CN107424570B - 像素单元电路、像素电路、驱动方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种像素单元电路、像素电路、驱动方法和显示装置。所述像素单元电路包括：发光元件，第一端与第一电压输入端连接；存储电容模块；驱动晶体管；发光控制模块，控制端与发光控制线连接，第一端与第二电压输入端连接，第二端与驱动晶体管的第二极连接，在发光控制线的控制下控制驱动晶体管的第二极是否与第二电压输入端连接；充电补偿控制模块，在栅线的控制下控制驱动晶体管的栅极是否与数据线连接；以及，电压控制模块，与第一电压输入端连接，用于控制输入至第一电压输入端的第一电压的电压值。本发明能有效调节发光元件自身的亮度，并实现在高亮度和高对比度的模式之间切换。

Description

像素单元电路、像素电路、驱动方法和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素单元电路、像素电路、驱动方法和显示装置。
背景技术
硅基OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)微显示器处于微电子技术和光电子技术的交叉点上，结合了OLED技术和CMOS(Complementary Metal OxideSemiconductor，互补金属氧化物半导体)技术，是光电子产业和微电子产业的交叉集成，促进了新一代的微型显示的发展，也推进了硅上有机电子，甚至是硅上分子电子的研究和发展。
现有的硅基OLED微显示器不能有效调节Micro(微)OLED自身的亮度，存在动态残影，并数据线上的数据电压范围窄从而不能有效提高OLED的发光亮度的问题，并存在不能实现在高亮度和高对比度的模式之间切换的问题。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种像素单元电路、像素电路、驱动方法和显示装置，解决现有的像素单元电路不能有效调节发光元件自身亮度并不能实现在高亮度和高对比度的模式之间切换的问题。
为了达到上述目的，本发明提供了一种像素单元电路，包括：
发光元件，第一端与第一电压输入端连接；
存储电容模块，第一端与一直流电压输入端连接；
驱动晶体管，栅极与所述存储电容模块的第二端连接，第一极与所述发光元件的第二端连接；
发光控制模块，控制端与发光控制线连接，第一端与第二电压输入端连接，第二端与所述驱动晶体管的第二极连接，用于在所述发光控制线的控制下控制所述驱动晶体管的第二极是否与所述第二电压输入端连接；
充电补偿控制模块，分别与栅线、数据线和所述驱动晶体管的栅极连接，用于在所述栅线的控制下控制所述驱动晶体管的栅极是否与所述数据线连接；以及，
电压控制模块，与所述第一电压输入端连接，用于控制输入至所述第一电压输入端的第一电压的电压值。
实施时，所述电压控制模块包括：
控制器，用于根据不同的显示模式输出相应的显示控制信号；以及，
直流变压器，与所述控制器连接，用于根据所述显示控制信号输入具有相应的电压值的第一电压至所述第一电压输入端。
实施时，本发明所述的像素单元电路还包括：重置模块，分别与所述发光控制线、所述驱动晶体管的第一极和重置电压输入端连接，用于在所述发光控制线的控制下，控制所述驱动晶体管的第一极是否与所述重置电压输入端连接。
实施时，所述重置模块包括：重置开关晶体管，栅极与所述发光控制线连接，第一极与所述驱动晶体管的第一极连接，第二极与所述重置电压输入端连接。
实施时，所述发光控制模块包括：发光控制晶体管，栅极与所述发光控制线连接，第一极与所述第二电压输入端连接，第二极与所述驱动晶体管的第二极连接；
当所述发光控制晶体管为p型晶体管时，所述重置开关晶体管为n型晶体管；当所述发光控制晶体管为n型晶体管时，所述重置开关晶体管为p型晶体管。
实施时，所述栅线包括第一栅极开关线和第二栅极开关线；
所述充电补偿控制模块包括：
第一充电补偿控制晶体管，栅极与所述第一栅极开关线连接，第一极与所述驱动晶体管的栅极连接，第二极与所述数据线连接；以及，
