JP5476878B2 - 発光パネルの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、発光パネルの製造方法に関する。
有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）はカソード電極とアノード電極との間に例えば電子注入層、発光層、正孔注入層が介在した積層構造を為している。アノード電極とカソード電極の間に順バイアス電圧が印加されると、電子注入層から発光層に電子が注入され、正孔注入層から発光層に正孔が注入され、発光層内で電子と正孔が再結合を引き起こして発光層が発光する。
発光層や正孔注入層は有機化合物からなり、これらの材料を溶媒に溶かした有機化合物溶液を各画素の電極上に塗布し、乾燥させることで形成される。カラーディスプレイにおいては、混色を防ぐため、隣接する画素の間に隔壁を形成し、有機化合物溶液の混合を防止している（例えば、特許文献１参照）。
隔壁を形成するには、例えば感光性樹脂を基板上に塗布し、フォトマスクを用いてパターニングする方法がある。しかし、隔壁形成用のフォトマスクを別途製造する必要がある。また、フォトマスクの位置合わせの精度が低いと、精度に合わせたマージンを設定する必要があるため、１つの画素領域における発光領域の面積の比率（開口率）が低下するという問題がある。
本発明の課題は、発光パネルの製造時に使用するフォトマスクの枚数を低減するとともに、開口率の向上を図ることである。
本発明の態様によれば、基板上に形成された第１電極と、前記第１電極上に形成された少なくとも一層からなる担体輸送層と、前記隔壁及び前記担体輸送層上に形成された第２電極と、を備える発光パネルの製造方法において、前記基板に設けられた金属膜からなる遮光部の上面に堆積された補助信号線メタルをエッチングしてなる補助信号線を形成する工程と、前記補助信号線上が開口された開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、前記開口部内及び前記絶縁膜上に金属層を堆積し、前記金属層をエッチングして、前記開口部内に前記補助信号線と導通する信号線を形成するとともに前記絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、前記信号線上に、前記信号線と導通するドレイン電極を形成する工程と、前記基板に設けられた前記遮光部の上方を含む前記基板の上面側にポジ型感光性樹脂を塗布する工程と、前記基板の下面から前記ポジ型感光性樹脂側に向けて光を照射して、前記遮光部の形状に対応した形状の開口を有する隔壁を形成する工程と、前記開口を有する隔壁を形成する工程の後、前記隔壁上及び前記開口内部に撥液剤を塗布し、前記基板の下面から光を照射し、前記開口内部の前記撥液剤を分解する工程と、を備えることを特徴とする発光パネルの製造方法が提供される。
好ましくは、前記ポジ型感光性樹脂を塗布する前に、前記第１電極を形成する工程と、をさらに備え、前記第１電極は前記光に対して透過性を有する。
本発明によれば、発光パネルの製造時に使用するフォトマスクの枚数を低減するとともに、開口率の向上を図ることができる発光パネルの製造方法が提供される。
以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。また、以下の説明において、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence）という用語をＥＬと略称する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイパネル１０における１つの画素ＰＸの回路図である。この有機ＥＬディスプレイパネル１０においては、赤、青及び緑の画素ＰＸによって１ドットの画素が構成され、このような画素が表示領域全域にマトリクス状に配列されている。図１の横方向の配列に着目すると赤の画素ＰＸ、青の画素ＰＸ、緑の画素ＰＸの順に繰り返し配列され、図１の縦方向の配列に着目すると同じ色が一列に配列されている。
