DE102014119629B4 - Ritzverfahren zum herstellen einer anzeigevorrichtung - Google Patents

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Abstract

Ritzverfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung, aufweisend:Bilden einer Mehrzahl von Zellbereichen auf einem großflächigen Substrat,wobei jeder Zellbereich in einen Anzeigebereich und einen Nicht-Anzeigebereich außerhalb des Anzeigebereichs eingeteilt ist;Bilden einer ersten Lichtabschirmschicht in dem Anzeigebereich;Bilden einer zweiten Lichtabschirmschicht in dem Nicht-Anzeigebereich;Bilden von Oxid-Dünnschichttransistoren und organischen lichtemittierenden Dioden auf der ersten Lichtabschirmschicht,wobei die erste Lichtabschirmschicht und die zweite Lichtabschirmschicht räumlich voneinander getrennt sind;Ritzen des Substrats in der zweiten Lichtabschirmschicht unter Verwendung eines Ritzrades entlang Ritzlinien des Substrats, so dass statische Elektrizität, die während des Ritzprozesses unter Verwendung des Ritzrades erzeugt wird, in der zweiten Lichtabschirmschicht eingesperrt ist; undSchneiden des großflächigen Substrats in einer Brechvorrichtung zum Bilden einer Mehrzahl von Anzeigevorrichtungszellen.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Offenbarung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Ritzverfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung und genauer ein Ritzverfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung, die die Eigenschaft hat, dass sie eine verbesserte Zuverlässigkeit aufweist, indem der Eintritt von statischer Elektrizität, die zu der Zeit des Ritzprozesses erzeugt wird, vermieden wird.
  • Diskussion des verwandten Standes der Technik
  • In letzter Zeit werden Flachpanelanzeigen (FPDs für engl. Flat Panel Displays) mit der Entwicklung von Multimedia zunehmend wichtig. Dementsprechend werden einige Anzeigevorrichtungen wie beispielsweise ein Flüssigkristalldisplay (LCD), ein Plasmaanzeigepanel (PDP), ein Feldemissionsdisplay (FED) und ein Organische-Leuchtdioden-Display (OLED) verwendet. Von diesen wird das Organische-Leuchtdioden-Display als eine Anzeigevorrichtung der nächsten Generation angesehen, da das Organische-Leuchtdioden-Display eine Hochgeschwindigkeitsreaktion von 1 ms oder weniger und geringen Energieverbrauch aufweist und Eigenlichtemissionseigenschaften hat, die keine Probleme hinsichtlich des Blickwinkels verursachen.
  • Die Anzeigevorrichtung wird auf die Art einer passiven Matrix und die Art einer aktiven Matrix unter Verwendung von Dünnschichttransistoren angesteuert. Während das Ansteuern durch das Bilden von positiven Elektroden und negativen Elektroden, die sich überkreuzen, und Auswählen einer Leitung gemäß der Art einer passiven Matrix implementiert wird, wird das Ansteuern durch jeweiliges Verbinden von Dünnschichttransistoren mit Pixeln und halten einer Spannung durch die Kapazität von Kondensatoren, die mit Gate-Elektroden der Dünnschichttransistoren verbunden sind, implementiert.
  • Haltbarkeit, die dazu geeignet ist, die Lebensspanne und elektrische Zuverlässigkeit sowie grundlegende Eigenschaften des Dünnschichttransistors, wie beispielsweise Mobilität und Leckstrom zu erhalten, sind für Dünnschichttransistoren wichtig. Hierbei wird eine aktive Schicht der Dünnschichttransistoren hauptsächlich aus amorphem Silizium oder Polysilizium gebildet. Amorphes Silizium hat Vorteile insofern, dass der Ausbildungsprozess einfach ist und die Produktionskosten niedrig sind, aber Nachteile insofern, dass die elektrische Zuverlässigkeit nicht sichergestellt werden kann. Außerdem hat Polysilizium Nachteile insofern, dass es sehr schwierig ist, eine großflächige Anwendung zu implementieren, da die Prozesstemperatur hoch ist und die Gleichmäßigkeit gemäß der Kristallisierungsart nicht sichergestellt werden kann.
  • Währenddessen kann in dem Fall, dass die aktive Schicht aus einem Oxid geformt wird, sogar obwohl die Schicht bei niedriger Temperatur gebildet wird eine hohe Mobilität erreicht werden und gewünschte physikalische Eigenschaften können leicht erhalten werden, da die Änderung des Widerstandes abhängig vom Inhalt von Sauerstoff groß ist. Deshalb erfährt das Oxid in letzter Zeit große Aufmerksamkeit bei der Anwendung auf den Dünnschichttransistor. Im Speziellen kann ein Beispiel für ein Oxid, das in der aktiven Schicht verwendbar ist, Zinkoxid (ZnO), Indiumzinkoxid (InZnO), Indiumgalliumzinkoxid (lnGaZnO4) oder Ähnliches sein. Der Dünnschichttransistor, der eine aktive Schicht aus Oxid aufweist, ist instabil, da der Photostrom von einer externen Lichtquelle erzeugt wird und somit eine Lichtabschirmschicht zum Abschirmen der aktiven Schicht von dem externen Licht erforderlich ist.
  • 1 ist eine ebene Ansicht einer Anzeigevorrichtung gemäß des verwandten Standes der Technik und 2 ist eine Querschnittsansicht, durchgeschnitten entlang der Linie I-I' in 1.
  • Mit Bezug auf 1 weist eine Anzeigevorrichtung gemäß dem Stand der Technik eine Mehrzahl von Anzeigepanels DP auf, in denen eine Mehrzahl von aktiven Bereichen A/A auf einem Substrat 10 als Muttersubstrat ausgebildet sind. Ein Ritzprozess wird durchgeführt, um jeweils unabhängige Panels von den gebildeten Anzeigepanels DP zu trennen. Gemäß dem Ritzprozess werden die unabhängigen Anzeigepanels DP durch Schneiden des Substrates 10 entlang einer Ritzlinie ① und dann Schneiden des Substrates entlang einer Ritzlinie ② unter Verwendung eines Ritzrades vorbereitet.
  • Genauer wird, mit Bezug auf 2, eine Lichtabschirmschicht LS auf dem Substrat 10 angeordnet und eine Pufferschicht 15 wird auf der Lichtabschirmschicht LS angeordnet. Die Lichtabschirmschicht LS hindert das Licht daran, in eine aktive Schicht, die später gebildet wird, einzutreten. Eine aktive Schicht 20 wird auf der Pufferschicht 15 gebildet und mittels einer Gate-Isolierschicht 25, die auf der aktiven Schicht 20 angeordnet wird, isoliert. Eine Gate-Elektrode 30 wird auf der Gate-Isolierschicht 25 ausgebildet und mittels einer Zwischenschicht-Schicht 35 isoliert. Eine Source-Elektrode 40a und eine Drain-Elektrode 40b werden auf der Zwischenschicht-Isolierschicht 35 ausgebildet und mit der aktiven Schicht 20 durch Kontaktlöcher 35a und 35b verbunden, wodurch ein Dünnschichttransistor TFT gebildet wird. Eine organische Isolierschicht 45 wird auf dem Dünnschichttransistor TFT angeordnet. Eine Pixelelektrode 50 wird auf der organischen Isolierschicht 45 angeordnet und mit der Drain-Elektrode 40b durch ein Via-Loch 47 verbunden. Eine Bankschicht 55 wird auf der Pixelelektrode 50 angeordnet und eine lichtemittierende Schicht 60 wird auf der Pixelelektrode 50 entblößt von der Bankschicht 55 angeordnet. Eine Gegenelektrode 65 wird über dem Substrat 20, das mit der lichtemittierenden Schicht 60 versehen ist, angeordnet und das resultierende Substrat wird mit einem Gegensubstrat 70 versiegelt, wodurch eine Anzeigevorrichtung gebildet wird.
