DE102022120273A1

DE102022120273A1 - Lichtemittierende Anzeigevorrichtung

Info

Publication number: DE102022120273A1
Application number: DE102022120273.9A
Authority: DE
Inventors: Joonsuk Lee; Sejune Kim
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2021-09-09
Filing date: 2022-08-11
Publication date: 2023-03-09
Also published as: KR20230037310A; CN115942771A; US20230077299A1

Abstract

Es ist eine lichtemittierende Anzeigevorrichtung offenbart, die umfasst: eine Schaltungsschicht mit einem Dünnschichttransistor und einer Hilfsleistungselektrode über einem Substrat, eine Schutzschicht, die die Schaltungsschicht überlagert, einen Kontaktabschnitt, der so ausgebildet ist, dass er einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode freilegt, eine Vorsprungsstruktur, die über einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode angeordnet ist und so ausgebildet ist, dass sie einen hinterschnittenen Bereich aufweist, eine Pixelelektrode, die über der Schutzschicht angeordnet ist und mit dem Dünnschichttransistor verbunden ist, eine lichtemittierende Schicht, die über der Pixelelektrode angeordnet ist, und eine gemeinsamen Elektrode, die über der lichtemittierenden Schicht angeordnet ist und mit der Hilfsleistungselektrode in dem hinterschnittenen Bereich der Vorsprungsstruktur verbunden ist, wobei die Vorsprungsstruktur aus einem einzigen Material besteht.

Description

HINTERGRUND
Technisches Gebiet
Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine lichtemittierende Anzeigevorrichtung.
Beschreibung des Standes der Technik
In einer zunehmend informationsorientierten Gesellschaft ist die Beachtung für und die Anforderungen an eine Anzeigevorrichtung, die zum Anzeigen von Informationen ausgelegt ist, auf verschiedene Arten gestiegen.
Unter diesen Anzeigevorrichtungen wird eine lichtemittierende Anzeigevorrichtung gemäß einem Material einer lichtemittierenden Schicht in eine anorganische lichtemittierende Anzeigevorrichtung und eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung eingeteilt. Beispielsweise ist die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung eine selbstleuchtende Anzeigevorrichtung, wobei die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung ein Bild durch Injizieren von Löchern bzw. Elektronen in die lichtemittierende Schicht aus einer Anodenelektrode zum Injizieren von Löchern und einer Kathodenelektrode zum Injizieren von Elektronen und Emittieren von Licht, dann wenn ein Exziton, in dem die injizierten Löcher und Elektronen kombiniert sind, von einem angeregten Zustand in einen Grundzustand fällt, anzeigen kann.
Die lichtemittierende Anzeigevorrichtung kann je nach Richtung, in der Licht emittiert wird, in einen Typ mit Emission nach oben, einen Typ mit Emission nach unten oder einen Typ mit dualer Emission unterteilt werden.
Im Fall der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung des Typ mit Emission nach oben kann eine Elektrode mit transparenter Charakteristik oder eine Elektrode mit halbdurchlässiger Charakteristik als Kathode verwendet werden, um von der lichtemittierenden Schicht emittiertes Licht nach oben zu emittieren. Die Kathodenelektrode hat eine geringe Dicke, um die Durchlässigkeit zu verbessern, wodurch ein elektrischer Widerstand zunimmt. Insbesondere im Fall einer großen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung wird ein Spannungsabfall dann, wenn der Abstand von einem Spannungsversorgungsanschlussabschnitt zunimmt, stärker erzeugt, so dass ein Problem in Bezug auf die Helligkeitsungleichmäßigkeit der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung erzeugt werden kann.
Um den durch die Erhöhung des Widerstands der Kathodenelektrode verursachten Spannungsabfall zu beheben, wird eine Kathodenkontaktstruktur mit einer hinterschnittenen Form vorgeschlagen, um eine separate Hilfselektrode mit der Kathodenelektrode elektrisch zu verbinden.
Im Fall der Kathodenkontaktstruktur werden jedoch verschiedene Materialschichten in einer gestapelten Struktur gebildet, und die hinterschnittene Form wird durch selektives Ätzen ausgebildet, wodurch eine Stufendifferenz an der Grenzfläche zwischen den verschiedenen Materialschichten erzeugt wird, oder es wird ein Trennungsphänomen wird häufig erzeugt, wodurch eine Massenproduktion der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung reduziert wird.
Der obige Inhalt des technologischen Hintergrunds kann für eine Ableitung der vorliegenden Offenbarung durch Erfinder festgehalten werden oder kann aus Technologieinformation bestehen, die durch die Praxis von Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung erlernt wurde. Der obige Inhalt des technologischen Hintergrunds muss jedoch kein Stand der Technik sein, der vor einer Anmeldung der vorliegenden Offenbarung für die breite Öffentlichkeit veröffentlicht wurde.
ZUSAMMENFASSUNG
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung, eine lichtemittierende Anzeigevorrichtung zu schaffen, die in der Lage ist, eine hinterschnittene Form mit hoher Ablösebeständigkeit in einem Kathodenkontaktbereich zu bilden und somit Fehler zu reduzieren, die bei einem Herstellungsprozess auftreten, und die Produktivität zu verbessern.
Die Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst.
Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung umfasst eine lichtemittierende Anzeigevorrichtung eine Schaltungsschicht mit einem Dünnschichttransistor und einer Hilfsleistungselektrode über einem Substrat, eine Schutzschicht, die die Schaltungsschicht bedeckt, einen Kontaktabschnitt, der dazu ausgelegt ist, einen Teil der Hilfsleistungselektrode freizulegen, eine Vorsprungsstruktur, die über einem Teil der Hilfsleistungselektrode angeordnet ist und so ausgebildet ist, dass sie einen hinterschnittenen Bereich aufweist, eine Pixelelektrode, die über der Schutzschicht angeordnet ist und mit dem Dünnschichttransistor verbunden ist, eine lichtemittierende Schicht, die über der Pixelelektrode angeordnet ist, und eine gemeinsame Elektrode, die über der lichtemittierenden Schicht angeordnet ist und mit der Hilfsleistungselektrode in dem hinterschnittenen Bereich der Vorsprungsstruktur verbunden ist, wobei die Vorsprungsstruktur aus einem einzigen Material hergestellt ist.
Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung umfasst eine lichtemittierende Anzeigevorrichtung eine Schaltungsschicht mit einem Dünnschichttransistor und einer Hilfsleistungselektrode über einem Substrat, eine erste Schutzschicht, die die Schaltungsschicht überlagert, eine zweite Schutzschicht, die über der ersten Schutzschicht angeordnet ist, eine Pixelelektrode, die über der zweiten Schutzschicht angeordnet ist und mit dem Dünnschichttransistor verbunden ist, eine Bankschicht, die über der zweiten Schutzschicht angeordnet und so ausgelegt ist, dass sie eine Öffnung an der Pixelelektrode definiert, einen Kontaktabschnitt, der die erste und zweite Schutzschicht und die Bankschicht durchdringt, um einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode freizulegen, eine Vorsprungsstruktur, die über einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode angeordnet ist, der durch den Kontaktabschnitt freigelegt ist, und so ausgebildet ist, dass sie einen hinterschnittenen Bereich aufweist, eine lichtemittierende Schicht, die über der Pixelelektrode und der Bankschicht angeordnet ist, und eine gemeinsame Elektrode, die über der lichtemittierenden Schicht angeordnet ist und mit der Hilfsleistungselektrode in dem hinterschnittenen Bereich der Vorsprungsstruktur verbunden ist.
Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung umfasst eine lichtemittierende Anzeigevorrichtung eine Schaltungsschicht mit einem Dünnschichttransistor und einer Hilfsleistungselektrode über einem Substrat, eine erste Schutzschicht, die die Schaltungsschicht überlagert, eine zweite Schutzschicht, die über der ersten Schutzschicht angeordnet ist, einen Kontaktabschnitt, der dazu ausgelegt ist, einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode freizulegen, eine Vorsprungsstruktur, die über einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode angeordnet ist und so ausgebildet ist, dass sie einen hinterschnittenen Bereich aufweist, ein Stützmuster zwischen einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode und der Vorsprungsstruktur, eine Pixelelektrode, die über der zweiten Schutzschicht angeordnet ist und mit dem Dünnschichttransistor verbunden ist, eine lichtemittierende Schicht, die über der Pixelelektrode angeordnet ist, und eine gemeinsame Elektrode, die über der lichtemittierenden Schicht angeordnet ist und mit der Hilfsleistungselektrode in dem hinterschnittenen Bereich der Vorsprungsstruktur verbunden ist.
Es versteht sich, dass sowohl die vorstehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende genaue Beschreibung der vorliegenden Offenbarung beispielhaft und erklärend sind und dazu gedacht sind, eine weitergehende Erläuterung der beanspruchten Offenbarung bereitzustellen.
Figurenliste
Die vorstehenden und weitere Aufgaben, Merkmale und andere Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden aus der folgenden genauen Beschreibung in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen klarer verständlich; es zeigen:

1 ein Blockdiagramm, das eine lichtemittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung schematisch darstellt;
2 eine Draufsicht, die schematisch eine erste Elektrode, eine Bankschicht und einen Kontaktabschnitt von Unterpixeln in der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
3 eine Querschnittsansicht entlang I-I' von 2 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
4 eine Draufsicht, die einen Kontaktabschnitt des ‚A‘-Abschnitts in 3 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
5 eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel eines Kontaktabschnitts des ‚A‘-Abschnitts in 3 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
6 eine Querschnittsansicht, die ein weiteres Beispiel eines Kontaktabschnitts des ‚A‘-Abschnitts in 3 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
7 eine Querschnittsansicht entlang der Linie I-I' von 2 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
8 eine Querschnittsansicht, die einen Kontaktabschnitt des ‚B‘-Abschnitts von 7 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
9 eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel eines Kontaktabschnitts des ‚B‘-Abschnitts von 7 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
10 eine Querschnittsansicht, die ein weiteres Beispiel eines Kontaktabschnitts des Abschnitts ‚B‘ von 7 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
11 eine Querschnittsansicht entlang der Linie I-I' von 2 gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
12 eine Draufsicht, die einen Kontaktabschnitt des ‚C‘-Abschnitts von 11 gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
13 eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel eines Kontaktabschnitts des ‚C‘-Abschnitts von 11 gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt; und
14 eine Querschnittsansicht, die ein weiteres Beispiel eines Kontaktabschnitts des Abschnitts ‚C‘ von 11 gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.

GENAUE BESCHREIBUNG DER OFFENBARUNG
Vorteile und Merkmale der vorliegenden Offenbarung und Implementierungsverfahren davon werden durch die folgenden Ausführungsformen verdeutlicht, die unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben werden. Die vorliegende Offenbarung kann jedoch in unterschiedlichen Formen ausgeführt werden und sollte nicht als auf die hierin dargelegten Ausführungsformen beschränkt ausgelegt werden. Vielmehr werden diese Ausführungsformen bereitgestellt, damit diese Offenbarung gründlich und vollständig ist und Fachleuten den Umfang der vorliegenden Offenbarung vollständig vermittelt. Ferner ist die vorliegende Offenbarung nur durch den Umfang der Ansprüche definiert.
Formen, Größen, Verhältnisse, Winkel und Zahlen, die in den Zeichnungen zum Beschreiben von Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung offenbart sind, sind lediglich Beispiele und somit ist die vorliegende Offenbarung nicht auf die veranschaulichten Einzelheiten beschränkt. Gleiche Bezugszeichen beziehen sich in der gesamten Beschreibung auf gleiche Elemente. Wenn in der folgenden Beschreibung bestimmt wird, dass eine detaillierte Beschreibung der relevanten bekannten Funktion oder Konfiguration den wichtigen Punkt der vorliegenden Offenbarung unnötig verunklart, wird die detaillierte Beschreibung weggelassen.
Falls „umfassen“, „haben“ und „aufweisen“ in der vorliegenden Beschreibung verwendet werden, kann ein weiterer Teil hinzugefügt werden, es sei denn, „nur~“ wird verwendet. Die Begriffe in Singularform können Pluralformen umfassen, sofern dies nicht anders angegeben ist.
Bei der Auslegung eines Elements wird das Element so ausgelegt, dass es einen Fehlerbereich umfasst, auch wenn keine explizite Beschreibung vorliegt.
Beim Beschreiben einer Positionsbeziehung können beispielsweise dann, wenn die Positionsbeziehung als „auf‟, „über“, „unter“ und „neben“ beschrieben wird, ein oder mehrere Abschnitte zwischen zwei anderen Abschnitten angeordnet sein, sofern nicht „unmittelbar“ oder „direkt“ verwendet wird.
Beim Beschreiben einer zeitlichen Beziehung kann beispielsweise dann, wenn die zeitliche Reihenfolge als „nach“, „anschließend“, „als Nächstes“ und „vor“ beschrieben wird, ein Fall eingeschlossen sein, der nicht kontinuierlich ist, es sei denn, „unmittelbar“ oder „direkt“ wird verwendet.
Es versteht sich, dass, obwohl die Begriffe „erste/r/s“, „zweite/r/s“ usw. hier verwendet werden können, um verschiedene Elemente zu beschreiben, diese Elemente nicht durch diese Begriffe beschränkt sein sollen. Diese Begriffe werden nur verwendet, um ein Element von einem anderen zu unterscheiden. Beispielsweise könnte ein erstes Element als zweites Element bezeichnet werden und in ähnlicher Weise könnte ein zweites Element als erstes Element bezeichnet werden, ohne vom Umfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
Die Begriffe „erste horizontale Achsenrichtung“, „zweite horizontale Achsenrichtung“ und „vertikale Achsenrichtung“ sollten nicht nur basierend auf einer geometrischen Beziehung, in der die jeweiligen Richtungen senkrecht zueinander sind, ausgelegt werden und können als Richtungen mit breiteren Orientierungen innerhalb des Bereichs, innerhalb dessen die Komponenten der vorliegenden Offenbarung funktional arbeiten können, gemeint sein.
Der Begriff „mindestens eine/r/s“ sollte so verstanden werden, dass er beliebige und alle Kombinationen von einem oder mehreren der zugeordneten aufgelisteten Elemente umfasst. Zum Beispiel meint die Bedeutung von „mindestens eines von einem ersten Element, einem zweiten Element und einem dritten Element“ auch die Kombination aller Elemente, die aus zwei oder mehr des ersten Elements, des zweiten Elements und des dritten Elements vorgeschlagen werden, sowie das erste Element, zweite Element oder dritte Element.
