部材を用いて台座部３４Ｄを構成してもよい。その場合、遮光性を有する部材を用いて台座部３４Ｄを構成すれば、有機ＥＬ素子３０に係る迷光を遮光性の台座部３４Ｄで遮光することも可能である。

（変形例２）上記第１実施形態において、位置評価用パターン６０のパターン群６０Ｒ，６０Ｇ，６０ＢのパターンＰ２２は、パターンＰ２１と異なる材料を用いて異なるプロセスにおいて形成することとしたが、本発明はこのような形態に限定されない。パターンＰ２２を凸部３５と同様の色材を含まない感光性樹脂材料で形成し、パターンＰ２１を着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒと同様の色材を含む感光性樹脂材料で形成することとしてもよい。このような構成にすれば、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒに係るパターンＰ２１よりも先に形成される凸部３５に係るパターンＰ２２の位置を基準として、パターンＰ２１の位置を測定すれば、各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの位置精度を評価することができる。

（変形例３）上記各実施形態において、画素１９は赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色のサブ画素１８を含む構成としたが、これに限定されない。画素１９は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）以外の、例えば、黄（Ｙ）のサブ画素１８を含んで構成されていてもよい。このような画素１９の構成とすれば、明るさや色再現性をさらに向上させることができる。

（変形例４）上記各実施形態のサブ画素１８において、Ｙ方向における、有機ＥＬ素子３０（画素電極３１）の中心と、ストライプ状の着色層の中心とは、必ずしも合致していなくてもよい。例えば、表示領域Ｅ１から発する表示光が集光光学系１００２に入射する角度を考慮して、表示領域Ｅ１におけるストライプ状の着色層の中心をサブ画素１８ごとに調整して配置してもよい。具体的には、集光光学系１００２の光軸から遠ざかるほど、サブ画素１８における有機ＥＬ素子３０の中心に対してストライプ状の着色層の中心を上記光軸側にずらしてもよい。このようにすれば、視角特性における色ずれを抑制して見栄えのよいカラー表示が可能となる。このようにサブ画素１８に対して着色層の位置を細かく調整する際には、寸法評価用パターン５０や位置評価用パターン６０を備えていることは有効に働く。

（変形例５）上記第２実施形態及び第３実施形態に示したように、対向基板４０に遮光層４３あるいは遮光層４４を設ける場合、電気光学装置としての有機ＥＬ装置において、対向基板４０の表示光の射出側に表示領域Ｅ１を囲むように設けられた枠状のケース部１０１を無くしてもよい。また、ケース部１０１は、対向基板４０及び接着層４２の側面だけや、対向基板４０の周辺上面部だけを覆うように設けられていてもよい。

（変形例６）マイクロディスプレイである有機ＥＬ装置１００（あるいは有機ＥＬ装置２００，３００）を適用可能な電子機器は、上記実施形態のヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）１０００に限定されない。例えば、デジタルカメラなどの電子ビューファインダー、ヘッドアップディスプレイや携帯型情報端末の表示部などに好適に用いることができる。

１０…素子基板、１０Ｍ…マザー基板、１１…基板としての基材、３０…有機ＥＬ素子、３４…封止層、３４ａ…無機封止層としての第１封止層、３４ｂ…有機封止層としての平坦化層、３４ｃ…無機封止層としての第２封止層、３４Ｄ…台座部、３５…凸部、３６…カラーフィルター、３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒ…着色層、３７…封止部、４０…透光性部材としての対向基板、４２…透光性部材としての接着層、４３，４４…遮光部としての遮光層、５０…評価用パターンとしての寸法評価用パターン、５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒ…着色パターンとしてのパターン群、６０…位置評価用パターン、１００，２００，３００…電気光学装置としての有機ＥＬ装置、１０１…遮光部としてのケース部、１０００…電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、Ｅ１…第１領域としての表示領域、ＥＸＳ…露光用レチクル、Ｐ１〜Ｐ５…着色パターンにおける複数のパターン。

Claims (16)

