JP7339432B2 - 表示装置およびその製造方法、駆動基板 - Google Patents
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Description
ベース基板と、
表示領域であって、前記表示領域が前記ベース基板に位置する複数のサブ画素を含み、各サブ画素が、
第1反射電極と、
前記第1反射電極に位置する発光素子であって、前記第1反射電極に順次積層された第1電極層、有機発光機能層及び第2電極層を含み、前記第1電極層が透明電極層であり、前記有機発光機能層が電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔注入層及び正孔輸送層を含む発光素子と、
前記第1反射電極と前記第1電極層との間に位置する絶縁層であって、前記絶縁層が光透過性を有し、それにより前記有機発光機能層から発した光が前記第1反射電極により反射されるように前記絶縁層の中を透過して前記第1反射電極に到達する絶縁層と、
前記ベース基板に位置し、かつ駆動トランジスタを含む画素回路であって、前記駆動トランジスタが半導体層、ソース電極及びドレイン電極を含み、前記ソース電極及び前記ドレイン電極のうちの一つが前記第1反射電極と互いに電気的に接続され、前記半導体層が前記ベース基板内に位置する画素回路と、
前記ベース基板に位置し、データ信号を記憶するように構成された記憶コンデンサと、を含む表示領域と、
周辺領域であって、前記表示領域を取り囲み、かつ
前記ベース基板に位置する複数の第2反射電極と、
前記複数の第2反射電極の前記ベース基板から離れた側に設置された遮光層と、を含む周辺領域と、を含む。
ベース基板を提供することと、
前記ベース基板に複数のサブ画素を形成することであって、複数のサブ画素が前記表示領域に位置し、前記サブ画素の形成が、
第1反射電極を形成することと、
前記第1反射電極に発光素子を形成することであって、前記発光素子が前記第1反射電極に順次積層された第1電極層、有機発光機能層及び第2電極層を含み、前記第1電極層が透明電極層であり、前記有機発光機能層が電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔注入層及び正孔輸送層を含むことと、
前記第1反射電極と前記第1電極層との間に絶縁層を形成することであって、前記絶縁層が光透過性を有し、それにより前記有機発光機能層から発した光が前記第1反射電極により反射されるように前記絶縁層の中を透過して前記第1反射電極に到達することと、
前記ベース基板に画素回路を形成することであって、前記画素回路が駆動トランジスタを含み、前記駆動トランジスタが半導体層、ソース電極及びドレイン電極を含み、前記ソース電極及びドレイン電極のうちの一つが前記第1反射電極と互いに電気的に接続され、前記半導体層が前記ベース基板内に位置することと、
前記ベース基板に記憶コンデンサを形成することであって、前記記憶コンデンサがデータ信号を記憶するように構成されたことと、を含むことと、
前記周辺領域に複数の第2反射電極を形成することと、
前記複数の反射電極の前記ベース基板から離れた側に遮光層を形成することと、を含む。
ベース基板と、
表示領域であって、前記表示領域が前記ベース基板に位置する複数のサブ画素を含み、各サブ画素が、
前記ベース基板に位置する第1反射電極と、
絶縁層であって、前記第1反射電極の前記ベース基板から離れた側に位置し、前記絶縁層が前記発光素子の形成に適する第1表面を有し、前記絶縁層が光透過性を有し、それにより前記絶縁層に入射した光が前記第1反射電極により反射されるように前記絶縁層の中を透過して前記第1反射電極に到達する絶縁層と、
前記ベース基板上に位置しかつ駆動トランジスタを含む画素回路であって、前記駆動トランジスタが半導体層、ソース電極、ドレイン電極を含み、前記ソース電極及びドレイン電極のうちの一つが前記第1反射電極と互いに電気的に接続され、前記半導体層が前記ベース基板内に位置する画素回路と、