  • Währenddessen ist, wie oben beschrieben, die durch ein Oxid gebildete aktive Schicht 20 instabil, da der Fotostrom von einem externen Licht erzeugt wird und deshalb wird die Lichtabschirmschicht LS auf der gesamten Oberfläche des Substrates 20 gebildet. Jedoch dringt während eines Ritzprozesses die statische Elektrizität, die erzeugt wird, wenn das Substrat 20 von einem Ritzrad durchgeschnitten ist, in den aktiven Bereich A/A durch die Lichtabschirmschicht LS ein und beeinflusst dabei den Dünnschichttransistor. Deshalb werden elektrische Eigenschaften des Dünnschichttransistors verschlechtert, was eine Minderung der Zuverlässigkeit verursacht.
  • US 2012/0229736 A1 beschreibt eine Flüssigkristallanzeige mit einem Flüssigkristall-Panel und einer Hintergrund-Beleuchtungseinrichtung, die mittels eines Rahmenkörpers zusammengefügt sind. Das Panel weist einen Anzeigebereich und einen Nicht-Anzeigebereich auf, wobei in dem Nicht-Anzeigebereich ein Anordnungsbereich für eine Schwarzmatrix derart gebildet ist, dass er den Anzeigebereich umschließt.
  • US 2012/0183721 A1 beschreibt ein Verfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung, die eine durchsichtige Platte als die Frontplatte, eine Anzeigevorrichtung als die rückseitige Platte, eine Harzschicht und einen Abdichtungsbereich aufweist, wobei ein Druckbereich für eine Licht-Abschirmung in der Peripherie der durchsichtigen Platte gebildet ist.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung stellt ein Ritzverfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung bereit, die die Eigenschaft hat, dass sie eine verbesserte Zuverlässigkeit aufweist, indem der Eintritt von statischer Elektrizität, die während des Ritzprozesses erzeugt wird, vermieden wird.
  • Gemäß einem Vergleichsbeispiel gibt es eine Anzeigevorrichtung, die ein Substrat aufweist, das in einen Anzeigebereich und einen Nicht-Anzeigebereich außerhalb des Anzeigebereichs eingeteilt ist, eine erste Lichtabschirmschicht, die auf dem Anzeigebereich gebildet ist, eine zweite Lichtabschirmschicht, die in dem Nicht-Anzeigebereich gebildet ist, und Oxid-Dünnschichttransistoren und organische lichtemittierende Dioden, die auf der ersten Lichtabschirmschicht gebildet sind aufweist, wobei die erste Lichtabschirmschicht und die zweite Lichtabschirmschicht räumlich voneinander getrennt sind.
  • Figurenliste
  • Die beiliegenden Zeichnungen, die eingefügt sind, um ein weitergehendes Verständnis der Erfindung zu liefern und in diese Beschreibung mit aufgenommen sind und einen Teil dieser Beschreibung bilden, stellen Ausführungsformen der Erfindung dar und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, die Prinzipien der Erfindung zu erläutern. In den Figuren:
    • 1 ist eine ebene Ansicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einem verwandten Stand der Technik;
    • 2 ist eine Querschnittsansicht, geschnitten entlang der Linie I-I' von 1;
    • 3 ist eine ebene Ansicht, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
    • 4 ist eine Querschnittsansicht, geschnitten entlang der Linie II-II` von 3;
    • 5 ist eine ebene Ansicht, die einen Ritzprozess bei der Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
    • 6 ist eine Querschnittsansicht, geschnitten entlang der Linie III-III' von 5;
    • 7 ist eine ebene Ansicht, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
    • 8 ist eine ebene Ansicht, die einen Ritzprozess bei der Anzeigevorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
    • 9 ist eine ebene Ansicht, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
    • 10 ist eine ebene Ansicht, die einen Ritzprozess bei der Anzeigevorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
    • 11 ist ein Graph, der eine Gatespannung-Drainstrom-Kurve in einem Dünnschichttransistor einer Anzeigevorrichtung, die gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hergestellt ist, darstellt; und
    • 12 ist ein Graph, der eine Gatespannung-Drainstrom-Kurve in einem Dünnschichttransistor einer Anzeigevorrichtung, die gemäß dem verwandten Stand der Technik hergestellt ist, darstellt.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Es wird nun im Detail auf Ausführungsformen der Erfindung Bezug genommen, für die Bespiele in den beiliegenden Zeichnungen dargestellt sind. Wenn es möglich ist, werden dieselben Bezugszeichen durchgehend in den Zeichnungen verwendet, um dieselben oder ähnliche Teile zu bezeichnen. Es wird Acht gegeben, dass die ausführliche Beschreibung vom bekannten Stand der Technik weggelassen wird, wenn festgestellt wird, dass dieser Stand der Technik hinsichtlicher der Ausführungsformen der Erfindung irreführend sein könnte.
  • 3 ist eine ebene Ansicht, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt und 4 ist eine Querschnittsansicht, durchgeschnitten entlang der Linie II-II' von 3. Im Folgenden wird eine Anzeigevorrichtung der vorliegenden Erfindung durch eine organische lichtemittierende Anzeige als Beispiel beschrieben. Jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt und die vorliegende Erfindung kann somit auf eine flache Anzeigevorrichtung, wie beispielsweise ein Flüssigkristalldisplay, angewendet werden.
  • Mit Bezug auf 3 weist eine Anzeigevorrichtung 100, die in der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargelegt wird, ein Substrat 105 und ein Gegensubstrat 180 auf, die miteinander verbunden sind, und weist einen Anzeigebereich A/A und einen Nicht-Anzeigebereich N/A als den Restbereich außerhalb des Anzeigebereichs A/A auf. Der Anzeigebereich A/A ist ein aktiver Bereich A/A, in dem eine Dünnschichttransistoranordnung und organische lichtemittierende Dioden ausgebildet sind, um Bilder anzuzeigen und der Nicht-Anzeigebereich N/A ist ein nicht aktiver Bereich N/A, der der Restbereich außerhalb des aktiven Bereichs A/A ist und der keine Bilder anzeigt. Um dem Anzeigebereich A/A Ansteuersignale zuzuführen, sind Ansteuerchips aufgebracht und ein Kontaktbereich (Pad) mit einer Mehrzahl von Leitungen, die Signale von einer externen Platine empfangen, ist in dem Nicht-Anzeigebereich N/A angeordnet.
