DE102020132842A1

DE102020132842A1 - Anzeigevorrichtung

Info

Publication number: DE102020132842A1
Application number: DE102020132842.7A
Authority: DE
Inventors: Byung-Jun Lim; Hyun-Chul UM
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2019-12-11
Filing date: 2020-12-09
Publication date: 2021-06-17
Also published as: CN112951882A; TW202242827A; KR20210073850A; US11800756B2; US20210183985A1; US20240016014A1; JP2021092774A; JP2023029445A; TWI771817B; TW202123200A

Abstract

Eine Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung weist auf: ein Anzeigepanel (100), das ein aktives Gebiet (AA) und ein inaktives Gebiet (IA) aufweist, wobei das aktive Gebiet (AA) eine Anodenelektrode (240), eine organische lichtemittierende Schicht und eine Kathodenelektrode (250) aufweist und das inaktive Gebiet (IA) einen Gatetreiberteilbereich (300) und eine Rissstopperstruktur (460) aufweist, und ferner ein Verbindungsgebiet (600) aufweist, das in einem zu dem Gatetreiberteilbereich (300) benachbarten Gebiet angeordnet ist, wobei in dem Verbindungsgebiet (600) die Kathodenelektrode (250) und eine Verbindungselektrode (740) miteinander in Kontakt sein können.

Description

Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2019-0164575 , eingereicht am 11. Dezember 2019.
Technisches Gebiet
Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Anzeigevorrichtung.
Beschreibung der verwandten Technik
In jüngster Zeit, mit Eintritt in das Informationszeitalter, hat sich das Gebiet von Anzeigen, die visuell elektrische Informationssignale darstellen, schnell entwickelt, und als Reaktion darauf sind diverse Anzeigevorrichtungen mit hervorragender Leistungsfähigkeit mit dünnem Profil, geringem Gewicht und niedrigem Energieverbrauch entwickelt worden.
Spezifische Beispiele der Anzeigevorrichtungen umfassen eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung (LCD), eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung (OLED), eine Quantenpunktanzeigevorrichtung, usw.
Die OLED kann ein Anzeigepanel und eine Vielzahl von Komponenten zum Bereitstellen verschiedener Funktionen aufweisen. Zum Beispiel können ein oder mehrere Anzeigetreiberschaltkreise zum Steuern eines Anzeigepanels in einer Anzeigeanordnung enthalten sein. Beispiele von Treiberschaltkreisen umfassen Gatetreiber, Lichtemissions (Quellen) - Treiber, Energie (VDD) - Routing, Elektrostatische-Entladung (ESD) - Schaltkreise, Multiplex (MUX) - Schaltkreise, Datensignalleitungen, Kathodenkontakte, und andere funktionelle Elemente. Eine Vielzahl von peripheren Schaltkreisen zum Bereitstellen verschiedener Arten von zusätzlichen Funktionen, zum Beispiel Berührungserfass- oder Fingerabdruckidentifizierungsfunktionen, können in der Anzeigeanordnung enthalten sein. Manche Komponenten können auf dem Anzeigepanel selbst angeordnet sein oder können in Gebieten benachbart zu einem Anzeigebiet angeordnet sein, welche Nichtanzeigegebiete und/oder inaktive oder nicht-aktive Gebiete sind. Ferner ist eine organische lichtemittierende Einrichtung, die in einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung verwendet wird, eine selbstleuchtende Einrichtung, bei der eine lichtemittierende Schicht zwischen zwei Elektroden ausgebildet ist. Die organische lichtemittierende Einrichtung ist eine Einrichtung, die Licht emittiert, wenn ein Exziton, welches im Inneren durch Injizieren und Kombinieren eines Elektrons und eines Lochs von einer Elektroninjektionselektrode bzw. einer Lochinjektionselektrode erzeugt wird, von dem angeregten Zustand in den Grundzustand fällt. Die Elektroninjektionselektrode kann eine obere Elektrode oder eine Kathode sein, und die Lochinjektionselektrode kann eine untere Elektrode oder eine Anode sein. Die obere Elektrode muss mit einer Versorgungsleitung für niedrige Spannung verbunden sein, und eine Kontaktstruktur für die Verbindung kann in dem inaktiven Gebiet angeordnet sein.
Die Größe der Anzeigevorrichtung ist ein sehr wichtiger Designfaktor, und insbesondere kann ein hohes Verhältnis von Größe des aktiven Gebiets zu Größe des inaktiven Gebiets, welches bezeichnet wird als Verhältnis von Schirm zu Einfassung, eine der Haupteigenschaften sein. Jedoch erfordern das Anordnen von einigen der oben beschriebenen Komponenten in der Anzeigeanordnung und das Anordnen der Kontaktstruktur der oberen Elektrode und der Versorgungsleitung für niedrige Spannung außerhalb ein relativ großes inaktives Gebiet. Die Kontaktstruktur der oberen Elektrode und die Versorgungsleitung für niedrige Spannung, die außerhalb der Komponente angeordnet sind, können leicht dem Eindringen von externer Feuchtigkeit ausgesetzt sein, das an einer Schnittlinie in einem äußersten inaktiven Gebiet eines Substrats oder von Rissen an der Schnittlinie des Substrats hervorgerufen wird. Um die Elemente vor dem Eindringen der externen Feuchtigkeit zu schützen, ist dementsprechend außerhalb der Kontaktstruktur der oberen Elektrode und der Versorgungsleitung für niedrige Spannung ein gewisser Abstand von der Schnittlinie des Substrats erforderlich, und es gibt eine Beschränkung hinsichtlich der Verringerung des Einfassungsgebiets.
KURZER ÜBERBLICK
Die Erfinder der vorliegenden Offenbarung haben erkannt, dass verschiedene Technologien einschließlich der Anordnung der Komponenten wie beispielsweise des Gatetreibers oder des ESDs und eines optimalen Ansteuerverfahrens benötigt werden, um eine schmale Einfassung zu realisieren, bei der die Größe des inaktiven Gebiets verringert ist. Dementsprechend haben die Erfinder der vorliegenden Offenbarung verschiedene Experimente durchgeführt zur Anordnung der Komponenten, die die organischen lichtemittierenden Einrichtungen in dem aktiven Gebiet gut schützen können, während der Platz des inaktiven Gebiets effizient ausgenutzt wird. Mittels mehrerer Experimente wurde eine neue Struktur erfunden, bei der die obere Elektrode, die die organische lichtemittierende Einrichtung bildet, und die Versorgungsleitung für niedrige Spannung einander kontaktieren.
Zum Beispiel kann ein Isolationsgebiet in dem inaktiven Gebiet einer organischen Isolationsschicht bereitgestellt sein, welche einer der Pfade ist, durch welche externe Feuchtigkeit in das aktive Gebiet eindringt. Die organische Isolationsschicht ist außerhalb eines Gate-in-Panel (GIP) - Gebiets des inaktiven Gebiets entfernt worden, um das Eindringen von Feuchtigkeit zu verhindern, aber das Isolationsgebiet der organischen Isolationsschicht kann ebenfalls in dem GIP-Gebiet bereitgestellt sein. Wenn eine Planarisierungsschicht, eine Bankschicht und eine Abstandshalterschicht für einen bestimmten Abschnitt entfernt sind, kann eine anorganische Isolationsschicht der einzige Pfad durch das aktive Gebiet sein.
Zusätzlich kann eine Verbindungsstruktur der oberen Elektrode und der Versorgungsleitung für niedrige Spannung bereitgestellt sein mittels Verwendens des Isolationsgebiets der organischen Isolationsschicht. Die obere Elektrode und die Versorgungsleitung für niedrige Spannung können eine Verbindungsstruktur außerhalb des GIP-Gebiets haben, und da für die Verbindungsstruktur zusätzlicher Platz benötigt wird, gab es eine Beschränkung hinsichtlich der Verringerung des Einfassungsgebiets. Als ein Weg, um diese Beschränkung zu verringern, ist es möglich, den Platz des Einfassungsgebiets zu sparen, indem die obere Elektrode und eine Zwischenverbindungselektrode in dem GIP-Gebiet verbunden werden und die Zwischenverbindungselektrode und die Versorgungsleitung für niedrige Spannung außerhalb des GIP-Gebiets verbunden werden.
Die Zwischenverbindungselektrode wird benötigt, um die Verbindungsstruktur der oberen Elektrode und der Versorgungsleitung für niedrige Spannung zu vereinfachen, während das Isolationsgebiet der organischen Isolationsschicht gebildet wird. Wenn das Isolationsgebiet der organischen Isolationsschicht in dem GIP-Gebiet ausgebildet wird, wird ein Loch, das so tief wie die Dicke der organischen Isolationsschicht ist, erzeugt. Wenn die obere Elektrode in einem tiefen Loch gebildet wird, kann die obere Elektrode unterbrochen sein oder nicht ausreichend ausgebildet sein aufgrund einer geringen Dicke. Um ein solches Phänomen zu verhindern, kann die Zwischenverbindungselektrode in dem Lochgebiet angeordnet werden, und ein Kontaktgarantiegebiet (hierin auch als Verbindungsunterstützungsgebiet bezeichnet), in dem die obere Elektrode und die Zwischenverbindungselektrode einander kontaktieren können, kann gebildet werden, wodurch eine stabilere Verbindungsstruktur erzielt wird.
Durch diese Experimente ist es möglich, eine Anzeigevorrichtung zu realisieren, die in der Lage ist, das Eindringen von Feuchtigkeit zu verhindern, während das inaktive Gebiet der Anzeigevorrichtung verringert wird.
Dementsprechend ist die vorliegende Offenbarung auf eine Anzeigevorrichtung gerichtet, die eines oder mehrere der Probleme, die durch Beschränkungen und Nachteile der verwandten Technik bedingt sind, im Wesentlichen überwindet.
Ein Ziel der vorliegenden Offenbarung besteht darin, eine äußere Struktur einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung bereitzustellen.
Die Probleme der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die oben erwähnten Probleme beschränkt, und andere Probleme, die nicht erwähnt sind, werden von denjenigen, die mit der Technik vertraut sind, aus der folgenden Beschreibung klar verstanden werden.
Verschiedene Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung stellen eine Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1 bereit. Außerdem stellen verschiedene Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung eine Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 12 bereit. Weitere Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.
Eine Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung weist ein Anzeigepanel auf, das ein aktives Gebiet und ein inaktives Gebiet aufweist, wobei das aktive Gebiet eine Anodenelektrode, eine organische lichtemittierende Schicht und eine Kathodenelektrode aufweist und das inaktive Gebiet einen Gatetreiberteilbereich und eine Rissstopperstruktur aufweist, und ferner ein Kontaktgebiet (hierin auch als Verbindungsgebiet bezeichnet) aufweist, das in einem zu dem Gatetreiberteilbereich benachbarten Gebiet angeordnet ist, wobei in dem Kontaktgebiet die Kathodenelektrode und eine Verbindungselektrode über dem Gatetreiberteilbereich einander kontaktieren können.
In einem anderen Aspekt weist eine Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Anzeigepanel auf, das ein aktives Gebiet und ein inaktives Gebiet aufweist, wobei das aktive Gebiet einen Dünnfilmtransistor aufweist, und eine Planarisierungsschicht, eine erste Elektrode, eine Bankschicht, eine organische lichtemittierende Schicht und eine zweite Elektrode sind aufeinanderfolgend auf dem Dünnfilmtransistor angeordnet, wobei das inaktive Gebiet einen Gatetreiberteilbereich, eine Dammstruktur und eine Rissstopperstruktur aufweist, und ferner ein Kontaktgebiet (hierin auch als Verbindungsgebiet bezeichnet) aufweist, in dem eine über dem Gatetreiberteilbereich angeordnete Verbindungselektrode mit einem Verlängerungsteil der zweiten Elektrode verbunden ist.
Details von weiteren Ausführungsformen sind in der ausführlichen Beschreibung und den Zeichnungen enthalten.
Die Anzeigevorrichtung gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann ein Struktur haben zum Unterbrechen der mit dem aktiven Gebiet verbundenen organischen Isolationsschichten in dem inaktiven Gebiet und kann verhindern, dass von außen eingebrachte Feuchtigkeit die organische lichtemittierende Einrichtung in dem aktiven Gebiet erreicht. Zum Beispiel kann eine Struktur bereitgestellt sein, die die Planarisierungsschicht und die Bankschicht über dem Gatetreiberteilbereich in dem inaktiven Gebiet teilweise entfernt und unterbricht, und ein Pfad, durch den die Feuchtigkeit eindringen kann, kann blockiert werden, in dem ferner zusätzlich zu der Planarisierungsschicht und der Bankschicht eine anorganische Isolationsschicht entfernt wird, wodurch eine Anzeigevorrichtung bereitgestellt wird, die gegen das Eindringen von Feuchtigkeit resistent ist.