Merkmale verschiedener Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können teilweise oder insgesamt miteinander gekoppelt oder kombiniert werden und können auf verschiedene Weise miteinander wechselwirken und technisch angesteuert werden, wie es Fachleute hinreichend verstehen können. Die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können unabhängig voneinander ausgeführt werden oder können zusammen in einer voneinander abhängigen Beziehung ausgeführt werden.
Im Folgenden wird eine bevorzugte Ausführungsform einer lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen ausführlich beschrieben. Wo immer möglich, werden in den Zeichnungen die gleichen Bezugszeichen verwendet, um sich auf die gleichen oder ähnliche Teile zu beziehen. Da sich ein Maßstab jedes der in den begleitenden Zeichnungen gezeigten Elemente zur Vereinfachung der Beschreibung von einem tatsächlichen Maßstab unterscheidet, ist die vorliegende Offenbarung nicht auf den gezeigten Maßstab beschränkt.
1 ist ein Blockdiagramm, das eine lichtemittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung schematisch darstellt.
Unter Bezugnahme auf 1 kann die lichtemittierende Anzeigevorrichtung 100 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Anzeigetafel 110, einen Bildprozessor 120, einen Zeitvorgabe-Controller 130, einen Datentreiber 140, einen Abtasttreiber 150 und eine Leistungsversorgung 160 umfassen.
Die Anzeigetafel 110 kann ein Bild anzeigen, das einem von dem Datentreiber 140 gelieferten Datensignal DATA, einem von dem Abtasttreiber 150 gelieferten Abtastsignal und einer von der Leistungsversorgung 160 gelieferten Leistung entspricht.
Die Anzeigetafel 110 kann ein Unterpixel SP umfassen, das an jedem Schnittpunkt mehrerer Gate-Leitungen GL und mehrerer Datenleitungen DL angeordnet ist. Eine Struktur des Unterpixels SP kann je nach Art der Anzeigevorrichtung 100 variieren.
Beispielsweise können die Unterpixel SP gemäß der Struktur in einem Verfahren mit Emission nach oben, einem Verfahren mit Emission nach unten oder einem Verfahren mit dualer Emission ausgebildet sein. Die Unterpixel SP können ein rotes Unterpixel, ein grünes Unterpixel und ein blaues Unterpixel umfassen. Alternativ kann das Unterpixel SP ein rotes Unterpixel, ein blaues Unterpixel, ein weißes Unterpixel und ein grünes Unterpixel umfassen. Die Unterpixel SP können je nach Lichtemissionseigenschaften einen oder mehrere andere lichtemittierende Bereiche aufweisen.
Das eine oder die mehreren Unterpixel SP können ein Einheitspixel bilden. Beispielsweise kann ein Einheitspixel ein rotes, grünes und blaues Unterpixel umfassen und das rote, grüne und blaue Unterpixel können wiederholt angeordnet sein. Alternativ kann ein Einheitspixel ein rotes, grünes, blaues und weißes Unterpixel umfassen, wobei das rote, grüne, blaue und weiße Unterpixel wiederholt angeordnet sein können oder das rote, grüne, blaue und weiße Unterpixel in einem Vierlings-Typ angeordnet sein können. In der Ausführungsform gemäß der vorliegenden Offenbarung können der Farbtyp, der Anordnungstyp, die Anordnungsreihenfolge usw. der Unterpixel in verschiedenen Formen je nach Leuchteigenschaften, Lebensdauer der Vorrichtung, Spezifikation der Vorrichtung und dergleichen ausgelegt sein, wobei sie nicht darauf beschränkt sind.
Die Anzeigetafel 110 kann in einen Anzeigebereich AA zum Anzeigen eines Bildes durch Anordnen der Unterpixel SP und einen Nichtanzeigebereich NA um den Anzeigebereich AA herum unterteilt sein. Der Abtasttreiber 150 kann auf dem Nichtanzeigebereich NA der Anzeigetafel 110 bereitgestellt sein. Zudem kann der Nichtanzeigebereich NA einen Kontaktstellenbereich aufweisen.
Der Bildprozessor 120 kann ein Datenfreigabesignal DE zusammen mit dem von außen zugeführten Datensignal DATA ausgeben. Der Bildprozessor 120 kann zusätzlich zu dem Datenfreigabesignal DE ein vertikales Synchronisationssignal, ein horizontales Synchronisationssignal und/oder ein Taktsignal ausgeben.
Der Zeitvorgabe-Controller 130 kann das Datensignal DATA sowie ein Ansteuersignal von dem Bildprozessor 120 empfangen. Das Ansteuersignal kann das Datenfreigabesignal DE umfassen. Alternativ kann das Ansteuersignal ein vertikales Synchronisationssignal, ein horizontales Synchronisationssignal und ein Taktsignal umfassen. Der Zeitvorgabe-Controller 130 kann ein Datenzeitvorgabesteuersignal DDC zum Steuern der Betriebszeitvorgabe des Datentreibers 140 und ein Gate-Zeitvorgabesteuersignal GDC zum Steuern der Betriebszeitvorgabe des Abtasttreibers 150 basierend auf dem Ansteuersignal ausgeben.
Der Datentreiber 140 kann das Datensignal DATA in eine Gamma-Referenzspannung umsetzen, indem er das von dem Zeitvorgabe-Controller 130 gelieferte Datensignal DATA als Antwort auf das von dem Zeitvorgabe-Controller 130 gelieferte Datenzeitvorgabesteuersignal DDC abtastet und zwischenspeichert, und kann die Gamma-Referenzspannung ausgeben.
Der Datentreiber 140 kann das Datensignal DATA über die Datenleitungen DL ausgeben. Der Datentreiber 140 kann in Form einer integrierten Schaltung IC implementiert sein. Beispielsweise kann der Datentreiber 140 durch einen flexiblen Schaltungsfilm elektrisch mit dem Kontaktstellenbereich verbunden sein, der in dem Nichtanzeigebereich NA der Anzeigetafel 110 angeordnet ist.
Der Abtasttreiber 150 kann das Abtastsignal als Antwort auf das von dem Zeitvorgabe-Controller 130 gelieferte Gate-Zeitvorgabesteuersignal GDC ausgeben. Der Abtasttreiber 150 kann das Abtastsignal über die Gate-Leitungen GL ausgeben. Der Abtasttreiber 150 kann in Form einer integrierten Schaltung IC oder in einem Gate-in-Tafel-Schema GIP implementiert sein.
Die Leistungsversorgung 160 kann eine Spannung mit hohem Potential und eine Spannung mit niedrigem Potential zum Ansteuern der Anzeigetafel 110 ausgeben. Die Leistungsversorgung 160 kann die Spannung mit hohem Potential an die Anzeigetafel 110 über eine erste Leistungsleitung EVDD (oder Ansteuerleistungsleitung) liefern und kann die Spannung mit niedrigem Potential über eine zweite Leistungsleitung EVSS (oder Hilfsleistungsleitung) an die Anzeigetafel 110 liefern.
2 ist eine Draufsicht, die schematisch eine erste Elektrode, eine Bankschicht und einen Kontaktabschnitt von Unterpixeln in der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
Unter Bezugnahme auf 2 in Verbindung mit 1 kann die Anzeigetafel 110 der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung 100 gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung in den Anzeigebereich AA und den Nichtanzeigebereich NA unterteilt sein und kann die mehreren Unterpixel SP1, SP2, SP3 und SP4 umfassen, die durch den Schnittpunkt zwischen der Gate-Leitung GL und der Datenleitung DL auf dem Substrat des Anzeigebereichs AA definiert sind.
Wie es in 2 gezeigt ist, können die mehreren Unterpixel SP1, SP2, SP3 und SP4 das erste Unterpixel SP1, das zweite Unterpixel SP2, das dritte Unterpixel SP3 und das vierte Unterpixel SP4 umfassen. Beispielsweise kann das erste Unterpixel SP1 rotes Licht emittieren, das zweite Unterpixel SP2 grünes Licht emittieren, das dritte Unterpixel SP3 blaues Licht emittieren und das vierte Unterpixel SP4 weißes Licht emittieren, aber nicht notwendigerweise. Es ist möglich, das vierte Unterpixel SP4 zum Emittieren von weißem Licht wegzulassen. Es ist möglich, die Unterpixel so auszubilden, dass sie mindestens zwei Farben unter rotem Licht, grünem Licht, blauem Licht, gelbem Licht, magentafarbenem Licht und cyanfarbenem Licht emittieren. Außerdem kann die Anordnungsreihenfolge der Unterpixel SP1, SP2, SP3 und SP4 auf verschiedene Weise geändert werden.
Eine Pixelelektrode PXL (z. B. Anodenelektrode oder erste Elektrode) kann in jedem der mehreren Unterpixel SP1, SP2, SP3 und SP4 angeordnet sein. Auf der Pixelelektrode PXL kann eine Bankschicht BA angeordnet sein, die einen Randabschnitt der Pixelelektrode PXL bedeckt (oder überlagert) und eine Öffnung definiert, die den mehreren Unterpixeln SP1, SP2, SP3 und SP4 entspricht. Dann können eine lichtemittierende Schicht (z. B. organische lichtemittierende Schicht) und eine gemeinsame Elektrode (z. B. Kathodenelektrode oder zweite Elektrode) nacheinander auf der Pixelelektrode PXL und der Bankschicht BA gestapelt sein.
Gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann, um den Widerstand der gemeinsamen Elektrode, die über der gesamten Oberfläche der Anzeigetafel 110 bereitgestellt ist, zu verringern, eine separate Hilfsleistungselektrode aus einem Material mit einem niedrigeren Widerstand als dem der gemeinsamen Elektrode ausgebildet sein und elektrisch mit der gemeinsamen Elektrode verbunden sein. Die Bankschicht BA kann einen Kontaktabschnitt CA definieren, der einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode freilegt, um die Hilfsleistungselektrode und die gemeinsame Elektrode elektrisch miteinander zu verbinden.
Der Kontaktabschnitt CA kann für jedes der vier Unterpixel SP1, SP2, SP3 und SP4, die ein Einheitspixel bilden, ausgebildet sein und gleichzeitig parallel zu der Gate-Leitung GL sein, jedoch ist er nicht auf diese Struktur beschränkt. Der Kontaktabschnitt CA kann alle paar Unterpixel ausgebildet sein. Außerdem kann der Kontaktabschnitt CA für jede horizontale Leitung in einer Richtung parallel zu der Datenleitung DL ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt, und kann alle paar horizontalen Leitungen ausgebildet sein.
Erste Ausführungsform
3 ist eine Querschnittsansicht entlang I-I' von 2 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, 4 ist eine Draufsicht, die einen Kontaktabschnitt des ‚A‘-Abschnitts in 3 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt; 5 ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel eines Kontaktabschnitts des ‚A‘-Abschnitts in 3 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, und 6 ist eine Querschnittsansicht, die ein weiteres Beispiel eines Kontaktabschnitts des ‚A‘-Abschnitts in 3 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
Unter Bezugnahme auf die 3 und 4 kann die lichtemittierende Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Substrat SUB, eine Lichtabschirmschicht LS, eine Hilfsleistungsleitung EVSS (oder zweite Leistungsleitung), eine Pufferschicht BUF, einen Dünnschichttransistor TR, einen Speicherkondensator Cst, einen Gate-Isolierfilm Gl, eine Isolierzwischenschicht ILD, eine Hilfsleistungselektrode 210, eine Passivierungsschicht PAS (oder erste Schutzschicht), eine Überzugsschicht OC (oder zweite Schutzschicht), eine lichtemittierende Vorrichtung ED, eine Bankschicht BA, einen Kontaktabschnitt CA und eine Vorsprungsstruktur 301 aufweisen.
Das Substrat SUB kann ein Basissubstrat sein und kann aus einem Glas- oder Kunststoffmaterial bestehen. Beispielsweise kann das Substrat SUB aus einem Kunststoffmaterial wie Polyimid (PI), Polyethylenterephthalat (PET), Polyethylennaphthalat (PEN), Polycarbonat (PC) usw. ausgebildet sein und kann Flexibilität aufweisen.
Auf dem Substrat SUB kann eine Schaltungsvorrichtung, die verschiedene Signalleitungen, den Dünnschichttransistor TR und den Speicherkondensator Cst umfasst, für jedes von mehreren Unterpixeln SP1, SP2, SP3 und SP4 bereitgestellt sein. Die Signalleitungen können eine Gate-Leitung GL, eine Datenleitung DL, eine Leistungsleitung und eine Referenzleitung umfassen und der Dünnschichttransistor TR kann einen Ansteuer-Dünnschichttransistor, einen Schalt-Dünnschichttransistor, einen Erfassungs-Dünnschichttransistor usw. umfassen.
Die Lichtabschirmschicht LS und die Hilfsleistungsleitung EVSS (oder zweite Leistungsleitung) können auf dem Substrat SUB angeordnet sein. Die Lichtabschirmschicht LS kann so angeordnet sein, dass sie den Dünnschichttransistor TR überlappt. Beispielsweise kann die Lichtabschirmschicht LS eine aktive Schicht ACT des Dünnschichttransistors TR überlappen. Insbesondere kann die Lichtabschirmschicht LS so angeordnet sein, dass sie einen Kanalbereich der aktiven Schicht ACT überlappt. Die Lichtabschirmschicht LS kann dazu dienen, zu verhindern, dass äußeres Licht in die aktive Schicht ACT eindringt. Außerdem kann die Hilfsleistungsleitung EVSS (z. B. zweite Leistungsleitung oder Niederpotential-Leistungsleitung) dazu dienen, eine niedrige Spannung an eine gemeinsame Elektrode COM (z. B. Kathodenelektrode oder zweite Elektrode) anzulegen. Außerdem kann die Hilfsleistungsleitung EVSS dazu dienen, einen Widerstand der gemeinsamen Elektrode COM zusammen mit der Hilfsleistungselektrode 210 zu verringern.
Die Lichtabschirmschicht LS und die Hilfsleistungsleitung EVSS können aus dem gleichen Material in der gleichen Schicht ausgebildet sein. In diesem Fall können die Lichtabschirmschicht LS und die Hilfsleistungsleitung EVSS gleichzeitig durch denselben Prozess ausgebildet werden.
Die Pufferschicht BUF kann auf dem Substrat SUB angeordnet sein, um die Lichtabschirmschicht LS und die Hilfsleistungsleitung EVSS zu bedecken (oder zu überlagern). Die Pufferschicht BUF kann durch Stapeln einer einzigen anorganischen Schicht oder mehrerer anorganischer Schichten ausgebildet sein. Beispielsweise kann die Pufferschicht BUF aus einer einzigen Schicht, die aus einer Siliciumoxidschicht SiOx, einer Siliciumnitridschicht SiN und einer Siliciumoxinitridschicht SiON zusammengesetzt ist, ausgebildet sein. Alternativ kann die Pufferschicht BUF aus einer Mehrfachschicht ausgebildet sein, in der mindestens zwei Schichten von einer Siliciumoxidschicht SiOx, einer Siliciumnitridschicht SiN und einer Siliciumoxinitridschicht SiON gestapelt sind. Die Pufferschicht BUF kann auf der gesamten oberen Oberfläche des Substrats SUB ausgebildet sein, um Ionen oder Verunreinigungen zu blockieren, die aus dem Substrat SUB diffundieren, und um zu verhindern, dass Feuchtigkeit durch das Substrat SUB in die lichtemittierende Vorrichtung ED eindringt.
