TW201605091A - 顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

一種顯示裝置包含基板、第一光遮蔽膜、第二光遮蔽膜以及氧化物薄膜電晶體與有機發光二極體。基板被劃分為顯示區域與除顯示區域外的非顯示區域。第一光遮蔽膜形成於顯示區域中，以及第二光遮蔽膜形成於非顯示區域中氧化物薄膜電晶體與有機發光二極體形成於第一光遮蔽膜上。第一光遮蔽膜與第二光遮蔽膜彼此間隔開來。

Description

顯示裝置
本發明係關於一種顯示裝置，特別是一種能夠透過避免雕刻製程時產生的靜電的流入而改善可靠性的顯示裝置。
近來，隨著多媒體的發展，平面顯示器變得愈加重要。因此，若干顯示裝置例如液晶顯示器、電漿顯示器、場發射顯示器以及有機發光裝置被使用。這些顯示裝置中，因為有機發光顯示器展現出1毫秒或更少的高速響應且功率消耗低，以及具有自發光特性，不會出現視角問題，所以有機發光顯示器被視為下世代顯示裝置。
顯示裝置係使用薄膜電晶體以被動矩陣方式與主動矩陣方式被驅動。雖然驅動係透過形成彼此交叉的正電極與負電極以及依照被動矩陣形式選擇一條線而實施，但是驅動係透過分別連接薄膜電晶體至畫素以及透過連接薄膜電晶體的閘電極的的電容器的電容而保持電壓而實施。
能夠保持壽命與電子可靠性的耐久性，以及薄膜電晶體的基本特徵例如移動性與泄露電流對於薄膜電晶體非常重要。本文中，薄膜電晶體的主動層主要由非晶矽或者多晶矽形成。非晶矽的優點在於膜形成製程簡單且生產成本低，但是缺點在於無法確保電氣可靠性。此外，多晶矽的缺點在於由於製程溫度高難以實施大面積的應用以及無法確保結晶方式的均勻性。
其間，主動層由氧化物形成的情況下，即使低溫時形成膜也可獲得高移動性，以及因為電阻中的變化主要取決於氧的含量，所以可容易獲得期望的物理特性。因此，在薄膜電晶體的應用中，氧化物近來受到大量關注。特別地，主動層中可使用的氧化物的例子為氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(InZnO)、氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide；InGaZnO4)等。因為外部光源產生光電流，所以包含氧化物的主動層的薄膜電晶體不穩定，因此需要光遮蔽膜用以遮蔽主動層以避免外部光線。
第1圖為習知技術的顯示裝置的平面示意圖，以及第2圖為沿第1圖的線I-I’的剖面示意圖。
請參考第1圖，習知技術的顯示裝置包含複數個顯示面板DP，其中複數個主動區域形成於作為母板的基板10上。完成雕刻製程以將各自獨立的面板與形成的顯示面板DP分離。依照雕刻製程，使用雕刻輪SWH透過沿雕刻線①切割基板10然後沿雕刻線②切割基板10，從而製備獨立的顯示面板DP。
更特別地，請參考第2圖，光遮蔽層LS被放置於基板10上，緩衝層15被放置於光遮蔽層LS上。光遮蔽層LS避免光線進入後續形成的主動層。主動層20形成於緩衝層15上，以及透過主動層20上放置的閘極絕緣膜25被絕緣。閘電極30形成於閘極絕緣膜25上，以及被層間絕緣膜32絕緣。源電極40a與汲電極40b形成於層間絕緣膜32上，以及透過接觸孔35a與35b連接主動層20，從而配置薄膜電晶體TFT。有機絕緣膜45被放置於薄膜電晶體TFT上。畫素電極50被放置於有機絕緣膜45上，以及透過通孔47連接汲電極40b。護堤層(bank layer)55被放置於畫 素電極50上，以及發光層60被放置於護堤層55所暴露的畫素電極50上。相對電極(counter electrode)65被放置於具有發光層60的基板10上方，形成的基板被相對基板(counter substrate)70密封，從而形成顯示裝置。
