KR20220049031A

KR20220049031A - 표시장치, 이의 제조방법 및 구동기판

Info

Publication number: KR20220049031A
Application number: KR1020227008984A
Authority: KR
Inventors: 펑청 루; 콴타 황; 샤오촨 천; 성지 양; 쉐 둥; 후이 왕; 옌밍 왕
Original assignee: 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드
Priority date: 2019-08-23
Filing date: 2019-08-23
Publication date: 2022-04-20
Also published as: JP2022552595A; EP4020572A4; EP4020572A1; US20210408488A1; JP7339432B2; CN112703605A; WO2021035405A1

Abstract

본 발명은 표시장치, 이의 제조방법 및 구동기판에 관한 것이다. 상기 표시장치는, 베이스 기판, 표시영역(AA) 및 주변영역(EA)을 포함하고; 상기 표시영역(AA)은 상기 베이스 기판(100) 상에 위치하는 복수의 서브 픽셀(SP)을 포함하며, 서브 픽셀(SP)은 각각 제1 반사 전극(106), 발광 소자(160), 제2 전극층(126), 절연층(103), 픽셀회로(10) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다. 주변영역(EA)은, 복수의 제2 반사 전극(216) 및 차광층(240)을 포함한다. 본 발명에 따른 표시장치는, 절연층(103)을 이용하여 제1 반사 전극(106)과 제1 전극층(122) 사이를 이격시킴으로써, 제1 반사 전극(106)을 웨이퍼 제조사에서 제조된 구동기판에 집적시킬 수 있으며, 제1 반사 전극(106)의 제조 비용 및 제조 난이도를 저감할 수 있다.

Description

표시장치, 이의 제조방법 및 구동기판

본 발명의 실시예는 표시장치, 이의 제조방법 및 구동기판에 관한 것이다.

가상현실（Virtual Reality; VR）기술 및 증강현실（Augmented Reality; AR）기술의 일익 발전에 따라, VR/AR기술분야에 적용되는 표시장치도 소형화, 고화소 밀도（Pixel Per Inch; PPI）, 빠른 대응 및 높은 색 영역의 방향으로 발전하고 있다. 실리콘계 마이크로 표시 OLED의 패널이 이 중에서 두드러지는 하나이다. 실리콘계 마이크로 표시 OLED의 개발이 늦어졌지만, 소형화 및 높은 PPI의 우세로 인해 디스플레이의 기술분야에서 새롭게 관심이 주목되고 있다.

본 발명의 제1 양태에 의하면, 표시장치를 제공한다. 상기 표시장치는,

베이스 기판;

상기 베이스 기판 상에 위치하는 복수의 서브 픽셀을 포함하는 표시영역; 및

상기 표시영역을 둘러싸는 주변영역을 포함하고,

상기 복수의 서브 픽셀은, 각각

제1 반사 전극;

상기 제1 반사 전극 상에 위치하는 발광 소자, -상기 발광 소자는 상기 제1 반사 전극 상에 순차적으로 라미네이팅되는 제1 전극층, 유기 발광 기능층 및 제2 전극층을 포함하고, 상기 제1 전극층은 투명한 전극층이며, 상기 유기 발광 기능층은 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층, 정공 주입층 및 정공 수송층을 포함하며-; 및

상기 제1 반사 전극 과 상기 제1 전극층 사이에 위치하고, 상기 유기 발광 기능층에서 발사되는 빛이 투과되고 상기 제1 반사 전극에 도달하여 상기 제1 반사 전극에 의해 반사되도록 투명하게 이루어지는 절연층;

상기 베이스 기판 상에 위치하고 구동 트랜지스터를 포함하는 픽셀회로, -상기 구동 트랜지스터는 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나와 상기 제1 반사 전극은 서로 전기적으로 연결되며, 상기 반도체층은 상기 베이스 기판에 위치하고-; 및

상기 베이스 기판 상에 위치하고, 데이터 신호를 저장하도록 구성된 스토리지 커패시터를 포함하고,

상기 주변영역은,

상기 베이스 기판 상에 위치한 복수의 제2 반사 전극; 및

상기 베이스 기판과 떨어진 상기 복수의 제2 반사 전극의 일 측에 설치되는 차광층을 포함한다.

본 발명의 제2 양태에 의하면, 표시장치의 제조방법을 제공한다. 상기 표시장치는 표시영역 및 상기 표시영역을 둘러싸는 주변영역을 포함하고, 상기 제조방법은,

베이스 기판을 제공하는 단계;

상기 표시영역에 위치하는 복수의 서브 픽셀을 상기 베이스 기판 상에 형성하는 단계;

상기 주변영역에 복수의 제2 반사 전극을 형성하는 단계; 및

상기 베이스 기판과 떨어진 상기 복수의 반사 전극의 일 측에 차광층을 형성하는단계를 포함하고, 상기 서브 픽셀을 형성하는 단계는,

제1 반사 전극을 형성하는 단계;

상기 제1 반사 전극 상에 발광 소자를 형성하는 단계, -상기 발광 소자는 상기 제1 반사 전극 상에 순차적으로 라미네이팅되는 제1 전극층, 유기 발광 기능층 및 제2 전극층을 포함하고, 상기 제1 전극층은 투명한 전극층이며, 상기 유기 발광 기능층은 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층, 정공 주입층 및 정공 수송층을 포함하고-;

상기 제1 반사 전극과 상기 제1 전극층 사이에 절연층을 형성하는 단계, -상기 절연층은, 상기 유기 발광 기능층에서 출사하는 빛이 상기 절연층을 투과하고 상기 제1 반사 전극에 도달하여 상기 제1 반사 전극에 의해 반사되도록 투광성을 가지고-;

상기 베이스 기판 상에 구동 트랜지스터를 포함하는 픽셀회로를 형성하는 단계, -상기 구동 트랜지스터는 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나와 상기 제1 반사 전극은 서로 전기적으로 연결되며, 상기 반도체층은 상기 베이스 기판에 위치하고-; 및

데이터 신호를 저장하도록 구성된 스토리지 커패시터를 상기 베이스 기판 상에 형성하는 단계를 포함한다.

본 발명의 제3 양태에 의하면, 구동발광 소자의 발광을 구동하기 위한 구동기판을 제공한다. 상기 구동기판은,

베이스 기판,

상기 표시영역을 둘러싸는 주변영역을 포함하고,

상기 복수의 서브 픽셀은, 각각

상기 베이스 기판 상에 위치하는 제1 반사 전극;

상기 베이스 기판과 떨어진 상기 제1 반사 전극의 일 측에 위치하는 절연층, -상기 절연층은 상기 발광 소자를 형성하기 위한 제1 면을 구비하고, 상기 절연층은 상기 절연층에 입사된 빛이 투과되고 상기 제1 반사 전극에 도달하여 상기 제1 반사 전극에 의해 반사되도록 투광성을 가지고;

상기 베이스 기판 상에 위치하고 데이터 신호를 저장하도록 구성된 스토리지 커패시터를 포함하고,

상기 주변영역은,

상기 베이스 기판 상에 위치하는 복수의 제2 반사 전극; 및

이하, 본 발명의 실시예의 기술안을 보다 명확하게 설명하기 위하여, 실시예의 도면을 간략하게 설명한다. 이하의 설명에서의 도면은 본 발명의 일부 실시예에 관한 것으로 본 발명을 한정하기 위한 것이 아님이 자명하다.
도 1(a)은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치에서의 실리콘 웨이퍼 상의 배열 예시도이다.
도 1(b)은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치에서의 각 기능 영역의 예시도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 표시장치에서의 서브 픽셀의 국부적인 확대 단면 예시도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치에서의 서브 픽셀의 국부적인 확대 단면 예시도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치에서의 서브 픽셀의 국부적인 확대 단면 예시도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치에서의 서브 픽셀의 국부적인 확대 단면 예시도이다.
도 6(a) 및 도 6(b)은 각각 본 발명의 실시예에 따른 제1 전극층 및 제1 반사 전극의 두가지 상이한 상대적인 위치 관계를 도시한 도면이다.
도 7 은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 단면 예시도이다.
도 8(a)은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 회로 예시도이다.
도 8(b)은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 국부적인 회로 예시도이다.
도 9(a)는 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 구조의 예시도이다.
도 9(b)는 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 단면 예시도이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 서브 픽셀을 형성하는 방법의 흐름도이다.
도 11 내지 도 14는 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 서브 픽셀을 형성하는 방법의 각 단계에서의 기판 단면 예시도이다.
도 15 내지 도 17은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 서브 픽셀을 형성하는 방법의 각 단계에서의 기판 단면 예시도이다.
도 18은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 기능층의 구조의 예시도이다.

이하, 본 발명의 실시예의 목적, 기술안 및 이점을 보다 명확하도록 하기 위하여, 본 발명의 실시예의 도면을 참조하여 본 발명의 실시예의 기술안을 명확하고 완전하게 설명한다. 물론, 이하 설명되는 실시예는 본 발명의 일부 실시예에 불과할 뿐 본 발명의 실시예 전부를 가리키는 것은 아니다. 본 발명의 실시예에 기초하여, 당업자는 창조적인 노력이 없이 획득되는 기타 다른 실시예는 전부 본 발명의 보호 범위에 속한다.