Der Dünnschichttransistor TR, der Speicherkondensator Cst und die Hilfsleistungselektrode 210 können auf der Pufferschicht BUF angeordnet sein. Der Dünnschichttransistor TR kann auf jedem der mehreren Unterpixel SP1, SP2, SP3 und SP4 auf der Pufferschicht BUF angeordnet sein. Beispielsweise kann der Dünnschichttransistor TR die aktive Schicht ACT, eine Gate-Elektrode GA, die die aktive Schicht ACT überlappt, wobei der Gate-Isolierfilm GI zwischen diesen angeordnet ist, eine erste Source/Drain-Elektrode SD1 und eine zweite Source/Drain-Elektrode SD2 umfassen. Zudem kann der Speicherkondensator Cst in einer Dreifachstruktur ausgebildet sein, in der eine erste Kondensatorelektrode einige oder alle Abschnitte der Lichtabschirmschicht LS oder der Hilfsleistungsleitung EVSS verwendet, eine zweite Kondensatorelektrode, die durch das gleiche Metallmaterial wie die Gate-Elektrode GA des Dünnschichttransistors TR strukturiert ist, und eine dritte Kondensatorelektrode, die einige oder alle Abschnitte der Hilfsleistungselektrode 210 verwendet, überlappen, aber nicht notwendigerweise. Falls erforderlich, kann der Speicherkondensator Cst in einer mehrschichtigen Struktur ausgebildet sein, die durch verschiedene mehrere Schichten implementiert ist. Die Hilfsleistungselektrode 210 kann mit der Hilfsleistungsleitung EVSS durch ein Kontaktloch elektrisch verbunden sein, das die Pufferschicht BUF und die Isolierzwischenschicht ILD durchdringt.
Die aktive Schicht ACT des Dünnschichttransistors TR kann aus einem siliciumbasierten oder oxidbasierten Halbleitermaterial hergestellt sein und kann auf der Pufferschicht BUF ausgebildet sein. Die aktive Schicht ACT kann einen Kanalbereich, der die Gate-Elektrode GA überlappt, und einen Source-/Drain-Bereich, der mit der ersten und zweiten Source-/Drain-Elektrode SD1 und SD2 verbunden ist, aufweisen.
Der Gate-Isolierfilm GI kann auf der aktiven Schicht ACT ausgebildet sein. Der Gate-Isolierfilm GI kann auf dem Kanalbereich der aktiven Schicht ACT angeordnet sein und kann die aktive Schicht ACT und die Gate-Elektrode GA voneinander isolieren. Der Gate-Isolierfilm GI kann aus einem anorganischen Isoliermaterial wie beispielsweise einer Siliciumoxidschicht SiOx, einer Siliciumnitridschicht SiN, einer Siliciumoxynitridschicht SiON oder einer Mehrfachschicht davon hergestellt sein.
Die Gate-Elektrode GA kann auf dem Gate-Isolierfilm GI ausgebildet sein. Die Gate-Elektrode GA kann der aktiven Schicht ACT gegenüberliegen, wobei der Gate-Isolierfilm GI dazwischen angeordnet ist. Die Gate-Elektrode GA kann aus einer oder mehreren Schichten ausgebildet sein, die aus der Gruppe ausgewählt sind, die aus Kupfer (Cu), Molybdän (Mo), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd), Tantal (Ta) oder Wolfram (W) besteht. Zudem kann die zweite Kondensatorelektrode, die einen Abschnitt des Speicherkondensators Cst bildet, aus dem gleichen Material wie die Gate-Elektrode GA auf der Pufferschicht BUF ausgebildet sein. In diesem Fall können die Gate-Elektrode GA des Dünnschichttransistors TR und die zweite Kondensatorelektrode des Speicherkondensators Cst gleichzeitig durch denselben Prozess ausgebildet werden.
Die Isolierzwischenschicht ILD, die die Gate-Elektrode GA bedeckt, kann auf der Pufferschicht BUF ausgebildet sein. Außerdem kann die Isolierzwischenschicht ILD so ausgebildet sein, dass sie die zweite Kondensatorelektrode des Speicherkondensators Cst bedeckt. Die Isolierzwischenschicht ILD kann den Dünnschichttransistor TR schützen. Die Isolierzwischenschicht ILD kann aus einem anorganischen Isoliermaterial ausgebildet sein. Beispielsweise kann die Isolierzwischenschicht ILD aus einer Siliciumoxidschicht SiOx, einer Siliciumnitridschicht SiN, einer Siliciumoxinitridschicht SiON oder einer Mehrfachschicht davon ausgebildet sein.
Die erste und die zweite Source/Drain-Elektrode SD1 und SD2 können auf der Isolierzwischenschicht ILD ausgebildet sein. Die Isolierzwischenschicht ILD kann teilweise entfernt sein, um die aktive Schicht ACT und die erste und zweite Source/Drain-Elektrode SD1 und SD2 zu kontaktieren. Beispielsweise können die erste und die zweite Source/Drain-Elektrode SD1 und SD2 mit der aktiven Schicht ACT durch das Kontaktloch, das durch die Isolierzwischenschicht ILD verläuft, elektrisch verbunden sein.
Die Hilfsleistungselektrode 210 kann auf der Isolierzwischenschicht ILD ausgebildet sein. Um die Hilfsleistungsleitung EVSS und die Hilfsleistungselektrode 210 zu kontaktieren, können entsprechende Bereiche der Isolierzwischenschicht ILD und der Pufferschicht BUF darunter entfernt sein, um die Hilfsleistungsleitung EVSS und die Hilfsleistungselektrode 210 zu kontaktieren. Die Hilfsleistungselektrode 210 kann mit der Hilfsleistungsleitung EVSS durch das Kontaktloch, das die Isolierzwischenschicht ILD und die Pufferschicht BUF durchdringt, elektrisch verbunden sein. Außerdem kann die Hilfsleistungselektrode 210 als die dritte Kondensatorelektrode des Speicherkondensators Cst dienen.
Die erste und die zweite Source/Drain-Elektrode SD1 und SD2 und die Hilfsleistungselektrode 210 können aus dem gleichen Material in der gleichen Schicht ausgebildet sein. Die erste und die zweite Source/Drain-Elektrode SD1 und SD2 und die Hilfsleistungselektrode 210 können gleichzeitig durch denselben Prozess ausgebildet werden. Die erste und die zweite Source/Drain-Elektrode SD1 und SD2 und die Hilfsleistungselektrode 210 können in einer einschichtigen oder mehrschichtigen Struktur bereitgestellt sein. Wenn die erste und die zweite Source/Drain-Elektrode SD1 und SD2 und die Hilfsleistungselektrode 210 jeweils in der einschichtigen Struktur ausgebildet sind, kann sie aus einem oder mehreren Materialien, die aus der Gruppe bestehend aus Molybdän (Mo), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd) oder Kupfer (Cu) ausgewählt sind, ausgebildet sein. Wenn die erste und die zweite Source/Drain-Elektrode SD1 und SD2 und die Hilfsleistungselektrode 210 jeweils in der mehrschichtigen Struktur ausgebildet sind, kann eine zweifache Schicht aus Molybdän/Aluminium-Neodym, Molybdän/Aluminium, Titan/Aluminium oder Kupfer/ Molybdän-Titan verwendet werden. Alternativ können die erste und die zweite Source/Drain-Elektrode SD1 und SD2 und die Hilfsleistungselektrode 210 aus einer dreifachen Schicht aus Molybdän/Aluminium-Neodym/Molybdän, Molybdän/Aluminium/Molybdän, Titan/Aluminium/Titan oder Molybdän/ Kupfer /Molybdän-Titan ausgebildet sein. Es besteht jedoch keine Beschränkung auf diese Strukturen. Die erste und zweite Source/Drain-Elektrode SD1 und SD2 und die Hilfsleistungselektrode 210 können aus einer mehrfachen Schicht ausgebildet sein, die aus einem beliebigen Material ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Molybdän (Mo), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd) oder Kupfer (Cu) und deren Legierungen ausgebildet ist.
Der Dünnschichttransistor TR, der Speicherkondensator Cst und die Hilfsleistungselektrode 210, die auf dem Substrat SUB angeordnet sind, können eine Schaltungsschicht (oder Dünnschichttransistor-Anordnungsschicht) bilden.
Die Passivierungsschicht (oder erste Schutzschicht) PAS kann auf dem Dünnschichttransistor TR und der Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet sein. Die Passivierungsschicht PAS kann so ausgebildet sein, dass sie den Dünnschichttransistor TR und die Hilfsleistungselektrode 210 bedeckt. Die Passivierungsschicht PAS schützt den Dünnschichttransistor TR und kann aus einem anorganischen Isoliermaterial bestehen. Beispielsweise kann die Passivierungsschicht PAS aus einer Siliciumoxidschicht SiOx, einer Siliciumnitridschicht SiN, einer Siliciumoxynitridschicht SiON oder einer Mehrfachschicht davon ausgebildet sein.
Die Überzugsschicht OC (oder zweite Schutzschicht) kann auf der Passivierungsschicht PAS (oder ersten Schutzschicht) angeordnet sein. Die Überzugsschicht OC kann bereitgestellt sein, um die Stufendifferenz darunter zu ebnen, und kann aus einem organischen isolierenden Material ausgebildet sein. Beispielsweise kann die Überzugsschicht OC aus mindestens einem Material ausgebildet sein, das aus der Gruppe bestehend aus aus Photoacryl, Polyimid, Benzocyclobutenharz und Harz auf Acrylatbasis ausgewählt ist.
Eine Pixelelektrode PXL (z. B. Anodenelektrode oder erste Elektrode) kann auf der Überzugsschicht OC (oder zweiten Schutzschicht) angeordnet sein. Die Pixelelektrode PXL kann für jedes der mehreren Unterpixel SP1, SP2, SP3 und SP4 auf der Überzugsschicht OC angeordnet sein. Die Pixelelektrode PXL kann mit der ersten Source/Drain-Elektrode SD1 des Dünnschichttransistors TR durch ein Kontaktloch verbunden sein, das die Überzugsschicht OC und die Passivierungsschicht PAS durchdringt. Alternativ kann die Pixelelektrode PXL mit der zweiten Source/Drain-Elektrode SD2 des Dünnschichttransistors TR verbunden sein. Eine lichtemittierende Schicht EL und die gemeinsame Elektrode COM können auf der Pixelelektrode PXL angeordnet sein. Die Pixelelektrode PXL, die lichtemittierende Schicht EL und die gemeinsame Elektrode COM können die lichtemittierende Vorrichtung ED bilden.
Die Pixelelektrode PXL kann aus Metall, einer Legierung davon oder einer Kombination aus Metall und Oxidmetall gebildet sein. Beispielsweise kann die Pixelelektrode PXL in einer mehrschichtigen Struktur ausgebildet sein, die eine transparente leitfähige Schicht und eine undurchsichtige leitfähige Schicht mit einem hohen Reflexionsgrad umfasst. Die transparente leitfähige Schicht der Pixelelektrode PXL besteht aus einem Material mit einem relativ großen Austrittsarbeitswert wie etwa Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO) und die undurchsichtige leitfähige Schicht kann aus einer oder mehreren Schichten ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Silber (Ag), Aluminium (Al), Kupfer (Cu), Molybdän (Mo), Titan (Ti), Nickel (Ni), Chrom (Cr) oder Wolfram (W) ausgebildet sein. Beispielsweise kann die Pixelelektrode PXL in einer Struktur, in der eine transparente leitfähige Schicht, eine undurchsichtige leitfähige Schicht und eine transparente leitfähige Schicht nacheinander gestapelt sind, oder in einer Struktur, in der eine transparente leitfähige Schicht und eine undurchsichtige leitfähige Schicht nacheinander gestapelt sind, ausgebildet sein.
Die Bankschicht BA kann auf der Pixelelektrode PXL und der Überzugsschicht OC angeordnet sein. Die Bankschicht BA kann einen Randabschnitt der Pixelelektrode PXL bedecken und kann eine Öffnung des Unterpixels definieren. Die Bankschicht BA kann aus einem organischen Material wie Polyimid, Acrylat, Harz der Benzocyclobuten-Reihe oder dergleichen bestehen. Der mittlere Abschnitt der Pixelelektrode PXL, der durch die Bankschicht BA freigelegt ist, kann als lichtemittierender Bereich definiert sein. Außerdem kann die Bankschicht BA den Kontaktabschnitt CA definieren, der einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 freilegt, um die Hilfsleistungselektrode 210 und die gemeinsame Elektrode COM elektrisch zu verbinden.
Wie es in 4 gezeigt ist, kann der Kontaktabschnitt CA einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 durch die Passivierungsschicht PAS (oder erste Schutzschicht), die Überzugsschicht OC (oder zweite Schutzschicht) und die Bankschicht BA hindurch freilegen. Die Vorsprungsstruktur 301 kann auf der Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet sein, die durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist.
Die Vorsprungsstruktur 301 kann auf einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet sein und kann einen hinterschnittenen Bereich aufweisen. Die Vorsprungsstruktur 301 ist in einem Inselmuster auf einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 ausgebildet und ein freigelegter Bereich der Hilfsleistungselektrode 210 kann auf dem Umfang der Vorsprungsstruktur 301 ausgebildet sein. Der Umfang der Vorsprungsstruktur 301 in dem Kontaktabschnitt CA kann in Kontakt mit der gemeinsamen Elektrode COM (z. B. Kathodenelektrode oder zweiten Elektrode) stehen und kann mit der gemeinsamen Elektrode COM elektrisch verbunden sein. Die Vorsprungsstruktur 301 kann aus dem gleichen Material wie die Bankschicht BA hergestellt sein. Die Vorsprungsstruktur 301 und die Bankschicht BA können gleichzeitig durch denselben Prozess ausgebildet werden.
