CN210378423U - 像素驱动电路和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提供一种像素驱动电路和显示装置。像素驱动电路包括电压控制电路和发光时间控制电路；电压控制电路用于根据第一数据线提供的第一数据电压，控制电压写入节点的电压；所述发光时间控制电路用于根据第二数据线提供的第二数据电压和参考电压端提供的参考电压，控制电压写入节点与发光元件的第一极之间导通或断开；所述发光元件的第二极与第一电压端电连接。本实用新型根据发光元件两极之间的电压差和发光时间以调节发光亮度，以能够增大数据电压范围，利于实现更多的灰阶，并利于更好的实现低灰阶。

Description

像素驱动电路和显示装置
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素驱动电路和显示装置。
背景技术
日前，显示业界内掀起了虚拟现实(Virtual Reality，以下简称VR)的研发热潮，VR的应用日益广泛。为了更逼近与现实世界且在光学放大后没有颗粒感，VR通常要求PPI(Pixels Per Inch，每英寸所拥有的像素数目)大于2000的产品，所以需求高PPI的显示产品。目前，玻璃基产品由于受限于PPI的限制，大多数VR近眼产品或AR(Augmented Reality，增强现实)近眼产品都聚焦于硅基的微型显示器。
在相关技术中，在硅基OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示技术中，由于像素尺寸很小，硅基OLED的像素电流仅为几百pA(皮安)至几十nA(纳安)，而若使得MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金属-氧化物-半导体场效应晶体管)工作于深度饱和区且输出小电流时，驱动晶体管的长度将达几十甚至基板um(微米)，这对于微显示来说是不可行的。因此硅基OLED不能沿用AMOLED(Active-matrix organic light-emitting diode，有源矩阵有机发光二极管)中的电流驱动方式。目前能够对应硅基OLED的驱动方式为电压型驱动方式，但目前这样的驱动方式的DataVoltage Range(数据电压范围)较小，不利于灰阶的切分。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提供一种像素驱动电路和显示装置，解决现有的硅基OLED显示产品中数据电压范围较小，不利于灰阶的切分，并不能实现较多的灰阶并不能很好的实现低灰阶的问题。
为了达到上述目的，本实用新型提供了一种像素驱动电路，用于驱动发光元件，所述像素驱动电路包括电压控制电路和发光时间控制电路，其中，
所述电压控制电路用于根据第一数据线提供的第一数据电压，控制电压写入节点的电压；
所述发光时间控制电路分别与第二数据线、所述电压写入节点、参考电压端和所述发光元件的第一极电连接，用于根据所述第二数据线提供的第二数据电压和所述参考电压端提供的参考电压，控制所述电压写入节点与所述发光元件的第一极之间导通或断开；
所述发光元件的第二极与第一电压端电连接。
实施时，所述发光时间控制电路包括发光时间控制晶体管、第二数据电压写入电路和时间控制电容，其中，
所述发光时间控制晶体管的控制极与控制节点电连接，所述发光时间控制晶体管的第一极与所述电压写入节点电连接，所述发光时间控制晶体管的第二极与所述发光元件的第一极电连接；
所述第二数据电压写入电路用于在第二数据电压写入控制信号的控制下，控制将第二数据线提供的第二数据电压提供至所述控制节点；
所述时间控制电容的第一端与所述控制节点电连接，所述时间控制电容的第二端与所述参考电压端电连接。
