DE102018127272B4 - Anzeigevorrichtung mit Prozessschlüssel - Google Patents

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Abstract

Anzeigevorrichtung, die Folgendes umfasst:ein erstes Substrat (101) und ein zweites Substrat (102), die einander zugewandt sind und einen aktiven Bereich (AA) zum Anzeigen eines Bildes und einen nicht aktiven Bereich (NA), der entlang eines Rands des aktiven Bereichs (AA) ausgebildet ist, aufweisen;eine Schwarzmatrix (131), die auf dem zweiten Substrat (102) bereitgestellt ist;einen Prozessschlüssel (200), der ein erstes Schlüsselmuster (210) umfasst, das auf dem ersten Substrat (101) so bereitgestellt ist, dass es einer Ecke in dem aktiven Bereich (AA) entspricht, wobei der Prozessschlüssel (200) ein zweites Schlüsselmuster (220) umfasst, das auf dem zweiten Substrat (102) bereitgestellt ist; undeinen ersten bis dritten Pixelbereich (R-SP, G-SP, B-SP), die in dem aktiven Bereich (AA) definiert sind, wobei der Prozessschlüssel (200) nur in einem grünen Pixelbereich (G-SP), der ein grünes Farbfiltermuster umfasst, positioniert ist, wobei das zweite Schlüsselmuster (220) und die Schwarzmatrix (131) auf derselben Schicht ausgebildet sind, wobei das erste Schlüsselmuster (210) und das zweite Schlüsselmuster (220) zumindest teilweise nicht überlappen, und wobei der Prozessschlüssel (200) sowohl an einer oberen als auch an einer unteren Seite der Anzeigevorrichtung detektierbar ist.

Description

  • HINTERGRUND
  • 1. Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine Anzeigevorrichtung, die einen Prozessschlüssel enthält, und insbesondere auf einen Prozessschlüssel mit einer verbesserten Erkennungsrate in einer Anzeigevorrichtung, die eine schmale Einfassung implementiert.
  • 2. Erörterung des Standes der Technik
  • Da die Gesellschaft jüngst vollständig in ein Informationszeitalter eingetreten ist, haben die Anzeigefelder für die Verarbeitung und Anzeige von Masseninformationen rasante Fortschritte gemacht und verschiedene Anzeigevorrichtungen sind entwickelt worden und erhalten als Reaktion auf diese Fortschritte Aufmerksamkeit.
  • Spezifische Beispiele für die Anzeigevorrichtungen umfassen Flüssigkristallanzeigevorrichtungen (LCD-Vorrichtungen), Plasmaanzeigetafelvorrichtungen (PDP-Vorrichtungen), Feldemissionsanzeigevorrichtungen (FED-Vorrichtungen), Elektrolumineszenzanzeigevorrichtungen (ELD-Vorrichtungen) und Vorrichtungen aus organischen Leuchtdioden (OLED-Vorrichtungen) und diese Anzeigevorrichtungen zeigen hervorragende Leistungen in Bezug auf die Verringerung der Dicke, des Gewichts und des Energieverbrauchs, so dass sie vorhandene Kathodenstrahlröhren (CRT) schnell ersetzen.
  • Unter diesen Anzeigevorrichtungen umfasst die LCD-Vorrichtung ein Arraysubstrat, das einen Dünnfilmtransistor umfasst, ein Farbfiltersubstrat mit einem Farbfilter und/oder einer Schwarzmatrix und eine zwischen dem Arraysubstrat und dem Farbfiltersubstrat ausgebildete Flüssigkristallschicht und dadurch wird eine Anzeigetafel ausgebildet. Ein Ausrichtungszustand der Flüssigkristallschicht wird gemäß einem zwischen beiden Elektroden eines Pixelbereichs angelegten elektrischen Feld gesteuert, so dass die Lichtdurchlässigkeit gesteuert wird und somit ein Bild angezeigt wird.
  • Ferner umfasst die OLED-Vorrichtung einen Schalt-Dünnfilmtransistor, einen Ansteuer-Dünnfilmtransistor, eine erste und eine zweite Elektrode, ein erstes Substrat einschließlich einer organischen Lichtemissionsschicht, die zwischen einer ersten und einer zweiten Elektrode angeordnet ist, und ein zweites Substrat, das komprimiert ist und mit dem ersten Substrat verbunden ist, und dadurch wird eine Anzeigetafel ausgebildet. Ein Lichtemissionsgrad eines organischen Materials wird gemäß einem Pegel einer Spannung oder einer Stromstärke, der/die zwischen beiden Elektroden eines Pixelbereichs angelegt ist, gesteuert und somit wird ein Bild angezeigt.
  • Wenn verschiedene Prozesse (Anritzen, Schleifen, ein Modulprozess usw.) in solchen Anzeigevorrichtungen in Zuständen der Anzeigetafeln durchgeführt werden, kann ein Prozessschlüssel für verschiedene Zwecke zum Ausrichten auf eine Fertigungsausrüstung oder andere Objekte verwendet werden.
  • Ein Prozessschlüssel ist in einem nicht aktiven Bereich, bei dem es sich um einen Einfassungsbereich jeder der Anzeigetafeln handelt, ausgebildet und der Prozessschlüssel 130 kann mehrere Schlüsselmuster, von denen jedes ein eindeutiges Muster oder eine eindeutige Form aufweist, umfassen, um es Ausrüstung für jeden Prozess zu ermöglichen, die mehreren Schlüsselmuster zu erkennen.
  • In den letzten Jahren wurde aktiv Forschung betrieben, um einen Einfassungsbereich einer Anzeigevorrichtung zu minimieren. Es bestehen jedoch Einschränkungen hinsichtlich der Verringerung des Einfassungsbereichs aufgrund eines Prozessschlüssels, der in dem Einfassungsbereich positioniert ist.
  • DE 10 2006 029 223 A1 betrifft ein LCD, das über eine Ausrichtungsmarkierung in einem Pixelbereich verfügt.
  • KR 10 2015 0 055 643 A betrifft eine Anzeigetafel mit einem Ausrichtungsschlüssel, der zum Ausrichten der Substrate der Anzeigetafel in den Dichtungsbereichen der Substrate ausgebildet ist.
  • JP 2006 - 237 447 A betrifft eine elektrooptische Vorrichtung mit einem Dünnfilmtransistor, bei dem die Gate-Elektroden auf beiden Seiten einer Halbleiterschicht angeordnet sind.
  • US 2006 / 0 279 687 A1 beschreibt eine LCD-Anzeigevorrichtung. Eine Schwarzmatrix weist eine Öffnung auf, die eine Ausrichtungsmarkierung freilegt.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung wird durch den Gegenstand des unabhängigen Anspruchs gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Ausführungsformen beziehen sich auf das Schaffen einer Anzeigevorrichtung, bei der ein Einfassungsbereich minimiert ist.
  • Ferner beziehen sich Ausführungsformen darauf, zu ermöglichen, dass ein Prozessschlüssel auf einer oberen Seite oder einer unteren Seite einer Anzeigetafel definitiv detektiert wird.
  • Eine oder mehrere Ausführungsformen beziehen sich auf eine Anzeigevorrichtung, die umfasst: ein erstes Substrat und ein zweites Substrat, die einander zugewandt sind und in denen ein aktiver Bereich, in dem ein Bild implementiert oder angezeigt wird, und ein nicht aktiver Bereich, der entlang eines Rands des aktiven Bereichs ausgebildet ist, definiert sind; und einen Prozessschlüssel, der ein erstes Schlüsselmuster umfasst, das auf dem ersten Substrat so bereitgestellt ist, dass es einer Ecke in dem aktiven Bereich entspricht, wobei das erste Schlüsselmuster auf dem ersten Substrat positioniert ist.
  • In einigen Ausführungsformen umfasst der Prozessschlüssel ein zweites Schlüsselmuster, das aus einem Material hergestellt sein kann, das sich von dem des ersten Schlüsselmusters unterscheidet.
  • In einigen Ausführungsformen besteht das erste Schlüsselmuster aus mindestens einer Form, die aus den Formen „+“, „-“, „L“, „O“ und „T“ ausgewählt ist.
  • In einigen Ausführungsformen ist das zweite Schlüsselmuster in einer Form ausgebildet, die die gleiche ist wie die des ersten Schlüsselmusters entlang dessen Rands.
  • In einigen Ausführungsformen ist das zweite Schlüsselmuster in einer geschlossenen Kurvenform oder in einer geschlossenen Polygonform ausgebildet, die das erste Schlüsselmuster umgibt.
  • In einigen Ausführungsformen bilden das erste Schlüsselmuster und das zweite Schlüsselmuster eine einzelne Form.
  • In einigen Ausführungsformen hat das zweite Schlüsselmuster eine Form, die nur einem Abschnitt des Rands des ersten Schlüsselmusters entspricht.
  • In einigen Ausführungsformen ist das zweite Schlüsselmuster in einer Form ausgebildet, die die gleiche ist wie die des ersten Schlüsselmusters, oder das zweite Schlüsselmuster ist in einer Form ausgebildet, die sich von der des ersten Schlüsselmusters unterscheidet und sich mit einem Inneren des erstes Schlüsselmusters überlappt.
  • In einigen Ausführungsformen umfasst die Anzeigevorrichtung einen ersten bis dritten Pixelbereich, von denen jeder ein rotes Farbfiltermuster, ein grünes Farbfiltermuster und ein blaues Farbfiltermuster aufweist, die in dem aktiven Bereich definiert sind.
