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Hintergrund der Erfindung
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Gebiet der Erfindung
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Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung, und insbesondere ein Verfahren zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung, das einen Produktionsvorgang vereinfachen kann.
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Diskussion des Standes der Technik
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Für eine Bildanzeigevorrichtung, die eine Vielzahl von Informationen auf einem Bildschirm darstellen kann, besteht als eine Kerntechnik in der fortgeschrittenen Informations- und Kommunikationsverarbeitung ein kontinuierlicher Fortschritt bei der Entwicklung von schlanken, leichten und tragbaren Vorrichtungen mit verbesserter Leistungsfähigkeit. Dabei erfreuen sich organische lichtemittierende Dioden-Anzeigevorrichtungen, die ein Bild durch Anpassen einer von einer organischen lichtemittierenden Schicht emittierten Lichtmenge anzeigen, neuerdings Aufmerksamkeit als Flachtafelanzeigevorrichtung mit reduziertem Gewicht und Volumen, was Nachteile von Kathodenstrahlröhren (CRT) sind.
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Eine organische lichtemittierende Dioden-Anzeigevorrichtung legt ein elektrisches Feld an eine Anode und eine Kathode an, die an beiden Enden einer organischen lichtemittierenden Schicht ausgebildet sind, um Elektronen und Löcher in die organische lichtemittierende Schicht zu initiieren und transferieren, wodurch ein Elektrolumineszenzphänomen ausgenutzt wird, bei dem Lichtenergie durch Rekombination von Elektronen und Löchern freigesetzt wird. Die Elektronen und Löcher, die in der organischen lichtemittierenden Schicht miteinander gepaart werden, emittieren Licht, wenn sie von einem angeregten Zustand in einen Grundzustand fallen.
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Organische lichtemittierende Dioden-Anzeigevorrichtungen weisen ein schlankes Design auf und werden mit einer niedrigen Treiberspannung, beispielsweise ungefähr 10 V oder weniger, als Plasmaanzeigetafeln (PDPs) oder anorganische Elektrolumineszenz(EL)-Anzeigen betrieben, wodurch diese weniger Strom verbrauchen. Große Aufmerksamkeit wurde den organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtungen aufgrund ihrer exzellenten Eigenschaften bezüglich Gewicht und Farbe gewidmet.
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Im Folgenden wird eine herkömmliche organische lichtemittierende Dioden-Anzeigevorrichtung unter Bezugnahme auf die anhängenden Zeichnungen erläutert.
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Die 1 zeigt eine Querschnittsansicht, die eine herkömmliche organische lichtemittierende Dioden-Anzeigevorrichtung darstellt.
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Gemäß 1 umfasst eine herkömmliche organische lichtemittierende Dioden-Anzeigevorrichtung ein Substrat 10, in dem ein Anzeigebereich und ein Nichtanzeigebereich gebildet sind, und eine Vielzahl von organischen lichtemittierenden Zellen, die in dem Anzeigebereich des Substrats 10 ausgebildet sind. Jede der organischen lichtemittierenden Zellen umfasst eine Anode 20, die mit einem auf dem Substrat 10 ausgebildeten Transistor (nicht gezeigt) verbunden ist, eine gemeinsame Löcherschicht 30a, eine organische lichtemittierende Schicht 40, eine gemeinsame Elektronenschicht 30b und eine Kathode 60.
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Wenn die organische lichtemittierende Zelle eine Spannung an die Anode 10 und die Kathode 60 über einen Kontaktflächenbereich (nicht gezeigt) anlegt, der in dem Nichtanzeigebereich des Substrats 10 ausgebildet ist, werden Löcher von der Anode 20 und Elektronen von der Kathode 60 in die organische lichtemittierende Schicht 40 injiziert. Dann rekombinieren die in die organische lichtemittierende Schicht 40 injizierten Löcher und Elektronen, um Exzitonen zu erzeugen, die Licht emittieren, wenn sie von einem angeregten Zustand in den Grundzustand fallen.
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Indessen nimmt ein Widerstand der Kathode 60 zu, wenn ein Anzeigebereich von organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtungen zunimmt. Insbesondere nimmt der Widerstand der Kathode 60 weiter zu, wenn die Kathode 60 in einer nach oben emittierenden organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung aus einem transparenten Metall ausgebildet ist, bei der von der organischen lichtemittierenden Schicht emittiertes Licht durch das Substrat 100 transmittiert wird. Somit kann bei einer herkömmlichen organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung der Widerstand der Kathode 60 durch Bilden einer Metallstruktur 20a unter Verwendung eines Metalls mit niedrigem Widerstand und Verbinden der Metallstruktur 20a mit der Kathode 60 gesenkt werden.
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Allerdings sollte die Metallstruktur 20a, das in derselben Schicht wie die Anode 10, die organische lichtemittierende Schicht 40, die gemeinsame Löcherschicht 30a und die gemeinsame Elektronenschicht 30b ausgebildet ist, unter Verwendung einer Schattenmaske so ausgebildet werden, dass die organische lichtemittierende Schicht 40, die gemeinsame Löcherschicht 30a und die gemeinsame Elektronenschicht 30b nur in einem Bereich der Anode 20 ausgebildet werden, die von einem Wall 50 freigelegt ist, der ausgebildet ist, um den Lumineszenzbereich eines Unterpixels zu bestimmen. Somit werden ein kompliziertes Verfahren und hohe Kosten benötigt, um herkömmliche organische lichtemittierende Dioden-Anzeigevorrichtungen herzustellen.
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US 7 804 242 B2 beschreibt eine Anzeigevorrichtung mit einem TFT, einer Gegenelektrode, einer Pixelelektrode und einer Isolationsschicht, die zwischen der Gegenelektrode und der Pixelelektrode ausgebildet ist. Eine Schattenmaske wird verwendet, um eine Löcher-Injektionsschicht, eine Löcher-Transportschicht, eine Elektronen-Transportschicht und eine Elektronen-Injektionsschicht auszubilden. Eine organische lichtemittierende Schicht wird zwischen der Löcher-Transportschicht und der Elektronen-Transportschicht ausgebildet.
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US 2002/0158835 A1 beschreibt eine Anzeigevorrichtung mit einem Hilfs-Verdrahtungselement, das auf derselben Schicht wie eine erste Elektrode ausgebildet und von dieser elektrisch isoliert ist.
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Zusammenfassung der Erfindung
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Demgemäß ist die vorliegende Erfindung auf ein Verfahren zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung gerichtet, die im Wesentlichen eine oder mehrere Probleme aufgrund der Beschränkungen und Nachteile des Standes der Technik überwindet.