第二充电补偿控制晶体管，栅极与所述第二栅极开关线连接，第一极与所述数据线连接，第二极与所述驱动晶体管的栅极连接；
所述第一充电补偿控制晶体管为n型晶体管，所述第二充电补偿控制晶体管为p型晶体管。
实施时，所述发光元件包括有机发光二极管；所述有机发光二极管的阴极为所述发光元件的第一端，所述有机发光二极管的阳极为所述发光元件的第二端。
本发明还提供了一种像素单元电路的驱动方法，用于驱动上述的像素单元电路，所述像素单元电路的驱动方法包括：在每一显示周期，
在充电补偿阶段，在发光控制线的控制下，发光控制模块控制驱动晶体管的第二极与第二电压输入端连接；在栅线的控制下，充电补偿控制模块控制数据线上的数据电压Vdata写入驱动晶体管的栅极，以使得所述驱动晶体管导通，直至所述驱动晶体管的第一极的电位变为Vdata-Vth，所述驱动晶体管工作于恒定电流区；Vth为所述驱动晶体管的阈值电压；
在像素发光阶段，电压控制模块控制输入至第一电压输入端的第一电压的电压值；在发光控制线的控制下，发光控制模块控制驱动晶体管的第二极与第二电压输入端连接，所述驱动晶体管工作于恒定电流区，驱动发光元件发光。
实施时，当所述电压控制模块包括控制器和直流变压器时，所述电压控制模块控制输入至第一电压输入端的第一电压的电压值步骤包括：
控制器根据不同的显示模式输出相应的显示控制信号；
直流变压器根据所述显示控制信号输入具有相应的电压值的第一电压至所述第一电压输入端。
实施时，当所述像素单元电路还包括重置模块，分别与所述发光控制线、所述驱动晶体管的第一极和重置电压输入端连接，用于在所述发光控制线的控制下，控制所述驱动晶体管的第一极是否与所述重置电压输入端连接时，每一显示周期在所述充电补偿阶段之前还包括重置阶段，所述像素单元电路的驱动方法包括：
在所述重置阶段，在所述发光控制线的控制下，重置模块控制所述驱动晶体管的第一极与重置电压输入端连接，以重置所述驱动晶体管的第一极的电位；
在所述充电补偿阶段和所述像素发光阶段，在所述发光控制线的控制下，所述重置模块控制断开所述驱动晶体管的第一极与重置电压输入端之间的连接。
实施时，当所述重置模块包括：重置开关晶体管，栅极与所述发光控制线连接，第一极与所述驱动晶体管的第一极连接，第二极与所述重置电压输入端连接时，Vdata-Vth-Vc大于-Vn并小于Vn；Vc为所述重置电压输入端输入的重置电压的电压值，Vn为所述重置开关晶体管的源极和漏极之间的耐压值。
实施时，本发明所述的像素单元电路的驱动方法还包括：在所述重置阶段，所述发光元件的第二端的电位为Vc，电压控制模块控制输入至所述第一电压输入端的第一电压的电压值为Vi1，Vc与Vi1之间的差值小于所述发光元件的起亮电压。
本发明还提供了一种像素电路，包括多行栅线、多列数据线、多行发光控制线和阵列排布的多个上述的像素单元电路；
位于同一行的像素单元电路与同一行栅线连接；
位于同一列的像素单元电路与同一列数据线连接。
本发明还提供了一种显示装置，包括上述的像素单元电路。
实施时，本发明所述的显示装置还包括硅基板，所述像素单元电路设置于所述硅基板上。
与现有技术相比，本发明所述的像素单元电路、像素电路、驱动方法和显示装置通过调节数据线上的数据电压Vdata(通过配合时序使得充电补偿控制模块在充电补偿阶段控制发光元件的第二端的电位为Vdata-Vth，Vth为DTFT的阈值电压)来有效调节发光元件自身的亮度，并且能够通过电压控制模块调节第一电压输入端输入的第一电压的电压值来实现在高亮度和高对比度的模式之间切换。
附图说明
图1是本发明实施例所述的像素单元电路的结构图；
图2是本发明另一实施例所述的像素单元电路的结构图；
图3是本发明所述的像素单元电路的一具体实施例的电路图；
图4是本发明如图3所示的像素单元电路的具体实施例的工作时序图；
图5A是本发明如图3所示的像素单元电路的具体实施例在重置阶段的工作示意图；
图5B是本发明如图3所示的像素单元电路的具体实施例在充电补偿阶段的工作示意图；