この有機ＥＬディスプレイパネル１０においては、画素ＰＸに各種の信号を出力するために、複数の信号線５１、走査線５２、及び共通電源線５３が設けられている。走査線５２と信号線５１とは互いに直交する方向に延在しており、図１の縦方向に信号線５１が、横方向に走査線５２及び共通電源線５３が延在している。
画素ＰＸは、２つのｎチャネル型トランジスタ２１，２２と、キャパシタ２７と、を有する画素回路ＰＣ及び有機ＥＬ素子４０を有する。２つのｎチャネル型トランジスタ２１，２２及びキャパシタ２７は、信号線５１、走査線５２及び共通電源線５３の入力信号に応じて有機ＥＬ素子４０に電圧を印加する。
図２は１つの画素ＰＸを示す平面図であり、図３は図２のIII−III矢視断面図であり、図４は図２のIV−IV矢視断面図であり、図５は図２のV−V矢視断面図である。なお、図１と図２の縦横方向は対応している。
図２〜図５に示すように、透明な絶縁基板２の上に、マトリクス状に配列される有機ＥＬ素子２０が形成される部分の間に、遮光膜４が図２の横方向に間隔を空けて形成されている。遮光膜４は有機ＥＬディスプレイパネル１０の表示領域よりも外側において一体化していてもよい。
遮光膜４の材料には、光の反射率が低く、かつ、遮光膜４の上部に形成される補助信号線５４の形成時に用いるエッチャントによりエッチングされない金属等の導電性材料、例えばクロムや、酸化クロム、窒化クロム、あるいは酸化窒化クロム等のクロム化合物が用いられる。これらの材料を約５０〜１５０ｎｍの厚さに成膜することで遮光膜４が形成される。なお、これらの薄膜を積層して形成してもよい。遮光膜４は、絶縁基板２側からトランジスタ２１、２２へ光が入射するのを防止する。このため、トランジスタ２１、２２の光リーク及び光劣化を抑制することができる。また、光の反射率が低い材料を用いることで、ブラックマトリックスを形成した場合と同じ効果が得られ、隣接する画素が同時に発光した際の混色を抑制し、表示品位を向上させることができる。
遮光膜４の上部には、信号線５１が形成される部分に、補助信号線５４が設けられている。補助信号線５４は、例えばＡｌ、ＡｌＴｉ、ＡｌＴｉＮｄ等、少なくともＡｌを含む合金、銅または銀、および銅または銀を含む合金のいずれかからなり、遮光膜４と導通する。補助信号線５４は、例えばスパッタ法で厚さ約２００〜５００ｎｍの金属膜を成膜した後、感光性レジストを用いてエッチングすることで形成することができる。または厚さ０．５μｍ〜５μｍの金属箔をラミネートすることでも形成できる。補助信号線５４を介して遮光膜４と信号線５１とが導通するので、遮光膜４がフローティング電位となるのを防ぐことができる。また、補助信号線５４と信号線５１とが一体化することで信号線５１が低抵抗化し、信号遅延や、信号電圧の低下やジュール熱の発生を抑制することができる。補助配線５４は電池反応を防止するためにＣｒ等のバリアメタルと積層して構成してもよい。
遮光膜４及び信号線５１は平坦化膜５により被覆される。また、平坦化膜５には、補助信号線５４の上部に、コンタクトホール５ａが形成されている。
平坦化膜５は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の無機絶縁体をＣＶＤ法もしくはスパッタ法で１００〜１００００ｎｍ成膜することにより形成することができる。あるいは、ポリシロキサン、ポリイミド、アクリル樹脂、フッ素樹脂等の有機絶縁体を塗布することにより形成することができる。また、有機絶縁体の膜と無機絶縁体の膜を積層してもよい。有機絶縁体の膜上に無機絶縁体の膜を設けた場合には、有機絶縁体の膜から生じるガス等を遮断することができるので好ましい。また平坦化膜５は光透過性であることが好ましい。
なお、有機絶縁体に感光性を付与し、現像処理することで所望のコンタクトホール５ａを形成してもよい。