  • Lichtabschirmschichten LS1 und LS2 zum Blockieren des Eintritts eines externen Lichts sind in dem Anzeigebereich A/A bzw. dem Nicht-Anzeigebereich N/A vorgesehen. Die erste Lichtabschirmschicht LS1 ist mindestens durchweg in dem Anzeigebereich A/A positioniert, um Licht daran zu hindern, in den Dünnschichttransistor, der in dem Anzeigebereich A/A ausgebildet ist, einzudringen. Die zweite Abschirmschicht LS2 ist derart positioniert, dass sie den Rand des Nicht-Anzeigebereichs N/A umgibt, sodass sie statische Elektrizität daran hindert, zur Zeit eines Ritzprozesses in den Anzeigebereich A/A transferiert zu werden. Hierbei sind die erste Lichtabschirmschicht LS1, die in dem Anzeigebereich A/A positioniert ist, und die zweite Lichtabschirmschicht LS2, die in dem Nicht-Anzeigebereich positioniert ist, räumlich voneinander getrennt, wodurch statische Elektrizität daran gehindert wird, zur Zeit eines Ritzprozesses entlang der Lichtabschirmschicht zu dem Anzeigebereich A/A transferiert zu werden.
  • Genauer werden die erste Lichtabschirmschicht LS1 und die zweite Lichtabschirmschicht LS2, die in dem Anzeigebereich A/A und dem Nicht-Anzeigebereich N/A gebildet sind, in Bezug auf 4 beschrieben. In der folgenden Beschreibung dient ein einzelner Subpixel dazu, den Anzeigebereich A/A zu beschreiben.
  • Die erste Lichtabschirmschicht LS1 ist in dem Anzeigebereich A/A auf dem Substrat 105 positioniert und die zweite Lichtabschirmschicht LS2 ist in dem Nicht-Anzeigebereich N/A auf dem Substrat 105 positioniert. Das Substrat 105 ist aus Glas, Plastik oder Metall gebildet. Die erste Lichtabschirmschicht LS1 und die zweite Lichtabschirmschicht LS2 sind zum Hindern eines externen Lichts daran, in das Innere des Anzeigepanels einzudringen, und sind aus einem Material gebildet, das zum Blockieren von Licht geeignet ist. Die erste Lichtabschirmschicht LS1 und die zweite Lichtabschirmschicht LS2 sind aus einem Material mit geringer elektrischer Leitfähigkeit und geringem Reflexionsfaktor gebildet und können beispielsweise aus einem auf einem Halbleiter basierenden Material gebildet sein, wie beispielsweise amorphem Silizium (a-Si), Germanium (Ge), Tantaloxid (TaOx) oder Kupferoxid (CuOx).
  • Eine Pufferschicht 110 ist über dem Substrat 105, das mit der ersten Lichtabschirmschicht LS1 und der zweiten Lichtabschirmschicht LS2 versehen ist, angeordnet. Die Pufferschicht 110 ist dazu ausgebildet, einen Dünnschichttransistor, der in einem folgenden Prozess gebildet wird, vor Unreinheiten, wie beispielsweise Alkali-Ionen, die aus dem Substrat 105 heraus fließen, zu schützen. Die Pufferschicht 110 ist aus Siliziumoxid (SiOx), Siliziumnitrid (SiNx) oder ähnlichem gebildet. Eine aktive Schicht 115 wird auf der Pufferschicht 110 ausgebildet. Die aktive Schicht 115 kann aus einem amorphen, auf Zinkoxid basierenden Verbindungshalbleiter gebildet werden. Insbesondere kann im Falle eines α-IGZO-Halbleiters die aktive Schicht 115 durch Sputtern unter Verwendung eines Komposittargets aus Galliumoxid (Ga2O3), Indiumoxid (In2O3) und Zinkoxid (ZnO) gebildet werden. Außerdem kann ein chemisches Abscheideverfahren, wie beispielsweise chemische Gasphasenabscheidung oder Atomlagenabscheidung (ALD für engl. atomic layer deposition) verwendet werden. Hierbei kann in der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein amorpher, auf Zinkoxid basierender Verbindungshalbleiter unter Verwendung eines Kompositoxidtargets, das Gallium, Indium und Zink mit einem Atomverhältnis von 1:1:1, 2:2:1, 3:2:1, oder 4:2:1 enthält, abgeschieden werden. Hierbei kann in dem Fall, in dem das Kompositoxidtarget Gallium, Indium und Zink mit einem Atomverhältnis von 2:2:1 enthält, das äquivalente Gewichtsverhältnis von Gallium, Indium und Zink 2,8:2,8:1 sein. Obwohl es nicht gezeigt ist, werden ein Source-Bereich und ein Drain-Bereich an beiden Seiten der aktiven Schicht 115 durch Dotieren mit Unreinheiten (anders ausgedrückt, Störatomen bzw. Fremdatomen) bereitgestellt und ein Kanalbereich wird zwischen dem Source-Bereich und dem Drain-Bereich bereitgestellt.
  • Eine Gate-Isolierschicht 200 wird auf der aktiven Schicht 115 angeordnet. Die Gate-Isolierschicht 120 wird aus einer Siliziumoxidschicht (SiOx), einer Siliziumnitridschicht (SiNx) oder einer Mehrfachschicht daraus gebildet. Auf der Gate-Isolierschicht 120 wird eine Gate-Elektrode 125 in dem Anzeigebereich A/A angeordnet und eine Gateleitung GL, die mit der Gate-Elektrode 125 verbunden ist, wird in dem Nicht-Anzeigebereich N/A angeordnet. Die Gate-Elektrode 125 wird aus irgendeinem ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Kupfer (Cu), Molybdän (Mo), Aluminium (AI), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd), Tantal (Ta), und Wolfram (W) oder einer einzelnen Schicht oder einer Mehrfachschicht einer Legierung davon gebildet. Die Gate-Elektrode 125 wird derart angeordnet, dass sie sich mit den Kanalbereich der aktiven Schicht 115 deckt.
  • Eine Zwischenschicht-Isolierschicht 130 (beispielsweise ein Zwischenschicht-Isolierfilm) wird über dem Substrat 105, das mit der Gate-Elektrode 125 versehen ist, angeordnet. Die Zwischenschicht-Isolierschicht 130 wird aus einer Siliziumoxidschicht (SiOx), einer Siliziumnitridschicht (SiNx) oder einer Mehrfachschicht daraus gebildet. Zusätzlich werden Kontaktlöcher 135a und 135b, die den Source-Bereich und den Drain-Bereich auf beiden Seiten der aktiven Schicht 115 freilegen, in der Zwischenschicht-Isolierschicht 130 und der Gate-Isolierschicht 120 vorgesehen.