图5C是本发明如图3所示的像素单元电路的具体实施例在像素发光阶段的工作示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明所有实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件。在本发明实施例中，为区分晶体管除栅极之外的两极，将其中一极称为第一极，另一极称为第二极。在实际操作时，所述第一极可以为漏极，所述第二极可以为源极；或者，所述第一极可以为源极，所述第二极可以为漏极。
如图1所示，本发明实施例所述的像素单元电路包括：
发光元件EL，第一端与第一电压输入端VI1连接；
存储电容模块11，第一端与一直流电压输入端VD连接；
驱动晶体管DTFT，栅极与所述存储电容模块11的第二端连接，第一极与所述发光元件EL的第二端连接；
发光控制模块12，控制端与发光控制线EM连接，第一端与第二电压输入端VI2连接，第二端与所述驱动晶体管DTFT的第二极连接，用于在所述发光控制线EM的控制下控制所述驱动晶体管DTFT的第二极是否与所述第二电压输入端VI2连接；
充电补偿控制模块13，分别与栅线Gate、数据线Data和所述驱动晶体管DTFT的栅极连接，用于在所述栅线Gate的控制下控制所述驱动晶体管DTFT的栅极是否与所述数据线Data连接；以及，
电压控制模块14，与所述第一电压输入端VI1连接，用于控制输入至所述第一电压输入端VI1的第一电压的电压值。
本发明实施例所述的像素单元电路可以通过调节数据线Data上的数据电压Vdata(通过配合时序使得充电补偿控制模块在充电补偿阶段控制发光元件的第二端的电位为Vdata-Vth，Vth为DTFT的阈值电压)来有效调节发光元件自身的亮度，并且能够通过电压控制模块调节第一电压输入端输入的第一电压的电压值来实现在高亮度和高对比度的模式之间切换。
在图1所示的实施例中，以DTFT为n型晶体管为例说明。
根据一种具体实施方式，所述电压控制模块可以包括：
控制器，用于根据不同的显示模式输出相应的显示控制信号；以及，
直流变压器，与所述控制器连接，用于根据所述显示控制信号输入具有相应的电压值的第一电压至所述第一电压输入端。
在实际操作时，所述电压控制模块可以包括控制器和直流变压器，控制器根据显示模式输出显示控制信号，直流变压器根据显示控制信号输入具有相应的电压值的第一电压至第一电压输入端。
优选的，如图2所示，本发明实施例所述的像素单元电路还包括：重置模块15，分别与所述发光控制线EM、所述驱动晶体管DTFT的第一极和输入重置电压的重置电压输入端VR连接，用于在所述发光控制线EM的控制下，控制所述驱动晶体管DTFT的第一极是否与所述输入重置电压的重置电压输入端VR连接。所述重置模块15可以在重置阶段控制消除上一帧残留于发光元件的第二端的电压，从而消除动态残影。具体的，所述重置模块可以包括：重置开关晶体管，栅极与所述发光控制线连接，第一极与所述驱动晶体管的第一极连接，第二极与所述重置电压输入端连接。
具体的，所述发光控制模块可以包括：发光控制晶体管，栅极与所述发光控制线连接，第一极与所述第二电压输入端连接，第二极与所述驱动晶体管的第二极连接；
当所述发光控制晶体管为p型晶体管时，所述重置开关晶体管为n型晶体管；当所述发光控制晶体管为n型晶体管时，所述重置开关晶体管为p型晶体管。
优选的，所述栅线可以包括第一栅极开关线和第二栅极开关线；
所述充电补偿控制模块包括：
第一充电补偿控制晶体管，栅极与所述第一栅极开关线连接，第一极与所述驱动晶体管的栅极连接，第二极与所述数据线连接；以及，
第二充电补偿控制晶体管，栅极与所述第二栅极开关线连接，第一极与所述数据线连接，第二极与所述驱动晶体管的栅极连接；
所述第一充电补偿控制晶体管为n型晶体管，所述第二充电补偿控制晶体管为p型晶体管。
本发明实施例通过充电补偿控制模块包括一个NMOS(N-Metal-Oxide-Semiconductor，N型金属-氧化物-半导体)管和一个PMOS(P-Metal-Oxide-Semiconductor，P型金属-氧化物-半导体)管，能够增加数据线上的数据电压范围，提高发光元件的发光亮度。