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Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Anzeigevorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung bereitzustellen, die einen Produktionsvorgang vereinfachen und die Produktionskosten senken kann.
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Zusätzliche Vorteile, Aufgaben und Merkmale der Erfindung werden teilweise in der folgenden Beschreibung dargelegt und werden teilweise dem Fachmann offenkundig, wenn dieser das Folgende studiert oder können beim Umsetzen der Erfindung erlernt werden. Die Aufgaben und andere Vorteile der Erfindung können durch die Struktur erzielt und erreicht werden, die insbesondere in der schriftlichen Beschreibung und deren Ansprüche sowie den anhängenden Zeichnungen dargestellt ist.
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Die Aufgabe wird durch die Merkmale des unabhängigen Anspruchs gelöst.
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Der Hauptgedanke der Erfindung ist es, eine Struktur bereitzustellen, die es während des Herstellverfahrens ermöglicht, die Metallstruktur auf eine sehr einfache Art freizulegen ohne ein Schattenmaskenverfahren zu benötigen. Diese Struktur basiert auf einem speziell geformten Wall und auf einem entsprechend ausgebildetem Photolackmuster, das über der Metallstruktur platziert wird. Dadurch kann die Schichtstruktur mit samt dem OLED Schichtenstapel durch einen Stripping- oder Abtragungsvorgang entfernt werden.
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Insbesondere wird die Aufgabe durch ein Verfahren zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung gelöst, das umfasst: Ausbilden eines Dünnschichttransistors in einem Anzeigebereich eines Substrats, das Substrat weist einen Anzeigebereich und einen Nichtanzeigebereich auf; Ausbilden einer Metallstruktur auf dem Substrat im Anzeigebereich; Ausbilden einer ersten Elektrode auf dem Substrat, die mit dem Dünnschichttransistor verbunden ist; Ausbilden eines Walls auf dem Substrat, um einen Bereich der ersten Elektrode und einen Bereich der Metallstruktur freizulegen; Ausbilden eines Photolackmusters, um die Metallstruktur zu bedecken; Ausbilden einer gemeinsamen Löcherschicht, einer organischen lichtemittierenden Schicht und einer gemeinsamen Elektronenschicht nacheinander über der gesamten Oberfläche des Substrats, das mit der ersten Elektrode und dem Photolackmuster versehen ist; Abtragen des Photolackmusters; und Ausbilden einer zweiten Elektrode auf der gemeinsamen Elektronenschicht, die mit der Metallstruktur verbunden ist.
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Vorzugsweise wird auch ein Verfahren zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung angegeben, das umfasst: Ausbilden eines Dünnschichttransistors in einem Anzeigebereich eines Substrats, in dem ein Anzeigebereich und ein Nichtanzeigebereich gebildet sind; Ausbilden einer Metallstruktur auf dem Substrat; Ausbilden einer ersten Elektrode auf dem Substrat, um mit dem Dünnschichttransistor verbunden zu werden; Ausbilden eines Photolackmusters, um die Metallstruktur zu bedecken; Ausbilden einer gemeinsamen Löcherschicht, einer organischen lichtemittierenden Schicht und einer gemeinsamen Elektronenschicht nacheinander über der gesamten Oberfläche des Substrats, das mit der ersten Elektrode und dem Photolackmuster versehen ist; Abtragen des Photolackmusters; und Ausbilden einer zweiten Elektrode auf der gemeinsamen Elektronenschicht, um mit der Metallstruktur verbunden zu werden.
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Vorzugsweise wird auch ein Verfahren zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung angegeben, das umfasst: Ausbilden eines Dünnschichttransistors in einem Anzeigebereich eines Substrats, das Substrat weist einen Anzeigebereich und einen Nichtanzeigebereich auf; Ausbilden einer Metallstruktur auf dem Substrat im Anzeigebereich; Ausbilden einer ersten Elektrode auf dem Substrat, die mit dem Dünnschichttransistor verbunden ist; Ausbilden eines Walls auf dem Substrat, um einen Bereich der ersten Elektrode und einen Bereich der Metallstruktur freizulegen; Ausbilden einer gemeinsamen Löcherschicht, einer organischen lichtemittierenden Schicht und einer gemeinsamen Elektronenschicht nacheinander über der gesamten Oberfläche des Substrats, das über die erste Elektrode, den Wall und die Metallstruktur verfügt; Ausbilden eines Photolackmusters, das die gemeinsame Elektronenschicht bedeckt, und Abtragen der gemeinsamen Löcherschicht, der organischen lichtemittierenden Schicht und der gemeinsamen Elektronenschicht unter Verwendung des Photolackmusters als eine Maske; Abtragen des Photolackmusters; und Ausbilden einer zweiten Elektrode auf der gemeinsamen Elektronenschicht, die mit der Metallstruktur verbunden ist.
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Gemäß einem anderen Gesichtspunkt umfasst ein Verfahren zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung: Ausbilden eines Dünnschichttransistors in einem Anzeigebereich eines Substrats, in dem ein Anzeigebereich und einen Nichtanzeigebereich gebildet sind; Ausbilden einer Metallstruktur auf dem Substrat; Ausbilden einer ersten Elektrode auf dem Substrat, um mit dem Dünnschichttransistor verbunden zu werden; Ausbilden einer gemeinsamen Löcherschicht, einer organischen lichtemittierenden Schicht und einer gemeinsamen Elektronenschicht nacheinander über der gesamten Oberfläche des Substrats, das über die erste Elektrode, und die Metallstruktur verfügt; Ausbilden eines Photolackmusters, das die gemeinsame Elektronenschicht freiliegt, um der Metallstruktur zu entsprechen, und Abtragen der gemeinsamen Löcherschicht und der gemeinsamen Elektronenschicht unter Verwendung des Photolackmusters als eine Maske; Abtragen des Photolackmusters; und Ausbilden einer zweiten Elektrode auf der gemeinsamen Elektronenschicht, um mit der Metallstruktur verbunden zu werden.
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Durch Ausbilden einer gemeinsamen Löcherschicht und einer gemeinsamen Elektronenschicht gemäß der Erfindung wird keine Schattenmaske benötigt.
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Das Ausbilden des Photolackmusters kann umfassen: Beschichten eines Photolacks über der gesamten Oberfläche des Substrats, das mit der ersten Elektrode und der Metallstruktur versehen ist; und Ausbilden eines Photolackmusters mit einer umgekehrten Trapezform durch Belichten und Entwickeln des Photolacks.