  • In einigen Ausführungsformen ist der Prozessschlüssel in einem Pixelbereich positioniert, der ein Farbfiltermuster mit dem höchsten Durchlassgrad der Farbfiltermuster, die in dem ersten bis dritten Pixelbereich verwendet werden, aufweist.
  • Vorzugsweise ist der Prozessschlüssel in einem grünen Pixelbereich, der das grüne Farbfiltermuster enthält, positioniert.
  • In einigen Ausführungsformen ist auf dem ersten Substrat ein Dünnfilmtransistor, der eine Gate-Elektrode, eine Gate-Leitung und eine Datenleitung, eine Halbleiterschicht und eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode umfasst, bereitgestellt.
  • In einigen Ausführungsformen ist das erste Schlüsselmuster aus einem Material ausgebildet, das dem der Gate-Elektrode und der Gate-Leitung auf derselben Schicht entspricht.
  • In einigen Ausführungsformen sind das zweite Schlüsselmuster und eine Schwarzmatrix aus dem gleichen Material auf derselben Schicht ausgebildet.
  • In einigen Ausführungsformen sind das zweite Schlüsselmuster und eine Lichtblockadeschicht aus dem gleichen Material auf derselben Schicht ausgebildet, wobei die Lichtblockadeschicht unterhalb des Dünnfilmtransistors angeordnet ist und aus einem schwarzen Pigment besteht.
  • Vorteile und Merkmale der Offenbarung werden zum Teil in der folgenden Beschreibung dargelegt und werden für Durchschnittsfachleute bei Betrachtung des Nachstehenden ersichtlich oder werden aus der Praxis der Offenbarung erlernt. Andere Vorteile und Merkmale der hier beschriebenen Ausführungsformen können durch die Struktur realisiert und erreicht werden, die insbesondere in der schriftlichen Beschreibung und den Ansprüchen sowie den beigefügten Zeichnungen dargelegt ist.
  • Es versteht sich, dass sowohl die vorstehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende ausführliche Beschreibung erklärend sind und eine weitere Erläuterung der beanspruchten Ausführungsformen bieten sollen.
  • Figurenliste
  • Die beigefügten Zeichnungen, die zum weiteren Verständnis der Offenbarung enthalten sind, sind in die vorliegende Beschreibung einbezogen und bilden einen Teil davon, veranschaulichen Implementierungen der Offenbarung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, die Prinzipien von Ausführungsformen der Offenbarung zu erläutern.
    • 1A ist eine Draufsicht, die eine Anzeigetafel gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung schematisch darstellt.
    • 1B ist eine Querschnittsansicht von 1A.
    • 2 ist eine Draufsicht, die einen Abschnitt einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung (LCD-Vorrichtung) gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung schematisch darstellt.
    • 3 ist eine vergrößerte Draufsicht, die ein einzelnes Pixel, das am äußersten Umfang von 2 positioniert ist, schematisch darstellt.
    • 4 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie IV-IV von 3.
    • 5A bis 6F sind schematische Darstellungen, die Prozessschlüssel zeigen.
    • 7A bis 7C sind Darstellungen, die experimentelle Ergebnisse des Messens von Erkennungsraten der Prozessschlüssel gemäß einer Farbe eines Farbfiltermusters zeigen.
    • 8 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch eine Vorrichtung aus organischen Leuchtdioden (OLED-Vorrichtung) gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
    • 9 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch eine weitere OLED-Vorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
  • GENAUE BESCHREIBUNG
  • Nachfolgend werden Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen im Einzelnen beschrieben.
  • 1A ist eine Draufsicht, die schematisch eine Anzeigetafel gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt, und 1B ist eine Querschnittsansicht von 1A.
  • Wie in den Zeichnungen gezeigt ist, wird eine Anzeigetafel 100 durch Verbinden eines ersten Substrats 101, das ein unteres Substrat ist, und eines zweiten Substrats 102, das ein oberes Substrat ist, hergestellt, und wenn die Anzeigetafel 100 aus einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung (LCD-Vorrichtung) besteht, ist ein Dünnfilmtransistor T (von 3) auf dem ersten Substrat 101 bereitgestellt, ein Farbfiltermuster 133 (von 4) und/oder eine Schwarzmatrix 131 (von 4) sind auf dem zweiten Substrat 102 bereitgestellt und eine Flüssigkristallschicht (von 4) ist zwischen dem ersten Substrat 101 und dem zweiten Substrat 102 angeordnet.
  • Wenn die Anzeigetafel 100 als Vorrichtung aus organischen Leuchtdioden (OLED-Vorrichtung) ausgebildet ist, sind ein Schalt-Dünnfilmtransistor und ein Ansteuer-Dünnfilmtransistor, eine erste und eine zweite Elektrode 311 und 315 (von 6) und eine organische Lichtemissionsschicht 313 (von 6) zwischen der ersten und der zweiten Elektrode 311 und 315 (von 6) sind auf dem ersten Substrat 101 bereitgestellt und das zweite Substrat 102 ist von den ersten dem ersten Substrat 101 durch eine Schutzschicht 303 (von 6) mit Haftfähigkeit beabstandet und ist durch die Schutzschicht 303 mit dem ersten Substrat 101 verbunden.
  • Eine solche Struktur wird nachstehend ausführlicher beschrieben.
  • Der Dünnfilmtransistor T (von 3) und/oder die erste und die zweite Elektrode 311 und 315 (von 8) sind auf dem ersten Substrat 101 der Anzeigetafel 100 positioniert, so dass mehrere Leitungen (nicht gezeigt) ausgebildet sind und eine Kontaktstelle 160 mit einem distalen Ende jeder der mehreren Leitungen (nicht gezeigt) verbunden ist. In diesem Fall können die mehreren Leitungen (nicht gezeigt) mit Signalleitungen wie etwa Gate- und Datenleitungen 103 und 105 (von 3) und gemeinsamen Busleitungen 107 (von 3) ausgebildet sein oder können mit Nichtsignalleitungen wie beispielsweise antistatischen Leitungen (nicht gezeigt) ausgebildet sein.
  • Hier sind bei der Anzeigetafel 100 gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung das erste Substrat 101 und das zweite Substrat 102 in der gleichen Form ausgebildet und somit fallen die Enden des ersten Substrats 101 und des zweiten Substrats 102 zusammen und eine Seitenfläche der Kontaktstelle 160, die an dem distalen Ende jeder der mehreren Leitungen (nicht gezeigt) bereitgestellt ist, ist zu einer Seitenfläche zwischen dem ersten Substrat 101 und dem zweiten Substrat 102 hin freigelegt.
  • Eine gedruckte Leiterplatte (PCB) 190 ist mit einer Seite der Anzeigetafel 100 über ein Verbindungselement 170 wie etwa eine flexible PCB verbunden, und in diesem Fall ist das Verbindungselement 170 an einer Seitenfläche der Anzeigetafel 100 angebracht und mit dieser verbunden.
  • Das heißt, das Verbindungselement 170 ist elektrisch mit der Seitenfläche der Kontaktstelle 160 verbunden. Die Kontaktstelle 160 liegt zu der Seitenfläche zwischen dem ersten Substrat 101 und/oder dem zweiten Substrat 102 hin frei. Vorzugsweise ist die Kontaktstelle 160 mit dem Verbindungselement 170 über eine Haftschicht 180b, die eine leitfähige Kugel 180a enthält, elektrisch verbunden.
  • Obwohl gezeigt wurde, dass das Verbindungselement 170 und die PCB 190 nur mit einer Seite der Anzeigetafel 100 verbunden sind, können in diesem Fall das Verbindungselement 170 und die PCB 190 zusätzlich oder alternativ mindestens an einer anderen Seite der Anzeigetafel 100 ausgebildet sein.
  • Ferner kann die Kontaktstelle 160 aus den mehreren Leitungen (nicht gezeigt) als ein Körper auf derselben Schicht gebildet sein oder die mehreren Leitungen (nicht gezeigt) können aus die Datenleitungen 105 (von 3), die auf einer Gate-Isolierschicht 113 (von 4) bereitgestellt sind, ausgebildet sein und die Kontaktstelle 160 kann aus einer Datenkontaktstelle, die unter der Gate-Isolierschicht 113 (von 4) bereitgestellt ist, ausgebildet sein und in diesem Fall ist die Datenkontaktstelle mit den Datenleitungen 105 (von 3) durch ein Kontaktloch (nicht gezeigt) verbunden, das in der Gate-Isolierschicht 113 (von 4) bereitgestellt ist.
  • In einer solchen Anzeigetafel 100 liegt die Seitenfläche der Kontaktstelle 160 zu einer Seitenfläche des ersten Substrats 101 hin frei und das Verbindungselement 170 ist an den Seitenflächen des ersten und/oder des zweiten Substrats 101 und/oder 102 angebracht und mit diesen verbunden, so dass auf dem ersten und dem zweiten Substrat 101 und 102 kein separater Kontaktstellenausbildungsbereich (d. h. ein Kontaktstellenbereich) erforderlich ist.
  • Das heißt, von oben betrachtet sind alle Bereiche der Anzeigetafel 100 so ausgebildet, dass sie einen aktiven Bereich A/A bilden, in dem ein Bild implementiert wird, nur mit Ausnahme eines minimalen Randbereichs (d. h. eines nicht aktiven Bereichs N/A) für einen Bereich, in dem ein tatsächliches Muster 120 gebildet wird.
  • Da der Randbereich, der der nicht aktive Bereich N/A ist, minimiert wird, implementiert eine solche Anzeigetafel 100 eine schmalere Einfassung.