实施时，所述第二数据电压写入电路包括第一晶体管和第二晶体管；所述第二数据电压写入控制信号包括第一栅极驱动信号和第二栅极驱动信号；
所述第一晶体管的控制极与第一栅线电连接，所述第一晶体管的第一极与所述第二数据线电连接，所述第一晶体管的第二极与所述控制节点电连接；
所述第二晶体管的控制极与第二栅线电连接，所述第二晶体管的第一极与所述第二数据线电连接，所述第二晶体管的第二极与所述控制节点电连接；
所述第一栅线用于提供所述第一栅极驱动信号，所述第二栅线用于提供所述第二栅极驱动信号；
所述第一晶体管为n型晶体管，所述第二晶体管为p型晶体管。
实施时，本实用新型所述的像素驱动电路还包括发光控制电路；
所述发光控制电路连接于所述发光时间控制电路与所述发光元件的第一极之间，用于在发光控制线提供的发光控制信号的控制下，控制所述发光时间控制电路与所述发光元件的第一极之间连通。
实施时，所述发光控制电路包括发光控制晶体管；
所述发光控制晶体管的控制极与所述发光控制线电连接，所述发光控制晶体管的第一极与所述发光控制电路电连接，所述发光控制晶体管的第二极与所述发光元件的第一极电连接。
实施时，所述电压控制电路包括第一数据电压写入电路、源跟随晶体管和存储电容；
所述源跟随晶体管的栅极与第一节点电连接，所述源跟随晶体管的漏极与电源电压端电连接，所述源跟随晶体管的源极与所述电压写入节点电连接；
所述第一数据电压写入电路用于在第一数据电压写入控制信号的控制下，控制将第一数据线提供的第一数据电压提供至所述第一节点；
所述存储电容的第一端与所述第一节点电连接，所述存储电容的第二端与所述电源电压端电连接。
实施时，所述第一数据电压写入控制信号包括第三栅极驱动信号和第四栅极驱动信号；
所述第一数据电压写入电路包括第三晶体管和第四晶体管；
所述第三晶体管的控制极与第三栅线电连接，所述第三晶体管的第一极与所述第一数据线电连接，所述第三晶体管的第二极与所述第一节点电连接；
所述第四晶体管的控制极与第四栅线电连接，所述第四晶体管的第一极与所述第一数据线电连接，所述第四晶体管的第二极与所述第一节点电连接；
所述第三栅线用于提供所述第三栅极驱动信号，所述第四栅线用于提供所述第四栅极驱动信号；
所述第三晶体管为n型晶体管，所述第四晶体管为p型晶体管。
本实用新型还提供了一种显示装置，包括上述的像素驱动电路。
实施时，本实用新型所述的显示装置还包括硅基板；
所述像素驱动电路设置于所述硅基板上。
与现有技术相比，本实用新型所述的像素驱动电路和显示装置根据发光元件两极之间的电压差和发光时间以调节发光亮度，以能够增大数据电压范围，利于实现更多的灰阶，并利于更好的实现低灰阶。
附图说明
图1是本实用新型实施例所述的像素驱动电路的结构图；
图2是本实用新型另一实施例所述的像素驱动电路的结构图；
图3是本实用新型又一实施例所述的像素驱动电路的结构图；
图4是本实用新型再一实施例所述的像素驱动电路的结构图；
图5是本实用新型所述的像素驱动电路的一具体实施例的电路图；
图6是本实用新型所述的像素驱动电路的该具体实施例的工作时序图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型所有实施例中采用的晶体管均可以为三极管、薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件。在本实用新型实施例中，为区分晶体管除控制极之外的两极，将其中一极称为第一极，另一极称为第二极。
在实际操作时，当所述晶体管为三极管时，所述控制极可以为基极，所述第一极可以为集电极，所述第二极可以发射极；或者，所述控制极可以为基极，所述第一极可以为发射极，所述第二极可以集电极。
在实际操作时，当所述晶体管为薄膜晶体管或场效应管时，所述控制极可以为栅极，所述第一极可以为漏极，所述第二极可以为源极；或者，所述控制极可以为栅极，所述第一极可以为源极，所述第二极可以为漏极。