平坦化膜５は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の無機絶縁体をＣＶＤ法もしくはスパッタ法で１００〜１００００ｎｍ成膜することにより形成することができる。あるいは、ポリシロキサン、ポリイミド、アクリル樹脂、フッ素樹脂等の有機絶縁体を塗布することにより形成することができる。また、有機絶縁体の膜と無機絶縁体の膜を積層してもよい。有機絶縁体の膜上に無機絶縁体の膜を設けた場合には、有機絶縁体の膜から生じるガス等を遮断することができるので好ましい。また平坦化膜５は光透過性であることが好ましい。
なお、有機絶縁体に感光性を付与し、現像処理することで所望のコンタクトホール５ａを形成してもよい。
平坦化膜の厚さは約１００〜１００００ｎｍとすることができるが、補助信号線５４の厚さの２倍程度であれば、これに限らない。平坦化膜５は前記無機膜と有機膜の積層膜でもよい。
平坦化膜５の上部には、トランジスタ２１，２２のゲート電極２１Ｇ，２２Ｇが設けられるとともに、キャパシタ２７の一方の電極２７ａ、信号線５１が設けられている。ゲート電極２１Ｇ，２２Ｇ、電極２７ａ、信号線５１は例えばＡｌ、ＡｌＴｉ、ＡｌＴｉＮｄ、ＭｏＮｂ等の薄膜をパターニングすることで形成される。なお、図２に示すように、電極２７ａとゲート電極２１とは一体に形成されている。信号線５１は、一部がコンタクトホール５ａ内に形成され、補助信号線５４と導通する。
ゲート電極２１Ｇ，２２Ｇ、電極２７ａ、信号線５１は共通のゲート絶縁膜３１によって被覆されている。ゲート絶縁膜３１はＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の無機絶縁体をＣＶＤ法もしくはスパッタ法で成膜することにより形成することができる。
また、ゲート絶縁膜３１には、信号線５１の上部であってトランジスタ２２のドレイン電極２２Ｄと重なる部分にコンタクトホール３１ａが、キャパシタ２７の一方の電極２７ａの上部であってトランジスタ２２のソース電極２２Ｓと重なる部分にコンタクトホール３１ｂが、トランジスタ２２のゲート電極２２Ｇの上部であって走査線５２と重なる部分にコンタクトホール３１ｃが、それぞれ形成されている。
また、ゲート絶縁膜３１には、信号線５１の上部であってトランジスタ２２のドレイン電極２２Ｄと重なる部分にコンタクトホール３１ａが、キャパシタ２７の一方の電極２７ａの上部であってトランジスタ２２のソース電極２２Ｓと重なる部分にコンタクトホール３１ｂが、トランジスタ２２のゲート電極２２Ｇの上部であって走査線５２と重なる部分にコンタクトホール３１ｃが、それぞれ形成されている。
図２〜図５に示すように、ゲート絶縁膜３１の上には、透明な画素電極（第１電極）４１がマトリクス状に配列されている。これら画素電極４１は、ゲート絶縁膜３１上に成膜された導電性膜（例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ））をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いてパターニングすることによって形成される。
また、ゲート絶縁膜３１の上には、キャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、トランジスタ２１，２２の半導体膜２１ａ，２２ａ、チャネル保護膜２１ｂ，２２ｂ、ｎ型半導体膜２１ｃ，２１ｄ，２２ｃ，２２ｄ、ソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、走査線５２及び共通電源線５３が設けられている。走査線５２及び共通電源線５３は、遮光膜４とともに遮光部を構成する。
半導体膜２１ａ，２２ａはゲート電極２１Ｇ，２２Ｇの上方に形成されており、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等を成膜しパターニングしてなる。チャネル保護膜２１ｂ，２２ｂは半導体膜２１ａ，２２ａの上部に形成されており、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の無機絶縁体を成膜しパターニングしてなる。
ｎ型半導体膜２１ｃ，２１ｄ，２２ｃ，２２ｄは一部がチャネル保護膜２１ｂ，２２ｂと重なるように形成されている。