  • Eine Source-Elektrode 140a und eine Drain-Elektrode 140b werden auf der Zwischenschicht-Isolierschicht 130 angeordnet. Die Source-Elektrode 140a und die Drain-Elektrode 140b können als eine einzelne Schicht oder eine Mehrfachschicht ausgebildet werden. In dem Fall, dass die Source-Elektrode 140a und die Drain-Elektrode 140b als eine einzelne Schicht ausgebildet werden, können die Elektroden durch irgendeins ausgewählt aus Molybdän (Mo), Aluminium (AI), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni) und Kupfer (Cu) oder einer Legierung davon gebildet werden. Alternativ können, in dem Fall, in dem die Source-Elektrode 140a und die Drain-Elektrode 140b als eine Mehrfachschicht gebildet sind, die Elektroden aus einer Doppelschicht aus Molybdän/Aluminium-Neodym, Molybdän/Aluminium oder Titan/Aluminium oder einer Dreifach-Schicht aus Molybdän/Aluminium-Neodym/Molybdän, Molybdän/Aluminium/Molybdän oder Titan/Aluminium/Titan gebildet werden. Die Source-Elektrode 140a und die Drain-Elektrode 140b sind durch Kontaktlöcher 135a und 135b, die in der Zwischenschicht-Isolierschicht 130 und der Gate-Isolierschicht 120 ausgebildet sind, mit dem Source-Bereich bzw. dem Drain-Bereich verbunden.
  • Ein organischer Isolierfilm 145 wird über dem Substrat 105, das mit der Source-Elektrode 140a und der Drain-Elektrode 140b versehen ist, angeordnet. Der organische Isolierfilm 145 kann aus einem organischen Material gebildet sein, wie beispielsweise Fotoacryl, Polyimid, Benzozyklobuten-Harz und Acrylat. Ein Via-Loch 147, das die Drain-Elektrode 140b des Dünnschichttransistors TFT freilegt, wird in der organischen Isolierschicht 145 gebildet.
  • Eine Pixelelektrode 150 wird auf der organischen Isolierschicht 145 angeordnet. Die Pixelelektrode 150 kann aus einer transparenten leitenden Schicht gebildet werden. Die transparente leitende Schicht kann aus einem Material sein, das durchsichtig und leitend ist, wie beispielsweise Indiumzinnoxid (ITO) oder Indiumzinkoxid (IZO). Hierbei kann in dem Fall, dass eine organische lichtemittierende Anzeige in einer Struktur vom Nach-Oben-Emissionstyp (Top-Emitter) hergestellt ist, eine reflektive Metallschicht mit einem hohen Reflexionsfaktor, beispielsweise Aluminium (AI), Aluminiumneodym (AI-Nd), Silber (Ag) oder eine Silberlegierung, unter der durchsichtigen leitenden Schicht gebildet werden und die reflektierende Schicht kann eine Struktur durchsichtige leitende Schicht/ reflektive Metallschicht/durchsichtige leitenden Schicht haben. Vorzugsweise kann die Pixelelektrode 150 beispielsweise die Struktur ITO/Ag/ITO haben. Die Pixelelektrode 150 ist mit der Drain-Elektrode 140 durch das Via-Loch 147 verbunden, das in der organischen isolierenden Schicht 145 vorgesehen ist.
  • Eine Bankschicht 155, die die Pixelelektrode 150 entblößt (anders ausgedrückt, freilegt bzw. freilässt; noch anders ausgedrückt, nicht bedeckt), wird auf der Pixelelektrode 150 gebildet. Die Bankschicht 155 definiert Pixel und isoliert die Pixelelektroden 150 und ist aus einem organischen Material wie beispielsweise Polyimid, auf Benzozyklobuten basierendem Harz oder Acrylat gebildet. Eine organische lichtemittierende Schicht 160 wird auf der Pixelelektrode 150 und der Bankschicht 155 gebildet. Die organische lichtemittierende Schicht 160 weist mindestens eine Emissionsschicht auf und kann ferner eine Loch-Injektionsschicht, eine Loch-Transportschicht, eine Elektronen-Transportschicht oder eine Elektronen-Injektionsschicht aufweisen. Eine Gegenelektrode 165 ist auf der organischen lichtemittierenden Schicht 160 angeordnet. Die Gegenelektrode 165 kann aus einem Metallmaterial mit niedriger Austrittsarbeit gebildet werden, wie beispielsweise Silber (Ag), Magnesium (Mg) oder Calcium (Ca). Auf diese Weise wird eine organische lichtemittierende Diode bestehend aus der Pixelelektrode 150, der organischen lichtemittierenden Schicht 160 und der Gegenelektrode 165 hergestellt. Das Substrat, das mit dem Dünnschichttransistor und dem organischen lichtemittierenden Dioden versehen ist, wird durch ein Gegensubstrat 180 versiegelt, wodurch eine Anzeigevorrichtung der vorliegenden Erfindung gebildet wird.
  • Währenddessen werden die erste Lichtabschirmschicht LS1 und die zweite Lichtabschirmschicht LS2, die über dem Substrat 105 gebildet sind, in dem Anzeigebereich A/A bzw. dem Nicht-Anzeigebereich N/A positioniert. Die erste Lichtabschirmschicht LS1 wird in mindestens dem gesamten Gebiet des Anzeigebereichs A/A positioniert, sodass sie Licht daran hindert, in den Dünnfilmtransistor, der in dem Anzeigebereich A/A gebildet ist, einzutreten. Die zweite Abschirmschicht LS2 wird so positioniert, dass sie den Rand des Nicht-Anzeigebereichs N/A umgibt, sodass sie statische Elektrizität zur Zeit eines Ritzprozesses daran hindert, in den Anzeigebereich A/A transferiert zu werden. Die erste Lichtabschirmschicht LS1 wird in einer Plattenform gebildet, sodass sie den gesamten Anzeigebereich A/A bedeckt und die zweite Lichtabschirmschicht LS2 wird durchgehend ohne Unterbrechung gebildet, sodass sie den gesamten Rand des Substrates 105 umgibt. Die zweite Lichtabschirmschicht LS2 wird in einem Rahmen als ein Körper gebildet.
  • Die erste Lichtabschirmschicht LS1, die in dem Anzeigebereich A/A positioniert ist, und die zweite Lichtabschirmschicht LS2, die in dem Nicht-Anzeigebereich positioniert ist, sind räumlich voneinander getrennt, wodurch sie statische Elektrizität daran hindern, zu der Zeit eines Ritzprozesses entlang der Lichtabschirmschicht in den Anzeigebereich A/A transferiert zu werden. Hierbei ist die räumliche Distanz (d) zwischen der ersten Lichtabschirmschicht LS1 und der zweiten Lichtabschirmschicht LS2 mindestens 1 µm, 100 µm oder mehr oder vorzugsweise 1000 µm oder mehr. Die zweite Lichtabschirmschicht LS2 verhindert den Transfer von statischer Elektrizität zu der ersten Lichtabschirmschicht LS1. Außerdem hat die zweite Lichtabschirmschicht LS2 eine vorgegebene Breite (w) ausgehend von der seitlichen Oberfläche des Substrates 105. Die Breite (w) der zweiten Lichtabschirmschicht LS2 ist mindesten 0,1 µm, 10 µm oder mehr oder vorzugsweise 1000 µm oder mehr und stellt somit eine ausreichende Breite bereit, sodass ein Ritzrad innerhalb der zweiten Lichtabschirmschicht LS2 ritzen kann. Die Breite (w) der zweiten Lichtabschirmschicht LS2 ist 10.000 µm oder weniger, sodass die zweite Lichtabschirmschicht LS2 nicht den Anzeigebereich A/A erreichen kann.