Eine Zwischenstruktur für eine elektrische Verbindung der Kathodenelektrode der organischen lichtemittierenden Einrichtung und der in dem inaktiven Gebiet angeordneten Versorgungsleitung für niedrige Spannung kann in der Struktur zum Unterbrechen der organischen Isolationsschichten in dem inaktiven Gebiet bereitgestellt sein. Zum Beispiel, wenn die Verbindungselektrode in dem Isolationsgebiet der organischen Isolationsschicht angeordnet ist und die Kathodenelektrode über der Verbindungselektrode angeordnet ist, kann die Niedrige-Spannung-Verbindungsstruktur der organischen lichtemittierenden Einrichtung, welche zusätzlichen Platz brauchte, so angeordnet sein, dass sie den Gatetreiberteilbereich überlappt. Dies minimiert das Einfassungsgebiet, so dass der Benutzer der Anzeigevorrichtung eine Vorrichtung mit einem Emissionsschirm, der ästhetisch über im Wesentlichen die gesamte Anzeigevorrichtung dargestellt wird, verwenden kann, und eine Anzeigevorrichtung mit einer noch besseren Griffigkeit und geringem Gewicht kann dem Benutzer bereitgestellt werden durch Verwendung eines kompakten Moduls, bei dem eine schmale Einfassung angewendet wird.
Figurenliste
Die beigefügten Zeichnungen, welche enthalten sind, um ein weitergehendes Verständnis der vorliegenden Offenbarung bereitzustellen, und welche in diese Beschreibung aufgenommen sind und einen Teil davon bilden, stellen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung dar und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, die Prinzipien der vorliegenden Offenbarung zu erläutern. In den Zeichnungen:

1 ist eine Draufsicht eines Anzeigepanels gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
2 ist eine Querschnittsansicht eines Anzeigepanels gemäß einer Ausführungsform, genommen entlang der Schnittlinie I-I' von 1;
3 ist eine Querschnittsansicht eines Anzeigepanels gemäß einer weiteren Ausführungsform, genommen entlang der Schnittlinie I-I' von 1;
4 ist eine Querschnittsansicht eines Anzeigepanels gemäß einer weiteren Ausführungsform, genommen entlang der Schnittlinie I-I' von 1; und
5 ist eine Draufsicht eines Anzeigepanels, auf das eine Verbindungsstruktur angewandt ist gemäß einer Ausführungsform.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
Vorteile und technische Merkmale der vorliegenden Offenbarung, und Verfahren zum Erreichen der Vorteile und der technischen Merkmale werden verdeutlicht unter Bezugnahme auf Ausführungsformen, die unten im Detail zusammen mit den beigefügten Zeichnungen beschrieben sind. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht auf die unten beschriebenen Ausführungsformen beschränkt, sondern wird in diversen unterschiedlichen Formen realisiert. Die Ausführungsformen ermöglichen es, dass die Offenbarung der vorliegenden Offenbarung vollständig ist und dass der Durchschnittsfachmann diese vollständig versteht. Die vorliegende Offenbarung wird nur durch den Umfang der Ansprüche definiert.
Die Formen, Größen, Verhältnisse, Winkel, Anzahlgen, usw., die in den Zeichnungen zum Beschreiben der Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung offenbart sind, sind beispielhaft, und die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Zeichnungen beschränkt. Gleiche Bezugszeichen bezeichnen die gleichen Komponenten über die Beschreibung hinweg. Ferner, wenn in der Beschreibung der vorliegenden Offenbarung festgestellt wird, dass ausführliche Beschreibungen von verwandten bekannten Technologien den Gegenstand der vorliegenden Offenbarung unnötig verschleiern können, werden ausführliche Beschreibungen davon weggelassen. Wenn „enthalten“, „aufweisen“, „bestehen aus“, usw., in dieser Beschreibung verwendet werden, können andere Teile hinzugefügt sein, es sei denn, „nur“ wird verwendet. Wenn eine Komponente in der Einzahl angegeben ist, ist die Mehrzahl umfasst, es sei denn, es ist anders angegeben.
Bei der Auslegung der Komponenten wird es so ausgelegt, dass ein Fehlerbereich enthalten ist, falls es keine explizite Beschreibung gibt.
Im Falle der Beschreibung von Positionsbeziehungen, zum Beispiel wenn die Positionsbeziehung von zwei Teilen beschrieben ist als „auf‟, „über“, „unter“, „an einer Seite“, usw., können ein oder mehrere Teile zwischen den beiden Teilen positioniert sein, es sei denn, „genau“ oder „unmittelbar“ wird verwendet.
Im Falle der Beschreibung von zeitlichen Beziehungen, zum Beispiel wenn die zeitliche Abfolgebeziehung beschrieben ist als „nach“, „kontinuierlich“, „als nächstes“, „bevor“, usw., können diskontinuierliche Fälle umfasst sein, es sei denn, „genau“ oder „unmittelbar“ wird verwendet.
Ausdrücke „erste/r/s“, „zweite/r/s“, usw., werden verwendet, um verschiedene Komponenten zu beschreiben, aber diese Komponenten sind nicht durch diese Ausdrücke beschränkt. Diese Ausdrücke werden nur dazu verwendet, um eine Komponente von einer anderen Komponente zu unterscheiden. Entsprechend kann im Rahmen des technischen Sinnes der vorliegenden Offenbarung eine erste Komponente, die unten erwähnt wird, eine zweite Komponente sein.
Bei der Beschreibung der Komponenten der vorliegenden Offenbarung können Ausdrücke wie „erste/r/s“, „zweite/r/s“, „A“, „B“, „(a)", „(b)“, usw., verwendet werden. Diese Ausdrücke werden nur dazu verwendet, um eine Komponente von anderen Komponenten zu unterscheiden, und die Art, der Rang, die Abfolge, oder die Anzahl der Komponente ist nicht durch diese Ausdrücke beschränkt. Wenn eine Komponente beschrieben ist als „verbunden“, „kombiniert“ oder „in Kontakt“ mit einer anderen Komponente, ist die Komponente direkt verbunden oder in Kontakt mit der anderen Komponente, aber es ist zu verstehen, dass eine weitere Komponente zwischen den Komponenten „eingefügt“ sein kann oder dass die Komponenten „verbunden“, „kombiniert“ oder „in Kontakt“ sein können mittels einer weiteren Komponente.
In der vorliegenden Offenbarung kann eine „Anzeigevorrichtung“ eine Anzeigevorrichtung im engen Sinn umfassen, die eine Anzeigepanel und einen Treiberteilbereich zum Ansteuern des Anzeigepanels aufweist, wie beispielsweise ein Flüssigkristallmodul (LCM), ein organisches lichtemittierendes Modul (OLED-Module) und ein Quantenpunktmodul (QD-Modul). Weiterhin kann die Anzeigevorrichtung ein fertiges Produkt oder Endprodukt umfassen, das ein LCM, ein OLED-Modul oder ein QD-Modul enthält, wie beispielsweise ein Notebook-Computer, ein Fernseher, ein Computermonitor, eine Equipment-Anzeige einschließlich einer Anzeigevorrichtung eines Automobils oder eine andere Art von Fahrzeug, eine Elektronische-Einrichtung eines Geräts wie beispielsweise eine Mobile-Elektronische-Einrichtung-Vorrichtung eines Smartphones oder eines elektronischen Pads, oder eine Gerät-Einrichtung oder Gerät-Vorrichtung.
Entsprechend kann die Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung eine Anzeigevorrichtung als solche im engen Sinne umfassen, wie beispielsweise ein LCM, ein OLED-Modul oder ein QD-Modul, und ein Anwendungsprodukt oder eine Gerät-Einrichtung, d.h. eine Endverbrauchereinrichtung, die ein LCM, ein OLED-Modul oder ein QD-Modul enthält.
Zusätzlich kann, in manchen Fällen, ein LCM, ein OLED-Modul oder ein QD-Modul, das aus einem Anzeigepanel und einem Treiberteilbereich aufgebaut ist, als eine „Anzeigeeinrichtung“ im engen Sinn bezeichnet werden, und eine elektronische Einrichtung als ein vollständiges Produkt, das ein LCM, ein OLED-Modul oder ein QD-Modul enthält, kann separat als „eine Gerät-Einrichtung“ bezeichnet werden. Zum Beispiel kann die Anzeigeeinrichtung im engen Sinn ein Anzeigepanel wie beispielsweise ein LC-Panel, ein OLED-Panel oder ein QD-Panel und eine Source-PCB, die eine Steuereinheit zum Ansteuern des Anzeigepanels ist, umfassen, und die Gerät-Einrichtung kann ein Konzept sein, das ferner eine Gerät-PCB aufweist, welche eine Gerät-Steuereinheit ist, die mit der Source-PCB elektrisch verbunden ist, um die gesamte Gerät-Einrichtung zu steuern.
Das in den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung verwendete Anzeigepanel kann alle Arten von Anzeigepaneln umfassen, wie beispielsweise ein Flüssigkristallanzeigepanel, ein Organische-Leuchtdioden-Anzeigepanel, ein Quantenpunktanzeigepanel, oder ein elektrolumineszentes Anzeigepanel, und ist nicht auf ein bestimmtes Anzeigepanel beschränkt, das in der Lage ist, eine Einfassung zu biegen mit einem flexiblen Substrat für ein OLED-Anzeigepanel der vorliegenden Ausführungsform und einer Rückebenenstützstruktur darunter. Außerdem ist das in den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung verwendete Anzeigepanel nicht auf die Form oder Größe des Anzeigepanels beschränkt.
Wenn zum Beispiel das Anzeigepanel ein OLED-Anzeigepanel ist, kann es eine Vielzahl von Gateleitungen und Datenleitungen aufweisen und Pixel, die an Kreuzungsgebieten der Gateleitungen und Datenleitungen ausgebildet sind. Außerdem kann es so eingerichtet sein, dass es eine Matrix aufweist, die einen Dünnfilmtransistor aufweist, welcher ein Element zum selektiven Anlegen einer Spannung an jedes Pixel ist, eine Organische-lichtemittierende-Einrichtung (OLED) - Schicht auf der Matrix, ein Verkapselungssubstrat oder eine Verkapselungsschicht über der Matrix, um die Organische-lichtemittierende-Einrichtung-Schicht zu bedecken, und so weiter. Die Verkapselungsschicht kann den Dünnfilmtransistor und die Organische-lichtemittierende-Einrichtung-Schicht vor Einwirkungen von außen schützen und verhindern, dass Feuchtigkeit oder Sauerstoff in die Organische-lichtemittierende-Einrichtung-Schicht eindringt. Ferner kann eine auf der Matrix ausgebildete anorganische lichtemittierende Schicht zum Beispiel eine Schicht mit einem Material in Nanogröße einen Quantenpunkt aufweisen.
Es wird nun ausführlich Bezug genommen auf beispielhafte Ausführungsformen der Offenbarung, von denen Beispiele in den beigefügten Zeichnungen dargestellt sind.
In der vorliegenden Offenbarung zeigt 1 ein beispielhaftes Organische-Leuchtdioden (OLED) - Anzeigepanel 100, das in Anzeigevorrichtungen integriert werden kann.
1 ist eine Draufsicht eines Anzeigepanels gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Bezugnehmend auf 1 weist das OLED-Anzeigepanel 100 mindestens ein aktives Gebiet AA auf, in dem lichtemittierende Einrichtungen und eine Matrix zum Ansteuern der lichtemittierenden Einrichtungen ausgebildet sind.