특별히 정의하지 않는 한, 여기에서 사용되는 기술 용어 또는 과학 용어는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 이해할 수 있는 일반적인 의미임을 이해해야 한다. 본 발명의 명세서 및 청구범위에서 사용되는 "제1", "제2" 및 이와 유사한 단어는 순서, 수량 또는 중요성을 표시하지 아니하고, 단지 상이한 구성 요소를 구별하기 위해 사용된다. "포함" 또는 "함유" 등과 같은 단어는 "포함" 또는 "함유" 앞에 나타나는 요소 또는 부품은 "포함" 또는 "함유" 뒤에 나열되는 요소 또는 항목 및 이의 등가물을 포괄하며, 기타 다른 구성 요소 또는 부품을 배제하지 않음을 의미한다. "연결" 또는 "연접" 등 유사한 단어는 물리적 또는 기계적 연결에 한정되지 않고 직접적 또는 간접적인 연결과 무관하게 전기적인 연결을 포함할 수 있다. "상", "하", "좌", "우" 등은 상대적인 위치 관계만을 표시하기 위한 것으로, 설명 대상의 절대적인 위치가 변경되었다고 설명되었을 경우, 이에 따라 상대적인 위치 관계도 변경될 수 있다.

통상적으로, 유기 발광 다이오드(OLED)는 하부 발광형 디바이스, 상부 발광형 디바이스 및 양(兩)면 발광형 디바이스를 포함한다. 유기 발광 다이오드의 발광 소자는, 일반적으로 캐소드, 애노드 및 양자 사이에 배치되는 유기 발광 기능층을 포함한다. 캐소드의 재료가 투명 또는 반투명 전도성 재료이고 애노드가 반사성 금속인 경우, OLED는 상부 발광 디바이스(top emission device)이고 기판은 투명, 반투명 또는 불투명 기판일 수 있다.

마이크로 OLED는 일종의 실리콘계 디스플레이일 수 있다. 실리콘계 디바이스의 우수한 전기적 특성과 극히 미세한 디바이스 크기로 인해 고 집적화(integrating)를 실현하는데 유리하다. 통상적으로, 반사성 금속을 비롯한 양극은 실리콘계 마이크로 OLED의 제조 과정에서 패널 제조사에서 제조되고, 반사성 금속의 하부에 위치하는 부분은 실리콘 웨이퍼 제조사에서 제조한다. 그러나, 반사성 금속을 제조할 때, 패널 제조사에서는 식각 공정을 통하여 반사성 금속의 패턴을 정밀하게 제어하기 어려우므로, 실리콘계 마이크로 OLED의 제조 비용 및 난이도가 증가할 뿐만 아니라 빛의 밝기에도 영향을 주게 된다.

본 발명의 실시예는 표시장치를 제공한다. 상기 표시장치는, 베이스 기판, 표시영역 및 상기 표시영역을 둘러싸는 주변영역을 포함한다. 여기서, 표시영역은 상기 베이스 기판 상에 위치하는 복수의 서브 픽셀을 포함한다. 각 서브 픽셀은 제1 반사 전극 및 발광 소자를 포함한다. 상기 발광 소자는 상기 제1 반사 전극 상에 위치한다. 상기 발광 소자는 제1 반사 전극 상에 순차적으로 라미네이팅되는 제1 전극층, 유기 발광 기능층 및 제2 전극층을 포함한다. 상기 제1 전극층은 투명한 전극층이다. 상기 유기 발광 기능층은, 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층, 정공 주입층 및 정공 수송층을 포함한다. 상기 표시영역은 절연층, 픽셀회로 및 스토리지 커패시터를 더 포함한다. 상기 절연층은 제1 반사 전극과 상기 제1 전극층 사이에 위치한다. 상기 절연층은 상기 유기 발광 기능층에 의해 발광되는 빛이 투과되고 제1 반사 전극에 도달하여 제1 반사 전극에 의해 반사되도록 투광성을 구비한다. 상기 픽셀회로는 상기 베이스 기판 상에 위치하고 구동 트랜지스터를 포함한다. 상기 구동 트랜지스터는 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다. 상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나와 제1 반사 전극은 서로 전기적으로 연결된다. 상기 반도체층은 상기 베이스 기판에 위치한다. 상기 스토리지 커패시터는 상기 베이스 기판 상에 위치하고, 저장데이터 신호를 저장하도록 구성된다. 본 실시예에 있어서, 상기 주변영역은 상기 베이스 기판 상에 위치하는 복수의 제2 반사 전극; 및 상기 베이스 기판과 떨어진 상기 복수의 제2 반사 전극의 일 측에 설치되는 차광층을 포함한다.

본 실시예에 따른 표시장치는, 절연층을 이용하여 제1 반사 전극과 제1 전극층을 서로 이격시킨다. 이리하여, 제1 반사 전극을 웨이퍼 제조사에서 제조된 구동기판에 집적화시킬 수 있으므로, 제1 반사 전극의 제조 비용 및 제조 난이도를 저감할 뿐만아니라, 표시장치의 높은 출사광의 휘도 및 높은 발광 효율을 확보할 수 있다. 본 명세서에서, "구동기판"은 표시장치 중 제1 전극층의 하방（제1 전극층을 포함하지 않음）에 위치하는 적층 구조를 의미하고, 해당 적층 구조는 구동 트랜지스터와 같은 픽셀회로를 포함하므로, 구동발광 소자의 발광을 구동할 수 있다.

도 1(a)은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치에서의 실리콘 웨이퍼 상의 배열 예시도이고, 웨이퍼 맵（wafer map）이다. 해당 웨이퍼 맵에는, 실리콘 웨이퍼 상에서의 표시장치의 수량 및 배열 방식을 예시적으로 도시하고 있다. 도면에 도시된 표시장치의 수량 및 배열 방식은 단지 예시적인 목적인 것으로, 본 발명의 실시예를 한정하기 위한 것이 아님을 이해하여야 한다. 도 1(b)은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치에서의 각 기능 영역의 예시도이다. 도 1(b)에 도시한 바와 같이, 표시장치는 표시영역（Active area; AA로 약칭함）, 표시영역을 둘러싸는 주변영역（Edge area; EA로 약칭함） 및 본딩영역（Bonding area; BA로 약칭함）을 포함한다. 표시영역(AA)은 어레이 방식으로 배열된 복수의 픽셀 유닛(PX)을 포함한다. 각 픽셀 유닛(PX)은 복수의 서브 픽셀(SP)을 포함한다. 예를 들어, 픽셀 유닛은 3 개, 4개, 5개 또는 이 이상의 서브 픽셀을 포함할 수 있으며, 이는 실제 응용 환경에 따라서 설계되어 확정될 수 있으나, 여기서는 특별히 한정하지 아니한다. 도 1(b)에 도시한 바와 같이, 표시장치는 본딩영역(BA)에 위치하는 복수의 본딩 패드(bonding pad)를 더 포함할 수 있으며, 본딩 패드는 표시장치에 신호의 입력 또는 출력을 하기 위한 통로를 제공하기 위한 것이다. 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 단면 예시도이다. 예를 들어, 도 7에 도시한 바와 같이, 표시장치는 3개의 서브 픽셀, 즉 레드 서브 픽셀(SP1), 그린 서브 픽셀(SP2) 및 블루 서브 픽셀(SP3)을 포함할 수 있다. 표시장치에서의 서브 픽셀의 컬러는 예시적인 것으로, 블루, 화이트 등과 같은 기타 다른 컬러를 더 포함할 수 있다.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 표시장치에서의 서브 픽셀의 국부적인 확대 단면 예시도이다. 도 2 및 도 7에 도시한 바와 같이, 예를 들어, 각 서브 픽셀은 제1 반사 전극(106) 및 상기 제1 반사 전극(106) 상에 위치하는 발광 소자(130)를 포함하고, 발광 소자(130)는 제1 반사 전극(106) 상에 순차적으로 라미네이팅되는 제1 전극층(122), 유기 발광 기능층(124) 및 제2 전극층(126)을 포함한다.

예를 들어, 계속하여 도 2 및 도 7을 참고하면, 각 서브 픽셀은 제1 반사 전극(106)과 제1 전극층(122) 사이에 위치하는 절연층(103)을 더 포함한다. 절연층(103)은, 유기 발광 기능층(124)에서 출사하는 빛이 상기 절연층(103)을 투과하는 동시에 제1 반사 전극(106)에 도달하고 제1 반사 전극(106)에 의해 반사되도록, 투광성을 구비한다. 또한, 절연층(103)을 이용하여 제1 반사 전극(106)과 제1 전극층(122) 사이를 이격시키는 것을 통하여, 제1 반사 전극(106)을 제조할 때, 제1 반사 전극(106)을 웨이퍼 제조사에서 제조된 구동기판에 집적할 수 있으므로, 제1 반사 전극(106)의 제조 비용 및 제조 난이도를 저감할 수 있다. 그리고, 유기 발광 기능층(124)에서 출사된 빛(L)이 유기 발광 기능층(124)과 가까운 절연층(103)의 제1 면(1031)에 입사될 경우, 절연층(103)이 투광 성능을 구비하므로, 빛(L)이 절연층(103)의 제1 면(1031)을 투과할 수 있으며, 제1 반사 전극(106)과 가까운 절연층(103)의 제2 면(1032)으로부터 출사되는 동시에 제1 반사 전극(106)에 도달한다. 제1 반사 전극(106)이 반사 성능을 구비하므로, 제1 반사 전극(106)에 입사된 빛(L)은 다시 발광 소자(130)로 반사되어 최종적으로 발광 소자(130)로부터 출사한다. 본 실시예에 있어서, 절연층(103)의 투광 성능을 이용하여, 제1 반사 전극(106)에 의해 반사된 빛은 거의 손실이 없이 외부를 향해 출사되므로, 표시장치의 높은 출사광의 휘도 및 높은 발광 효율을 확보할 수 있다. 예를 들어, 제작의 편의를 위하여 3개의 서브 픽셀 중의 절연층(103)은 일체로 형성됨으로써, 제작 공정의 난이도를 저감할 수 있다.