  • Wie oben beschrieben ist die Anzeigetafel 100, bei der der nicht aktive Bereich N/A minimiert ist, dadurch gekennzeichnet, dass gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung Prozessschlüssel 200 in dem aktiven Bereich A/A positioniert sind.
  • Insbesondere ist der Prozessschlüssel 200 mit einem ersten Schlüsselmuster 210 aus einem Metallmaterial, das Licht reflektieren kann, und einem zweiten Schlüsselmuster 220 aus einem schwarzen Pigment, das entlang einem Rand des ersten Schlüsselmusters 210 bereitgestellt ist, ausgebildet und der Prozessschlüssel 200 ist in einem der Pixelbereiche, vorzugsweise in einem grünen Pixelbereich G-SP (von 3), positioniert.
  • Folglich wird in der Anzeigetafel 100 der vorliegenden Offenbarung eine Erkennungsrate des Prozessschlüssels 200 erhöht und somit kann während der Durchführung verschiedener Prozesse wie beispielsweise Anritzen, Schleifen, eines Modulprozesses und dergleichen an der Anzeigetafel 100 der Prozessschlüssel 200 leicht auf Fertigungsausrüstung oder andere Objekte ausgerichtet werden.
  • Insbesondere wird der Prozessschlüssel 200 sowohl auf der oberen als auch an der unteren Seite der Anzeigetafel 100 erkannt, so dass die Prozesseffizienz weiter verbessert werden kann.
  • 2 ist eine Draufsicht, die einen Abschnitt einer LCD-Vorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung schematisch darstellt, und 3 ist eine vergrößerte Draufsicht, die ein einzelnes Pixel schematisch darstellt, das am äußersten Umfang von 1 positioniert ist.
  • 4 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie IV-IV von 3, 5A bis 6F sind schematische Darstellungen, die Prozessschlüssel zeigen, und 7A bis 7C sind Darstellungen, die experimentelle Ergebnisse des Messens von Erkennungsraten der Prozessschlüssel gemäß einer Farbe eines Farbfiltermusters zeigen.
  • Wie es in den Zeichnungen gezeigt ist, umfasst die LCD-Vorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Anzeigetafel 100, einen ersten und einen zweiten Polarisator 140a und 140b und eine Hintergrundbeleuchtung 150 zum Einspeisen von Licht in die Anzeigetafel 100.
  • In diesem Fall wird die Anzeigetafel 100 durch Verbinden von Flächen des ersten Substrats 101 und des zweiten Substrats 102 bei dazwischen angeordneter Flüssigkristallschicht 104 hergestellt. Das erste Substrat 101, das als unteres Substrat oder Arraysubstrat bezeichnet wird, und das zweite Substrat 102, das als oberes Substrat oder Farbfiltersubstrat bezeichnet wird, sind in derselben Form ausgebildet, so dass die einen Enden des ersten Substrats 101 und des zweiten Substrats 102 miteinander zusammenfallen.
  • Die Anzeigetafel 100 umfasst einen aktiven Bereich A/A, der ein Bild anzeigt, und einen nicht aktiven Bereich N/A, der entlang eines Rands des aktiven Bereichs A/A bereitgestellt ist und nicht zum Anzeigen eines Bildes verwendet wird, und der nicht aktive Bereich N/A ist entlang eines Rands der Anzeigetafel 100 definiert und der aktive Bereich A/A ist innerhalb des nicht aktiven Bereich N/A positioniert.
  • Das tatsächliche Muster 120 ist in dem nicht aktiven Bereich N/A positioniert, um ein Auslaufen der Flüssigkristallschicht 104 zu verhindern, die einen Raum zwischen dem ersten Substrat 101 und dem zweiten Substrat 102 ausfüllt. Das tatsächliche Muster hat eine Versiegelungsfunktion und kann auch als Versiegelungsmuster bezeichnet werden.
  • In diesem Fall ist bei der LCD-Vorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, da die Kontaktstelle 160 zu der Seitenfläche der Anzeigetafel 100 hin freigelegt ist, kein separater Kontaktstellenausbildungsbereich auf dem ersten und zweiten Substrat 101 und 102 erforderlich, so dass der nicht aktive Bereich N/A so ausgebildet ist, dass er einer Breite des tatsächlichen Musters 120 entspricht.
  • Hier sind mehrere Pixelbereiche R-SP, G-SP und B-SP sind in dem aktiven Bereich A/A der Anzeigetafel 100 definiert und jeder der Pixelbereiche R-SP, G-SP und B-SP ist durch die mehreren Datenleitungen 105 und mehreren Gate-Leitungen 103 definiert, die an dem ersten Substrat 101 bereitgestellt sind und sich vertikal und horizontal miteinander schneiden, und der Dünnfilmtransistor T, der ein Schaltelement ist, ist an einem Kreuzungspunkt zwischen den zwei Leitungen 103 und 105 bereitgestellt.
  • Genauer sind auf dem ersten Substrat 101 die mehreren Gate-Leitungen 103 parallel ausgebildet, so dass sie einen vorbestimmten Abstand voneinander haben, die gemeinsamen Busleitungen 107 sind benachbart und parallel zu den Gate-Leitungen 103 ausgebildet und die Datenleitungen 105 sind so ausgebildet, dass sie die Gate-Leitungen 103 und die gemeinsamen Busleitungen 107 und insbesondere die Gate-Leitungen 103 schneiden, wodurch der R-Pixelbereich (rote Pixelbereich) R-SP, G-Pixelbereich (grüne Pixelbereich) G-SP und B-Pixelbereich (blaue Pixelbereich) und B-SP definiert werden.
  • An diesem Punkt wird der Dünnfilmtransistor T in einem Schaltbereich, der der Kreuzungspunkt der Gate-Leitung 103 und der Datenleitung 105 jedes der R-, G- und B-Pixelbereiche R-SP, G-SP und B-SP ist, ausgebildet und eine gemeinsame Elektrode 125, die mit der gemeinsamen Busleitung 107 verbunden ist, und eine Pixelelektrode 123, die mit dem Dünnfilmtransistor T verbunden ist, sind in dem aktiven Bereich A/A ausgebildet, in dem sich ein Bild tatsächlich implementiert wird.
  • Hier ist der Dünnfilmtransistor T mit einer Gate-Elektrode 111, einer Gate-Isolierschicht 113, einer Halbleiterschicht 115, die eine aktive Schicht 115a aus reinem amorphem Silicium und eine ohmsche Kontaktschicht 115b aus amorphem Silizium dotiert mit Fremdatomen enthält, und einer Source-Elektrode 117 und einer Drain-Elektrode 118 ausgebildet.
  • Die Pixelelektrode 123 ist mit der Drain-Elektrode 118 des Dünnfilmtransistors T elektrisch verbunden.
  • An diesem Punkt werden mehrere stabförmige Pixelelektroden 123 und mehrere stabförmige gemeinsame Elektroden 125 abwechselnd und voneinander beabstandet angeordnet und in den Pixelbereichen R-SP, G-SP und B-SP ausgebildet.
  • Ferner kann sich die Gate-Elektrode 111 aus der Gate-Leitung 103 erstrecken oder die Gate-Elektrode 111 kann aus einem Abschnitt der Gate-Leitung 103 bestehen, und in diesem Fall kann die Gate-Elektrode 111 eine Breite haben, die breiter ist als die anderer Abschnitte der Gate-Leitung 103.
  • Ferner ist die Schutzschicht 121 auf einer vorderen Oberfläche des ersten Substrats 101 einschließlich des Dünnfilmtransistors T ausgebildet. In diesem Fall ist ein Drain-Kontaktloch 118a zum Freilegen der Drain-Elektrode 118 des Dünnfilmtransistors T an der Schutzschicht 121 bereitgestellt.
  • Als modifiziertes Beispiel kann unterdessen die Pixelelektrode 123 in jeweils dem R-, G- und B-Pixelbereich R-SP, G-SP und B-SP plattenförmig ausgebildet sein. In diesem Fall kann ein Abschnitt der Pixelelektrode 123 so ausgebildet sein, dass er mit der Gate-Leitung 103 überlappt, um einen Speicherkondensator zu bilden.
  • Wenn ferner mehrere Pixelelektroden 123 und mehrere gemeinsame Elektroden 125 in jeweils dem R-, G- und B-Pixelbereich R-SP, G-SP und B-SP voneinander beabstandet ausgebildet sind, wird die Anzeigetafel 100 ausgebildet, die in einem In-Ebenen-Schaltmodus (IPS-Modus) arbeitet. Wenn die mehreren Pixelelektroden 123, mit Ausnahme der gemeinsamen Elektrode, die auf dem zweiten Substrat gebildet ist, nur als plattenförmige Pixelelektrode 123 auf dem ersten Substrat 101 ausgebildet sind, arbeitet die Anzeigetafel 100 in einem Modus von einem Modus mit verdrilltem nematischen Element (TN-Modus), einem Modus mit elektrisch gesteuerter Doppelbrechung (ECB-Modus) und einem Modus mit vertikaler Ausrichtung (VA-Modus). Ein Beispiel der Anzeigetafel 100, die im IPS-Modus arbeitet, wird unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.
  • Ferner ist die Schwarzmatrix 131, die der Gate-Leitung 103, der Datenleitung 105 und dem Dünnfilmtransistor T von jeweils dem R-, G- und B-Pixelbereich R-SP, G-SP und B-SP entspricht, die an dem ersten Substrat 101 ausgebildet sind, auf dem zweiten Substrat 102 dem ersten Substrat 101 zugewandt ausgebildet.