Die lichtemittierende Schicht EL kann auf der Pixelelektrode PXL, der Bankschicht BA und der Vorsprungsstruktur 301 angeordnet sein. Die lichtemittierende Schicht EL kann in dem hinterschnittenen Bereich der Vorsprungsstruktur 301 unterbrochen sein, die auf der Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet ist, die durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist. Beispielsweise kann die lichtemittierende Schicht EL aus einem Material mit schlechterer Stufenabdeckung ausgebildet sein. Dementsprechend wird der Bereich der lichtemittierenden Schicht EL, die auf der Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet ist, durch die Vorsprungsstruktur 301 in der Größe minimiert und die lichtemittierende Schicht EL wird in dem hinterschnittenen Bereich der Vorsprungsstruktur 301 unterbrochen, wodurch die Hilfsleistungselektrode 210, die darunter bereitgestellt ist, freigelegt wird.
Die gemeinsame Elektrode COM (z. B. Kathodenelektrode oder zweite Elektrode) kann auf der lichtemittierenden Schicht EL und der Vorsprungsstruktur 301 angeordnet sein. Die gemeinsame Elektrode COM kann auf der Pixelelektrode PXL und der lichtemittierenden Schicht EL angeordnet sein. wodurch die lichtemittierende Vorrichtung ED ausgebildet wird. Die gemeinsame Elektrode COM kann auf der gesamten Oberfläche des Substrats SUB ausgebildet sein. Die gemeinsame Elektrode COM kann aus einem transparenten leitfähigen Material wie Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO) bestehen und kann aus Silber (Ag), Aluminium (Al), Magnesium (Mg), Calcium (Ca) oder einer Legierung davon ausgebildet sein, wobei die gemeinsame Elektrode COM dünn genug ist, um Licht durchzulassen.
Die gemeinsame Elektrode COM kann mit der durch den Kontaktabschnitt CA freigelegten Hilfsleistungselektrode 210 in Kontakt stehen und kann mit der durch den Kontaktabschnitt CA freigelegten Hilfsleistungselektrode 210 elektrisch verbunden sein. Die gemeinsame Elektrode COM ist so angeordnet, dass sie die Bankschicht BA bedeckt, und kann auf der Hilfsleistungselektrode 210 in dem hinterschnittenen Bereich der Vorsprungsstruktur 301 angeordnet sein. Beispielsweise kann die gemeinsame Elektrode COM aus einem Material mit ausgezeichneter Stufenabdeckung ausgebildet sein. Die Stufenabdeckung der gemeinsamen Elektrode COM ist größer als die der lichtemittierenden Schicht EL, die durch Aufdampfen ausgebildet ist, wodurch die gemeinsame Elektrode COM auf der oberen Oberfläche der Hilfsleistungselektrode 210 bereitgestellt werden kann, die durch die Unterbrechung der lichtemittierenden Schicht EL in dem hinterschnittenen Bereich der Vorsprungsstruktur 301 nach außen freigelegt ist. Dementsprechend steht die lichtemittierende Schicht EL in dem hinterschnittenen Bereich der Vorsprungsstruktur 301 nicht mit der Hilfsleistungselektrode 210 in Kontakt und die Hilfsleistungselektrode 210 ist freigelegt. Die gemeinsame Elektrode COM kann jedoch auf der oberen Oberfläche der freigelegten Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet sein, ohne von der lichtemittierenden Schicht EL bedeckt zu sein, und kann in direktem Kontakt mit der Hilfsleistungselektrode 210 stehen und mit ihr elektrisch verbunden sein.
Unter Bezugnahme auf 5 kann gemäß einem Beispiel des Kontaktabschnitts CA in der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung der Kontaktabschnitt CA die Passivierungsschicht PAS (oder die erste Schutzschicht), die Überzugsschicht OC (oder zweite Schutzschicht) und die Bankschicht BA durchdringen, um dadurch einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 freizulegen. Die Vorsprungsstruktur 301 kann auf der Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet sein, die durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist.
Gemäß einem Beispiel der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung umfasst die Vorsprungsstruktur 301 einen Vorsprungsabschnitt 311 und einen Säulenabschnitt 321 aus einem einzigen Material und ein Stützmuster 331 zwischen der Vorsprungsstruktur 301 und der Hilfsleistungselektrode 210 kann auf der Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet sein, die durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist. Die Vorsprungsstruktur 301 kann die obere Oberfläche der Hilfsleistungselektrode 210 durch das Stützmuster 331 kontaktieren. Die Vorsprungsstruktur 301 und das Stützmuster 331 können aus unterschiedlichen Materialien hergestellt sein. Beispielsweise kann die Vorsprungsstruktur 301 aus dem gleichen Material wie die Bankschicht BA hergestellt sein. Die Vorsprungsstruktur 301 und die Bankschicht BA können gleichzeitig durch denselben Prozess ausgebildet werden. Zudem kann das Stützmuster 331 aus dem gleichen Material wie die Passivierungsschicht PAS (oder erste Schutzschicht) ausgebildet sein. Das Stützmuster 331 und die Passivierungsschicht PAS können gleichzeitig durch denselben Prozess ausgebildet werden.
Der Vorsprungsabschnitt 311 der Vorsprungsstruktur 301 kann auf einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet sein. Der Vorsprungsabschnitt 311 kann auf dem Stützmuster 331 angeordnet sein und kann einen Abschnitt der freigelegten Hilfsleistungselektrode 210 überlappen.
Der Säulenabschnitt 321 der Vorsprungsstruktur 301 kann aus der unteren Oberfläche des Vorsprungsabschnitts 311 ragen und kann mit der oberen Oberfläche der Hilfsleistungselektrode 210 durch das Stützmuster 331 in Kontakt stehen.
Das Stützmuster 331 kann eine untere Oberfläche mit einer ersten Breite, eine obere Oberfläche mit einer zweiten Breite, die schmaler als die erste Breite ist, und eine geneigte Oberfläche zwischen der unteren Oberfläche und der oberen Oberfläche aufweisen. Dabei kann die Breite des Vorsprungsabschnitts 311 eine Breite sein, die breiter ist als die erste Breite der unteren Oberfläche des Stützmusters 331 ist. Da der Vorsprungsabschnitt 311 eine größere Breite als das Stützmuster 331 hat, kann der hinterschnittene Bereich unterhalb des Vorsprungsabschnitts 311 ausgebildet sein. Der hinterschnittene Bereich kann eine Seitenfläche des Stützmusters 331 unterhalb des Vorsprungsabschnitts 311 umfassen.
Gemäß einem Beispiel der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung überlappt der Vorsprungsabschnitt 311 der Vorsprungsstruktur 301 einen Abschnitt des freigelegten Bereichs der Hilfsleistungselektrode 210 und der hinterschnittene Bereich ist unter dem Vorsprungsabschnitt 311 ausgebildet, so dass die lichtemittierende Schicht EL nicht auf der Hilfsleistungselektrode 210 entsprechend dem hinterschnittenen Bereich angeordnet sein kann. Da die lichtemittierende Schicht EL aus einem Material besteht, das keine hervorragende Stufenabdeckung aufweist, ist die lichtemittierende Schicht EL nicht in der Hilfsleistungselektrode 210 des hinterschnittenen Bereichs bereitgestellt und dort unterbrochen, wodurch die darunter angeordnete Hilfsleistungselektrode 210 freigelegt werden kann. Da andererseits die gemeinsame Elektrode COM im Vergleich zu der lichtemittierenden Schicht EL aus einem Material mit größerer Stufenabdeckung hergestellt ist, kann die gemeinsame Elektrode COM in der Hilfsleistungselektrode 210 des hinterschnittenen Bereichs ausgebildet sein und kann mit der Hilfsleistungselektrode 210 direkt in Kontakt stehen, um mit dieser elektrisch verbunden zu sein. Dementsprechend kann die gemeinsame Elektrode COM mit der Hilfsleistungselektrode 210 in elektrischem Kontakt stehen, um dadurch die Spannungsabfallungleichmäßigkeit zu verringern, die durch die Widerstandsabweichung der gemeinsamen Elektrode COM auf der gesamten Anzeigetafel verursacht wird.
Der Vorsprungsabschnitt 311 und der Säulenabschnitt 321 der Vorsprungsstruktur 301 und das Stützmuster 331 gemäß einem Beispiel der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können aus dem gleichen Material wie dem der Passivierungsschicht PAS und der Bankschicht BA ausgebildet sein. Beispielsweise kann die Passivierungsschicht PAS ein Durchgangsloch bilden, das durch die darunter positionierte Hilfsleistungselektrode 210 verläuft. Und ein organisches Muster, das der Vorsprungsstruktur 301 entspricht, kann auf der Passivierungsschicht PAS bereitgestellt sein und kann aus dem gleichen Material wie dem der Bankschicht BA ausgebildet sein. In diesem Fall kann das organische Muster durch das Durchgangsloch der Passivierungsschicht PAS mit der Hilfsleistungselektrode 210 in Kontakt stehen. Dann kann die Passivierungsschicht PAS geätzt werden, um einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 um das organische Muster herum freizulegen. Dann wird der Kontaktabschnitt CA auf der Passivierungsschicht PAS ausgebildet, um einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 freizulegen, und die Vorsprungsstruktur 301 kann aus dem gleichen Material wie die Bankschicht BA auf einem durch den Kontaktabschnitt CA freigelegten Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 bereitgestellt werden und kann in einem Inselmuster ausgebildet werden. Außerdem kann das Stützmuster 331, das durch die ungeätzt bleibende Passivierungsschicht PAS ausgebildet ist, zwischen der Vorsprungsstruktur 301 und der Hilfsleistungselektrode 210 bereitgestellt werden.
Gemäß einem Beispiel des Kontaktabschnitts CA der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann das Stützmuster 331 auf der durch den Kontaktabschnitt CA freigelegten Hilfsleistungselektrode 210 ausgebildet sein und die Vorsprungsstruktur 301 kann so bereitgestellt sein, dass sie durch das Stützmuster 331 in direktem Kontakt mit der Hilfsleistungselektrode 210 steht. Der Vorsprungsabschnitt 311 der Vorsprungsstruktur 301 ist so ausgebildet, dass er eine Breite aufweist, die größer ist als die des Stützmusters 331 ist, und die Vorsprungsstruktur 301 kann den hinterschnittenen Bereich unter dem Vorsprungsabschnitt 311 aufweisen. Dementsprechend kann die Vorsprungsstruktur 301 in einem Körper aus dem einzigen Material derart ausgebildet sein, dass der Vorsprungsabschnitt 311, der den hinterschnittenen Bereich bildet, und der Säulenabschnitt 321, der die Hilfsleistungselektrode 210 direkt kontaktiert, aus einem einzigen Material so ausgebildet sind, dass es möglich ist, die Haftkraft der Vorsprungsstruktur 301 zu verbessern und Beschädigungen wie Risse zu verhindern, wodurch eine hinterschnittene Form mit einer hohen Ablösebeständigkeit ausgebildet wird.
Unter Bezugnahme auf 6 kann gemäß einem weiteren Beispiel des Kontaktabschnitts CA der lichtemittierenden Anzeige gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung der Kontaktabschnitt CA die Passivierungsschicht (oder erste Schutzschicht), die Überzugsschicht OC (oder zweite Schutzschicht) Schicht) und die Bankschicht BA durchdringen, um einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 freizulegen. Eine Vorsprungsstruktur 301' kann auf der Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet sein, die durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist.
Gemäß einem weiteren Beispiel der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann eine Vorsprungsstruktur 301', die einen Vorsprungsabschnitt 311' und einen Säulenabschnitt 321' aus einem einzigen Material aufweist, auf der Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet sein, die durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist. Beispielsweise kann die Vorsprungsstruktur 301' aus dem gleichen Material wie die Bankschicht BA bestehen. Die Vorsprungsstruktur 301' und die Bankschicht BA können gleichzeitig durch denselben Prozess ausgebildet werden.
Der Vorsprungsabschnitt 31 1' der Vorsprungsstruktur 301' kann auf einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet sein. Der Vorsprungsabschnitt 311' kann einen Abschnitt der freigelegten Hilfsleistungselektrode 210 überlappen.
Der Säulenabschnitt 321' der Vorsprungsstruktur 301' kann aus der unteren Oberfläche des Vorsprungsabschnitts 311' ragen und kann die obere Oberfläche der Hilfsleistungselektrode 210 kontaktieren.
Der Säulenabschnitt 321' kann eine geneigte Oberfläche mit einer umgekehrt verjüngten Form aufweisen, deren obere Breite, die aus der unteren Oberfläche des Vorsprungsabschnitts 311' ragt, breiter ist als ihre untere Breite, die die obere Oberfläche der Hilfsleistungselektrode 210 kontaktiert. Da der Vorsprungsabschnitt 31 1' im Vergleich zu dem Säulenabschnitt 321' die größere Breite hat, kann ein hinterschnittener Bereich unter dem Vorsprungsabschnitt 311' ausgebildet werden. Dieser hinterschnittene Bereich kann einen unteren Abschnitt des Vorsprungsabschnitts 311' und eine Seitenfläche des Säulenabschnitts 321' umfassen.
Gemäß einem weiteren Beispiel der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung überlappt der Vorsprungsabschnitt 311' der Vorsprungsstruktur 301' einen Abschnitt des freigelegten Abschnitts der Hilfsleistungselektrode 210 und der tiefere hinterschnittene Bereich ist im Vergleich zu der oben erwähnten Vorsprungsstruktur 301 gemäß einem Beispiel der ersten Ausführungsform, das in 5 gezeigt ist, darunter ausgebildet, so dass es möglich ist, den freigelegten Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210, der nicht von der lichtemittierenden Schicht EL bedeckt ist, zu vergrößern. Dementsprechend kann die Kontaktfläche zwischen der gemeinsamen Elektrode COM und der Hilfsleistungselektrode 210 vergrößert werden.
Gemäß einem weiteren Beispiel der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können der Vorsprungsabschnitt 311' und der Säulenabschnitt 321' der Vorsprungsstruktur 301' aus dem gleichen Material wie die Bankschicht BA ausgebildet sein. Beispielsweise kann die Passivierungsschicht PAS ein Durchgangsloch bilden, das durch die darunterliegende Hilfsleistungselektrode 210 verläuft. Dann kann ein organisches Muster, das der Vorsprungsstruktur 301' entspricht, auf der Passivierungsschicht PAS ausgebildet sein und aus dem gleichen Material bestehen wie die Bankschicht BA. Dabei kann das organische Muster durch das Durchgangsloch der Passivierungsschicht PAS in Kontakt mit der Hilfsleistungselektrode 210 stehen. Dann kann die Passivierungsschicht PAS geätzt sein, um einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 um das organische Muster herum freizulegen. Dann kann der Kontaktabschnitt CA, der einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 freilegt, auf der Passivierungsschicht PAS ausgebildet sein und die Vorsprungsstruktur 301' aus dem gleichen Material wie die Bankschicht BA kann in einem Inselmuster auf einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210, der durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist, ausgebildet sein. Außerdem kann die Passivierungsschicht PAS zwischen der Vorsprungsstruktur 301' und der Hilfsleistungselektrode 210 vollständig geätzt sein, um dadurch den Säulenabschnitt 321' der Vorsprungsstruktur 301' zu bilden.