Das Anzeigepanel 100 kann ein inaktives Gebiet aufweisen, das um das aktive Gebiet AA herum angeordnet ist, und oben, unten, links und rechts des aktiven Gebiets können als das inaktive Gebiet bezeichnet werden. Das aktive Gebiet AA kann eine rechteckige Form haben oder eine Form mit einer Kerbe und abgerundeten Ecken. Diverse Arten von Anzeigevorrichtungen wie beispielsweise ein Kreis, ein Oval oder ein Polygon können bei einer Smart Watch oder einer Anzeigevorrichtung für ein Fahrzeug verwendet werden. Dementsprechend ist die Anordnung der inaktiven Gebiete, die das aktive Gebiet AA umgeben, nicht auf das in 1 dargestellte OLED-Anzeigepanel 100 beschränkt. Diverse Komponenten zum Ansteuern lichtemittierender Einrichtungen und Matrizen, die in dem aktiven Gebiet AA ausgebildet sind, sind in dem linken und rechten inaktiven Gebiet des aktiven Gebiets AA angeordnet, wodurch eine Funktion für stabile Lichtemission bereitgestellt wird. Zum Beispiel kann es Schaltkreise wie beispielsweise einen Gate-in-Panel (GIP) - Schaltkreis 300 und einen Elektrostatische-Entladung (ESD) - Schaltkreis 500 geben, ein Gebiet für den Kontakt zwischen einer oberen Elektrode oder einer Kathode, welche ein Teil der lichtemittierenden Einrichtung ist, und einer Versorgungsleitung für niedrige Spannung (VSS) 410, welche ein Spannungsbezugspunkt der lichtemittierenden Einrichtung ist, und eine Vielzahl von Dammstrukturen, welche dazu dienen, ein Überfließen nach außerhalb des Anzeigepanels 100 zu verhindern während eines Beschichtungsprozesses einer Partikelkompensationsschicht einer Verkapselungsschicht zum Schützen der lichtemittierenden Einrichtung vor externer Feuchtigkeit oder Partikeln. Zusätzlich kann ein Rissstopperstruktur 400 angeordnet sein, um zu verhindern, dass Risse, die auftreten können während eines Ritzprozesses zum Teilen eines Mutterglases in einzelne Anzeigepanel 100, ins Innere des Anzeigepanels 100 übertragen werden.
Die Rissstopperstruktur 460 der vorliegenden Offenbarung kann verhindern, dass eine Auswirkung, die an einer Schnittlinie des Substrats 110 erzeugt wird während eines Ritzprozesses, den GIP-Schaltkreis 300, den ESD-Schaltkreis 500 oder die Versorgungsleitung für niedrige Spannung 410, die in dem inaktiven Gebiet ausgebildet sind, erreicht und zerstört, oder einen Feuchtigkeitseindringpfad bereitstellt zu der lichtemittierenden Einrichtung oder der Matrix, die in dem aktiven Gebiet AA ausgebildet sind, so dass es möglich ist, das Anwachsen eines dunklen Flecks oder die Erzeugung von Pixelschrumpfen zu verhindern.
Die Rissstopperstruktur 460 kann als eine anorganische Schicht oder eine organische Schicht eingerichtet sein, oder kann als eine Mehrschichtstruktur aus einer anorganischen Schicht und einer organischen Schicht eingerichtet sein, aber ist nicht darauf beschränkt. In 1 ist die Rissstopperstruktur 460 dargestellt als in beiden langen Seiten und einer kurzen Seite des Anzeigepanels 100 angeordnet, aber ist nicht darauf beschränkt.
In einem zu der Schnittlinie des Substrats 110 benachbarten Gebiet, das außerhalb der Rissstopperstruktur 460 ist, kann ein Teil von oder alle Isolationsschichten wie beispielsweise eine Gateisolationsschicht (GI), eine Pufferschicht und dergleichen, welche über die gesamte Oberfläche abgeschieden werden, wenn das aktive Gebiet AA gebildet wird, weggeätzt werden. Ein geringer Anteil an Isolationsschicht verbleibt auf dem Substrat 110, oder die obere Oberfläche des Substrats 110 wird durch Ätzen vollständig freigelegt, so dass es möglich ist, dass eine Auswirkung des Schneidens nicht auf die entsprechende Isolationsschicht übertragen wird.
Das Anzeigepanel 100 gemäß einem Beispiel kann ein Dünnfilmtransistormatrixsubstrat, das eine Vielzahl von Pixeln, die durch eine Vielzahl von Gateleitungen und eine Vielzahl von Datenleitungen definiert sind, und einen in jedem Pixel bereitgestellten Dünnfilmtransistor zum Ansteuern jedes Pixels aufweist, eine Organische-lichtemittierende-Einrichtung-Schicht, die auf dem Dünnfilmtransistormatrixsubstrat bereitgestellt ist, und eine Verkapselungsschicht, die die Organische-lichtemittierende-Einrichtung-Schicht bedeckt, aufweisen. Hierbei schützt die Verkapselungsschicht den Dünnfilmtransistor und die Organische-lichtemittierende-Einrichtung-Schicht vor äußerem Einfluss und verhindert, dass Feuchtigkeit in die Organische-lichtemittierende-Einrichtung-Schicht eindringt.
Bezugnehmend auf 1 kann eine FPCB, die elektrisch verbunden ist mit einem Pad 450, das ausgebildet ist, um ein Datenansteuersignal zu empfangen oder um ein Berührungssignal mit einer externen Energiequelle auszutauschen, in einem unteren Gebiet des Anzeigepanels 100 bereitgestellt sein. Eine Versorgungsleitung für hohe Spannung (VDD) 420, eine Versorgungsleitung für niedrige Spannung (VSS) 410 und/oder Datenspannungsleitungen, die sich von der FPCB aus erstrecken, können angeordnet sein. Die Versorgungsleitung für niedrige Spannung 410 wird verwendet, um eine Bezugsspannung der Einrichtung in dem aktiven Gebiet AA zu bilden, und kann so angeordnet sein, dass sie das aktive Gebiet AA umgibt, um den Widerstand zu verringern. Die Versorgungsleitung für niedrige Spannung 410 kann so angeordnet sein, dass sie drei Seiten des aktiven Gebiets AA umgibt, mit Ausnahme einer Seite, an der das Pad 450 angeordnet ist, und kann eine Verbindungsstruktur haben, um mit der oberen Elektrode verbunden zu sein.
Die Datenspannungsleitung der vorliegenden Offenbarung kann so angeordnet sein, dass sie mit einem Datentreiber-IC verbunden ist, der ein Lichtemissionssignal der lichtemittierenden Einrichtung erzeugt.
Ein Gebiet, in dem das oben beschriebene Pad 450 angeordnet ist, kann ein Teilbereich, in dem eine zweite Komponente gebildet ist, sein. Die Versorgungsleitung für hohe Spannung 420 und ein Teil der Versorgungsleitung für niedrige Spannung 410 können in dem Teilbereich, in dem eine zweite Komponente gebildet ist, angeordnet sein.
Ein mit dem Pad 450 verbundenes Element, das auf der Oberseite des Anzeigepanels 100 ausgebildet ist, ist nicht auf die FPCB beschränkt, diverse Elemente können verbunden sein, und das Pad 450 kann auf der Oberseite oder der Rückseite des Anzeigepanels 100 angeordnet sein.
Das Substrat 110, das die Basis des Anzeigepanels 100 ist, kann aus verschiedenen Materialien wie beispielsweise Glas, Metall oder Plastik ausgebildet sein. Wenn das Substrat 110 ein flexibles Substrat ist, kann das Substrat 110 ein Polymerharz enthalten wie beispielsweise Polyethersulfon (PES), Polyacrylat (PAR), Polyetherimid (PEI), Polyethylennaphthalat (PEN), Polyethylenterephthalat (PET), Polyphenylensulfid (PPS), Polyarylat, Polyimid (PI), Polycarbonat (PC), oder Celluloseacetatpropionat (CAP). Außerdem kann das Substrat 110 eine Struktur haben, die zwei Kunststoffsubstrate und eine anorganische Schicht zwischen den zwei Kunststoffsubstraten aufweist. Die zwei Kunststoffsubstrate können das oben erwähnte Polymerharz enthalten und können die gleiche Dicke oder unterschiedliche Dicken haben. Zum Beispiel kann jedes der zwei Kunststoffsubstrate Polyimid enthalten und kann eine Dicke von 3 µm bis 20 µm haben. Die anorganische Schicht ist eine Barrierenschicht, die das Eindringen von Partikeln von außen verhindert, und kann eine Einzelschicht oder eine Mehrfachschicht sein, die ein anorganisches Material wie beispielsweise Siliziumnitrid (SiNx) und/oder Siliziumoxid (SiOx) enthält. Die anorganische Schicht kann eine dicke von ungefähr 6000 Ä haben, ist aber nicht darauf beschränkt.
2 zeigt einen Querschnitt der Schnittlinie I-I' von 1. Ein Dünnfilmtransistor 200 ist in einem aktiven Gebiet AA des Substrats 110 angeordnet. Zusätzlich zu dem Dünnfilmtransistor 200 kann eine mit dem Dünnfilmtransistor 200 elektrisch verbundene Anzeigeeinrichtung angeordnet sein. In 2 ist eine organische lichtemittierende Einrichtung als die Anzeigeeinrichtung gezeigt. Nachfolgend wird beschrieben, dass das Anzeigepanel 100 gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine organische lichtemittierende Einrichtung als die Anzeigeeinrichtung enthält. Die Tatsache, dass die organische lichtemittierende Einrichtung, welche die Anzeigeeinrichtung ist, mit dem Dünnfilmtransistor 200 elektrisch verbunden ist, kann so verstanden werden, dass eine in der organischen lichtemittierenden Einrichtung enthaltene Anode 240 mit dem Dünnfilmtransistor 200 elektrisch verbunden ist. Der Dünnfilmtransistor 200 kann auch in einem inaktiven Gebiet IA von Peripherien des Substrats 110 angeordnet sein. Der in dem inaktiven Gebiet IA angeordnete Dünnfilmtransistor 200 kann ein Teil sein eines Schaltkreisteilbereichs zum Steuern eines elektrischen Signals, das an das aktive Gebiet AA angelegt wird.
Der Dünnfilmtransistor 200 weist eine Halbleiterschicht 210, die amorphes Silizium, polykristallines Silizium oder ein organisches Halbleitermaterial enthält, eine Gateelektrode 220 und Source/Drain-Elektroden 230 auf. Eine aus Siliziumoxid, Siliziumnitrid oder Siliziumoxynitrid gebildete Pufferschicht 120 kann auf dem Substrat 100 ausgebildet sein, um eine Oberfläche des Substrats 110 zu glätten oder zu verhindern, dass Verunreinigungen in die Halbleiterschicht 210 eindringen, und die Halbleiterschicht 210 kann auf der Pufferschicht 120 angeordnet sein.
Die Gateelektrode 220 kann über der Halbleiterschicht 210 angeordnet sein. Die Gateelektrode 220 kann zum aus einem oder mehr von Aluminium (Al), Platin (Pt), Palladium (Pd), Silber (Ag), Magnesium (Mg), Gold (Au), Nickel (Ni), Neodym (Nd), Iridium (Ir), Chrom (Cr), Lithium (Li), Calcium (Ca), Molybdän (Mo), Titan (Ti), Wolfram (W) und Kupfer (Cu) gebildet sein und kann eine Einzelschicht oder eine Mehrfachschicht sein unter Berücksichtigung der Haftkraft zu angrenzenden Schichten, Oberflächenglattheit der zu stapelnden Schicht und Verarbeitbarkeit. Hierbei kann eine aus Siliziumoxid, Siliziumnitrid oder Siliziumoxynitrid gebildete Gateisolationsschicht 130 zwischen der Halbleiterschicht 210 und der Gateelektrode 220 eingefügt sein, um die Isolation zwischen der Halbleiterschicht 210 und der Gateelektrode 220 sicherzustellen. Eine anorganische Isolationsschicht 140 kann aus Siliziumoxid, Siliziumnitrid oder Siliziumoxynitrid gebildet sein und kann eine Einzelschicht oder eine Mehrfachschicht sein.
Die Source/Drain-Elektroden 230 sind auf der anorganischen Isolationsschicht 140 angeordnet. Die Source/Drain-Elektroden 230 sind mit der Halbleiterschicht 210 durch entsprechende Kontaktlöcher hindurch elektrisch verbunden, die in der anorganischen Isolationsschicht 140 und der Gateisolationsschicht 130 ausgebildet sind.
Die Source/Drain-Elektroden 230 können beispielsweise aus einem oder mehr von Aluminium (Al), Platin (Pt), Palladium (Pd), Silber (Ag), Magnesium (Mg), Gold (Au), Nickel (Ni), Neodym (Nd), Iridium (Ir), Chrom (Cr), Lithium (Li), Calcium (Ca), Molybdän (Mo), Titan (Ti), Wolfram (W) und Kupfer (Cu) gebildet sein und kann eine Einzelschicht oder eine Mehrfachschicht sein oder Berücksichtigung der Leitfähigkeit.
Eine (nicht gezeigte) Passivierungsschicht, die den Dünnfilmtransistor 200 bedeckt, kann angeordnet sein, um den Dünnfilmtransistor 200, der eine solche Struktur hat, zu schützen. Die Passivierungsschicht kann aus einem anorganischen Material wie beispielsweise Siliziumoxid, Siliziumnitrid oder Siliziumoxynitrid gebildet sein. Die Passivierungsschicht kann eine Einzelschicht oder eine Mehrfachschicht sein.