其間，如上所述，因為外部光線產生光電流，氧化物形成的主動層20不穩定，所以光遮蔽層LS形成於基板10的整個表面上。然而，雕刻製程期間，雕刻輪SWH切割基板10時產生的靜電透過光遮蔽層LS滲透到顯示區域A/A內，從而影像薄膜電晶體。因此，薄膜電晶體的靜電特性被劣化，導致可靠性劣化。
因此，本發明提供一種顯示裝置，透過避免雕刻製程期間產生的靜電的流入，能夠提高可靠性。
一方面，一種顯示裝置包含：基板，被劃分為顯示區域與除顯示區域外的非顯示區域；第一光遮蔽膜，形成於顯示區域中；第二光遮蔽膜，形成於非顯示區域中；以及氧化物薄膜電晶體與有機發光二極體，形成於第一光遮蔽膜上，其中第一光遮蔽膜與第二光遮蔽膜彼此間隔開來。
10‧‧‧基板
DP‧‧‧顯示面板
①‧‧‧雕刻線
②‧‧‧雕刻線
15‧‧‧緩衝層
20‧‧‧主動層
25‧‧‧閘極絕緣膜
30‧‧‧閘電極
32‧‧‧層間絕緣膜
35a、35b‧‧‧接觸孔
40a‧‧‧源電極
40b‧‧‧汲電極
45‧‧‧有機絕緣膜
47‧‧‧通孔
50‧‧‧畫素電極
55‧‧‧護堤層
60‧‧‧發光層
65‧‧‧相對電極
70‧‧‧相對基板
LS‧‧‧光遮蔽層
TFT‧‧‧薄膜電晶體
SWH‧‧‧雕刻輪
100‧‧‧顯示裝置
105‧‧‧基板
LS1‧‧‧光遮蔽膜
LS2‧‧‧光遮蔽膜
180‧‧‧相對基板
P‧‧‧墊區域
N/A‧‧‧非顯示區域
A/A‧‧‧顯示區域
110‧‧‧緩衝層
115‧‧‧主動層
120‧‧‧閘極絕緣膜
125‧‧‧閘電極
130‧‧‧層間絕緣膜
135a、135b‧‧‧接觸孔
140a‧‧‧源電極
140b‧‧‧汲電極
145‧‧‧有機絕緣膜
147‧‧‧通孔
150‧‧‧畫素電極
155‧‧‧護堤層
160‧‧‧有機發光層
165‧‧‧相對電極
GL‧‧‧閘極線
d‧‧‧距離
w‧‧‧寬度
C‧‧‧單元區域
LS3‧‧‧光遮蔽膜
第1圖為習知技術的顯示裝置的平面示意圖。
第2圖為沿第1圖之線I-I'切割的剖面示意圖。
第3圖為本發明第一實施例的顯示裝置的平面示意圖。
第4圖為沿第3圖之線Ⅱ-Ⅱ'切割的剖面示意圖。
第5圖為本發明第一實施例的顯示裝置中雕刻製程的平面示意圖。
第6圖為沿第5圖之線Ⅲ-Ⅲ'切割的剖面示意圖。
第7圖為本發明第二實施例的顯示裝置的平面示意圖。
第8圖為本發明第二實施例的顯示裝置中雕刻製程的平面示意圖。
第9圖為本發明第三實施例的顯示裝置的平面示意圖。
第10圖為本發明第三實施例的顯示裝置中雕刻製程的平面示意圖。
第11圖為本發明第一實施例製造的顯示裝置的薄膜電晶體中閘電壓-汲極電流曲線的圖形。
第12圖為習知技術製造的顯示裝置的薄膜電晶體中閘電壓-汲極電流曲線的圖形。
現在將結合圖式部份對本發明的實施方式作詳細說明。其中在這些圖式部份中所使用的相同的參考標號代表相同或同類部件。需要注意，如果已知技術的詳細描述被判定為可誤導本發明的實施例時則將其省略。
第3圖為本發明第一實施例的顯示裝置的平面示意圖，以及第4圖為沿第3圖之線Ⅱ-Ⅱ'切割的剖面示意圖。以下將以有機發光顯示器為例描述本發明的顯示裝置。然而，本發明並非限制於此，因此本發明可被應用到平面顯示裝置例如液晶顯示器。