在实际操作时，如果所述充电补偿控制模块仅包括第一充电补偿控制晶体管，则当第一栅极开关线输出的信号的电位不够高时，数据线输出的较高数据电压则有可能不会被传输至驱动晶体管的栅极。而本发明实施例的像素单元电路的实施例通过充电补偿控制模块还包括第二充电补偿控制晶体管，在充电补偿阶段第二栅极扫描线输出低电平信号，则即使数据线输出的数据电压比较大，也可以保证该数据电压写入驱动晶体管的栅极，从而可以增加数据线输出的有效驱动电压范围。
具体的，所述发光元件可以包括有机发光二极管；所述有机发光二极管的阴极为所述发光元件的第一端，所述有机发光二极管的阳极为所述发光元件的第二端。
在实际操作时，所述存储电容模块可以包括存储电容。
下面通过一具体实施例来说明本发明所述的像素单元电路。
如图3所示，本发明所述的像素单元电路的一具体实施例包括有机发光二极管OLED、存储电容C1、驱动晶体管DTFT、发光控制模块、充电补偿控制模块、电压控制模块和重置模块，其中，
所述有机发光二极管OLED的阳极与所述驱动晶体管DTFT的漏极连接，所述有机发光二极管OLED的阴极与输入低电平Vss的低电平输入端连接；
所述存储电容C1的第一端与直流电压输入端VD连接，所述存储电容C1的第二端与所述驱动晶体管DTFT的栅极连接；
所述充电补偿控制模块包括：
第一充电补偿控制晶体管N1，栅极与所述第一栅极开关线Gate1连接，源极与所述驱动晶体管DTFT的栅极连接，漏极与所述数据线Data连接；以及，
第二充电补偿控制晶体管P1，栅极与所述第二栅极开关线Gate2连接，源极与所述数据线Data连接，漏极与所述驱动晶体管DTFT的栅极连接；
所述重置模块包括：重置开关晶体管N2，栅极与发光控制线EM连接，源极与所述驱动晶体管DTFT的源极连接，漏极与重置电压输入端VR连接；
所述发光控制模块包括：发光控制晶体管P2，栅极与所述发光控制线EM连接，源极与输入高电平Vdd的高电平输入端连接，第二极与所述驱动晶体管DTFT的源极连接；
所述电压控制模块(图3中未示出)与所述输入低电平Vss的低电平输入端连接，用于控制输入至所述低电平输入端的低电平Vss的电压值；
所述第一充电补偿控制晶体管N1为n型晶体管，所述第二充电补偿控制晶体管P1为p型晶体管，所述重置开关晶体管N2为n型晶体管，所述发光控制晶体管P2为p型晶体管；所述驱动晶体管DTFT为n型晶体管。
在图3中，a点为与所述有机发光二极管OLED的阳极连接的节点。
如图4所示，本发明如图3所示的像素单元电路的具体实施例在工作时，
在重置阶段S1，Gate1输出低电平，Gate2和EM输出高电平，如图5A所示，P1、P2和N1断开，N2导通，以控制所述驱动晶体管DTFT的漏极与重置电压输入端VR连接，以重置所述驱动晶体管DTFT的漏极的电位；
在充电补偿阶段S2，Gate1输出高电平，Gate2和EM都输出低电平，如图5B所示，P1、P2和N1都导通，N2断开，Data输出的数据电压Vdata通过C1对DTFT的栅极充电，C1的第二端的电位被充电到Vdata，DTFT先导通直至a点电势变为Vdata-Vth，DTFT工作于恒定电流区(近似恒流区)；本发明实施例采用N1和P1，主要是由于可以增加Data输出的有效驱动电压范围；Vth为DTFT的阈值电压；
在像素发光阶段S3，Gate1和EM都输出低电平，Gate2输出高电平，如图5C所示，P2导通，N1、P1和N2都断开，a点电势保持在Vdata-Vth，此时DTFT的漏极接入Vdd，DTFT工作于恒定电流区(近似恒流区)，电流通过导通的P2以及处于恒定电流区的DTFT驱动OLED发光；本发明实施例所述的像素单元电路通过控制驱动晶体管DTFT的栅极的电势，改变a点电势，从而改变OLED的两端的跨压，改变OLED的发光电流。
在具体实施时，本发明实施例所述的像素单元电路可以设置于硅基板上，本发明实施例提出一种硅基OLED(有机发光二极管)像素驱动电路设计，通过匹配新的时序结合本身的像素驱动设计，可以有效调节Micro(微)OLED自身的亮度，还可以改善动态残影的问题，另外针对像素单元电路本身，通过特殊TFT的栅极，增加了数据电压范围，有效提高了OLED的发光亮度。
