DE102019129838A1 - Anzeigevorrichtung - Google Patents

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JinChae JEON
Soyoung Noh
Uijin Chung
Eunsung KIM
Hyunsoo Shin
Wonkyung KIM
Jeihyun LEE
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Abstract

Eine Anzeigevorrichtung (100) weist ein Substrat (110), das ein erstes Substrat, ein zweites Substrat und eine anorganische isolierende Schicht zwischen dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat aufweist, auf. Eine erste Pufferschicht (111) ist auf dem Substrat (110) angeordnet, wobei die erste Pufferschicht (111) n+1 Schichten aufweist und „n“ gleich 0 oder eine gerade Zahl ist. Ein erster Dünnschichttransistor (120), ein zweiter Dünnschichttransistor (130) und ein Speicherkondensator (140) sind jeweils auf der ersten Pufferschicht (111) angeordnet. Der erste Dünnschichttransistor (120) weist eine erste aktive Schicht (121), die aus einem Niedertemperatur-Polysiliziummaterial gebildet ist, auf. Der zweite Dünnschichttransistor (130) weist eine zweite aktive Schicht (131), die aus einem Oxid-Halbleitermaterial gebildet ist, auf. Der Speicherkondensator (140) weist eine erste Kondensatorelektrode (141) und eine zweite Kondensatorelektrode (142) auf.

Description

  • QUERVERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUNGEN
  • Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der Koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2018-0136203 , eingereicht am 7. November 2018 am Koreanischen Amt für Geistiges Eigentum.
  • HINTERGRUND
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Anzeigevorrichtung und betrifft insbesondere eine Anzeigevorrichtung, in der eine Mehrzahl von Dünnschichttransistoren mit unterschiedlichen Halbleitern gebildet ist.
  • Beschreibung der bezogenen Technik
  • Während die Informationstechnologie sich entwickelt hat, ist eine Anzeigevorrichtung entwickelt worden, die Informationen, die in elektrischen Informationssignalen enthalten sind, in der Form von visuellen Bildern wiedergeben kann. Verschiedene Typen von Anzeigevorrichtungen sind entwickelt worden, von denen manche exzellente Leistungseigenschaften, wie beispielsweise Dünnheit, geringes Gewicht und/oder geringen Energieverbrauch, aufweisen.
  • Beispiele von derartigen Anzeigevorrichtungen weisen eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung (LCD) und eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung, wie beispielsweise eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung (OLED) oder eine Quantenpunkt-lichtemittierende Anzeigevorrichtung (QLED) auf. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung kann eine Anzeigevorrichtung der nächsten Generation sein, die eine selbst-emittierende Eigenschaft aufweist und kann im Vergleich zu einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung exzellente Eigenschaften in Bezug auf Betrachtungswinkel, Kontrast, Antwortgeschwindigkeit und Energieverbrauch aufweisen.
  • Eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung kann einen Anzeigebereich zum Anzeigen von Bildern und einen Nicht-Anzeigebereich, der angrenzend an den Anzeigebereich angeordnet ist, aufweisen. Ein Pixelbereich, der in dem Anzeigebereich angeordnet sein kann, kann einen Pixelschaltkreis und ein lichtemittierendes Element aufweisen. In dem Pixelschaltkreis können eine Mehrzahl von Dünnschichttransistoren zum Ansteuern der lichtemittierenden Elemente angeordnet sein.
  • Dünnschichttransistoren können in Abhängigkeit von einem für eine Halbleiterschicht verwendeten Material eingeordnet werden. Unter ihnen werden weitestgehend ein Niedertemperatur-Polysilizium (LTPS)-Dünnschichttransistor und ein Oxid-Halbleiter-Dünnschichttransistor verwendet. Eine Technologie für eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung, in der ein LTPS-Dünnschichttransistor und ein Oxid-Halbleiter-Dünnschichttransistor auf dem gleichen Substrat gebildet werden, wird aktiv vorangetrieben.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Dementsprechend betreffen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung eine Anzeigevorrichtung, die im Wesentlichen eines oder mehrere Probleme aufgrund von Beschränkungen und Nachteilen der bezogenen Technik verhindert.
  • Die Erfinder der vorliegenden Offenbarung haben erkannt, dass in dem Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung Betriebseigenschaften der Pixel verbessert werden können, wenn die Mehrzahl von Dünnschichttransistoren mit verschiedenen Halbleitern gebildet werden.
  • Deshalb haben die Erfinder der vorliegenden Offenbarung eine Anzeigevorrichtung erfunden, in der zum Ausbilden der Mehrzahl von Dünnschichttransistoren mit verschiedenen Halbleitern Halbleiter der Mehrzahl von Dünnschichttransistoren in verschiedenen Schichten gebildet werden können. Ebenso kann eine Beschädigung der Halbleiterelemente reduziert werden.
  • Deshalb ist es ein Ziel der vorliegenden Offenbarung, einen Dünnschichttransistor und eine Anzeigevorrichtung bereitzustellen, die die Beschädigung der Halbleiterelemente während des Herstellens der Anzeigevorrichtung, die mittels Bildens einer Mehrzahl von Dünnschichttransistoren mit verschiedenen Halbleitermaterialien hervorgerufen wird, verringern.
  • Zusätzliche Vorteile, Ziele und Merkmale der Offenbarung werden teilweise in der folgenden Beschreibung bekannt gemacht und sind dem gewöhnlichen Fachmann teilweise aus dem Studium des Folgenden ersichtlich oder können durch Anwendung der Offenbarung erlernt werden. Die Ziele und anderen Vorteile der Offenbarung können mittels der in der Beschreibung und den sich daraus ergebenden Ansprüchen sowie den angehängten Zeichnungen besonders hervorgehobenen Strukturen realisiert und erreicht werden. Verschiedene Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung stellen eine Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1, eine Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 9 und eine Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 22 bereit. Weitere Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung weist eine Anzeigevorrichtung ein Substrat, das ein erstes Substrat, ein zweites Substrat und eine anorganische isolierende Schicht zwischen dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat aufweist; eine erste Pufferschicht auf dem Substrat, wobei die erste Pufferschicht n+1 Schichten aufweist und „n“ gleich 0 oder geradzahlig ist; und einen ersten Dünnschichttransistor, einen zweiten Dünnschichttransistor und einen Speicherkondensator jeweils auf der ersten Pufferschicht auf, wobei der erste Dünnschichttransistor eine erste aktive Schicht, die aus einem Niedertemperatur-Polysiliziummaterial gebildet ist, aufweist, wobei der zweite Dünnschichttransistor eine zweite aktive Schicht, die aus einem Oxid-Halbleitermaterial gebildet ist, aufweist, und wobei der Speicherkondensator eine erste Kondensatorelektrode und zweite Kondensatorelektrode aufweist, auf.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung weist eine Anzeigevorrichtung ein Substrat; eine erste Pufferschicht auf dem Substrat; einen ersten Dünnschichttransistor, aufweisend: eine erste aktive Schicht, die aus einem Niedertemperatur-Polysiliziummaterial gebildet ist, eine erste Gate-Elektrode, die die erste aktive Schicht mit einer ersten Gate-isolierenden Schicht dazwischen überlappt, und eine erste Source-Elektrode und eine erste Drain-Elektrode, die mit der ersten aktiven Schicht elektrisch verbunden sind; einen zweiten Dünnschichttransistor, aufweisend: eine zweite aktive Schicht, die aus einem Oxid-Halbleiter gebildet ist, eine zweite Gate-Elektrode, die die zweite aktive Schicht mit einer zweiten Gate-isolierenden Schicht dazwischen überlappt, und eine zweite Source-Elektrode und eine zweite Drain-Elektrode, die mit der zweiten aktiven Schicht elektrisch verbunden sind; einen Speicherkondensator, der eine erste Kondensatorelektrode auf einer gleichen Schicht wie die erste Gate-Elektrode und eine zweite Kondensatorelektrode, die die erste Kondensatorelektrode mit einer ersten Zwischenschicht-isolierenden Schicht dazwischen überlappt; und eine erste blockierende Schicht, die eine Verlängerung, die die zweite aktive Schicht überlappt, der zweiten Kondensatorelektrode ist, auf.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung weist eine Anzeigevorrichtung ein Substrat; eine erste Pufferschicht auf dem Substrat; einen ersten Dünnschichttransistor, aufweisend: eine erste aktive Schicht, die aus einem Niedertemperatur-Polysiliziummaterial gebildet ist, eine erste Gate-Elektrode, die die erste aktive Schicht mit einer ersten Gate-isolierenden Schicht dazwischen überlappt, und eine erste Source-Elektrode und eine erste Drain-Elektrode, die mit der ersten aktiven Schicht elektrisch verbunden sind; einen zweiten Dünnschichttransistor, aufweisend: eine zweite aktive Schicht, die aus einem Oxid-Halbleiter gebildet ist, eine zweite Gate-Elektrode, die die zweite aktive Schicht mit einer zweiten Gate-isolierenden Schicht dazwischen überlappt, und eine zweite Source-Elektrode und eine zweite Drain-Elektrode, die mit der zweiten aktiven Schicht elektrisch verbunden sind; einen Speicherkondensator, der eine erste Kondensatorelektrode auf einer gleichen Schicht wie die erste Gate-Elektrode und eine zweite Kondensatorelektrode, die die erste Kondensatorelektrode mit einer ersten Zwischenschicht-isolierenden Schicht dazwischen überlappt, aufweist; und eine erste blockierende Schicht, die eine Verlängerung, die die zweite aktive Schicht überlappt, der ersten Kondensatorelektrode ist, auf.
  • Weitere detaillierte Gegenstände der beispielhaften Ausführungsformen sind in der detaillierten Beschreibung und den Zeichnungen enthalten.
  • Gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung sind Dünnschichttransistoren, die verschiedene Halbleitermaterialien aufweisen, angeordnet, wodurch eine Zuverlässigkeit der Anzeigevorrichtung verbessert ist.
  • Des Weiteren ist gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung eine anorganische Schicht zwischen zwei Polyimiden (PI) zum Blockieren von Ladungen, die in einem unteren Polyimid (PI) geladen sind, gebildet, wodurch die Zuverlässigkeit des Produkts verbessert ist. Deshalb kann ein Vorgang des Bildens einer Metallschicht zum Blockieren der Ladungen, die in einem (PI) geladen sind, weggelassen werden, so dass der Vorgang vereinfacht werden kann und die Produktionskosten reduziert werden können.
  • Des Weiteren ist gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung eine blockierende Schicht, die derart aus einem Stück gebildet ist, dass sie mit einer Kondensatorelektrode verbunden ist, derart angeordnet, dass eine aktive Schicht des Dünnschichttransistors, der ein Oxid-Halbleitermaterial aufweist, überlappt, wodurch verhindert wird, dass Wasserstoff, der in einem Substrat gebildet wird, zu einer aktiven Schicht diffundiert. Des Weiteren ist eine Pufferschicht, die zwischen der blockierenden Schicht und der aktiven Schicht gebildet ist, als eine mehrlagige Schicht, die aus einer oberen Pufferschicht, die einen relativ geringen Wasserstoffgehalt aufweist, und eine einer unteren Pufferschicht, die eine relativ gute Isolationseigenschaft aufweist, so dass die obere Pufferschicht, die eine untere Oberfläche der aktiven Schicht berührt, verhindern kann, dass der Wasserstoff zu der aktiven Schicht des Dünnschichttransistors, der das Oxid-Halbleitermaterial aufweist, diffundiert. Des Weiteren kann die untere Pufferschicht, die zwischen der blockierenden Schicht und der oberen Pufferschicht angeordnet ist, verhindern, dass die Ladungen, die in der blockierenden Schicht geladen sind, zu der aktiven Schicht des Dünnschichttransistors übertragen werden.
  • Die Effekte gemäß der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die oben beispielhaft beschriebenen Inhalte beschränkt, und verschiedene weitere Effekte sind in der vorliegenden Anmeldung enthalten.
  • Es ist zu bemerken, dass beide, die vorgehende allgemeine Beschreibung und die nachstehende detaillierte Beschreibung der vorliegenden Offenbarung exemplarisch und erläuternd sind und vorgesehen sind, weitere Erklärungen der Offenbarung wie beansprucht bereitzustellen.
  • Figurenliste
  • Die begleitenden Zeichnungen, die beigefügt sind, um ein weitergehendes Verständnis der Offenbarung zu liefern, und die eingefügt sind in und einen Teil dieser Anmeldung darstellen, illustrieren Ausführungsformen der Offenbarung und dienen zusammen mit der Beschreibung, um das Prinzip der Offenbarung zu erklären. Es zeigen:
    • 1 eine Querschnittansicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 2 eine Querschnittansicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 3 eine Querschnittansicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 4 eine Querschnittansicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung; und
    • 5 eine Querschnittansicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Bezug wird nun im Detail genommen auf die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung, wobei Beispiele derselben in den beigefügten Zeichnungen dargestellt sind. Wenn möglich, werden die gleichen Referenzzeichen zur Kennzeichnung der gleichen oder ähnlichen Teile in allen Zeichnungen verwendet. Vorteile und Merkmale der vorliegenden Offenbarung und ihre Implementierungsverfahren werden mittels folgender Ausführungsformen bekannt gemacht, die unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben werden. Die vorliegende Offenbarung kann jedoch in verschiedenen Formen ausgeführt werden und sollte nicht verstanden werden, als dass sie auf die hierin beschriebenen Ausführungsformen beschränkt sei. Diese Ausführungsformen sind vielmehr dafür bereitgestellt, dass diese Offenbarung sorgfältig und vollständig sein wird, und werden dem Fachmann den Anwendungsbereich der vorliegenden Offenbarung vollständig vermitteln. Des Weiteren wird die vorliegende Offenbarung lediglich durch die Anwendungsbereiche der Ansprüche definiert.
  • Die Formen, Größen, Verhältnisse, Winkel, Anzahlen und ähnliches, die in den beigefügten Zeichnungen zum Beschreiben der beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung dargestellt sind, sind lediglich Beispiele, und die vorliegende Offenbarung ist nicht auf diese beschränkt. Gleiche Bezugszeichen beziehen sich über die gesamte Beschreibung hinweg im Allgemeinen auf gleiche Teile. Des Weiteren kann in der folgenden Beschreibung der vorliegenden Offenbarung eine detaillierte Beschreibung bekannter bezogener Technologien weggelassen werden, um zu verhindern, dass der Gegenstand der vorliegenden Offenbarung unnötigerweise verschleiert wird. Die hierin verwendeten Begriffe, wie beispielsweise „aufweisen“, „haben“ und „bestehen aus“, sind im Allgemeinen dazu vorgesehen, dass weitere Teile hinzugefügt werden, außer wenn die Begriffe mit dem Begriff „nur ∼“ verwendet werden. Jede Bezeichnung in der Einzahl kann die Mehrzahl umfassen, solange nichts anderes ausdrücklich bestimmt ist.
  • Bauteile werden derart ausgelegt, dass sie einen gewöhnlichen Fehlerbereich aufweisen, auch wenn dies nicht ausdrücklich bestimmt ist.
  • Beim Beschreiben einer räumlichen Beziehung zwischen zwei Teilen unter Verwendung der Begriffe, wie beispielsweise „auf∼“, „über∼“, „unter∼“ und „neben∼“, können ein oder mehrere Bauteile zwischen zwei Bauteilen angeordnet sein, außer wenn der Begriff „unmittelbar“ oder „direkt“ verwendet wird.
  • Wenn ein Element oder eine Schicht „auf“ einem weiteren Element oder einer weiteren Schicht angeordnet ist, kann eine weitere Schicht oder ein weiteres Element direkt auf dem weiteren Element oder dazwischen eingeschoben sein.