Gemäß einem weiteren Beispiel des Kontaktabschnitts CA der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können die Vorsprungsstruktur 301', die den Säulenabschnitt 321' aufweist, der in direktem Kontakt mit der Hilfsleistungselektrode 210 steht, und der Vorsprungsabschnitt 311', der den hinterschnittenen Bereich bildet, auf der Hilfsleistungselektrode 210 ausgebildet sein, die durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist. Da dementsprechend der Vorsprungsabschnitt 311' und der Säulenabschnitt 321' in einem Körper aus einem einzigen Material ausgebildet sind, ist es möglich, die Haftfestigkeit der Vorsprungsstruktur 301' zu verbessern und Beschädigungen wie Risse zu verhindern, wodurch eine hinterschnittene Form mit hoher Ablösebeständigkeit ausgebildet wird.
Zweite Ausführungsform
7 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie I-I' von 2 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung und 8 ist eine Querschnittsansicht, die einen Kontaktabschnitt des ‚B‘-Abschnitts von 7 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt; 9 ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel eines Kontaktabschnitts des ‚B‘-Abschnitts von 7 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, und 10 ist eine Querschnittsansicht, die ein weiteres Beispiel eines Kontaktabschnitts des Abschnitts ‚B‘ von 7 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. In der Beschreibung der zweiten Ausführungsform wird eine Beschreibung der gleichen Konfiguration wie in dem ersten Ausführungsbeispiel weggelassen.
Unter Bezugnahme auf 7 und 8 kann die lichtemittierende Anzeigevorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Substrat SUB, eine Lichtabschirmschicht LS, eine Hilfsleistungsleitung EVSS (oder zweite Leistungsleitung), eine Pufferschicht BUF, einen Dünnschichttransistor TR, einen Speicherkondensator Cst, einen Gate-Isolierfilm Gl, eine Isolierzwischenschicht ILD, eine Hilfsleistungselektrode 210, eine Passivierungsschicht PAS (oder erste Schutzschicht), eine Überzugsschicht OC (oder zweite Schutzschicht), eine lichtemittierende Vorrichtung ED, eine Bankschicht BA, einen Kontaktabschnitt CA und eine Vorsprungsstruktur 302 aufweisen.
Wie es in 8 gezeigt ist, kann der Kontaktabschnitt CA einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 durch die Passivierungsschicht PAS (oder erste Schutzschicht), die Überzugsschicht OC (oder zweite Schutzschicht) und die Bankschicht BA hindurch freilegen. Die Vorsprungsstruktur 302 kann auf der Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet sein, die durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist.
Die Vorsprungsstruktur 302 kann auf einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet sein und kann einen hinterschnittenen Bereich aufweisen. Die Vorsprungsstruktur 302 ist in einem Inselmuster auf einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 ausgebildet und ein freigelegter Bereich der Hilfsleistungselektrode 210 kann auf dem Umfang der Vorsprungsstruktur 302 ausgebildet sein. Der Umfang der Vorsprungsstruktur 302 in dem Kontaktabschnitt CA kann mit der gemeinsamen Elektrode COM (z. B. Kathodenelektrode oder zweiten Elektrode) in Kontakt sein und kann mit der gemeinsamen Elektrode COM elektrisch verbunden sein. Die Vorsprungsstruktur 302 kann aus dem gleichen Material wie die Überzugsschicht OC bestehen. Die Vorsprungsstruktur 302 und die Überzugsschicht OC können gleichzeitig durch denselben Prozess ausgebildet werden.
Die lichtemittierende Schicht EL kann auf der Pixelelektrode PXL, der Bankschicht BA und der Vorsprungsstruktur 302 angeordnet sein. Die lichtemittierende Schicht EL kann in dem hinterschnittenen Bereich der Vorsprungsstruktur 302 unterbrochen sein, der auf der Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet ist, die durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist. Beispielsweise kann die lichtemittierende Schicht EL aus einem Material mit schlechterer Stufenabdeckung ausgebildet sein. Dementsprechend wird der Bereich der lichtemittierenden Schicht EL, der auf der Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet ist, durch die Vorsprungsstruktur 302 in der Größe minimiert und die lichtemittierende Schicht EL ist in dem hinterschnittenen Bereich der Vorsprungsstruktur 302 unterbrochen, wodurch die Hilfsleistungselektrode 210, die darunter bereitgestellt ist, freigelegt ist.
Die gemeinsame Elektrode COM (z. B. Kathodenelektrode oder zweite Elektrode) kann auf der lichtemittierenden Schicht EL und der Vorsprungsstruktur 302 angeordnet sein. Die gemeinsame Elektrode COM kann auf der Pixelelektrode PXL und der lichtemittierenden Schicht EL angeordnet sein. wodurch die lichtemittierende Vorrichtung ED ausgebildet wird. Die gemeinsame Elektrode COM kann auf der gesamten Oberfläche des Substrats SUB ausgebildet sein. Die gemeinsame Elektrode COM kann aus einem transparenten leitfähigen Material wie Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO) bestehen und kann aus Silber (Ag), Aluminium (Al), Magnesium (Mg ), Calcium (Ca) oder einer Legierung davon ausgebildet sein, wobei die gemeinsame Elektrode COM dünn genug ist, um Licht durchzulassen.
Die gemeinsame Elektrode COM kann mit der Hilfsleistungselektrode 210, die durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist, in Kontakt stehen und kann mit der Hilfsleistungselektrode 210, die durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist, elektrisch verbunden sein. Die gemeinsame Elektrode COM ist so angeordnet, dass sie die Bankschicht BA bedeckt, und kann auf der Hilfsleistungselektrode 210 in dem hinterschnittenen Bereich der Vorsprungsstruktur 302 angeordnet sein. Beispielsweise kann die gemeinsame Elektrode COM aus einem Material mit ausgezeichneter Stufenabdeckung ausgebildet sein. Die Stufenabdeckung der gemeinsamen Elektrode COM ist größer als die der lichtemittierenden Schicht EL, die durch Aufdampfen ausgebildet ist, wodurch die gemeinsame Elektrode COM auf der oberen Oberfläche der Hilfsleistungselektrode 210 bereitgestellt sein kann, die durch die Unterbrechung der lichtemittierenden Schicht EL in dem hinterschnittenen Bereich der Vorsprungsstruktur 302 nach außen freigelegt ist. Dementsprechend ist die lichtemittierende Schicht EL in dem hinterschnittenen Bereich der Vorsprungsstruktur 302 nicht mit der Hilfsleistungselektrode 210 in Kontakt und die Hilfsleistungselektrode 210 ist freigelegt. Die gemeinsame Elektrode COM kann jedoch auf der oberen Oberfläche der freigelegten Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet sein, ohne von der lichtemittierenden Schicht EL bedeckt zu sein, und kann in direktem Kontakt mit der Hilfsleistungselektrode 210 stehen und mit dieser elektrisch verbunden sein.
Unter Bezugnahme auf 9 kann der Kontaktabschnitt CA gemäß einem Beispiel des Kontaktabschnitts CA in der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die Passivierungsschicht PAS (oder erste Schutzschicht), die Überzugsschicht OC (oder zweite Schutzschicht) und die Bankschicht BA durchdringen, um dadurch einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 freizulegen. Die Vorsprungsstruktur 302 kann auf der Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet sein, die durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist.
Gemäß einem Beispiel der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung umfasst die Vorsprungsstruktur 302 einen Vorsprungsabschnitt 312 und einen Säulenabschnitt 322 aus einem einzigen Material und ein Stützmuster 332 zwischen der Vorsprungsstruktur 302 und der Hilfsleistungselektrode 210 kann auf der Hilfsleistungselektrode 210, die durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist, angeordnet sein. Die Vorsprungsstruktur 302 kann die obere Oberfläche der Hilfsleistungselektrode 210 durch das Stützmuster 332 kontaktieren. Die Vorsprungsstruktur 302 und das Stützmuster 332 können aus unterschiedlichen Materialien hergestellt sein. Beispielsweise kann die Vorsprungsstruktur 302 aus dem gleichen Material wie die Überzugsschicht OC bestehen. Die Vorsprungsstruktur 302 und die Überzugsschicht OC können gleichzeitig durch denselben Prozess ausgebildet werden. Außerdem kann das Stützmuster 332 aus dem gleichen Material wie die Passivierungsschicht PAS (oder erste Schutzschicht) ausgebildet sein. Das Stützmuster 332 und die Passivierungsschicht PAS können gleichzeitig durch denselben Prozess ausgebildet werden.
Der Vorsprungsabschnitt 312 der Vorsprungsstruktur 302 kann auf einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet sein. Der Vorsprungsabschnitt 312 kann auf dem Stützmuster 332 angeordnet sein und kann einen Abschnitt der freigelegten Hilfsleistungselektrode 210 überlappen.
Der Säulenabschnitt 322 der Vorsprungsstruktur 302 kann aus der unteren Oberfläche des Vorsprungsabschnitts 312 ragen und kann durch das Stützmuster 332 in Kontakt mit der oberen Oberfläche der Hilfsleistungselektrode 210 sein.
Das Stützmuster 332 kann eine untere Oberfläche mit einer ersten Breite, eine obere Oberfläche mit einer zweiten Breite, die schmaler als die erste Breite ist, und eine geneigte Oberfläche zwischen der unteren Oberfläche und der Oberfläche Fläche aufweisen. Dabei kann die Breite des Vorsprungsabschnitts 312 eine Breite haben, die breiter ist als die erste Breite der unteren Oberfläche des Stützmusters 332. Da der Vorsprungsabschnitt 312 eine größere Breite als das Stützmuster 332 hat, kann der hinterschnittene Bereich unterhalb des Vorsprungsabschnitts 312 ausgebildet sein. Der hinterschnittene Bereich kann eine Seitenfläche des Stützmusters 332 unterhalb des Vorsprungsabschnitts 312 umfassen.
Gemäß einem Beispiel der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung überlappt der Vorsprungsabschnitt 312 der Vorsprungsstruktur 302 einen Abschnitt des freigelegten Bereichs der Hilfsleistungselektrode 210 und der hinterschnittene Bereich ist unter dem Vorsprungsabschnitt 312 ausgebildet, so dass die lichtemittierende Schicht EL nicht auf der Hilfsleistungselektrode 210 entsprechend dem hinterschnittenen Bereich angeordnet sein kann. Da die lichtemittierende Schicht EL aus einem Material besteht, das keine hervorragende Stufenabdeckung aufweist, ist die lichtemittierende Schicht EL nicht in der Hilfsleistungselektrode 210 des hinterschnittenen Bereichs bereitgestellt und ist dort unterbrochen, wodurch die darunter angeordnete Hilfsleistungselektrode 210 freigelegt werden kann. Da andererseits die gemeinsame Elektrode COM im Vergleich zur lichtemittierenden Schicht EL aus einem Material mit größerer Stufenabdeckung hergestellt ist, kann die gemeinsame Elektrode COM in der Hilfsleistungselektrode 210 des hinterschnittenen Bereichs ausgebildet sein und kann mit der Hilfsleistungselektrode 210 direkt in Kontakt stehen, um damit elektrisch verbunden zu sein. Dementsprechend kann die gemeinsame Elektrode COM in elektrischem Kontakt mit der Hilfsleistungselektrode 210 stehen, um dadurch die Spannungsabfallungleichmäßigkeit zu verringern, die durch die Widerstandsabweichung der gemeinsamen Elektrode COM auf der gesamten Anzeigetafel verursacht wird.
Der Vorsprungsabschnitt 312 und der Säulenabschnitt 322 der Vorsprungsstruktur 302 und das Stützmuster 332 gemäß einem Beispiel der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können aus dem gleichen Material wie die Passivierungsschicht PAS und die Überzugsschicht OC gebildet sein. Beispielsweise kann die Passivierungsschicht PAS ein Durchgangsloch bilden, das durch die darunter positionierte Hilfsleistungselektrode 210 verläuft. Und ein organisches Muster, das der Vorsprungsstruktur 302 entspricht, kann auf der Passivierungsschicht PAS bereitgestellt sein und kann aus dem gleichen Material wie die Überzugsschicht OC ausgebildet sein. In diesem Fall kann das organische Muster durch das Durchgangsloch der Passivierungsschicht PAS mit der Hilfsleistungselektrode 210 in Kontakt stehen. Dann kann die Passivierungsschicht PAS geätzt sein, um einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 um das organische Muster herum freizulegen. Dann ist der Kontaktabschnitt CA auf der Passivierungsschicht PAS ausgebildet, um einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 freizulegen, und die Vorsprungsstruktur 302 aus dem gleichen Material wie die Überzugsschicht OC kann auf einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210, der durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist, bereitgestellt sein und kann in einem Inselmuster ausgebildet sein. Außerdem kann das Stützmuster 332, das durch die ungeätzt bleibende Passivierungsschicht PAS ausgebildet ist, zwischen der Vorsprungsstruktur 302 und der Hilfsleistungselektrode 210 bereitgestellt sein.
Gemäß einem Beispiel des Kontaktabschnitts CA der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann das Stützmuster 332 auf der durch den Kontaktabschnitt CA freigelegten Hilfsleistungselektrode 210 ausgebildet sein und die Vorsprungsstruktur 302 kann so bereitgestellt sein, dass sie durch das Stützmuster 332 in direktem Kontakt mit der Hilfsleistungselektrode 210 steht. Der Vorsprungsabschnitt 312 der Vorsprungsstruktur 302 ist so ausgebildet, dass er eine Breite aufweist, die größer ist als die des Stützmusters 332 ist, und die Vorsprungsstruktur 302 kann den hinterschnittenen Bereich unter dem Vorsprungsabschnitt 312 umfassen. Dementsprechend kann die Vorsprungsstruktur 302 in einem Körper aus dem einzigen Material so ausgebildet sein, dass der Vorsprungsabschnitt 312, der den hinterschnittenen Bereich bildet, und der Säulenabschnitt 322, der die Hilfsleistungselektrode 210 direkt kontaktiert, aus dem einzigen Material ausgebildet sind, so dass es möglich ist, die Haftkraft der Vorsprungsstruktur 302 zu verbessern und Beschädigungen wie Risse zu verhindern, wodurch eine hinterschnittene Form mit hoher Ablösebeständigkeit ausgebildet wird.