在本发明如图3所示的像素单元电路的具体实施例中，当TFT选用6V(伏)制程时(即本发明如图3所示的像素单元电路的具体实施例中的晶体管的任两极之间的电压差值的绝对值不能超过6V)，当Vdata大于或等于0V而小于或等于5V，驱动晶体管DTFT的阈值电压大于或等于1V而小于或等于2V时，此时a的电位大于或等于-1V而小于或等于4V，如果此时Vss的电压值为-2V时，OLED的阳极和阴极之间的跨压大于或等于1V而小于或等于6V，像素单元电路工作于高对比度模式；而如果此时Vss的电压值为-5V时，OLED的阳极和阴极之间的跨压为大于或等于4V而小于或等于9V，像素单元电路工作于高亮模式；从这里可以看到，当电压控制模块控制变化Vss的电压值时，OLED的阳极和OLED的阴极之间的跨压是变化的，从而可以改变像素单元电路的工作模式。
值得注意的是，当a点的电位大于或等于-1V而小于或等于4V时，此时N2的源极的电位Vdata-Vth和N2的漏极的电位Vc(Vc为重置电压输入端VR输入的重置电压的电压值)之间的电压差为Vdata-Vth-Vc，需要保证Vdata-Vth-Vc大于-Vn而小于Vn，Vn为N2的源极和漏极之间的耐压值(该耐压值指的是晶体管的源极的电压和该晶体管的漏极的电压之间的电压差值的最高值，当该晶体管的源极的电压和该晶体管的漏极的电压之间的电压差值大于该耐压值时，该晶体管可能会损坏)，例如，Vn可以为6V，在实际操作时，Vn也可以为其他的电压值。
如上可知，在实际操作时，假设Vss的电压值大于或等于-5V而小于或等于-2V，VR输入的重置电压的电压值Vc等于Vss的电压值，并Vn等于6V，则a点的电位大于或等于-1V而小于或等于4V，则在重置阶段，OLED的阳极和阴极之间的跨压会大于OLED的起亮电压，则在重置阶段需要通过电压控制模块控制调节Vss的电压值V1，以使得在重置阶段OLED的阳极的电位Vc与OLED的阴极的电位V1之间的差值小于OLED的起亮电压，以使得在重置阶段OLED不发光。这样，可以在重置阶段，可以保证OLED不发光从而消除动态残影现象。
本发明实施例所述的像素单元电路的驱动方法，用于驱动上述的像素单元电路，所述像素单元电路的驱动方法包括：在每一显示周期，
在充电补偿阶段，在发光控制线的控制下，发光控制模块控制驱动晶体管的第二极与第二电压输入端连接；在栅线的控制下，充电补偿控制模块控制数据线上的数据电压Vdata写入驱动晶体管的栅极，以使得所述驱动晶体管导通，直至所述驱动晶体管的第一极的电位变为Vdata-Vth，所述驱动晶体管工作于恒定电流区；Vth为所述驱动晶体管的阈值电压；
在像素发光阶段，电压控制模块控制输入至第一电压输入端的第一电压的电压值；在发光控制线的控制下，发光控制模块控制驱动晶体管的第二极与第二电压输入端连接，所述驱动晶体管工作于恒定电流区，驱动发光元件发光。
本发明实施例所述的像素单元电路的驱动方法在工作时，在像素发光阶段，电压控制模块通过控制输入至第一电压输入端的第一电压的电压值，以改变发光元件的两端的跨压，从而能够实现在高亮度和高对比度的模式之间切换。
具体的，当所述电压控制模块包括控制器和直流变压器时，所述电压控制模块控制输入至第一电压输入端的第一电压的电压值步骤可以包括：
控制器根据不同的显示模式输出相应的显示控制信号；
直流变压器根据所述显示控制信号输入具有相应的电压值的第一电压至所述第一电压输入端。
具体的，当所述像素单元电路还包括重置模块，分别与所述发光控制线、所述驱动晶体管的第一极和重置电压输入端连接，用于在所述发光控制线的控制下，控制所述驱动晶体管的第一极是否与所述重置电压输入端连接时，每一显示周期在所述充电补偿阶段之前还可以包括显示阶段，所述像素单元电路的驱动方法还包括：
在重置阶段，在所述发光控制线的控制下，重置模块控制所述驱动晶体管的第一极与重置电压输入端连接，以重置所述驱动晶体管的第一极的电位；