前記ベース基板に位置しかつデータ信号を記憶するように構成された記憶コンデンサと、を含む表示領域と、
周辺領域であって、前記表示領域を取り囲み、かつ
前記ベース基板に位置する複数の第2反射電極と、
前記複数の第2反射電極の前記ベース基板から離れた側に設置された遮光層と、を含む周辺領域と、を含む。
ベース基板を提供するステップS1と、
前記ベース基板に光反射層及び絶縁層を形成するステップS2と、
前記絶縁層に発光素子を形成し、前記発光素子が前記光反射層に順次積層された第1電極層、発光層及び第2電極層を含み、第1電極層が透明電極層であり、前記絶縁層が光透過性を有し、それにより前記発光層から発した光が前記光反射層に反射されるように前記絶縁層の中を透過して前記光反射層に到達するステップS3と、を含む。
例えば、ベース基板100に第1反射電極106を形成する。例えば、該第1反射電極106は、金属層105と保護層104とを含む。金属層105及び保護層104は、パターン化プロセスを用いて形成することができる。本開示の実施例において、パターン化プロセスは、フォトリソグラフィプロセスを含むがこれに限定されない。例えば、フォトリソグラフィプロセスは、予めパターン化された材料にフォトレジストを塗布し、マスクを利用してこのフォトレジストを露光し、フォトレジストを現像して一部のフォトレジストを除去し、一部の予めパターン化された材料をエッチングし、残りのフォトレジストを剥離することを含む。次に、第1反射電極106に絶縁層103を形成する。例えば、絶縁層103の形成は、図11に示すように絶縁層103にビアホール110を形成することと、図12に示すようにビアホール110に金属部材108を充填することとを含む。ここまで、発光素子を形成することに適する第1表面1031を有する駆動基板を形成する。理解すべきなのは、第1反射電極及び絶縁層以外に、ベース基板にさらに画素回路等の他の素子を形成する必要があり、その具体的な製造過程は、ここで詳細に説明しない。
例えば、図13に示すように、絶縁層103のベース基板100から離れた側に第1電極材料150を形成し、次に、図14に示すように第1電極材料150をパターン化して第1電極層122を形成する。第1電極層122は、ビアホール110を被覆しかつ金属部材108と接触し、第1電極層122は、金属部材108により第1反射電極106と電気的に接続される。
例えば、画素回路が形成されたベース基板200に第1反射電極206を形成する。例えば、該第1反射電極106は、金属層のみを含む。次に、第1反射電極206に絶縁層203を形成する。例えば、絶縁層203の形成は、絶縁層203に第1開口210を形成し、第1開口210は、第1反射電極206を露出させる。図15に示すように、第1反射電極206のベース基板200から離れた一部の表面は、第1開口210から露出する。ここまで、発光素子を形成することに適する第1表面2031を有する駆動基板を形成する。
例えば、図16に示すように、絶縁層203のベース基板200から離れた側に第1電極材料250を形成する。次に、図17に示すように、第1電極材料250をパターン化して第1電極層222を形成する。第1電極層222は、第1開口210を被覆し、第1電極層222の少なくとも一部222aは、第1開口210内に形成されかつ第1反射電極206に電気的に接続される。
(1)本開示の実施例の図面は、本開示の実施例の関する構造のみに関し、他の構造について通常の設計をしてもよい。
100 ベース基板
103 絶縁層
106 第1反射電極
122 第1電極層
126 第2電極層
130 発光素子
216 第2反射電極
240 遮光層
AA 表示領域
Cst 記憶コンデンサ
EA 周辺領域
SP サブ画素
Claims (20)
- ベース基板と、
表示領域であって、前記表示領域が前記ベース基板に位置する複数のサブ画素を含み、各サブ画素が、
第1反射電極と、