Unter Bezugnahme auf 10 kann gemäß einem weiteren Beispiel des Kontaktabschnitts CA der lichtemittierenden Anzeige gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung der Kontaktabschnitt CA die Passivierungsschicht (oder erste Schutzschicht), die Überzugsschicht OC (oder zweite Schutzschicht) Schicht) und die Bankschicht BA durchdringen, um einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 freizulegen. Eine Vorsprungsstruktur 302' kann auf der Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet sein, die durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist.
Gemäß einem weiteren Beispiel der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann eine Vorsprungsstruktur 302', die einen Vorsprungsabschnitt 312' und einem Säulenabschnitt 322' aufweist, die aus einem einzigen Material bestehen, auf der durch den Kontaktabschnitt CA freigelegten Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet sein. Beispielsweise kann die Vorsprungsstruktur 302' aus dem gleichen Material wie die Überzugsschicht OC hergestellt sein. Die Vorsprungsstruktur 302' und die Überzugsschicht OC können gleichzeitig durch denselben Prozess ausgebildet werden.
Der Vorsprungsabschnitt 312' der Vorsprungsstruktur 302' kann auf einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet sein. Der Vorsprungsabschnitt 312' kann einen Abschnitt der freigelegten Hilfsleistungselektrode 210 überlappen.
Der Säulenabschnitt 322' der Vorsprungsstruktur 302' kann aus der unteren Oberfläche des Vorsprungsabschnitts 312' ragen und kann die obere Oberfläche der Hilfsleistungselektrode 210 kontaktieren.
Der Säulenabschnitt 322' kann eine geneigte Oberfläche mit einer umgekehrt verjüngten Form aufweisen, deren obere Breite, die aus der unteren Oberfläche des Vorsprungsabschnitts 312' ragt, breiter ist als ihre untere Breite, die die obere Oberfläche der Hilfsleistungselektrode 210 kontaktiert. Da der Vorsprungsabschnitt 312' im Vergleich zu dem Säulenabschnitt 322' die größere Breite hat, kann ein hinterschnittener Bereich unter dem Vorsprungsabschnitt 312' ausgebildet sein. Dieser hinterschnittene Bereich kann einen unteren Abschnitt des Vorsprungsabschnitts 312' und eine Seitenfläche des Säulenabschnitts 322' umfassen.
Gemäß einem weiteren Beispiel der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung überlappt im Vergleich zu der oben erwähnten Vorsprungsstruktur 302 gemäß einem Beispiel der zweiten Ausführungsform, das in 9 gezeigt ist, der Vorsprungsabschnitt 312' der Vorsprungsstruktur 302' einen Abschnitt des freigelegten Abschnitts der Hilfsleistungselektrode 210 und der tiefere hinterschnittene Bereich ist darunter ausgebildet, so dass es möglich ist, den freigelegten Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 zu vergrößern, der nicht von der lichtemittierenden Schicht EL bedeckt ist. Dementsprechend kann die Kontaktfläche zwischen der gemeinsamen Elektrode COM und der Hilfsleistungselektrode 210 vergrößert werden.
Gemäß einem weiteren Beispiel der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können der Vorsprungsabschnitt 312' und der Säulenabschnitt 322' der Vorsprungsstruktur 302' aus dem gleichen Material wie die Überzugsschicht OC ausgebildet sein. Beispielsweise kann die Passivierungsschicht PAS ein Durchgangsloch bilden, das durch die darunterliegende Hilfsleistungselektrode 210 verläuft. Dann kann ein organisches Muster, das der Vorsprungsstruktur 302' entspricht, auf der Passivierungsschicht PAS aus gebildet sein und kann aus dem gleichen Material bestehen wie die Überzugsschicht OC. Dabei kann das organische Muster durch das Durchgangsloch der Passivierungsschicht PAS mit der Hilfsleistungselektrode 210 in Kontakt stehen. Dann kann die Passivierungsschicht PAS geätzt sein, um einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 um das organische Muster herum freizulegen. Dann kann der Kontaktabschnitt CA, der einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 freilegt, auf der Passivierungsschicht PAS ausgebildet sein und die Vorsprungsstruktur 302' aus dem gleichen Material wie die Überzugsschicht OC kann in einem Inselmuster auf einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210, der durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist, ausgebildet sein. Außerdem kann die Passivierungsschicht PAS zwischen der Vorsprungsstruktur 302' und der Hilfsleistungselektrode 210 vollständig geätzt sein, um dadurch den Säulenabschnitt 322' der Vorsprungsstruktur 302' zu bilden.
Gemäß einem weiteren Beispiel des Kontaktabschnitts CA der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die Vorsprungsstruktur 302', die den Säulenabschnitt 322', der in direktem Kontakt mit der Hilfsleistungselektrode 210 steht, und den Vorsprungsabschnitt 312', der den - hinterschnittenen Bereich bildet, umfasst, auf der Hilfsleistungselektrode 210 ausgebildet sein, die durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist. Da dementsprechend der Vorsprungsabschnitt 312' und der Säulenabschnitt 322' in einem Körper aus einem einzigen Material ausgebildet sind, ist es möglich, die Haftfestigkeit der Vorsprungsstruktur 302' zu verbessern und Beschädigungen wie Risse zu verhindern, wodurch eine hinterschnittene Form mit hoher Ablösebeständigkeit ausgebildet wird.
Dritte Ausführungsform
11 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie I-I' von 2 gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung; 12 ist eine Draufsicht, die einen Kontaktabschnitt des ‚C‘-Abschnitts von 11 gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt; 13 ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel eines Kontaktabschnitts des ‚C‘-Abschnitts von 11 gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt, und 14 ist eine Querschnittsansicht, die ein weiteres Beispiel eines Kontaktabschnitts des ‚C‘-Abschnitts von 11 gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. Bei der Beschreibung der dritten Ausführungsform wird eine Beschreibung der gleichen Konfiguration wie bei der ersten und zweiten Ausführungsform weggelassen.
Unter Bezugnahme auf 11 und 12 kann die lichtemittierende Anzeigevorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Substrat SUB, eine Lichtabschirmschicht LS, eine Hilfsleistungsleitung EVSS (oder zweite Leistungsleitung), eine Pufferschicht BUF, einen Dünnschichttransistor TR, einen Speicherkondensator Cst, einen Gate-Isolierfilm GI, eine Isolierzwischenschicht ILD, eine Hilfsleistungselektrode 210, eine Passivierungsschicht PAS (oder erste Schutzschicht), eine Überzugsschicht OC (oder zweite Schutzschicht), eine lichtemittierende Vorrichtung ED, eine Bankschicht BA, einen Kontaktabschnitt CA und eine Vorsprungsstruktur 303 umfassen.
Wie es in 12 gezeigt ist, kann der Kontaktabschnitt CA einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 durch die Passivierungsschicht PAS (oder erste Schutzschicht), die Überzugsschicht OC (oder zweite Schutzschicht) und die Bankschicht BA hindurch freilegen. Die Vorsprungsstruktur 303 kann auf der Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet sein, die durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist.
Die Vorsprungsstruktur 303 kann auf einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet sein und kann einen hinterschnittenen Bereich aufweisen. Die Vorsprungsstruktur 303 ist in einem Inselmuster auf einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 ausgebildet und ein freigelegter Bereich der Hilfsleistungselektrode 210 kann auf dem Umfang der Vorsprungsstruktur 303 ausgebildet sein. Die auf dem Umfang der Vorsprungsstruktur 303 in dem Kontaktabschnitt CA freigelegte Hilfsleistungselektrode 210 kann mit der gemeinsamen Elektrode COM (z. B. Kathodenelektrode oder zweiten Elektrode) in Kontakt stehen und elektrisch mit der gemeinsamen Elektrode COM verbunden sein. Die Vorsprungsstruktur 303 kann aus dem gleichen Material wie die Pixelelektrode PXL bestehen. Die Vorsprungsstruktur 303 und die Pixelelektrode PXL können gleichzeitig durch denselben Prozess ausgebildet werden.
Die lichtemittierende Schicht EL kann auf der Pixelelektrode PXL, der Bankschicht BA und der Vorsprungsstruktur 303 angeordnet sein. Die lichtemittierende Schicht EL kann in dem hinterschnittenen Bereich der Vorsprungsstruktur 303 unterbrochen sein, der auf der Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet ist, die durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist. Beispielsweise kann die lichtemittierende Schicht EL aus einem Material mit schlechterer Stufenabdeckung ausgebildet sein. Dementsprechend wird der Bereich der lichtemittierenden Schicht EL, der auf der Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet ist, durch die Vorsprungsstruktur 303 in der Größe minimiert und die lichtemittierende Schicht EL ist in dem hinterschnittenen Bereich der Vorsprungsstruktur 303 unterbrochen, wodurch die Hilfsleistungselektrode 210, die darunter bereitgestellt ist, freigelegt ist.
Die gemeinsame Elektrode COM (z. B. Kathodenelektrode oder zweite Elektrode) kann auf der lichtemittierenden Schicht EL und der Vorsprungsstruktur 303 angeordnet sein. Die gemeinsame Elektrode COM kann auf der Pixelelektrode PXL und der lichtemittierenden Schicht EL angeordnet sein, wodurch die lichtemittierende Vorrichtung ED ausgebildet ist. Die gemeinsame Elektrode COM kann auf der gesamten Oberfläche des Substrats SUB ausgebildet sein. Die gemeinsame Elektrode COM kann aus einem transparenten leitfähigen Material wie Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO) bestehen und kann aus Silber (Ag), Aluminium (Al), Magnesium (Mg ), Calcium (Ca) oder einer Legierung davon ausgebildet sein, wobei die gemeinsame Elektrode COM dünn genug ist, um Licht durchzulassen.
Die gemeinsame Elektrode COM kann mit der Hilfsleistungselektrode 210, die durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist, in Kontakt stehen und kann mit der Hilfsleistungselektrode 210, die durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist, elektrisch verbunden sein. Die gemeinsame Elektrode COM ist so angeordnet, dass sie die Bankschicht BA bedeckt, und kann auf der Hilfsleistungselektrode 210 in dem hinterschnittenen Bereich der Vorsprungsstruktur 303 angeordnet sein. Beispielsweise kann die gemeinsame Elektrode COM aus einem Material mit ausgezeichneter Stufenabdeckung ausgebildet sein. Die Stufenabdeckung der gemeinsamen Elektrode COM ist größer als die der lichtemittierenden Schicht EL, die durch Aufdampfen ausgebildet ist, wodurch die gemeinsame Elektrode COM auf der oberen Oberfläche der Hilfsleistungselektrode 210 bereitgestellt sein kann, die durch die Unterbrechung der lichtemittierenden Schicht EL in dem hinterschnittenen Bereich der Vorsprungsstruktur 303 nach außen freigelegt ist. Dementsprechend steht die lichtemittierende Schicht EL in dem hinterschnittenen Bereich der Vorsprungsstruktur 303 nicht mit der Hilfsleistungselektrode 210 in Kontakt und die Hilfsleistungselektrode 210 ist freigelegt. Die gemeinsame Elektrode COM kann jedoch auf der oberen Oberfläche der freigelegten Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet sein, ohne von der lichtemittierenden Schicht EL bedeckt zu sein, und kann in direktem Kontakt mit der Hilfsleistungselektrode 210 stehen und kann mit dieser elektrisch verbunden sein.
Unter Bezugnahme auf 13 kann gemäß einem Beispiel des Kontaktabschnitts CA in der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung der Kontaktabschnitt CA die Passivierungsschicht PAS (oder erste Schutzschicht), die Überzugsschicht OC (oder zweite Schutzschicht) und die Bankschicht BA durchdringen, um dadurch einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 freizulegen. Die Vorsprungsstruktur 303 kann auf der Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet sein, die durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist.
Gemäß einem Beispiel der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung umfasst die Vorsprungsstruktur 303 einen Vorsprungsabschnitt 313 und einen Säulenabschnitt 323 aus einem einzigen Material und ein Stützmuster 333 zwischen der Vorsprungsstruktur 303 und der Hilfsleistungselektrode 210 kann auf der Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet sein, die durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist. Die Vorsprungsstruktur 303 kann die obere Oberfläche der Hilfsleistungselektrode 210 durch das Stützmuster 333 kontaktieren. Die Vorsprungsstruktur 303 und das Stützmuster 333 können aus unterschiedlichen Materialien hergestellt sein. Beispielsweise kann die Vorsprungsstruktur 303 aus dem gleichen Material wie die Pixelelektrode PXL bestehen. Die Vorsprungsstruktur 303 und die Pixelelektrode PXL können gleichzeitig durch denselben Prozess ausgebildet werden. Außerdem kann das Stützmuster 333 aus dem gleichen Material wie die Passivierungsschicht PAS (oder erste Schutzschicht) ausgebildet sein. Das Stützmuster 333 und die Passivierungsschicht PAS können gleichzeitig durch denselben Prozess ausgebildet werden.
Der Vorsprungsabschnitt 313 der Vorsprungsstruktur 303 kann auf einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet sein. Der Vorsprungsabschnitt 313 kann auf dem Stützmuster 333 angeordnet sein und kann einen Abschnitt der freigelegten Hilfsleistungselektrode 210 überlappen.
Der Säulenabschnitt 323 der Vorsprungsstruktur 303 kann aus der unteren Oberfläche des Vorsprungsabschnitts 313 ragen und kann durch das Stützmuster 333 mit der oberen Oberfläche der Hilfsleistungselektrode 210 in Kontakt sein.
Das Stützmuster 333 kann eine untere Oberfläche mit einer ersten Breite, eine obere Oberfläche mit einer zweiten Breite, die schmaler als die erste Breite ist, und eine geneigte Oberfläche zwischen der unteren Oberfläche und der oberen Oberfläche aufweisen. Dabei kann die Breite des Vorsprungsabschnitts 313 eine Breite sein, die breiter ist als die erste Breite der unteren Oberfläche des Stützmusters 333. Da der Vorsprungsabschnitt 313 eine größere Breite als das Stützmuster 333 hat, kann der hinterschnittene Bereich unterhalb des Vorsprungsabschnitts 313 ausgebildet sein. Der hinterschnittene Bereich kann eine Seitenfläche des Stützmusters 333 unterhalb des Vorsprungsabschnitts 313 aufweisen.