  • Obwohl die Begriffe „erster“, „zweiter“ und Ähnliches zum Beschreiben verschiedener Bauteile verwendet werden, sind diese Bauteile nicht mittels dieser Begriffe beschränkt. Diese Begriffe werden lediglich zum Unterscheiden eines Bauteils von den anderen Bauteilen verwendet. Deshalb kann ein unten genanntes erstes Bauteil in einem technischen Grundgedanken der vorliegenden Offenbarung ein zweites Bauteil sein.
  • Gleiche Bezugszeichen beziehen sich über die gesamte Beschreibung hinweg im Allgemeinen auf gleiche Teile.
  • Eine Größe und eine Dicke von jedem der in den Zeichnungen dargestellten Bauteile sind zur Bequemlichkeit der Beschreibung dargestellt, und die vorliegende Offenbarung ist nicht auf die Größe und die Dicke des dargestellten Bauteils beschränkt.
  • Die Merkmale von verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können teilweise oder vollständig miteinander verbunden oder miteinander kombiniert sein und können auf verschiedene Weisen miteinander betrieben und technisch angesteuert werden, und die Ausführungsformen können unabhängig voneinander oder in wechselseitig abhängiger Beziehung ausgeführt werden.
  • Im Folgenden wird eine Anzeigevorrichtung gemäß beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen im Detail beschrieben werden.
  • Die Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung kann in einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung, wie beispielsweise einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung (OLED) oder einer Quantenpunktlichtemittierenden Anzeigevorrichtung (Q OLED) angewendet werden, ist jedoch nicht hierauf beschränkt, und kann in verschiedenen Anzeigevorrichtungen angewendet werden. Beispielsweise kann die Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung ebenfalls in einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung (LCD) angewendet werden.
  • 1 zeigt eine Querschnittansicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Unter Bezugnahme auf 1 weist eine Anzeigevorrichtung 100 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Substrat 110, eine erste Pufferschicht 111, einen ersten Dünnschichttransistor 120, einen zweiten Dünnschichttransistor 130, einen Speicherkondensator 140, eine erste Gate-isolierende Schicht 112, eine erste Zwischenschicht-isolierende Schicht 113, eine zweite Pufferschicht 114, eine zweite Gate-isolierende Schicht 115, eine zweite Zwischenschicht-isolierende Schicht 116, eine erste Planarisierungsschicht 117, eine zweite Planarisierungsschicht 118, eine erste Elektrode 170, eine Verbindungselektrode 150, einen Damm 180, eine Hilfselektrode 160, einen Abstandhalter 190, eine Emissionsstruktur 200, eine zweite Elektrode 210 und eine Verkapselungseinheit 220 auf.
  • Das Substrat 110 kann verschiedene Bauteile der Anzeigevorrichtung 100 abstützen. Das Substrat 110 kann aus einem von Glas, Plastik oder einem anderen geeigneten Material, das Flexibilität aufweist, gebildet sein. Wenn das Substrat 110 aus einem Plastikmaterial gebildet ist, kann beispielsweise Polyimid (PI) verwendet werden. Wenn das Substrat 110 aus Polyimid (PI) gebildet ist, kann der Herstellungsprozess der Anzeigevorrichtung unter Bedingungen durchgeführt werden, dass ein Stützsubstrat, das aus Glas gebildet ist, unter dem Substrat 110 angeordnet ist, und das Stützsubstrat kann nach dem vollständigen Ablauf des Herstellungsprozesses der Anzeigevorrichtung freigesetzt werden. Des Weiteren kann nach dem Freisetzen des Stützsubstrats eine schwarze Platte, die das Substrat 110 abstützt, unter dem Substrat 110 angeordnet werden.
  • Wenn das Substrat 110 aus Polyimid (PI) gebildet wird, können Feuchtigkeitskomponenten derart durch das Substrat 110, das aus Polyimid (PI) gebildet ist, hindurchtreten, dass sie in den ersten Dünnschichttransistor 120 oder die Emissionsstruktur 200 eindringen, so dass die Leistung der Anzeigevorrichtung 100 verschlechtert sein kann. Die Anzeigevorrichtung 100 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann dazu eingerichtet sein, mittels eines doppelten Polyimids (PI) die Verschlechterung der Leistungsfähigkeit der Anzeigevorrichtung 100 aufgrund des Eindringens von Feuchtigkeit zu verhindern. Des Weiteren kann zwischen zwei Polyimiden (PI) eine anorganische Schicht gebildet sein, um zu verhindern, dass die Feuchtigkeitskomponenten durch das obere Polyimid (PI) hindurchtreten, so dass die Zuverlässigkeit weiter verbessert werden kann.
  • Des Weiteren können, wenn die anorganische Schicht nicht zwischen zwei Polyimiden (PI) gebildet ist, Ladungen, die in das untere Polyimid (PI) geladen sind, eine Rückseitenvorspannung bilden, die den ersten Dünnschichttransistor 120 beeinflusst. Deshalb muss eine separate Metallschicht gebildet werden, um die in das Polyimid (PI) geladenen Ladungen zu blockieren. Jedoch ist gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine anorganische Schicht zwischen zwei Polyimiden (PI) gebildet, so dass in das untere Polyimid (PI) geladene Ladungen blockiert werden können, so dass die Zuverlässigkeit des Produkts verbessert wird. Des Weiteren kann ein Vorgang des Bildens einer Metallschicht zum Blockieren der in das Polyimid PI geladenen Ladungen weggelassen werden, so dass der Vorgang vereinfacht werden kann und die Produktionskosten verringert werden können.
  • Es kann sehr wichtig für eine flexible Anzeigevorrichtung, die Polyimid (PI) als ein Substrat 110 verwendet, sein, eine Zuverlässigkeit bezüglich der Umwelt und eine Zuverlässigkeit bezüglich der Leistung des Panels sicherzustellen. Die Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann doppeltes Polyimid (PI) als ein Substrat verwendet, um zu unterstützen, dass die Zuverlässigkeit bezüglich der Umwelt sichergestellt ist. Beispielsweise kann, wie in 1 dargestellt, das Substrat 110 der Anzeigevorrichtung 100 eine erste Polyimidschicht 110a, eine zweite Polyimidschicht 110c und eine anorganische isolierende Schicht 110b, die zwischen der ersten Polyimidschicht 110a und der zweiten Polyimidschicht 110c gebildet ist, aufweisen. Wenn die Ladungen in die erste Polyimidschicht 110a geladen werden, kann die anorganische isolierende Schicht 110b dazu dienen zu verhindern, dass die Ladungen den ersten Dünnschichttransistor 120 durch die zweite Polyimidschicht 110c hindurch beeinflussen. Des Weiteren kann die zwischen der ersten Polyimidschicht 110a und der zweiten Polyimidschicht 110c gebildete anorganische isolierende Schicht 110b dazu dienen zu verhindern, dass die Feuchtigkeitsbestandteile durch die zweite Polyimidschicht 110c hindurch eindringen.
  • Die anorganische isolierende Schicht 110b kann aus einer einlagigen Schicht aus Siliziumnitrid (SiNx) oder Siliziumoxid (SiOx) oder einer mehrlagigen Schicht daraus gebildet sein. In der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die anorganische isolierende Schicht 110b aus einem Siliziumoxid (SiOx)-Material gebildet sein. Beispielsweise kann die anorganische isolierende Schicht 110b aus einem Siliziumoxid, Siliziumdioxid (SiO2) oder einem anderen Material gebildet sein. Jedoch ist die anorganische isolierende Schicht 110b nicht hierauf beschränkt und kann mittels einer doppelten Schicht aus Siliziumdioxid (SiO2) und Siliziumnitrid (SiNx) gebildet sein.
  • Die erste Pufferschicht 111 kann auf einer gesamten Oberfläche des Substrats 110 gebildet sein. Die erste Pufferschicht 111 kann aus einer einlagigen Schicht aus Siliziumnitrid (SiNx) oder Siliziumoxid (SiOx) oder einer mehrlagigen Schicht daraus gebildet sein. Die erste Pufferschicht 111 kann dazu dienen, die Adhäsionseigenschaft zwischen Schichten, die auf der ersten Pufferschicht 111 und dem Substrat 110 gebildet sind, zu verbessern und Alkalibestandteile, die aus dem Substrat 110 freigesetzt werden, zu blockieren. Die erste Pufferschicht 111 kann in Abhängigkeit von einem Typ oder einem Material des Substrats 110 und einer Struktur und einem Typ eines Dünnschichttransistors weggelassen werden.
  • Gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die erste Pufferschicht 111 als eine mehrlagige Schicht, in der Siliziumdioxid (SiO2) und Siliziumnitrid (SiNx) abwechselnd gebildet sind, gebildet sein. Zum Beispiel kann die erste Pufferschicht 111 aus n+1 Schichten gebildet sein. Hierbei bezeichnet n eine gerade Zahl inklusive 0, wie beispielsweise 0, 2, 4, 6 und 8. Deshalb ist, wenn n gleich 0 ist, die erste Pufferschicht 111 als eine einlagige Schicht gebildet. Des Weiteren kann die erste Pufferschicht 111 Siliziumnitrid (SiNx) oder Siliziumoxid (SiOx) sein. Wenn n gleich 2 ist, kann die erste Pufferschicht 111 als eine dreilagige Schicht gebildet sein. Wenn die erste Pufferschicht 111 als eine dreilagige Schicht gebildet ist, können eine obere Schicht und eine untere Schicht Siliziumoxid (SiOx) sein, und eine Zwischenschicht, die zwischen der oberen Schicht und der unteren Schicht eingeschoben ist, kann Siliziumnitrid (SiNx) sein. Wenn n gleich 4 ist, kann die erste Pufferschicht 111 als eine fünflagige Struktur gebildet sein. Wenn die erste Pufferschicht 111 als eine fünflagige Struktur gebildet ist, wie in 1 dargestellt, kann eine 1a-te Pufferschicht 111 a auf dem Substrat 110 gebildet sein. Des Weiteren kann die 1a-te Pufferschicht 111a aus Siliziumdioxid (SiO2)-Material gebildet sein. Des Weiteren kann eine 1b-te Pufferschicht 111b aus einem Siliziumnitrid (SiNx)-Material gebildet und auf der 1a-ten Pufferschicht 111a angeordnet sein. Des Weiteren kann eine 1c-te Pufferschicht 111c aus einem Siliziumdioxid (SiO2)-Material gebildet und auf der 1b-ten Pufferschicht 111b angeordnet sein. Des Weiteren kann eine 1d-te Pufferschicht 111d aus einem Siliziumnitrid (SiNx)-Material gebildet und auf der 1c-ten Pufferschicht 111c angeordnet sein. Des Weiteren kann eine 1e-te Pufferschicht 111e aus einem Siliziumdioxid (SiO2)-Material gebildet und auf der 1d-ten Pufferschicht 111d angeordnet sein. Wie oben beschrieben, kann, wenn n eine gerade Zahl, die gleich oder größer als 2 ist, ist, die erste Pufferschicht 111 als eine mehrlagige Schicht, in der Siliziumoxid (SiOx) und Siliziumnitrid (SiNx) abwechselnd gebildet sind, gebildet sein. Des Weiteren kann eine oberste Schicht und eine unterste Schicht der ersten Pufferschicht 111, die als eine mehrlagige Schicht gebildet ist, aus einem Siliziumoxid (SiOx)-Material gebildet sein. Beispielsweise kann die erste Pufferschicht 111, die aus einer Mehrzahl von Schichten gebildet ist, eine obere Schicht, die eine erste aktive Schicht 121 des ersten Dünnschichttransistors 120 berührt, eine untere Schicht, die das Substrat 110 berührt, und eine Zwischenschicht, die zwischen der oberen Schicht und der unteren Schicht angeordnet ist, aufweisen. Die obere Schicht und die untere Schicht können aus einem Siliziumoxid (SiOx)-Material gebildet sein. Des Weiteren kann die obere Schicht der ersten Pufferschicht 111, die als eine mehrlagige Schicht gebildet ist, derart gebildet sein, dass sie dicker ist als die untere Schicht und die Zwischenschicht. Eine Dicke der oberen Schicht, die die erste aktive Schicht 121 des ersten Dünnschichttransistors 120 berührt, der ersten Pufferschicht 111, die aus einer Mehrzahl von Schichten gebildet ist, kann größer sein als eine Dicke der unteren Schicht und der Zwischenschicht der ersten Pufferschicht 111. Beispielsweise kann, wie in 1 dargestellt, wenn die erste Pufferschicht 111 eine fünflagige Struktur aufweist, die 1e-te Pufferschicht 111e, die die erste aktive Schicht 121 berührt, die obere Schicht sein. Des Weiteren kann die 1a-te Pufferschicht 111a, die das Substrat 110 berührt, die untere Schicht sein. Des Weiteren können die 1b-te Pufferschicht 111b, die 1c-te Pufferschicht 111c und die 1d-te Pufferschicht 111d, die zwischen der 1a-ten Pufferschicht 111a und der 1e-ten Pufferschicht 111e angeordnet sind, Zwischenschichten sein. Hierbei kann eine Dicke der 1e-ten Pufferschicht 111e, die eine obere Schicht ist, größer als die Dicke der 1a-ten Pufferschicht 111a, die eine untere Schicht ist, und die Dicke der 1b-ten Pufferschicht 111b, der 1c-ten Pufferschicht 111c und der 1d-ten Pufferschicht 111d, die Zwischenschichten sind, sein. In einem Beispiel kann die Dicke der 1e-ten Pufferschicht 111e 3000 Å betragen, und die Dicke der 1a-ten Pufferschicht 111a kann 1000 Å betragen. Des Weiteren können die Dicken der 1b-ten Pufferschicht 111b, der 1c-ten Pufferschicht 111c und der 1d-ten Pufferschicht 111d 1000 Å betragen.
  • In der ersten Pufferschicht 111, die aus einer Mehrzahl von Schichten gebildet ist, können eine Mehrzahl von Schichten, die verschieden sind von der oberen Schicht, die die erste aktive Schicht 121 des ersten Dünnschichttransistors 120 berührt, die gleiche Dicke aufweisen. Beispielsweise können die Dicken der 1a-ten Pufferschicht 111a, der 1b-ten Pufferschicht 111b, der 1c-ten Pufferschicht 111c und der 1d-ten Pufferschicht 111d (ausgenommen die 1e-te Pufferschicht 111e, die die erste aktive Schicht 121 berührt) gleich zueinander sein.
  • Der erste Dünnschichttransistor 120 kann auf der ersten Pufferschicht 111 angeordnet sein. Der erste Dünnschichttransistor 120 kann die erste aktive Schicht 121, eine erste Gate-Elektrode 124, eine erste Source-Elektrode 122 und eine erste Drain-Elektrode 123 aufweisen. Hierbei kann, in Abhängigkeit von der Ausgestaltung des Pixelschaltkreises, die erste Source-Elektrode 122 als eine Drain-Elektrode dienen, und die erste Drain-Elektrode 123 kann als einer Source-Elektrode dienen. Die erste aktive Schicht 121 des ersten Dünnschichttransistors 120 kann auf der ersten Pufferschicht 111 angeordnet sein.
  • Die erste aktive Schicht 121 kann ein Niedertemperatur-Polysilizium (LTPS) aufweisen. Ein derartiges Polysilizium-Material kann eine hohe Beweglichkeit (100 cm2/Vs oder höher) aufweisen, so dass ein Energieverbrauch gering ist und eine Zuverlässigkeit ausgezeichnet ist. Deshalb kann ein Polysiliziummaterial an einem Gate-Treiber für Ansteuerungselemente, die Dünnschichttransistoren für ein Anzeigenelement und/oder einen Multiplexer (MUX) ansteuern, angewendet werden und kann ebenso als eine aktive Schicht eines Ansteuerungs-Dünnschichttransistors der Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform angewendet werden, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Beispielsweise kann das Polysilizium-Material in Abhängigkeit von den Eigenschaften der Anzeigevorrichtung als eine aktive Schicht eines Schalt-Dünnschichttransistors angewendet werden. Ein amorphes Silizium (a-Si)-Material wird auf der ersten Pufferschicht 111 abgeschieden, ein Dehydrogenierungsvorgang und ein Kristallisationsvorgang werden zum Bilden von Polysilizium durchgeführt, und das Polysilizium wird zum Bilden der ersten aktiven Schicht 121 strukturiert.