적어도 일부의 실시예에 있어서, 절연층에는, 제1 전극층과 제1 반사 전극 사이를 전기적으로 연결시키기 위한 전도성 통로가 제공될 수 있다. 이하, 전도성 통로의 2개의 예를 설명한다.

예를 들어, 도 2에 도시한 바와 같이, 절연층(103)은 금속 부재(108)가 충전(充塡)되는 비아홀(110)을 포함하고, 제1 반사 전극(106)은 금속 부재(108)를 통하여 제1 전극층(122)과 전기적으로 연결된다. 이리하여, 절연층(103)에 제1 반사 전극(106)과 제1 전극층(122) 사이의 전도성 통로를 형성함으로써, 표시장치의 픽셀회로에 제공되는 신호를 제1 반사 전극(106)을 통하여 제1 전극층(122)에 전송하는데 유리할 수 있다. 이로부터, 발광 소자에 대한 픽셀회로의 제어를 실현하는데 유리할 뿐만 아니라, 표시장치의 구조를 더욱 콤팩트하게 할 수 있으며, 디바이스의 소형화에 유리할 수 있다. 더욱이, 예를 들어, 금속 부재(108)는 텅스텐(tungsten) 금속과 같은 금속 재료로 제작되고, 텅스텐 금속이 충전되는 비아홀을 텅스텐 비아홀（W-via）로도 칭한다. 예를 들어, 절연층(103)의 두께가 큰 경우, 절연층(103)에 텅스텐 비아홀을 형성하는 것을 통하여 전도성 통로의 안정성을 확보할 수 있다. 그리고, 텅스텐 비아홀의 제작 공정이 이미 성숙되어 있으므로, 획득한 절연층(103)의 표면 평탄도가 양호하고, 절연층(103)과 제1 전극층(122) 사이의 접촉 저항을 감소하는데 유리하다. 이해해야 할 것은, 텅스텐 비아홀은 절연층(103)과 제1 전극층(122) 사이의 전기적인 연결을 실현하는데 이용될 뿐만 아니라, 제1 반사 전극(106)과 픽셀회로 사이를 전기적으로 연결하는데 이용될 수 있으며, 또한, 배선층 사이의 전기적인 연결에도 이용될 수 있다. 제1 반사 전극(106)과 픽셀회로 사이의 전기적인 연결에 관하여, 상세하게 후술한다.

예를 들어, 도 3에 도시한 바와 같이, 절연층(203)은 제1 반사 전극(206)을 노출시키기 위한 제1 개구(210)를 포함한다. 제1 전극층(222)의 적어도 일 부분(222a)은 제1 개구(210)에 위치하고, 제1 반사 전극(206)과 전기적으로 연결된다. 도 2에 있어서, 제1 전극층(122)과 제1 반사 전극(106)은 금속 부재(108)를 통하여 전기적으로 연결되고, 양자 사이는 직접적으로 접촉되지 않는다. 도 3에 있어서, 제1 전극층(222)의 일 부분(222a)은 절연층(203)의 제1 개구(210)에 충전되고, 제1 반사 전극(206)과 서로 직접적으로 접촉되어 전기적으로 연결된다. 도 2의 경우와 비교하면, 도 3에서의 절연층(203)의 제1 개구(210)에 금속 부재를 충전할 필요가 없으므로, 제작 공정이 더욱 간단하게 된다. 그리고, 제1 전극층(222)과 제1 반사 전극(206)은 서로 직접 접촉되므로, 표시장치의 두께를 감소시켜 표시장치의 박형(薄型)화에 유리할 수 있다.

적어도 일부의 실시예에 있어서, 제1 반사 전극은 제1 전극층과 서로 절연된다, 예를 들어, 도 4에 도시한 바와 같이, 제1 반사 전극(306)은 전체적으로 절연층(303)을 통하여 제1 전극층(322)과 이격되어 제1 전극층(322)과 서로 절연된다. 다시 말해서, 제1 전극층(322)과 제1 반사 전극(306) 사이는 전기적으로 연결되어 있지 않는다. 이리하여, 제1 반사 전극(306)을 제작할 때, 종래의 표시장치의 배선층 및 픽셀회로의 위치 또는 연결 관계를 변경할 필요가 없이도 본 발명의 목적을 실현할 수 있다. 이 경우, 구동 트랜지스터(T1)를 비롯한 픽셀회로는, 비아홀(310)을 통하여 제1 전극층(322)과 전기적으로 연결됨으로써, 발광 소자의 발광을 제어할 수 있다.

예를 들어, 도 2에 도시한 바와 같이, 표시장치는 적어도 하나의 배선층(M1)을 더 포함할 수 있다. 적어도 하나의 배선층(M1)은 제1 반사 전극(106)과 베이스 기판(100) 사이에 위치한다. 예를 들어, 배선층(M1)은 금속층（음영 부분）을 포함하고, 게이트 전극 연결부(102g), 소스 전극 연결부(102s) 및 드레인 전극 연결부(102d)는 상기 동일(同一)한 금속층에 위치한다.

예를 들어, 도 2에 도시한 바와 같이, 제1 반사 전극(106)도 금속층(105)을 포함할 수 있다. 상기 금속층(105)의 재료는, 예를 들어 알루미늄 또는 알루미늄 합금일 수 있고, 예를 들어 알루미늄 동 합금일 수도 있다. 알루미늄 또는 알루미늄 동합금의 저항이 작고 반사율이 높으므로, 표시장치의 출사광의 휘도 및 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 금속층(105)의 두께는 10 nm 내지 1000 nm 사이일 수 있다. 금속층(105)의 두께가 너무 작으면, 반사 효과가 현저하지 않고, 두께가 너무 크면, 패널의 전체 두께가 커질 수 있다. 제1 반사 전극(106)은 표시장치의 배선층(M2)으로 볼 수 있다. 도 2에 도시한 바와 같이, 표시장치가 복수의 배선층을 포함할 경우, 제1 반사 전극(106)이 위치되는 배선층(M2)이 최상층의 배선층이 되므로, 제1 반사 전극(106)의 제작 공정을 간단하게 할 수 있게 되어 표시장치의 저부층의 프레임을 파괴할 필요가 없다.

예를 들어, 도 2에 도시한 바와 같이, 제1 반사 전극(106)은 적어도 하나의 보호층(104)을 더 포함할 수 있다. 상기 보호층(104)은 금속층(105)과 적층되어 설치되고, 베이스 기판(100)과 가까운 금속층(105)의 일 측에 위치한다. 다시 말해서, 보호층(104)은 베이스 기판(100)과 가까운 금속층(105)의 표면에 위치한다. 이리하여, 보호층(104)은 금속층(105)이 산화되는 것을 피할 수 있다. 예를 들어, 보호층(104)의 재료는 전도성 재료이고, 예를 들어 질화 티탄（TiN）일 수 있다. 제1 전극층(122)과 가까운 금속층(105)의 표면에는 보호층(104)이 설치되어 있지 않기 때문에, 유기 발광 기능층(124)에서 발사되고 제1 전극층(122) 및 절연층(103)을 투과한 빛이 직접 금속층(105)의 표면에 입사되므로, 경계면에서의 빛의 손실을 감소시켜 광 반사 효율 및 표시장치의 출사광의 휘도를 향상시킬 수 있다.

본 발명의 실시예에 있어서, 보호층(104)의 설치 방식 및 수량은 도2에 도시된 경우에 국한되지 않는다. 제1 반사 전극에는 보호층이 설치되지 않을 수 있다. 예를 들어, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 제1 반사 전극(106, 306)은 어떠한 보호층을 포함하지 않고, 금속층 만을 포함할 수 있다. 한 층의 보호층이 설치되는 경우, 보호층은 금속층의 한 쪽에만 설치될 수 있다. 예를 들어, 보호층은 베이스 기판(100)과 가까운 금속층(105)의 일 측（도 2에 도시됨）에만 설치되거나, 베이스 기판(100)과 떨어진 금속층(105)의 일 측（미도시）에만 설치될 수 있다. 두 층의 보호층이 설치되는 경우, 보호층은 금속층의 양 측에 설치될 수 있다. 예를 들어, 도 5에 도시한 바와 같이, 제1 반사 전극(406)은 두 개의 보호층(404) 및 양자 사이에 위치하는 금속층(405)을 포함할 수 있다. 두 개의 보호층(404)은 각각 베이스 기판(400)과 가까운 금속층(405)의 일 측 및 베이스 기판(400)과 떨어진 금속층(405)의 일 측에 설치되 수 있다. 이 경우, 절연층(403)은 비아홀(410) 및 상기 비아홀(410)에 위치하는 금속 부재(408)를 포함할 수 있다. 제1 전극층(422)은 금속 부재(408)를 통하여 두 개의 보호층(404) 및 금속층(405)을 포함하는 제1 반사 전극(406)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이해해야 할 것은, 상기의 보호층은 기타 배선층에 응용(적용)될 수도 있다. 예를 들어, 도 2에 도시한 바와 같이, 게이트 전극 연결부(102g), 소스 전극 연결부(102s) 및 드레인 전극 연결부(102d)의 각각의 상하 양 측(양면)에는 모두 보호층이 설치되어 있고, 이리하여, 이러한 전극 연결부가 산화되는 것을 효과적으로 방지할 수 있으므로 전도 성능을 향상시킬 수 있다.