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Das Ausbilden der organischen lichtemittierenden Schicht kann durch Ausbilden eines Weißlicht emittierenden Materials über der gesamten Oberfläche des Substrats durchgeführt werden.
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Die gemeinsame Löcherschicht, die organische lichtemittierende Schicht und die gemeinsame Elektronenschicht, die auf dem Photolackmuster ausgebildet sind, können gleichzeitig abgetragen werden, um die Metallstruktur während des Abtragens des Photolackmusters freizulegen.
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Alternativ kann das Ausbilden der organischen lichtemittierenden Schicht durch Ausbilden von organischen lichtemittierenden Materialien, die jeweils rotes, grünes und blaues Licht auf jedem der Unterpixeln emittieren, durchgeführt werden.
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Dann können die gemeinsame Löcherschicht und die gemeinsame Elektronenschicht, die auf dem Photolackmuster ausgebildet sind, gleichzeitig abgetragen werden, um die Metallstruktur während eines Abtragen des Photolackmusters freizulegen, da auf dem Bereich des Photolackmusters keine organische lichtemittierende Schicht vorgesehen ist.
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Die Metallstruktur kann im Anzeigebereich ausgebildet werden.
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Die Metallstruktur kann alternativ oder zusätzlich ein Kontaktbereich sein, der in dem Nichtanzeigebereich ausgebildet ist und der ein externes Signal an die zweite Elektrode überträgt.
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Das Verfahren kann ferner vor dem Abtragen des Photolackmusters ein Ausbilden einer Hilfselektrode über der gesamten Oberfläche des Substrats umfassen, das mit der gemeinsamen Elektronenschicht vorgesehen ist.
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Das Photolackmuster und der Entwickler können aus einem Fluor-enthaltendem Material ausgebildet sein.
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Die Metallstruktur und die erste Elektrode können gleichzeitig durch das gleiche Material hergestellt werden.
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Es wird auch eine organische lichtemittierende Dioden-Anzeigevorrichtung angegeben, mit: einem Arraysubstrat mit einem Anzeigebereich und einem Nichtanzeigebereich; einer Vielzahl von organischen lichtemittierenden Zellen, die in dem Anzeigebereich des Substrats ausgebildet sind, wobei jede der organischen lichtemittierenden Zellen umfasst: mindestens einen Dünnschichttransistor; eine Metallstruktur auf dem Substrat im Anzeigebereich; eine erste Elektrode auf dem Substrat, die mit dem Dünnschichttransistor verbunden ist; einen Wall auf dem Substrat, der mit einem Bereich der ersten Elektrode und einem Bereich der Metallstruktur teilweise überlappt; eine gemeinsame Löcherschicht, einer organischen lichtemittierenden Schicht und einer gemeinsamen Elektronenschicht, die nacheinander über der ersten Elektrode und dem Wall ausgebildet sind; eine zweite Elektrode, die den Wall teilweise überdeckt und die gemeinsame Elektronenschicht vollständig überdeckt, wobei die zweite Elektrode mit der Metallstruktur verbunden ist.
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Vorzugsweise kann die organische lichtemittierende Dioden-Anzeigevorrichtung ferner ein Farbfiltersubstrat mit Farbfiltern umfassen, wobei das Farbfiltersubstrat dem Arraysubstrat gegenüberliegt.
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Vorzugsweise kann die Metallstruktur von der ersten Elektrode auf dem Substrat beabstandet sein. Mit anderen Worten kann ein Abstand zwischen der Metallstruktur und der ersten Elektrode bestehen, die beide auf dem Substrat in derselben Schicht ausgebildet sind.
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Vorzugsweise kann der Wall eine Trapezform oder zumindest eine Seite einer Trapezform aufweisen, wobei die geneigte Seite des Walls in Richtung der Metallstruktur zeigen kann.
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Vorzugsweise kann die Metallstruktur mindestens eine der folgenden Formen aufweisen: Inseln jeweils zwischen den organischen lichtemittierenden Zellen; horizontale Streifen; vertikale Streifen; gekreuzte Strukturen, die die organischen lichtemittierenden Zellen umgeben.
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Es soll verstanden werden, dass sowohl die vorstehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende detaillierte Beschreibung der vorliegenden Erfindung beispielhaft und erklärend sind und dazu gedacht sind, ein weiteres Verständnis der beanspruchten Erfindung zu liefern.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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Die anhängenden Zeichnungen, die hierin enthalten sind, um ein weiteres Verständnis der Erfindung zu liefern und die in dieser Anmeldung einbezogen sind und ein Teil derselben darstellen, veranschaulichen Ausführungsformen der Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, die Prinzipien der Erfindung zu erklären. In den Zeichnungen:
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1 zeigt eine Querschnittsansicht, die eine herkömmliche organische lichtemittierende Dioden-Anzeigevorrichtung darstellt;
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2A bis 2G zeigen Querschnittsansichten zum Beschreiben eines Verfahrens zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung;
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3 zeigt eine Querschnittsansicht, die die organische lichtemittierende Dioden-Anzeigevorrichtung mit einer Hilfselektrode gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
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Die 4A bis 4D zeigen Querschnittsansichten zum Beschreiben eines Verfahrens zum Verbinden eines auf einem Substrat ausgebildeten Verbindungsbereichs mit einer zweiten Elektrode, um ein externes Signal an die zweite Elektrode zu übertragen, gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
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Die 5A bis 5F zeigen Querschnittsansichten zum Beschreiben eines Verfahrens zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung gemäß einem zweiten Beispiel; und
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6A bis 6E zeigen Draufsichten, die die Formen von auf den Substraten ausgebildeten Metallstrukturen darstellen.
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Detaillierte Beschreibung der Erfindung
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Im Folgenden wird im Detail auf die bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung Bezug genommen, von denen Beispiele in den anhängenden Zeichnungen dargestellt sind. Wo immer möglich werden dieselben Bezugszeichen in den Zeichnungen verwendet, um dieselben oder ähnliche Teile zu bezeichnen.
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Im Folgenden wird eine organische lichtemittierende Dioden-Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung im Detail mit Bezugnahme auf die anhängenden Zeichnungen beschrieben.