請參考第3圖，本發明第一實施例說明的顯示裝置100包含彼此結合的基板105與相對基板180，以及包含顯示區域A/A與非顯示區域N/A，其中非顯示區域N/A為除顯示區域A/A外的剩餘區域。顯示區域A/A係為主動區域，其中形成有薄膜電晶體陣列與有機發光二極體以顯 示影像。非顯示區域N/A係為非主動區域，為除顯示區域A/A外的剩餘區域，不顯示影像。為了施加驅動訊號到顯示區域A/A，在非顯示區域N/A中裝設驅動晶片以及放置墊部份PAD，其中墊部份PAD包含複數條線，用於接收來自外部印刷電路板的訊號。
顯示區域A/A與非顯示區域N/A中分別提供光遮蔽膜LS1與LS2，用於阻擋外部光線的進入。第一光遮蔽膜LS1被放置於至少遍及顯示區域A/A以阻擋光線進入顯示區域A/A中形成的薄膜電晶體。第二光遮蔽膜LS2被放置為圍繞非顯示區域N/A的邊緣，以在雕刻製程時阻擋靜電被傳送到顯示區域A/A。本文中，位於顯示區域A/A中的第一光遮蔽膜LS1與非顯示區域N/A的第二光遮蔽膜LS2彼此間隔開來，從而避免在雕刻製程時靜電沿光遮蔽膜被傳送到顯示區域A/A。
更特別地，結合第4圖描述顯示區域A/A與非顯示區域N/A中形成的第一光遮蔽膜LS1與第二光遮蔽膜LS2。以下描述中，以單個畫素為描述顯示區域A/A。
第一光遮蔽膜LS1位於基板105上的顯示區域A/A中，第二光遮蔽膜LS2位於基板105上的非顯示區域N/A中。基板105係由玻璃、塑膠或金屬形成。第一光遮蔽膜LS1與第二光遮蔽膜LS2用於阻擋外部光線進入顯示面板的內部，以及由能夠阻擋光線的材料形成。第一光遮蔽膜LS1與第二光遮蔽膜LS2由低導電率與低反射率的材料形成，舉個例子，由半導體基材料例如非晶矽(a-si)鍺(Ge)、氧化鉭(tantalum oxide；TaOx)或者氧化銅(CuOx)形成。
緩衝層110被放置於具有第一光遮蔽膜LS1與第二光遮蔽 膜LS2-的基板105上方。緩衝層110被形成以保護後續製程形成的薄膜電晶體避免從基板105流出的雜質例如鹼離子。緩衝層110係由氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)等形成。主動層115形成於緩衝層110上。主動層115由係由非晶氧化鋅基的合成物半導體形成。特別地，α-氧化銦鎵鋅(IGZO)半導體的情況下，主動層115係利用氧化鎵(Ga2O3)、氧化銦(In2O3)與氧化鋅(ZnO)的複合靶透過噴射而形成。此外，可採用化學沈積方法例如化學氣相沈積法或者原子層沈積法(atomic layer deposition；ALD)。本文中，本發明的實施例中，非晶氧化鋅基的合成物半導體依照1：1：1、2：2：1、3：2：1或者4：2：1的原子比使用包含鎵、銦與鋅的複合氧化物靶被沈積。本文中，以2：2：1的原子比複合氧化物靶包含鎵、銦與鋅的情況下，鎵、銦與鋅的當量重量比為2.8：2.8：1。雖然圖中未表示，透過摻雜雜質在主動層115的兩側提供源極區域與汲極區域，以及在源極區域與汲極區域間提供通道區域。
閘極絕緣膜120被放置於主動層115上。閘極絕緣膜120由氧化矽膜、氮化矽膜或者其多層而形成。閘極絕緣膜120上，閘電極125形成於顯示區域A/A中，與閘電極125連接的閘極線GL被放置於非顯示區域N/A中。閘電極125由從銅(Cu)、鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)、鉭(Ta)與鎢(W)組成的集合中選擇的任意一種，或者其合金的單層或者多層形成。閘電極125被放置為對應主動層115的通道區域。
層間絕緣膜130被放置於具有閘電極125的基板105上方。層間絕緣膜130由氧化矽膜(SiOx)、氮化矽膜(SiNx)或者其多層形成。 以外，層間絕緣膜130與閘極絕緣膜120中提供接觸孔135a與135b，用以暴露主動層115兩側的源極區域與汲極區域。