예를 들어, 도 7에 도시한 바와 같이, 절연층(103)은 본딩 패드(112)를 노출시키기 위한 제2 개구(114)를 더 포함할 수 있다. 상기 제2 개구(114)를 설치하는 것을 통하여, 본딩 패드(112)와 외부 회로 사이의 전기적인 연결 및 신호 전송에 유리할 수 있다. 도 7의 표시장치는 도 2에 도시한 서브 픽셀 구조를 사용하고, 또한 이해해야 할 것은, 도 3 내지 도 5에 도시한 서브 픽셀 구조는 모두 도 7의 표시장치에 적용될 수 있으므로, 여기서는 중복되는 설명을 생략한다.

적어도 일부의 실시예에 있어서, 제1 전극층과 제1 반사 전극 사이의 상대적인 위치 관계는 실제 수요에 근거하여 확정될 수 있다. 예를 들어, 도 2 및 도 6(a)에 도시한 바와 같이, 베이스 기판(100)이 위치하는 평면 상에서의 제1 전극층(122)의 정투영은 베이스 기판(100)이 위치하는 평면 상에서의 제1 반사 전극(106)의 정투영에 위치한다. 다시 말해서, 제1 전극층(122)의 정투영의 면적은 제1 반사 전극(106)의 정투영의 면적보다 작다. 이리하여, 제1 전극층(122)을 투과한 빛은 거의 전부가 제1 반사 전극(106)에 입사되고 반사되므로, 표시장치의 발광 효율 및 출사광의 휘도를 향상시킬 수 있다. 이해해야 할 것은, 제1 전극층 및 제1 반사 전극의 설치 방식은 도 2 및 도 6(a)에 도시된 경우에 한정되지 아니하며, 이와 반대일 경우에도 가능하다. 예를 들어, 도 3에 도시한 바와 같이, 베이스 기판(100)이 위치하는 평면 상에서의 제1 반사 전극(206)의 정투영은 베이스 기판(200)이 위치하는 평면 상에서의 제1 전극층(222)의 정투영에 위치한다. 다른 예를 들어, 도 4 및 도 6(b)에 도시한 바와 같이, 베이스 기판(300)이 위치하는 평면 상에서의 제1 반사 전극(306)의 정투영은 베이스 기판(200)이 위치하는 평면 상에서의 제1 전극층(322)의 정투영과 부분적으로 중첩되고, 이러한 위치 관계는 종래의 표시장치에서의 배선층과 구동 트랜지스터의 전기적인 연결 관계를 변경할 수 있으므로, 제1 반사 전극(306)의 제작 공정이 간단하게 될 수 있다.

적어도 일부의 실시예에 있어서, 제1 반사 전극의 형상은 도 6(a) 및 도 6(b)에 도시한 직사각형에 한정되지 않고, 기타 다른 규칙적인 형상일 수 있다. 제1 반사 전극의 형상은, 예를 들어 원형, 타원형, 평행사각형, 정다변형 및 제형 등일 수 있다. 또는, 제1 반사 전극은, 예를 들어 폴리라인(polyline) 형상, 만곡 형상, 벌집 형상 등과 같은 불규칙적인 형상도 가질 수 있다. 예를 들어, 도 9(a)의 제1 반사 전극(306)은 벌집 형상을 가진다. 베이스 기판에 평행되는 평면 내에서, 제1 전극층의 형상은 제1 반사 전극의 형상과 동일하거나 상이할 수 있다. 예를 들어, 도 6(a)에 도시한 바와 같이, 베이스 기판(100)에 평행되는 평면 내에서, 제1 반사 전극(106)의 형상은 제1 전극층(122)의 형상과 동일할 수 있다. 이리하여, 제1 반사 전극(106)에 의한 반사는 출사광의 휘도(brightness)를 더욱 균일해지는 것을 확보할 수 있다. 다른 예를 들어, 제1 전극층의 형상은 원형이고, 제1 반사 전극의 형상은 직사각형일 수 있다. 더욱이, 이 경우, 베이스 기판이 위치하는 평면 상에서의 원형의 제1 전극층의 정투영은 베이스 기판이 위치하는 평면 상에서의 직사각형의 제1 반사 전극의 정투영 내에 위치한다. 이리하여, 원형의 제1 전극층을 투과한 빛은 거의 전부가 직사각형의 제1 반사 전극에 입사되고 반사되므로, 표시장치의 발광 효율 및 출사광의 휘도를 향상시킬 수 있다.

적어도 일부의 실시예에 있어서, 유기 발광 기능층은 발광층을 포함하고, 또한 정공 주입층, 전자 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 저지층 및 정공 저지층 중 하나 또는 복수의 필름 층으로 구성된 다층 구조를 포함할 수 있다. 도 18은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 기능층의 구조의 예시도이다. 예를 들어, 도 18에 도시한 바와 같이, 유기 발광 기능층(124)은 위로부터 아래로 순차적으로 전자 주입층(EIL), 전자 수송층(ETL), 발광층(OL), 정공 주입층(HTL) 및 정공 수송층(HIL)을 포함하고, 이러한 층은 당해 분야의 알려진 재료 및 구조를 사용할 수 있으므로, 여기서는 이의 상세한 설명을 생략한다. 유기 발광 기능층(124)은 유기 재료로 제작될 수 있다. 도 2에 도시한 바와 같이, 제1 전극층(122) 및 제2 전극층(126)의 전압 구동 하에서, 유기 재료의 발광 특성을 이용하여 요구하는 그레이 스케일(gray scale)로 발광할 수 있다.

적어도 일부의 실시예에 있어서, 각 서브 픽셀은 구동 트랜지스터를 구비하는 픽셀회로를 더 포함할 수 있다. 도 8(a)은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 회로 예시도이다. 도 8(b)은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 국부적인 회로 예시도이다. 예를 들어, 도 8(a)에 도시한 바와 같이, 표시영역(AA)에서, 각 서브 픽셀(SP)은 하나의 발광 소자(X) 및 상기 발광 소자(X)와 연결되는 하나의 픽셀회로(10)를 포함한다. 도 8(b)에 도시한 바와 같이, 각 픽셀회로(10)는 구동 트랜지스터(M0)를 포함한다. 발광 소자(X)는 예를 들어 OLED를 포함한다. 이러한 OLED의 캐소드는 구동 트랜지스터(M0)의 제2 단(D)과 전기적으로 연결되고, OLED의 애노드는 제2 전원단(VSS)과 전기적으로 연결된다. 제2 전원단(VSS)의 전압은 일반적으로 네거티브(negative) 전압 또는 접지 전압(VGND; 예를 들어 0V임）이다. 구동 트랜지스터(M0)는 N형 트랜지스터일 수 있고, 전류가 이의 제1 단(S)에서 제2 단(D)으로 흐를 경우, 제1 단(S)을 이의 소스 전극으로 하고, 제2 단(D)을 이의 드레인 전극으로 할 수 있다. 전류가 이의 제2 단(D)에서 제1 단(S)으로 흐를 경우, 제2 단(D)을 이의 소스 전극으로 하고, 제1 단(S)을 이의 드레인 전극으로 할 수 있다.

예를 들어, 도 2 및 도 7에 도시한 바와 같이, 각 서브 픽셀에서의 구동 트랜지스터(T1)는 소스 전극(S), 드레인 전극(D) 및 반도체층（소스 전극(S)과 드레인 전극(D) 사이에 위치하는 부분）을 포함하고, 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D) 중의 하나와 제1 반사 전극(106)은 서로 전기적으로 연결된다. 반도체층은 베이스 기판에 위치하고, 상기 반도체층은 예를 들어 소스 전극(S)과 드레인 전극(D) 사이에 형성되는 채널 영역이다. 예를 들어, 도 2에 도시한 바와 같이, 구동 트랜지스터(T1)는 게이트 전극(G), 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)을 포함한다. 상기의 3개의 전극은 각각 3개의 전극 연결부에 대응된다. 예를 들어, 게이트 전극(G)은 게이트 전극 연결부(102g)에 전기적으로 연결되고, 소스 전극(S)은 소스 전극 연결부(102s)에 전기적으로 연결되며, 드레인 전극(D)은 드레인 전극 연결부(102d)에 전기적으로 연결된다. 구동 트랜지스터(T1)의 드레인 전극(D)은, 드레인 전극 연결부(102d)를 통하여 제1 반사 전극(106)에 전기적으로 연결된다. 구동 트랜지스터(T1)가 온 상태에 있는 경우, 전원선으로부터 제공하는 전원 신호(VDD)는 구동 트랜지스터(T1)의 드레인 전극(S), 드레인 전극 연결부(102d) 및 제1 반사 전극(106)을 경유하여 제1 전극층(122)에 전송될 수 있다. 제2 전극층(126)과 제1 전극층(122) 사이에 전압차가 형성되므로 양자 사이에 전기장이 형성되고, 유기 발광 기능층(124)은 해당 전기장의 작용 하에서 발광하게 된다.

적어도 일부의 실시예에 있어서, 각 서브 픽셀은 베이스 기판 상에 위치하는 스토리지 커패시터(storage capacitors)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 8(b)에 도시한 바와 같이, 각 서브 픽셀은 베이스 기판 상에 위치하는 스토리지 커패시터(Cst)를 더 포함하고, 상기 스토리지 커패시터(Cst)는 데이터 신호를 저장하도록 구성된다. 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 단은 구동 트랜지스터(M0)의 게이트 전극(G)과 연결되고, 스토리지 커패시터(Cst)의 제2 단은 접지단(GND)과 연결된다. 이리하여, 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G)은 스토리지 커패시터(Cst)를 통하여 높은 그레이 스케일 또는 낮은 그레이 스케일의 데이터 신호를 저장할 수 있다.