  • Die erste aktive Schicht 121 kann einen ersten Kanalbereich 121a, in dem zum Zeitpunkt des Ansteuerns des ersten Dünnschichttransistors 120 ein Kanal gebildet wird, und einen ersten Source-Bereich 121b und einen ersten Drain-Bereich 121c zu beiden Seiten des ersten Kanalbereichs 121a aufweisen. Der erste Source-Bereich 121b bezeichnet einen Teil der ersten aktiven Schicht 121, der mit der ersten Source-Elektrode 122 verbunden ist, und der erste Drain-Bereich 121c bezeichnet einen Teil der ersten aktiven Schicht 121, der mit der ersten Drain-Elektrode 123 verbunden ist. Der erste Source-Bereich 121b und der erste Drain-Bereich 121c können mittels Ionendotierung (Verunreinigungs-Dotierung) der ersten aktiven Schicht 121 eingerichtet werden. Der erste Source-Bereich 121b und der erste Drain-Bereich 121c können mittels Dotierung von Ionen in das Polysilizium-Material hergestellt werden, und der erste Kanalbereich 121a kann einen Teil bezeichnen, der nicht mit Ionen dotiert ist und mit dem Polysilizium-Material verbleibt.
  • Die erste Gate-isolierende Schicht 112 kann auf der ersten aktiven Schicht 121 des Dünnschichttransistors 120 angeordnet sein. Die erste Gate-isolierende Schicht 112 kann als eine einlagige Schicht aus Siliziumnitrid (SiNx) oder Siliziumoxid (SiOx) oder eine mehrlagigen Schicht daraus gebildet sein. In der ersten Gate-isolierenden Schicht 112 kann ein Kontaktloch gebildet sein. Außerdem sind die erste Source-Elektrode 122 und die erste Drain-Elektrode 123 des ersten Dünnschichttransistors 120 jeweils durch das Kontaktloch hindurch mit dem ersten Source-Bereich 121b und dem ersten Drain-Bereich 121c der ersten aktiven Schicht 121 des ersten Dünnschichttransistors 120 verbunden.
  • Die erste Gate-Elektrode 124 des ersten Dünnschichttransistors 120 und eine erste Kondensatorelektrode 141 des Speicherkondensators 140 können auf der ersten Gate-isolierenden Schicht 112 angeordnet sein.
  • Die erste Gate-Elektrode 124 und die erste Kondensatorelektrode 141 können als eine einlagige Schicht oder eine mehrlagige Schicht, die aus irgendeinem von Molybdän (Mo), Kupfer (Cu), Titan (Ti), Aluminium (AI), Chrom (Cr), Gold (Au), Nickel (Ni) und Neodym (Nd) oder einer Legierung daraus gebildet ist, gebildet sein. Die erste Gate-Elektrode 124 kann derart auf der ersten Gate-isolierenden Schicht 112 gebildet sein, dass sie den ersten Kanalbereich 121a der ersten aktiven Schicht 121 des ersten Dünnschichttransistors 120 überlappt. Die erste Kondensatorelektrode 141 kann basierend auf einer Ansteuerungseigenschaft der Anzeigevorrichtung 100 und einer Struktur und einem Typ des Dünnschichttransistors weggelassen werden. Die erste Gate-Elektrode 124 und die erste Kondensatorelektrode 141 können mittels desselben Vorgangs gebildet werden. Des Weiteren können die erste Gate-Elektrode 124 und die erste Kondensatorelektrode 141 aus dem gleichen Material auf der gleichen Schicht gebildet sein.
  • Die erste Zwischenschicht-isolierende Schicht 113 kann auf der ersten Gate-isolierenden Schicht 112, der ersten Gate-Elektrode 124 und der ersten Kondensatorelektrode 141 angeordnet sein. Die erste Zwischenschicht-isolierende Schicht 113 kann mittels einer einlagigen Schicht aus Siliziumnitrid (SiNx) oder Siliziumoxid (SiOx) oder einer mehrlagigen Schicht daraus eingerichtet sein. Ein Kontaktloch, durch das hindurch der erste Source-Bereich 121b und der erste Drain-Bereich 121c der ersten aktiven Schicht 121 des ersten Dünnschichttransistors 120 freigelegt sind, können in der ersten Zwischenschicht-isolierenden Schicht 113 gebildet sein.
  • Eine zweite Kondensatorelektrode 142 des Speicherkondensators 140 kann auf der ersten Zwischenschicht-isolierenden Schicht 113 angeordnet sein. Die zweite Kondensatorelektrode 142 kann als eine einlagige Schicht oder eine mehrlagige Schicht, die aus einem von Molybdän (Mo), Kupfer (Cu), Titan (Ti), Aluminium (AI), Chrom (Cr), Gold (Au), Nickel (Ni) und Neodym (Nd) oder einer Legierung daraus gebildet ist, gebildet sein. Die zweite Kondensatorelektrode 142 kann auf der ersten Zwischenschicht-isolierenden Schicht 113 derart gebildet sein, dass sie die erste Kondensatorelektrode 141 überlappt. Die zweite Kondensatorelektrode 142 kann aus dem gleichen Material wie die erste Kondensatorelektrode 141 gebildet sein. Die zweite Kondensatorelektrode 142 kann basierend auf einer Ansteuerungseigenschaft der Anzeigevorrichtung 100 und einer Struktur und einem Typ des Dünnschichttransistors weggelassen werden.
  • Die zweite Pufferschicht 114 kann auf der ersten Zwischenschicht-isolierenden Schicht 113 und der zweiten Kondensatorelektrode 142 angeordnet sein. Die zweite Pufferschicht 114 kann als eine einlagige Schicht aus Siliziumnitrid (SiNx) oder Siliziumoxid (SiOx) oder einer mehrlagigen Schicht daraus eingerichtet sein. Ein Kontaktloch, durch das hindurch der erste Source-Bereich 121b und der erste Drain-Bereich 121c der ersten aktiven Schicht 121 des ersten Dünnschichttransistors 120 freigelegt sind, kann in der zweiten Pufferschicht 114 gebildet sein. Des Weiteren kann das Kontaktloch gebildet sein. Außerdem kann die zweite Kondensatorelektrode 142 des Speicherkondensators 140 durch das Kontaktloch hindurch freigelegt sein.
  • Eine zweite aktive Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 kann auf der zweiten Pufferschicht 114 angeordnet sein. Der zweite Dünnschichttransistor 130 kann die zweite aktive Schicht 131, eine zweite Gate-isolierende Schicht 115, eine zweite Gate-Elektrode 134, eine zweite Source-Elektrode 132 und eine zweite Drain-Elektrode 133 aufweisen. Hierbei kann, in Abhängigkeit von der Ausgestaltung des Pixelschaltkreises, die zweite Source-Elektrode 132 als eine Drain-Elektrode dienen, und die zweite Drain-Elektrode 133 kann als eine Source-Elektrode dienen.
  • Die zweite aktive Schicht 131 kann einen zweiten Kanalbereich 131a, in dem zum Zeitpunkt des Ansteuerns des zweiten Dünnschichttransistors 130 ein Kanal gebildet wird, und einen zweiten Source-Bereich 131b und einen zweiten Drain-Bereich 131c auf beiden Seiten des zweiten Kanalbereichs 131a aufweisen. Der zweite Source-Bereich 131b bezeichnet einen Teil der zweiten aktiven Schicht 131, der mit der zweiten Source-Elektrode 132 verbunden ist, und der zweite Drain-Bereich 131c bezeichnet einen Teil der zweiten aktiven Schicht 131, der mit der zweiten Drain-Elektrode 133 verbunden ist.
  • Die zweite aktive Schicht 131 kann aus einem Oxid-Halbleiter gebildet sein. Das Oxid-Halbleitermaterial kann im Vergleich zu einem Siliziummaterial eine große Bandlücke aufweisen, so dass Elektronen in einem ausgeschalteten Zustand nicht über die Bandlücke springen können. Deshalb kann das Oxid-Halbleitermaterial einen geringen Aus-Strom aufweisen. Somit kann der Dünnschichttransistor, der eine aktive Schicht, die aus einem Oxid-Halbleiter gebildet ist, für einen Schalt-Dünnschichttransistor, der eine Ein-Zeit kurz beibehält und eine Aus-Zeit lang beibehält, geeignet sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. In Abhängigkeit von der Eigenschaft der Anzeigevorrichtung kann der Oxid-Halbleiter als ein Ansteuerungs-Dünnschichttransistor angewendet werden. Des Weiteren kann aufgrund des kleinen Aus-Stroms eine Größe einer Hilfskapazität reduziert sein, so dass der Oxid-Halbleiter für ein hochauflösendes Anzeigeelement geeignet sein kann.
  • Beispielsweise kann die zweite aktive Schicht 131 aus einem Metalloxid, wie beispielsweise verschiedenen Metalloxiden, die Indium-Gallium-Zink-Oxid (IGZO) aufweisen, gebildet sein. Unter der Annahme, dass die zweite aktive Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 aus IGZO unter verschiedenen Metalloxiden gebildet ist, ist beschrieben worden, dass die aktive Schicht aus einer IGZO-Schicht gebildet ist, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Deshalb kann die aktive Schicht aus einem anderen Metalloxid, wie beispielsweise Indium-Zink-Oxid (IZO), Indium-Gallium-Zinn-Oxid (IGTO) oder Indium-Gallium-Oxid (IGO), die verschieden sind von IGZO, gebildet sein.
  • Die zweite aktive Schicht 131 kann mittels Abscheidens des Metalloxids auf der zweiten Pufferschicht 114, Durchführens einer Wärmebehandlung zur Stabilisierung und dann Strukturierens des Metalloxids gebildet werden.
  • Eine isolierende Materialschicht und eine Metallmaterialschicht werden in dieser Reihenfolge auf der gesamten Oberfläche des Substrats, das die zweite aktive Schicht 131 aufweist, gebildet, und eine Fotolackstruktur wird auf der Metallmaterialschicht gebildet. Die isolierende Materialschicht kann unter Verwendung eines PECVD-Verfahrens gebildet werden, und die Metallmaterialschicht kann unter Verwendung eines Sputter-Verfahrens gebildet werden.
  • Die Metallmaterialschicht wird mit einer Fotolackstruktur PR als einer Maske zum Ausbilden einer zweiten Gate-Elektrode 134 einem Nassätzen unterworfen. Als ein Nass-Ätzmittel zum Ätzen der Metallmaterialschicht kann ein Material, das selektiv Molybdän (Mo), Kupfer (Cu), Titan (Ti), Aluminium (AI), Chrom (Cr), Gold (Au), Nickel (Ni) und Neodym (Nd) oder eine Legierung daraus (die die Metallmaterialschicht einrichten) ätzt, verwendet werden.
  • Die isolierende Materialschicht wird mit der Fotolackstruktur PR und der zweiten Gate-Elektrode 134 als Masken zum Bilden der zweiten Gate-isolierenden Schicht 115 dem Trockenätzen unterworfen.
  • Die isolierende Materialschicht wird mittels des Trockenätz-Vorgangs derart geätzt, dass eine Struktur der zweiten Gate-isolierenden Schicht 115 auf der zweiten aktiven Schicht 131 gebildet werden kann. Ein Teil der zweiten aktiven Schicht 131, der durch die strukturierte zweite Gate-isolierende Schicht 115 freigelegt ist, kann leitfähig werden, wenn die zweite Gate-isolierende Schicht 115 mittels des Trockenätz-Vorgangs strukturiert wird.
  • Die zweite aktive Schicht 131, die einen zweiten Kanalbereich 131a, der nicht leitfähig wird, und einen zweiten Source-Bereich 131b und den zweiten Drain-Bereich 131c, die an beiden Enden der zweiten aktiven Schicht 131 leitfähig werden, aufweist, kann entsprechend dem Bereich, in dem die zweite Gate-Elektrode 134 gebildet ist, gebildet werden.
  • Ein Widerstand des zweiten Source-Bereichs 131b und des zweiten Drain-Bereichs 131c der zweiten aktiven Schicht 131, die leitfähig werden, wird abgesenkt, so dass die Element-Leistungsfähigkeit des zweiten Dünnschichttransistors 130 verbessert sein kann. Dementsprechend kann die Zuverlässigkeit der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der zweiten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung verbessert sein.
  • Der zweite Kanalbereich 131a der zweiten aktiven Schicht 131 kann derart angeordnet sein, dass er die zweite Gate-Elektrode 134 überlappt. Der zweite Source-Bereich 131b und der zweite Drain-Bereich 131c der zweiten aktiven Schicht 131 können auf beiden Seiten des zweiten Kanalbereichs 131a angeordnet sein. Des Weiteren kann die zweite Gate-isolierende Schicht 115 zwischen der zweiten Gate-Elektrode 134 und der zweiten aktiven Schicht 131 angeordnet sein. Des Weiteren kann die zweite Gate-isolierende Schicht 115 derart angeordnet sein, dass sie die zweite Gate-Elektrode 134 und den zweiten Kanalbereich 131a der zweiten aktiven Schicht 131 überlappt.
  • Die zweite Gate-isolierende Schicht 115 und die zweite Gate-Elektrode 134 können mittels Ätzens der isolierenden Materialschicht und der Metallmaterialschicht unter Verwendung der Fotolackstruktur PR als einer Maske derart gebildet sein, dass sie die gleiche Struktur aufweisen. Die zweite Gate-isolierende Schicht 115 kann auf der zweiten aktiven Schicht 131 angeordnet sein. Die zweite Gate-isolierende Schicht 115 kann als eine einlagige Schicht aus Siliziumnitrid (SiNx) oder Siliziumoxid (SiOx) oder eine mehrlagige Schicht daraus eingerichtet sein. Die zweite Gate-isolierende Schicht 115 kann derart strukturiert sein, dass sie den zweiten Kanalbereich 131a der zweiten aktiven Schicht 131 überlappt. Die zweite Gate-Elektrode 134 kann auf der zweiten Gate-isolierenden Schicht 115 angeordnet sein. Die zweite Gate-Elektrode 134 kann aus einer einlagigen Schicht oder einer mehrlagigen Schicht, die aus einem von Molybdän (Mo), Kupfer (Cu), Titan (Ti), Aluminium (AI), Chrom (Cr), Gold (Au), Nickel (Ni) und Neodym (Nd) oder einer Legierung daraus gebildet ist, gebildet sein. Die zweite Gate-Elektrode 134 kann derart strukturiert sein, dass sie die zweite aktive Schicht 131 und die zweite Gate-isolierende Schicht 115 überlappt. Des Weiteren kann die zweite Gate-Elektrode 134 derart strukturiert sein, dass sie den zweiten Kanalbereich 131a der zweiten aktiven Schicht 131 überlappt. Außerdem kann die zweite Gate-isolierende Schicht 115 derart strukturiert sein, dass sie den zweiten Kanalbereich 131a der zweiten aktiven Schicht 131 überlappt.