Eine Planarisierungsschicht 150 kann auf der Passivierungsschicht angeordnet sein. Wenn zum Beispiel die organische lichtemittierende Einrichtung auf dem Dünnfilmtransistor 200 angeordnet ist, wie in 2 gezeigt, kann die Planarisierungsschicht 150 dazu dienen, einen oberen Teilbereich der Passivierungsschicht, die den Dünnfilmtransistor 200 bedeckt, wesentlich zu glätten. Die Planarisierungsschicht 150 kann ein organisches Material enthalten, das ein Allgemeinverwendungspolymer wie beispielsweise Polymethylmethacrylat (PMMA) oder Polystyren (PS), ein Polymerderivat mit einer phenolischen Gruppe, ein Acryl-basiertes Polymer, ein Imid-basiertes Polymer, ein Arylether-basiertes Polymer, ein Amid-basiertes Polymer, ein Fluor-basiertes Polymer, ein P-Xylen-basiertes Polymer, ein Vinylalkohol-basiertes Polymer, und Mischungen davon, enthält, aber ist nicht darauf beschränkt. Außerdem, obwohl die Planarisierungsschicht 150 in 2 als eine einzelne Schicht gezeigt ist, sind diverse Modifikationen wie beispielsweise eine Mehrfachschicht möglich. Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann das Anzeigepanel die Passivierungsschicht und die Planarisierungsschicht 150 aufweisen oder kann die Planarisierungsschicht 150 aufweisen, wie erforderlich. Die Planarisierungsschicht 150 kann als eine erste Isolationsschicht bezeichnet werden.
In dem aktiven Gebiet AA des Substrats 110 weist die organische lichtemittierende Einrichtung die Anodenelektrode 240, eine Kathodenelektrode 250 und eine dazwischen eingefügte lichtemittierende Schicht auf. Hierbei wird die organische lichtemittierende Einrichtung beschrieben als eine organische Materialschicht, welche die lichtemittierende Schicht aufweist, aber kann mehr einschließend als die Anodenelektrode 240 und die Kathodenelektrode 250 aufweisend betrachtet werden, welche essentielle Elemente zum Emittieren von Licht sind.
Die Planarisierungsschicht 150 weist einen offenen Teilbereich auf, der mindestens eine der Source/Drain-Elektroden 230 des Dünnfilmtransistors 200 freilegt, und die Anodenelektrode 240, welche mit einer der Source/Drain-Elektroden 230 durch den offenen Teilbereich hindurch verbunden ist, ist auf der Planarisierungsschicht 150 angeordnet. Die Anodenelektrode 240 kann aus einem leitfähigen Material, das eine relativ hohe Austrittsarbeit hat, gebildet sein. Die Anodenelektrode 240 kann eine (semi-)transparente Elektrode oder eine reflektierende Elektrode sein. Wenn die Anodenelektrode 240 eine (semi-)transparente Elektrode ist, kann die Anodenelektrode 240 beispielsweise ITO, IZO, ZnO, In₂O₃, IGO oder AZO enthalten. Wenn die Anodenelektrode 240 eine reflektierende Elektrode ist, kann die Anodenelektrode 240 eine reflektierende Schicht, die aus Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr oder einer Legierung davon gebildet ist, und eine Schicht, die aus ITO, IZO, ZnO, In₂O₃, IGO oder AZO gebildet ist, enthalten. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf beschränkt. Die Anodenelektrode 240 kann diverse Materialien enthalten und kann eine Struktur aus einer Einzelschicht oder einer Mehrfachschicht haben. Diverse Modifikationen können vorgenommen werden. Obwohl in dieser Ausführungsform als Anodenelektrode 240 beschrieben, kann sie als Pixelelektrode oder eine erste Elektrode bezeichnet werden.
Eine Bankschicht 160 kann auf der Planarisierungsschicht 150 angeordnet sein. Die Bankschicht 160 dient dazu, ein Pixel zu definieren, indem sie eine Öffnung entsprechend zu jedem Subpixel hat, das heißt, eine Öffnung, durch welche zumindest ein zentraler Teilbereich der Anodenelektrode 240 freigelegt ist. Zusätzlich, wie in 2 gezeigt, vergrößert die Bankschicht 160 einen Abstand zwischen einem Rand der Anodenelektrode 240 und der Kathodenelektrode über der Anodenelektrode 240, so dass die Bankschicht 160 dazu dient, das Auftreten von Bögen am Rand der Anodenelektrode 240 zu verhindern. Die Bankschicht 160 kann aus einem organischen Material gebildet sein wie beispielsweise Polyimid oder Hexamethyldisiloxan (HMDSO). Die Bankschicht 160 kann als eine zweite Isolationsschicht oder eine pixeldefinierende Schicht bezeichnet werden.
Eine Zwischenschicht der organischen lichtemittierenden Einrichtung kann ein Material mit geringem Molekulargewicht oder hohem Molekulargewicht enthalten. Wenn die Zwischenschicht ein Material mit geringem Molekulargewicht enthält, kann die Zwischenschicht eine Struktur haben, in der eine Lochinjektionsschicht (HIL), eine Lochtransportschicht (HTL), eine Emissionsschicht (EML), eine Elektrontransportschicht (ETL), eine Elektroninjektionsschicht (EIL), und so weiter einzeln oder komplex gestapelt sind, und kann diverser organische Materialien enthalten wie beispielsweise Kupferphthalocyanin (CuPc), N,N-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-di Phenyl-benzidin (N,N'-Di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidin: NPB), tris-8-hydroxyquinolin Aluminium (Alq3), und dergleichen. Diese Schichten können mittels eines Vakuumverdampfungsverfahrens gebildet werden.
Wenn die Zwischenschicht ein Material mit hohem Molekulargewicht enthält, kann die Zwischenschicht eine Struktur haben, die eine Lochtransportschicht (HTL) und eine Emissionsschicht (EML) enthält. Hierbei kann die Lochtransportschicht PEDOT enthalten, und die Emissionsschicht kann ein Polymermaterial wie beispielsweise PPV(Poly-Phenylenvinylen) und Polyfluoren enthalten. Die Zwischenschicht kann mittels eines Siebdruck- oder Tintenstrahldruckverfahrens oder eines laserinduzierten Thermoabbildungsverfahrens gebildet werden.
Jedoch ist die Zwischenschicht nicht notwendigerweise darauf beschränkt und kann diverse Strukturen haben.
Die Kathodenelektrode 250 ist über dem aktiven Gebiet AA angeordnet, und, wie in 2 gezeigt, kann die Kathodenelektrode 250 so angeordnet sein, dass sie das aktive Gebiet AA bedeckt. Das heißt, die Kathodenelektrode 250 kann bezüglich der Vielzahl von organischen lichtemittierenden Einrichtungen als ein Körper ausgebildet sein und kann zu der Vielzahl von Anodenelektroden 240 korrespondieren. Die Kathodenelektrode 250 kann eine (semi-)transparente Elektrode oder eine reflektierende Elektrode sein.
Wenn die Kathodenelektrode 250 eine (semi-)transparente Elektrode ist, kann die Kathodenelektrode 250 eine Schicht, die aus einem Metall mit einer relativ niedrigen Austrittsarbeit gebildet ist, wie beispielsweise Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg oder einer Legierung davon, und eine (semi-)transparente leitfähige Schicht, die aus ITO, IZO, ZnO, In₂O₃ gebildet ist, aufweisen. Wenn die Kathodenelektrode 250 eine reflektierende Elektrode ist, kann die Kathodenelektrode 250 eine Schicht aufweisen, die aus Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg oder einer Legierung davon gebildet ist. Jedoch sind die Konfiguration und das Material der Kathodenelektrode 250 nicht darauf beschränkt, und diverse Modifikationen können vorgenommen werden.
Da die Anzeigeeinrichtung wie beispielsweise die organische lichtemittierende Anzeigeeinrichtung die Kathodenelektrode 250 aufweist, muss ein vorgegebenes elektrisches Signal an die Kathodenelektrode 250 angelegt werden, um ein Bild anzuzeigen. Dementsprechend ist die Versorgungsleitung für niedrige Spannung 410 in dem inaktiven Gebiet IA positioniert, um das vorgegebene elektrische Signal an die Kathodenelektrode 250 zu übertragen. Obwohl in dieser Ausführungsform als Kathodenelektrode 250 beschrieben, kann sie als eine Kathode, eine Gegenelektrode, eine obere Elektrode oder eine zweite Elektrode bezeichnet werden.
Bezugnehmend auf 2 kann ein Querschnitt des inaktiven Gebiets IA, das an einer Seite des aktiven Gebiets AA angeordnet ist, entlang der Schnittlinie I-I' von 1 gesehen werden. In dem inaktiven Gebiet IA können in einer Reihenfolge ein Gatetreiberteilbereich 300, eine Vielzahl von Dammstrukturen 170 und eine Rissstopperstruktur 460 angrenzend an das aktive Gebiet AA angeordnet sein. Der Gatetreiberteilbereich 300 kann der GIP-Schaltkreis sein. Der Gatetreiberteilbereich 300 kann eine Emissionssignaltreibereinheit 310, eine Scansignaltreibereinheit 320 und eine Verbindungseinheit 330 aufweisen. Die Schaltkreiskonfiguration kann variieren entsprechend der Konfiguration der organischen lichtemittierenden Einrichtung, und der Gatetreiberteilbereich 300 kann mindestens ein Emissionssteuersignal und mindestens ein Scansteuersignal an das Subpixel, das die organische lichtemittierende Einrichtung enthält, übertragen. Die Verbindungseinheit 330 kann zwischen der Emissionssignaltreibereinheit 310 und der organischen lichtemittierenden Einrichtung und zwischen der Scansignaltreibereinheit 320 und der organischen lichtemittierenden Einrichtung angeordnet sein zum Übertragen der Signale. Jede der Emissionssignaltreibereinheit 310 und der Scansignaltreibereinheit 320 kann eine Vielzahl von Transistoren und mindestens einen Kondensator aufweisen.
Die Planarisierungsschicht 150 kann auf dem Gatetreiberteilbereich 300 wie beschrieben angeordnet sein in dem aktiven Gebiet AA, und eine Metallschicht, die aus demselben Material wie die Anodenelektrode 240 gebildet ist, kann auf der Planarisierungsschicht 150 angeordnet sein. Die Metallschicht, die aus demselben Material wie die Anodenelektrode 240 gebildet ist, kann als eine Verbindungselektrode 740 bezeichnet werden. Mindestens ein Ausgasungsmuster 750 kann in der Verbindungselektrode 740 bereitgestellt sein. Das Ausgasungsmuster 750 kann in dem inaktiven Gebiet IA angeordnet sein und kann die Form eines Lochs haben zum Abführen von Wasserstoffgas (H₂), das in der Planarisierungsschicht 150 erzeugt werden kann während eines Wärmebehandlungsprozesses von Prozessen zum Herstellen des Anzeigepanels 150. Die Verbindungselektrode 740 und das Ausgasungsmuster 750 können den Gatetreiberteilbereich 300 des inaktiven Gebiets IA in zumindest einigen Abschnitten überlappen. Die in dem aktiven Gebiet AA angeordnete Bankschicht 160 kann sich über die Verbindungselektrode 740 erstrecken in dem inaktiven Gebiet IA. Die in dem aktiven Gebiet AA angeordnete Kathodenelektrode 250 kann sich über die Bankschicht 160 erstrecken in dem inaktiven Gebiet IA.