  • 5 ist eine ebene Ansicht, die einen Ritzprozess bei der Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt und 6 ist eine Querschnittsansicht, geschnitten entlang der Linie III-III' von 5.
  • Ein Ritzprozess für eine Anzeigevorrichtung wird auf großflächigen Substraten, auf denen eine Mehrzahl von Zellbereichen eingeteilt sind, durchgeführt, um die Produktivität während der Herstellung der Anzeigevorrichtung zu verbessern. Das heißt, dass sowohl ein Substrat 105 als auch ein Gegensubstrat 180 großflächigen Substraten entsprechen. Somit werden, nachdem eine Mehrzahl von Zellen auf den großflächigen Substraten gebildet sind, die Substrate miteinander verbunden und dann gemäß jeweiliger Zellenbereiche geschnitten, wodurch eine Mehrzahl von Zellen eine Anzeigevorrichtung erhalten werden. Vorrichtungen für den Ritzprozess sind eingeteilt in eine Ritzvorrichtung, die die großflächigen Substrate gemäß Zellflächen unter Verwendung eines Ritzrades zum Bilden von geraden Kratzern ritzt und eine Brechvorrichtung, die im Wesentlichen die großflächigen Substrate durchschneidet, sodass eine Mehrzahl von Anzeigevorrichtungszellen gebildet werden. Im Folgenden wird der Ritzprozess, bei dem die Vorrichtungen verwendet werden, beschrieben.
  • Mit Bezug auf 5 und 6 wird das vorhergehende Substrat 105, das mit Dünnschichttransistor und organischen lichtemittierenden Dioden versehen ist, mit dem Gegensubstrat 180 verbunden. Das verbundene Substrat 105 und Gegensubstrat 180 weisen eine Mehrzahl von Zellbereichen C auf und jeder der Mehrzahl von Zellbereichen C ist in einen Anzeigebereich A/A, einen Nicht-Anzeigebereich N/A und einen Pad-Bereich P eingeteilt. Ein Versiegelungsstoff wie beispielsweise ein Abdichtungsmittel wird auf den Displaybereich A/A in jedem der Mehrzahl von Zellbereichen C aufgetragen, sodass das Substrat 105 und das Gegensubstrat 180 sich miteinander verbinden können.
  • Ritzen wird durchgeführt unter Verwendung eines Ritzrades entlang der Ritzlinien der verbundenen Substrate 105 und 180. Genauer wird das Ritzrad auf einer oberen Oberfläche des Substrates 105 angeordnet und dann das Ritzen durchgeführt. Hierbei deckt sich die Position des Ritzrades mit der Grenze des Zellbereichs C auf einer äußeren Oberfläche des Substrats 105. Insbesondere werden die Lichtabschirmschichten LS2 und LS3 auf der Grenze des Zellbereichs C gebildet, um als Ritzlinien zu dienen. Somit wird Ritzen unter Verwendung des Ritzrades entlang einer y-Achse (der vertikalen Richtung in der Zeichnung) entlang der Ritzlinie ① der Grenze des Zellbereichs C durchgeführt. Dann wird Ritzen unter Verwendung des Ritzrades entlang einer x-Achse (der horizontalen Richtung in der Zeichnung) entlang der Ritzlinie ① durchgeführt. Dann wird Ritzen unter Verwendung des Ritzrades in der x-Achsen-Richtung entlang der Ritzlinie ② durchgeführt, wodurch der Ritzprozess durchgeführt wird.
  • Hierbei ist die zweite Lichtabschirmschicht LS2 auf der Ritzlinie 1 positioniert und die dritte Lichtabschirmschicht LS3 ist auf der Ritzlinie 2 positioniert, sodass statische Elektrizität, die während des Ritzprozesses unter Verwendung eines Ritzrades erzeugt wird, in der zweiten Lichtabschirmschicht LS2 und der dritten Lichtabschirmschicht LS3 eingesperrt ist. Da jedoch die zweite Lichtabschirmschicht LS2 und die dritte Lichtabschirmschicht LS3 räumlich von der ersten Lichtabschirmschicht LS1 des Anzeigebereichs A/A getrennt sind, wird die statische Elektrizität, die in der zweiten Lichtabschirmschicht LS2 und der dritten Lichtabschirmschicht LS3 eingesperrt ist, nicht zu der ersten Lichtabschirmschicht LS1 transferiert. Währenddessen wird, obwohl es nicht gezeigt ist, nachdem das Substrat 105 umgedreht ist und das Ritzrad auf einer oberen Oberfläche des Gegensubstrates 180 angeordnet ist, zusätzlich ein Prozess zum Ritzen des Gegensubstrates 180 durchgeführt, sodass der Pad-Bereich P des Substrates 105 freigelegt wird, wodurch die endgültige Anzeigevorrichtung hergestellt wird.
  • Als solches hat die Anzeigevorrichtung, die dem Ritzprozess unterzogen wurde, die vorhergehende, in 3 und 4 gezeigte Struktur. Somit weist die Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die erste Lichtabschirmschicht und die zweite Lichtabschirmschicht, gebildet im Anzeigebereich und im Nicht-Anzeigebereich auf. Insbesondere sind die erste Lichtabschirmschicht und die zweite Lichtabschirmschicht räumlich voneinander getrennt und die die zweite Lichtabschirmschicht ist am Rand des zu ritzenden Substrates angeordnet. Deshalb kann die statische Elektrizität, die zur Zeit des Ritzens des Substrates erzeugt wird in der zweiten Lichtabschirmschicht eingesperrt werden und somit kann der Transfer von statischer Elektrizität zum Anzeigebereich verhindert werden.
  • Währenddessen ist 7 eine ebene Ansicht, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt und 8 ist eine ebene Ansicht, die einen Ritzprozess bei der Anzeigevorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. In der folgenden Beschreibung werden die gleichen Bezugszeichen verwendet, um die gleichen Komponenten wie in der ersten Ausführungsform zu bezeichnen und überlappende Beschreibungen davon werden weggelassen.
  • Mit Bezug auf 7 besteht eine Anzeigevorrichtung 100, dargelegt in der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, aus einem Substrat 105 und einem Gegensubstrat 180, die miteinander verbunden sind, und weist einen Anzeigebereich A/A und einen Nicht-Anzeigebereich N/A als den Restbereich außerhalb des Anzeigebereichs A/A auf. Um dem Anzeigebereich A/A Ansteuersignale zuzuführen, sind Ansteuerchips angebracht und ein Pad-Teil (PAD) mit einer Mehrzahl von Leitungen zum Empfangen von Signalen von einer externen Platine ist in dem Nicht-Anzeigebereich N/A angeordnet.