本实用新型实施例所述的像素驱动电路，用于驱动发光元件EL，如图1所示，所述像素驱动电路包括电压控制电路11和发光时间控制电路12，其中，
所述电压控制电路11分别与第一数据线Data1和电压写入节点N3电连接，用于根据第一数据线Data1提供的第一数据电压，控制电压写入节点N3的电压；
所述发光时间控制电路12分别与第二数据线Data2、所述电压写入节点N3、参考电压端Ref和所述发光元件EL的第一极电连接，用于根据所述第二数据线Data2提供的第二数据电压和所述参考电压端Ref提供的参考电压，控制所述电压写入节点N3与所述发光元件EL的第一极之间导通或断开；
所述发光元件EL的第二极与第一电压端Vt1电连接。
在本实用新型实施例中，所述发光元件EL可以为有机发光二极管，但不以此为限。
在本实用新型实施例中，所述第一电压端Vt1可以为低电压端或地端，但不以此为限。
本实用新型实施例所述的像素驱动电路通过发光时间控制电路12根据第二数据电压和参考电压控制所述发光元件EL的发光时间，电压控制电路11控制电压写入节点N3的电压，当发光时间控制电路12控制所述电压写入节点N3与发光元件EL的第一极之间导通时，发光元件EL发光，发光元件EL的发光亮度与发光元件EL的第一极与发光元件EL的第二极之间的电压差有关。
本实用新型实施例所述的像素驱动电路根据发光元件EL两极之间的电压差和发光时间以控制发光亮度，以能够增大数据电压范围，利于实现更多的灰阶，并利于更好的实现低灰阶。
在本实用新型实施例中，所述发光元件可以为硅基OLED(有机发光二极管)，发光元件的第一极为硅基OLED的阳极，发光元件的第二极为硅基OLED的阴极，但不以此为限。
在相关技术中，在硅基OLED显示技术中，由于像素尺寸很小，硅基OLED的像素电流仅为几百pA(皮安)至几十nA(纳安)，而若使得MOSFET(Metal Oxide Semiconductor-FieldEffect Transistor，金属-氧化物-半导体场效应晶体管)工作于深度饱和区且输出小电流时，驱动晶体管的长度将达几十甚至基板um(微米)，这对于微显示来说是不可行的。因此硅基OLED不能沿用AMOLED(Active-matrix organic light-emitting diode，有源矩阵有机发光二极管)中的电流驱动方式，而是采用电压驱动方式和发光时间控制的方法以输出硅基OLED所需求的小电流。
本实用新型如图1所示的像素驱动电路的实施例在工作时，显示周期包括第一数据写入阶段、第二数据写入阶段和发光阶段；
在第一数据写入阶段，第一数据线Data1提供第一数据电压Vdata1，电压控制电路11根据所述第一数据电压Vdata1，控制电压写入节点N3的电压为第一控制电压Vc1；
在第二数据写入阶段，第二数据线Data2提供第二数据电压Vdata2至发光时间控制电路12，此时所述发光时间控制电路12可以控制所述电压写入节点N3与所述发光元件EL的第一极之间断开；
在发光阶段，参考电压端Ref提供的参考电压Vref随着时间改变，发光时间控制电路12根据所述第二数据电压Vdata2和所述参考电压端Ref提供的参考电压Vref，控制所述电压写入节点N3与所述发光元件EL的第一极之间由断开状态变为导通状态；根据所述第二数据电压Vdata2和所述参考电压Vref能够控制发光元件EL的发光时间。
本实用新型如图1所示的像素驱动电路的实施例在工作时，在发光阶段，发光元件EL的发光亮度与发光元件EL的第一极和发光元件EL的第二极之间的电压差值有关。
本实用新型如图1所示的像素驱动电路的实施例在工作时，在发光阶段，发光时间控制电路也可以控制所述电压写入节点N3与所述发光元件EL的第一极之间由导通状态变为断开状态，但不以此为限。
在本实用新型实施例中，在发光阶段，参考电压端Ref提供的参考电压Vref可以呈线性下降，但不以此为限。在发光阶段，发光元件EL的发光时间与Vdata2和Vref有关。