  • Dementsprechend weist die Schwarzmatrix 131 eine Öffnung, die jeweils dem R-, G- und B-Pixelbereich R-SP, G-SP und B-SP entspricht, und eine Farbfilterschicht, die ein R-Farbfiltermuster (nicht gezeigt), das G-Farbfiltermuster 133 und ein B-Farbfiltermuster (nicht gezeigt), die den Öffnungen entsprechen und sequentiell und wiederholt angeordnet sind, auf.
  • Hier ist ein Pixelbereich, in dem das R-Farbfiltermuster (nicht gezeigt) angeordnet ist, als der R-Pixelbereich R-SP definiert, ein Pixelbereich, in dem das G-Farbfiltermuster 133 positioniert ist, als G-Pixelbereich G-SP definiert und ein Pixelbereich, in dem das B-Farbfiltermuster (nicht gezeigt) angeordnet ist, als der B-Pixelbereich B-SP definiert.
  • Dieser R-, G- und B-Pixelbereich R-SP, G-SP und B-SP bilden ein einzelnes Pixel P, das verschiedene Farben zeigt.
  • In diesem Fall kann, obwohl dies in der Zeichnung nicht gezeigt ist, die Farbfilterschicht entfallen und ein weißer Pixelbereich mit einer transparenten Überzugsschicht (nicht gezeigt) kann ferner auf einer gesamten Oberfläche unterhalb des R-Farbfiltermusters (nicht gezeigt), des G-Farbfiltermusters 133 und des B-Farbfiltermusters (nicht gezeigt) bereitgestellt sein.
  • Hier ist die LCD-Vorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung dadurch gekennzeichnet, dass der Prozessschlüssel 200 in dem aktiven Bereich A/A positioniert ist, in dem mehrere Pixelbereiche SP definiert sind.
  • Das heißt, die Prozessschlüssel 200 sind in mindestens vier Ecken des Anzeigebildschirms 100 positioniert und in diesem Fall ist der Prozessschlüssel 200 in dem G-Pixelbereich G-SP, in dem das G-Farbfiltermuster 133 bereitgestellt ist, positioniert, um den vier Ecken des aktiven Bereichs A/A, unter mehreren Pixeln P, die an den äußersten Umfangsbereichen entlang des Rands des aktiven Bereichs A/A angeordnet sind, zu entsprechen.
  • Wenn beispielsweise ein einzelnes Pixel P mit dem R-, G- und B-Pixelbereich R-SP, G-SP und B-SP ausgebildet ist und der R-, G- und B-Pixelbereich R-SP, G-SP und B-SP der Reihenfolge nach von dem tatsächlichen Muster 120 aus positioniert sind, ist der Prozessschlüssel 200 in dem G-Pixelbereich G-SP positioniert, der dem tatsächlichen Muster 120 in zweiter Reihe benachbart ist, und wenn der R, G und B-Pixelbereich R-SP, G-SP und B-SP von dem Prozessschlüssel 200 in der Reihenfolge des R-, B- und G-Pixelbereichs R-SP, B-SP und G-SP positionier sind, ist der Prozessschlüssel 200 in dem G-Pixelbereich G-SP angeordnet, der dem tatsächlichen Muster 120 in dritter Reihe benachbart ist.
  • Das heißt, in einer Arraystruktur der verschiedenen Pixelbereiche R-SP, G-SP und B-SP in dem einzelnen Pixel P ist der Prozessschlüssel 200 so positioniert, dass er dem G-Pixelbereich G-SP in dem einzelnen Pixel P entspricht, der an dem äußersten Umfang des aktiven Bereichs A/A positioniert ist.
  • Wenn an diesem Punkt der R-, G1-, B- und G2-Pixelbereich das einzelne Pixel P bilden, kann der Prozessschlüssel 200 in dem G1-Pixelbereich und/oder in dem G2-Pixelbereich unter dem R-, G2-, B- und G2-Pixelbereich positioniert sein und in diesem Fall kann der Prozessschlüssel 200 in einem G-Pixelbereich unter dem G1-Pixelbereich und/oder dem G2-Pixelbereich positioniert sein, der an dem äußersten Umfang des aktiven Bereichs A/A positioniert ist.
  • Der Prozessschlüssel 200 wird in das erste Schlüsselmuster 210, das auf einer Innenfläche des ersten Substrats 101 angeordnet ist, und das zweite Schlüsselmuster 220, das auf einer Innenfläche des zweiten Substrats 102 angeordnet ist und einem Rand des ersten Schlüsselmusters 210 entspricht, klassifiziert und definiert. Das erste Schlüsselmuster 210 kann aus einem Material hergestellt sein, das dem der Gate-Leitung 103 und der Gate-Elektrode 111 auf derselben Schicht entspricht, und kann Licht reflektieren.
  • Ferner sind das zweite Schlüsselmuster 220 und die Schwarzmatrix 131 aus dem gleichen Material auf derselben Schicht gebildet.
  • Wie oben beschrieben ist der Prozessschlüssel 200 in das erste und zweite Schlüsselmuster 210 und 220 unterteilt und ausgebildet, und insbesondere ist das erste Schlüsselmuster 210 aus einem Metallmaterial, das Licht reflektieren kann, gebildet und das zweite Schlüsselmuster 220 und die Schwarzmatrix 131 sind aus dem gleichen Material ausgebildet, so dass es möglich ist, eine große Kontrastdifferenz zwischen dem ersten Schlüsselmuster 210 und dem zweiten Schlüsselmuster 220 zu erzeugen, so dass eine Erkennungsrate des Prozessschlüssels 200 durch den Kontrastunterschied zwischen dem ersten Schlüsselmuster 210 und dem zweiten Schlüsselmuster 220 erhöht wird.
  • An diesem Punkt ist das erste Schlüsselmuster 210 aus einem Material gebildet, das dem der Gate-Leitung 103 und der Gate-Elektrode 111 auf derselben Schicht entspricht, und das zweite Schlüsselmuster 220 und die Schwarzmatrix 131 sind aus dem gleichen Material auf derselben Schicht ausgebildet, so dass ein separater Prozess zum Bilden des ersten und des zweiten Schlüsselmusters 210 und 220 des Prozessschlüssels 200 nicht zusätzlich erforderlich ist.
  • Obwohl hier eine Form des ersten Schlüsselmusters 210 als Kreuzform gezeigt ist, kann das erste Schlüsselmuster 210 neben der Kreuzform aus verschiedenen Formen wie „-“, „L“, „O“ und „T“ gebildet sein und alternativ kann das erste Schlüsselmuster 210 in einer Form ausgebildet sein, die mindestens eine dieser verschiedenen Formen umfasst.
  • Ferner kann das zweite Schlüsselmuster 220 eine Form haben, die die gleiche wie die des ersten Schlüsselmusters 210 entlang einer Rands davon ist, und alternativ kann das zweite Schlüsselmuster 220 aus einer geschlossenen Kurvenform oder einer geschlossenen Polygonform ausgebildet sein. Ferner kann das zweite Schlüsselmuster 220 in der äußersten Schwarzmatrix 131 auf dem zweiten Substrat 102 ausgebildet sein und die Schwarzmatrix 131 kann durch Öffnen oder Perforieren so ausgebildet sein, dass sie der Form des ersten Schlüsselmusters 210 entspricht.
  • Der letzte Prozessschlüssel 200, der vorzugsweise aus einem ersten und einem zweiten Prozessschlüssel besteht, kann durch Durchführen eines Versiegelungsprozesses (eines Verbindungsprozesses) ausgebildet werden, nachdem die Positionen des ersten und des zweiten Substrats 101 und 102 so ausgerichtet sind, dass das erste Schlüsselmuster 210 auf dem ersten Substrat 10 unter Verwendung einer Kamera wie etwa einer Kamera mit einer ladungsgekoppelten Vorrichtung (CCD-Kamera) oder dergleichen in einer Mitte des zweiten Schlüsselmusters 220, das von einer Kompressionsbondausrüstung perforiert wird, angeordnet wird.
  • Alternativ kann das zweite Schlüsselmuster 220 in dem ersten Schlüsselmuster 210 integriert sein, so sie es eine einzige Form oder geschlossene kombinierte Form aufweisen, und wenn das erste Schlüsselmuster 210 in einer Halbkreisform ausgebildet ist, ist das zweite Schlüsselmuster 220 auch aus einem Halbkreis, der dem ersten Schlüsselmuster 210 entspricht, ausgebildet, so dass das erste Schlüsselmuster 210 und das zweite Schlüsselmuster 220 einen einzelnen Kreis bilden.
  • Alternativ kann wie in 5A gezeigt dann, wenn das erste Schlüsselmuster 210 in einer ersten Richtung in einer Linienform ausgebildet ist, das zweite Schlüsselmuster 220 in einer Linienform senkrecht zu der ersten Richtung ausgebildet sein, wie es in 5A gezeigt ist, so dass sich, wie es in 5C gezeigt ist, das erste Schlüsselmuster 210 und das zweite Schlüsselmuster 220 überlappen können, um eine Kreuzform zu bilden.
  • Alternativ kann wie in 6A gezeigt dann, wenn das erste Schlüsselmuster 210 mit einem ersten Richtungsmuster 210a, das aus einer Linienform in einer ersten Richtung besteht, und einem zweiten Richtungsmuster 210b, das aus einer Linienform in einer zweiten Richtung senkrecht zu der ersten Richtung besteht, ausgebildet ist, das zweite Schlüsselmuster 220 in einer Form ausgebildet sein, die die gleiche wie die des ersten Richtungsmusters 210a ist, nur entlang eines Rands des ersten Richtungsmusters 210a, wie es in 6B gezeigt ist, oder das zweite Schlüsselmuster 220 kann nur entlang eines Abschnitts des Rands des ersten Richtungsmusters 210a ausgebildet sein, wie es in 6C gezeigt ist.