적어도 일부의 실시예에 있어서, 주변영역은, 베이스 기판 상에 위치하는 복수의 제2 반사 전극, 및 베이스 기판과 떨어진 상기 복수의 제2 반사 전극의일 측에 설치되는 차광층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 7에 도시한 바와 같이, 주변영역(EA)에는 제2 반사 전극(216)이 설치되고, 상기 제2 반사 전극(216)은 제1 반사 전극(106)과 동일한 구조를 가진다. 상기 제2 반사 전극(216)은, 예를 들어 금속층(215) 및 보호층(214)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 금속층(215)과 금속층(105)은 동일 층에 설치되고, 보호층(214)과 보호층(104)은 동일 층에 설치되므로써, 제작 공정을 간단화하는데 유리하다. 베이스 기판(100)과 떨어진 제2 반사 전극(216)의 일 측에는 차광층(240)이 설치되고, 상기 차광층(240)은 제2 반사 전극(216)에 의해 반사되는 광선을 차폐하고 표시영역(AA)에서 주변영역(EA)을 향해 누광되는 것을 저감시키기 위한 것이다. 예를 들어, 상기 차광층(240)은 적어도 2개 종류의 컬러의 컬러 필터층의 적층 구조를 포함한다. 예를 들어, 차광층(240)은 적층 설치되는 레드 컬러 필터층(218) 및 그린 컬러 필터층(220)을 포함할 수 있다. 기타 실시예에 있어서, 2개 종류의 컬러의 컬러 필터층의 적층 구조를 이용할 수도 있다. 다른 예를 들어, 차광층은 블랙매트릭스층을 포함하고, 상기 블랙매트릭스층은 블랙 수지 재료를 포함하여 차광 효과를 실현할 수 있다. 차광층의 컬러 필터층을 제작할 때, 표시영역(AA)의 동일한 컬러를 가지는 컬러 필터층과 함께 동일(同一)한 공정 단계에서 완성할 수 있으므로, 제작 공정의 단계를 감소시킬 수 있다.

예를 들어, 도 7에 도시한 바와 같이, 표시장치는 표시영역(AA)에 설치되는 제1 봉지층(132), 컬러 필터층(134), 제2 봉지층(136) 및 커버 플레이트(138)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 봉지층(132)는 베이스 기판(100)과 떨어진 제2 전극층(126)의 일 측에 위치한다. 컬러 필터층(134)은 베이스 기판(100)과 떨어진 제1 봉지층(132)의 일 측에 위치하고, 레드 컬러 필터층(R), 그린 컬러 필터층(G) 및 블루 컬러 필터층(B)을 포함할 수 있다. 제2 봉지층(136) 및 커버 플레이트(138)는 베이스 기판(100)과 떨어진 컬러 필터층(134)의 일 측에 위치한다. 제1 봉지층(132), 컬러 필터층(134), 제2 봉지층(136) 및 커버 플레이트(138)의 구체적인 재료는 당해 분야의 상규적인 재료를 사용할 수 있으므로, 여기서는 이의 상세한 설명을 생략한다. 예를 들어, 주변영역(EA)에는 상기 차광층(240)을 덮기 위한 봉지층(236) 및 커버 플레이트(238)가 더 설치될 수 있다. 예를 들어, 봉지층(236)과 제2 봉지층(136)은 동일한 재료를 사용하고, 또한 동일한 공정 단계에서 제작되어 완성될 수 있다. 커버 플레이트(238)와 커버 플레이트(138)는 동일한 재료를 사용하고, 또한 동일한 공정 단계에서 제작되어 완성될 수 있다. 이리하여, 제작 공정의 단계를 감소시킬 수 있다.

도 9(a)는 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 구조의 예시도이다. 도 9(b)는 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 단면 예시도이다. 예를 들어, 도 9(a) 및 도 9(b)에 도시한 바와 같이, 표시장치는 표시영역(AA)에 위치하는 제1 반사 전극 패턴을 포함하고, 상기 제1 반사 전극 패턴은 서로 이격되어 있는 복수의 제1 반사 전극(306)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 주변영역(EA)은 센서영역(30)을 포함하고, 상기 표시장치는 센서영역(30)에 위치하는 복수의 제2 반사 전극 패턴을 더 포함하고, 상기 제2 반사 전극 패턴은 서로 이격되어 있는 복수의 제2 반사 전극(307)을 포함 할 수 있다.

적어도 일부의 실시예에 있어서, 주변영역은 베이스 기판 상에 위치하는 복수의 제3 반사 전극을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 9(a) 및 도 9(b)에 도시한 바와 같이, 주변영역(EA)은 연결전극영역(50)을 더 포함하고, 표시장치는 연결전극영역(50)에 위치하는 제3 반사 전극 패턴을 더 포함하고, 상기 제3 반사 전극 패턴은 서로 이격되어 있는 복수의 제3 반사 전극(308)을 포함할 수 있다.

적어도 일부의 실시예에 있어서, 제1 반사 전극 패턴의 패턴 밀도는 제2 반사 전극 패턴의 패턴 밀도 및 / 또는 제3 반사 전극 패턴의 패턴 밀도와 동일하다. 도 9(a)에 도시한 바와 같이, 복수의 제1 반사 전극(306)의 패턴 밀도는 복수의 제2 반사 전극(307)의 패턴 밀도와 동일하고, 또는, 복수의 제1 반사 전극(306)의 패턴 밀도는 복수의 제3 반사 전극(308)의 패턴 밀도와 동일하며, 또는, 복수의 제1 반사 전극(306)의 패턴 밀도, 복수의 제2 반사 전극(307)의 패턴 밀도 및 복수의 제3 반사 전극(308)의 패턴 밀도는 서로 모두 동일할 수 있다. 이리하여, 전도층(conductive layer)을 식각하는 과정에서 발생하는 오버 에칭의 현상을 피할 수 있다. 본 출원인은, 전도층을 식각하는 과정에서, 표시장치의 표시영역에 반사 전극 패턴을 형성할 필요가 있고, 상기 유기 발광 다이오드 표시장치의 주변영역의 전도층의 부분이 완전히 또는 부분적으로 제거되어야 하며, 표시영역 및 주변영역의 패턴 밀도가 상이하므로, 동일(同一)한 건식 식각 공정 하에서, 단위 면적 내의 표시영역 및 주변영역이 식각되어 제거되는 전도성 재료의 양의 차이가 큰 것을 발견하였다. 건식 식각 공정의 선택성이 우수하지 않으므로, 최종적으로 형성되는 제1 전극 패턴의 공정 필름이 두껍고, 사이즈의 균일성의 관리가 어렵게 되는 일 방면, 제1 전극 패턴 하방의 절연층이 오버 에칭되는 현상이 쉽게 발생할 수 있다. 본 실시예에 있어서, 제2 반사 전극 패턴 및 제3 반사 전극 패턴 중 적어도 하나의 패턴 밀도를 제1 반사 전극 패턴의 패턴 밀도와 동일하게 함으로써, 오버 에칭되는 현상이 발생되는 것을 피할 수 있으므로, 식각의 균일성을 향상시킬 수 있다.

적어도 일부의 실시예에 있어서, 주변영역은 베이스 기판과 떨어진 복수의 제2 반사 전극 및 복수의 제3 반사 전극의 일 측에 설치되는 차광층을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 9(a) 및 도 9(b)에 도시한 바와 같이, 베이스 기판(100)과 떨어진 복수의 제2 반사 전극(307) 및 복수의 제3 반사 전극(308)의 일 측에는 차광층(330)이 설치되어 있다. 상기 차광층(330)은 블랙 매트릭스 층을 포함하고, 상기 블랙 매트릭스 층의 재료는 블랙 수지일 수 있다. 이리하여, 제2 반사 전극(307) 및 제3 반사 전극(308)에서 반사되는 광선을 차폐할 수 있고, 표시영역에서 주변영역을 향해 누광되는 것을 저감시킬 수 있다.

예를 들어, 도 9(a) 및 도 9(b)에 도시한 바와 같이, 주변영역(EA)은 표시영역(AA)을 둘러싸는 제1 더미영역(20; dummy area)을 더 포함하고, 상기 제1 더미영역(20) 내에는 반사 전극이 설치되어 있지 아니 한다. 예를 들어, 상기 제1 더미영역(20)에는 제1 더미 전극(22)이 설치되어 있다. 예를 들어, 상기 제1 더미영역(20)의 제1 더미 전극(22)은 표시영역(AA)의 복수의 제1 전극(322)과 동일한 층에 위치됨으로써, 제작 공정을 간단하게 할 수 있다. 표시영역(AA)에서, 인접하는 2개의 제1 전극(322) 사이는 픽셀 정의층(323)에 의해 이격된다. 예를 들어, 유기 발광 기능층(324), 제2 전극(326) 및 봉지층(327)은 모두 제1 더미영역(20)까지 연장될 수 있다.

예를 들어, 도 9(a) 및 도 9(b)에 도시한 바와 같이, 주변영역(EA)은 센서영역(30)을 둘러싸는 제2 더미영역(40)을 더 포함하고, 상기 제2 더미영역(40) 내에는 반사 전극을 설치하지 않는다. 예를 들어, 상기 제2 더미영역(40)에는 제2 더미 전극(42)이 설치되어 있다.