  • Lichtabschirmschichten LS1 und LS2 zum Verhindern des Eintritts eines externen Lichts sind in dem Anzeigebereich A/A bzw. dem Nicht-Anzeigebereich N/A vorgesehen. Die erste Lichtabschirmschicht LS1 ist mindestens in dem gesamten Gebiet des Anzeigebereichs A/A positioniert, sodass sie Licht daran hindert, in den in dem Anzeigebereich A/A gebildeten Dünnschichttransistor einzutreten. Die zweite Lichtabschirmschicht LS2 ist so positioniert, dass sie den Rand des Nicht-Anzeigebereich N/A umgibt, sodass sie statische Elektrizität daran hindert, zur Zeit eines Ritzprozesses zu dem Anzeigebereich A/A transferiert zu werden. Hierbei sind die erste Lichtabschirmschicht LS1, die in dem Anzeigebereich A/A positioniert ist, und die zweite Lichtabschirmschicht LS2, die in dem Nicht-Anzeigebereich positioniert ist, räumlich miteinander getrennt, wodurch statische Elektrizität daran gehindert wird, zur Zeit des Ritzprozesses entlang der Lichtabschirmschicht zu dem Anzeigebereich A/A transferiert zu werden.
  • Die erste Lichtabschirmschicht LS1 ist in einer Platten-Form ausgebildet, sodass sie den gesamten Anzeigebereich A/A überdeckt und die zweite Lichtabschirmschicht LS2 ist so positioniert, dass sie den gesamten Rand des Substrates 105 umgibt. Anders als in der oben beschriebenen ersten Ausführungsform ist die zweite Lichtabschirmschicht LS2 unterbrochen ausgebildet, beispielsweise in einer Form, in der Leitungen räumlich voneinander getrennt sind. Beispielsweise, wie in der Zeichnung gezeigt, sind die zweite Lichtabschirmschicht LS2, die auf der oberen Seite des Substrates 105 gebildet ist, die zweite Lichtabschirmschicht LS2, die auf der unteren Seite des Substrates 105 gebildet ist, die zweite Lichtabschirmschicht LS2, die auf der linken Seite des Substrates 105 gebildet ist, und die zweite Lichtabschirmschicht LS2, die auf der rechten Seite des Substrates 105 gebildet ist, alle getrennt.
  • Es kann eine Form vorgelegt werden, in der die zweite Lichtabschirmschicht LS2, die auf der oberen Seite des Substrates 150 gebildet ist, mit der zweiten Lichtabschirmschicht LS2, die auf der linken Seite des Substrates 105 gebildet ist, verbunden ist, aber die zweite Lichtabschirmschicht LS2, die auf der oberen Seite des Substrates 150 gebildet ist, von der zweiten Lichtabschirmschicht LS2, die auf der rechten Seite des Substrates 105 gebildet ist, getrennt ist, und die zweite Lichtabschirmschicht LS2, die auf der linken Seite des Substrates 150 gebildet ist, von der zweiten Lichtabschirmschicht LS2, die auf der unteren Seite des Substrates 105 gebildet ist, getrennt ist. Alternativ kann im Gegensatz dazu eine Form vorgelegt werden, in der die zweite Lichtabschirmschicht LS2, die auf der oberen Seite des Substrates 150 gebildet ist, mit der zweiten Lichtabschirmschicht LS2, die auf der rechten Seite des Substrates 105 gebildet ist, verbunden ist, aber die zweite Lichtabschirmschicht LS2, die auf der oberen Seite des Substrates 150 gebildet ist, von der zweiten Lichtabschirmschicht LS2, die auf der linken Seite des Substrates 105 gebildet ist, getrennt ist, und die zweite Lichtabschirmschicht, die auf der rechten Seite des Substrates 150 gebildet ist, von der zweiten Lichtabschirmschicht LS2, die auf der unteren Seite des Substrates 105 gebildet ist, getrennt ist.
  • Die oben beschriebene Anzeigevorrichtung 100 gemäß der zweiten Ausführungsform kann wie folgt geritzt werden. Mit Bezug auf 8 wird das vorhergehende Substrat 105, das mit Dünnschichttransistoren und organischen lichtemittierenden Dioden versehen ist, mit dem Gegensubstrat 180 verbunden. Das verbundene Substrat 105 und Gegensubstrat 180 weisen eine Mehrzahl von Zellbereichen C auf und jede der Mehrzahl von Zellbereichen C ist in einen Anzeigebereich A/A und einen Nicht-Anzeigebereich N/A und einen Pad-Bereich P eingeteilt. Ein Versiegelungsstoff, wie beispielsweise ein Abdichtungsmittel, ist auf den Anzeigebereich N/A in jedem der Mehrzahl von Zellbereichen C aufgebracht und somit können sich das Substrat 105 und das Gegensubstrat 180 miteinander verbinden.
  • Ritzen wird unter Verwendung eines Ritzrades entlang der Ritzlinien der verbundenen Substrate 105 und 180 durchgeführt. Genauer wird das Ritzrad auf einer oberen Oberfläche des Substrates 105 angeordnet und dann das Ritzen durchgeführt. Hierbei deckt sich die Position des Ritzrades mit der Grenze des Zellbereichs C auf einer äußeren Oberfläche des Substrates 105. Insbesondere werden die Lichtabschirmschichten LS2 und LS3 an der Grenze des Zellbereichs gebildet, um als Ritzlinien zu dienen. Hierbei können die Lichtabschirmschichten LS2 und LS3 in einer Form gebildet sein, in der Leitungen räumlich voneinander getrennt sind. Zum Beispiel sind, wie in 8 gezeigt, die zweite Lichtabschirmschicht LS2, die auf der oberen Seite des Substrats 105 gebildet ist, und die dritte Lichtabschirmschicht LS3, die zweite Lichtabschirmschicht LS2, die auf der unteren Seite des Substrates 105 gebildet ist, und die dritte Lichtabschirmschicht LS3 und die zweite Lichtabschirmschicht LS2, die auf der linken Seite des Substrates 105 gebildet ist, und die dritte Lichtabschirmschicht LS3 und die zweite Lichtabschirmschicht LS2, die auf der rechten Seite des Substrates 105 gebildet ist, und die dritte Lichtabschirmschicht LS3 alle voneinander getrennt.
  • Ritzen wird unter Verwendung eines Ritzrades entlang einer y-Achse (der vertikalen Richtung in der Zeichnung) entlang der Ritzlinie ① der Grenze des Zellbereichs C durchgeführt. Dann wird Ritzen unter Verwendung des Ritzrades entlang einer x-Achse (die horizontale Richtung in der Zeichnung) entlang der Ritzlinie ① durchgeführt. Dann wird Ritzen unter Verwendung des Ritzrades in einer x-Achsen-Richtung entlang der Ritzlinie ② durchgeführt, wodurch der Ritzprozess durchgeführt wird.
  • Hierbei sind die zweite Lichtabschirmschicht LS2 und die dritte Lichtabschirmschicht LS3 auf der Ritzlinie ① positioniert und die zweite Lichtabschirmschicht LS2 ist auf der Ritzlinie ② positioniert, sodass statische Elektrizität, die während des Ritzprozesses unter Verwendung eines Ritzrades erzeugt wird, in der zweiten Lichtabschirmschicht LS2 und der dritten Lichtabschirmschicht LS3 eingesperrt wird. Da jedoch die zweite Lichtabschirmschicht LS2 und die dritte Lichtabschirmschicht LS3 räumlich von der ersten Lichtabschirmschicht LS1 des Anzeigebereichs A/A getrennt sind, wird die statische Elektrizität, die in der zweiten Lichtabschirmschicht LS2 und der dritten Lichtabschirmschicht LS3 eingesperrt ist, nicht zu der ersten Lichtabschirmschicht LS1 transferiert.