Bezugnehmend auf 2 weist der Gatetreiberteilbereich 300 die Emissionssignaltreibereinheit 310 und die Scansignaltreibereinheit 320 auf, und zum Beispiel kann die Emissionssignaltreibereinheit 310 außerhalb der Scansignaltreibereinheit 320 angeordnet sein. Das heißt, die Scansignaltreibereinheit 320 kann zwischen der Emissionssignaltreibereinheit 310 und dem aktiven Gebiet AA angeordnet sein. Jedoch sind die Positionen der Emissionssignaltreibereinheit 310 und der Scansignaltreibereinheit 320 nicht darauf beschränkt. Um ein Eindringen von Feuchtigkeit von außen zu verhindern, kann eine Isolationsstruktur zwischen der Emissionssignaltreibereinheit 310 und der Scansignaltreibereinheit 320 ausgebildet sein zum Trennen von Teilen der Planarisierungsschicht 150 und der Bankschicht 160, welche die Hauptpfade der Feuchtigkeit sind. Zum Beispiel können die Planarisierungsschicht 150 und die Bankschicht 160 geätzt werden, wodurch ein Loch gebildet wird, das die anorganische Isolationsschicht 140 oder die Gateisolationsschicht 130 freilegt. Die äußere Feuchtigkeit, die sich durch die Planarisierungsschicht 150 und die Bankschicht 160 bewegt, kann sich an dem geätzten Teilbereich nicht bewegen. Die Verbindungelektrode 740 und die Kathodenelektrode 250 können auf dem Loch angeordnet sein. Eine Struktur, bei der die Verbindungselektrode 740 und die Kathodenelektrode 250 in dem geätzten Teilbereich der Planarisierungsschicht 150 und der Bankschicht 160 angeordnet sind und miteinander verbunden sind, kann ein Kontaktgebiet 600 (auch als Verbindungsgebiet bezeichnet) sein. Das Kontaktgebiet 600 kann ein Kontaktgarantiegebiet 610 (auch als Verbindungsunterstützungsgebiet bezeichnet) und ein Kontaktloch 620 aufweisen. Die Kathodenelektrode 250 und die Verbindungselektrode 740 können elektrisch miteinander kontaktiert sein durch das Kontaktgebiet 600, und die Verbindungselektrode 740 kann sich in einen Randbereich des inaktiven Gebiets IA erstrecken, um mit der Versorgungsleitung 410 für niedrige Spannung verbunden zu werden. Die Vielzahl von Dammstrukturen 170 können in der Nähe eines Gebiets angeordnet sein, wo die Verbindungselektrode 740 und die Versorgungsleitung für niedrige Spannung 410 verbunden sind. Die Vielzahl von Dammstrukturen 170 können eine Verkapselungsschicht bilden, um ein Eindringen der äußeren Feuchtigkeit zu verhindern, nachdem die organische lichtemittierende Einrichtung gebildet ist. Die Dammstrukturen 170 können verhindern, dass eine organische Schicht der Verkapselungsschicht zur Peripherie des Substrats 110 hinunterfließt. Die oben beschriebene Rissstopperstruktur 460 kann so angeordnet sein, dass sie durch einen vorgegebenen Abstand von der Vielzahl von Dammstrukturen 170 getrennt in Richtung hin zu der Peripherie 110 angeordnet ist.
Um das Eindringen der äußeren Feuchtigkeit zu verhindern, kann das Kontaktgebiet 600 dazu dienen, die organische Isolationsschicht zu unterbrechen, welche ein Hauptpfad für das Eindringen von Feuchtigkeit ist, wodurch die Erstreckung der organischen Isolationsschicht zu dem aktiven Gebiet AA getrennt wird. Zusätzlich kann ein Punkt der elektrischen Verbindung der Kathodenelektrode 250 und der Verbindungselektrode 740 von außerhalb des Gatetreiberteilbereichs 300 nach innen verschoben sein. Der Punkt der elektrischen Verbindung der Kathodenelektrode 250 und der Verbindungselektrode 740, welcher außerhalb des Gatetreiberteilbereichs 300 angeordnet war, kann zur Innenseite verschoben sein, wo der Gatetreiberteilbereich 300 angeordnet ist, so dass der Raum, der von dem Einfassungsgebiet eingenommen wird, reduziert wird. Das Kontaktgebiet 600 kann so angeordnet sein, dass es das Gebiet überlappt, wo der der Gatetreiberteilbereich 300 angeordnet ist, und somit können die Vielzahl von Dammstrukturen 170 und die Rissstopperstruktur 460 näher an dem aktiven Gebiet AA angeordnet sein.
Das Kontaktgebiet 600 kann eine gestufte Struktur haben, so dass die Kathodenelektrode 250 und die Verbindungselektrode 740 einander gut kontaktieren können. Zum Beispiel kann sich eine Breite einer ersten Isolationsstruktur zum Trennen der Planarisierungsschicht 150 unterscheiden von einer Breite einer zweiten Isolationsstruktur zum Trennen der Bankschicht 160. Die Breite der zweiten Isolationsstruktur der Bankschicht 160 kann größer sein als die Breite der ersten Isolationsstruktur der Planarisierungsschicht 150, so dass die Verbindungselektrode 740 entlang der ersten Isolationsstruktur der Planarisierungsschicht 150 ausgebildet sein kann. Wenn die Kathodenelektrode 250 entlang der zweiten Isolationsstruktur der Bankschicht 160 ausgebildet ist, so wie in 2 gezeigt, kann gesehen werden, dass die Verbindungselektrode 740 und die Kathodenelektrode 250 eine bestimmte Stufenform haben können und einander kontaktieren können. Ein Gebiet, wo sich die Breite der ersten Isolationsstruktur der Planarisierungsschicht 150 und die Breite der zweiten Isolationsstruktur der Bankschicht 160 unterscheiden, kann als das Kontaktgarantiegebiet 610 bezeichnet werden. Wenn die Planarisierungsschicht 150 und die Bankschicht 160 gleichzeitig geätzt werden, kann der Prozess einfach sein. Jedoch müssen die Verbindungselektrode 740 und die Kathodenelektrode 250 mittels einer vertikalen Seitenwand der Isolationsstruktur miteinander verbunden werden. Außerdem kann ein Bodengebiet der Isolationsstruktur sehr eng sein. Zum Beispiel, wenn berücksichtigt wird, dass eine Restschicht in der Planarisierungsschicht 150 zurückbleiben kann, wenn die erste Isolationsstruktur der Planarisierungsschicht 150 gebildet wird, kann ein Überätzen bis zu der anorganischen Isolationsschicht 140 unter der Planarisierungsschicht 150 durchgeführt werden. Hierbei kann eine Isolationsstruktur der geätzten anorganischen Isolationsschicht 140 so gebildet werden, dass sie klein ist. Wenn berücksichtigt wird, dass die Kathodenelektrode 250 so gebildet wird, dass sie sehr dünn ist bis zu einer Dicke von ungefähr 100 bis 200 Ä, ist es möglich, dass die Kathodenelektrode 250 und die Verbindungselektrode 740 nicht in zuverlässigem elektrischen Kontakt miteinander sind mittels der Seitenwand oder des Bodens der Isolationsstruktur. Um die Kathodenelektrode 250 und die Verbindungselektrode 740 zuverlässig zu kontaktieren, kann das Kontaktgarantiegebiet 610 angeordnet sein. Die Isolationsstrukturen der Planarisierungsschicht 150 und der Bankschicht 160 können separat gebildet werden durch entsprechende Prozesse. Indem Mittelpunkte der Isolationsstrukturen oder die Breiten der Isolationsstrukturen unterschiedlich gemacht werden, kann eine Stelle gebildet werden, wo die Verbindungselektrode 740 so ausgebildet wird, dass sie flach auf der Planarisierungsschicht 150 ist. Wenn die Kathodenelektrode 250 auf der Stelle ausgebildet wird, wo die Kathodenelektrode 740 so ausgebildet ist, dass sie flach ist, kann ein zuverlässigerer Kontakt erzielt werden.
Das Kontaktgarantiegebiet 610 kann bezüglich eines Mittelpunkts des Kontaktgebiets 600 nahe dem aktiven Gebiet AA angeordnet sein. Je näher der Kontakt zwischen der Kathodenelektrode 250 und der Verbindungselektrode 740 an dem aktiven Gebiet AA ist, desto vorteilhafter ist der Widerstand der Kathodenelektrode 250, und der Kontaktpunkt der Kathodenelektrode 250 und der Verbindungselektrode 740 ist auch gegen das Eindringen der Feuchtigkeit von außen geschützt.
Das Kontaktgebiet 600 kann zwischen der Emissionssignaltreibereinheit 310 und der Scansignaltreibereinheit 320 des Gatetreiberteilbereichs 300 angeordnet sein. Da das Kontaktgebiet 600 dem aktiven Gebiet AA nah ist so weit wie der Raum der Emissionssignaltreibereinheit 310, gibt es Vorteile, dass der Raum des Einfassungsgebiets eingespart werden kann und das Eindringen der Feuchtigkeit von außen verhindert werden kann in der Peripherie des Gatetreiberteilbereichs 300. Für das Raumarrangement ist es jedoch notwendig, ein Design des Gatetreiberteilbereichs 300 zu verändern und den Abstand zwischen der Emissionssignaltreibereinheit 310 und der Scansignaltreibereinheit 320 teilweise anzupassen, wodurch das Kontaktgebiet 600 angeordnet wird.
Das Kontaktgebiet 600 kann, bezugnehmend auf 1, an der linken Seite und der rechten Seite des aktiven Gebiets AA angeordnet sein, wo der Gatetreiberteilbereich 300 angeordnet ist. Außerdem kann das Kontaktgebiet 600 an der oberen Seite des aktiven Gebiets AA und der unteren Seite des aktiven Gebiets AA, wo das Pad 450 angeordnet ist, angeordnet sein. Andererseits, da der Gatetreiberteilbereich 300 nicht an der oberen Seite und der unteren Seite des aktiven Gebiets AA angeordnet sein kann, kann das Kontaktgebiet 600 frei entworfen werden an der oberen Seite und der unteren Seite des aktiven Gebiets AA, ohne Rücksicht auf die Position des Gatetreiberteilbereichs 300.
3 zeigt einen Querschnitt des inaktiven Gebiets IA, das an der Seite des aktiven Gebiets AA angeordnet ist, entlang der Schnittlinie I-I' von 1. Die Beschreibung des aktiven Gebiets von 3 ist dieselbe wie die von 2 und wird weggelassen. Bezugnehmend auf 3 können in dem inaktiven Gebiet IA in einer Reihenfolge ein Gatetreiberteilbereich 300, eine Vielzahl von Dammstrukturen 170 und eine Rissstopperstruktur 460 angrenzend an das aktive Gebiet AA angeordnet sein. Der Gatetreiberteilbereich 300 kann ein GIP-Schaltkreis sein. Der Gatetreiberteilbereich 300 kann eine Emissionssignaltreibereinheit 310, eine Scansignaltreibereinheit 320 und eine Verbindungseinheit 330 aufweisen. Die Schaltkreiskonfiguration kann variieren entsprechend der Konfiguration der organischen lichtemittierenden Einrichtung, und der Gatetreiberteilbereich 300 kann mindestens ein Emissionssteuersignal und mindestens ein Scansteuersignal an das Subpixel übertragen, das die organische lichtemittierende Einrichtung enthält. Die Verbindungseinheit 330 kann zwischen der Emissionssignaltreibereinheit 310 und der organischen lichtemittierenden Einrichtung und zwischen der Scansignaltreibereinheit 320 und der organischen lichtemittierenden Einrichtung angeordnet sein zum Übertragen der Signale. Jede der Emissionssignaltreibereinheit 310 und der Scansignaltreibereinheit 320 kann eine Vielzahl von Transistoren und mindestens einen Kondensator aufweisen. Eine Planarisierungsschicht 150 kann auf dem Gatetreiberteilbereich 300 wie beschrieben angeordnet sein in dem aktiven Gebiet AA, und eine Metallschicht, die aus demselben Material gebildet ist wie die Anodenelektrode 240, kann auf der Planarisierungsschicht 150 angeordnet sein. Die Metallschicht, die aus demselben Material gebildet ist wie die Anodenelektrode 240, kann als eine Verbindungselektrode 740 bezeichnet werden. Mindestens ein Ausgasungsmuster 750 kann in der Verbindungelektrode 740 bereitgestellt sein. Das Ausgasungsmuster 750 kann in dem inaktiven Gebiet IA angeordnet sein und kann die Form eines Lochs haben zum Abführen von Wasserstoffgas (H2), das in der Planarisierungsschicht 150 erzeugt werden kann während eines Wärmebehandlungsprozesses von Prozessen zum Herstellen des Anzeigepanels 100. Die Verbindungselektrode 740 und das Ausgasungsmuster 750 können den Gatetreiberteilbereich 300 des inaktiven Gebiets IA in zumindest einigen Abschnitten überlappen. Die in dem aktiven Gebiet AA angeordnete Bankschicht 160 kann sich über die Verbindungselektrode 740 erstrecken in dem inaktiven Gebiet IA. Die in dem aktiven Gebiet AA angeordnete Kathodenelektrode 250 kann sich über die Bankschicht 160 erstrecken in dem inaktiven Gebiet IA.