源電極140a與汲電極140b被放置於層間絕緣膜130上。源電極140a與汲電極140b形成為單層或多層。源電極140a與汲電極140b形成為單層的情況下，電極由從鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)與銅(Cu)組成的集合中選擇的任意一種或者其合金形成。或者，源電極140a與汲電極140b形成為多層的情況下，電極由鉬/鋁-釹、鉬/鋁或鈦/鋁的雙層，或者鉬/鋁-釹/鉬、鉬/鋁/鉬或鈦/鋁/鈦的三層形成。透過層間絕緣膜130與閘極絕緣膜120中形成的接觸孔135a與135b，源電極140a與汲電極140b分別連接主動層120的源極區域與汲極區域。
有機絕緣膜145被放置於具有源電極140a與汲電極140b的基板105上。有機絕緣膜145由有機材料例如光壓克力(photo acryl)、聚醯亞胺(polyimide)、苯環丁烯(benzocyclobutene)樹脂與丙烯酸酯(acrylate)形成。有機絕緣膜145中形成通孔147，用以暴露薄膜電晶體TFT的汲電極140b。
畫素電極150被放置於有機絕緣膜145上。畫素電極150係由透明導電膜形成。透明導電膜為具有透明度與導電性的材料，例如氧化銦錫(ITO)或者氧化銦鋅(IZO)。本文中，以頂部發射型結構製造的有機發光顯示器的情況下，具有高反射比的反射金屬膜例如鋁、鋁-釹、銀或者銀合金可形成於透明導電膜下方，以及反射膜可具有透明導電膜/反射金屬膜/透明導電膜的結構。舉個例子，畫素電極150具有氧化銦錫/銀/氧化銦錫(ITO/Ag/ITO)的結構較佳。畫素電極150透過有機絕緣膜145中 提供的通孔147連接汲電極140b。
畫素電極150上形成護堤層155以暴露畫素電極150。護堤層155定義畫素且將畫素電極150絕緣，以及由有機材料例如聚醯亞胺、苯環丁烯基的樹脂與丙烯酸酯形成。有機發光層160形成於畫素電極150與護堤層155上。有機發光層160包含至少一個發光層，以及更包含電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層或者電子注入層。相對電極165被放置於有機發光層160上。相對電極165由具有低工作函數的金屬材料例如銀、鎂或者鈣形成。因此，畫素電極150、有機發光層160與相對電極165組成的有機發光二極體被形成。具有薄膜電晶體與有機發光二極體的基板透過相對基板180被密封，從而形成本發明的顯示裝置。
其間，形成於基板105上方的第一光遮蔽膜LS1與第二光遮蔽膜LS2分別位於顯示區域A/A與非顯示區域N/A中。第一光遮蔽膜LS1位於顯示區域A/A的至少整個區域中，以阻擋光線進入顯示區域A/A中形成的薄膜電晶體。第二光遮蔽膜LS2被放置為圍繞非顯示區域N/A的邊緣以阻擋在雕刻製程時靜電被傳送到顯示區域A/A。第一光遮蔽膜LS1形成為板狀，從而覆蓋整個顯示區域A/A，第二光遮蔽膜LS2係連續形成沒有斷開連接，從而圍繞基板105的整個邊緣。第二光遮蔽膜LS2係形成於一個框中成為一體。
位於顯示區域A/A中的第一光遮蔽膜LS1與位於非顯示區域中的第二光遮蔽膜LS2彼此分隔開來，從而避免在雕刻製程時靜電沿光遮蔽膜被傳送到顯示區域A/A。本文中，第一光遮蔽膜LS1與第二光遮蔽膜LS2之間的間隔距離d係為至少1微米，100微米或更多，或者1000微 米或更多較佳。第二光遮蔽膜LS2避免傳送靜電到第二光遮蔽膜LS2。此外，第二光遮蔽膜LS2從基板105的側表面具有預定的寬度w。第二光遮蔽膜LS2的寬度w為至少0.1微米，10微米或更多，或者1000微米或更多較佳，因此為雕刻輪SWH提供足夠的寬度以在第二光遮蔽膜LS2的範圍內雕刻。第二光遮蔽膜LS2的寬度w為10,000微米或更少，這樣第二光遮蔽膜LS2無法到達顯示區域A/A。