  • Deshalb können die zweite Gate-Elektrode 134 und die zweite Gate-isolierende Schicht 115 den zweiten Kanalbereich 131a der zweiten aktiven Schicht 131 überlappen. Die zweite Zwischenschicht-isolierende Schicht 116 kann auf der zweiten Pufferschicht 114, der zweiten aktiven Schicht 131 und der zweiten Gate-Elektrode 134 angeordnet sein. Ein Kontaktloch, durch das hindurch die erste aktive Schicht 121 des ersten Dünnschichttransistors 120 und die zweite aktive Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 freigelegt sind, kann in der zweiten Zwischenschicht-isolierenden Schicht 116 gebildet sein. Beispielsweise kann ein Kontaktloch, durch das hindurch der erste Source-Bereich 121b und der erste Drain-Bereich 121c der ersten aktiven Schicht 121 von dem ersten Dünnschichttransistor 120 freigelegt sind, in der zweiten Zwischenschicht-isolierenden Schicht 116 gebildet sein. Des Weiteren kann ein Kontaktloch, durch das hindurch der zweite Source-Bereich 131b und der zweite Drain-Bereich 131c der zweiten aktiven Schicht 131 von dem zweiten Dünnschichttransistor 130 freigelegt sind, in der zweiten Zwischenschicht-isolierenden Schicht 116 gebildet sein. Die zweite Zwischenschicht-isolierende Schicht 116 kann als eine einlagige Schicht aus Siliziumnitrid (SiNx) oder Siliziumoxid (SiOx) oder eine mehrlagige Schicht daraus eingerichtet sein.
  • Eine Verbindungselektrode 150, die erste Source-Elektrode 122 und die erste Drain-Elektrode 123 des ersten Dünnschichttransistors 120 und die zweite Source-Elektrode 132 und die zweite Drain-Elektrode 133 des zweiten Dünnschichttransistors 130 können auf der zweiten Zwischenschicht-isolierenden Schicht 116 angeordnet sein.
  • Die erste Source-Elektrode 122 und die erste Drain-Elektrode 123 des ersten Dünnschichttransistors 120 können durch die Kontaktlöcher, die in der ersten Gate-isolierenden Schicht 112, der ersten Zwischenschicht-isolierenden Schicht 113, der zweiten Pufferschicht 114 und der zweiten Zwischenschicht-isolierenden Schicht 116 gebildet sind, hindurch mit der ersten aktiven Schicht 121 des ersten Dünnschichttransistors 120 verbunden sein. Deshalb kann die erste Source-Elektrode 122 des ersten Dünnschichttransistors 120 durch die Kontaktlöcher, die in den ersten Gate-isolierenden Schicht 112, der ersten Zwischenschicht-isolierenden Schicht 113, der zweiten Pufferschicht 114 und der zweiten Zwischenschicht-isolierenden Schicht 116 gebildet sind, hindurch mit dem ersten Source-Bereich 121b der ersten aktiven Schicht 121 verbunden sein. Des Weiteren kann die erste Drain-Elektrode 123 des ersten Dünnschichttransistors 120 durch die Kontaktlöcher, die in der ersten Gate-isolierenden Schicht 112, der ersten Zwischenschicht-isolierenden Schicht 113, der zweiten Pufferschicht 114 und der zweiten Zwischenschicht-isolierenden Schicht 116 gebildet sind, hindurch mit dem ersten Drain-Bereich 121c der ersten aktiven Schicht 121 verbunden sein.
  • Die Verbindungselektrode 150 kann mit der zweiten Drain-Elektrode 133 des zweiten Dünnschichttransistors 130 elektrisch verbunden sein. Des Weiteren kann die Verbindungelektrode 150 durch die Kontaktlöcher, die in der zweiten Pufferschicht 114 und der zweiten Zwischenschicht-isolierenden Schicht 116 gebildet sind, hindurch mit der zweiten Kondensatorelektrode 142 des Speicherkondensators 140 elektrisch verbunden sein. Deshalb kann die Verbindungselektrode 150 dazu dienen, die zweite Kondensatorelektrode 142 des Speicherkondensators 140 und die zweite Drain-Elektrode 133 des zweiten Dünnschichttransistors 130 elektrisch miteinander zu verbinden.
  • Die zweite Source-Elektrode 132 und die zweite Drain-Elektrode 133 des zweiten Dünnschichttransistors 130 können durch das Kontaktloch, das in der zweiten Zwischenschicht-isolierenden Schicht 116 gebildet ist, hindurch mit der zweiten aktiven Schicht 131 verbunden sein. Deshalb kann die zweite Source-Elektrode 132 des zweiten Dünnschichttransistors 130 durch das Kontaktloch, das in der zweiten Zwischenschicht-isolierenden Schicht 116 gebildet ist, hindurch mit dem zweiten Source-Bereich 131b der zweiten aktiven Schicht 131 verbunden sein. Die zweite Drain-Elektrode 133 des zweiten Dünnschichttransistors 130 kann durch das Kontaktloch, das in der zweiten Zwischenschicht-isolierenden Schicht 116 gebildet ist, hindurch mit dem zweiten Drain-Bereich 131c der zweiten aktiven Schicht 131 verbunden sein.
  • Die Verbindungselektrode 150, die erste Source-Elektrode 122 und die erste Drain-Elektrode 123 des ersten Dünnschichttransistors 120 und die zweite Source-Elektrode 132 und die zweite Drain-Elektrode 133 des zweiten Dünnschichttransistors 130 können mittels des gleichen Vorgangs gebildet werden. Des Weiteren können die Verbindungselektrode 150, die erste Source-Elektrode 122 und die erste Drain-Elektrode 123 des ersten Dünnschichttransistors 120 und die zweite Source-Elektrode 132 und die zweite Drain-Elektrode 133 des zweiten Dünnschichttransistors 130 aus dem gleichen Material gebildet sein. Die Verbindungselektrode 150, die erste Source-Elektrode 122 und die erste Drain-Elektrode 123 des ersten Dünnschichttransistors 120 und die zweite Source-Elektrode 132 und die zweite Drain-Elektrode 133 des zweiten Dünnschichttransistors 130 können als eine einlagige Schichte oder eine mehrlagige Schicht, die aus einem von Molybdän (Mo), Kupfer (Cu), Titan (Ti), Aluminium (AI), Chrom (Cr), Gold (Au), Nickel (Ni) und Neodym (Nd) oder einer Legierung daraus gebildet ist, gebildet werden. Beispielsweise können die Verbindungselektrode 150, die erste Source-Elektrode 122 und die erste Drain-Elektrode 123 des ersten Dünnschichttransistors 120 und die zweite Source-Elektrode 132 und die zweite Drain-Elektrode 133 des zweiten Dünnschichttransistors 130 mittels einer dreilagigen Struktur aus Titan (Ti)/Aluminium (AI)/Titan (Ti), das aus leitfähigen Metallmaterialien gebildet ist, gebildet sein, sind jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Die Verbindungselektrode 150 kann in einem Stück derart gebildet sein, dass sie mit der zweiten Drain-Elektrode 133 des zweiten Dünnschichttransistors 130 verbunden ist.
  • Die erste Planarisierungsschicht 117 kann auf der Verbindungselektrode 150, der ersten Source-Elektrode 122 und der ersten Drain-Elektrode 123 des ersten Dünnschichttransistors 120, der zweiten Source-Elektrode 132 und der zweiten Drain-Elektrode 133 des zweiten Dünnschichttransistors 130 und der zweiten Zwischenschicht-isolierenden Schicht 116 angeordnet sein. Wie in 1 dargestellt, kann in der ersten Planarisierungsschicht 117 zum Freilegen der zweiten Drain-Elektrode 133 ein Kontaktloch gebildet sein, ist jedoch hierauf nicht beschränkt. Beispielsweise kann ein Kontaktloch derart in der ersten Planarisierungsschicht 117 gebildet sein, dass die zweite Source-Elektrode 132 des zweiten Dünnschichttransistors 130 freigelegt wird. Alternativ dazu kann ein Kontaktloch in der ersten Planarisierungsschicht 117 derart gebildet sein, dass die Verbindungselektrode 150, die mit der zweiten Drain-Elektrode 133 des zweiten Dünnschichttransistors 130 elektrisch verbunden ist, freigelegt wird. Die erste Planarisierungsschicht 117 kann eine organische Materialschicht, die obere Bereiche des ersten Dünnschichttransistors 120 und des zweiten Dünnschichttransistors 130 einebnet und schützt, sein. Beispielsweise kann die erste Planarisierungsschicht 117 aus einem organischen Material, wie beispielsweise Acrylharz, Epoxidharz, Phenolharz, Polyamidharz oder Polyimidharz, gebildet sein.
  • Die Hilfselektrode 160 kann auf der ersten Planarisierungsschicht 117 angeordnet sein. Die Hilfselektrode 160 kann durch das zweite Kontaktloch der ersten Planarisierungsschicht 117 hindurch mit der zweiten Drain-Elektrode 133 des zweiten Dünnschichttransistors 130 verbunden sein. Die Hilfselektrode 160 kann dazu dienen, den zweiten Dünnschichttransistor 130 und die erste Elektrode 170 miteinander elektrisch zu verbinden. Die Hilfselektrode 160 kann aus einer einlagigen Schicht oder einer mehrlagigen Schicht, die aus einem von Molybdän (Mo), Kupfer (Cu), Titan (Ti), Aluminium (AI), Chrom (Cr), Gold (Au), Nickel (Ni) und Neodym (Nd) oder einer Legierung daraus gebildet ist, gebildet sein. Die Hilfselektrode 160 kann aus dem gleichen Material wie die zweite Source-Elektrode 132 und die zweite Drain-Elektrode 133 des zweiten Dünnschichttransistors 130 gebildet sein.
  • Die zweite Planarisierungsschicht 118 kann auf der Hilfselektrode 160 und der ersten Planarisierungsschicht 117 angeordnet sein. Des Weiteren kann, wie in 1 dargestellt, in der zweiten Planarisierungsschicht 118 ein Kontaktloch zum Freilegen der Hilfselektrode 160 gebildet sein. Die zweite Planarisierungsschicht 118 kann eine organische Materialschicht, die obere Bereiche des ersten Dünnschichttransistors 120 und des zweiten Dünnschichttransistors 130 einebnet, sein. Beispielsweise kann die zweite Planarisierungsschicht 118 aus einem organischen Material, wie beispielsweise Acrylharz, Epoxidharz, Phenolharz, Polyamidharz oder Polyimidharz, gebildet sein.
  • Die erste Elektrode 170 kann auf der zweiten Planarisierungsschicht 118 angeordnet sein. Die erste Elektrode 170 kann durch das zweite Kontaktloch, das in der zweiten Planarisierungsschicht 118 gebildet ist, hindurch mit der Hilfselektrode 160 elektrisch verbunden sein. Deshalb ist die erste Elektrode 170 durch das in der zweiten Planarisierungsschicht 118 gebildete Kontaktloch hindurch elektrisch derart mit der Hilfselektrode 160 verbunden, dass sie mit dem zweiten Dünnschichttransistor 130 elektrisch verbunden ist.
  • Die erste Elektrode 170 kann derart gebildet sein, dass sie eine mehrlagige Struktur, die eine lichtdurchlässige leitfähige Schicht und eine lichtundurchlässige leitfähige Schicht, die ein hohes Reflexionsvermögen aufweist, aufweist, aufweist. Die lichtdurchlässige leitfähige Schicht kann aus einem Material, das eine hohe Austrittsenergie aufweist, wie beispielsweise Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO), gebildet sein. Die lichtdurchlässige leitfähige Schicht kann derart gebildet sein, dass sie eine einlagige Struktur oder eine mehrlagige Struktur, aufweisend AI, Ag, Cu, Pb, Mo, Ti oder eine Legierung daraus, aufweist. Beispielsweise kann die erste Elektrode 170 derart gebildet sein, dass sie eine Struktur aufweist, in der eine lichtdurchlässige leitfähige Schicht, eine lichtundurchlässige leitfähige Schicht und eine lichtdurchlässige leitfähige Schicht nacheinander übereinandergeschichtet sind. Jedoch ist die erste Elektrode 170 nicht hierauf beschränkt, sondern kann ebenso derart gebildet sein, dass sie eine Struktur aufweist, in der die lichtdurchlässige leitfähige Schicht und die lichtundurchlässige leitfähige Schicht nacheinander übereinandergeschichtet sind.
  • Da die Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Top-Emissions-Anzeigevorrichtung ist, kann die erste Elektrode 170 eine Anode sein. Wenn die Anzeigevorrichtung 100 ein Bottom-Emissions-Typ ist, kann die auf der zweiten Planarisierungsschicht 118 angeordnete erste Elektrode 170 eine Kathodenelektrode sein.
  • Ein Damm 180 kann auf der ersten Elektrode 170 und der zweiten Planarisierungsschicht 118 angeordnet sein. Eine Öffnung kann derart in dem Damm 180 gebildet sein, dass die erste Elektrode 170 freigelegt ist. Da der Damm 180 einen Emissionsbereich der Anzeigevorrichtung 100 definiert, kann der Damm 180 ebenso als eine Pixel-Definitionsschicht bezeichnet werden. Ein Abstandhalter 190 kann des Weiteren auf dem Damm 180 angeordnet sein. Des Weiteren kann eine Emissionsstruktur 200, die eine lichtemittierende Schicht aufweist, des Weiteren auf der ersten Elektrode 170 angeordnet sein.
  • Die Emissionsstruktur 200 kann derart gebildet sein, dass eine Löcherschicht, eine lichtemittierende Schicht und eine Elektronenschicht in dieser Reihenfolge oder einer umgekehrten Reihenfolge auf der ersten Elektrode 170 übereinandergeschichtet sind. Des Weiteren kann die Emissionsstruktur 200 eine erste Emissionsstruktur und eine zweite Emissionsstruktur, die einander gegenüberliegend, mit einer Ladungserzeugungsschicht dazwischen, angeordnet sind, aufweisen. In diesem Falle erzeugt eine lichtemittierende Schicht der ersten Emissionsstruktur und zweiten Emissionsstruktur blaues Licht und die andere der ersten Emissionsstruktur und zweiten Emissionsstruktur erzeugt gelb-grünes Licht, so das mittels der ersten Emissionsstruktur und der zweiten Emissionsstruktur weißes Licht erzeugt werden kann. Das in der Emissionsstruktur 200 erzeugte weiße Licht fällt zum Implementieren von Farbbildern auf einen Farbfilter (nicht dargestellt), der über der Emissionsstruktur 200 angeordnet ist. Außerdem erzeugen einzelne Emissionsstrukturen 200 Farblicht entsprechend individuellen Subpixeln, ohne zum Implementieren von Farbbildern separate Farbfilter aufzuweisen. Das bedeutet, die Emissionsstruktur 200 eines roten R Subpixels erzeugt rotes Licht, die Emissionsstruktur 200 eines grünen G Subpixels erzeugt grünes Licht, und die Emissionsstruktur 200 eines blauen B Subpixels erzeugt blaues Licht.
  • Die zweite Elektrode 210 kann des Weiteren auf der Emissionsstruktur 200 angeordnet sein. Die zweite Elektrode 210 kann auf der Emissionsstruktur 200 derart. angeordnet sein, dass sie der ersten Elektrode 170 gegenüberliegend, mit der Emissionsstruktur 200 dazwischen, angeordnet ist. In der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die zweite Elektrode 210 eine Kathodenelektrode sein. Die Verkapselungseinheit 220 kann des Weiteren auf der zweiten Elektrode 210 zum Verhindern des Eindringens von Feuchtigkeit angeordnet sein.
  • Die Verkapselungseinheit 220 kann eine erste anorganische Verkapselungseinheit 200a, eine zweite organische Verkapselungseinheit 220b und eine dritte anorganische Verkapselungseinheit 220c aufweisen. Die erste anorganische Verkapselungseinheit 220a der Verkapselungseinheit 220 kann auf der zweiten Elektrode 210 angeordnet sein. Die zweite organische Verkapselungseinheit 220b kann auf der ersten anorganischen Verkapselungseinheit 220a angeordnet sein. Des Weiteren kann die dritte anorganische Verkapselungseinheit 220c auf der zweiten organischen Verkapselungseinheit 220b angeordnet sein. Die erste anorganische Verkapselungseinheit 220a und die dritte anorganische Verkapselungseinheit 220c der Verkapselungseinheit 220 können aus einem anorganischen Material, wie beispielsweise Siliziumnitrid (SiNx) oder Siliziumoxid (SiOx) gebildet sein. Die zweite organische Verkapselungseinheit 220b der Verkapselungseinheit 220 kann aus einem organischen Material, wie beispielsweise Acrylharz, Epoxidharz, Phenolharz, Polyamidharz oder Polyimidharz, gebildet sein.