Bezugnehmend auf 3 weist der Gatetreiberteilbereich 300 die Emissionssignaltreibereinheit 310 und die Scansignaltreibereinheit 320 auf, und die Emissionssignaltreibereinheit 310 kann zum Beispiel außerhalb der Scansignaltreibereinheit 320 angeordnet sein. Das heißt, die Scansignaltreibereinheit 320 kann zwischen der Emissionssignaltreibereinheit 310 und dem aktiven Gebiet AA angeordnet sein. Jedoch sind die Positionen der Emissionssignaltreibereinheit 310 und der Scansignaltreibereinheit 320 nicht darauf beschränkt. Um ein Eindringen von Feuchtigkeit von außen zu verhindern, kann eine Isolationsstruktur zwischen der Scansignaltreibereinheit 320 und der Verbindungseinheit 330 ausgebildet sein zum Trennen von Teilen der Planarisierungsschicht 150 und der Bankschicht 160, welche die Hauptpfade der Feuchtigkeit sind. Zum Beispiel können die Planarisierungsschicht 150 und die Bankschicht 160 geätzt werden, wodurch ein Loche gebildet wird, das die anorganische Isolationsschicht 140 oder die Gateisolationsschicht 130 freilegt. Die externe Feuchtigkeit, die sich durch die Planarisierungsschicht 150 und die Bankschicht 160 bewegt, kann sich an dem geätzten Teilbereich nicht bewegen. Die Verbindungselektrode 740 und die Kathodenelektrode 250 können auf dem Loch angeordnet sein. Eine Struktur, bei der die Verbindungselektrode 740 und die Kathodenelektrode 250 in dem geätzten Teilbereich der Planarisierungsschicht 150 und der Bankschicht 160 angeordnet sind und miteinander verbunden sind, kann ein Kontaktgebiet 600 sein. Das Kontaktgebiet 600 kann ein Kontaktgarantiegebiet 610 (auch als Verbindungsunterstützungsgebiet bezeichnet) und ein Kontaktloch 620 enthalten. Die Kathodenelektrode 250 und die Verbindungselektrode 740 können elektrisch miteinander in Kontakt sein mittels des Kontaktgebiets 600, und die Verbindungselektrode 740 kann sich in eine Peripherie des inaktiven Gebiets IA erstrecken, um mit einer Versorgungsleitung für niedrige Spannung 410 verbunden zu werden. Die Vielzahl von Dammstrukturen 170 können in der Nähe eines Gebiets angeordnet sein, wo die Verbindungselektrode 740 und die Versorgungsleitung für niedrige Spannung 410 verbunden sind. Die Vielzahl von Dammstrukturen 170 können eine Verkapselungsschicht bilden, um ein Eindringen der externen Feuchtigkeit zu verhindern, nachdem die organische lichtemittierende Einrichtung gebildet ist. Die Dammstrukturen 170 können verhindern, dass eine organische Schicht der Verkapselungsschicht hinunter zu der der Peripherie des Substrats 110 fließt. Die oben beschriebene Rissstopperstruktur 460 kann so angeordnet sein, dass sie durch einen vorgegebenen Abstand von der Vielzahl von Dammstrukturen 170 getrennt in Richtung hin zu der Peripherie 110 angeordnet ist.
Um das Eindringen der externen Feuchtigkeit zu verhindern, kann das Kontaktgebiet 600 dazu dienen, die organische Isolationsschicht zu unterbrechen, welche ein Hauptpfad für das Eindringen von Feuchtigkeit ist, wodurch die Erstreckung der organischen Isolationsschicht zu dem aktiven Gebiet AA getrennt wird. Außerdem kann ein Punkt einer elektrischen Verbindung der Kathodenelektrode 250 und der Verbindungselektrode 740 von der Außenseite des Gatetreiberteilbereichs 300 zu der Innenseite verschoben sein. Der Punkt der elektrischen Verbindung der Kathodenelektrode 250 und der Verbindungselektrode 740, welcher an der Außenseite des Gatetreiberteilbereichs 300 angeordnet war, kann in das Innere verschoben sein, wo der Gatetreiberteilbereich 300 angeordnet ist, so dass der Raum, der von dem Einfassungsgebiet eingenommen wird, reduziert werden kann. Das Kontaktgebiet 600 kann so angeordnet sein, dass es das Gebiet überlappt, wo der Gatetreiberteilbereich 300 angeordnet ist, und somit können die Vielzahl von Dammstrukturen 170 und die Rissstopperstruktur 460 näher an dem aktiven Gebiet AA angeordnet sein.
Das Kontaktgebiet 600 kann eine gestufte Struktur haben, so dass die Kathodenelektrode 250 und die Verbindungselektrode 740 einander gut kontaktieren können. Zum Beispiel kann sich eine Breite einer ersten Isolationsstruktur zum Unterbrechen der Planarisierungsschicht 150 unterscheiden von einer Breite einer zweiten Isolationsstruktur zum Unterbrechen der Bankschicht 160. Die Breite der zweiten Isolationsstruktur der Bankschicht 160 kann breiter sein als die Breite der ersten Isolationsstruktur der Planarisierungsschicht 150, so dass die Verbindungselektrode 740 entlang der ersten Isolationsstruktur der Planarisierungsschicht 160 ausgebildet sein kann. Wenn die Kathodenelektrode 250 entlang der zweiten Isolationsstruktur der Bankschicht 150 ausgebildet ist, wie in 3 gezeigt, kann gesehen werden, dass die Verbindungselektrode 740 und die Kathodenelektrode 250 eine bestimmte Stufenform haben und einander kontaktieren können. Ein Gebiet, wo die Breite der ersten Isolationsstruktur der Planarisierungsschicht 150 und die Breite der zweiten Isolationsstruktur der Bankschicht 160 voneinander verschieden sind, kann als ein Kontaktgarantiegebiet (der Verbindungsunterstützungsgebiet) 610 bezeichnet werden. Wenn die Planarisierungsschicht 150 und die Bankschicht 160 gleichzeitig geätzt werden, kann der Prozess einfach sein. Jedoch müssen die Verbindungselektrode 740 und die Kathodenelektrode möglicherweise mittels einer vertikalen Seitenwand der Isolationsstruktur miteinander verbunden werden. Zusätzlich kann ein Bodengebiet der Isolationsstruktur sehr eng sein. Zum Beispiel kann, unter Berücksichtigung, dass eine Restschicht in der Planarisierungsschicht 150 verbleiben kann, wenn die erste Isolationsstruktur der Planarisierungsschicht 150 gebildet wird, ein Überätzen bis zu der anorganischen Isolationsschicht 140 unter der Planarisierungsschicht 150 durchgeführt werden. Hierbei kann eine Isolationsstruktur der geätzten Isolationsschicht 140 so gebildet werden, dass sie klein ist. Wenn berücksichtigt wird, dass die Kathodenelektrode 250 so gebildet wird, dass sie sehr dünn ist bis zu einer Dicke von ungefähr 100 bis 200 Ä, können die Kathodenelektrode 250 und die Verbindungselektrode 740 nicht in zuverlässigem elektrischen Kontakt miteinander sein mittels der Seitenwand oder des Bodens der Isolationsstruktur. Um die Kathodenelektrode 250 und die Verbindungselektrode 740 zuverlässig in Kontakt zu bringen, kann das Kontaktgarantiegebiet 610 angeordnet sein. Die Isolationsstrukturen der Planarisierungsschicht 150 und der Bankschicht 160 können separat gebildet werden mittels entsprechender Prozesse. Indem Mittelpunkte der Isolationsstrukturen oder die Breiten der Isolationsstrukturen unterschiedlich gemacht werden, kann eine Stelle gebildet werden, wo die Verbindungselektrode 740 so ausgebildet wird, dass sie flach auf der Planarisierungsschicht 150 ist. Wenn die Kathodenelektrode 250 auf der Stelle ausgebildet ist, wo die Verbindungselektrode 740 so ausgebildet ist, dass sie flach ist, kann ein stabilerer Kontakt erzielt werden.
Das Kontaktgarantiegebiet 610 kann in der Nähe des aktiven Gebiets AA angeordnet sein, bezogen auf einen Mittelpunkt des Kontaktgebiets 600. Je näher der Kontakt zwischen der Kathodenelektrode 250 und der Verbindungselektrode 740 an dem aktiven Gebiet AA ist, desto vorteilhafter ist der Widerstand der Kathodenelektrode 250, und der Kontaktpunkt der Kathodenelektrode 250 und der Verbindungselektrode 740 ist ebenfalls gegen das Eindringen der externen Feuchtigkeit geschützt.
Das Kontaktgebiet 600 kann zwischen der Scansignaltreibereinheit 320 und der Verbindungseinheit 330 des Gatetreiberteilbereichs 300 angeordnet sein. Da das Kontaktgebiet 600 nahe dem aktiven Gebiet AA ist so weit wie der Raum der Emissionssignaltreibereinheit 310 und der Scansignaltreibereinheit 320, gibt es Vorteile, dass der Raum des Einfassungsgebiets eingespart werden kann und dass das Eindringen der externen Feuchtigkeit verhindert werden kann in der Mitte des Gatetreiberteilbereichs 300. Da das Kontaktgebiet 600 näher an dem aktiven Gebiet AA ist als verglichen mit 2, kann die eingedrungene Feuchtigkeit zu einem Gebiet vordringen, das relativ nah an der organischen lichtemittierenden Einrichtung ist. Jedoch kann es vorteilhaft sein bei dem elektrischen Widerstand des Anzeigepanels 100, das die Kathodenelektrode 250 die Verbindungselektrode 740 nahe dem aktiven Gebiet AA kontaktiert als verglichen mit 2. Zum Beispiel kann die Verbindungselektrode 740, welche einen geringeren Widerstand hat als die Kathodenelektrode 250, eine längere Distanz haben als die Struktur der 2, wodurch der Gesamtwiderstand der Versorgungsleitung für niedrige Spannung 410 verringert wird.
Das Kontaktgebiet 600 kann, bezugnehmend auf 1, an der linken Seite und der rechten Seite des aktiven Gebiets AA angeordnet sein, wo der Gatetreiberteilbereich 300 angeordnet ist. Außerdem kann das Kontaktgebiet 600 an der oberen Seite des aktiven Gebiets AA und der unteren Seite des aktiven Gebiets AA angeordnet sein, wo das Pad 450 angeordnet ist. Andererseits, da der Gatetreiberteilbereich 300 nicht an der oberen und der unteren Seite des aktiven Gebiets AA angeordnet sein kann, kann das Kontaktgebiet 600 frei gestaltet sein an der oberen und der unteren Seite des aktiven Gebiets AA, ungeachtet der Position des Gatetreiberteilbereichs 300.
4 zeigt einen Querschnitt des inaktiven Gebiets IA, das an der Seite des aktiven Gebiets AA angeordnet ist, entlang der Schnittlinie I-I' von 1. Die Beschreibung des aktiven Gebiets von 4 ist dieselbe wie jene von 2 und 3 und wird weggelassen. Bezugnehmend auf 4 können in dem inaktiven Gebiet IA in einer Reihenfolge ein Gatetreiberteilbereich 300, eine Vielzahl von Dammstrukturen 170 und eine Rissstopperstruktur 460 angeordnet sein benachbart zu dem aktiven Gebiet AA. Der Gatetreiberteilbereich 300 kann ein GIP-Schaltkreis sein. Der Gatetreiberteilbereich 300 kann eine Emissionssignaltreibereinheit 310, eine Scansignaltreibereinheit 320 und eine Verbindungseinheit 330 aufweisen. Die Schaltkreiskonfiguration kann variieren entsprechend der Konfiguration der organischen lichtemittierenden Einrichtung, und der Gatetreiberteilbereich 300 kann mindestens ein Emissionssteuersignal und mindestens ein Scansteuersignal an das Subpixel übertragen, das die organische lichtemittierende Einrichtung aufweist. Die Verbindungseinheit 330 kann zwischen der Emissionssignaltreibereinheit 310 und der organische lichtemittierenden Einrichtung und zwischen der Scansignaltreibereinheit 320 und der organischen lichtemittierenden Einrichtung angeordnet sein zum Übertragen der Signale. Jede der Emissionssignaltreibereinheit 310 und der Scansignaltreibereinheit 320 kann eine Vielzahl von Transistoren und mindestens einen Kondensator aufweisen. Eine Planarisierungsschicht 150 kann auf dem Gatetreiberteilbereich 300 wie beschrieben angeordnet sein in dem aktiven Gebiet AA, und eine Metallschicht, die aus demselben Material wie die Anodenelektrode 240 gebildet ist, kann auf der Planarisierungsschicht 150 angeordnet sein. Die Metallschicht, die aus demselben Material wie die Anodenelektrode 240 gebildet ist, kann als eine Verbindungselektrode 740 bezeichnet werden. Mindestens ein Ausgasungsmuster 750 kann in dem inaktiven Gebiet IA angeordnet sein und kann die Form eines Lochs haben zum Abführen von Wasserstoffgas (H2), das in der Planarisierungsschicht 150 erzeugt werden kann während eines Wärmebehandlungsprozesses von Prozessen zum Herstellen des Anzeigepanels 100. Die Verbindungselektrode 740 und das Ausgasungsmuster 750 können den Gatetreiberteilbereich 300 des inaktiven Gebiets IA in zumindest einigen Abschnitten überlappen. Die in dem aktiven Gebiet AA angeordnete Bankschicht 160 kann sich über die Verbindungselektrode 740 in dem inaktiven Gebiet IA erstrecken. Die in dem aktiven Gebiet AA angeordnete Kathodenelektrode 250 kann sich über die Bankschicht 160 in dem inaktiven Gebiet IA erstrecken.