1. 基板と、
   前記基板上の第１領域に画素ごとに配置された有機ＥＬ素子と、
   前記第１領域に設けられ、前記有機ＥＬ素子を覆う封止部と、
   前記封止部上に設けられたカラーフィルターと、
   前記カラーフィルターを評価するための評価用パターンと、
   前記基板の端部と前記封止部との間に配置された台座部と、を備え、
   前記評価用パターンは前記台座部上に配置されている、電気光学装置。
2. 前記基板上における前記台座部の高さは前記封止部の高さと略同一である、請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記封止部は、有機封止層と、前記有機封止層を挟む無機封止層とからなり、
   前記台座部は前記封止部と同じ層構成である、請求項２に記載の電気光学装置。
4. 基板と、
   前記基板上の第１領域に画素ごとに配置された有機ＥＬ素子と、
   前記第１領域に設けられ、前記有機ＥＬ素子を覆う封止部と、
   前記封止部上に設けられたカラーフィルターと、
   前記カラーフィルターを評価するための評価用パターンと、
   前記評価用パターンの上方において、前記第１領域を囲んで設けられた遮光部と、
   前記評価用パターンと前記遮光部との間に設けられたｎ層の透光性部材と、を備え、
   前記評価用パターンは、以下の数式（１）を満たす位置に設けられている、電気光学装置。
   （数１）
   Ｌｐ＞Σ（Ｌｎ×ｔａｎθ_ｎ） ・・・（１）
   ｎは１以上の整数であり、Ｌｐは平面視における前記遮光部の前記第１領域側の端部から前記評価用パターンの端部までの距離であり、Ｌｎはｎ層の前記透光性部材のそれぞれにおける前記評価用パターン上における厚みであり、θ_ｎは前記評価用パターンの端部の法線に対して斜め方向に発する斜め光が前記透光性部材のそれぞれを透過するときの当該透光性部材の法線に対する角度である。
5. 前記基板の端部と前記封止部との間に配置された台座部、を備え、
   前記評価用パターンは前記台座部上に配置されている、請求項４に記載の電気光学装置。
6. ｎ層の前記透光性部材は、前記カラーフィルターと前記評価用パターンとを覆う接着層と、前記接着層に積層された対向基板とを含む、請求項４または５に記載の電気光学装置。
7. 前記遮光部は、前記第１領域を囲むように設けられたケース部であり、
   前記評価用パターンと前記ケース部との間に、前記接着層と前記対向基板とが配置されている、請求項６に記載の電気光学装置。
8. 前記遮光部は、前記対向基板と前記接着層との界面、または前記対向基板の前記界面と反対側の面に設けられた遮光層である、請求項６に記載の電気光学装置。
9. 前記評価用パターンは、前記カラーフィルターの着色層における寸法精度を評価するための、少なくとも赤、緑、青の３色の着色パターンを含み、
   前記少なくとも赤、緑、青の３色の着色パターンは、互いに離間して配置されている、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
10. 前記着色パターンは、色ごとに複数のパターンを有し、前記複数のパターンは互いに離間して配置されている、請求項９に記載の電気光学装置。
11. 前記着色パターンの前記複数のパターンのうちの１つは他のパターンと異なる形状となっている、請求項１０に記載の電気光学装置。
12. 前記基板上に前記カラーフィルターの着色層における位置精度を評価するための位置評価用パターンを有し、
    前記位置評価用パターンは、少なくとも赤、緑、青の３色のそれぞれに対応して設けられている、請求項１乃至１１に記載の電気光学装置。
13. 請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた、電子機器。
14. 基板上の第１領域に画素ごとに有機ＥＬ素子を形成する工程と、
    前記第１領域に亘り前記有機ＥＬ素子を覆う封止部を形成する工程と、
    前記封止部上にカラーフィルターを形成する工程と、
    前記基板の端部と前記封止部との間に台座部を形成する工程と、を備え、
    前記カラーフィルターを形成する工程では、フォトリソグラフィ法により、前記カラーフィルターの着色層を形成すると共に、前記着色層の形成材料を用いて、前記カラーフィルターを評価するための評価用パターンを前記台座部上に形成する、電気光学装置の製造方法。
15. 基板上の第１領域に画素ごとに有機ＥＬ素子を形成する工程と、
    前記第１領域に亘り前記有機ＥＬ素子を覆う封止部を形成する工程と、
    前記封止部上にカラーフィルターを形成する工程と、
    前記カラーフィルターを評価するための評価用パターンを形成する工程と、
    前記評価用パターン上にｎ層の透光性部材を配置する工程と、
    前記評価用パターンの上方に、前記第１領域を囲む遮光部を配置する工程と、を備え、
    前記評価用パターンを、以下の数式（１）を満たす位置に形成する、電気光学装置の製造方法。
    （数２）
    Ｌｐ＞Σ（Ｌｎ×ｔａｎθ_ｎ） ・・・（１）
    ｎは１以上の整数であり、Ｌｐは平面視における前記遮光部の前記第１領域側の端部から前記評価用パターンの端部までの距離であり、Ｌｎはｎ層の前記透光性部材のそれぞれにおける前記評価用パターン上における厚みであり、θ_ｎは前記評価用パターンの端部の法線に対して斜め方向に発する斜め光がｎ層の前記透光性部材のそれぞれを透過するときの当該透光性部材の法線に対する角度である。
16. 前記カラーフィルターを形成する工程は、前記基板が複数面付けされるマザー基板と、前記カラーフィルターの着色層の形成材料と、少なくとも２つ以上の前記基板を同時に露光可能な露光用レチクルとを用いて、フォトリソグラフィ法により、前記マザー基板に前記着色層と前記評価用パターンとを形成し、
    前記露光用レチクルは、少なくとも２つの前記基板の前記評価用パターンを露光可能な露光パターンを有する、
    請求項１４または１５に記載の電気光学装置の製造方法。

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