Gemäß einem Beispiel der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung überlappt der Vorsprungsabschnitt 313 der Vorsprungsstruktur 303 einen Abschnitt des freigelegten Bereichs der Hilfsleistungselektrode 210 und der hinterschnittene Bereich ist unter dem Vorsprungsabschnitt 313 ausgebildet, so dass die lichtemittierende Schicht EL nicht auf der Hilfsleistungselektrode 210 entsprechend dem hinterschnittenen Bereich angeordnet sein kann. Da die lichtemittierende Schicht EL aus einem Material besteht, das keine hervorragende Stufenabdeckung aufweist, ist die lichtemittierende Schicht EL nicht in der Hilfsleistungselektrode 210 des hinterschnittenen Bereichs bereitgestellt und ist dort unterbrochen, wodurch die darunter angeordnete Hilfsleistungselektrode 210 freigelegt werden kann. Da andererseits die gemeinsame Elektrode COM aus einem Material mit größerer Stufenabdeckung im Vergleich zu der lichtemittierenden Schicht EL hergestellt ist, kann die gemeinsame Elektrode COM in der Hilfsleistungselektrode 210 des hinterschnittenen Bereichs ausgebildet sein und direkt sein mit der Hilfsleistungselektrode 210 in Kontakt stehen, um mit dieser elektrisch verbunden zu sein. Dementsprechend kann die gemeinsame Elektrode COM in elektrischem Kontakt mit der Hilfsleistungselektrode 210 stehen, um dadurch die Spannungsabfallungleichmäßigkeit zu verringern, die durch die Widerstandsabweichung der gemeinsamen Elektrode COM auf der gesamten Anzeigetafel verursacht wird.
Der Vorsprungsabschnitt 313 und der Säulenabschnitt 323 in der Vorsprungsstruktur 303 und das Stützmuster 333 gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können aus dem gleichen Material wie die Passivierungsschicht PAS und die Pixelelektrode PXL ausgebildet sein. Beispielsweise kann die Passivierungsschicht PAS ein Durchgangsloch bilden, das durch die darunterliegende Hilfsleistungselektrode 210 verläuft. Ein Metallmuster, das der Vorsprungsstruktur 303 entspricht, kann auf der Passivierungsschicht PAS angeordnet sein und kann aus dem gleichen Material wie die Pixelelektrode PXL ausgebildet sein. Dabei kann das Metallmuster durch das Durchgangsloch der Passivierungsschicht PAS mit der Hilfsleistungselektrode 210 in Kontakt stehen. Dann kann die Passivierungsschicht PAS geätzt sein, um einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 um das Metallmuster herum freizulegen. Dann ist der Kontaktabschnitt CA auf der Passivierungsschicht PAS ausgebildet, um einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 freizulegen, und die Vorsprungsstruktur 303 aus dem gleichen Material wie die Pixelelektrode PXL kann auf einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210, der durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist, bereitgestellt sein und kann in einem Inselmuster ausgebildet sein. Außerdem kann das Stützmuster 333, das durch die ungeätzt bleibende Passivierungsschicht PAS ausgebildet ist, zwischen der Vorsprungsstruktur 303 und der Hilfsleistungselektrode 210 bereitgestellt sein.
Gemäß einem Beispiel des Kontaktabschnitts CA der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann das Stützmuster 333 auf der durch den Kontaktabschnitt CA freigelegten Hilfsleistungselektrode 210 ausgebildet sein. Die Vorsprungsstruktur 303 kann so bereitgestellt sein, dass sie durch das Stützmuster 333 in direktem Kontakt mit der Hilfsleistungselektrode 210 steht. Der Vorsprungsabschnitt 313 der Vorsprungsstruktur 303 ist so ausgebildet, dass er eine Breite aufweist, die größer ist als die des Stützmusters 333 ist, und die Vorsprungsstruktur 303 kann den hinterschnittenen Bereich unter dem Vorsprungsabschnitt 313 aufweisen. Dementsprechend kann die Vorsprungsstruktur 303 in einem Körper aus dem einzigen Material so ausgebildet sein, dass der Vorsprungsabschnitt 313, der den hinterschnittenen Bereich bildet, und der Säulenabschnitt 323, der die Hilfsleistungselektrode 210 direkt kontaktiert, aus einem einzigen Material ausgebildet sind, so dass es möglich ist, die Haftkraft der Vorsprungsstruktur 303 zu verbessern und Beschädigungen wie Risse zu verhindern, wodurch eine hinterschnittene Form mit hoher Ablösebeständigkeit ausgebildet wird.
Unter Bezugnahme auf 14 kann gemäß einem weiteren Beispiel des Kontaktabschnitts CA der lichtemittierenden Anzeige gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung der Kontaktabschnitt CA die Passivierungsschicht (oder erste Schutzschicht), die Überzugsschicht OC (oder zweite Schutzschicht) und die Bankschicht BA durchdringen, um einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 freizulegen. Eine Vorsprungsstruktur 303' kann auf der Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet sein, die durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist.
Gemäß einem weiteren Beispiel der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann eine Vorsprungsstruktur 303', die einen Vorsprungsabschnitt 313' und einen Säulenabschnitt 323' aus einem einzigen Material aufweist, auf der Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet sein, die durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist. Beispielsweise kann die Vorsprungsstruktur 303' aus dem gleichen Material wie die Pixelelektrode PXL bestehen. Die Vorsprungsstruktur 303' und die Pixelelektrode PXL können gleichzeitig durch denselben Prozess ausgebildet werden.
Der Vorsprungsabschnitt 313' der Vorsprungsstruktur 303' kann auf einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 angeordnet sein. Der Vorsprungsabschnitt 313' kann einen Abschnitt der freigelegten Hilfsleistungselektrode 210 überlappen.
Der Säulenabschnitt 323' der Vorsprungsstruktur 303' kann aus der unteren Oberfläche des Vorsprungsabschnitts 313' ragen und kann die obere Oberfläche der Hilfsleistungselektrode 210 kontaktieren.
Der Säulenabschnitt 323' kann eine geneigte Oberfläche mit einer umgekehrt verjüngten Form aufweisen, deren obere Breite, die aus der unteren Oberfläche des Vorsprungsabschnitts 313' ragt, breiter ist als ihre untere Breite, die die obere Oberfläche der Hilfsleistungselektrode 210 kontaktiert. Da der Vorsprungsabschnitt 313' im Vergleich zu dem Säulenabschnitt 323' die größere Breite hat, kann ein hinterschnittener Bereich unter dem Vorsprungsabschnitt 313' ausgebildet sein. Dieser hinterschnittene Bereich kann einen unteren Abschnitt des Vorsprungsabschnitts 313' und eine Seitenfläche des Säulenabschnitts 323' aufweisen.
Gemäß einem weiteren Beispiel der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung überlappt im Vergleich zu der oben erwähnten Vorsprungsstruktur 303 gemäß einem Beispiel der dritten Ausführungsform, die in 13 gezeigt ist, der Vorsprungsabschnitt 313' der Vorsprungsstruktur 303' einen Abschnitt des freigelegten Abschnitts der Hilfsleistungselektrode 210 und der tiefere hinterschnittene Bereich ist darunter ausgebildet, so dass es möglich ist, den freigelegten Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 zu vergrößern, der nicht von der lichtemittierenden Schicht EL bedeckt ist. Dementsprechend kann die Kontaktfläche zwischen der gemeinsamen Elektrode COM und der Hilfsleistungselektrode 210 vergrößert werden.
Gemäß einem weiteren Beispiel der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können der Vorsprungsabschnitt 313' und der Säulenabschnitt 323' der Vorsprungsstruktur 303' aus dem gleichen Material wie die Pixelelektrode PXL ausgebildet sein. Beispielsweise kann die Passivierungsschicht PAS ein Durchgangsloch bilden, das durch die darunterliegende Hilfsleistungselektrode 210 verläuft. Ein Metallmuster, das der Vorsprungsstruktur 303' entspricht, kann auf der Passivierungsschicht PAS bereitgestellt sein und kann aus dem gleichen Material wie die Pixelelektrode PXL ausgebildet sein. Dabei kann das Metallmuster durch das Durchgangsloch der Passivierungsschicht PAS in Kontakt mit der Hilfsleistungselektrode 210 stehen. Dann kann die Passivierungsschicht PAS geätzt sein, um einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 um das Metallmuster herum freizulegen. Dann kann der Kontaktabschnitt CA, der einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 freilegt, auf der Passivierungsschicht PAS ausgebildet sein und die Vorsprungsstruktur 303' aus dem gleichen Material wie die Pixelelektrode PXL kann in einem Inselmuster auf einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode 210 ausgebildet sein, der durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist. Zudem kann die Passivierungsschicht PAS zwischen der Vorsprungsstruktur 303' und der Hilfsleistungselektrode 210 vollständig geätzt sein, um dadurch den Säulenabschnitt 323' der Vorsprungsstruktur 303' zu bilden.
Gemäß einem weiteren Beispiel des Kontaktabschnitts CA der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die Vorsprungsstruktur 303', der den Säulenabschnitt 323', der in direktem Kontakt mit der Hilfsleistungselektrode 210 steht, und den Vorsprungsabschnitt 313' , der den hinterschnittenen Bereich bildet, aufweist, auf der Hilfsleistungselektrode 210 ausgebildet sein, die durch den Kontaktabschnitt CA freigelegt ist. Da dementsprechend der Vorsprungsabschnitt 313' und der Säulenabschnitt 323' in einem Körper aus einem einzigen Material ausgebildet sind, ist es möglich, die Haftfestigkeit der Vorsprungsstruktur 303' zu verbessern und Beschädigungen wie Risse zu verhindern, wodurch eine hinterschnittene Form mit hoher Ablösebeständigkeit ausgebildet wird.
Die lichtemittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann wie folgt beschrieben werden.
Die Vorsprungsstruktur/der Vorsprungsabschnitt kann auch als Traufstruktur/Traufabschnitt oder Pilzstruktur/Pilzabschnitt oder Schirmstruktur/Schirmabschnitt bezeichnet werden. Die Vorsprungsstruktur kann einen Vorsprungsabschnitt und einen Säulenabschnitt aufweisen, wobei der Vorsprungsabschnitt aus dem Säulenabschnitt vorsteht. Der hinterschnittene Bereich kann einen Bereich unterhalb des Vorsprungsabschnitts, d. h. durch den Vorsprungsabschnitt abgeschattet oder überlappt, bezeichnen.
Ein Abschnitt der Hilfsleistungselektrode kann in dem Kontaktabschnitt freigelegt sein, so dass die Vorsprungsstruktur in Kontakt mit der Hilfsleistungselektrode ist. Beispielsweise kann der freigelegte Abschnitt der Hilfsleistungselektrode durch die Schutzschicht, z. B. eine Passivierungsschicht und/oder eine Überzugsschicht, und/oder durch die lichtemittierende Schicht und/oder durch die Pixelelektrode freigelegt sein.
Die lichtemittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann eine Schaltungsschicht mit einem Dünnschichttransistor und einer Hilfsleistungselektrode über einem Substrat, eine Schutzschicht, die die Schaltungsschicht überlagert, einen Kontaktabschnitt, der dazu ausgelegt ist, einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode freizulegen, eine Vorsprungsstruktur, die über einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode angeordnet ist und so ausgebildet ist, dass sie einen hinterschnittenen Bereich aufweist, eine Pixelelektrode, die über der Schutzschicht angeordnet ist und mit dem Dünnschichttransistor verbunden ist, eine lichtemittierende Schicht, die über der Pixelelektrode angeordnet ist, und eine gemeinsame Elektrode, die über der lichtemittierenden Schicht angeordnet ist und mit der Hilfsleistungselektrode in dem hinterschnittenen Bereich der Vorsprungsstruktur verbunden ist, wobei die Vorsprungsstruktur aus einem einzigen Material hergestellt ist.
Bei der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die Vorsprungsstruktur einen Vorsprungsabschnitt aufweisen, der über einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode angeordnet ist. Die Vorsprungsstruktur kann einen Säulenabschnitt aufweisen, der aus einer unteren Oberfläche des Vorsprungsabschnitts vorsteht und eine obere Oberfläche der Hilfsleistungselektrode kontaktiert. Der hinterschnittene Bereich kann einem unteren Abschnitt des Vorsprungsabschnitts entsprechen. Das heißt, der hinterschnittene Bereich kann unter dem Vorsprungsabschnitt liegen oder von dem Vorsprungsabschnitt überlappt sein.
Bei der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann der Säulenabschnitt eine geneigte Oberfläche mit einer umgekehrt verjüngten Form aufweisen, deren obere Breite, die aus der unteren Oberfläche des Vorsprungsabschnitts ragt, breiter ist als ihre untere Breite, die die obere Oberfläche der Hilfsleistungselektrode kontaktiert.
Bei der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die Vorsprungsstruktur in einem Inselmuster über einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode ausgebildet sein. Der Abschnitt der Hilfsleistungselektrode, der durch den Kontaktabschnitt freigelegt ist, kann einen freigelegten Abschnitt der Hilfsleistungselektrode auf dem Umfang der Vorsprungsstruktur umfassen.
Bei der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann der Vorsprungsabschnitt mindestens einen Abschnitt des freigelegten Abschnitts der Hilfsleistungselektrode überlappen.
Bei der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann ein Stützmuster zwischen einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode und der Vorsprungsstruktur enthalten sein. Die Vorsprungsstruktur kann durch das Stützmuster mit einer oberen Oberfläche der Hilfsleistungselektrode in Kontakt stehen.
Bei der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung können die Vorsprungsstruktur und das Stützmuster aus voneinander verschiedenen Materialien hergestellt sein.
Bei der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die Vorsprungsstruktur einen Vorsprungsabschnitt aufweisen, der über dem Stützmuster angeordnet ist. Die Vorsprungsstruktur kann einen Säulenabschnitt aufweisen, der aus einer unteren Oberfläche des Vorsprungsabschnitts vorsteht und so ausgebildet ist, dass er durch das Stützmuster mit einer oberen Oberfläche der Hilfsleistungselektrode in Kontakt steht. Der hinterschnittene Bereich kann einen unteren Abschnitt des Vorsprungsabschnitts und eine Seitenfläche des Säulenabschnitts umfassen.
Bei der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann das Stützmuster eine untere Oberfläche mit einer ersten Breite, eine obere Oberfläche mit einer zweiten Breite, die schmaler als die erste Breite ist, und eine geneigte Oberfläche zwischen der unteren Oberfläche und der oberen Oberfläche aufweisen, wobei die Breite des Vorsprungsabschnitts breiter sein kann als die erste Breite.