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*Erste Ausführungsform der Erfindung*
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Die 2A bis 2G zeigen Querschnittsansichten zum Beschreiben eines Verfahrens zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die 3 zeigt eine Querschnittsansicht, die die organische lichtemittierende Dioden-Anzeigevorrichtung mit einer Hilfselektrode gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
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Gemäß der 2A umfasst ein Substrat 200 einen Anzeigebereich und einen Nichtanzeigebereich, und der Anzeigebereich weist eine Vielzahl von Unterpixeln auf. Dünnschichttransistoren (nicht gezeigt) werden auf dem Substrat 200 ausgebildet, um jeweils den Unterpixeln zu entsprechen. Das Substrat kann aus verschiedenen Materialien ausgebildet werden, wie z. B. Glas, Plastik und Silikon.
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Jeder der Dünnschichttransistoren umfasst eine Gateelektrode, einen Gateisolator, eine Halbleiterschicht, eine Sourceelektrode, und eine Drainelektrode. Eine Passivierungsschicht wird auf dem mit dem Dünnschichttransistor versehenen Substrat 200 unter Verwendung eines organischen oder anorganischen isolierenden Materials ausgebildet. Die Passivierungsschicht wird gezielt entfernt, um die Drainelektrode freizulegen. Dann wird eine erste Elektrode, die eine Anode darstellt und mit der Drainelektrode elektrisch verbunden ist, auf der Passivierungsschicht durch ein Abscheideverfahren ausgebildet, wie z. B. Kathodenzerstäubung (Sputtering).
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Insbesondere kann bei einer nach oben emittierenden organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung, bei der sich von einer später zu beschreibenden organischen lichtemittierenden Schicht emittiertes Licht nach oben zu dem Substrat 200 ausbreitet, die erste Elektrode 210 eine Doppelschichtstruktur aufweisen, die durch aufeinanderfolgendes Laminieren eines transparenten leitenden Materials, wie z. B. Zinnoxid (TO), Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO) und Indiumzinnzinkoxid (ITZO), und eines metallischen Materials mit hohem Reflektionsvermögen ausgebildet sein kann, wie z. B. Aluminium (Al) oder einer Aluminiumlegierung (AlNd).
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Diesbezüglich reflektiert Al oder AlNd das von der organischen lichtemittierenden Zelle emittierte Licht nach oben. Die erste Elektrode 210 kann auch eine Dreifachschichtstruktur aufweisen, die durch ein weiteres Auflaminieren eines transparenten leitenden Materials auf Al oder AlNd ausgebildet wird.
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Dann wird eine Metallstruktur 210a in derselben Schicht wie die erste Elektrode 210 ausgebildet. Hier kann die Metallstruktur 210a gleichzeitig mit der ersten Elektrode 210 oder vor oder nach dem Ausbilden der ersten Elektrode 210 ausgebildet werden.
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Als erstes weist die Metallstruktur 210a auch eine Doppelschicht- oder eine Dreifachschichtstruktur wie die erste Elektrode 210 auf, wenn die erste Elektrode 210 und die Metallstruktur 210 gleichzeitig ausgebildet werden. Wenn die Metallstruktur 210a vor oder nach dem Ausbilden der ersten Elektrode 210 ausgebildet wird, wird ein Metall mit niedrigem Widerstand strukturiert, wie z. B. Aluminium (Al), Molybdän (Mo), und Kupfer (Cu), um die Metallstruktur 210a auszubilden.
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Die Metallstruktur 210a wird mit der im Anzeigebereich ausgebildeten zweiten Elektrode verbunden, was später beschrieben wird, um den Widerstand der zweiten Elektrode zu senken. Damit wird, da der Widerstand der zweiten Elektrode mit der Fläche des Substrats zunimmt, die aus einem Metall mit niedrigem Widerstand geformte Metallstruktur 210a mit der zweiten Elektrode im Anzeigebereich verbunden, um den Widerstand der zweiten Elektrode zu senken. Somit dient die Metallstruktur als unterstützende Struktur.
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Dann wird, wie in der 2B gezeigt, ein Wall 220 auf dem Substrat 200 ausgebildet. Der Wall 220 wird in dem Anzeigebereich ausgebildet, um einen Lumineszenzbereich von jedem Unterpixel festzulegen. Im Allgemeinen wird der Wall 220 ausgebildet, um nur einen Bereich der ersten Elektrode 210 zu bedecken. Allerdings wird gemäß der vorliegenden Erfindung der Wall 220 ausgebildet, um nicht nur einen Bereich der ersten Elektrode 210 zu bedecken, sondern auch einen Bereich der Metallstruktur 210a, um die Metallstruktur 210a und die zweiten Elektrode elektrisch zu verbinden, was später beschrieben wird.
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Dann wird ein Photolack auf der gesamten Oberfläche des Substrats 200 aufgetragen, dieser belichtet und entwickelt, um ein Photolackmuster 300 auszubilden, das die freigelegte Metallstruktur 210a bedeckt. Diesbezüglich kann das Photolackmuster 300 ein oberes Ende mit einer größeren Breite als ein unteres Ende aufweisen, so dass eine gemeinsame Löcherschicht und eine gemeinsame Elektronenschicht, die später beschrieben werden, nicht auf den Seitenoberfläche des Photolackmusters 300 ausgebildet werden. Insbesondere wird das Photolackmuster 300 mit umgekehrter Trapezform ausgebildet, bei der ein Winkel (θ) zwischen einer oberen Oberfläche der Metallstruktur 210a und einer Seitenoberfläche des Photolackmusters 300 kleiner als 90° ist.
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Insbesondere kann das Photolackmuster 300 eine größere Dicke als der Wall 220 aufweisen, um ein Eindringen eines Abtragungsbads (Strippers) zwischen dem Photolackmuster 300 und dem Wall 220 zu ermöglichen, wenn das Photolackmuster 300 entfernt wird, um die Metallstruktur 210a freizulegen.
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Dann wird, wie in 2C dargestellt, eine gemeinsame Löcherschicht 230a mit einer Löchertransportschicht (HTL) und einer Löcherinjizierungsschicht (HIL) über dem Substrat 200 ausgebildet.
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Wie oben beschrieben, wird, da eine Metallstruktur bei einer herkömmlichen organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung nach außen freiliegt, eine gemeinsame Löcherschicht unter Verwendung einer Schattenmaske ausgebildet, um die Ausbildung der gemeinsamen Löcherschicht auf der Metallstruktur zu verhindern. Demgemäß ist ein Herstellverfahren derselben kompliziert und folglich nehmen die Produktionskosten zu.