第5圖為本發明第一實施例的顯示裝置中雕刻製程的平面示意圖，以及第6圖為沿第5圖之線Ⅲ-Ⅲ'切割的剖面示意圖。
在大面積的基板上完成顯示裝置的雕刻製程，大面積基板上被劃分為複數個單元區域(cell areas)，從而在顯示裝置的製造期間提高生產率。就是說，基板105與相對基板180均對應大面積的基板。因此，在大面積的基板上形成複數個單元以後，基板彼此結合，然後被各自的單元區域切割，從而獲得用於顯示裝置的複數個單元。雕刻製程的設備被劃分為雕刻設備與制動設備，其中雕刻設備使用雕刻輪SWH藉由單元區域雕刻大面積基板以雕出直線刻痕，制動設備實質上切割大面積基板以形成複數個顯示裝置單元。以下使用這些設備描述雕刻製程。
請參考第5圖與第6圖，上述具有薄膜電晶體與有機發光二極體的基板105被結合到相對基板180。結合的基板105與相對基板180包含複數個單元區域C，複數個單元區域C的每一個被劃分為顯示區域A/A、非顯示區域N/A與墊區域P。密封劑例如密封膠被塗佈於複數個單元區域C的每一個中的非顯示區域N/A上，這樣允許基板105與相對基板180彼此結合。
沿結合的基板105與相對基板-180的雕刻線使用雕刻輪SWH進行雕刻。更特別地，雕刻輪SWH被排列於基板105的上表面上，然後完成雕刻。本文中，雕刻輪SWH的位置對應基板105的外表面上單元區域C的邊界。特別地，光遮蔽膜LS2與LS3形成於單元區域C的邊界上，以用作雕刻線。因此，沿單元區域C的邊界的雕刻線①沿y軸(圖式中的垂直方向)使用雕刻輪SWH進行雕刻。然後，沿雕刻線①沿x軸(圖式中的水平方向)使用雕刻輪SWH進行雕刻。然後，沿雕刻線②沿x軸方向使用雕刻輪SWH進行雕刻，從而完成雕刻製程。
本文中，第二光遮蔽膜LS2被放置於雕刻線①上，第三光遮蔽膜LS3被放置於雕刻線②上，這樣雕刻製程期間使用雕刻輪SWH產生的靜電被約束於第二光遮蔽膜LS2與第三光遮蔽膜LS3中。然而，因為第二光遮蔽膜LS2及第三光遮蔽膜LS3與顯示區域A/A的第一光遮蔽膜LS1間隔開來，第二光遮蔽膜LS2與第三光遮蔽膜LS3中約束的靜電未被傳送到第一光遮蔽膜LS1。期間，雖然圖中未表示，基板被反向以後，雕刻輪SWH被排列於相對基板180的上表面上，額外完成相對基板180的雕刻製程，從而暴露基板105的墊區域P，從而製造最終的顯示裝置。
同樣，經過雕刻製程的顯示裝置具有如第3圖與第4圖所示的前述結構。因此，本發明第一實施例的顯示裝置包含顯示區域與非顯示區域中形成的第一光遮蔽膜與第二光遮蔽膜。特別地，第一光遮蔽膜與第二光遮蔽膜彼此間隔開來，第二光遮蔽膜被放置於基板的邊緣處以被雕刻。因此，雕刻基板時產生的靜電可被約束於第二光遮蔽膜中，因此可避免靜電被傳送到顯示區域。
其間，第7圖為本發明第二實施例的顯示裝置的平面示意圖，以及第8圖為本發明第二實施例的顯示裝置中雕刻製程的平面示意圖。以下描述中，相同的參考標號用於代表第一實施例中相同的部件，因此省略重疊的描述。
請參考第7圖，本發明第二實施例說明的顯示裝置100由彼此結合的基板105與相對基板180組成，以及包含顯示區域A/A與除顯示區域A/A以外的剩餘區域作為非顯示區域N/A。為了施加驅動訊號到顯示區域A/A，在非顯示區域N/A中裝設驅動晶片以及放置墊部份PAD，墊部份PAD包含複數條線，接受來自外部印刷電路板的訊號。