实施时，所述发光时间控制电路可以包括发光时间控制晶体管、第二数据电压写入电路和时间控制电容，其中，
所述发光时间控制晶体管的控制极与控制节点电连接，所述发光时间控制晶体管的第一极与所述电压写入节点电连接，所述发光时间控制晶体管的第二极与所述发光元件的第一极电连接；
所述第二数据电压写入电路用于在第二数据电压写入控制信号的控制下，控制将第二数据线提供的第二数据电压提供至所述控制节点；
所述时间控制电容的第一端与所述控制节点电连接，所述时间控制电容的第二端与所述参考电压端电连接。
如图2所示，在图1所示的像素驱动电路的实施例的基础上，所述发光元件为有机发光二极管OE；OE的阴极接入低电压VSS；
所述发光时间控制电路12包括发光时间控制晶体管T3、第二数据电压写入电路120和时间控制电容C2，其中，
所述发光时间控制晶体管T3的栅极与控制节点N2电连接，所述发光时间控制晶体管T3的源极与所述电压写入节点N3电连接，所述发光时间控制晶体管T3的漏极与所述有机发光二极管OE的阳极电连接；
所述第二数据电压写入电路120分别与第二数据线Data2和控制节点N2电连接，用于在第二数据电压写入控制信号的控制下，控制将第二数据线Data2提供的第二数据电压Vdata2提供至所述控制节点N2；
所述时间控制电容C2的第一端与所述控制节点N2电连接，所述时间控制电容的第二端与所述参考电压端Ref电连接。
在图2所示的实施例中，T3为PMOS(P型金属-氧化物-半导体晶体管)管，但不以此为限。
本实用新型如图2所示的像素驱动电路的实施例在工作时，显示周期包括第一数据写入阶段、第二数据写入阶段和发光阶段；
在第一数据写入阶段，第一数据线提供第一数据电压Vdata1，电压控制电路11根据所述第一数据电压Vdata1，控制电压写入节点N3的电压为第一控制电压Vc1；
在第二数据写入阶段，第二数据线Data2提供第二数据电压Vdata2至T3的栅极，以使得T3关断；
在发光阶段，参考电压端Ref提供的参考电压Vref随着时间线性下降，发光时间控制电路12根据所述第二数据电压Vdata2和所述参考电压端Ref提供的参考电压Vref，控制所述电压写入节点N3与所述有机发光二极管OE的阳极之间由断开状态变为导通状态；根据所述第二数据电压Vdata2和所述参考电压Vref能够控制有机发光二极管OE的发光时间。
实施时，所述第二数据电压写入电路包括第一晶体管和第二晶体管；所述第二数据电压写入控制信号包括第一栅极驱动信号和第二栅极驱动信号；
所述第一晶体管的控制极与第一栅线电连接，所述第一晶体管的第一极与所述第二数据线电连接，所述第一晶体管的第二极与所述控制节点电连接；
所述第二晶体管的控制极与第二栅线电连接，所述第二晶体管的第一极与所述第二数据线电连接，所述第二晶体管的第二极与所述控制节点电连接；
所述第一栅线用于提供所述第一栅极驱动信号，所述第二栅线用于提供所述第二栅极驱动信号；
所述第一晶体管为n型晶体管，所述第二晶体管为p型晶体管。
在具体实施时，所述第二数据电压写入电路可以包括类型相反的两个晶体管，以扩大第二数据线上的能够写入控制节点的第二数据电压的范围。
具体的，本实用新型实施例所述的像素驱动电路还可以包括发光控制电路；
所述发光控制电路连接于所述发光时间控制电路与所述发光元件的第一极之间，用于在发光控制线提供的发光控制信号的控制下，控制所述发光时间控制电路与所述发光元件的第一极之间连通。
在具体实施时，本实用新型实施例所述的像素驱动电路还可以包括发光控制电路，所述发光控制电路能够在发光控制信号的控制下，控制发光时间控制电路与发光元件的第一极之间连通或断开。
如图3所示，在图1所示的像素驱动电路的实施例的基础上，本实用新型实施例所述的像素驱动电路还可以包括发光控制电路13；