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Allerdings wird gemäß der vorliegenden Erfindung das Photolackmuster 300 in umgekehrter Trapezform ausgebildet, um die Metallstruktur 210a zu bedecken. Demgemäß kann die gemeinsame Löcherschicht 230a über dem Substrat 200 ohne Verwendung einer Maske ausgebildet werden. Im Ergebnis wird die gemeinsame Löcherschicht 230a an abgestuften Bereichen zwischen dem Wall 220 und dem Photolackmuster 300 diskontinuierlich ausgebildet.
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Dann wird, wie in der 2D gezeigt, eine organische lichtemittierende Schicht 240 auf der gemeinsamen Löcherschicht 230a ausgebildet. Die organische lichtemittierende Schicht 240 kann über der gesamten Oberfläche des Substrats 200 ohne Verwendung einer Maske wie bei der gemeinsamen Löcherschicht 230a ausgebildet werden oder kann ausgebildet werden, um mit der ersten Elektrode 210 in einem Bereich zu überlappen, in dem der Wall 220 nicht ausgebildet ist. Der erste Fall wird hier dargestellt.
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Insbesondere emittiert die organische lichtemittierende Schicht 240 mit einem weißes Licht emittierendem Material weißes Licht, wenn die organische lichtemittierende Schicht 240 über der gesamten Oberfläche des Substrats 200 ausgebildet wird. In diesem Fall umfasst obwohl dies hierin nicht gezeigt ist, jedes der Unterpixel entsprechende rote (R), grüne (G) und blaue (B) Farbfilter. Somit kann das von der organischen lichtemittierenden Schicht 240 emittierte Licht jeweils rotes, grünes und blaues Licht erzeugen, während es durch die R-, G- bzw. B-Farbfilter hindurchtritt.
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Wenn die organische lichtemittierende Schicht 240 ausgebildet wird, um mit der ersten Elektrode 210 in einem Bereich zu überlappen, in dem der Wall 220 nicht ausgebildet ist, umfasst die organische lichtemittierende Schicht 240 R-, G- und B-organische lichtemittierende Materialien. Demgemäß emittiert die organische lichtemittierende Schicht 240 rotes, grünes und blaues Licht ohne Verwendung von R-, G- und B-Farbfiltern. In diesem Fall kann die organische lichtemittierende Schicht 240 durch Abscheiden der R-, G- und B-organischen lichtemittierenden Materialien unter Verwendung einer Schattenmaske mit Öffnungen, die den jeweiligen Unterpixeln entsprechen, ausgebildet werden. Die organische lichtemittierende Schicht 240 kann auch durch Aufdrucken der R-, G- und B-organischen lichtemittierenden Materialien durch Tintenstrahldrucken ohne Verwendung einer Maske ausgebildet werden.
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Dann wird, wie in der 2E dargestellt, eine gemeinsame Elektronenschicht 230b mit einer Elektroneninjektionsschicht (EIL) und einer Elektronentransportschicht (ETL) über der gesamten Oberfläche des mit der organischen lichtemittierenden Schicht 240 vorgesehenen Substrats 200 ausgebildet.
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Diesbezüglich sind, da das Photolackmuster 300 eine größere Dicke als der Wall 220 aufweist, die organische lichtemittierende Schicht 240 und eine gemeinsame Elektronenschicht 230b an den gestuften Bereichen zwischen dem Wall 220 und dem Photolackmuster 300, ähnlich wie die gemeinsame Löcherschicht 230a, ebenfalls diskontinuierlich ausgebildet. Insbesondere werden, da das Photolackmuster 300 in umgekehrter Trapezform ausgebildet ist, die gemeinsame Löcherschicht 230a, die organische lichtemittierende Schicht 240 und die gemeinsame Elektronenschicht 230b nicht auf den Seitenoberflächen des Photolackmusters 300 ausgebildet.
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Dann wird, wie in der 2F dargestellt, das Photolackmuster 300 unter Verwendung eines Abtragungsbads (Strippers) entfernt, um die Metallstruktur 210a freizulegen. Diesbezüglich wird das Abtragungsbad (Strippers) aus Fluor-enthaltendem Material ausgebildet, um keinen Schaden an der organischen lichtemittierenden Schicht 240 hervorzurufen, und der Photolack und der Entwickler können auch aus einem Fluor-enthaltendem Material ausgebildet sein.
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Abschließend wird, wie in der 2G gezeigt, eine zweite Elektrode 260, die eine Kathode darstellt, über der gesamten Oberfläche des mit der freigelegten Metallstruktur 210a versehenen Substrats 200 ausgebildet. Die zweite Elektrode 260 wird aus einem transparentem Material so ausgebildet, so dass das von der organischen lichtemittierenden Schicht 240 emittierte Licht durch die zweite Elektrode 260 fällt, um nach draußen emittiert zu werden. Insbesondere kann die zweite Elektrode 260 aus einer Magnesiumlegierung (Mg:Ag) mit einer niedrigen Arbeitsfunktion ausgebildet werden. Die zweite Elektrode 260 kann eine geringe Dicke, z. B. 50 nm oder weniger aufweisen, um von der organischen lichtemittierenden Schicht 240 emittiertes Licht zu transmittieren.
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Damit werden, da das Photolackmuster 300 ausgebildet ist, um die Metallstruktur 210 in der organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zu bedecken, die gemeinsame Löcherschicht 230a und die gemeinsame Elektronenschicht 230 über der gesamten Oberfläche des Substrats 200 ohne Verwendung eines Schattenmaske ausgebildet. Dann wird das Photolackmuster 300 entfernt, um die Metallstruktur 210 freizulegen, und die zweite Elektrode 240 wird ausgebildet, um mit der Metallstruktur 210a verbunden zu werden. Somit kann, wenn eine großformatige organische lichtemittierende Dioden-Anzeigevorrichtung ausgebildet wird, der Widerstand der zweiten Elektrode 260 gesenkt werden, ein Produktionsvorgang vereinfacht werden und die Produktionskosten derselben gesenkt werden.
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Insbesondere kann, wie in 3A dargestellt, eine Hilfselektrode 260a ferner zwischen der organischen lichtemittierenden Schicht 240 und der zweiten Elektrode 260a ausgebildet werden, um eine Beschädigung der organischen lichtemittierenden Schicht 240 zu minimieren, die von denn Abtragungsbad (Strippers) während des Abtragens des Photolackmusters 300 hervorgerufen wird. Diesbezüglich wird die Hilfselektrode 260a vor dem Entfernen des Photolackmusters 300 ausgebildet. In diesem Fall kann die Hilfselektrode 260a aus einer Magnesiumlegierung ausgebildet werden, und die zweite Elektrode 260 kann aus einem transparenten leitenden Material ausgebildet werden, wie z. B. Zinnoxid (TO), Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO) und Indiumzinnzinkoxid (ITZO).