Die lichtemittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann umfassen: eine Schaltungsschicht mit einem Dünnschichttransistor und einer Hilfsleistungselektrode über einem Substrat, eine erste Schutzschicht, die der Schaltungsschicht überlagert ist, und eine zweite Schutzschicht, die über der ersten Schutzschicht angeordnet ist, eine Pixelelektrode, die über der zweiten Schutzschicht angeordnet ist und mit dem Dünnschichttransistor verbunden ist, eine Bankschicht, die über der zweiten Schutzschicht angeordnet ist und dazu ausgelegt ist, eine Öffnung an der Pixelelektrode zu definieren, einen Kontaktabschnitt, der die erste und zweite Schutzschicht und die Bankschicht durchdringt,, um einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode freizulegen, eine Vorsprungsstruktur, die über einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode angeordnet ist, der durch den Kontaktabschnitt freigelegt ist, und so ausgebildet ist, dass sie einen hinterschnittenen Bereich aufweist, eine lichtemittierende Schicht, die über der Pixelelektrode und der Bankschicht angeordnet ist, und eine gemeinsame Elektrode, die über der lichtemittierenden Schicht angeordnet ist und in dem hinterschnittenen Bereich der Vorsprungsstruktur mit der Hilfsleistungselektrode verbunden ist.
Bei der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die erste Schutzschicht aus einem anorganischen Isoliermaterial hergestellt sein und/oder die zweite Schutzschicht kann aus einem organischen Isoliermaterial hergestellt sein.
Bei der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann der hinterschnittene Bereich der Vorsprungsstruktur auf derselben Schicht wie die erste Schutzschicht ausgebildet sein.
Bei der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die Vorsprungsstruktur aus dem gleichen Material hergestellt sein wie die Bankschicht, die zweite Schutzschicht und/oder die Pixelelektrode.
Bei der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die Vorsprungsstruktur einen Vorsprungsabschnitt aufweisen, der über einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode angeordnet ist. Die Vorsprungsstruktur kann einen Säulenabschnitt aufweisen, der aus einer unteren Oberfläche des Vorsprungsabschnitts vorsteht und eine obere Oberfläche der Hilfsleistungselektrode kontaktiert. Eine Höhe des Säulenabschnitts kann kleiner oder gleich einer Höhe der ersten Schutzschicht sein.
Bei der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann der Säulenabschnitt eine geneigte Oberfläche mit einer umgekehrt verjüngten Form aufweisen, deren obere Breite, die aus der unteren Oberfläche des Vorsprungsabschnitts ragt, breiter ist als ihre untere Breite, die die obere Oberfläche der Hilfsleistungselektrode kontaktiert.
Bei der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann ein Stützmuster zwischen einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode und der Vorsprungsstruktur enthalten sein. Die Vorsprungsstruktur kann durch das Stützmuster mit einer oberen Oberfläche der Hilfsleistungselektrode in Kontakt stehen.
Bei der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann das Stützmuster aus dem gleichen Material wie die erste Schutzschicht bestehen.
Bei der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die Vorsprungsstruktur einen Vorsprungsabschnitt aufweisen, der über dem Stützmuster angeordnet ist. Die Vorsprungsstruktur kann einen Säulenabschnitt aufweisen, der aus der unteren Oberfläche des Vorsprungsabschnitts ragt und die obere Oberfläche der Hilfsleistungselektrode durch das Stützmuster kontaktiert. Das Stützmuster kann eine untere Oberfläche mit einer ersten Breite, eine obere Oberfläche mit einer zweiten Breite, die schmaler als die erste Breite ist, und eine geneigte Oberfläche zwischen der unteren Oberfläche und der oberen Oberfläche aufweisen, wobei die Breite des Vorsprungsabschnitts breiter sein kann als die erste Breite.
Die lichtemittierende Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann umfassen: eine Schaltungsschicht mit einem Dünnschichttransistor und einer Hilfsleistungselektrode über einem Substrat, eine erste Schutzschicht, die über der Schaltungsschicht liegt, eine zweite Schutzschicht, die über der ersten Schutzschicht angeordnet ist, einen Kontaktabschnitt, der so ausgebildet ist, dass er einen Abschnitt der Hilfsleistungselektrode freilegt, eine Vorsprungsstruktur, die über einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode angeordnet ist und so ausgebildet ist, dass sie einen hinterschnittenen Bereich aufweist, ein Stützmuster zwischen einem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode und der Vorsprungsstruktur, eine Pixelelektrode, die über der zweiten Schutzschicht angeordnet ist und mit dem Dünnschichttransistor verbunden ist, eine lichtemittierende Schicht, die über der Pixelelektrode angeordnet ist, und eine gemeinsame Elektrode, die über der lichtemittierenden Schicht angeordnet ist und mit der Hilfsleistungselektrode in dem hinterschnittenen Bereich der Vorsprungsstruktur verbunden ist.
Bei der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann das Stützmuster aus dem gleichen Material wie die erste Schutzschicht hergestellt sein und/oder die Vorsprungsstruktur kann aus einem anderen Material als das Stützmuster hergestellt sein.
Dementsprechend kann die lichtemittierende Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung Defekte, die während eines Herstellungsprozesses erzeugt werden, reduzieren, da die hinterschnittene Form mit hoher Ablösebeständigkeit in dem Kathodenkontaktbereich ausgebildet ist, wodurch Massenproduktion ermöglicht und die Zuverlässigkeit der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung verbessert wird.
Fachleuten wird klar sein, dass die oben beschriebene vorliegende Offenbarung nicht durch die oben beschriebenen Ausführungsformen und die begleitenden Zeichnungen beschränkt ist und dass verschiedene Ersetzungen, Abwandlungen und Variationen an der vorliegenden Offenbarung vorgenommen werden können, ohne von dem Umfang der Offenbarungen abzuweichen. Folglich wird der Umfang der vorliegenden Offenbarung durch die beigefügten Ansprüche definiert und alle Variationen oder Abwandlungen, die von der Bedeutung, dem Umfang und dem äquivalenten Konzept der Ansprüche abgeleitet sind, sollen unter den Umfang der vorliegenden Offenbarung fallen.

Claims

Lichtemittierende Anzeigevorrichtung, die Folgendes umfasst: eine Schaltungsschicht mit einem Dünnschichttransistor (TR) und einer Hilfsleistungselektrode (210) auf einem Substrat (SUB); eine Schutzschicht (OC, PAS) auf der Schaltungsschicht; einen Kontaktabschnitt (CA), in dem ein Abschnitt der Hilfsleistungselektrode (210) freigelegt ist; eine Vorsprungsstruktur (301, 302), die auf dem freigelegten Abschnitt der Hilfsleistungselektrode (210) angeordnet ist und einen hinterschnittenen Bereich überlappt; eine Pixelelektrode (PXL), die auf der Schutzschicht (OC, PAS) angeordnet ist und mit dem Dünnschichttransistor (TR) verbunden ist; eine lichtemittierende Schicht (EL), die auf der Pixelelektrode (PXL) angeordnet ist; und eine gemeinsame Elektrode (COM), die auf der lichtemittierenden Schicht (EL) angeordnet ist und mit dem freigelegten Abschnitt der Hilfsleistungselektrode (210) in dem hinterschnittenen Bereich verbunden ist; wobei die Vorsprungsstruktur (301, 302) aus einem einzigen Material hergestellt ist.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Vorsprungsstruktur (301, 302) aufweist: einen Säulenabschnitt (321, 322), der in Kontakt mit der Hilfsleistungselektrode (210) angeordnet ist; und einen Vorsprungsabschnitt (311, 312), der aus dem Säulenabschnitt (321, 322) so vorsteht, dass er den hinterschnittenen Bereich überlappt.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 2, wobei der Säulenabschnitt (321, 322) eine geneigte Oberfläche mit einer umgekehrt verjüngten Form aufweist, deren obere Breite in Kontakt mit dem Vorsprungsabschnitt (311, 312) breiter als ihre untere Breite in Kontakt mit der Hilfsleistungselektrode (210) ist.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Vorsprungsstruktur (301, 302) in einem Inselmuster auf dem Abschnitt der Hilfsleistungselektrode (210) ausgebildet ist, und/oder wobei der freigelegte Abschnitt der Hilfsleistungselektrode (210) in dem Kontaktabschnitt (CA) benachbart zu der Vorsprungsstruktur (301, 302) ist, und/oder wobei die Vorsprungsstruktur (301, 302) zumindest einen Abschnitt des freigelegten Abschnitts der Hilfsleistungselektrode (210) überlappt.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, die ferner ein Stützmuster (331, 332) umfasst, das zwischen der Hilfsleistungselektrode (210) und der Vorsprungsstruktur (301, 302) angeordnet ist.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 5, wobei die Vorsprungsstruktur (301, 302) und das Stützmuster (331, 332) aus unterschiedlichen Materialien bestehen.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, wobei die Vorsprungsstruktur (301, 302) einen Säulenabschnitt (321, 322), der in Kontakt mit der Hilfsleistungselektrode (210) angeordnet ist, und einen Vorsprungsabschnitt (311, 312), der auf dem Säulenabschnitt (321, 322) und auf dem Stützmuster (331, 332) angeordnet ist und daraus vorsteht, aufweist.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 7, wobei das Stützmuster (331, 332) eine untere Oberfläche mit einer ersten Breite und eine obere Oberfläche mit einer zweiten Breite aufweist, und wobei die zweite Breite schmaler als die erste Breite ist und/oder die Breite des Vorsprungsabschnitts (311, 312) breiter als die erste Breite ist.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung, die Folgendes umfasst: eine Schaltungsschicht mit einem Dünnschichttransistor (TR) und einer Hilfsleistungselektrode (210) auf einem Substrat (SUB); eine erste Schutzschicht (PAS) auf der Schaltungsschicht; eine zweite Schutzschicht (OC), die auf der ersten Schutzschicht (PAS) angeordnet ist; eine Pixelelektrode (PXL), die auf der zweiten Schutzschicht (OC) angeordnet und mit dem Dünnschichttransistor (TR) verbunden ist; eine Bankschicht (BA), die auf der zweiten Schutzschicht (OC) angeordnet ist und eine Öffnung eines Unterpixels (SP1, SP2, SP3) definiert; einen Kontaktabschnitt (CA), in dem ein Abschnitt der Hilfsleistungselektrode (210) freigelegt ist; eine Vorsprungsstruktur (301, 302, 303, 303'), die auf dem freigelegten Abschnitt der Hilfsleistungselektrode (210) angeordnet ist und einen hinterschnittenen Bereich überlappt; eine lichtemittierende Schicht (EL), die auf der Pixelelektrode (PXL) und der Bankschicht (BA) angeordnet ist; und eine gemeinsame Elektrode (COM), die auf der lichtemittierenden Schicht (EL) angeordnet ist und mit dem freigelegten Abschnitt der Hilfsleistungselektrode (210) in dem hinterschnittenen Bereich verbunden ist.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 9, wobei die erste Schutzschicht (PAS) aus einem anorganischen Isoliermaterial besteht, und/oder wobei die zweite Schutzschicht (OC) aus einem organischen Isoliermaterial besteht.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, wobei die Vorsprungsstruktur (301, 302, 303, 303') aus dem gleichen Material besteht wie die Bankschicht (BA), die zweite Schutzschicht (OC) und/oder die Pixelelektrode (PXL).
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 9, 10 oder 11, wobei die Vorsprungsstruktur (301, 302, 303, 303') aufweist: einen Säulenabschnitt (321, 322, 323, 323'), der in Kontakt mit der Hilfsleistungselektrode (210) angeordnet ist; und einen Vorsprungsabschnitt (311, 312, 313, 313'), der aus dem Säulenabschnitt (321, 322, 323, 323') so vorsteht, dass er den hinterschnittenen Bereich überlappt; wobei eine Höhe des Säulenabschnitts (321, 322, 323, 323') kleiner oder gleich einer Höhe der ersten Schutzschicht (PAS) ist.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 12, wobei der Säulenabschnitt (321, 322, 323, 323') eine geneigte Oberfläche mit einer umgekehrt verjüngten Form aufweist, deren obere Oberfläche, die zu dem Vorsprungsabschnitt (311, 312, 313, 313') benachbart ist, breiter ist als ihre untere Breite, die die Hilfsleistungselektrode (210) kontaktiert.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 12 oder 13, die ferner ein Stützmuster (331, 332, 333) aufweist, das zwischen der Hilfsleistungselektrode (210) und dem Vorsprungsabschnitt (311, 312, 313, 313') angeordnet ist.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 14, wobei das Stützmuster (331, 332, 333) aus dem gleichen Material wie die erste Schutzschicht (PAS) besteht.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 14 oder 15, wobei die Vorsprungsstruktur (301, 302, 303) einen Säulenabschnitt (321, 322, 323), der in Kontakt mit der Hilfsleistungselektrode (210) angeordnet ist, und einen Vorsprungsabschnitt (311, 312, 313), der auf dem Säulenabschnitt (321, 322, 323) und auf dem Stützmuster (331, 332, 333) angeordnet ist und daraus vorsteht, aufweist; wobei das Stützmuster (331, 332, 333) eine untere Oberfläche mit einer ersten Breite und eine obere Oberfläche mit einer zweiten Breite aufweist, und wobei die zweite Breite schmaler als die erste Breite ist und/oder eine Breite des Vorsprungsabschnitts (311, 312, 313) breiter als die erste Breite ist.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung, die Folgendes umfasst: eine Schaltungsschicht mit einem Dünnschichttransistor (TR) und einer Hilfsleistungselektrode (210) auf einem Substrat (SUB); eine erste Schutzschicht (PAS) auf der Schaltungsschicht; eine zweite Schutzschicht (OC), die auf der ersten Schutzschicht (PAS) angeordnet ist; einen Kontaktabschnitt (CA), in dem ein Abschnitt der Hilfsleistungselektrode (210) freigelegt ist; eine Vorsprungsstruktur (301, 302, 303), die auf dem freigelegten Abschnitt der Hilfsleistungselektrode (210) angeordnet ist und einen hinterschnittenen Bereich überlappt; ein Stützmuster (331, 332, 333), das auf dem freigelegten Abschnitt der Hilfsleistungselektrode (210) angeordnet ist und mit einer Seite der Vorsprungsstruktur (301, 302, 303) in Kontakt steht; eine Pixelelektrode (PXL), die auf der zweiten Schutzschicht (OC) angeordnet ist und mit dem Dünnschichttransistor (TR) verbunden ist; eine lichtemittierende Schicht (EL), die auf der Pixelelektrode (PXL) angeordnet ist; und eine gemeinsame Elektrode (COM), die auf der lichtemittierenden Schicht (EL) angeordnet ist und mit dem freigelegten Abschnitt der Hilfsleistungselektrode (210) in dem hinterschnittenen Bereich verbunden ist.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 17, wobei das Stützmuster (331, 332, 333) aus dem gleichen Material wie die erste Schutzschicht (PAS) besteht, und/oder die Vorsprungsstruktur (301, 302, 303) aus einem anderen Material als das Stützmuster (331, 332, 333) besteht; und/oder wobei die Vorsprungsstruktur (301, 302, 303) aus dem gleichen Material wie die Bankschicht (BA), die zweite Schutzschicht (OC) oder die Pixelelektrode (PXL) besteht.