  • Alternativ kann, wie es in 6D gezeigt ist, das zweite Schlüsselmuster 220 in einer Form, die der des zweiten Richtungsmusters 210b des ersten Schlüsselmusters 210 entlang eines Rands des zweiten Richtungsmusters 210b entspricht, ausgebildet sein oder, wie es in 6E gezeigt ist, das zweite Schlüsselmuster 220 nur entlang eines Abschnitts des Rands des zweiten Richtungsmusters 210b ausgebildet sein.
  • Alternativ kann, wie es in 6F gezeigt ist, das zweite Schlüsselmuster 220 so ausgebildet sein, dass es mit einem Inneren des ersten Schlüsselmusters 210 überlappt, indem es eine Breite hat, die kleiner als die des ersten und des zweiten Richtungsmusters 210a und 210b ist.
  • An diesem Punkt ist gezeigt, dass das zweite Schlüsselmuster 220 die gleiche Form wie das erste Schlüsselmuster 210 aufweist, aber das zweite Schlüsselmuster 220 und das erste Schlüsselmuster 210 können in unterschiedlichen Formen ausgebildet sein.
  • Insbesondere befindet sich bei der Anzeigetafel 100 der vorliegenden Offenbarung der Prozessschlüssel 200 in dem G-Pixelbereich G-SP, der das G-Farbfiltermuster 133 enthält, unter dem R-, G- und B-Pixelbereich R-SP, G-SP und B-SP, so dass der Prozessschlüssel 200 auch dann klarer erkannt werden kann, wenn sich der Prozessschlüssel 200 in dem aktiven Bereich A/A befindet.
  • Insbesondere wird der Prozessschlüssel 200 sowohl an der oberen als auch an der unteren Seite der Anzeigetafel 100 detektiert, so dass die Prozesseffizienz verbessert werden kann.
  • Um dies genauer zu beschreiben, wird der in der Anzeigetafel 100 positionierte Prozessschlüssel 200 durch Detektieren von Licht, das von dem Prozessschlüssel 200 reflektiert wird, nachdem Licht auf den Prozessschlüssel 200 eingestrahlt wird, detektiert.
  • An dieser Stelle ist bei der LCD-Vorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung das erste Schlüsselmuster 210 aus einem Material ausgebildet, das dem der Gate-Leitung 103 und der Gate-Elektrode 111 auf derselben Schicht auf dem ersten Substrat 101 entspricht, und das zweite Schlüsselmuster 220 und die Schwarzmatrix 131 sind aus dem gleichen Material auf derselben Schicht auf dem zweiten Substrat 102 ausgebildet, und wenn Licht nur durch das transparente erste Substrat 101 hindurchtritt, kann das erste Schlüsselmuster 210 aus einem Metallmaterial von einer unteren Seite der Anzeigetafel 100 aus detektiert werden, so dass das erste Schlüsselmuster 210 klarer erkannt werden kann.
  • Wenn andererseits der Prozessschlüssel 200 an einer oberen Seite der Anzeigetafel 100 detektiert wird, wird von der oberen Seite aus eingestrahltes Licht durch das R-Farbfiltermuster (nicht gezeigt), das G-Farbfiltermuster 133 und das B-Farbfiltermuster (nicht gezeigt) absorbiert und blockiert, so dass das auf dem ersten Substrat 101 bereitgestellte erste Schlüsselmuster 210 nicht detektiert wird und nur das auf dem zweiten Substrat 102 bereitgestellte zweite Schlüsselmuster 220 detektiert wird.
  • Da hier das zweite Schlüsselmuster 220 und die Schwarzmatrix 131 aus dem gleichen Material bestehen, wird ein Teil des Lichts von dem zweiten Schlüsselmuster 220 absorbiert, ohne reflektiert zu werden, so dass das zweite Schlüsselmuster 220 auch nicht definitiv erkannt wird.
  • Wie in der nachstehenden Tabelle 1 gezeigt ist, ist ersichtlich, dass REF., in dem kein Farbfiltermuster vorgesehen ist, einen Durchlassgrad von 100 % aufweist, während der Durchlassgrad jeweils des R-, G- und B-Pixelbereichs R-SP, G-SP und B-SP mit dem R-Farbfiltermuster (nicht gezeigt), dem G-Farbfiltermuster 133 und dem B-Farbfiltermuster (nicht gezeigt) niedriger als der von REF'' in dem das Farbfiltermuster nicht vorgesehen ist, ist. [Tabelle 1]
    REF Erster Pixelbereich (R-Farbfiltermuster) G-Pixelbereich G-SP (G-Farbfiltermuster) Dritter Pixelbereich (B-F arbfiltermu ster)
    Durchlassgrad (%) 100 17,20 62,40 1,70
  • Unter Bezugnahme auf Tabelle 1 ist unterdessen ersichtlich, dass ein Unterschied in dem Durchlassgrad entsprechend einem Unterschied in der Farbe der Farbfiltermuster auftritt und der G-Pixelbereich G-SP mit dem G-Farbfiltermuster 133 einen Durchlassgrad von 50 % oder mehr unter dem R-, G- und B-Pixelbereich R-SP, G-SP und B-SP hat, und somit ist ersichtlich, dass der Durchlassgrad des G-Pixelbereichs G-SP viel höher ist als die des R- und B-Pixelbereichs R-SP und B-SP mit dem R- und B-Farbfiltermuster (nicht gezeigt).
  • Folglich ist der Prozessschlüssel 200 in dem G-Pixelbereich G-SP, in dem das G-Farbfiltermuster 133 positioniert ist, so positioniert, dass der Prozessschlüssel 200 sogar von der oberen Seite der Anzeigetafel 100 detektiert werden kann.
  • Unter Bezugnahme auf 7A bis 7C kann bestätigt werden, dass der Prozessschlüssel 200 in dem G-Pixelbereich G-SP, in dem das G-Farbfiltermuster 133 bereitgestellt ist, wie es in 7C gezeigt ist, im Vergleich zu dem R-Pixelbereich R-SP, in dem sich das R-Farbfiltermuster (nicht gezeigt) befindet, wie es in 7A gezeigt ist, und dem B-Pixelbereich B-B, in dem das B-Farbfiltermuster (nicht gezeigt) bereitgestellt ist, wie es in 7B gezeigt ist, definitiv erkannt wird.
  • Insbesondere ist bei dem Prozessschlüssel 200 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung das erste Schlüsselmuster 210 aus einem Metallmaterial hergestellt und das zweite Schlüsselmuster 220 aus einem Schwarzmatrixmaterial so hergestellt, dass es das erste Schlüsselmuster 210 umgibt, und somit kann eine Differenz in dem Kontrast zwischen dem Schlüsselmuster 210 und dem zweiten Schlüsselmuster 220 so ausgebildet werden, dass sie größer ist, so dass der Prozessschlüssel 200 klarer erkannt werden kann.
  • Das heißt, bei dem Prozessschlüssel 200 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist erstens die Differenz im Kontrast zwischen dem ersten Schlüsselmuster 210 und dem zweiten Schlüsselmuster 220 so ausgebildet, dass sie größer ist, und somit kann der Prozessschlüssel 200 deutlicher erkannt werden, und zweitens ist der Prozessschlüssel 200 zudem in dem G-Pixelbereich G-SP positioniert, in dem das G-Farbfiltermuster 133 mit einem höheren Durchlassgrad als die des R- und B-Farbfiltermusters (nicht gezeigt) positioniert ist, so dass der Prozessschlüssel 200 auch deutlicher erkannt werden kann.
  • Wie vorstehend beschrieben kann insbesondere dann, wenn die Erkennungsrate des Prozessschlüssels 200 verbessert wird, der Prozessschlüssel 200 sowohl von der oberen als auch von der unteren Seite der Anzeigetafel 100 deutlich erkannt werden, so dass die Prozesseffizienz der Anzeigetafel 100 auch verbessert werden kann.
  • Das heißt, wie oben beschrieben wird der Prozessschlüssel 200 sowohl von der oberen als auch von der unteren Seite der Anzeigetafel 100 deutlich erkannt, so dass dann, wenn die Anzeigetafel 100 mittels des Prozessschlüssels 200 auf die Fertigungsausrüstung oder andere Objekte ausgerichtet wird, während verschiedene Prozesse an der Anzeigetafel 100 ausgeführt werden, der Prozessschlüssel 200 nach Bedarf von der oberen und unteren Seite der Anzeigetafel 100 detektiert werden kann, so dass die Prozesseffizienz verbessert werden kann.
  • Obwohl der Prozessschlüssel 200 in dem aktiven Bereich A/A positioniert ist, in dem ein Bild implementiert ist, ist eine Größe des Prozessschlüssels 200 im Vergleich zu der der Anzeigetafel 100 sehr klein und nur den vier Ecken der Anzeigetafel 100 entsprechend positioniert, so dass der Prozessschlüssel 200 von einem Betrachter schwer visuell zu erkennen ist und es keinen Einfluss auf die Implementierung eines Bildes auf der Anzeigetafel 100 gibt. Wie es oben beschrieben ist, ist bei der LCD-Vorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung der Prozessschlüssel 200 in das aus einem Metallmaterial hergestellte erste Schlüsselmuster 210 und das aus einem Schwarzmatrixmaterial hergestellte zweite Schlüsselmuster 220 unterteilt und ausgebildet, und der Prozessschlüssel 200 ist in dem G-Pixelbereich G-SP mit dem G-Farbfiltermuster 133 unter den Pixeln P, die an dem äußersten Rändern entsprechend den vier Ecken des aktiven Bereichs A/A angeordnet sind, so positioniert, dass eine schmale Einfassung implementiert werden kann und zudem die Erkennungsrate des Prozessschlüssels 200 verbessert werden kann.