  • Wie oben beschrieben weist die Anzeigevorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die erste Lichtabschirmschicht und die zweite Lichtabschirmschicht, gebildet in dem Anzeigebereich und dem Nicht-Anzeigebereich, auf. Insbesondere sind die erste Lichtabschirmschicht und die zweite Lichtabschirmschicht räumlich voneinander getrennt und die zweite Lichtabschirmschicht ist am Rand des zu ritzenden Substrates angeordnet. Deshalb kann die statische Elektrizität, die zur Zeit des Ritzens des Substrats erzeugt wird, in der zweiten Lichtabschirmschicht eingesperrt werden und somit kann der Transfer von statischer Elektrizität in den Anzeigebereich verhindert werden.
  • Währenddessen ist 9 eine ebene Ansicht, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt, und 10 ist eine ebene Ansicht, die einen Ritzprozess bei der Anzeigevorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. In der folgenden Beschreibung werden die selben Bezugszeichen verwendet, die zum Bezeichnen derselben Komponenten wie in der ersten Ausführungsform und der zweiten Ausführungsform verwendet wurden und überlappende Beschreibungen davon somit weggelassen.
  • Mit Bezug auf 9 besteht eine Anzeigevorrichtung 100, dargelegt in der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, aus einem Substrat 105 und einem Gegensubstrat 180, die miteinander verbunden sind, und weist einen Anzeigebereich A/A und einen Nicht-Anzeigebereich N/A als den Restbereich außerhalb des Anzeigebereichs A/A auf. Um dem Anzeigebereich A/A Ansteuersignale zuzuführen, sind Ansteuerchips angebracht und ein Pad-Teil (PAD) mit einer Mehrzahl von Leitungen zum Empfangen von Signalen von einer externen Platine ist in dem Nicht-Anzeigebereich N/A angeordnet.
  • Lichtabschirmschichten LS1 und LS2 zum Verhindern des Eintritts eines externen Lichts sind in dem Anzeigebereich A/A bzw. dem Nicht-Anzeigebereich N/A vorgesehen. Die erste Lichtabschirmschicht LS1 ist mindestens in dem gesamten Gebiet des Anzeigebereichs A/A positioniert, sodass sie Licht daran hindert, in den in dem Anzeigebereich A/A gebildeten Dünnschichttransistor einzutreten. Die zweite Lichtabschirmschicht LS2 ist so positioniert, dass sie den Rand des Nicht-Anzeigebereich N/A umgibt, sodass sie statische Elektrizität daran hindert, zur Zeit eines Ritzprozesses zu dem Anzeigebereich A/A transferiert zu werden. Hierbei sind die erste Lichtabschirmschicht LS1, die in dem Anzeigebereich A/A positioniert ist, und die zweite Lichtabschirmschicht LS2, die in dem Nicht-Anzeigebereich positioniert ist, räumlich miteinander getrennt, wodurch statische Elektrizität daran gehindert wird, zur Zeit des Ritzprozesses entlang der Lichtabschirmschicht zu dem Anzeigebereich A/A transferiert zu werden.
  • Die erste Lichtabschirmschicht LS1 ist in einer Platten-Form ausgebildet, sodass sie den gesamten Anzeigebereich A/A überdeckt und die zweite Lichtabschirmschicht LS2 ist so positioniert, dass sie den gesamten Rand des Substrates 105 umgibt. Anders als in der oben beschriebenen ersten Ausführungsform ist die zweite lichtabschirmende Schicht LS2 unterbrochen ausgebildet, beispielsweise in einer Punktform. Beispielsweise ist, wie in der Zeichnung gezeigt, die zweite Lichtabschirmschicht LS2, die jeweilse auf der oberen Seite und der unteren Seite des Substrates 105 gebildet ist, in der Form von vier getrennten Punkten ausgebildet und die zweite Lichtabschirmschicht LS2, die auf der linken Seite und der rechten Seite des Substrats 105 ausgebildet ist, ist in der Form von fünf getrennten Punkten ausgebildet. Jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt und somit können zwei bis einige zehn Punkte abhängig von den Positionen der zweiten Lichtabschirmschicht LS2 ausgebildet werden. Der räumliche Abstand zwischen den Punkten der zweiten Lichtabschirmschicht LS2 ist mindesten 1 µm, 100 µm oder mehr oder vorzugsweise 1000 µm oder mehr. Die zweite Lichtabschirmschicht LS2 verhindert den Transfer von statischer Elektrizität.
  • Die oben beschriebene Anzeigevorrichtung 100 gemäß der zweiten Ausführungsform kann wie folgt geritzt werden. Mit Bezug auf 8 wird das vorhergehende Substrat 105, das mit Dünnschichttransistoren und organischen lichtemittierenden Dioden versehen ist, mit dem Gegensubstrat 180 verbunden. Das verbundene Substrat 105 und Gegensubstrat 180 weisen eine Mehrzahl von Zellbereichen C auf und jede der Mehrzahl von Zellbereichen C ist in einen Anzeigebereich A/A und einen Nicht-Anzeigebereich N/A und einen Pad-Bereich P eingeteilt. Ein Versiegelungsstoff, wie beispielsweise ein Abdichtungsmittel, ist auf den Anzeigebereich N/A in jedem der Mehrzahl von Zellbereichen C aufgebracht und somit können sich das Substrat 105 und das Gegensubstrat 180 miteinander verbinden.
  • Ritzen wird unter Verwendung eines Ritzrades entlang der Ritzlinien der verbundenen Substrate 105 und 180 durchgeführt. Genauer wird das Ritzrad auf einer oberen Oberfläche des Substrates 105 angeordnet und dann das Ritzen durchgeführt. Hierbei deckt sich die Position des Ritzrades mit der Grenze des Zellbereichs C auf einer äußeren Oberfläche des Substrates 105. Insbesondere werden die Lichtabschirmschichten LS2 und LS3 an der Grenze des Zellbereichs C gebildet, um als Ritzlinien zu dienen. Hierbei können die Lichtabschirmschichten LS2 und LS3 in einer Punktform ausgebildet sein. Beispielsweise ist, wie in 10 gezeigt, die zweite Lichtabschirmschicht LS2, die jeweils auf der oberen Seite und der unteren Seite des Substrates 105 ausgebildet ist, in der Form von vier Punkten ausgebildet und die zweite Lichtabschirmschicht S2, die auf der linken Seite und der rechten Seite des Substrates 105 ausgebildet ist, in einer Form von fünf Punkten ausgebildet.