顯示區域A/A與非顯示區域N/A中分別提供光遮蔽膜LS1與LS2以阻擋外部光線的進入。第一光遮蔽膜LS1被放置於顯示區域A/A的至少整個區域中以阻擋光線進入顯示區域A/A中形成的薄膜電晶體。第二光遮蔽膜LS2被放置為圍繞非顯示區域N/A的邊緣，以阻擋雕刻製程時的靜電被傳送到顯示區域A/A。本文中，位於顯示區域A/A中的第一光遮蔽膜LS1與位於非顯示區域中的第二光遮蔽膜LS2彼此間隔開來，從而避免雕刻製程時的靜電沿光遮蔽膜被傳送到顯示區域A/A。
第一光遮蔽膜LS1形成為板狀，從而覆蓋整個顯示區域A/A，以及第二光遮蔽膜LS2被放置為圍繞基板105的整個邊緣。與上述第一實施例不同，第二光遮蔽膜LS2為非連續形成，舉個例子，形成為彼此間隔的線狀。舉例而言，如圖所示，基板105的上側形成的第二光遮蔽膜LS2、基板105的下側形成的第二光遮蔽膜LS2、基板105的左側形成的第二光遮蔽膜LS2，以及基板105的右側形成的第二光遮蔽膜LS2全部斷開 連接。
可出現以下的形狀，基板105的上側形成的第二光遮蔽膜LS2連接基板105的左側形成的第二光遮蔽膜LS2，但是基板150的上側形成的第二光遮蔽膜LS2與基板105右側形成的第二光遮蔽膜LS2斷開連接，以及基板105左側形成的第二光遮蔽膜LS2與基板105下側形成的第二光遮蔽膜LS2斷開連接。或者，與此相反，可出現以下的形狀，基板105的上側形成的第二光遮蔽膜LS2連接基板105的右側形成的第二光遮蔽膜LS2，但是基板105的上側形成的第二光遮蔽膜LS2與基板105的左側形成的第二光遮蔽膜LS2斷開連接，並且基板105的右側形成的第二光遮蔽膜LS2與基板105的下側形成的第二光遮蔽膜LS2斷開連接。
上述本發明第二實施例的顯示裝置100依照以下方式被雕刻。請參考第8圖，具有薄膜電晶體與有機發光二極體的前述基板105被結合到相對基板180。結合的基板105與相對基板180包含複數個單元區域C，複數個單元區域C的每一個被劃分為顯示區域A/A、非顯示區域N/A以及墊區域P。密封劑例如密封膠被塗佈於複數個單元區域C的每一個中的非顯示區域N/A上，因此允許基板105與相對基板190彼此結合。
使用雕刻輪沿結合基板105與相對基板180的雕刻線進行雕刻。更特別地，雕刻輪被排列於基板105的上表面上，然後完成雕刻。本文中，雕刻輪的位置對應基板105的外表面上單元區域C的邊界。特別地，光遮蔽膜LS2與LS3形成於單元區域的邊界上用作雕刻線。本文中，光遮蔽膜LS2與LS3可形成為彼此間隔開來的線狀。例如，如第8圖所示，基板105的上側形成的第二光遮蔽膜LS2與第三光遮蔽膜LS3，基板105 下側形成的第二光遮蔽膜LS2與第三光遮蔽膜LS3，基板105左側形成的第二光遮蔽膜LS2與第三光遮蔽膜LS3，以及基板105右側形成的第二光遮蔽膜LS2與第三光遮蔽膜LS3彼此全部斷開連接。
使用雕刻輪沿單元區域C的邊界的雕刻線①沿y軸(圖式的垂直方向)進行雕刻。然後，使用雕刻輪沿雕刻線①沿x軸(圖式中的水平方向)進行雕刻。然後，使用雕刻輪沿雕刻線②沿x軸方向進行雕刻，從而完成雕刻製程。
本文中，第二光遮蔽膜LS2與第三光遮蔽膜LS3係位於雕刻線①上，第二光遮蔽膜LS2係位於雕刻線②上，這樣使用雕刻輪於雕刻製程期間產生的靜電被約束於第二光遮蔽膜LS2與第三光遮蔽膜LS3中。然而，因為第二光遮蔽膜LS2及第三光遮蔽膜LS3與顯示區域A/A的第一光遮蔽膜LS1間隔開來，第二光遮蔽膜LS2與第三光遮蔽膜LS3中約束的靜電未被傳送到第一光遮蔽膜LS1。