  • Folglich kann die Anzeigetafel 100 genau auf die Fertigungsausrüstung oder andere Objekte ausgerichtet werden, so dass ein Prozessfehler minimiert werden kann und die Prozesseffizienz ebenfalls verbessert werden kann.
  • Ferner wird der Prozessschlüssel 200 sowohl an der oberen als auch an der unteren Seite der Anzeigetafel 100 detektiert, so dass die Prozesseffizienz verbessert werden kann.
  • Obwohl es in der Zeichnung nicht gezeigt ist, kann in der LCD-Vorrichtung ferner ein Dummy-Pixelbereich (nicht gezeigt), in dem kein Bild implementiert ist, in dem aktiven Bereich A/A positioniert werden und der Dummy-Pixelbereich (nicht gezeigt) kann so positioniert sein, dass er Ränder der Pixelbereiche R-SP, G-SP und B-SP, in denen das Bild in dem aktiven Bereich A/A implementiert ist, umgibt, kann an dem oberen und unteren Ende und/oder der linken und rechten Seite in dem aktiven Bereich A/A positioniert sein oder kann so positioniert sein, dass er einer Ecke des aktiven Bereichs A/A entspricht.
  • Hier kann der Prozessschlüssel 200 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung in dem Dummy-Pixelbereich (nicht gezeigt) positioniert sein, und wenn der Dummy-Pixelbereich (nicht gezeigt) R-, G- und B-Farbfiltermuster (nicht gezeigt) enthält, kann der Prozessschlüssel 200 auch in einem G-Dummy-Pixelbereich (nicht gezeigt) positioniert sein, in dem das G-Farbfiltermuster (nicht gezeigt) positioniert ist.
  • An diesem Punkt ist der Dummy-Pixelbereich (nicht gezeigt) nicht durch ein tatsächliches Muster (nicht gezeigt) oder eine Schwarzmatrix (nicht gezeigt) verdeckt, so dass, während verschiedene Prozesse ausgeführt werden, die Anzeigetafel 100 über den Prozessschlüssel 200, der in dem Dummy-Pixelbereich (nicht gezeigt) positioniert ist, genau auf Fertigungsausrüstung oder andere Objekte ausgerichtet werden kann. Alternativ kann das G-Farbfiltermuster 133 über dem Dünnfilmtransistor T auf dem ersten Substrat 101 positioniert sein und an diesem Punkt kann auch die Schwarzmatrix 131 auf dem zweiten Substrat 102 positioniert sein oder sowohl das G-Farbfiltermuster 133 als auch die Schwarzmatrix 131 können auf dem ersten Substrat 101, in dem der Dünnfilmtransistor T bereitgestellt ist, positioniert sein und selbst in diesem Fall kann das erste Schlüsselmuster 210 des Prozessschlüssels 200 aus einem Material ausgebildet sein, das das gleiche ist wie das einer Elektrode oder einer Leitung, die den Dünnfilmtransistor T bildet, und das zweite Schlüsselmuster 220 des Prozessschlüssels 200 und die Schwarzmatrix 131 können aus dem gleichen Material ausgebildet sein.
  • 8 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch eine OLED-Vorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt, und 8 zeigt einen G-Pixelbereich G-SP, in dem ein G-Farbfiltermuster so bereitgestellt ist, dass es unter mehreren Pixeln, die an den äußersten Umfangsbereichen entlang eines Rands des aktiven Bereichs angeordnet sind, vier Ecken eines aktiven Bereichs entspricht.
  • 9 ist ferner eine Querschnittsansicht, die eine weitere OLED-Vorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung schematisch darstellt.
  • Vor der Beschreibung wird die OLED-Vorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung nach einer Transmissionsrichtung des emittierten Lichts in eine OLED-Vorrichtung vom Typ mit oberer Emission und eine OLED-Vorrichtung vom Typ mit unterer Emission klassifiziert und ein Beispiel einer OLED-Vorrichtung vom Typ mit oberer Emission gemäß der vorliegenden Offenbarung wird nachstehend beschrieben.
  • Zur Vereinfachung der Beschreibung ist ein Bereich, in dem ein Ansteuer-Dünnfilmtransistor DTr ausgebildet ist, als Nichtemissionsbereich NEA definiert, und ein Bereich, in dem eine Leuchtdiode E ausgebildet ist, als Emissionsbereich EA definiert.
  • Wie in den Zeichnungen gezeigt ist, ist bei einer Anzeigetafel 100 der OLED-Vorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein erstes Substrat 301, auf dem der Ansteuer-Dünnfilmtransistor und die Leuchtdiode E ausgebildet sind, von einem eingekapselten Substrat 302 eingekapselt.
  • Genauer ist eine Halbleiterschicht 303 in dem Nichtemissionsbereich NEA eines G-Pixelbereichs G-SP auf dem ersten Substrat 301 positioniert, wobei die Halbleiterschicht 303 aus Silicium gebildet ist und einen aktiven Bereich 303a, der einen Kanal in einem mittleren Abschnitt der Halbleiterschicht 303 bildet, umfasst und einen Source-Bereich und einen Drain-Bereich 303b und 303c, die mit einer hohen Konzentration an Fremdstoffen dotiert sind und an beiden Seitenflächen des aktiven Bereichs 303a bereitgestellt sind, umfasst.
  • Eine Gate-Isolierschicht 305 ist über der Halbleiterschicht 303 positioniert.
  • Eine Gate-Elektrode 307, die dem aktiven Bereich 303a der Halbleiterschicht 303 entspricht, und eine Gate-Leitung (nicht gezeigt), die sich in einer Richtung erstreckt, sind auf der Gate-Isolierschicht 305 bereitgestellt.
  • Ferner ist eine erste Zwischenschicht-Isolierschicht 309a über der Gate-Elektrode 307 und der Gate-Leitung (nicht gezeigt) positioniert und an diesem Punkt legen das erste und zweite Halbleiterschicht-Kontaktloch 316 den Source- und den Drain-Bereich 303b und 303c, die an beiden Seitenflächen des aktiven Bereichs 303a angeordnet sind, frei, sind in der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 309a bereitgestellt und die Gate-Isolierschicht 305 ist unterhalb der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 309a bereitgestellt.
  • Als Nächstes sind eine Source- und Drain-Elektrode 310a und 310b, die voneinander beabstandet sind und in Kontakt mit dem Source- bzw. Drain-Bereich 303b und 303c stehen, die durch das erste und das zweite Halbleiterschicht-Kontaktloch 316 freigelegt sind, auf der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 309a, die ein erstes und eines zweites Halbleiterschicht-Kontaktloch 316 umfasst, bereitgestellt.
  • Ferner ist eine zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 309b über der Source- und der Drain-Elektrode 310a und 310b und der ersten Zwischenschicht-Isolierschicht 309a, die zwischen der Source- und der Drain-Elektrode 310a und 310b freigelegt ist, positioniert.
  • An diesem Punkt ist die Halbleiterschicht 303, die die Source- und Drain-Elektrode 310a und 310b und den Source- und Drain-Bereich 303b und 303c enthält, in Kontakt mit der Source- und Drain-Elektrode 310a und 310b und die Gate-Isolierschicht 305 und die Gate-Elektrode 307, die über der Halbleiterschicht 303 angeordnet sind, bilden den Ansteuer-Dünnfilmtransistor DTr.
  • Obwohl dies in der Zeichnung nicht gezeigt ist, ist eine Datenleitung (nicht gezeigt) bereitgestellt, um den G-Pixelbereich G-SP durch Kreuzen mit der Gate-Leitung (nicht gezeigt) zu definieren. Ein Schalt-Dünnfilmtransistor (nicht gezeigt) hat den gleichen Aufbau wie der Ansteuer-Dünnfilmtransistor DTr und ist mit dem Ansteuer-Dünnfilmtransistor DTr verbunden.
  • Wie es ferner in der Zeichnung gezeigt ist, sind der Schalt-Dünnfilmtransistor (nicht gezeigt) und der Ansteuer-Dünnfilmtransistor DTr ein Beispiel eines Typs mit oberem Gate, bei dem die Halbleiterschicht 303 aus einer Polysilicium-Halbleiterschicht oder einer Oxid-Halbleiterschicht ausgebildet ist und als abgewandeltes Beispiel können der Schalt-Dünnfilmtransistor (nicht gezeigt) und der Ansteuer-Dünnfilmtransistor DTr in einem Typ mit unterem Gate aus reinem amorphen Silicium oder amorphem Silicium, das mit Fremdstoffen dotiert ist, bereitgestellt sein.
  • Ferner umfassen die erste und die zweite Zwischenschicht-Isolierschicht 309a und 309b ein Drain-Kontaktloch 317, das die Drain-Elektrode 310b freilegt. Eine erste Elektrode 311, die mit der Drain-Elektrode 310b des Ansteuer-Dünnfilmtransistors DTr verbunden ist und beispielsweise aus einem Material mit einem relativ hohen Austrittsarbeitswert besteht, um eine Anode der Leuchtdiode E zu bilden, ist über der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 309b positioniert.