在所述充电补偿阶段和所述像素发光阶段，在所述发光控制线的控制下，所述重置模块控制断开所述驱动晶体管的第一极与重置电压输入端之间的连接。
具体的，当所述重置模块包括：重置开关晶体管，栅极与所述发光控制线连接，第一极与所述驱动晶体管的第一极连接，第二极与所述重置电压输入端连接时，Vdata-Vth-Vc大于-Vn并小于Vn；Vc为所述重置电压输入端输入的重置电压的电压值，Vn为所述重置开关晶体管的源极和漏极之间的耐压值。
在实际操作时，重置开关晶体管的源极和该重置开关晶体管的漏极之间的压差需要小于该重置开关晶体管的源漏之间的耐压值，从而在低压的TFT制程工艺下，实现高压的发光驱动方案，实现高亮度。
优选的，本发明实施例所述的像素单元电路的驱动方法还包括：在所述重置阶段，所述发光元件的第二端的电位为Vc，电压控制模块控制输入至所述第一电压输入端的第一电压的电压值为Vi1，Vc与Vi1之间的差值小于所述发光元件的起亮电压。
在重置阶段，需要通过电压控制模块调节第一电压输入端的第一电压的电压值，以使得发光元件的两端的跨压小于发光元件的起亮电压，从而控制在重置阶段发光元件不发光，从而消除动态残影现象。
本发明实施例所述的像素电路包括多行栅线、多列数据线、多行发光控制线和阵列排布的多个上述的像素单元电路；
位于同一行的像素单元电路与同一行栅线连接；
位于同一列的像素单元电路与同一列数据线连接。
本发明实施例所述的显示装置包括上述的像素单元电路。
本发明实施例所述的显示装置还可以包括硅基板，所述像素单元电路设置于所述硅基板上。
所述显示装置可以为：电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (13)

1.一种像素单元电路，其特征在于，包括：
发光元件，第一端与第一电压输入端连接；
存储电容模块，第一端与一直流电压输入端连接；
驱动晶体管，栅极与所述存储电容模块的第二端连接，第一极与所述发光元件的第二端连接；
发光控制模块，控制端与发光控制线连接，第一端与第二电压输入端连接，第二端与所述驱动晶体管的第二极连接，用于在所述发光控制线的控制下控制所述驱动晶体管的第二极是否与所述第二电压输入端连接；
充电补偿控制模块，分别与栅线、数据线和所述驱动晶体管的栅极连接，用于在所述栅线的控制下控制所述驱动晶体管的栅极是否与所述数据线连接；以及，
电压控制模块，与所述第一电压输入端连接，用于控制输入至所述第一电压输入端的第一电压的电压值；
所述电压控制模块包括：
控制器，用于根据不同的显示模式输出相应的显示控制信号；以及，
直流变压器，与所述控制器连接，用于根据所述显示控制信号输入具有相应的电压值的第一电压至所述第一电压输入端；
所述电压控制模块用于当所述显示模式为高对比度模式时，控制所述发光元件的第一极与所述发光元件的第二极之间的跨压大于或等于1V而小于或等于6V，并用于当所述显示模式为高亮模式时，控制所述发光元件的第一极与所述发光元件的第二极之间的跨压大于等于4V而小于等于9V。
2.如权利要求1所述的像素单元电路，其特征在于，还包括：重置模块，分别与所述发光控制线、所述驱动晶体管的第一极和重置电压输入端连接，用于在所述发光控制线的控制下，控制所述驱动晶体管的第一极是否与所述重置电压输入端连接，以在重置阶段控制消除上一帧残留于发光元件的第二端的电压。
3.如权利要求2所述的像素单元电路，其特征在于，所述重置模块包括：重置开关晶体管，栅极与所述发光控制线连接，第一极与所述驱动晶体管的第一极连接，第二极与所述重置电压输入端连接。
4.如权利要求3所述的像素单元电路，其特征在于，所述发光控制模块包括：发光控制晶体管，栅极与所述发光控制线连接，第一极与所述第二电压输入端连接，第二极与所述驱动晶体管的第二极连接；
当所述发光控制晶体管为p型晶体管时，所述重置开关晶体管为n型晶体管；当所述发光控制晶体管为n型晶体管时，所述重置开关晶体管为p型晶体管。
5.如权利要求1所述的像素单元电路，其特征在于，所述栅线包括第一栅极开关线和第二栅极开关线；
所述充电补偿控制模块包括：