예를 들어, 도 9(a) 및 도 9(b)에 도시한 바와 같이, 주변영역(EA)은 연결전극영역(50)을 둘러싸는 제3 더미영역(60)을 더 포함하고, 상기 제3 더미영역(60) 내에는 반사 전극을 설치하지 않는다. 예를 들어, 상기 제3 더미영역(60)에는 제3 더미 전극(62)이 설치되어 있다.

적어도 일부의 실시예에 있어서, 표시장치의 주변영역은 전압 제어 회로를 더 포함한다. 예를 들어, 도 8(a) 및 도 8(b)에 도시한 바와 같이, 표시장치는 어레이 기판의 주변영역에 위치하는 복수의 전압 제어 회로(12)를 더 포함할 수 있고, 또한 픽셀회로(10)의 구동 트랜지스터(M0)의 제1 극은 공용하는 전압 제어 회로(12)와 연결된다. 전압 제어 회로(12)는, 리세트 제어 신호(RE)에 응답하여 초기화 신호(Vinit)를 구동 트랜지스터(M0)의 제1 극에 출력함으로써 대응되는 발광 소자(X)가 리세트되게 제어하고; 또한, 발광 제어 신호(EM)에 응답하여 제1 전원 신호(VDD)를 구동 트랜지스터(M0)의 제1 극에 출력함으로써 구동발광 소자(X)의 발광을 구동한다.

적어도 일부의 실시예에 있어서, 제1 전극층은 투명한 전극층일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극층은 투광성 재료 또는 반투광성 재료로 제작될 수 있다. 이와 동일하게, 제2 전극층도 투명한 전극층일 수 있고, 예를 들어 투광성 재료 또는 반투광성 재료로 제작될 수 있다. 투광 재료는 예를 들어 투명한 전도성 산화물이고, 인듐 주석 산화물（indium tin oxide; ITO）, 인듐 아연 산화물（indium zinc oxide; IZO）, 카드뮴 주석 산화물(cadmium tin oxide; CTO), 산화 주석（stannum dioxide; SnO₂） 및 산화 아연（zinc oxide; ZnO）등을 포함할 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제1 전극층은 ITO로 제작될 수 있다. ITO 재료는 일반적인 몰리브덴, 티타늄 금속과 비하여 높은 일함수(work function)를 가지고 있기 때문에, OLED의 양극 재료로 사용하기에 적합하고, 또한, ITO는 높은 투과율을 가지고 있기 때문에, 유기 발광 기능층에서 발사하는 빛은 거의 손실이 없이 제1 전극층을 투과함으로써, 표시장치의 발광 효율 및 출사광의 휘도를 더욱 향상시킬 수 있다. 실리콘계 소형 OLED 표시장치에서, 제1 전극층 및 제2 전극층의 어느 하나는 양극으로 사용되고, 다른 하나는 음극으로 사용될 수 있다.

적어도 일부의 실시예에 있어서, 절연층의 재료는 투광성 재료이고, 예를 들어 질화 규소(SiN_x), 산화 규소(SiO_x), 산화 알루미늄(Al₂O₃) 및 질화 알루미늄(AlN) 또는 기타 적절한 재료 등을 포함한다. 예를 들어, 절연층은 단일 층일 수 있고, 복수 층일 수도 있다.

적어도 일부의 실시예에 있어서, 베이스 기판은 실리콘계 기판일 수 있다. 실리콘계 기판의 제작 공정이 성숙되고 성능이 안정되어 있으므로, 고 집적도(integration density)를 구비한 소형 표시장치를 제작하는데 적용될 수 있다. 예를 들어, 표시장치는 실리콘계 소형 유기발광다이오드 표시장치이다.

본 실시예의 표시장치는, 제1 전극층(122), 유기 발광 기능층(124) 및 제2 전극층(126)을 포함하는 발광 소자, 제1 봉지층(132), 컬러 필터층(134), 제2 봉지층(136) 및 커버 플레이트(138)는 모두 패널 제조사에서 제작되고, 또한, 본딩 패드(112) 상방의 절연층(103)도 패널 제조사에서 식각을 완성하는 것을 통하여, 본딩 패드를 노출시키고, 상기 본딩 패드를 플렉시블 회로 기판 본딩（FPC bonding） 또는 와이어 본딩（Wire bonding）과 제작할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 표시장치를 사용함으로써, 웨이퍼 제조사에서 제1 반사 전극(106) 및 절연층(103)을 제작할 수 있고, 발광 소자의 형성에 적합한 구동기판을 제조할 수 있으므로, 제1 반사 전극의 제조 난이도를 저감할 뿐만 아니라, 패널 제조사의 후속적인 공정 제조에도 유리하게 된다.

본 발명의 다른 실시예는 표시장치의 제조방법을 제공한다. 상기 표시장치는 표시영역 및 상기 표시영역을 둘러싸는 주변영역을 포함한다. 상기 제조방법은, 베이스 기판을 제공하는 단계; 상기 표시영역에 위치하는 복수의 서브 픽셀을 상기 베이스 기판 상에 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 서브 픽셀을 형성하는 단계는, 제1 반사 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 반사 전극 상에 발광 소자를 형성하는 단계, -상기 발광 소자는 상기 제1 반사 전극 상에 순차적으로 라미네이팅되는 제1 전극층, 유기 발광 기능층 및 제2 전극층을 포함하고, 상기 제1 전극층은 투명한 전극층이고, 상기 유기 발광 기능층은 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층, 정공 주입층 및 정공 수송층을 포함하고; 상기 제1 반사 전극과 상기 제1 전극층 사이에 절연층을 형성하는 단계, -상기 절연층은 상기 유기 발광 기능층에서 출사하는 빛이 상기 절연층을 투과하고 상기 제1 반사 전극에 도달하여 상기 제1 반사 전극에 의해 반사되도록 투광성을 가지고-; 상기 베이스 기판 상에 구동 트랜지스터를 포함하는 픽셀회로를 형성하는 단계, -상기 구동 트랜지스터는 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나와 상기 제1 반사 전극은 서로 전기적으로 연결되며, 상기 반도체층은 상기 베이스 기판에 위치하고-; 및 데이터 신호를 저장하도록 구성된 스토리지 커패시터를 상기 베이스 기판 상에 형성하는 단계; 를 포함한다. 상기 제조방법은, 상기 주변영역에 복수의 제2 반사 전극을 형성하는 단계; 및 상기 베이스 기판과 떨어진 상기 복수의 반사 전극의 일 측에 차광층을 형성하는 단계를 더 포함한다.

본 실시예에 있어서, 제1 전극층, 발광 소자, 제2 전극층, 절연층, 제1 반사 전극, 제2 반사 전극, 픽셀회로 및 스토리지 커패시터의 설치 방식, 구체적인 구조 또는 재료는 상기의 실시예의 내용을 참고할 수 있으므로, 여기서는 중복되는 설명을 생략한다.

종래의 표시장치의 제작방법에 있어서, 반사성 금속은 통상적으로 패널 제조사에서 그의 제작이 완성되므로 공정 제작의 난이도 및 비용이 증가하게 된다. 본 실시예에 있어서, 제1 반사 전극과 제1 전극층은 절연층을 통하여 이격되므로, 표시장치의 제1 반사 전극 및 절연층을 비롯한 적층 구조를 웨이퍼 제조사에서 독립적으로 제작할 수 있게 되고, 또한 상기 적층 구조는 발광 소자의 제작에 적합한 표면을 구비하고 있기 때문에, 제1 반사 전극의 제작 난이도를 저감시키는 동시에 표시장치의 높은 발광 효율 및 높은 출사광의 휘도를 확보할 수 있다.

도 10에 도시한 바와 같이, 본 발명의 다른 일 실시예는 서브 픽셀을 형성하는 방법을 제공한다. 상기 방법은 다음과 같은 단계를 포함한다.

단계(S1): 베이스 기판을 제공하고;

단계(S2): 상기 베이스 기판 상에 광반사층 및 절연층을 형성하며; 및

단계(S3): 상기 절연층 상에 발광 소자를 형성하고, 상기 발광 소자는 상기 광반사층 상에 순차적으로 라미네이팅되는 제1 전극층, 발광층 및 제2 전극층을 포함하고, 제1 전극층은 투명한 전극층이다. 여기서, 상기 절연층은, 상기 발광층에서 발사된 빛이 상기 절연층을 투과하고 상기 광반사층에 도달하여 상기 광반사층에 의해 반사되도록, 투광성을 구비한다.

예를 들어, 본 발명의 실시예는 도 2에 도시된 표시장치의 서브 픽셀을 형성하는 방법을 제공한다. 상기 방법은 다음과 같은 단계를 포함한다.

단계(101): 베이스 기판(100)을 제공하고, 상기 베이스 기판(100) 상에 제1 반사 전극(106) 및 절연층(103)을 형성한다.

예를 들어, 베이스 기판(100)상에 1 반사 전극(106)을 형성한다. 예를 들어, 상기 제1 반사 전극(106)은 금속층(105) 및 보호층(104)을 포함한다. 금속층(105) 및 보호층(104)은 패턴화를 이용한 공정을 통하여 형성될 수 있다. 본 발명의 실시예에 있어서, 패턴화 공정은, 포토에칭(photoetching) 공정을 포함할 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 포토에칭 공정은, 프리패터닝(pre-patterning)하는 재료 상에 포토레지스트를 도포하는 단계; 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트를 노광시키는 단계; 포토레지스트를 현상시킴으로써 부분적인 포토레지스트를 제거하는 단계; 일부분이 프리패터닝된 재료를 식각시키는 단계; 및 나머지 포토레지스트를 박리시키는 단계를 포함할 수 있다. 그 다음, 제1 반사 전극(106) 상에 절연층(103)을 형성한다. 예를 들어, 절연층(103)을 형성하는 단계는, 도 11에 도시한 바와 같이, 절연층(103)에 비아홀(110)을 형성하는 단계; 및 도 12에 도시한 바와 같이, 비아홀(110)에 금속 부재(108)를 충전시키는 단계를 포함한다. 이를 통하여, 발광 소자의 형성에 적합한 제1 면(1031)을 구비하는 구동기판을 형성할 수 있다. 이해해야 할 것은, 제1 반사 전극 및 절연층을 제외하고, 베이스 기판 상에 픽셀회로 등과 같은 기타 다른 소자도 형성할 필요가 있지만, 여기서는 이의 구체적인 제조 과정에 대하여 상세하게 설명하지 않는다.