所述发光控制电路13连接于所述发光时间控制电路12与所述发光元件EL的第一极之间，并所述发光控制电路13与发光控制线EM电连接，所述发光控制电路13用于在发光控制线EM提供的发光控制信号的控制下，控制所述发光时间控制电路13与所述发光元件EL的第一极之间连通。
本实用新型如图3所示的像素驱动电路的实施例在工作时，在发光阶段，发光控制电路13在发光控制线EM提供的发光控制信号的控制下，控制所述发光时间控制电路13与所述发光元件EL的第一极之间连通。
具体的，所述发光控制电路可以包括发光控制晶体管；
所述发光控制晶体管的控制极与所述发光控制线电连接，所述发光控制晶体管的第一极与所述发光控制电路电连接，所述发光控制晶体管的第二极与所述发光元件的第一极电连接。
具体的，所述电压控制电路可以包括第一数据电压写入电路、源跟随晶体管和存储电容；
所述源跟随晶体管的栅极与第一节点电连接，所述源跟随晶体管的漏极与电源电压端电连接，所述源跟随晶体管的源极与所述电压写入节点电连接；
所述第一数据电压写入电路用于在第一数据电压写入控制信号的控制下，控制将第一数据线提供的第一数据电压提供至所述第一节点；
所述存储电容的第一端与所述第一节点电连接，所述存储电容的第二端与所述电源电压端电连接。
在具体实施时，所述电压控制电路可以包括第一数据电压写入电路、源跟随晶体管和存储电容，第一数据电压写入电路在第一数据电压写入控制信号的控制下，将第一数据电压Vdata1提供至第一节点N1，源跟随晶体管的源极电压跟随第一节点N1的电压而改变。
如图4所示，在图1所示的像素驱动电路的实施例的基础上，所述电压控制电路11可以包括第一数据电压写入电路110、源跟随晶体管T2和存储电容C1；
所述源跟随晶体管T2的栅极与第一节点N1电连接，所述源跟随晶体管T2的漏极与电源电压端电连接，所述源跟随晶体管T2的源极与所述电压写入节点N3电连接；所述电源电压端用于提供电源电压Vdd；
所述第一数据电压写入电路110分别与第一数据线Data1和第一节点N1电连接，用于在第一数据电压写入控制信号的控制下，控制将第一数据线Data1提供的第一数据电压Vdata1提供至所述第一节点N1；
所述存储电容C1的第一端与所述第一节点N1电连接，所述存储电容C1的第二端与所述电源电压端电连接。
在图4所示的实施例中，T2为n型晶体管，但不以此为限。
本实用新型如图4所示的像素驱动电路的实施例在工作时，在第一数据写入阶段，第一数据电压写入电路110控制将第一数据电压Vdata1写入第一节点N1，则N3的电压跟随N1的电压相应改变；
在第二数据写入阶段和发光阶段，N3的电压保持不变；
在发光阶段，当发光元件EL发光时，发光元件EL的发光亮度与N3的电压和发光元件EL的第二极的电压之间的电压差值有关，该电压差值大于发光元件EL的启亮电压。
具体的，所述第一数据电压写入控制信号可以包括第三栅极驱动信号和第四栅极驱动信号；
所述第一数据电压写入电路包括第三晶体管和第四晶体管；
所述第三晶体管的控制极与第三栅线电连接，所述第三晶体管的第一极与所述第一数据线电连接，所述第三晶体管的第二极与所述第一节点电连接；
所述第四晶体管的控制极与第四栅线电连接，所述第四晶体管的第一极与所述第一数据线电连接，所述第四晶体管的第二极与所述第一节点电连接；
所述第三栅线用于提供所述第三栅极驱动信号，所述第四栅线用于提供所述第四栅极驱动信号；
所述第三晶体管为n型晶体管，所述第四晶体管为p型晶体管。
在具体实施时，所述第一数据电压写入电路可以包括类型相反的两个晶体管，以扩大第一数据线上的能够写入第一节点的第一数据电压的范围。
下面通过一具体实施例来说明本实用新型所述的像素驱动电路。
如图5所示，本实用新型实施例所述的像素驱动电路，用于驱动有机发光二极管OE，所述像素驱动电路包括电压控制电路、发光时间控制电路和发光控制电路，其中，