Bezugnehmend auf 4 weist der Gatetreiberteilbereich 300 die Emissionssignaltreibereinheit 310 und die Scansignaltreibereinheit 320 auf, und die Emissionssignaltreibereinheit 310 kann zum Beispiel außerhalb der Scansignaltreibereinheit 320 angeordnet sein. Das heißt, die Scansignaltreibereinheit 320 kann zwischen der Emissionssignaltreibereinheit 310 und dem aktiven Gebiet AA angeordnet sein. Jedoch sind die Positionen der Emissionssignaltreibereinheit 310 und der Scansignaltreibereinheit 320 nicht darauf beschränkt. Um ein Eindringen von Feuchtigkeit von außen zu verhindern, kann eine Isolationsstruktur zwischen der Verbindungseinheit 330 und dem aktiven Gebiet AA ausgebildet sein zum Trennen von Teilen der Planarisierungsschicht 150 und der Bankschicht 160, welche die Hauptpfade der Feuchtigkeit sind. Zum Beispiel können die Planarisierungsschicht 150 und die Bankschicht 160 geätzt werden, wodurch ein Loch gebildet wird, das die anorganische Isolationsschicht 140 oder die Gateisolationsschicht 130 freilegt. Die externe Feuchtigkeit, die sich durch die Planarisierungsschicht 150 und die Bankschicht 160 bewegt, kann sich an dem geätzten Teilbereich nicht bewegen. Die Verbindungselektrode 740 und die Kathodenelektrode 250 können auf dem Loch angeordnet sein. Eine Struktur, bei der die Verbindungselektrode 740 und die Kathodenelektrode 250 in dem geätzten Teilbereich der Planarisierungsschicht 150 und der Bankschicht 160 angeordnet sind und miteinander verbunden sind, kann ein Kontaktgebiet 600 sein. Das Kontaktgebiet 600 kann ein Kontaktgarantiegebiet 610 (auch als Verbindungsunterstützungsgebiet bezeichnet) und ein Kontaktloch 620 aufweisen. Die Kathodenelektrode 250 und die Verbindungselektrode 740 können mittels des Kontaktgebiets 600 elektrisch miteinander in Kontakt sein, und die Verbindungselektrode 740 kann sich in eine Peripherie des inaktiven Gebiets IA erstrecken, um mit einer Versorgungsleitung für niedrige Spannung 410 verbunden zu werden. Die Vielzahl von Dammstrukturen 170 können in der Nähe eines Gebiets angeordnet sein, wo die Verbindungselektrode 740 und die Versorgungsleitung 410 verbunden sind. Die Vielzahl von Dammstrukturen 170 kann eine Verkapselungsschicht bilden, um ein Eindringen der externen Feuchtigkeit zu verhindern, nachdem die organische lichtemittierende Einrichtung gebildet ist. Die Dammstrukturen 170 können verhindern, dass eine organische Schicht der Verkapselungsschicht zu der Peripherie des Substrats 110 hinunterfließt. Die oben beschriebene Rissstopperstruktur 460 kann so angeordnet sein, dass sie durch einen vorgegebenen Abstand von der Vielzahl von Dammstrukturen 170 getrennt in Richtung hin zu der Peripherie 110 angeordnet ist.
Um das Eindringen der externen Feuchtigkeit zu verhindern, kann das Kontaktgebiet 600 dazu dienen, die organische Isolationsschicht zu trennen, welche ein Hauptpfad für das Eindringen der Feuchtigkeit ist, wodurch die Ausdehnung der organischen Isolationsschicht zu dem aktiven Gebiet AA unterbrochen wird. Zusätzlich kann ein Punkt der elektrischen Verbindung der Kathodenelektrode 250 und der Verbindungselektrode 740 von außerhalb des Gatetreiberteilbereichs 300 nach innen verschoben sein. Der Punkt der elektrischen Verbindung der Kathodenelektrode 250 und der Verbindungselektrode 740, welcher außerhalb des Gatetreiberteilbereichs 300 angeordnet war, kann zur Innenseite verschoben sein, wo der Gatetreiberteilbereich 300 angeordnet ist, so dass der Raum, der von dem Einfassungsgebiet eingenommen wird, reduziert wird. Das Kontaktgebiet 600 kann so angeordnet sein, dass es das Gebiet überlappt, wo der der Gatetreiberteilbereich 300 angeordnet ist, und somit können die Vielzahl von Dammstrukturen 170 und die Rissstopperstruktur 460 näher an dem aktiven Gebiet AA angeordnet sein.
Das Kontaktgebiet 600 kann eine gestufte Struktur haben, so dass die Kathodenelektrode 250 und die Verbindungselektrode 740 einander gut kontaktieren können. Zum Beispiel kann sich eine Breite einer ersten Isolationsstruktur zum Trennen der Planarisierungsschicht 150 unterscheiden von einer Breite einer zweiten Isolationsstruktur zum Trennen der Bankschicht 160. Die Breite der zweiten Isolationsstruktur der Bankschicht 160 kann größer sein als die Breite der ersten Isolationsstruktur der Planarisierungsschicht 150, so dass die Verbindungselektrode 740 entlang der ersten Isolationsstruktur der Planarisierungsschicht 150 ausgebildet sein kann. Wenn die Kathodenelektrode 250 entlang der zweiten Isolationsstruktur der Bankschicht 160 ausgebildet ist, so wie in 4 gezeigt, kann gesehen werden, dass die Verbindungselektrode 740 und die Kathodenelektrode 250 eine bestimmte Stufenform haben können und einander kontaktieren können. Ein Gebiet, wo sich die Breite der ersten Isolationsstruktur der Planarisierungsschicht 150 und die Breite der zweiten Isolationsstruktur der Bankschicht 160 unterscheiden, kann als ein Kontaktgarantiegebiet (oder Verbindungsunterstützungsgebiet) 610 bezeichnet werden. Wenn die Planarisierungsschicht 150 und die Bankschicht 160 gleichzeitig geätzt werden, kann der Prozess einfach sein. Jedoch ist es möglich, dass die Verbindungselektrode 740 und die Kathodenelektrode 250 mittels einer vertikalen Seitenwand der Isolationsstruktur miteinander verbunden werden müssen. Außerdem kann ein Bodengebiet der Isolationsstruktur sehr eng sein. Zum Beispiel, wenn berücksichtigt wird, dass eine Restschicht in der Planarisierungsschicht 150 zurückbleiben kann, wenn die erste Isolationsstruktur der Planarisierungsschicht 150 gebildet wird, kann ein Überätzen bis zu der anorganischen Isolationsschicht 140 unter der Planarisierungsschicht 150 durchgeführt werden. Hierbei kann eine Isolationsstruktur der geätzten anorganischen Isolationsschicht 140 so gebildet werden, dass sie klein ist. Wenn berücksichtigt wird, dass die Kathodenelektrode 250 so gebildet wird, dass sie sehr dünn ist bis zu einer Dicke von ungefähr 100 bis 200 Å, ist es möglich, dass die Kathodenelektrode 250 und die Verbindungselektrode 740 nicht in zuverlässigem elektrischen Kontakt miteinander sind mittels der Seitenwand oder des Bodens der Isolationsstruktur. Um die Kathodenelektrode 250 und die Verbindungselektrode 740 zuverlässig zu kontaktieren, kann das Kontaktgarantiegebiet 610 angeordnet sein. Die Isolationsstrukturen der Planarisierungsschicht 150 und der Bankschicht 160 können separat gebildet werden durch entsprechende Prozesse. Indem Mittelpunkte der Isolationsstrukturen oder die Breiten der Isolationsstrukturen unterschiedlich gemacht werden, kann eine Stelle gebildet werden, wo die Verbindungselektrode 740 so ausgebildet wird, dass sie flach auf der Planarisierungsschicht 150 ist. Wenn die Kathodenelektrode 250 auf der Stelle ausgebildet wird, wo die Kathodenelektrode 740 so ausgebildet ist, dass sie flach ist, kann ein zuverlässigerer Kontakt erzielt werden.
Das Kontaktgarantiegebiet 610 kann bezüglich eines Mittelpunkts des Kontaktgebiets 600 nahe dem aktiven Gebiet AA angeordnet sein. Je näher der Kontakt zwischen der Kathodenelektrode 250 und der Verbindungselektrode 740 an dem aktiven Gebiet AA ist, desto vorteilhafter ist der Widerstand der Kathodenelektrode 250, und der Kontaktpunkt der Kathodenelektrode 250 und der Verbindungselektrode 740 ist auch gegen das Eindringen der Feuchtigkeit von außen geschützt.
Das Kontaktgebiet 600 kann zwischen der Verbindungseinheit 330 des Gatetreiberteilbereichs 300 und dem aktiven Gebiet AA angeordnet sein. Da das Kontaktgebiet 600 dem aktiven Gebiet AA nah ist so weit wie der Raum des Gatetreiberteilbereichs 300, gibt es Vorteile, dass der Raum des Einfassungsgebiets eingespart werden kann und das Eindringen der Feuchtigkeit von außen verhindert werden um den Gatetreiberteilbereich 300 herum, das heißt zwischen dem Gatetreiberteilbereich 300 und dem aktiven Gebiet AA. Da das Kontaktgebiet 600 näher an dem aktiven Gebiet AA ist als verglichen mit 2 und 3, kann die eingedrungene Feuchtigkeit zu einem Gebiet wandern, das nahe der organischen lichtemittierenden Einrichtung ist. Jedoch kann es vorteilhaft sein hinsichtlich des elektrischen Widerstands des Anzeigepanels 100, dass die Kathodenelektrode 250 die Verbindungselektrode 740 nahe dem aktiven Gebiet AA kontaktiert, verglichen mit 2 und 3. Zum Beispiel kann die Verbindungselektrode 740, welche einen geringeren Widerstand hat als die Kathodenelektrode 250, eine längere Distanz haben als die Struktur der 2 und 3, wodurch der Gesamtwiderstand der Versorgungsleitung für niedrige Spannung 410 verringert wird. Außerdem, da das Kontaktgebiet 600 in einem relativ großen Gebiet ausgebildet ist zwischen dem Gatetreiberteilbereich 300 und dem aktiven Gebiet AA, kann es minimiert werden, um ein Design des Gatetreiberteilbereichs 300 zu ändern. Ferner kann der Raum für die Einfassung maximal eingespart werden, wodurch ein extremes Design für eine schmale Einfassung ermöglicht wird.
Das Kontaktgebiet 600 kann, bezugnehmend auf 1, so angeordnet sein, dass es vier Seiten des aktiven Gebiets AA umgibt.
5 stellt das in 1 weggelassene Kontaktgebiet 600 auf einer Ebene des Anzeigepanels 100 dar. Das Kontaktgebiet 600 kann an der linken und der rechten Seite des aktiven Gebiets AA angeordnet sein, wo der Gatetreiberteilbereich 300 angeordnet ist, aber ist nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel kann das Kontaktgebiet 600 auch an der oberen und der unteren Seite des aktiven Gebiets AA angeordnet sein, und dadurch vier Seiten des aktiven Gebiets AA umgeben.
Gemäß einem oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann die Anzeigevorrichtung eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung (LCD), eine Feldemissionsanzeigevorrichtung (FED), eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung (OLED) oder eine Quantenpunktanzeigevorrichtung aufweisen oder sein.
Gemäß einem oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann die Anzeigevorrichtung ein fertiges Produkt oder Endprodukt aufweisen oder sein, das ein LCM oder eine OLED-Modul enthält, wie beispielsweise ein Notebook-Computer, ein Fernseher, ein Computermonitor, eine Equipment-Anzeigevorrichtung einschließlich einer Anzeigevorrichtung eines Automobils oder eine andere Art von Fahrzeug, eine Elektronische-Einrichtung-Vorrichtung eines Geräts wie beispielsweise eine Mobile-Elektronische-Einrichtung-Vorrichtung eines Smartphones oder eines elektronischen Pads, oder eine Gerät-Einrichtung oder Gerät-Vorrichtung.
Anzeigevorrichtungen gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können wie folgt beschrieben werden.
Eine Anzeigevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann ein Anzeigepanel aufweisen, das ein aktives Gebiet, ein um das aktive Gebiet herum angeordnetes inaktives Gebiet, und ein in dem inaktiven Gebiet angeordnetes Verbindungsgebiet (auch als Kontaktgebiet bezeichnet) aufweist, wobei das aktive Gebiet eine Anodenelektrode, eine lichtemittierende Schicht und eine Kathodenelektrode aufweisen kann, wobei das inaktive Gebiet einen Gatetreiberteilbereich und eine Rissstopperstruktur aufweisen kann, und wobei das Verbindungsgebiet benachbart zu dem Gatetreiberteilbereich angeordnet sein kann, und die Kathodenelektrode und eine über dem Gatetreiberteilbereich angeordnete Verbindungselektrode in dem Verbindungsgebiet einander kontaktieren können.