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Indessen kann das Verfahren zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung auch auf einen in einem Nichtanzeigebereich eines Substrats ausgebildeten Kontaktbereich angewendet werden, um ein externes Signal an die zweite Elektrode zu übertragen.
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Die 4A bis 4D zeigen Querschnittsansichten zum Beschreiben eines Verfahrens zum Verbinden eines auf einem Substrat ausgebildeten Kontaktbereichs mit einer zweiten Elektrode, um ein externes Signal an die zweite Elektrode zu liefern, gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
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Zunächst weist, gemäß der 4A, ein Substrat 400 einen Anzeigebereich und einen Nichtanzeigebereich auf, und ein Dünnschichttransistor (nicht gezeigt) ist in dem Anzeigebereich ausgebildet. Dann wird eine mit dem Dünnschichttransistor (nicht gezeigt) verbundene erste Elektrode 410 in dem Anzeigebereich ausgebildet, und ein Kontaktbereich 410a wird in dem Nichtanzeigebereich ausgebildet. Wie oben beschrieben, sind ein Kontaktflächenbereich (nicht gezeigt), der in dem Nichtanzeigebereich ausgebildet ist, und eine zweite Elektrode, die später beschrieben wird, über den Kontaktbereich 410a miteinander elektrisch verbunden, um ein externes Signal an die zweite Elektrode durch den Kontaktbereich 410a zu übertragen. Der Kontaktbereich 410a kann über der gesamten Oberfläche oder auf einem Bereich des Nichtanzeigebereichs ausgebildet werden.
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Dann wird ein Wall 420 auf dem Substrat 400 ausgebildet. Der Wall 420 wird innerhalb des Anzeigebereichs ausgebildet und legt einen Bereich der ersten Elektrode 410 frei, um einen Lumineszenzbereich jedes Pixels festzulegen. Dann wird ein Photolackmuster 500 mit umgekehrter Trapezform in einem Nichtlumineszenzbereich ausgebildet, um den Kontaktbereich 410a zu bedecken. Diesbezüglich wird das Photolackmuster 500 ausgebildet, um den Kontaktbereich 410a zu bedecken.
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Insbesondere kann das Photolackmuster 500 ein oberes Ende mit einer größeren Breite als ein unteres Ende aufweisen, wie oben beschrieben. Insbesondere wird das Photolackmuster 500 in einer umgekehrten Trapezform ausgebildet, bei der ein Winkel (θ) zwischen einer oberen Oberfläche des Kontaktbereichs 410 und einer Seitenoberfläche des Photolackmusters 500 kleiner als 90° ist.
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Dann wird, wie in 4B dargestellt, eine gemeinsame Löcherschicht 430a über der gesamten Oberfläche des Substrats 400 ausgebildet. Die gemeinsame Löcherschicht 430a wird an gestuften Bereichen zwischen dem Substrat 400 und dem Photolackmuster 500 diskontinuierlich ausgebildet. Zusätzlich wird eine organische lichtemittierende Schicht 440 auf der gemeinsamen Löcherschicht 430a ausgebildet.
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Die organische lichtemittierende Schicht 440 kann aus einem weißes Licht emittierendem Material über der gesamten Oberfläche des Substrats 400 ausgebildet werden, wie es hierin dargestellt ist, so dass das von der organischen lichtemittierenden Schicht 440 emittierte weiße Licht rotes, grünes und blaues Licht dadurch erzeugt, dass es jeweils durch R-, G- und B-Farbfilter fällt, die an jedem Unterpixel befestigt sind. Alternativ kann die organische lichtemittierende Schicht 440 R-, G- und B-organische lichtemittierende Materialien aufweisen und kann ausgebildet sein, um die erste Elektrode 410 in einem Bereich zu überlappen, in dem der Wall 420 nicht ausgebildet ist.
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Dann wird eine gemeinsame Elektronenschicht 430b auf der organischen lichtemittierenden Schicht 440 ausgebildet. Die gemeinsame Elektronenschicht 430b wird auch über der gesamten Oberfläche des Substrats 400 ohne Verwenden einer Maske ausgebildet. Diesbezüglich wird die gemeinsame Löcherschicht 430a, die organische lichtemittierende Schicht 440 und die gemeinsame Elektronenschicht 430b an den gestuften Bereichen des Photolackmusters 500 diskontinuierlich ausgebildet.
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Dann wird, wie in 4C gezeigt, das Photolackmuster unter Verwendung eines Abtragungsbades (Strippers) entfernt, um den Kontaktbereich freizulegen. Diesbezüglich ist das Abtragungsbad (Stripper) aus einem Fluor-enthaltendem Material ausgebildet, um keinen Schaden an der organischen lichtemittierenden Schicht 440 hervorzurufen, und der Photolack und der Entwickler können auch aus einem Fluor-enthaltendem Material ausgebildet sein.
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Abschließend wird, wie in 4D gezeigt, eine zweite Elektrode 460, die eine Kathode darstellt, über der gesamten Oberfläche des mit der gemeinsamen Elektronenschicht 410a vorgesehenen Substrats 400 ausgebildet. Die zweite Elektrode 460 ist mit dem Kontaktbereich 410a elektrisch verbunden und ist mit dem Kontaktflächenbereich des Nichtanzeigebereichs durch den Kontaktbereich 410a elektrisch verbunden. Demgemäß kann ein externes Signal an die zweite Elektrode 460 angelegt werden.
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Damit sind die gemeinsame Löcherschicht 430a und die gemeinsame Elektronenschicht 430b nicht auf dem Kontaktbereich 410a ausgebildet, der den im Nichtanzeigebereich des Substrats 400 ausgebildeten Kontaktflächenbereich mit der zweiten Elektrode 460 unter Verwendung des Verfahrens zum Herstellen der lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung verbindet, so dass ein Produktionsvorgang vereinfacht werden kann.
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*Zweites Beispiel*
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Die 5A bis 5C zeigen Querschnittsansichten zum Beschreiben eines Verfahrens zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung gemäß einem zweiten Beispiel.