所述发光时间控制电路包括发光时间控制晶体管T3、第二数据电压写入电路和时间控制电容C2，其中，
所述发光时间控制晶体管T3的栅极与控制节点N2电连接，所述发光时间控制晶体管T3的源极与所述电压写入节点N3电连接；
所述时间控制电容C2的第一端与所述控制节点N2电连接，所述时间控制电容C2的第二端与所述参考电压端Ref电连接；
所述第二数据电压写入电路包括第一晶体管T51和第二晶体管T52；
所述第一晶体管T51的栅极与第一栅线Gate1电连接，所述第一晶体管T51的源极与所述第二数据线Data2电连接，所述第一晶体管T51的漏极与所述控制节点N2电连接；
所述第二晶体管T52的栅极与第二栅线Gate2电连接，所述第二晶体管T52的漏极与所述第二数据线Data2电连接，所述第二晶体管T52的源极与所述控制节点N2电连接；
所述第一栅线Gate1用于提供所述第一栅极驱动信号，所述第二栅线Gate2用于提供所述第二栅极驱动信号；
所述发光控制电路包括发光控制晶体管T4；
所述发光控制晶体管T4的栅极与所述发光控制线EM电连接，所述发光控制晶体管T4的源极与所述发光时间控制晶体管T3的漏极电连接，所述发光控制晶体管T4的漏极与有机发光二极管OE的阳极电连接；有机发光二极管OE的阴极与地端GND电连接；
所述电压控制电路包括第一数据电压写入电路、源跟随晶体管T2和存储电容C1；
所述源跟随晶体管T2的栅极与第一节点N1电连接，所述源跟随晶体管T2的漏极与电源电压端电连接，所述源跟随晶体管T2的源极与所述电压写入节点N3电连接；所述电源电压端用于提供电源电压Vdd；
所述存储电容C1的第一端与所述第一节点N1电连接，所述存储电容C1的第二端与所述电源电压端电连接；
所述第一数据电压写入电路包括第三晶体管T11和第四晶体管T12；
所述第三晶体管T11的栅极与第三栅线Gate3电连接，所述第三晶体管T11的源极与所述第一数据线Data1电连接，所述第三晶体管T11的漏极与所述第一节点N1电连接；
所述第四晶体管T12的栅极与第四栅线Gate4电连接，所述第四晶体管T12的漏极与所述第一数据线Data1电连接，所述第四晶体管T12的源极与所述第一节点N1电连接；
所述第三栅线Gate3用于提供所述第三栅极驱动信号，所述第四栅线Gate3用于提供所述第四栅极驱动信号。
在图5所示的具体实施例中，所述第三晶体管T11为NMOS(N型金属-氧化物-半导体晶体管)管，所述第四晶体管T12为PMOS管；所述第一晶体管T51为NMOS管，所述第二晶体管T52为PMOS管；T3和T4为PMOS管，T2为NMOS管。
在图5所示的具体实施例中，T2为源跟随晶体管。
T2在工作时，T2的源极的电压Vs与T2的栅极Vg的电压之间关系如下：Vs＝kVg+b；其中，k和b都可以为实数；当k和b为常数时，Vs随着Vg呈线性变化。k和b的取值可以由源跟随晶体管的制作工艺参数决定。
如图6所示，本实用新型如图5所示的像素驱动电路的具体实施例在工作时，显示周期包括依次设置的一数据写入阶段S1、第二数据写入阶段S2和发光阶段S3；
在第一数据写入阶段S1，Gate3输入低电平，Gate4输入高电平，Gate1输入高电平，Gate2输入低电平，T11和T12打开，T51和T52关断，第一数据线Data1提供第一数据电压Vdata1至第一节点N1，以使得N3的电压变为K×Vdata1+b；N3的电压大于OE的启亮电压；C1维持N1的电压；
在第二数据写入阶段S2，Gate3输入高电平，Gate4输入低电平，Gate1输入低电平，Gate2输入高电平，T11和T12关断，T51和T52打开，第二数据线Data2提供第二数据电压Vdata2至N2，此时T3关断；