In der Anzeigevorrichtung gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können die Anodenelektrode und die Verbindungselektrode aus demselben Material gebildet sein.
In der Anzeigevorrichtung gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann der Gatetreiberteilbereich eine Emissionssignaltreibereinheit, eine Scansignaltreibereinheit und eine Verbindungseinheit aufweisen.
In der Anzeigevorrichtung gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann das Verbindungsgebiet zwischen der Emissionssignaltreibereinheit und der Scansignaltreibereinheit angeordnet sein.
In der Anzeigevorrichtung gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann das Verbindungsgebiet ein Kontaktloch und ein Verbindungsunterstützungsgebiet (auch als Kontaktgarantiegebiet bezeichnet) aufweisen.
In der Anzeigevorrichtung gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann das Verbindungsunterstützungsgebiet zwischen dem Kontaktloch und dem aktiven Gebiet angeordnet sein.
In der Anzeigevorrichtung gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann das Verbindungsgebiet zwischen der Scansignaltreibereinheit und der Verbindungseinheit angeordnet sein.
In der Anzeigevorrichtung gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann das Verbindungsgebiet zwischen der Verbindungseinheit und dem aktiven Gebiet angeordnet sein.
In der Anzeigevorrichtung gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann das inaktive Gebiet ferner eine Versorgungsleitung für niedrige Spannung und eine Dammstruktur aufweisen, und die Verbindungselektrode kann mit der Versorgungsleitung für niedrige Spannung in einem zu der Dammstruktur benachbarten Gebiet verbunden sein.
In der Anzeigevorrichtung gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann das inaktive Gebiet eine Planarisierungsschicht und eine Bankschicht aufweisen, die sich von dem aktiven Gebiet aus erstrecken, und das Verbindungsgebiet kann einen ersten Teil aufweisen, wo die Planarisierungsschicht entfernt ist, und einen zweiten Teil, wo die Bankschicht entfernt ist in dem inaktiven Gebiet.
In der Anzeigevorrichtung gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können der erste Teil und der zweite Teil unterschiedliche Breiten haben.
Eine Anzeigevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann ein Anzeigepanel aufweisen, das ein aktives Gebiet und eine inaktives Gebiet aufweist, wobei das aktive Gebiet einen Dünnfilmtransistor aufweist, und eine Planarisierungsschicht, eine erste Elektrode, eine Bankschicht, eine lichtemittierende Schicht und eine zweite Elektrode sind der Reihe nach auf dem Dünnfilmtransistor angeordnet, wobei das inaktive Gebiet einen Gatetreiberteilbereich, eine Dammstruktur und eine Rissstopperstruktur aufweist, und ein Verbindungsgebiet (auch als Kontaktgebiet bezeichnet), in dem eine auf dem Gatetreiberteilbereich angeordnete Verbindungselektrode mit einem Verlängerungsteil der zweiten Elektrode verbunden ist.
In der Anzeigevorrichtung gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann der Gatetreiberteilbereich eine Emissionssignaltreibereinheit, eine Scansignaltreibereinheit und eine Verbindungseinheit aufweisen, und das Verbindungsgebiet kann zwischen der Emissionssignaltreibereinheit und der Scansignaltreibereinheit angeordnet sein.
In der Anzeigevorrichtung gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann der Gatetreiberteilbereich eine Emissionssignaltreibereinheit, eine Scansignaltreibereinheit und eine Verbindungseinheit aufweisen, und das Verbindungsgebiet kann zwischen der Scansignaltreibereinheit und der Verbindungseinheit angeordnet sein.
In der Anzeigevorrichtung gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann das Verbindungsgebiet einen ersten Teil und einen zweiten Teil aufweisen, wobei der erste Teil eine erste Breite hat und der zweite Teil eine zweite Breite hat, und wobei die erste Breite und die zweite Breite voneinander verschieden sind und das Verbindungsgebiet ferner ein Verbindungsunterstützungsgebiet (auch als Kontaktgarantiegebiet bezeichnet) aufweist, das auf der Planarisierungsschicht angeordnet ist, die in einem Bereich, wo die Bankschicht entfernt ist, freigelegt ist, aufgrund eines Unterschieds zwischen der ersten Breite und der zweiten Breite.
In der Anzeigevorrichtung gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann das Verbindungsunterstützungsgebiet näher an dem aktiven Gebiet angeordnet sein als eine Mitte des Verbindungsgebiets.
In der Anzeigevorrichtung gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können die erste Elektrode und die Verbindungselektrode aus demselben Material gebildet sein.
In der Anzeigevorrichtung gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann das inaktive Gebiet ferner einer Versorgungsleitung für niedrige Spannung aufweisen, wobei zumindest ein Teil der Versorgungsleitung für niedrige Spannung unter der Dammstruktur angeordnet ist, und die Verbindungselektrode kann mit der Versorgungsleitung für niedrige Spannung um die Dammstruktur herum verbunden sein.
Merkmale, Strukturen, Effekte und dergleichen, die in den Beispielen der vorliegenden Anmeldung beschrieben sind, sind in zumindest einem Beispiel enthalten und sind nicht notwendigerweise beschränkt auf nur ein Beispiel. Ferner können die Merkmale, Strukturen, Effekte und dergleichen, die in mindestens einem Beispiel der vorliegenden Anmeldung veranschaulicht sind, kombiniert oder modifiziert werden für weitere Beispiele durch eine mit der Technik, zu der die vorliegende Anmeldung gehört, vertraute Person. Dementsprechend sollten Inhalte, die solche Kombinationen und Modifikationen betreffen, als vom Umfang der vorliegenden Anmeldung umfasst angesehen werden.
Die vorliegende Anmeldung ist nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsformen und die beigefügten Zeichnungen beschränkt, und es wird für eine Person, die mit der Technik, zu der die vorliegende Anmeldung gehört, vertraut ist, offensichtlich sein, dass verschiedene Ersetzungen, Modifikationen und Veränderungen innerhalb des Bereichs vorgenommen werden können, ohne den Umfang der vorliegenden Anmeldung zu verlassen. Dementsprechend wird der Umfang der vorliegenden Anmeldung durch die später zu beschreibenden Ansprüche angegeben.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

KR 1020190164575 [0001]

Claims

Anzeigevorrichtung, aufweisend: ein Anzeigepanel (100), das ein aktives Gebiet (AA), ein um das aktive Gebiet (AA) herum angeordnetes inaktives Gebiet (IA) und ein in dem inaktiven Gebiet (IA) angeordnetes Verbindungsgebiet (600) aufweist, wobei das aktive Gebiet (AA) eine Anodenelektrode (240), eine lichtemittierende Schicht und eine Kathodenelektrode (250) aufweist, wobei das inaktive Gebiet (IA) einen Gatetreiberteilbereich (300) und eine Rissstopperstruktur (460) aufweist, und wobei das Verbindungsgebiet (600) benachbart zu dem Gatetreiberteilbereich (300) angeordnet ist und die Kathodenelektrode (250) und eine über dem Gatetreiberteilbereich (300) angeordnete Verbindungselektrode (740) in dem Verbindungsgebiet (600) einander kontaktieren.
Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die Anodenelektrode (240) und die Verbindungselektrode (740) aus demselben Material gebildet sind.
Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei der Gatetreiberteilbereich (300) eine Emissionssignaltreibereinheit (310), eine Scansignaltreibereinheit (320) und eine Verbindungseinheit (330) aufweist.
Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 3, wobei das Verbindungsgebiet (600) zwischen der Emissionssignaltreibereinheit (310) und der Scansignaltreibereinheit (320) angeordnet ist.
Anzeigevorrichtung gemäß irgendeinem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Verbindungsgebiet (600) ein Kontaktloch (620) und ein Verbindungsunterstützungsgebiet (610) aufweist.
Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 5, wobei das Verbindungsunterstützungsgebiet (610) zwischen dem Kontaktloch (620) und dem aktiven Gebiet (AA) angeordnet ist.
Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 3, wobei das Verbindungsgebiet (600) zwischen der Scansignaltreibereinheit (320) und der Verbindungseinheit (330) angeordnet ist.
Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 3, wobei das Verbindungsgebiet (600) zwischen der Verbindungseinheit (330) und dem aktiven Gebiet (AA) angeordnet ist.
Anzeigevorrichtung gemäß irgendeinem der Ansprüche 1 bis 8, wobei das inaktive Gebiet (IA) ferner einer Versorgungsleitung für niedrige Spannung (410) und eine Dammstruktur (170) aufweist, und wobei die Verbindungselektrode (740) mit der Versorgungsleitung für niedrige Spannung (410) in einem zu der Dammstruktur (170) benachbarten Gebiet verbunden ist.
Anzeigevorrichtung gemäß irgendeinem der Ansprüche 1 bis 9, wobei das inaktive Gebiet (IA) eine Planarisierungsschicht (150) und eine Bankschicht (160) aufweist, die sich von dem aktiven Gebiet (AA) aus erstrecken, und wobei das Verbindungsgebiet (600) einen ersten Teil aufweist, wo die Planarisierungsschicht (150) entfernt ist, und einen zweiten Teil, wo die Bankschicht (160) entfernt ist in dem inaktiven Gebiet (IA).
Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 10, wobei der erste Teil und der zweite Teil unterschiedliche Breiten haben.
Anzeigevorrichtung, aufweisend: ein Anzeigepanel (100), das ein aktives Gebiet (AA) und ein inaktives Gebiet (IA) aufweist; einen Dünnfilmtransistor (200) in dem aktiven Gebiet (AA); eine Planarisierungsschicht (150), eine erste Elektrode (240), eine Bankschicht (160), eine lichtemittierende Schicht und eine zweite Elektrode (250), die auf dem Dünnfilmtransistor (200) angeordnet sind; einen Gatetreiberteilbereich (300), eine Dammstruktur (170) und eine Rissstopperstruktur (460) in dem inaktiven Gebiet (IA); und ein Verbindungsgebiet (600), in dem eine über dem Gatetreiberteilbereich (300) angeordnete Verbindungselektrode (740) mit einem Verlängerungsteil der zweiten Elektrode (250) verbunden ist.
Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 12, wobei der Gatetreiberteilbereich (300) eine Emissionssignaltreibereinheit (310), eine Scansignaltreibereinheit (320) und eine Verbindungseinheit (330) aufweist, und wobei das Verbindungsgebiet (600) zwischen der Emissionssignaltreibereinheit (310) und der Scansignaltreibereinheit (320) angeordnet ist.
Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 12, wobei der Gatetreiberteilbereich (300) eine Emissionssignaltreibereinheit (310), eine Scansignaltreibereinheit (320) und eine Verbindungseinheit (330) aufweist, und wobei das Verbindungsgebiet (600) zwischen der Scansignaltreibereinheit (320) und der Verbindungseinheit (330) angeordnet ist.
Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 13 oder 14, wobei das Verbindungsgebiet (600) einen ersten Teil und einen zweiten Teil aufweist, wobei der erste Teil eine erste Breite hat und der zweite Teil eine zweite Breite hat, und wobei die erste Breite und die zweite Breite voneinander verschieden sind und das Verbindungsgebiet (600) ferner ein Verbindungsunterstützungsgebiet (610) aufweist, das auf der Planarisierungsschicht (150) angeordnet ist, die in einem Bereich, wo die Bankschicht (160) entfernt ist, freigelegt ist, aufgrund eines Unterschieds zwischen der ersten Breite und der zweiten Breite.
Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 15, wobei das Verbindungsunterstützungsgebiet (610) näher an dem aktiven Gebiet (AA) angeordnet ist als eine Mitte des Verbindungsgebiets (600).
Anzeigevorrichtung gemäß irgendeinem der Ansprüche 12 bis 16, wobei die erste Elektrode (240) und die Verbindungselektrode (740) aus demselben Material gebildet sind.
Anzeigevorrichtung gemäß irgendeinem der Ansprüche 12 bis 17, wobei das inaktive Gebiet (IA) ferner eine Versorgungsleitung für niedrige Spannung (410) aufweist, wobei zumindest ein Teil der Versorgungsleitung für niedrige Spannung (410) unter der Dammstruktur (170) angeordnet ist, und wobei die Verbindungselektrode (740) mit der Versorgungsleitung für niedrige Spannung (410) um die Dammstruktur (170) herum verbunden ist.