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Gemäß 5A wird ein Dünnschichttransistor (nicht gezeigt) auf einem Substrat 600 in jedem der Unterpixel ausgebildet. Dann wird eine Passivierungsschicht auf dem mit dem Dünnschichttransistor versehenen Substrat 600 unter Verwendung eines organischen oder anorganischen Isolationsmaterials ausgebildet. Die Passivierungsschicht wird gezielt abgetragen, um eine Drainelektrode freizulegen. Dann wird eine erste Elektrode 610, die eine Anode darstellt und elektrisch mit der Drainelektrode verbunden ist, auf der Passivierungsschicht ausgebildet.
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Insbesondere kann die erste Elektrode 610 eine Doppelschichtstruktur aufweisen, die durch aufeinanderfolgendes Auflaminieren eines transparenten leitenden Materials, wie z. B. Zinnoxid (TO), Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO) und Indiumzinnzinkoxid (ITZO), und eines metallischen Materials mit hohem Reflektionsvermögen ausgebildet wird, wie z. B. Aluminium (Al) oder eine Aluminiumlegierung (AlNd), so dass das in einer organischen lichtemittierenden Schicht, die später beschrieben wird, erzeugte Licht sich nach oben in Richtung des Substrats 600 ausbreitet. Diesbezüglich reflektiert Al oder AlNd das von der organischen lichtemittierenden Zelle emittierte Licht nach oben. Die erste Elektrode 610 kann auch eine Dreifachstruktur aufweisen, die durch ein weiteres Auflaminieren eines transparenten leitenden Materials auf Al oder AlNd ausgebildet wird.
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Dann wird eine Metallstruktur 610a in derselben Schicht wie die erste Elektrode 610 ausgebildet. Hier kann die Metallstruktur 610a in dem Anzeigebereich gleichzeitig mit der ersten Elektrode 610 oder vor oder nach dem Ausbilden der ersten Elektrode 610 ausgebildet werden.
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Zunächst weist, wenn die erste Elektrode 610 und die Metallstruktur 610a gleichzeitig ausgebildet werden, die Metallstruktur 610a auch eine Doppelschichtstruktur oder eine Dreifachschichtstruktur, ähnlich wie die erste Elektrode 610, auf. Wenn die Metallstruktur 610a vor oder nach dem Ausbilden der ersten Elektrode 610 ausgebildet wird, wird ein Metall mit einem niedrigen Widerstand strukturiert, wie z. B. Aluminium (Al), Molybdän (Mo) und Kupfer (Cu), um die Metallstruktur 610a auszubilden.
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Dann wird ein Wall 620 auf dem Substrat 600 ausgebildet. Der Wall 620 wird ausgebildet, um einen Bereich der ersten Elektrode 610 und einen Bereich der Metallstruktur 610a freizulegen.
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Dann wird, wie in 5B dargestellt, eine gemeinsame Löcherschicht 630 über der gesamten Oberfläche des Substrats 600 ausgebildet. Insbesondere wird, wenn die organische lichtemittierende Dioden-Anzeigevorrichtung Unterpixel mit jeweils einem R-, G- oder B-Farbfilter aufweist und eine organische lichtemittierende Schicht 640 weißes Licht emittiert, die organische lichtemittierende Schicht 640 auch über der gesamten Oberfläche des Substrats 600, ähnlich wie die gemeinsame Löcherschicht 630a, ausgebildet, und eine gemeinsame Elektronenschicht 630b wird über der gesamten Oberfläche der organischen lichtemittierenden Schicht 640 ausgebildet. Damit werden die gemeinsame Löcherschicht 630a, die organische lichtemittierende Schicht 640 und die gemeinsame Elektronenschicht 630b über der gesamten Oberfläche des Substrats 600 ohne die Verwendung einer Maske ausgebildet.
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Indessen kann, obwohl dies hier nicht gezeigt ist, die organische lichtemittierende Schicht 640 unter Verwendung einer Schattenmaske ausgebildet werden. Für diesen Fall wird die organische lichtemittierende Schicht 640 ausgebildet, um mit der ersten Elektrode 610 in einem Bereich zu überlappen, wo der Wall 620 nicht ausgebildet ist, und sie weist R-, G- und B-lichtemittierende Materialien auf. Somit emittiert die organische lichtemittierende Schicht 640 rotes, grünes und blaues Licht ohne die Verwendung von Farbfiltern.
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Dann wird, wie in 5C dargestellt, ein Photolack auf der gesamten Oberfläche der gemeinsamen Elektronenschicht 630b aufgetragen, dieser belichtet und entwickelt, um ein Photolackmuster 700 auszubilden, das die gemeinsame Elektronenschicht 630b in einem der Metallstruktur 610a entsprechenden Bereich freilegt. Dann wird, wie in 5D dargestellt, die freigelegte gemeinsame Löcherschicht 630a, die organische lichtemittierende Schicht 640 und die gemeinsame Elektronenschicht 630b durch Trockenätzen unter Verwendung des Photolackmusters 700 als Maske abgetragen, um die Metallstruktur 610a freizulegen.
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Insbesondere werden, wie oben beschrieben, wenn die organische lichtemittierende Schicht 640 ausgebildet ist, um mit der ersten Elektrode 610 nur in einem Bereich zu überlappen, wo der Wall 620 unter Verwendung einer Schattenmaske nicht ausgebildet ist, die gemeinsame Löcherschicht 630a und die gemeinsame Elektronenschicht 630b nur in einem der Metallstruktur 610a entsprechendem Bereich ausgebildet. Dementsprechend werden die gemeinsame Löcherschicht 630a und die gemeinsame Elektronenschicht 630b durch Trockenätzen abgetragen, um die Metallstruktur 610a freizulegen.
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Dann wird, wie in 5E gezeigt, das verbleibende Photolackmuster 700 unter Verwendung eines Abtragungsbads (Strippers) abgetragen, um die gemeinsame Elektronenschicht 630b freizulegen. Insbesondere wird das Abtragungsbad (Stripper) aus einem Fluor-enthaltendem Material ausgebildet, um keinen Schaden an der organischen lichtemittierenden Schicht 640 hervorzurufen, und der Photolack und der Entwickler können auch aus einem Fluor-enthaltendem Material ausgebildet werden.
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Abschließend wird, wie in 5F dargestellt, eine zweite Elektrode 660, die eine Kathode darstellt, über der gesamten Oberfläche des mit der freigelegten Metallstruktur 610a vorgesehenen Substrats 600 ausgebildet. Die zweite Elektrode 660 kann aus einem transparentem Metall so ausgebildet werden, so dass das von der organischen lichtemittierenden Schicht 640 emittierte Licht durch die zweite Elektrode 660 fallen kann, um nach außen emittiert zu werden. Insbesondere kann die zweite Elektrode 660 aus einer Magnesiumlegierung (Mg:Ag) mit einer niedrigen Arbeitsfunktion bis zu einer Dicke von 50 nm oder weniger ausgebildet werden, um die Transmission von Licht zu ermöglichen.