  • 2 ist eine Querschnittansicht einer Anzeigevorrichtung 100 gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Die Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird unter Bezugnahme auf 1 beschrieben werden, und eine wiederholte Beschreibung wird weggelassen werden oder kurz beschrieben werden. Beispielsweise können das Substrat 110, die erste Pufferschicht 111, die erste Gate-isolierende Schicht 112, die erste Zwischenschicht-isolierende Schicht 113, die zweite Gate-isolierende Schicht 115, die zweite Zwischenschicht-isolierende Schicht 116, die erste Planarisierungsschicht 117, die zweite Planarisierungsschicht 118, die Verbindungselektrode 150, die Hilfselektrode 160, die erste Elektrode 170, der Damm 180, der Abstandshalter 190, die Emissionsstruktur 200, die zweite Elektrode 210, die Verkapselungseinheit 220, der erste Dünnschichttransistor 120 und der zweite Dünnschichttransistor 130 im Wesentlichen gleich sein. Deshalb wird eine wiederholte Beschreibung der Anordnung der 2, die im Wesentlichen gleich der Konfiguration der Anordnung der 1 ist, weggelassen werden oder kurz beschrieben werden.
  • Unter Bezugnahme auf 2 weist eine Anzeigevorrichtung 100 gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Substrat 110, eine erste Pufferschicht 111, einen ersten Dünnschichttransistor 120, einen zweiten Dünnschichttransistor 130, eine erste Gate-isolierende Schicht 112, eine erste Zwischenschicht-isolierende Schicht 113, eine zweite Pufferschicht 114, eine zweite Gate-isolierende Schicht 115, eine zweite Zwischenschicht-isolierende Schicht 116, eine erste Planarisierungsschicht 117, eine zweite Planarisierungsschicht 118, einen Speicherkondensator 41, eine blockierende Schicht 310, eine Verbindungelektrode 150, einen Damm 180, eine Hilfselektrode 160, eine erste Elektrode 170, einen Abstandshalter 190, eine Emissionsstruktur 200, eine zweite Elektrode 210 und eine Verkapselungseinheit 220 auf. Die erste aktive Schicht 121 des ersten Dünnschichttransistors 120 kann aus LTPS gebildet sein, und die zweite aktive Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 kann aus einem Oxid-Halbleiter gebildet sein.
  • Eine erste Polyimid-Schicht 110a und eine zweite Polyimid-Schicht 110c des Substrats 110 der Anzeigevorrichtung 100 enthalten Verunreinigungen und eine große Menge an Wasserstoff, der die Eigenschaften des Oxid-Halbleiters der zweiten aktiven Schicht 131 beeinträchtigt. Beispielsweise diffundiert die große Menge an Wasserstoff, die in der ersten Polyimid-Schicht 110a und der zweiten Polyimid-Schicht 110c verbleibt, in die zweite aktive Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130, was aufgrund des Oxid-Halbleiters Bright-Dot-Fehlstellen hervorrufen kann. Für das Substrat 110 verwendetes Polyimid (PI) enthält eine große Menge an Wasserstoff. Insbesondere, wenn der in dem Substrat 110 erzeugte Wasserstoff in den zweiten Kanalbereich 131a der zweiten aktiven Schicht 131, die mittels des Oxid-Halbleiters eingerichtet ist, fließt, kann der zweite Kanalbereich 131a der zweiten aktiven Schicht 131 leitfähig werden. Wenn der zweite Kanalbereich 131a der zweiten aktiven Schicht 131 leitfähig wird, wird der zweite Dünnschichttransistor 130 dauerhaft eingeschaltet und verliert eine Funktion als ein Dünnschichttransistor. Die Bright-Dot-Fehlstellen können mittels des zweiten Dünnschichttransistors 130, der die Funktion als ein Dünnschichttransistor verliert und eingeschaltet ist, hervorgerufen werden.
  • Die Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann des Weiteren die blockierende Schicht 310 in einem Bereich, der die zweite aktive Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 überlappt, zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff, der die Eigenschaften des zweiten Dünnschichttransistors 130 verschlechtern kann, aufweisen. Die blockierende Schicht 310 kann während des Vorgangs des Bildens der zweiten Kondensatorelektrode 142 des Speicherkondensators 140 gebildet werden. Da die blockierende Schicht 310 mittels des gleichen Vorgangs wie die zweite Kondensatorelektrode 142 des Speicherkondensators 140 gebildet wird, kann die blockierende Schicht 310 derart in einem Stück gebildet sein, dass sie mit der zweiten Kondensatorelektrode 142 verbunden ist. Beispielsweise kann, wie in 2 dargestellt, die blockierende Schicht 310 mittels Verlängerns der zweiten Kondensatorelektrode 142 des Speicherkondensators 140 derart gebildet werden, dass sie die zweite aktive Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 überlappt. Jedoch ist die blockierende Schicht 310 nicht hierauf beschränkt und kann derart gebildet sein, dass sie die zweite aktive Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 überlappt und von der zweiten Kondensatorelektrode 142 des Speicherkondensators 140 getrennt ist. In diesem Falle kann die blockierende Schicht 310 auf der gleichen Schicht gebildet sein, auf der die zweite Kondensatorelektrode 142 des Speicherkondensators 140 gebildet ist. Beispielsweise kann die blockierende Schicht 310 auf der ersten Zwischenschicht-isolierenden Schicht 113 gebildet sein.
  • Die blockierende Schicht 310, die mittels Verlängerns der zweiten Kondensatorelektrode 142 des Speicherkondensators 140 in einem Stück gebildet ist, kann derart angeordnet sein, dass sie den zweiten Kanalbereich 131a der zweiten aktiven Schicht 131 überlappt. Die blockierende Schicht 310 kann auf der ersten Zwischenschicht-isolierenden Schicht 113 gebildet sein. Die blockierende Schicht 310 kann unter der zweiten aktiven Schicht 131 und in einem Bereich, der die zweite aktive Schicht 131 überlappt, angeordnet sein. Die blockierende Schicht 310 kann unter der zweiten aktiven Schicht 131 angeordnet sein und die zweite aktive Schicht 131 überlappen, so dass verhindert wird, dass der Wasserstoff, der in dem Substrat 110 erzeugt wird, zu der zweiten aktiven Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 diffundiert.
  • In die blockierende Schicht 310, die derart mit der zweiten Kondensatorelektrode 142 verbunden ist, dass sie in einem Stück gebildet ist, können Ladungen geladen werden. Um zu verhindern, dass die in die blockierende Schicht 310 geladenen Ladungen in die zweite aktive Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 übertragen werden, kann die zweite Pufferschicht 114 als eine mehrlagige Schicht gebildet sein. Wenn die zweite Pufferschicht 114 als eine mehrlagige Schicht gebildet ist, kann eine oberste Schicht der zweiten Pufferschicht 114, die die zweite aktive Schicht 131 berührt, aus einem Siliziumoxid (SiOx)-Material, das einen geringen Wasserstoffgehalt aufweist, gebildet sein. Beispielsweise kann die oberste Schicht der zweiten Pufferschicht 114 aus einem Siliziumdioxid (SiO2)-Material gebildet sein. Des Weiteren kann mindestens eine Siliziumnitrid (SiNx)-Materialschicht, die eine gute Isolationseigenschaft aufweist, zwischen der obersten Schicht, die aus einem Siliziumoxid (SiOx)-Material gebildet ist, und der blockierenden Schicht 310 angeordnet sein. Beispielsweise kann, wie in 2 dargestellt, wenn die zweite Pufferschicht 114 als eine Doppelschicht gebildet ist, die zweite Pufferschicht 114 eine zweite untere Pufferschicht 114a, die auf der blockierenden Schicht 310 angeordnet ist, und eine zweite obere Pufferschicht 114b, die auf der zweiten unteren Pufferschicht 114a angeordnet ist, aufweisen. Die zweite obere Pufferschicht 114b, die in direkten Kontakt mit einer unteren Oberfläche der zweiten aktiven Schicht 131 ist, kann einen Wasserstoffgehalt aufweisen, der geringer ist als der der zweiten unteren Pufferschicht 114a. Die zweite untere Pufferschicht 114a, die zwischen der blockierenden Schicht 310 und der zweiten oberen Pufferschicht 114b angeordnet ist, kann eine bessere Isolationseigenschaft aufweisen als die der zweiten oberen Pufferschicht 114b. Die zweite obere Pufferschicht 114b der zweiten Pufferschicht 114, die direkt mit der zweiten aktiven Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 in Kontakt ist, kann aus Siliziumoxid (SiOx) gebildet sein. Beispielsweise kann die zweite obere Pufferschicht 114b aus Siliziumdioxid (SiO2) gebildet sein. Des Weiteren kann die zweite untere Pufferschicht 114a, die zwischen der zweiten oberen Pufferschicht 114b und der blockierenden Schicht 310 angeordnet ist, aus Siliziumnitrid (SiNx) gebildet sein.
  • Die zweite untere Pufferschicht 114a, die aus Siliziumnitrid (SiNx) gebildet ist, und die eine relativ bessere Isolationseigenschaft als die von Siliziumoxid (SiOx) aufweist, ist derart auf der blockierenden Schicht 310 angeordnet, dass verhindert wird, dass die in die blockierende Schicht 310 geladenen Ladungen zu der zweiten aktiven Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 übertragen werden. Des Weiteren kann die zweite obere Pufferschicht 114b, die aus Siliziumoxid (SiOx), das einen relativ geringeren Wasserstoffgehalt als der von Siliziumnitrid (SiNx) aufweist, gebildet ist, die Diffusion des Wasserstoffs in die zweite aktive Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 verhindern.
  • Deshalb ist in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die blockierende Schicht 310, die derart in einem Stück gebildet ist, dass sie mit der zweiten Kondensatorelektrode 142 zum Überlappen der zweiten aktiven Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 verbunden ist, zum Verhindern der Diffusion des in dem Substrat 110 erzeugten Wasserstoffs zu der zweiten aktiven Schicht 131 angeordnet. Des Weiteren kann die zweite Pufferschicht 114, die zwischen der blockierenden Schicht 310 und der zweiten aktiven Schicht 131 angeordnet ist, als eine mehrlagige Schicht gebildet sein, die mittels einer zweiten oberen Pufferschicht 114b, die einen relativ geringen Wasserstoffgehalt aufweist, und einer zweiten unteren Pufferschicht 114a, die eine relativ gute Isolationseigenschaft aufweist, eingerichtet sein. Die zweite obere Pufferschicht 114b ist derart angeordnet, dass sie mit der unteren Oberfläche der zweiten aktiven Schicht 131 zum Verhindern der Diffusion des Wasserstoffs zu der zweiten aktiven Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 in Kontakt ist, angeordnet. Des Weiteren ist die zweite untere Pufferschicht 114a so zwischen der blockierenden Schicht 310 und der zweiten oberen Pufferschicht 114b angeordnet, dass verhindert werden kann, dass die in die blockierende Schicht 310 geladenen Ladungen zu der zweiten aktiven Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 übertragen werden. Deshalb kann die Zuverlässigkeit der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung verbessert sein.
  • 3 ist eine Querschnittsansicht einer Anzeigevorrichtung 100 gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Die Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird unter Bezugnahme auf 2 beschrieben werden, und eine wiederholte Beschreibung wird weggelassen werden oder kurz beschrieben werden. Beispielsweise können das Substrat 110, die erste Pufferschicht 111, die erste Gate-isolierende Schicht 112, die erste Zwischenschicht-isolierende Schicht 113, die zweite Pufferschicht 114, die zweite Gate-isolierende Schicht 115, die zweite Zwischenschichtisolierende Schicht 116, die erste Planarisierungsschicht 117, die zweite Planarisierungsschicht 118, die Verbindungselektrode 150, die Hilfselektrode 160, die erste Elektrode 170, der Damm 180, der Abstandhalter 190, die Emissionsstruktur 200, die zweite Elektrode 210, die Verkapselungseinheit 220, der erste Dünnschichttransistor 120 und der zweite Dünnschichttransistor 130 im Wesentlichen gleich sein. Deshalb kann eine wiederholte Beschreibung der Anordnung der 3, die im Wesentlichen die gleiche ist wie die Anordnung der 2, weggelassen werden oder kurz beschrieben werden.
  • Unter Bezugnahme auf 3 weist eine Anzeigevorrichtung 100 gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Substrat 110, eine erste Pufferschicht 111, einen ersten Dünnschichttransistor 120, einen zweiten Dünnschichttransistor 130, eine erste Gate-isolierende Schicht 112, eine erste Zwischenschicht-isolierende Schicht 113, eine zweite Pufferschicht 114, eine zweite Gate-isolierende Schicht 115, eine zweite Zwischenschicht-isolierende Schicht 116, eine erste Planarisierungsschicht 117, eine zweite Planarisierungsschicht 118, einen Speicherkondensator 140, eine blockierende Schicht 310, eine Verbindungelektrode 150, einen Damm 180, eine Hilfselektrode 160, eine erste Elektrode 170, einen Abstandshalter 190, eine Emissionsstruktur 200, eine zweite Elektrode 210 und eine Verkapselungseinheit 220 auf. Die erste aktive Schicht 121 des ersten Dünnschichttransistors 120 kann aus LTPS gebildet sein, und die zweite aktive Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 kann aus einem Oxid-Halbleiter gebildet sein.
  • Die Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann des Weiteren eine blockierenden Schicht 310 in einem Bereich, der die zweite aktive Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 überlappt, zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff, der die Eigenschaften des zweiten Dünnschichttransistors 130 verschlechtern kann, aufweisen. Die blockierende Schicht 310 kann während des Vorgangs des Bildens der ersten Kondensatorelektrode 141 des Speicherkondensators 140 gebildet werden. Da die blockierende Schicht 310 mittels des gleichen Vorgangs wie der erste Kondensator 141 des Speicherkondensators 140 gebildet wird, kann die blockierende Schicht 310 derart in einem Stück gebildet sein, dass sie mit der ersten Kondensatorelektrode 141 verbunden ist. Beispielsweise kann, wie in 3 dargestellt, die blockierende Schicht 310 mittels Verlängerns der ersten Kondensatorelektrode 141 des Speicherkondensators 140 derart gebildet sein, dass sie die zweite aktive Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 überlappt. Jedoch ist die blockierenden Schicht 310 nicht hierauf beschränkt und kann derart gebildet sein, dass sie die zweite aktive Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 überlappt und von der ersten Kondensatorelektrode 141 des Speicherkondensators 140 getrennt angeordnet ist. In diesem Falle kann die blockierende Schicht 310 auf der gleichen Schicht gebildet sein, auf der die erste Kondensatorelektrode 141 des Speicherkondensators 140 gebildet ist. Beispielsweise kann die blockierende Schicht 310 auf der ersten Gate-isolierenden Schicht 112 gebildet sein.
  • Die blockierende Schicht 310, die mittels Verlängerns der ersten Kondensatorelektrode 141 des Speicherkondensators 140 in einem Stück gebildet ist, kann derart angeordnet sein, dass sie den zweiten Kanalbereich 131a der zweiten aktiven Schicht 131 überlappt. Die blockierende Schicht 310 kann auf der ersten Gate-isolierende Schicht 112 gebildet sein. Die blockierende Schicht 310 kann unter der zweiten aktiven Schicht 131 und in einem Bereich, der die zweite aktive Schicht 131 überlappt, angeordnet sein. Die blockierende Schicht 310 ist unter der zweiten aktiven Schicht 131 angeordnet und überlappt die zweite aktive Schicht 131, so dass verhindert werden kann, dass der in dem Substrat 110 erzeugte Wasserstoff zu der zweiten aktiven Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 diffundiert.