前記第1反射電極に位置する発光素子であって、前記第1反射電極の上方に順次積層された第1電極層、有機発光機能層及び第2電極層を含み、前記第1電極層が透明電極層であり、前記有機発光機能層が電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔注入層及び正孔輸送層を含む発光素子と、
前記第1反射電極と前記第1電極層との間に位置する絶縁層であって、前記絶縁層が光透過性を有し、それにより前記有機発光機能層から発した光が前記第1反射電極により反射されるように前記絶縁層の中を透過して前記第1反射電極に到達する絶縁層と、
前記ベース基板に位置し、かつ駆動トランジスタを含む画素回路であって、前記駆動トランジスタが半導体層、ソース電極及びドレイン電極を含み、前記ソース電極及びドレイン電極のうちの一つが前記第1反射電極と互いに電気的に接続され、前記半導体層が前記ベース基板内に位置する画素回路と、
前記ベース基板に位置し、データ信号を記憶するように構成された記憶コンデンサと、
を含む表示領域と、
周辺領域であって、前記表示領域を取り囲み、かつ
前記ベース基板に位置する複数の第2反射電極と、
前記複数の第2反射電極の前記ベース基板から離れた側に設置された遮光層と、
を含む周辺領域と、を含み、
バインディング領域と、前記バインディング領域内に位置するパッドとをさらに含み、
前記絶縁層は、前記パッドを露出させる第2開口を含む、表示装置。 - 前記絶縁層は、金属部材が充填されたビアホールを含み、前記第1反射電極は、前記金属部材により前記第1電極層に電気的に接続される、請求項1に記載の表示装置。
- 前記絶縁層は、前記第1反射電極を露出させる第1開口を含み、前記第1電極層の少なくとも一部は、前記第1開口内に位置し、かつ前記第1反射電極に電気的に接続される、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1反射電極の全体は、前記絶縁層により前記第1電極層から分離され、かつ前記第1電極層と互いに絶縁される、請求項1に記載の表示装置。
- 少なくとも一つの配線層をさらに含み、前記少なくとも一つの配線層は、前記第1反射電極と前記ベース基板との間に位置する、請求項1~4のいずれか一項に記載の表示装置。
- 前記第1反射電極及び前記第2反射電極は、いずれも同じ層に設置された金属層を含む、請求項1~4のいずれか一項に記載の表示装置。
- 前記金属層の材料は、アルミニウム又はアルミニウム合金である、請求項6に記載の表示装置。
- 前記第1反射電極及び前記第2反射電極は、いずれも少なくとも一つの保護層をさらに含み、該保護層は、前記金属層と積層されかつ前記金属層の前記ベース基板に近接する側に設置される、請求項7に記載の表示装置。
- 前記第1電極層の前記ベース基板が位置する平面での正射影は、前記第1反射電極の前記ベース基板が位置する平面での正射影に位置する、請求項1~4のいずれか一項に記載の表示装置。
- 複数の第1反射電極のパターン密度は、複数の第2反射電極のパターン密度と同じである、請求項1~4のいずれか一項に記載の表示装置。
- 前記遮光層は、少なくとも色が異なりかつ積層設置された二種類のカラーフィルム層を含む、請求項1~4のいずれか一項に記載の表示装置。
- 前記ベース基板は、シリコンベース基板である、請求項1~4のいずれか一項に記載の表示装置。
- 表示領域と、表示領域を囲む周辺領域とを含む表示装置の製造方法であって、
ベース基板を提供することと、
前記ベース基板に複数のサブ画素を形成することであって、複数のサブ画素が前記表示領域に位置し、前記サブ画素の形成が、
第1反射電極を形成することと、
前記第1反射電極に発光素子を形成することであって、前記発光素子が前記第1反射電極の上方に順次積層された第1電極層、有機発光機能層及び第2電極層を含み、前記第1電極層が透明電極層であり、前記有機発光機能層が電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔注入層及び正孔輸送層を含むことと、