第一充电补偿控制晶体管，栅极与所述第一栅极开关线连接，第一极与所述驱动晶体管的栅极连接，第二极与所述数据线连接；以及，
第二充电补偿控制晶体管，栅极与所述第二栅极开关线连接，第一极与所述数据线连接，第二极与所述驱动晶体管的栅极连接；
所述第一充电补偿控制晶体管为n型晶体管，所述第二充电补偿控制晶体管为p型晶体管。
6.如权利要求1所述的像素单元电路，其特征在于，所述发光元件包括有机发光二极管；所述有机发光二极管的阴极为所述发光元件的第一端，所述有机发光二极管的阳极为所述发光元件的第二端。
7.一种像素单元电路的驱动方法，用于驱动如权利要求1至6中任一权利要求所述的像素单元电路，其特征在于，所述像素单元电路的驱动方法包括：在每一显示周期，
在充电补偿阶段，在发光控制线的控制下，发光控制模块控制驱动晶体管的第二极与第二电压输入端连接；在栅线的控制下，充电补偿控制模块控制数据线上的数据电压Vdata写入驱动晶体管的栅极，以使得所述驱动晶体管导通，直至所述驱动晶体管的第一极的电位变为Vdata-Vth，所述驱动晶体管工作于恒定电流区；Vth为所述驱动晶体管的阈值电压；
在像素发光阶段，电压控制模块控制输入至第一电压输入端的第一电压的电压值；在发光控制线的控制下，发光控制模块控制驱动晶体管的第二极与第二电压输入端连接，所述驱动晶体管工作于恒定电流区，驱动发光元件发光；
当所述电压控制模块包括控制器和直流变压器时，所述电压控制模块控制输入至第一电压输入端的第一电压的电压值步骤包括：
控制器根据不同的显示模式输出相应的显示控制信号；
直流变压器根据所述显示控制信号输入具有相应的电压值的第一电压至所述第一电压输入端；
所述驱动方法还包括：
当所述显示模式为高对比度模式时，所述电压控制模块控制所述发光元件的第一极与所述发光元件的第二极之间的跨压大于或等于1V而小于或等于6V；
当所述显示模式为高亮模式时，所述电压控制模块控制所述发光元件的第一极与所述发光元件的第二极之间的跨压大于等于4V而小于等于9V。
8.如权利要求7所述的像素单元电路的驱动方法，其特征在于，当所述像素单元电路还包括重置模块，分别与所述发光控制线、所述驱动晶体管的第一极和重置电压输入端连接，用于在所述发光控制线的控制下，控制所述驱动晶体管的第一极是否与所述重置电压输入端连接时，每一显示周期在所述充电补偿阶段之前还包括重置阶段，所述像素单元电路的驱动方法包括：
在所述重置阶段，在所述发光控制线的控制下，重置模块控制所述驱动晶体管的第一极与重置电压输入端连接，以重置所述驱动晶体管的第一极的电位，以控制消除上一帧残留于发光元件的第二端的电压；
在所述充电补偿阶段和所述像素发光阶段，在所述发光控制线的控制下，所述重置模块控制断开所述驱动晶体管的第一极与重置电压输入端之间的连接。
9.如权利要求8所述的像素单元电路的驱动方法，其特征在于，当所述重置模块包括：重置开关晶体管，栅极与所述发光控制线连接，第一极与所述驱动晶体管的第一极连接，第二极与所述重置电压输入端连接时，Vdata-Vth-Vc大于-Vn并小于Vn；Vc为所述重置电压输入端输入的重置电压的电压值，Vn为所述重置开关晶体管的源极和漏极之间的耐压值。
10.如权利要求9所述的像素单元电路的驱动方法，其特征在于，还包括：在所述重置阶段，所述发光元件的第二端的电位为Vc，电压控制模块控制输入至所述第一电压输入端的第一电压的电压值为Vi1，Vc与Vi1之间的差值小于所述发光元件的起亮电压。
11.一种像素电路，其特征在于，包括多行栅线、多列数据线、多行发光控制线和阵列排布的多个如权利要求1至6中任一权利要求所述的像素单元电路；
位于同一行的像素单元电路与同一行栅线连接；
位于同一列的像素单元电路与同一列数据线连接。
12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至6中任一权利要求所述的像素单元电路。
13.如权利要求12所述的显示装置，其特征在于，还包括硅基板，所述像素单元电路设置于所述硅基板上。
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