  • Die blockierende Schicht 310 und die erste Kondensatorelektrode 141 können mittels des gleichen Vorgangs gebildet werden wie die zweite Gate-Elektrode 124 des ersten Dünnschichttransistors 120. Die blockierende Schicht 310 und die erste Kondensatorelektrode 141 können aus dem gleichen Material wie die zweite Gate-Elektrode 124 gebildet sein. Die blockierende Schicht 310 kann zwischen dem Substrat 110 und der zweiten aktiven Schicht 131 derart angeordnet sein, dass sie die zweite aktive Schicht 131 überlappt.
  • Deshalb ist in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die blockierende Schicht 310, die in einem Stück derart gebildet ist, dass sie mit der ersten Kondensatorelektrode 141 zum Überlappen der zweiten aktiven Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 gebildet ist, zum Verhindern der Diffusion des in dem Substrat 110 gebildeten Wasserstoffs zu der zweiten aktiven Schicht 131 angeordnet. Deshalb kann die Zuverlässigkeit der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung verbessert sein.
  • 4 zeigt eine Querschnittansicht einer Anzeigevorrichtung 100 gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Die Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird unter Bezugnahme auf 4 beschrieben werden, und eine wiederholte Beschreibung wird weggelassen werden oder kurz beschrieben werden. Beispielsweise können das Substrat 110, die erste Pufferschicht 111, die erste Gate-isolierende Schicht 112, die erste Zwischenschicht-isolierende Schicht 113, die zweite Pufferschicht 114, die zweite Gate-isolierende Schicht 115, die zweite Zwischenschicht-isolierende Schicht 116, die erste Planarisierungsschicht 117, die zweite Planarisierungsschicht 118, die Verbindungselektrode 150, die Hilfselektrode 160, die erste Elektrode 170, der Damm 180, der Abstandhalter 190, die Emissionsstruktur 200, die zweite Elektrode 210, die Verkapselungseinheit 220, der erste Dünnschichttransistor 120 und der zweite Dünnschichttransistor 130 im Wesentlichen gleich sein. Deshalb kann eine wiederholte Beschreibung der Anordnung der 4, die im Wesentlichen gleich der Anordnung der 2 ist, weggelassen werden oder kurz beschrieben werden.
  • Unter Bezugnahme auf 4 weist eine Anzeigevorrichtung 100 gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Substrat 110, eine erste Pufferschicht 111, einen ersten Dünnschichttransistor 120, einen zweiten Dünnschichttransistor 130, eine erste Gate-isolierende Schicht 112, eine erste Zwischenschicht-isolierende Schicht 113, eine zweite Pufferschicht 114, eine zweite Gate-isolierende Schicht 115, eine zweite Zwischenschicht-isolierende Schicht 116, eine erste Planarisierungsschicht 117, eine zweite Planarisierungsschicht 118, einen Speicherkondensator 140, eine blockierende Schicht 310, eine Verbindungselektrode 150, einen Damm 180, eine Hilfselektrode 160, eine erste Elektrode 170, einen Abstandhalter 190, eine Emissionsstruktur 200, eine zweite Elektrode 210 und eine Verkapselungseinheit 220 auf. Die erste aktive Schicht 121 des ersten Dünnschichttransistors 120 kann aus LTPS gebildet sein, und die zweite aktive Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 kann aus einem Oxid-Halbleiter gebildet sein.
  • Die Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann des Weiteren die blockierende Schicht 310 in einem Bereich, der die zweite aktive Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 überlappt, zum Verhindern der Diffusion von Wasserstoff, das die Eigenschaften des zweiten Dünnschichttransistors 130 verschlechtern kann, aufweisen. Die blockierende Schicht 310 kann eine erste blockierende Schicht 211 und eine zweite blockierende Schicht 312, die unter der ersten blockierenden Schicht 311 angeordnet ist, aufweisen. Die erste blockierende Schicht 311 kann während des Vorgangs des Bildens der zweiten Kondensatorelektrode 142 des Speicherkondensators 140 gebildet werden. Die zweite blockierenden Schicht 312 kann während des Vorgangs des Bildens der ersten Kondensatorelektrode 141 des Speicherkondensators 140 gebildet werden. Da die erste blockierende Schicht 311 mittels des gleichen Vorgangs wie die zweite Kondensatorelektrode 142 des Speicherkondensators 140 gebildet wird, kann die erste blockierende Schicht 311 derart in einem Stück gebildet sein, dass sie mit der zweiten Kondensatorelektrode 142 verbunden ist. Da die zweite blockierende Schicht 312 mittels des gleichen Vorgangs wie die erste Kondensatorelektrode 141 des Speicherkondensators 140 gebildet wird, kann die zweite blockierende Schicht 312 derart in einem Stück gebildet sein, dass sie mit der ersten Kondensatorelektrode 141 verbunden ist. Beispielsweise kann, wie in 4 dargestellt, die erste blockierende Schicht 311 mittels Verlängerns der zweiten Kondensatorelektrode 142 des Speicherkondensators 140 derart gebildet sein, dass sie die zweite aktive Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 überlappt. Des Weiteren kann die zweite blockierende Schicht 312 mittels Verlängerns der ersten Kondensatorelektrode 141 des Speicherkondensators 140 derart gebildet sein, dass sie die zweite aktive Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 überlappt. Die erste blockierende Schicht 311 und die zweite blockierende Schicht 312 können derart angeordnet sein, dass sie einander zum Bilden eines Kondensators überlappen. Jedoch sind die erste blockierende Schicht 311 und die zweite blockierende Schicht 312 nicht hierauf beschränkt und können derart gebildet sein, dass sie die zweite aktive Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 überlappen und von der zweiten Kondensatorelektrode 142 und der ersten Kondensatorelektrode 141 des Speicherkondensators 140 elektrisch getrennt angeordnet sind.
  • Die zweite blockierende Schicht 312, die mittels Verlängerns der ersten Kondensatorelektrode 141 des Speicherkondensators 140 in einem Stück gebildet ist, und die erste blockierende Schicht 311, die mittels Verlängerns der zweiten Kondensatorelektrode 142 des Speicherkondensators 140 in einem Stück gebildet ist, können derart angeordnet sein, dass sie den zweiten Kanalbereich 131a der zweiten aktiven Schicht 131 überlappen. Die erste blockierende Schicht 311 kann auf der ersten Zwischenschicht-isolierenden Schicht 113 angeordnet sein, und die zweite blockierende Schicht 312 kann auf der ersten Gate-isolierenden Schicht 112 angeordnet sein. Die erste blockierende Schicht 311 und die zweite blockierende Schicht 112 können unter der zweiten aktiven Schicht 331 und in einem Bereich, der die zweite aktive Schicht 131 überlappt, angeordnet sein. Die erste blockierende Schicht 311 kann zwischen der zweiten aktiven Schicht 131 und der zweiten blockierenden Schicht 312 angeordnet sein, und die zweite blockierende Schicht 312 kann zwischen der ersten blockierenden Schicht 311 und dem Substrat 110 angeordnet sein. Des Weiteren können die erste blockierende Schicht 311 und die zweite blockierende Schicht 312 derart angeordnet sein, dass sie einander überlappen. Des Weiteren können die erste blockierende Schicht 311 und die zweite blockierende Schicht 312 derart angeordnet sein, dass sie die zweite aktive Schicht 131 überlappen. Die erste blockierende Schicht 311 und die zweite blockierende Schicht 312 sind unter der zweiten aktiven Schicht 131 angeordnet und überlappen die zweite aktive Schicht 131, so dass verhindert werden kann, dass der in dem Substrat 110 erzeugte Wasserstoff zu der zweiten aktiven Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 diffundiert.
  • Die zweite blockierende Schicht 312 und die erste Kondensatorelektrode 141 können mittels des gleichen Vorgangs wie die erste Gate-Elektrode 124 des ersten Dünnschichttransistors 120 gebildet werden. Die zweite blockierende Schicht 312 und die erste Kondensatorelektrode 141 können aus dem gleichen Material wie die erste Gate-Elektrode 124 gebildet sein.
  • In die erste blockierende Schicht 311, die mit der zweiten Kondensatorelektrode 142 derart verbunden ist, dass sie in einem Stück gebildet ist, kann mit Ladungen geladen werden. Um zu verhindern, dass die in die erste blockierende Schicht 311 geladenen Ladungen zu der zweiten aktiven Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 übertragen werden, kann die zweite Pufferschicht 114 als eine mehrlagige Schicht gebildet sein. Wenn die zweite Pufferschicht 114 als eine mehrlagige Schicht gebildet ist, kann die oberste Schicht der zweiten Pufferschicht 114, die die zweite aktive Schicht 131 berührt, aus einem Siliziumoxid (SiOx)-Material, das einen geringen Wasserstoffgehalt aufweist, gebildet sein. Beispielsweise kann die oberste Schicht der zweiten Pufferschicht 114 aus einem Siliziumdioxid (SiO2)-Material gebildet sein. Des Weiteren kann mindestens eine Siliziumnitrid (SiNx)-Materialschicht, die eine gute Isolationseigenschaft aufweist, zwischen der obersten, aus einem Siliziumoxid (SiOx)-Material gebildeten Schicht und der ersten blockierenden Schicht 311 gebildet sein. Beispielsweise kann, wie in 4 dargestellt, wenn die zweite Pufferschicht 114 als eine Doppelschicht gebildet ist, die zweite Pufferschicht 114 eine zweite untere Pufferschicht 114a, die auf der ersten blockierenden Schicht 311 angeordnet ist, und eine zweite obere Pufferschicht 114b, die auf der zweiten unteren Pufferschicht 114a angeordnet ist, aufweisen. Die zweite obere Pufferschicht 114b, die in direktem Kontakt mit einer unteren Oberfläche der zweiten aktiven Schicht 131 ist, kann einen Wasserstoffgehalt aufweisen, der geringer ist als der der zweiten unteren Pufferschicht 114a. Die zweite untere Pufferschicht 114a, die zwischen der ersten blockierenden Schicht 311 und der zweiten oberen Pufferschicht 114b angeordnet ist, kann eine bessere Isolationseigenschaft aufweisen als die der zweiten oberen Pufferschicht 114b. Die zweite obere Pufferschicht 114b der zweiten Pufferschicht 114, die in direkten Kontakt mit der zweiten aktiven Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 ist, kann aus Siliziumoxid (SiOx) gebildet sein. Beispielsweise kann die zweite obere Pufferschicht 114b aus Siliziumdioxid (SiO2) gebildet sein. Des Weiteren kann die zweite untere Pufferschicht 114a, die zwischen der zweiten oberen Pufferschicht 114b und der ersten blockierenden Schicht 311 angeordnet ist, aus Siliziumnitrid (SiNx) gebildet sein.
  • Die zweite untere Pufferschicht 114a, die aus Siliziumnitrid (SiNx), das eine relativ bessere Isolationseigenschaft aufweist als die von Siliziumoxid (SiOx), gebildet ist, ist auf der ersten blockierenden Schicht 311 angeordnet, so dass verhindert werden kann, dass Ladungen, die in die erste blockierende Schicht 311 geladen sind, in die zweite aktive Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 übertragen werden. Des Weiteren kann die zweite obere Pufferschicht 114b, die aus Siliziumoxid (SiOx), das einen relativ geringeren Wasserstoffgehalt als der von Siliziumnitrid (SiNx) aufweist, die Diffusion des Wasserstoffs in die zweite aktive Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 verhindern.
  • Deshalb sind in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die erste blockierende Schicht 311 und die zweite blockierende Schicht 312, die derart in einem Stück gebildet sind, dass sie mit der zweiten Kondensatorelektrode 142 und der ersten Kondensatorelektrode 141 derart verbunden sind, dass sie die zweite aktive Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 überlappen, derart angeordnet, dass sie die Diffusion des Wasserstoffs, der in dem Substrat 110 erzeugt wird, zu der zweiten aktiven Schicht 131 verhindern. Des Weiteren kann die zweite Pufferschicht 114, die zwischen der ersten blockierenden Schicht 311 und der zweiten aktiven Schicht 131 angeordnet ist, als eine mehrlagige Schicht, die mittels der zweiten oberen Pufferschicht 114b, die einen relativ geringen Wasserstoffgehalt aufweist, und der zweiten unteren Pufferschicht 114a, die eine relativ gute Isolationseigenschaft aufweist, eingerichtet ist, gebildet sein. Die zweite obere Pufferschicht 114b ist derart angeordnet, dass sie in Kontakt mit der unteren Oberfläche der zweiten aktiven Schicht 131 ist, derart, dass sie die Diffusion des Wasserstoffs zu der zweiten aktiven Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 verhindert. Des Weiteren ist die zweite untere Pufferschicht 114a zwischen der ersten blockierenden Schicht 311 und der zweiten oberen Pufferschicht 114b angeordnet, so dass verhindert werden kann, dass die in die erste blockierenden Schicht 311 geladenen Ladungen zu der zweiten aktiven Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 übertragen werden. Deshalb kann die Zuverlässigkeit der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung verbessert sein.
  • 5 zeigt eine Querschnittansicht einer Anzeigevorrichtung 100 gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Die Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird unter Bezugnahme auf 5 beschrieben werden, und eine wiederholte Beschreibung wird weggelassen werden oder kurz beschrieben werden. Beispielsweise können das Substrat 110, die erste Pufferschicht 111, die erste Gate-isolierende Schicht 112, die erste Zwischenschicht-isolierende Schicht 113, die zweite Pufferschicht 114, die zweite Gate-isolierende Schicht 115, die zweite Zwischenschicht-isolierende Schicht 116, die erste Planarisierungsschicht 117, die zweite Planarisierungsschicht 118, die Hilfselektrode 160, die erste Elektrode 170, der Damm 180, der Abstandhalter 190, die Emissionsstruktur 200, die zweite Elektrode 210, die Verkapselungseinheit 220, die blockierenden Schicht 310, der Speicherkondensator 140 und der zweite Dünnschichttransistor 130 im Wesentlichen gleich sein. Deshalb wird eine wiederholte Beschreibung der Anordnung der 5, die im Wesentlichen gleich der Anordnung der 2 ist, weggelassen werden oder kurz beschrieben werden.
  • Unter Bezugnahme auf 5 weist eine Anzeigevorrichtung 100 gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Substrat 110, eine erste Pufferschicht 111, einen ersten Dünnschichttransistor 120, einen zweiten Dünnschichttransistor 130, eine erste Gate-isolierende Schicht 112, eine erste Zwischenschicht-isolierende Schicht 113, eine zweite Pufferschicht 114, eine zweite Gate-isolierende Schicht 115, eine zweite Zwischenschicht-isolierende Schicht 116, eine erste Planarisierungsschicht 117, eine zweite Planarisierungsschicht 118, einen Speicherkondensator 140, eine blockierende Schicht 310, eine Verbindungelektrode 150, einen Damm 180, eine Hilfselektrode 160, eine erste Elektrode 170, einen Abstandhalter 190, eine Emissionsstruktur 200, eine zweite Elektrode 210 und eine Verkapselungseinheit 220 auf. Die erste aktive Schicht 121 des ersten Dünnschichttransistors 120 kann aus LTPS gebildet sein, und die zweite aktive Schicht 131 des zweiten Dünnschichttransistors 130 kann aus einem Oxid-Halbleiter gebildet sein.
  • In der Anzeigevorrichtung 100 gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die Verbindungselektrode 150 eine erste Verbindungselektrode 151 und eine zweite Verbindungselektrode 152, die auf der ersten Verbindungselektrode 151 gebildet ist, aufweisen. Des Weiteren kann die Anzeigevorrichtung 100 eine Hilfs-Zwischenschicht-isolierende Schicht 119, die zwischen der zweiten Pufferschicht 114 und der zweiten Kondensatorelektrode 142 angeordnet ist, aufweisen.