如上所述，本發明第二實施例的顯示裝置包含顯示區域與非顯示區域中形成的第一光遮蔽膜與第二光遮蔽膜。特別地，第一光遮蔽膜與第二光遮蔽膜彼此分隔開來，第二光遮蔽膜被放置於基板的邊緣處以待被雕刻。因此，雕刻基板時產生的靜電可被約束於第二光遮蔽膜中，由此可避免靜電被傳送到顯示區域。
其間，第9圖為本發明第三實施例的顯示裝置的平面示意圖，以及第10圖為本發明第三實施例的顯示裝置中雕刻製程的平面示意圖。以下描述中，相同的參考標號用於代表第一與第二實施例中相同的部件，因此省略重疊的描述。
請參考第9圖，本發明第三實施例說明的顯示裝置100包含彼此結合的基板105與相對基板180，以及包含顯示區域A/A與除顯示區域A/A外的剩餘區域的非顯示區域N/A。為了施加驅動訊號到顯示區域A/A，在非顯示區域N/A中裝設驅動晶片與墊部份PAD，其中墊部份PAD包含用以接收來自外部印刷電路板的複數條線。
顯示區域A/A與非顯示區域N/A中分別提供光遮蔽膜LS1與LS2以阻擋外部光線的進入。第一光遮蔽膜LS1被放置於顯示區域A/A的至少整個區域中以阻擋光線進入顯示區域A/A中形成的薄膜電晶體。第二光遮蔽膜LS2被放置為圍繞非顯示區域N/A的邊緣以阻擋雕刻製程時的靜電被傳送到顯示區域A/A。本文中，位於顯示區域A/A中的第一光遮蔽膜LS1與位於非顯示區域中的第二光遮蔽膜LS2彼此間隔開來，從而避免雕刻製程時的靜電沿光遮蔽膜被傳送到顯示區域A/A。
第一光遮蔽膜LS1形成為板狀，從而覆蓋整個顯示區域A/A，第二光遮蔽膜LS2被放置為圍繞基板105的整個邊緣。與上述第一實施例不同，第二光遮蔽膜LS2為非連續地形成，舉個例子形成為點狀。舉個而言，如圖所示，基板105的上下側面每一處形成的第二光遮蔽膜LS2係形成為四個單獨的點的形狀，基板105的左右側面每一處形成的第二光遮蔽膜LS2形成為五個單獨點的形狀。然而，本發明並非限制於此，因此根據第二光遮蔽膜LS2的位置，可形成兩個至幾十個點。第二光遮蔽膜LS2的點之間的間隔距離為至少1微米、100微米或更多，或者1000微米或更多較佳。第二光遮蔽膜LS2避免靜電的傳送。
第三實施例的上述顯示裝置100依照如下方式被雕刻。請 參考第10圖，上述具有薄膜電晶體與有機發光二極體的基板105被結合到相對基板180。結合的基板105與相對基板180包含複數個單元區域C，複數個單元區域C的每一個被劃分為顯示區域A/A、非顯示區域N/A與墊區域P。密封劑例如密封膠被塗佈於複數個單元區域C的每一個的非顯示區域N/A上，由此允許基板105與相對基板180彼此結合。
使用雕刻輪沿結合的基板105與相對基板180的雕刻線進行雕刻。更特別地，雕刻輪被排列於基板105的上表面上，然後進行雕刻。本文中，雕刻輪的位置對應基板105的外部表面上的單元區域C的邊界。尤其地，光遮蔽膜LS2與LS3形成於單元區域C的邊界上以用作雕刻線。本文中，光遮蔽膜LS2與LS3形成為點狀。舉例而言，如第10圖所示，基板105的上下側面的每一個處形成的第二光遮蔽膜LS2形成為四個點的形狀，基板105的左右側面的每一個處形成的第二光遮蔽膜LS2形成為五個點的形狀。
使用雕刻輪沿單元區域C的邊界的雕刻線①沿y軸(圖式中的垂直方向)進行雕刻。然後，使用雕刻輪沿雕刻線①沿x軸(圖式中的水平方向)進行雕刻。然後，使用雕刻輪沿雕刻線②沿x軸方向進行雕刻，從而完成雕刻製程。
本文中，第二光遮蔽膜LS2與第三光遮蔽膜LS3被放置於雕刻線①上，以及第三光遮蔽膜LS3被放置於雕刻線②上，這樣使用雕刻輪在雕刻製程期間產生的靜電被約束在第二光遮蔽膜LS2與第三光遮蔽膜LS3中，然而，因為第二光遮蔽膜LS2及第三光遮蔽膜LS3與顯示區域A/A的第一光遮蔽膜LS1間隔開來，第二光遮蔽膜LS2及第三光遮蔽膜LS3中 約束的靜電未被傳送到第一光遮蔽膜LS1。