  • Die erste Elektrode 311 kann aus einem Metalloxid wie Indiumzinnoxid (ITO) oder Indiumzinkoxid (IZO), einer Mischung aus einem Metall und einem Oxid wie ZnO:Al oder SnO2:Sb oder einem leitfähigen Polymer wie Poly(3-methylthiophen), Poly[3,4- (ethylen-1,2-dioxy)thiophen] (PEDT), Polypyrrol oder Polyanilin gebildet sein. Ferner kann die erste Elektrode 311 aus einer Kohlenstoffnanoröhre (CNT), Graphen, einem Silbernanodraht oder dergleichen ausgebildet sein.
  • Die erste Elektrode 311 ist nur auf dem G-Pixelbereich G-SP positioniert und eine Bank 319 ist zwischen den ersten Elektroden 311 positioniert, die in benachbarten Pixelbereichen positioniert sind. Das heißt, die erste Elektrode 311 hat eine Struktur, in der Pixelbereiche unter Verwendung der Bank 319 als Abgrenzung für jeden Pixelbereich unterteilt sind.
  • Ferner ist eine organische Lichtemissionsschicht 313 über der ersten Elektrode 311 angeordnet und die organische Lichtemissionsschicht 313 kann aus einer einzelnen Schicht aus einem lichtemittierenden Material ausgebildet sein, und alternativ dazu kann die organische Lichtemissionsschicht 313, um die Lichtemissionseffizienz zu erhöhen, als eine Mehrfachschicht ausgebildet sein, die eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Emissionsmaterialschicht, eine Elektronentransportschicht und eine Elektroneninjektionsschicht umfasst.
  • Ferner ist eine zweite Elektrode 315, die eine Kathode bildet, vollständig auf der organischen Lichtemissionsschicht 313 ausgebildet.
  • Die zweite Elektrode 315 kann aus einem Material hergestellt sein, das einen relativ niedrigen Austrittsarbeitswert aufweist. An diesem Punkt kann die zweite Elektrode 315 eine zweischichtige Struktur haben und kann als eine einzelne Schicht oder eine Mehrfachschicht, die aus einer Legierung besteht, in der ein erstes Metall wie Ag oder dergleichen, das ein Metallmaterial mit einer niedrigen Austrittsarbeit ist, und ein zweites Metall wie Mg oder dergleichen in einem vorbestimmten Verhältnis gemischt sind, ausgebildet sein.
  • Wenn in der Anzeigetafel 100 der OLED-Vorrichtung gemäß einem ausgewählten Signal eine vorbestimmte Spannung an die erste Elektrode 311 und die zweite Elektrode 315 angelegt wird, werden von der ersten Elektrode 311 injizierte Löcher und von der zweiten Elektrode 315 gelieferte Elektronen in die organische Lichtemissionsschicht 313 transportiert, um Exzitonen zu bilden, und wenn die Exzitonen von einem angeregten Zustand in einen Grundzustand übergehen, wird Licht erzeugt und in Form von sichtbarem Licht emittiert.
  • An diesem Punkt durchtritt das emittierte Licht die zweite Elektrode 315 und tritt nach außen aus, so dass die Anzeigetafel 100 der OLED-Vorrichtung ein Bild umsetzt.
  • Ferner ist eine Schutzschicht 330 in Form eines Films von einem Dünnfilmtyp über dem Ansteuer-Dünnfilmtransistor DTr und der Leuchtdiode E angeordnet, und das eingekapselte Substrat 302 mit dem Farbfiltermuster 333 ist auf der Schutzschicht 330 so bereitgestellt, dass die OLED-Vorrichtung eingekapselt ist.
  • Das heißt, eine Schwarzmatrix 331 ist auf dem dem Substrat 301 zugewandten eingekapselten Substrat 302 so ausgebildet, dass sie der Gate-Leitung (nicht gezeigt) und der Datenleitung (nicht gezeigt) des G-Pixelbereichs G-SP, die auf dem ersten Substrat 301 ausgebildet sind, und dem Ansteuer-Dünnfilmtransistor DTr entspricht.
  • Dementsprechend hat die Schwarzmatrix 331 eine Öffnung, die der G-Pixelfläche G-SP entspricht, und eine Farbfilterschicht, die B-Farbfiltermuster 333 enthält, die den Öffnungen entsprechen und nacheinander und wiederholt angeordnet sind, ist ausgebildet.
  • An diesem Punkt ist der Prozessschlüssel 200 auf einer Seite des G-Pixelbereichs G-SP positioniert und der Prozessschlüssel 200 ist in ein erstes Schlüsselmuster 210, das auf dem ersten Substrat 301 positioniert ist, und ein zweites Schlüsselmuster 210, das auf dem eingekapselten Substrat 302 positioniert ist und einem Rand des ersten Schlüsselmusters 210 entspricht, unterteilt und als diese definiert.
  • Das erste Schlüsselmuster 210 kann aus einem Material hergestellt sein, das dem der Gate-Leitung (nicht gezeigt) und der Gate-Elektrode 307 auf derselben Schicht zum Reflektieren von Licht entspricht, und das zweite Schlüsselmuster 220 und die Schwarzmatrix 331 können aus dem gleichen Material auf derselben Schicht ausgebildet sein.
  • Wie oben beschrieben ist, ist der Prozessschlüssel 200 in das erste und das zweite Schlüsselmuster 210 und 220 unterteilt und als diese ausgebildet und insbesondere ist das erste Schlüsselmuster 210 aus einem Metallmaterial ausgebildet, das Licht reflektieren kann, und das zweite Schlüsselmuster 220 und die Schwarzmatrix 331 sind aus dem gleichen Material ausgebildet, so dass es möglich ist, eine große Kontrastdifferenz zwischen dem ersten Schlüsselmuster 210 und dem zweiten Schlüsselmuster 220 zu erzeugen, so dass eine Erkennungsrate des Prozessschlüssels 200 durch die Kontrastdifferenz zwischen dem ersten Schlüsselmuster 210 und dem zweiten Schlüsselmuster 220 erhöht wird.
  • An diesem Punkt ist das erste Schlüsselmuster 210 aus einem Material ausgebildet, das gleiche ist wie das der Gate-Leitung (nicht gezeigt) und der Gate-Elektrode 307 auf derselben Schicht, und das zweite Schlüsselmuster 220 und die Schwarzmatrix 331 sind aus dem gleichen Material auf derselben Schicht ausgebildet, so dass ein separater Prozess zum Ausbilden des ersten und des zweiten Schlüsselmusters 210 und 220 des Prozessschlüssels 200 nicht zusätzlich erforderlich ist.
  • Obwohl hier eine Form des ersten Schlüsselmusters 210 als Kreuzform gezeigt ist, kann das erste Schlüsselmuster 210 in verschiedenen Formen wie etwa „-“, „L“, „O“, „T“ und dergleichen ausgebildet sein und das zweite Schlüsselmuster 220 kann in einer Form ausgebildet sein, die die gleiche wie die des ersten Schlüsselmusters 210 entlang eines Rands davon ist, oder das zweite Schlüsselmuster 220 kann in einer geschlossenen Kurvenform oder einer geschlossenen Polygonform, die das erste Schlüsselmuster 210 umgibt, ausgebildet sein.
  • Alternativ kann das zweite Schlüsselmuster 220 mit dem ersten Schlüsselmuster 210 integriert sein, so dass sie eine einzige Form haben, und das zweite Schlüsselmuster 220 kann in einer Form ausgebildet sein, die derjenigen des ersten Schlüsselmusters 210 entlang eines Rands eines Abschnitts des ersten Schlüsselmusters 210 entspricht, und das zweite Schlüsselmuster 220 kann so ausgebildet sein, dass er mit einem Inneren des ersten Schlüsselmusters 210 überlappt.
  • Alternativ Ferner kann das zweite Schlüsselmuster 220 in der äußersten Schwarzmatrix 331 auf dem eingekapselten Substrat 302 ausgebildet sein und die Schwarzmatrix 331 kann durch Öffnen oder Perforieren so ausgebildet sein, dass sie der Form des ersten Schlüsselmusters 210 entspricht.
  • Insbesondere ist bei der Anzeigetafel 100 der OLED-Vorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung der Prozessschlüssel 200 in dem G-Pixelbereich G-SP, der das G-Farbfiltermuster 333 enthält, so positioniert, dass selbst dann, wenn sich der Prozessschlüssel 200 in dem aktiven Bereich A/A von 2 befindet, der Prozessschlüssel 200 deutlicher detektiert werden kann.
  • Insbesondere wird der Prozessschlüssel 200 sowohl an der oberen als auch an der unteren Seite der Anzeigetafel 100 detektiert, so dass die Prozesseffizienz verbessert werden kann.
  • Das heißt, bei dem Prozessschlüssel 200 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist erstens die Differenz im Kontrast zwischen dem ersten Schlüsselmuster 210 und dem zweiten Schlüsselmuster 220 so ausgebildet, dass sie größer ist, und somit kann der Prozessschlüssel 200 deutlicher erkannt werden, und außerdem ist der Prozessschlüssel 200 zweitens in dem G-Pixelbereich G-SP, in dem das G-Farbfiltermuster 333 mit einem höheren Durchlassgrad als der des Rund B-Farbfiltermusters (nicht gezeigt) positioniert ist, so positioniert, dass der Prozessschlüssel 200 deutlicher erkannt werden kann.
  • Wie vorstehend beschrieben kann insbesondere dann, wenn die Erkennungsrate des Prozessschlüssels 200 verbessert wird, der Prozessschlüssel 200 sowohl von der oberen als auch von der unteren Seite der Anzeigetafel 100 deutlich erkannt werden, so dass die Prozesseffizienz der Anzeigetafel 100 auch verbessert werden kann.