  • Des Weiteren können eine erste Source-Elektrode 122 und eine erste Drain-Elektrode 123 des ersten Dünnschichttransistors 120 unter der zweiten Pufferschicht 114 angeordnet sein. Beispielsweise kann, wie in 5 dargestellt, die Hilfs-Zwischenschicht-isolierende Schicht 119 auf der zweiten Kondensatorelektrode 142 des Speicherkondensators 140 und der ersten blockierenden Schicht 311 der blockierenden Schicht 310 angeordnet sein. In der Hilfs-Zwischenschicht-isolierenden Schicht 119 kann ein Kontaktloch gebildet sein. Außerdem sind die erste Source-Elektrode 122 und die erste Drain-Elektrode 123 des ersten Dünnschichttransistors 120 jeweils durch das Kontaktloch hindurch mit dem ersten Source-Bereich 121b und dem ersten Drain-Bereich 121c der ersten aktiven Schicht 121 des ersten Dünnschichttransistors 120 verbunden. Des Weiteren kann in der Hilfs-Zwischenschicht-isolierenden Schicht 119 ein Kontaktloch gebildet sein. Außerdem ist die erste Verbindungselektrode 151 der Verbindungselektrode 150 durch das Kontaktloch hindurch mit der zweiten Kondensatorelektrode 142 verbunden.
  • Die Hilfs-Zwischenschicht-isolierende Schicht 119 kann als eine Doppelschicht, die eine erste Hilfs-Zwischenschicht-isolierende Schicht 119a und eine zweite Hilfs-Zwischenschicht-isolierende Schicht 119b aufweist, gebildet sein. Wenn die Hilfs-Zwischenschicht-isolierende Schicht 119 als eine Doppelschicht, die die erste Hilfs-Zwischenschicht-isolierende Schicht 119a und die zweite Hilfs-Zwischenschicht-isolierende Schicht 119b auf der ersten Hilfs-Zwischenschicht-isolierenden Schicht 119a aufweist, gebildet ist, kann die erste Hilfs-Zwischenschicht-isolierende Schicht 119a Siliziumoxid (SiOx) sein. Des Weiteren kann die zweite Hilfs-Zwischenschicht-isolierende Schicht 119b Siliziumnitrid (SiNx) sein. In der ersten Hilfs-Zwischenschicht-isolierenden Schicht 119a und der zweiten Hilfs-Zwischenschicht-isolierenden Schicht 119b können Kontaktlöcher gebildet sein. Außerdem sind die erste Source-Elektrode 122 und die erste Drain-Elektrode 123 jeweils durch die Kontaktlöcher hindurch mit dem ersten Source-Bereich 121b und dem ersten Drain-Bereich 121c der ersten aktiven Schicht 121 des ersten Dünnschichttransistors 120 verbunden. Des Weiteren kann in der ersten Hilfs-Zwischenschicht-isolierenden Schicht 119a und der zweiten Hilfs-Zwischenschicht-isolierenden Schicht 119b ein Kontaktloch gebildet sein. Außerdem ist die erste Verbindungselektrode 151 der Verbindungselektrode 150 durch das Kontaktloch hindurch mit der zweiten Kondensatorelektrode 142 verbunden. Des Weiteren können die erste Verbindungselektrode 151 und die erste Source-Elektrode 122 und die erste Drain-Elektrode 123 des ersten Dünnschichttransistors 120 auf der Hilfs-Zwischenschicht-isolierenden Schicht 119 angeordnet sein. Die erste Source-Elektrode 122 und die erste Drain-Elektrode 123 des ersten Dünnschichttransistors 120 können durch die Kontaktlöcher, die in der ersten Gate-isolierenden Schicht 112, der ersten Zwischenschicht-isolierenden Schicht 113 und der Hilfs-Zwischenschicht-isolierenden Schicht 119 gebildet sind, hindurch mit der ersten aktiven Schicht 121 des ersten Dünnschichttransistors 120 verbunden sein. Die erste Verbindungselektrode 151 kann durch das Kontaktloch, das in der Hilfs-Zwischenschicht-isolierenden Schicht 119 gebildet ist, hindurch mit dem Speicherkondensator 140 verbunden sein. Die erste Source-Elektrode 122 des ersten Dünnschichttransistors 120 kann durch die Kontaktlöcher, die in der ersten Gate-isolierende Schicht 112, der ersten Zwischenschicht-isolierenden Schicht 113 und der Hilfs-Zwischenschicht-isolierenden Schicht 119 gebildet sind, hindurch mit dem ersten Source-Bereich 121b der ersten aktiven Schicht 121 verbunden sein. Außerdem kann die erste Drain-Elektrode 123 des ersten Dünnschichttransistors 120 durch die Kontaktlöcher, die in der ersten Gate-isolierenden Schicht 112, der ersten Zwischenschicht-isolierenden Schicht 113 und der Hilfs-Zwischenschicht-isolierenden Schicht 119 gebildet sind, hindurch mit dem ersten Drain-Bereich 121c der ersten aktiven Schicht 121 verbunden sein. Die erste Verbindungselektrode 151 kann durch das Kontaktloch, das in der Hilfs-Zwischenschicht-isolierenden Schicht 119 gebildet ist, hindurch mit der zweiten Kondensatorelektrode 142 des Speicherkondensators 140 verbunden sein.
  • Des Weiteren kann die zweite Pufferschicht 114 auf der ersten Verbindungselektrode 151, der ersten Source-Elektrode 122 und der ersten Drain-Elektrode 123 des ersten Dünnschichttransistors 120 angeordnet sein. Der zweite Dünnschichttransistor 130 kann auf der zweiten Pufferschicht 114 gebildet sein.
  • Die zweite Verbindungselektrode 152 kann mit der zweiten Drain-Elektrode 133 des zweiten Dünnschichttransistors 130 elektrisch verbunden sein. Des Weiteren kann die zweite Verbindungselektrode 152 durch die Kontaktlöcher, die in der zweiten Pufferschicht 114 und der zweiten Zwischenschicht-isolierenden Schicht 116 gebildet sind, hindurch mit der ersten Verbindungselektrode 151 elektrisch verbunden sein. Deshalb können die erste Verbindungselektrode 151 und die zweite Verbindungselektrode 152 der Verbindungselektrode 150 dazu dienen, die zweite Kondensatorelektrode 142 des Speicherkondensators 140 und die zweite Drain-Elektrode 133 des zweiten Dünnschichttransistors 130 elektrisch miteinander zu verbinden.
  • Unter Bezugnahme auf 5 kann der erste Dünnschichttransistor 120 unter der zweiten Pufferschicht 114 angeordnet sein, und der zweite Dünnschichttransistor 130 kann über der zweiten Pufferschicht 114 angeordnet sein.
  • Die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können auch wie folgt beschrieben werden.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung weist eine Anzeigevorrichtung ein Substrat, das ein erstes Substrat, ein zweites Substrat und eine anorganische isolierende Schicht zwischen dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat aufweist, auf. Eine erste Pufferschicht ist auf dem Substrat angeordnet, wobei die erste Pufferschicht n+1 Schichten aufweist und „n“ gleich 0 oder eine gerade Anzahl ist. Ein erster Dünnschichttransistor, ein zweiter Dünnschichttransistor und ein Speicherkondensator sind jeweils auf der ersten Pufferschicht angeordnet. Der erste Dünnschichttransistor weist eine erste aktive Schicht, die aus einem Niedertemperatur-Polysiliziummaterial gebildet ist, auf. Der zweite Dünnschichttransistor weist eine zweite aktive Schicht, die aus einem Oxid-Halbleitermaterial gebildet ist, auf. Der Speicherkondensator weist eine erste Kondensatorelektrode und eine zweite Kondensatorelektrode auf.
  • Eine blockierende Schicht, die eine Verlängerung von einer oder beiden der ersten Kondensatorelektrode und zweiten Kondensatorelektrode ist, kann die zweite aktive Schicht überlappen.
  • Das erste Substrat und das zweite Substrat können ein Kunststoffmaterial, beispielsweise ein Polyimid (PI), aufweisen oder daraus gebildet sein. Die anorganische isolierende Schicht kann aus einem Siliziumoxid (SiOx)-Material oder einem Siliziumnitrid (SiNx)-Material gebildet sein.
  • Außerdem kann „n“ gleich 0 sein, und die erste Pufferschicht kann eine einlagige Schicht, die aus einem Siliziumoxid (SiOx)-Material oder einem Siliziumnitrid (SiNx)-Material gebildet ist, sein.
  • Außerdem kann „n“ gleich oder größer als 2 sein, und die erste Pufferschicht kann eine mehrlagige Schicht sein, in der eine Siliziumoxid (SiOx)-Schicht und eine Siliziumnitrid (SiNx)-Schicht abwechselnd gebildet sind.
  • Die n+1 Schichten der ersten Pufferschicht können eine untere Schicht, die das Substrat berührt und aus dem Siliziumoxid (SiOx)-Material gebildet ist, eine obere Schicht, die die erste aktive Schicht berührt und aus dem Siliziumoxid (SiOx)-Material gebildet ist, und eine Zwischenschicht zwischen der oberen Schicht und der unteren Schicht aufweisen.
  • Eine Dicke der oberen Schicht kann größer sein als eine Dicke der Zwischenschicht und eine Dicke der unteren Schicht.
  • Die Dicke der Zwischenschicht kann gleich der Dicke der unteren Schicht sein.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung weist einen eine Anzeigevorrichtung ein Substrat, eine erste Pufferschicht auf dem Substrat, und einen ersten Dünnschichttransistor, aufweisend: eine erste aktive Schicht, die aus einem Niedertemperatur-Polysiliziummaterial gebildet ist, eine erste Gate-Elektrode, die die erste aktive Schicht, mit einer ersten Gate-isolierende Schicht dazwischen, überlappt, und eine erste Source-Elektrode und eine erste Drain-Elektrode, die mit der ersten aktiven Schicht elektrisch verbunden sind, auf. Ein zweiter Dünnschichttransistor weist eine zweite aktive Schicht, die aus einem Oxid-Halbleiter gebildet ist, eine zweite Gate-Elektrode, die die zweite aktive Schicht, mit einer zweiten Gate-isolierenden Schicht dazwischen, überlappt, und eine zweite Source-Elektrode und eine zweite Drain-Elektrode, die mit der zweiten aktiven Schicht elektrisch verbunden sind, auf. Ein Speicherkondensator weist eine erste Kondensatorelektrode auf einer gleichen Schicht wie die erste Gate-Elektrode und eine zweite Kondensatorelektrode, die die erste Kondensatorelektrode, mit einer ersten Zwischenschicht-isolierenden Schicht dazwischen, überlappt, und eine erste blockierende Schicht, die eine Verlängerung der zweiten Kondensatorelektrode, die die zweite aktive Schicht überlappt, ist, auf.
  • Das Substrat kann ein erstes Substrat, ein zweites Substrat und eine anorganische isolierende Schicht zwischen dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat aufweisen. Das erste Substrat und das zweite Substrat können ein Kunststoffmaterial, beispielsweise ein Polyimid (PI), aufweisen oder aus diesem gebildet sein. Die anorganische isolierende Schicht kann aus einem Siliziumoxid (SiOx)-Material oder Siliziumnitrid (SiNx)-Material gebildet sein.
  • Eine zweite Pufferschicht kann zwischen der ersten blockierenden Schicht und der zweiten aktiven Schicht angeordnet sein und kann eine Mehrzahl von Schichten, die eine Siliziumoxid (SiOx)-Schicht und eine Siliziumnitrid (SiNx)-Schicht aufweisen, aufweisen. Die zweite Pufferschicht kann die Siliziumoxid (SiOx)-Schicht als eine oberste Schicht, die die zweite aktive Schicht berührt, und mindestens eine Siliziumnitrid (SiNx)-Schicht zwischen der obersten Schicht und der ersten blockierenden Schicht aufweisen.
  • Eine zweite blockierende Schicht kann eine Verlängerung der ersten Kondensatorelektrode, die die zweite aktive Schicht und die erste blockierende Schicht überlappt, sein.
  • Die zweite Pufferschicht kann eine zweite obere Pufferschicht und eine zweite untere Pufferschicht aufweisen, und die zweite obere Pufferschicht kann die Siliziumoxid (SiOx)-Schicht sein, und die zweite untere Pufferschicht kann die Siliziumnitrid (SiNx)-Schicht sein.
  • Die zweite obere Pufferschicht kann eine Siliziumdioxid (SiO2)-Schicht sein.
  • Die erste aktive Schicht des ersten Dünnschichttransistors kann auf der ersten Pufferschicht angeordnet sein. Die erste Gate-isolierende Schicht kann auf der ersten aktiven Schicht und der ersten Pufferschicht angeordnet sein. Die erste Gate-Elektrode des ersten Dünnschichttransistors und die erste Kondensatorelektrode des Speicherkondensators können auf der ersten Gate-isolierenden Schicht angeordnet sein. Die erste Zwischenschicht-isolierende Schicht kann auf der ersten Gate-Elektrode und der ersten Kondensatorelektrode angeordnet sein. Die zweite Kondensatorelektrode des Speicherkondensators, die die erste Kondensatorelektrode überlappt, und die erste blockierende Schicht, die die zweite aktive Schicht überlappt, können auf der ersten Zwischenschicht-isolierenden Schicht angeordnet sein. Die zweite Pufferschicht kann auf der zweiten Kondensatorelektrode, der ersten blockierenden Schicht und der ersten Zwischenschicht-isolierenden Schicht angeordnet sein. Die zweite aktive Schicht des zweiten Dünnschichttransistors kann auf der zweiten Pufferschicht angeordnet sein. Die zweite Gate-isolierende Schicht kann auf der zweiten aktiven Schicht angeordnet sein. Die zweite Gate-Elektrode des zweiten Dünnschichttransistors kann auf der zweiten Gate-isolierenden Schicht angeordnet sein. Eine zweite Zwischenschicht-isolierende Schicht kann auf der zweiten Gate-Elektrode, der zweiten aktiven Schicht und der zweiten Pufferschicht angeordnet sein. Die erste Source-Elektrode und die erste Drain-Elektrode des ersten Dünnschichttransistors und die zweite Source-Elektrode und die zweite Drain-Elektrode des zweiten Dünnschichttransistors können auf der zweiten Zwischenschicht-isolierenden Schicht angeordnet sein.
  • Die zweite Source-Elektrode und die zweite Drain-Elektrode können durch ein Kontaktloch der zweiten Zwischenschicht-isolierenden Schicht hindurch mit der zweiten aktiven Schicht elektrisch verbunden sein.
  • Die erste Source-Elektrode und die erste Drain-Elektrode können durch Kontaktlöcher der zweiten Zwischenschicht-isolierenden Schicht, der zweiten Pufferschicht, der ersten Zwischenschicht-isolierenden Schicht und der ersten Gate-isolierenden Schicht hindurch mit der ersten aktiven Schicht elektrisch verbunden sein.
  • Eine Verbindungselektrode auf der zweiten Zwischenschicht-isolierenden Schicht kann die zweite Kondensatorelektrode des Speicherkondensators und die zweite Drain-Elektrode des zweiten Dünnschichttransistors elektrisch miteinander verbinden. Die Verbindungselektrode kann derart mit der zweiten Kondensatorelektrode verbunden sein, dass sie in einem Stück gebildet sind.
  • Die Verbindungselektrode kann durch die Kontaktlöcher der zweiten Zwischenschicht-isolierenden Schicht und der zweiten Pufferschicht hindurch mit der zweiten Kondensatorelektrode elektrisch verbunden sein.