前記第1反射電極と前記第1電極層との間に絶縁層を形成することであって、前記絶縁層が光透過性を有し、それにより前記有機発光機能層から発した光が前記第1反射電極により反射されるように前記絶縁層の中を透過して前記第1反射電極に到達することと、
前記ベース基板に画素回路を形成することであって、前記画素回路が駆動トランジスタを含み、前記駆動トランジスタが半導体層、ソース電極及びドレイン電極を含み、前記ソース電極及びドレイン電極のうちの一つが前記第1反射電極と互いに電気的に接続され、前記半導体層が前記ベース基板内に位置することと、
前記ベース基板に記憶コンデンサを形成することであって、前記記憶コンデンサがデータ信号を記憶するように構成されたことと、
を含むことと、
前記周辺領域に複数の第2反射電極を形成することと、
前記複数の第2反射電極の前記ベース基板から離れた側に遮光層を形成することと、を含み、
前記表示領域は、バインディング領域と、前記バインディング領域内に位置するパッドとをさらに含み、
前記製造方法は、前記パッドを露出させる第2開口を形成することをさらに含む、表示装置の製造方法。 - 前記絶縁層にビアホールを形成することと、
前記ビアホールに金属部材を充填することと、をさらに含む、請求項13に記載の表示装置の製造方法。 - 前記第1電極層の形成は、
前記絶縁層の前記ベース基板から離れた側に第1電極材料を形成することと、
前記第1電極材料をパターン化して第1電極層を形成することであって、前記第1電極層は、前記絶縁層のビアホールを被覆しかつ前記金属部材と接触し、前記第1電極層は、前記金属部材により前記第1反射電極と電気的に接続されることと、を含む、請求項14に記載の表示装置の製造方法。 - 前記絶縁層に第1開口を形成し、前記第1開口は、前記第1反射電極を露出させることをさらに含む、請求項13に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第1電極層の形成は、
前記絶縁層の前記ベース基板から離れた側に第1電極材料及び前記第1開口を形成することと、
前記第1電極材料をパターン化して第1電極層を形成することであって、前記第1電極層は、前記絶縁層の第1開口を被覆し、前記第1電極層の少なくとも一部は、前記第1開口内に形成されかつ前記第1反射電極に電気的に接続されることと、を含む、請求項16に記載の表示装置の製造方法。 - ベース基板と、
表示領域であって、前記表示領域が前記ベース基板に位置する複数のサブ画素を含み、各サブ画素が、
前記ベース基板に位置する第1反射電極と、
絶縁層であって、前記第1反射電極の前記ベース基板から離れた側に位置し、前記絶縁層が発光素子を形成する第1表面を有し、前記絶縁層が光透過性を有し、それにより前記絶縁層に入射した光が前記第1反射電極により反射されるように前記絶縁層の中を透過して前記第1反射電極に到達する絶縁層と、
前記ベース基板上に位置しかつ駆動トランジスタを含む画素回路であって、前記駆動トランジスタが半導体層、ソース電極、ドレイン電極を含み、前記ソース電極及びドレイン電極のうちの一つが前記第1反射電極と互いに電気的に接続され、前記半導体層が前記ベース基板内に位置する画素回路と、
前記ベース基板に位置しかつデータ信号を記憶するように構成された記憶コンデンサと、
を含む表示領域と、
周辺領域であって、前記表示領域を取り囲み、かつ
前記ベース基板に位置する複数の第2反射電極と、
前記複数の第2反射電極の前記ベース基板から離れた側に設置された遮光層と、
を含む周辺領域と、を含み、
バインディング領域と、前記バインディング領域内に位置するパッドとをさらに含み、
前記絶縁層は、前記パッドを露出させる第2開口を含む、発光素子の発光を駆動することに適する駆動基板。 - 前記絶縁層は、金属部材が充填されたビアホールを含み、前記金属部材と前記第1反射電極は、互いに電気的に接続される、請求項18に記載の駆動基板。
- 前記絶縁層は、前記第1反射電極を露出させる第1開口を含む、請求項18に記載の駆動基板。
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