如上所述，本發明第三實施例的顯示裝置包含顯示區域與非顯示區域中形成的第一光遮蔽膜與第二光遮蔽膜。尤其地，第一光遮蔽膜與第二光遮蔽膜彼此間隔開來，第二光遮蔽膜被放置於基板的邊緣處以待被切割。因此，雕刻基板時產生的靜電可被約束於第二光遮蔽膜中，因此可避免靜電被傳送到顯示區域。
第11圖為本發明第一實施例製造的顯示裝置的薄膜電晶體中閘電壓-汲極電流曲線的圖形，以及第12圖為習知技術製造的顯示裝置的薄膜電晶體中閘電壓-汲極電流曲線的圖形。本中，習知技術製造的顯示裝置係為第2圖所示的顯示器。
請參考第11圖，依照本發明第一實施例透過雕刻其中雕刻線上形成有光遮蔽膜的基板而製造顯示裝置，顯示裝置的薄膜電晶體表現出-2伏特的閥值電壓。相比之下，請參考第12圖，依照習知技術透過雕刻基板製造的顯示裝置的薄膜電晶體表現出-7.6伏特的閥值電壓，當與本發明的薄膜電晶體相比時，被移位大約-5.4伏特。就是說，依照本發明，基板的雕刻線上形成的光遮蔽膜與顯示區域的光遮蔽膜分隔開來，從而避免雕刻製程期間產生的靜電所導致的薄膜電晶體的劣化。
本發明實施例的顯示裝置包含位於顯示區域與非顯示區域中的第一光遮蔽膜與第二光遮蔽膜，且第一光遮蔽膜與第二光遮蔽膜彼此間隔開來，從而避免雕刻製程期間產生的靜電被傳送到顯示區域，由此提高顯示裝置的可靠性。
雖然本發明以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定 本發明。在不脫離本發明之精神和範圍內，所為之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍之內。尤其地，各種更動與修正可能為本發明揭露、圖式以及申請專利範圍之內主題組合排列之組件部和/或排列。除了組件部和/或排列之更動與修正之外，本領域技術人員明顯還可看出其他使用方法。
100‧‧‧顯示裝置
105‧‧‧基板
LS1‧‧‧光遮蔽膜
LS2‧‧‧光遮蔽膜
180‧‧‧相對基板
P‧‧‧墊區域
N/A‧‧‧非顯示區域
A/A‧‧‧顯示區域

Claims (6)

  1. 一種顯示裝置，包含：一基板，被劃分為一顯示區域與除該顯示區域外的一非顯示區域；一第一光遮蔽膜，形成於該顯示區域中；一第二光遮蔽膜，形成於該非顯示區域中；以及氧化物薄膜電晶體與有機發光二極體，形成於該第一光遮蔽膜上，其中該第一光遮蔽膜與該第二光遮蔽膜彼此間隔開來。
  2. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一光遮蔽膜形成於該顯示區域的整個區域中。
  3. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該第二光遮蔽膜圍繞該基板的邊緣。
  4. 如請求項3所述之顯示裝置，其中該第二光遮蔽膜係以連續或者非連續的方式形成。
  5. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一光遮蔽膜與該第二光遮蔽膜之間的間隔舉例為1微米至10,000微米。
  6. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該第二光遮蔽膜的寬度為1微米至10,000微米。
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