  • Eine Verbindungselektrode kann auf der zweiten Zwischenschicht-isolierenden Schicht angeordnet sein und kann die zweite Kondensatorelektrode des Speicherkondensators und die zweite Drain-Elektrode des zweiten Dünnschichttransistors elektrisch miteinander verbinden. Die Verbindungselektrode kann eine zweite Verbindungselektrode, die in einem Stück mit der zweiten Drain-Elektrode verbunden ist, und eine erste Verbindungselektrode, die die zweite Verbindungselektrode und die zweite Kondensatorelektrode verbindet, aufweisen.
  • Die erste Verbindungselektrode und die zweite Verbindungselektrode können durch die Kontaktlöcher der zweiten Zwischenschicht-isolierenden Schicht und der zweiten Pufferschicht hindurch mit der zweiten Kondensatorelektrode elektrisch verbunden sein.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung weist eine Anzeigevorrichtung ein Substrat, eine erste Pufferschicht auf dem Substrat und einen ersten Dünnschichttransistor, aufweisend: eine erste aktive Schicht, die aus einem Niedertemperatur-Polysiliziummaterial gebildet ist, eine erste Gate-Elektrode, die die erste aktive Schicht, mit einer ersten Gate-isolierenden Schicht dazwischen, überlappt, und eine erste Source-Elektrode und eine erste Drain-Elektrode, die mit der ersten aktiven Schicht elektrisch verbunden sind, auf. Ein zweiter Dünnschichttransistor weist auf: eine zweite aktive Schicht, die aus einem Oxid-Halbleiter gebildet ist, eine zweite Gate-Elektrode, die die zweite aktive Schicht, mit einer zweiten Gate-isolierenden Schicht dazwischen, überlappt, und eine zweite Source-Elektrode und eine zweite Drain-Elektrode, die mit der zweiten aktiven Schicht elektrisch verbunden sind. Ein Speicherkondensator weist eine erste Kondensatorelektrode auf einer gleichen Schicht wie die erste Gate-Elektrode und eine zweite Kondensatorelektrode, die die erste Kondensatorelektrode, mit einer ersten Zwischenschicht-isolierenden Schicht dazwischen, überlappt, auf. Eine erste blockierende Schicht ist eine Verlängerung der ersten Kondensatorelektrode, die die zweite aktive Schicht überlappt.
  • Eine zweite blockierenden Schicht kann eine Verlängerung der zweiten Kondensatorelektrode, die die zweite aktive Schicht und die erste blockierende Schicht überlappt, sein.
  • Obwohl die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung im Detail unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben worden sind, ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt und kann in verschiedenen Weisen ausgeführt werden, ohne von dem technischen Grundgedanken der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Deshalb sind die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung lediglich zu illustrativen Zwecken bereitgestellt, sollen aber nicht den technischen Grundgedanken der vorliegenden Offenbarung beschränken. Der Anwendungsbereich des technischen Grundgedankens der vorliegenden Offenbarung ist nicht hierauf beschränkt. Deshalb ist zu bemerken, dass die oben beschriebenen beispielhaften Ausführungsformen in allen Aspekten illustrativ sind und die vorliegende Offenbarung nicht beschränken. Der Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung sollte basierend auf den folgenden Ansprüchen ausgelegt werden
  • Es ist offensichtlich für den Fachmann, dass verschiedene Modifikationen und Variationen in der vorliegenden Offenbarung vorgenommen werden können, ohne von dem Anwendungsbereich der Offenbarung abzuweichen. Folglich ist es beabsichtigt, dass die vorliegende Offenbarung die Modifikationen und Variationen dieser Offenbarung abdecken, solange sie innerhalb des Anwendungsbereichs der angehängten Ansprüche liegen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • KR 1020180136203 [0001]

Claims (23)

  1. Eine Anzeigevorrichtung (100), aufweisend: ein Substrat (110), das ein erstes Substrat, ein zweites Substrat und eine anorganische isolierende Schicht zwischen dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat aufweist; eine erste Pufferschicht (111) auf dem Substrat (110), wobei die erste Pufferschicht (111) n+1 Schichten aufweist und „n“ gleich 0 oder eine gerade Zahl ist; und einen ersten Dünnschichttransistor (120), einen zweiten Dünnschichttransistor (130) und einen Speicherkondensator (140) jeweils auf der ersten Pufferschicht (111), wobei der erste Dünnschichttransistor (120) eine erste aktive Schicht (121), die aus einem Niedertemperatur-Polysiliziummaterial gebildet ist, aufweist, wobei der zweite Dünnschichttransistor (130) eine zweite aktive Schicht (131), die aus einem Oxid-Halbleitermaterial gebildet ist, aufweist, und wobei der Speicherkondensator (140) eine erste Kondensatorelektrode (141) und eine zweite Kondensatorelektrode (142) aufweist.
  2. Die Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 1, ferner aufweisend: eine blockierende Schicht (310), die eine Verlängerung von einer oder beiden der ersten Kondensatorelektrode (141) und zweiten Kondensatorelektrode (142) ist und die zweite aktive Schicht (131) überlappt.
  3. Die Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die anorganische isolierende Schicht aus einem Siliziumoxid-Material oder einem Siliziumnitrid-Material gebildet ist.
  4. Die Anzeigevorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei „n“ gleich 0 ist, und die erste Pufferschicht (111) eine einlagige Schicht, die aus einem Siliziumoxid-Material oder einem Siliziumnitrid-Material gebildet ist, ist.
  5. Die Anzeigevorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei „n“ gleich oder größer als 2 ist, und die erste Pufferschicht (111) eine mehrlagige Schicht, in der eine Siliziumoxid-Schicht und eine Siliziumnitrid-Schicht abwechselnd gebildet sind, ist.
  6. Die Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 5, wobei die n+1 Schichten der ersten Pufferschicht (111) aufweisen: eine untere Schicht, die das Substrat (110) berührt und aus dem Siliziumoxid-Material gebildet ist; eine obere Schicht, die die erste aktive Schicht (121) berührt und aus dem Siliziumoxid-Material gebildet ist; und eine Zwischenschicht zwischen der oberen Schicht und der unteren Schicht.
  7. Die Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 6, wobei eine Dicke der oberen Schicht größer ist als eine Dicke der Zwischenschicht und eine Dicke der unteren Schicht.
  8. Die Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 7, wobei die Dicke der Zwischenschicht gleich der Dicke der unteren Schicht ist.
  9. Eine Anzeigevorrichtung (100), aufweisend: ein Substrat (110); eine erste Pufferschicht (111) auf dem Substrat (110); einen ersten Dünnschichttransistor (120), aufweisend: eine erste aktive Schicht (121), die aus einem Niedertemperatur-Polysiliziummaterial gebildet ist, eine erste Gate-Elektrode (124), die die erste aktive Schicht (121), mit einer ersten Gate-isolierenden Schicht (112) dazwischen, überlappt, und eine erste Source-Elektrode (122) und eine erste Drain-Elektrode (123), die elektrisch mit der ersten aktiven Schicht (121) verbunden sind; einen zweiten Dünnschichttransistor (130), aufweisend: eine zweite aktive Schicht (131), die aus einem Oxid-Halbleiter gebildet ist, eine zweite Gate-Elektrode (134), die die zweite aktive Schicht (131), mit einer zweiten Gate-isolierenden Schicht (115) dazwischen, überlappt, und eine zweite Source-Elektrode (132) und eine zweite Drain-Elektrode (133), die elektrisch mit der zweiten aktiven Schicht (131) verbunden sind; einen Speicherkondensator (140), der eine erste Kondensatorelektrode (141) auf einer gleichen Schicht wie die erste Gate-Elektrode (124) und eine zweite Kondensatorelektrode (142) aufweist, die die erste Kondensatorelektrode (141), mit einer ersten Zwischenschicht-isolierenden Schicht (113) dazwischen, überlappt; und eine erste blockierende Schicht (311), die eine Verlängerung der zweiten Kondensatorelektrode (142) ist, und welche die zweite aktive Schicht (131) überlappt.
  10. Die Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 9, ferner aufweisend: das Substrat (110), das ein erstes Substrat, ein zweites Substrat und eine anorganische isolierende Schicht zwischen dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat aufweist.
  11. Die Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 10, ferner aufweisend: eine zweite Pufferschicht (114) zwischen der ersten blockierenden Schicht (311) und der zweiten aktiven Schicht (131), und die eine Mehrzahl von Schichten, die eine Siliziumoxid-Schicht und eine Siliziumnitrid-Schicht aufweisen, aufweist, wobei die zweite Pufferschicht (114) die Siliziumoxid-Schicht als eine oberste Schicht, die die zweite aktive Schicht (131) berührt, und mindestens eine Siliziumnitrid-Schicht zwischen der obersten Schicht und der ersten blockierenden Schicht (311) aufweist.
  12. Die Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 10 oder 11, ferner aufweisend: eine zweite blockierende Schicht (312), die eine Verlängerung der ersten Kondensatorelektrode (141) ist, und welche die zweite aktive Schicht (131) und die erste blockierende Schicht (311) überlappt.
  13. Die Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 11, wobei die zweite Pufferschicht (114) eine zweite obere Pufferschicht (114) und eine zweite untere Pufferschicht (114a) aufweist, und die zweite obere Pufferschicht (114b) die Siliziumoxid-Schicht ist und die zweite untere Pufferschicht (114a) die Siliziumnitrid-Schicht ist.
  14. Die Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 13, wobei die zweite obere Pufferschicht (114b) eine Siliziumdioxid-Schicht ist.
  15. Die Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 11, 13 oder 14, wobei: die erste aktive Schicht (121) des ersten Dünnschichttransistors (120) auf der ersten Pufferschicht (111) angeordnet ist, die erste Gate-isolierende Schicht (112) auf der ersten aktiven Schicht (121) und der ersten Pufferschicht (111) angeordnet ist, die erste Gate-Elektrode (124) des ersten Dünnschichttransistors (120) und die erste Kondensatorelektrode (141) des Speicherkondensators (140) auf der ersten Gate-isolierenden Schicht (112) angeordnet sind, die erste Zwischenschicht-isolierende Schicht (113) auf der ersten Gate-Elektrode (124) und der ersten Kondensatorelektrode (141) angeordnet ist, die zweite Kondensatorelektrode (142) des Speicherkondensators (140), die die erste Kondensatorelektrode (141) überlappt, und die erste blockierende Schicht (311), die die zweite aktive Schicht (131) überlappt, auf der ersten Zwischenschicht-isolierenden Schicht (113) angeordnet sind, die zweite Pufferschicht (114) auf der zweiten Kondensatorelektrode (142), der ersten blockierenden Schicht (311) und der ersten Zwischenschicht-isolierenden Schicht (113) angeordnet ist, die zweite aktive Schicht (131) des zweiten Dünnschichttransistors (130) auf der zweiten Pufferschicht (114) angeordnet ist, die zweite Gate-isolierende Schicht (115) auf der zweiten aktiven Schicht (131) angeordnet ist, die zweite Gate-Elektrode (134) des zweiten Dünnschichttransistors (130) auf der zweiten Gate-isolierenden Schicht (115) angeordnet ist, eine zweite Zwischenschicht-isolierende Schicht (116) auf der zweiten Gate-Elektrode (134), der zweiten aktiven Schicht (131) und der zweiten Pufferschicht (114) angeordnet ist, und die erste Source-Elektrode (122) und die erste Drain-Elektrode (123) des ersten Dünnschichttransistors (120) und die zweite Source-Elektrode (132) und die zweite Drain-Elektrode (133) des zweiten Dünnschichttransistors (130) auf der zweiten Zwischenschicht-isolierenden Schicht (116) angeordnet sind.
  16. Die Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 15, wobei die zweite Source-Elektrode (132) und die zweite Drain-Elektrode (133) durch ein Kontaktloch der zweiten Zwischenschicht-isolierenden Schicht (116) hindurch mit der zweiten aktiven Schicht (131) elektrisch verbunden sind.
  17. Die Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 15 oder 16, wobei die erste Source-Elektrode (122) und die erste Drain-Elektrode (123) durch Kontaktlöcher der zweiten Zwischenschicht-isolierenden Schicht (116), der zweiten Pufferschicht (114), der ersten Zwischenschicht-isolierenden Schicht (113) und der ersten Gate-isolierenden Schicht (112) hindurch mit der ersten aktiven Schicht (121) elektrisch verbunden sind.
  18. Die Anzeigevorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 15 bis 17, ferner aufweisend: eine Verbindungselektrode (150) auf der zweiten Zwischenschicht-isolierenden Schicht (116), und die die zweite Kondensatorelektrode (142) des Speicherkondensators (140) und die zweite Drain-Elektrode (133) des zweiten Dünnschichttransistors (130) elektrisch miteinander verbindet, wobei die Verbindungselektrode (150) derart mit der zweiten Drain-Elektrode (133) verbunden ist, dass sie in einem Stück gebildet sind.
  19. Die Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 18, wobei die Verbindungselektrode (150) durch die Kontaktlöcher der zweiten Zwischenschicht-isolierenden Schicht (116) und der zweiten Pufferschicht (114) hindurch mit der zweiten Kondensatorelektrode (142) elektrisch verbunden ist.
  20. Die Anzeigevorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 15 bis 17, ferner aufweisend: eine Verbindungselektrode (150) auf der zweiten Zwischenschicht-isolierenden Schicht (116), und die die zweite Kondensatorelektrode (142) des Speicherkondensators (140) und die zweite Drain-Elektrode (133) des zweiten Dünnschichttransistors (130) elektrisch miteinander verbindet, wobei die Verbindungselektrode (150) eine zweite Verbindungselektrode (152), die in einem Stück mit der zweiten Drain-Elektrode (133) verbunden ist, und eine erste Verbindungselektrode (151), die die zweite Verbindungselektrode (152) und die zweite Kondensatorelektrode (142) verbindet, aufweist.
  21. Die Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 20, wobei die erste Verbindungselektrode (151) und die zweite Verbindungselektrode (152) durch die Kontaktlöcher der zweiten Zwischenschicht-isolierenden Schicht (116) und der zweiten Pufferschicht (114) hindurch mit der zweiten Kondensatorelektrode (142) elektrisch verbunden sind.
  22. Eine Anzeigevorrichtung (100), aufweisend: ein Substrat (110); eine erste Pufferschicht (111) auf dem Substrat (110); einen ersten Dünnschichttransistor (120), aufweisend: eine erste aktive Schicht (121), die aus einem Niedertemperatur-Polysiliziummaterial gebildet ist, eine erste Gate-Elektrode (124), die die erste aktive Schicht (121), mit einer ersten Gate-isolierenden Schicht (112) dazwischen, überlappt, und eine erste Source-Elektrode (112) und eine erste Drain-Elektrode (123), die elektrisch mit der ersten aktiven Schicht (121) verbunden sind; einen zweiten Dünnschichttransistor (130), aufweisend: eine zweite aktive Schicht (131), die aus einem Oxid-Halbleiter gebildet ist, eine zweite Gate-Elektrode (134), die die zweite aktive Schicht (131), mit einer zweiten Gate-isolierenden Schicht (115) dazwischen, überlappt, und eine zweite Source-Elektrode (132) und eine zweite Drain-Elektrode (133), die elektrisch mit der zweiten aktiven Schicht (131) verbunden sind; einen Speicherkondensator (140), der eine erste Kondensatorelektrode (141) auf einer gleichen Schicht wie die erste Gate-Elektrode (124) und eine zweite Kondensatorelektrode (142) aufweist, die die erste Kondensatorelektrode (141), mit einer ersten Zwischenschicht-isolierenden Schicht (113) dazwischen, überlappt; und eine erste blockierende Schicht (311), die eine Verlängerung der ersten Kondensatorelektrode (141) ist, und welche die zweite aktive Schicht (131) überlappt.
  23. Die Anzeigevorrichtung (100) gemäß Anspruch 22, ferner aufweisend: eine zweite blockierende Schicht (312), die eine Verlängerung der zweiten Kondensatorelektrode (142) ist, und welche die zweite aktive Schicht (131) und die erste blockierende Schicht (311) überlappt.
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