  • Unterdessen ist, obwohl der Prozessschlüssel 200 in dem aktiven Bereich A/A von 2 positioniert ist, in dem ein Bild implementiert wird, eine Größe des Prozessschlüssels 200 im Vergleich zu der der Anzeigetafel 100 sehr klein und er ist so positioniert, dass er nur den vier Ecken der Anzeigetafel 100 entspricht, so dass der Prozessschlüssel 200 visuell von einem Betrachter schwer erkennbar ist und es keinen Einfluss auf die Implementierung eines Bildes auf der Anzeigetafel 100 gibt.
  • Unter Bezugnahme auf 9 kann unterdessen bei einer OLED-Vorrichtung von einem Typ mit unterer Emission, bei der das G-Farbfiltermuster 333 auf der zweiten Zwischenschicht-Isolierschicht 309b auf dem Ansteuer-Dünnfilmtransistor DTr bereitgestellt ist, dann, wenn die Halbleiterschicht 303 als Oxid-Halbleiterschicht ausgebildet ist, eine aus einem schwarzen Pigment hergestellte Lichtblockadeschicht 340 ferner unter der Halbleiterschicht 303 positioniert sein und eine Pufferschicht 350 kann zwischen der Lichtblockadeschicht 340 und der Halbleiterschicht 303 angeordnet sein.
  • An diesem Punkt kann das erste Schlüsselmuster 210 des Prozessschlüssels 200 kann aus dem gleichen Material wie die Gate-Leitung (nicht gezeigt) und die Gate-Elektrode 307 des Ansteuer-Dünnfilmtransistors DTr auf der gleichen Schicht bestehen, und das zweite Schlüsselmuster 220 kann aus einem Material ausgebildet sein, das das gleiche wie das der Lichtblockadeschicht 340 ist, die unter der Halbleiterschicht 303 des Ansteuer-Dünnfilmtransistors DTr angeordnet ist.
  • Wie oben beschrieben ist, ist in der Anzeigetafel 100 der OLED-Vorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung der Prozessschlüssel 200 in das erste Schlüsselmuster 210 aus einem Metallmaterial und das zweite Schlüsselmuster 220, das aus einem Material der Schwarzmatrix 331 hergestellt ist, unterteilt und als diese ausgebildet und der Prozessschlüssel 200 ist in dem G-Pixelbereich G-SP, in dem das G-Farbfiltermuster 333 bereitgestellt ist, unter den Pixeln P von 3 positioniert, die an den äußersten Rändern angeordnet sind, die den vier Ecken des aktiven Bereichs A/A von 2 der Anzeigetafel 100 entsprechen, so dass eine schmale Einfassung implementiert werden kann und zudem eine Erkennungsrate des Prozessschlüssels 200 verbessert werden kann.
  • Folglich kann die Anzeigetafel 100 genau auf die Fertigungsausrüstung oder andere Objekte ausgerichtet werden, so dass ein Prozessfehler minimiert werden kann und die Prozesseffizienz ebenfalls verbessert werden kann.
  • Ferner wird der Prozessschlüssel 200 sowohl an der oberen als auch an der unteren Seite der Anzeigetafel 100 detektiert, so dass die Prozesseffizienz verbessert werden kann.
  • Obwohl dies in der Zeichnung nicht gezeigt ist, kann die Anzeigetafel 100 der OLED-Vorrichtung aus der Leuchtdiode E, die in jedem Pixelbereich positioniert ist, R-, G- oder B-Farbe emittieren und an diesem Punkt kann das Farbfiltermuster 333 entfallen.
  • Unterdessen kann die Schwarzmatrix 331 innerhalb oder außerhalb des eingekapselten Substrats 302 positioniert sein und das zweite Schlüsselmuster 220 kann so innerhalb oder außerhalb des eingekapselten Substrats 302 positioniert sein, dass es einer Position der Schwarzmatrix 331 entspricht.
  • Ferner können sowohl das Farbfiltermuster 333 als auch die Schwarzmatrix 331 außerhalb des eingekapselten Substrats 302 positioniert sein und an diesem Punkt ist das zweite Schlüsselmuster 220 auch außerhalb des eingekapselten Substrats 302 positioniert.
  • Gemäß der vorliegenden Offenbarung ist wie oben beschrieben ein Prozessschlüssel in ein erstes Schlüsselmuster aus einem Metallmaterial und ein zweites Schlüsselmuster aus einem Schwarzmatrixmaterial unterteilt und als diese ausgebildet und der Prozessschlüssel ist in einem G-Pixelbereich, in dem ein G-Farbfiltermuster bereitgestellt ist, unter Pixeln positioniert, die an den äußersten Rändern angeordnet sind, die vier Ecken eines aktiven Bereichs einer Anzeigetafel entsprechen, so dass im Ergebnis eine schmales Einfassung implementiert werden kann und die Erkennungsrate des Prozessschlüssels verbessert werden kann.
  • Folglich kann die Anzeigetafel genau auf Fertigungsausrüstung oder andere Objekte ausgerichtet werden, so dass im Ergebnis ein Prozessfehler minimiert werden kann und die Prozesseffizienz verbessert werden kann.
  • Ferner kann der Prozessschlüssel sowohl von der oberen als auch von der unteren Seite der Anzeigetafel erkannt werden, so dass im Ergebnis der Prozess verbessert werden kann.

Claims (10)

  1. Anzeigevorrichtung, die Folgendes umfasst: ein erstes Substrat (101) und ein zweites Substrat (102), die einander zugewandt sind und einen aktiven Bereich (AA) zum Anzeigen eines Bildes und einen nicht aktiven Bereich (NA), der entlang eines Rands des aktiven Bereichs (AA) ausgebildet ist, aufweisen; eine Schwarzmatrix (131), die auf dem zweiten Substrat (102) bereitgestellt ist; einen Prozessschlüssel (200), der ein erstes Schlüsselmuster (210) umfasst, das auf dem ersten Substrat (101) so bereitgestellt ist, dass es einer Ecke in dem aktiven Bereich (AA) entspricht, wobei der Prozessschlüssel (200) ein zweites Schlüsselmuster (220) umfasst, das auf dem zweiten Substrat (102) bereitgestellt ist; und einen ersten bis dritten Pixelbereich (R-SP, G-SP, B-SP), die in dem aktiven Bereich (AA) definiert sind, wobei der Prozessschlüssel (200) nur in einem grünen Pixelbereich (G-SP), der ein grünes Farbfiltermuster umfasst, positioniert ist, wobei das zweite Schlüsselmuster (220) und die Schwarzmatrix (131) auf derselben Schicht ausgebildet sind, wobei das erste Schlüsselmuster (210) und das zweite Schlüsselmuster (220) zumindest teilweise nicht überlappen, und wobei der Prozessschlüssel (200) sowohl an einer oberen als auch an einer unteren Seite der Anzeigevorrichtung detektierbar ist.
  2. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei das zweite Schlüsselmuster (220) aus einem Material hergestellt ist, das sich von dem des ersten Schlüsselmusters (210) unterscheidet.
  3. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 2, wobei: das erste Schlüsselmuster (210) aus mindestens einer der Formen „+“, „-“, „L“, „O“ und „T“ besteht; und/oder das zweite Schlüsselmuster (220) in einer gleichen Form wie das erste Schlüsselmuster entlang eines Rands davon ausgebildet ist und/oder in einer geschlossenen Kurvenform oder einer geschlossenen Polygonform, die das erste Schlüsselmuster (210) umgibt, ausgebildet ist.
  4. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, wobei das erste Schlüsselmuster (210) und das zweite Schlüsselmuster (220) eine einzelne Form bilden.
  5. Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 2, 3 oder 4, wobei das zweite Schlüsselmuster (220) eine Form aufweist, die nur einem Abschnitt des Rands des ersten Schlüsselmusters (210) entspricht.
  6. Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 5, wobei das zweite Schlüsselmuster (220) in einer Form ausgebildet ist, die die gleiche wie die des ersten Schlüsselmusters (210) ist, oder das zweite Schlüsselmuster (220) in einer Form ausgebildet ist, die sich von der des ersten Schlüsselmusters (210) unterscheidet und/oder mit einem Inneren des ersten Schlüsselmusters (210) überlappt.
  7. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die ersten bis dritten Pixelbereiche (R-SP, G-SP, B-SP) ein rotes Farbfiltermuster (133), das grüne Farbfiltermuster (133) und ein blaues Farbfiltermuster (133) aufweisen.
  8. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die ferner einen Dünnfilmtransistor auf dem ersten Substrat (101) umfasst, der eine Gate-Elektrode (111), eine Gate- und eine Datenleitung (103, 105), eine Halbleiterschicht (115) und eine Source- und eine Drain-Elektrode (117, 118) umfasst; wobei das erste Schlüsselmuster (210) aus dem gleichen Material wie die Gate-Elektrode (111) und die Gate-Leitung (103) und auf derselben Schicht ausgebildet ist.
  9. Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 2 bis 8, wobei das zweite Schlüsselmuster (220) und die Schwarzmatrix (131) aus dem gleichen Material ausgebildet sind.
  10. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 8, wobei das zweite Schlüsselmuster (220) und eine Lichtblockadeschicht (340) aus dem gleichen Material auf derselben Schicht ausgebildet sind, wobei die Lichtblockadeschicht (340) unter dem Dünnfilmtransistor (T) positioniert ist und aus einem schwarzen Pigment hergestellt ist.
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