在发光阶段S3，Ref写入参考电压Vref，如图6所示，Vref在发光阶段S3随着时间推移而变化，Vref线性下降，由电容的自举特性可知，Vref-Vn2是一个定值，其中，Vn2为N2的电压，因此当Vref变化时，N2的电压也随着变化，当N2的电压等于T3的阈值电压Vth并N2的电压小于Vth时，T3开启，由此控制OE的发光时间，也即，N2的电压控制T3的开启时间，进而通过发光时间的长短控制OE的灰阶。
本实用新型实施例所述的像素驱动电路在工作时，显示周期包括第一数据写入阶段、第二数据写入阶段和发光阶段；
在第一数据写入阶段，第一数据线提供第一数据电压，电压控制电路根据所述第一数据电压，控制电压写入节点的电压为第一控制电压Vc1；
在第二数据写入阶段，第二数据线提供第二数据电压至发光时间控制电路；
在发光阶段，发光时间控制电路根据所述第二数据电压和所述参考电压端提供的参考电压，控制所述电压写入节点与所述发光元件的第一极之间导通或断开。
本实用新型实施例通过发光时间控制电路根据第二数据电压和参考电压控制所述发光元件的发光时间，电压控制电路控制电压写入节点的电压，当发光时间控制电路控制所述电压写入节点与发光元件的第一极之间导通时，发光元件发光，发光元件的发光亮度与发光元件的第一极与发光元件的第二极之间的电压差有关。
具体的，所述发光时间控制电路可以包括发光时间控制晶体管、第二数据电压写入电路和时间控制电容；
所述在第二数据写入阶段，第二数据线提供第二数据电压至发光时间控制电路步骤可以包括：
在第二数据写入阶段，第二数据线提供第二数据电压Vdata2至控制节点，以控制所述发光时间控制电路控制所述电压写入节点与所述发光元件的第一极之间断开；
所述发光阶段包括发光准备时间段和发光时间段；
所述在发光阶段，发光时间控制电路根据所述第二数据电压和所述参考电压端提供的参考电压，控制所述电压写入节点与所述发光元件的第一极之间导通或断开步骤包括：
在所述发光准备时间段，所述参考电压端提供参考电压至时间控制电容的第二端，所述参考电压随着时间改变，从而控制所述控制节点的电压随着时间改变，发光时间控制电路根据所述第二数据电压和所述参考电压端提供的参考电压，控制所述电压写入节点与所述发光元件的第一极之间断开；
在发光时间段，所述参考电压端提供参考电压至时间控制电容的第二端，所述参考电压随着时间改变，从而控制所述控制节点的电压随着时间改变，发光时间控制电路根据所述第二数据电压和所述参考电压端提供的参考电压，控制所述电压写入节点与所述发光元件的第一极之间导通。
在具体实施时，所述发光时间控制电路可以包括发光时间控制晶体管、第二数据电压写入电路和时间控制电容，发光阶段可以包括发光准备时间段和发光时间段，在发光准备时间段内，发光元件不发光，在发光时间段内，发光元件发光，所述发光时间段持续的时间与参考电压和第二数据电压有关，所述发光时间段持续的时间为发光元件的发光时间，可以通过调节参考电压和第二数据电压来调节发光时间。
具体的，所述像素驱动电路还可以包括发光控制电路；
在所述发光阶段，所述发光控制电路在发光控制线提供的发光控制信号的控制下，控制所述发光时间控制电路与所述发光元件的第一极之间连通。
本实用新型实施例所述的显示装置包括上述的像素驱动电路。
具体的，本实用新型实施例所述的显示装置还包括硅基板；所述像素驱动电路设置于所述硅基板上。
本实用新型实施例所提供的显示装置可以为VR设备、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (9)

1.一种像素驱动电路，用于驱动发光元件，其特征在于，所述像素驱动电路包括电压控制电路和发光时间控制电路，其中，
所述电压控制电路用于根据第一数据线提供的第一数据电压，控制电压写入节点的电压；
所述发光时间控制电路分别与第二数据线、所述电压写入节点、参考电压端和所述发光元件的第一极电连接，用于根据所述第二数据线提供的第二数据电压和所述参考电压端提供的参考电压，控制所述电压写入节点与所述发光元件的第一极之间导通或断开；
所述发光元件的第二极与第一电压端电连接。