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Damit können, wie oben beschrieben, gemäß den Verfahren zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung die gemeinsame Löcherschicht 630a und die gemeinsame Elektronenschicht 630b auch über der gesamten Oberfläche des Substrats 600 ohne die Verwendung einer Schattenmaske ausgebildet werden. Die Metallstruktur 610a, die verwendet wird, um den Widerstand der zweiten Elektrode 660 zu senken, kann auch durch Entfernen der gemeinsamen Löcherschicht 630a und der gemeinsamen Elektronenschicht 640b durch Entfernen des Photolacks in einem der Metallstruktur 610a entsprechenden Bereich freigelegt werden. Somit kann ein Produktionsvorgang vereinfacht werden und die Produktionskosten können gesenkt werden.
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Insbesondere kann, obwohl dies hierin nicht gezeigt ist, eine Hilfselektrode (nicht gezeigt) ferner auf der gemeinsamen Elektronenschicht 630b angeordnet werden, um einen Schaden an der organischen lichtemittierenden Schicht 640 zu minimieren, der von dem Abtragungsbad (Strippers) während dem Abtragen des Photolackmusters 700 hervorgerufen werden kann. Diesbezüglich kann die Hilfselektrode (nicht gezeigt) aus einer Magnesiumlegierung hergestellt werden und die zweite Elektrode 660 kann aus einem transparenten leitenden Material hergestellt werden, wie z. B. Zinnoxid (TO), Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO) und Indiumzinnzinkoxid (ITZO).
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Die 6A bis 6E zeigen Draufsichten, die Formen der auf Substraten ausgebildeten Metallstrukturen darstellen.
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Gemäß den 6A und 6B können Metallstrukturen 210a als Inseln jeweils zwischen R-, G- und B-organischen lichtemittierenden Zellen angeordnet werden, um den R-, G- und B-organische lichtemittierenden Zellen zu entsprechen. Alternativ kann jede der Metallstrukturen 210a ausgebildet werden, um einer Vielzahl von organischen lichtemittierenden Zellen zu entsprechen, wie es in den 6C und 6D dargestellt ist. Darüber hinaus kann die Metallstruktur 210a ausgebildet werden, um Kanten der organischen lichtemittierenden Zellen zu umgeben, wie es in der 6E dargestellt ist.
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Indessen kann, obwohl dies hierin nicht gezeigt ist, das Verfahren zum Herstellen der organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung gemäß dem zweiten Beispiel auch auf einen Kontaktbereich angewendet werden, der in dem Nichtanzeigebereich des Substrats ausgebildet ist und ein externes Signal an die zweite Elektrode überträgt.
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Wie oben beschrieben, wird gemäß dem Verfahren zum Herstellen der organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung das Photolackmuster auf der Metallstruktur ausgebildet. Somit können, obwohl die gemeinsame Löcherschicht und die gemeinsame Elektronenschicht über der gesamten Oberfläche des Substrats ohne Verwendung einer Maske ausgebildet werden, die gemeinsame Löcherschicht und die gemeinsame Elektronenschicht nicht auf der Metallstruktur ausgebildet werden. Zusätzlich kann, da das Photolackmuster nur in einem Bereich ausgebildet wird, wo die Metallstruktur nicht ausgebildet wird, die Metallstruktur mit der zweiten Elektrode durch Freilegen der Metallstruktur durch Entfernen der freigelegten gemeinsamen Löcherschicht und der gemeinsamen Elektronenschicht ausgebildet werden. Somit kann durch Ausbilden der gemeinsamen Löcherschicht und der gemeinsamen Elektronenschicht über der gesamten Oberfläche des Substrats ohne Verwendung einer Maske ein Produktionsvorgang vereinfacht werden und die Produktionskosten gesenkt werden.
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Zusätzlich kann, da das Photolackmuster, der Entwickler und das Abtragungsbad (Strippers) aus Fluor-enthaltenden Materialien ausgebildet werden, eine Beschädigung der organischen lichtemittierenden Schicht während dem Entwickeln und dem Abtragen des Photolacks verhindert werden. Zusätzlich kann die zwischen der organischen lichtemittierenden Schicht und der zweiten Elektrode ausgebildete Hilfselektrode die organische lichtemittierende Schicht davor schützen, gegenüber dem Abtragungsbad (Stripper) freizuliegen, wodurch die Zuverlässigkeit erhöht wird.
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Ferner können die oben beschriebenen ersten Ausführungsformen und das zweite Beispiel auch auf ein Verfahren zum Verbinden des Kontaktbereichs mit der zweiten Elektrode angewendet werden, um ein externes Signal von einer in dem Nichtanzeigebereich ausgebildeten Kontaktflächenregion an die zweite Elektrode zu übertragen.
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Wie es aus der obigen Beschreibung offensichtlich ist, weist das Verfahren zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung die folgenden Effekte auf.
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Erstens wird der Widerstand der zweiten Elektrode in einer großformatigen organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung durch Verwenden einer Metallstruktur mit niedrigem Widerstand nicht erhöht, das mit der zweiten Elektrode, die eine Kathode ausbildet, elektrisch verbunden wird.
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Zweitens werden, da das Photolackmuster auf der Metallstruktur ausgebildet wird, die gemeinsame Löcherschicht und die gemeinsame Elektronenschicht nicht auf der Metallstruktur ausgebildet, auch wenn die gemeinsame Löcherschicht und die gemeinsame Elektronenschicht über der gesamten Oberfläche des Substrats ohne Verwenden einer Maske ausgebildet werden, wodurch ein Produktionsvorgang vereinfacht wird und die Produktionskosten desselben gesenkt werden.
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Drittens kann, da das Photolackmuster, der Entwickler und das Abtragungsbad aus Fluor-enthaltendem Materialien ausgebildet werden, eine Beschädigung der organischen lichtemittierenden Schicht während dem Entwickeln und dem Abtragen des Photolacks verhindert werden. Darüber hinaus wird die Hilfselektrode zwischen der organischen lichtemittierenden Schicht und der zweiten Elektrode ausgebildet, um die organische lichtemittierende Schicht davor zu schützen, gegenüber dem Abtragungsbad (Stripper) freizuliegen, wodurch die Zuverlässigkeit der organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung erhöht wird.