단계(102): 절연층(103)의 제1 면(1031) 상에 제1 전극층(122)을 형성한다.

예를 들어, 도 13에 도시한 바와 같이, 베이스 기판(100)과 떨어진 절연층(103)의 일 측에 제1 전극 재료(150)를 형성하고; 그 다음, 도 14에 도시한 바와 같이 제1 전극 재료(150)를 패턴화시킴으로써 제1 전극층(122)을 형성한다. 제1 전극층(122)은 비아홀(110)을 덮는 동시에 금속 부재(108)와 접촉하고, 제1 전극층(122)은 금속 부재(108)를 통하여 제1 반사 전극(106)과 전기적으로 연결된다.

단계(103): 도 2에 도시한 바와 같이, 베이스 기판(100)과 떨어진 제1 전극층(122)의 일 측에 순차적으로 유기 발광 기능층(124) 및 제2 전극층(126)을 형성한다.

본 실시예의 제조방법에 있어서, 단계(101)는 웨이퍼 제조사에서 수행하는 것을 통하여 구동기판을 획득할 수 있고, 상기 구동기판은 발광 소자의 형성에 적합한 제1 면(1031)을 구비한다. 이어서, 단계(102) 및 단계 (103)는 패널 제조사에서 수행되고, 패널 제조사에서는 단계(101)에서 획득한 구동기판 상에 계속하여 발광 소자를 제작하고 패키징함으로써, 최종적인 표시장치를 제조할 수 있다. 종래의 표시장치의 제조방법에 비하여, 제1 반사 전극은 웨이퍼 제조사에서 제조될 수 있으므로, 제1 반사 전극의 제작 난이도 및 제작 비용을 절감시킬 뿐만 아니라, 표시장치의 높은 발광 효율을 확보할 수 있다.

예를 들어, 본 발명의 또 다른 실시예는 도3에 도시된 서브 픽셀을 형성하는 방법을 제공한다. 상기 방법은 다음과 같은 단계를 포함한다.

단계(201): 도 15에 도시한 바와 같이, 베이스 기판(100)을 제공하고, 베이스 기판(200) 상에 제1 반사 전극(206) 및 절연층(203)을 형성한다.

예를 들어, 픽셀회로가 형성되어 있는 베이스 기판(200) 상에 제1 반사 전극(206)을 형성한다. 예를 들어, 상기 제1 반사 전극(106)은 금속층 만을 포함할 수 있다. 이어서, 제1 반사 전극(206) 상에 절연층(203)을 형성한다. 예를 들어, 절연층(203)을 형성하는 단계는, 절연층(203)에 제1 반사 전극(206)을 노출시키기 위한 제1 개구(210)를 형성하는 단계를 포함한다. 도 15에 도시한 바와 같이, 베이스 기판(200)과 떨어진 제1 반사 전극(206)의 표면의 일부분이 제1 개구(210)에 의해 노출된다. 이를 통하여, 발광 소자의 형성에 적합한 제1 면(2031)을 구비하는 구동기판을 형성할 수 있다.

단계202: 절연층(203)의 제1 면(2031) 상에 제1 전극층(222)을 형성한다.

예를 들어, 도 16에 도시한 바와 같이, 베이스 기판(200)과 떨어진 절연층(203)의 일 측에 제1 전극 재료(250)를 형성한다. 그 다음, 도 17에 도시한 바와 같이 제1 전극 재료(250)를 패턴화시키는 것을 통하여 제1 전극층(222)을 형성한다. 제1 전극층(222)은 제1 개구(210)를 덮고, 제1 전극층(222)의 적어도 일 부분(222a)이 제1 개구(210)에 형성되는 동시에 제1 반사 전극(206)과 전기적으로 연결된다.

단계(203): 도 3에 도시한 바와 같이, 베이스 기판(100)과 떨어진 제1 전극층(222)의 일 측에 순차적으로 발광층(224) 및 제2 전극층(226)을 형성한다.

본 실시예의 제조방법에 있어서, 단계(201)는 웨이퍼 제조사에서 수행하는 것을 통하여 구동기판을 획득할 수 있고, 상기 구동기판은 발광 소자의 형성에 적합한 제1 면(2031)을 구비한다. 이어서, 단계(202) 및 단계(203)는 패널 제조사에서 수행되고, 패널 제조사에서는 단계(201)에서 획득한 구동기판 상에 계속하여 발광 소자를 제작하고 패키징함으로써, 최종적인 표시장치를 제조할 수 있다. 종래의 표시장치의 제조방법에 비하여, 제1 반사 전극은 웨이퍼 제조사에서 제조될 수 있으므로, 제1 반사 전극의 제작 난이도 및 제작 비용을 절감시킬 뿐만 아니라, 표시장치의 높은 발광 효율을 확보할 수 있다.

본 발명의 또 다른 일 실시예는 발광 소자의 발광을 구동하기 위한 구동기판을 제공한다. 상기 구동기판은 베이스 기판, 표시영역 및 주변영역을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 표시영역은 상기 베이스 기판 상에 위치하는 복수의 서브 픽셀을 포함한다. 여기서, 각 서브 픽셀은, 상기 베이스 기판 상에 위치하는 제1 반사 전극; 상기 베이스 기판과 떨어진 상기 제1 반사 전극의 일 측에 위치하는 절연층, -상기 절연층은 상기 발광 소자의 형성에 적합한 제1 면을 구비하며, 상기 절연층은 상기 절연층에 입사된 빛이 상기 절연층을 투과하고 상기 제1 반사 전극에 도달하여 상기 제1 반사 전극에 의해 반사되도록, 투광성을 구비하고; 상기 베이스 기판 상에 위치하고 구동 트랜지스터를 포함하는 픽셀회로, -상기 구동 트랜지스터는 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나와 상기 제1 반사 전극은 서로 전기적으로 연결되며, 상기 반도체층은 상기 베이스 기판에 위치하고; 및 상기 베이스 기판 상에 위치하고 데이터 신호를 저장하도록 구성된 스토리지 커패시터를 포함한다. 여기서, 주변영역은 상기 표시영역을 둘러싸고, 상기 주변영역은 상기 베이스 기판 상에 위치하는 복수의 제2 반사 전극; 및 상기 베이스 기판과 떨어진 상기 복수의 제2 반사 전극의 일 측에 설치되는 차광층을 포함한다.

본 실시예의 구동기판에 있어서, 제1 반사 전극을 구비하고, 절연층이 상기 발광 소자의 형성에 적절한 제1 면을 가지므로, 제1 반사 전극을 웨이퍼 제조사에서 제조된 구동기판에 집적시킬 수 있어서, 제1 반사 전극의 제조 비용 및 난이도를 절감할 뿐만 아니라, 표시장치의 높은 출사광의 휘도 및 높은 발광 효율을 확보할 수 있다.

예를 들어, 도 12에 도시한 바와 같이, 구동기판은 베이스 기판(100), 제1 반사 전극(106) 및 절연층(103)을 포함하고, 절연층(103)은 금속 부재(118)가 충전되어 있는 비아홀(110)을 포함하며, 금속 부재(118)와 제1 반사 전극(106)은 서로 전기적으로 연결된다. 이를 통하여, 절연층(103)은 발광 소자(130)의 형성에 적합한 제1 면(1031)을 구비하게 된다.

예를 들어, 도 15에 도시한 바와 같이, 구동기판은 베이스 기판(200), 제1 반사 전극(206) 및 절연층(203)을 포함하고, 절연층(203)은 제1 반사 전극(203)을 노출시키기 위한 제1 개구(210)를 포함한다. 이를 통하여, 절연층(203)은 발광 소자(230)의 형성에 적합한 제1 면(2031)을 구비하게 된다.

본 발명의 실시예에 따른 표시장치, 이의 제조방법 및 구동기판에 있어서, 절연층 및 제1 반사 전극이 설치되어 있고, 표시장치에서의 제1 반사 전극 및 절연층을 비롯한 적층 구조가 웨이퍼 제조사에서 독립적으로 제작될 수 있으므로, 제1 반사 전극의 제작 난이도를 저감시키는 동시에 표시장치의 높은 발광 효율 및 높은 출사광의 휘도를 확보할 수 있다.

본 명세서에서, 설명할 필요가 있는 점은 다음과 같다.

(1) 본 발명의 실시예 및 도면은 본 발명의 실시예에서 설명된 구조에만 관한 것으로, 기타 다른 구조는 통상적인 설계를 참고할 수 있다.

(2) 뚜렷하게 나타내기 위하여, 본 발명의 실시예의 도면을 설명하는 과정에서, 층 또는 영역의 두께는 확대되거나 축소되어 도시되고, 즉 이러한 도면은 실제적인 비율에 따라서 그려진 것이 아니다.