  • Ritzen wird unter Verwendung eines Ritzrades entlang einer y-Achse (der vertikalen Richtung in der Zeichnung) entlang der Ritzlinie ① der Grenze des Zellbereichs C durchgeführt. Dann wird Ritzen unter Verwendung des Ritzrades entlang einer x-Achse (die horizontale Richtung in der Zeichnung) entlang der Ritzlinie ① durchgeführt. Dann wird Ritzen unter Verwendung des Ritzrades in einer x-Achsen-Richtung entlang der Ritzlinie ② durchgeführt, wodurch der Ritzprozess durchgeführt wird.
  • Hierbei sind die zweite Lichtabschirmschicht LS2 und die dritte Lichtabschirmschicht LS3 auf der Ritzlinie ① positioniert und die zweite Lichtabschirmschicht LS2 ist auf der Ritzlinie ② positioniert, sodass statische Elektrizität, die während des Ritzprozesses unter Verwendung eines Ritzrades erzeugt wird, in der zweiten Lichtabschirmschicht LS2 und der dritten Lichtabschirmschicht LS3 eingesperrt wird. Da jedoch die zweite Lichtabschirmschicht LS2 und die dritte Lichtabschirmschicht LS3 räumlich von der ersten Lichtabschirmschicht LS1 des Anzeigebereichs A/A getrennt sind, wird die statische Elektrizität, die in der zweiten Lichtabschirmschicht LS2 und der dritten Lichtabschirmschicht LS3 eingesperrt ist, nicht zu der ersten Lichtabschirmschicht LS1 transferiert.
  • Wie oben beschrieben weist die Anzeigevorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die erste Lichtabschirmschicht und die zweite Lichtabschirmschicht, gebildet in dem Anzeigebereich und dem Nicht-Anzeigebereich, auf. Insbesondere sind die erste Lichtabschirmschicht und die zweite Lichtabschirmschicht räumlich voneinander getrennt und die zweite Lichtabschirmschicht ist am Rand des zu ritzenden Substrates angeordnet. Deshalb kann die statische Elektrizität, die zur Zeit des Ritzens des Substrats erzeugt wird, in der zweiten Lichtabschirmschicht eingesperrt werden und somit kann der Transfer von statischer Elektrizität in den Anzeigebereich verhindert werden.
  • 11 ist ein Graph, der eine Gatespannung-Drainstrom-Kurve in einem Dünnfilmtransistor der Anzeigevorrichtung, die gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hergestellt wurde, darstellt und 12 ist ein Graph, der eine Gatespannung-Drainstrom-Kurve in einem Dünnschichttransistor in einer Anzeigevorrichtung, die gemäß dem verwandten Stand der Technik hergestellt wurde, darstellt. Hierbei ist die Anzeigevorrichtung, die gemäß dem verwandten Stand der Technik hergestellt wurde, die Anzeige, die in 2 gezeigt ist.
  • Mit Bezug auf 11 hat ein Dünnfilmtransistor einer Anzeigevorrichtung, die durch Ritzen des Substrates mit Lichtabschirmschichten, die auf den Ritzlinien gebildet sind, gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hergestellt wurde, eine Schwellenspannung von -2 V. Im Unterschied dazu hat, mit Bezug auf 12, ein Dünnschichttransistor einer Anzeigevorrichtung, die durch Ritzen des Substrates gemäß dem verwandten Stand der Technik hergestellt wurde, eine Schwellenspannung von - 7,6 V, die um ungefähr -5,4 V verschoben ist, wenn man sie mit dem Dünnschichttransistor gemäß der vorliegenden Erfindung vergleicht. Das heißt, dass gemäß der vorliegenden Erfindung die Lichtabschirmschicht, die auf der Ritzlinie des Substrats gebildet ist, von der Lichtabschirmschicht des Anzeigebereichs räumlich getrennt ist, wodurch die Verschlechterung in dem Dünnschichttransistor aufgrund statischer Elektrizität, die während des Ritzprozesses erzeugt wird, verhindert wird.
  • Die Anzeigevorrichtung gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung weisen die erste Lichtabschirmschicht und die zweite Lichtabschirmschicht auf, die in dem Anzeigebereich und dem Nicht-Anzeigebereich ausgebildet sind, wobei die erste Lichtabschirmschicht und die zweite Lichtabschirmschicht räumlich voneinander getrennt sind, wodurch statische Elektrizität, die während des Ritzprozesses erzeugt wird, daran gehindert wird, in den Anzeigebereich transferiert zu werden und dadurch die Zuverlässigkeit der Anzeigevorrichtung verbessert wird.
  • Obwohl Ausführungsformen mit Bezug auf eine Anzahl von anschaulichen Ausführungsformen davon beschrieben werden, sollte verstanden werden, dass zahlreiche andere Modifikationen und Ausführungsformen von Fachmännern erdacht werden können, die innerhalb des Bereichs der Prinzipien dieser Offenbarung fallen. Im Speziellen sind verschiedene Variationen und Modifikationen hinsichtlich der Komponenten und/oder Anordnungen der Kombination des Gegenstandes innerhalb des Bereichs der Offenbarung der Zeichnungen und der angehängten Ansprüche möglich. Zusätzlich zu Variationen und Modifikationen hinsichtlich der Komponenten und/oder Anordnungen sind auch alternative Verwendungen für den Fachmann ersichtlich.

Claims (6)

  1. Ritzverfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung, aufweisend: Bilden einer Mehrzahl von Zellbereichen auf einem großflächigen Substrat, wobei jeder Zellbereich in einen Anzeigebereich und einen Nicht-Anzeigebereich außerhalb des Anzeigebereichs eingeteilt ist; Bilden einer ersten Lichtabschirmschicht in dem Anzeigebereich; Bilden einer zweiten Lichtabschirmschicht in dem Nicht-Anzeigebereich; Bilden von Oxid-Dünnschichttransistoren und organischen lichtemittierenden Dioden auf der ersten Lichtabschirmschicht, wobei die erste Lichtabschirmschicht und die zweite Lichtabschirmschicht räumlich voneinander getrennt sind; Ritzen des Substrats in der zweiten Lichtabschirmschicht unter Verwendung eines Ritzrades entlang Ritzlinien des Substrats, so dass statische Elektrizität, die während des Ritzprozesses unter Verwendung des Ritzrades erzeugt wird, in der zweiten Lichtabschirmschicht eingesperrt ist; und Schneiden des großflächigen Substrats in einer Brechvorrichtung zum Bilden einer Mehrzahl von Anzeigevorrichtungszellen.
  2. Ritzverfahren gemäß Anspruch 1, wobei die erste Lichtabschirmschicht in dem gesamten Gebiet des Anzeigebereichs gebildet ist.
  3. Ritzverfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die zweite Lichtabschirmschicht einen Rand des Nicht-Anzeigebereichs umgibt.
  4. Ritzverfahren gemäß Anspruch 3, wobei die zweite Lichtabschirmschicht durchgehend oder unterbrochen ausgebildet ist.
  5. Ritzverfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der räumliche Abstand zwischen der ersten Lichtabschirmschicht und der zweiten Lichtabschirmschicht 1 µm bis 10.000 µm ist.
  6. Ritzverfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Breite der zweiten Lichtabschirmschicht 1 µm bis 10.000 µm ist.
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