2.如权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述发光时间控制电路包括发光时间控制晶体管、第二数据电压写入电路和时间控制电容，其中，
所述发光时间控制晶体管的控制极与控制节点电连接，所述发光时间控制晶体管的第一极与所述电压写入节点电连接，所述发光时间控制晶体管的第二极与所述发光元件的第一极电连接；
所述第二数据电压写入电路用于在第二数据电压写入控制信号的控制下，控制将第二数据线提供的第二数据电压提供至所述控制节点；
所述时间控制电容的第一端与所述控制节点电连接，所述时间控制电容的第二端与所述参考电压端电连接。
3.如权利要求2所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第二数据电压写入电路包括第一晶体管和第二晶体管；所述第二数据电压写入控制信号包括第一栅极驱动信号和第二栅极驱动信号；
所述第一晶体管的控制极与第一栅线电连接，所述第一晶体管的第一极与所述第二数据线电连接，所述第一晶体管的第二极与所述控制节点电连接；
所述第二晶体管的控制极与第二栅线电连接，所述第二晶体管的第一极与所述第二数据线电连接，所述第二晶体管的第二极与所述控制节点电连接；
所述第一栅线用于提供所述第一栅极驱动信号，所述第二栅线用于提供所述第二栅极驱动信号；
所述第一晶体管为n型晶体管，所述第二晶体管为p型晶体管。
4.如权利要求1至3中任一权利要求所述的像素驱动电路，其特征在于，还包括发光控制电路；
所述发光控制电路连接于所述发光时间控制电路与所述发光元件的第一极之间，用于在发光控制线提供的发光控制信号的控制下，控制所述发光时间控制电路与所述发光元件的第一极之间连通。
5.如权利要求4所述的像素驱动电路，其特征在于，所述发光控制电路包括发光控制晶体管；
所述发光控制晶体管的控制极与所述发光控制线电连接，所述发光控制晶体管的第一极与所述发光控制电路电连接，所述发光控制晶体管的第二极与所述发光元件的第一极电连接。
6.如权利要求1至3中任一权利要求所述的像素驱动电路，其特征在于，所述电压控制电路包括第一数据电压写入电路、源跟随晶体管和存储电容；
所述源跟随晶体管的栅极与第一节点电连接，所述源跟随晶体管的漏极与电源电压端电连接，所述源跟随晶体管的源极与所述电压写入节点电连接；
所述第一数据电压写入电路用于在第一数据电压写入控制信号的控制下，控制将第一数据线提供的第一数据电压提供至所述第一节点；
所述存储电容的第一端与所述第一节点电连接，所述存储电容的第二端与所述电源电压端电连接。
7.如权利要求6所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第一数据电压写入控制信号包括第三栅极驱动信号和第四栅极驱动信号；
所述第一数据电压写入电路包括第三晶体管和第四晶体管；
所述第三晶体管的控制极与第三栅线电连接，所述第三晶体管的第一极与所述第一数据线电连接，所述第三晶体管的第二极与所述第一节点电连接；
所述第四晶体管的控制极与第四栅线电连接，所述第四晶体管的第一极与所述第一数据线电连接，所述第四晶体管的第二极与所述第一节点电连接；
所述第三栅线用于提供所述第三栅极驱动信号，所述第四栅线用于提供所述第四栅极驱动信号；
所述第三晶体管为n型晶体管，所述第四晶体管为p型晶体管。
8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至7中任一权利要求所述的像素驱动电路。
9.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，还包括硅基板；
所述像素驱动电路设置于所述硅基板上。
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