(3) 모순되지 않은 전제 하에서, 본 발명의 실시예 및 실시예의 특징은 서로 조합되어 새로운 실시예를 얻을 수 있다.

상기의 설명은 단지 본 발명의 예시적인 실시 방식으로서, 본 발명의 보호 범위를 한정하기 위한 것이 아니며, 본 발명의 보호 범위는 첨부된 청구범위에 의해 확정된다.

Claims

표시장치로서,
베이스 기판;
상기 베이스 기판 상에 위치하는 복수의 서브 픽셀을 포함하는 표시영역; 및
상기 표시영역을 둘러싸는 주변영역을 포함하고,
상기 복수의 서브 픽셀은, 각각
제1 반사 전극;
상기 제1 반사 전극 상에 위치하는 발광 소자 -상기 발광 소자는 상기 제1 반사 전극 상에 순차적으로 라미네이팅되는 제1 전극층, 유기 발광 기능층 및 제2 전극층을 포함하고, 상기 제1 전극층은 투명한 전극층이며, 상기 유기 발광 기능층은 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층, 정공 주입층 및 정공 수송층을 포함함 -;
상기 제1 반사 전극과 상기 제1 전극층 사이에 위치하는 절연층 -상기 절연층은, 상기 유기 발광 기능층에서 발사되는 빛이 상기 절연층을 투과하고 상기 제1 반사 전극에 도달하여 상기 제1 반사 전극에 의해 반사되도록, 투광성을 구비함 -;
상기 베이스 기판 상에 위치하고 구동 트랜지스터를 포함하는 픽셀회로 -상기 구동 트랜지스터는 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중 어느 하나는 상기 제1 반사 전극과 서로 전기적으로 연결되며, 상기 반도체층은 상기 베이스 기판에 위치함 -; 및
상기 베이스 기판 상에 위치하고, 데이터 신호를 저장하도록 구성된 스토리지 커패시터; 를 포함하며,
상기 주변영역은,
상기 베이스 기판 상에 위치하는 복수의 제2 반사 전극; 및
상기 베이스 기판과 떨어진 상기 복수의 제2 반사 전극의 일 측에 설치되는 차광층을 포함하는
표시장치.
제1 항에 있어서,
상기 절연층은 금속 부재가 충전되어 있는 비아홀을 포함하고,
상기 제1 반사 전극은 상기 금속 부재를 통하여 상기 제1 전극층과 전기적으로 연결되는
표시장치.
제1 항에 있어서,
상기 절연층은 상기 제1 반사 전극을 노출시키는 제1 개구를 포함하고,
상기 제1 전극층의 적어도 일 부분은 상기 제1 개구에 위치하고 상기 제1 반사 전극과 전기적으로 연결되는
표시장치.
제1 항에 있어서,
상기 제1 반사 전극은, 전체적으로 상기 절연층을 통하여 상기 제1 전극층과 이격되는 동시에 상기 제1 전극층과 서로 절연되는
표시장치.
제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 반사 전극과 상기 베이스 기판 사이에 위치하는 적어도 하나의 배선층을 더 포함하는
표시장치.
제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
본딩영역; 및
상기 본딩영역에 위치되는 본딩 패드를 더 포함하고,
상기 절연층은 상기 본딩 패드를 노출시키는 제2 개구를 포함하는
표시장치.
제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 반사 전극과 상기 제2 발사 전극은, 모두 동일한 층에 설치되는 금속층을 포함하는
표시장치.
제7 항에 있어서,
상기 금속층의 재료는 알루미늄 또는 알루미늄 합금인
표시장치.
제8 항에 있어서,
상기 제1 반사 전극과 상기 제2 반사 전극은, 모두 적어도 하나의 보호층을 더 포함하고,
상기 보호층은 상기 금속층과 적층되고, 상기 베이스 기판에 가까운 상기 금속층의 일 측에 설치되는
표시장치.
제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 베이스 기판이 위치하는 평면 상에서의 상기 제1 전극층의 정투영은, 상기 베이스 기판이 위치하는 평면 상에서의 상기 제1 반사 전극의 정투영에 위치되는
표시장치.
제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 제1 반사 전극의 패턴 밀도는 상기 복수의 제2 반사 전극의 패턴 밀도와 동일한
표시장치.
제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 차광층은, 컬러가 상이하고 적층 설치되는 적어도 두가지 종류의 컬러 필터층을 포함하는
표시장치.
제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 베이스 기판은 실리콘계 기판인
표시장치.
표시영역 및 상기 표시영역을 둘러싸는 주변영역을 포함하는 표시장치의 제조방법으로서,
베이스 기판을 제공하는 단계;
상기 표시영역에 위치하는 복수의 서브 픽셀을 상기 베이스 기판 상에 형성하는 단계;
상기 주변영역에 복수의 제2 반사 전극을 형성하는 단계; 및
상기 베이스 기판과 떨어진 상기 복수의 반사 전극의 일 측에 차광층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 복수의 서브 픽셀을 형성하는 단계는,
제1 반사 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 반사 전극 상에 발광 소자를 형성하는 단계 -상기 발광 소자는 상기 제1 반사 전극 상에 순차적으로 라미네이팅되는 제1 전극층, 유기 발광 기능층 및 제2 전극층을 포함하고, 상기 제1 전극층은 투명한 전극층이며, 상기 유기 발광 기능층은 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층, 정공 주입층 및 정공 수송층을 포함함 -;
상기 제1 반사 전극과 상기 제1 전극층 사이에 절연층을 형성하는 단계 -상기 절연층은, 상기 유기 발광 기능층에서 발사되는 빛이 상기 절연층을 투과하고 상기 제1 반사 전극에 도달하여 상기 제1 반사 전극에 의해 반사되도록, 투광성을 구비함 -;
상기 베이스 기판 상에 구동 트랜지스터를 포함하는 픽셀회로를 형성하는 단계 -상기 구동 트랜지스터는 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중 어느 하나는 상기 제1 반사 전극과 서로 전기적으로 연결되며, 상기 반도체층은 상기 베이스 기판에 위치함 -; 및
데이터 신호를 저장하도록 구성된 스토리지 커패시터를 상기 베이스 기판 상에 형성하는 단계를 포함하는
표시장치의 제조방법.
제14 항에 있어서,
상기 절연층에 비아홀을 형성하는 단계; 및
상기 비아홀에 금속 부재를 충전하는 단계를 더 포함하는
표시장치의 제조방법.
제15 항에 있어서,
상기 제1 전극층을 형성하는 단계는,
상기 베이스 기판과 떨어진 상기 절연층의 일 측에 제1 전극 재료를 형성하는 단계; 및
제1 전극층이 형성되도록 상기 제1 전극 재료를 패턴화시키는 단계를 포함하고,
상기 제1 전극층은, 상기 절연층의 비아홀을 덮고 상기 금속 부재와 접촉되며, 상기 금속 부재를 통하여 상기 제1 반사 전극과 전기적으로 연결되는
표시장치의 제조방법.
제14 항에 있어서,
상기 절연층에 상기 제1 반사 전극을 노출시키는 제1 개구를 형성하는 단계를 더 포함하는
표시장치의 제조방법.
제17 항에 있어서,
상기 제1 전극층을 형성하는 단계는,
상기 베이스 기판과 떨어진 상기 절연층의 일 측에 제1 전극 재료 및 상기 제1 개구를 형성하는 단계; 및
제1 전극층이 형성되도록 상기 제1 전극 재료를 패턴화시키는 단계를 포함하고,
상기 제1 전극층은, 상기 절연층의 제1 개구를 덮고,
상기 제1 전극층의 적어도 일 부분은 상기 제1 개구에 형성되고 상기 제1 반사 전극과 전기적으로 연결되는
표시장치의 제조방법.
발광 소자의 발광을 구동하기 위한 구동기판으로서,
베이스 기판;
상기 베이스 기판 상에 위치하는 복수의 서브 픽셀을 포함하는 표시영역; 및
상기 표시영역을 둘러싸는 주변영역을 포함하고,
상기 서브 픽셀은, 각각
상기 베이스 기판 상에 위치하는 제1 반사 전극;
상기 베이스 기판과 떨어진 상기 제1 반사 전극의 일 측에 위치하는 절연층 -상기 절연층은 상기 발광 소자를 형성하기 위한 제1 면을 구비하고, 상기 절연층은, 상기 절연층에 입사된 빛이 상기 절연층을 투과하고 상기 제1 반사 전극에 도달하여 상기 제1 반사 전극에 의해 반사되도록, 투광성을 구비함 -;
상기 베이스 기판 상에 위치하고 구동 트랜지스터를 포함하는 픽셀회로 -상기 구동 트랜지스터는 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중 어느 하나는 상기 제1 반사 전극과 서로 전기적으로 연결되며, 상기 반도체층은 상기 베이스 기판에 위치함 -; 및
상기 베이스 기판 상에 위치하고 데이터 신호를 저장하도록 구성된 스토리지 커패시터를 포함하고,
상기 주변영역은,
상기 베이스 기판 상에 위치하는 복수의 제2 반사 전극; 및
상기 베이스 기판과 떨어진 상기 복수의 제2 반사 전극의 일 측에 설치되는 차광층을 포함하는
구동기판.
제19 항에 있어서,
상기 절연층은 금속 부재가 충전되어 있는 비아홀을 포함하고,
상기 금속 부재는 상기 제1 반사 전극과 서로 전기적으로 연결되는
구동기판.
제19 항에 있어서,
상기 절연층은 상기 제1 반사 전극을 노출시키는 제1 개구를 포함하는
구동기판.