走査線５２及び共通電源線５３は、マトリクス状に配列される画素電極４１の間に、図２の横方向に形成されている。
ｎ型半導体膜２１ｃ，２１ｄ，２２ｃ，２２ｄは一部がチャネル保護膜２１ｂ，２２ｂと重なるように形成されている。
走査線５２及び共通電源線５３は、マトリクス状に配列される画素電極４１の間に、図２の横方向に形成されている。
なお、ドレイン電極２１Ｄは共通電源線５３と一体に形成されており、ソース電極２１Ｓと電極２７ｂとは一体に形成されている。ソース電極２１Ｓは一部が画素電極４１の一部と重なるように形成され、画素電極４１と導通する。
ドレイン電極２２Ｄの一部はコンタクトホール３１ａ内に形成され、信号線５１と導通する。ソース電極２２Ｓの一部はコンタクトホール３１ｂ内に形成され、電極２７ａと導通する。走査線５２の一部はコンタクトホール３１ｃ内に形成され、ゲート電極２２Ｇと導通する。
トランジスタ２１，２２のソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、キャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、走査線５２及び共通電源線５３、画素電極４１は共通の保護絶縁膜（第２の隔壁）３２によって被覆されている。保護絶縁膜３２はＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の無機絶縁体をＣＶＤ法もしくはスパッタ法で成膜することにより形成することができる。
保護絶縁膜３２の画素電極４１の部分には画素電極４１を露出させる開口部３３が形成されている。開口部３３が形成されることにより保護絶縁膜３２は画素電極４１の間を縫うように網目状に形成されるとともに画素電極４１の一部外縁部に重なり、画素電極４１を囲繞している。開口部３３内に後述する有機ＥＬ層４２が形成される。
なお、絶縁基板２から保護絶縁膜３２までの積層構造がトランジスタアレイパネル１００である。
なお、絶縁基板２から保護絶縁膜３２までの積層構造がトランジスタアレイパネル１００である。
トランジスタアレイパネル１００上には、遮光膜４、走査線５２、及び共通電源線５３と対応する位置に、網目状の隔壁（第１の隔壁）６が形成されており、隔壁６の開口８からは画素電極４１が露出している。隔壁６は、例えばポリイミド等のポジ型の感光性樹脂により形成されたものであり、トランジスタ２１，２２の各電極、信号線５１、走査線５２、共通電源線５３よりも十分に厚い。隔壁６は、遮光膜４、走査線５２、及び共通電源線５３より構成される遮光部をマスクとして、絶縁基板２側からの裏面露光を介して形成される。遮光膜４、走査線５２、及び共通電源線５３の形状と隔壁６の形状とが対応している。隔壁６の開口８の形状は、遮光部の遮光膜４、走査線５２、及び共通電源線５３により囲まれる開口の形状と対応している。
隔壁６の上面には、撥液剤７０により撥液処理が施されている。撥液処理は、少なくとも環上に一つの窒素原子を有する複素環と、複数のチオール基と、チオール基を介して結合しているフッ化アルキル基とを有する化合物からなる撥液剤を塗布することで行われる。このような撥液剤には、例えばトリアジンチオールフッ化アルキル誘導体がある。
画素電極４１上には正孔注入層４３、発光層４４が順に積層されて有機ＥＬ層４２（担体輸送層）が形成されている。正孔注入層４３は、導電性高分子であるＰＥＤＯＴ及びドーパントであるＰＳＳからなり、発光層４４は、ポリフェニレンビニレン系発光材料やポリフルオレン系発光材料等の共役ポリマーからなる。サブピクセルが赤の場合には発光層４４が赤色に発光し、サブピクセルが緑の場合には発光層４４が緑色に発光し、サブピクセルが青の場合には発光層４４が青色に発光するように、それぞれの材料を設定する。
正孔注入層４３及び発光層４４は、湿式塗布法（例えば、インクジェットプリント法）によって成膜される。この場合、正孔注入層４３となるＰＥＤＯＴ及びＰＳＳを含有する有機化合物含有液を画素電極４１に塗布して成膜し、その後、発光層４４となる共役ポリマー発光材料を含有する有機化合物含有液を塗布して成膜する。なお、厚膜の隔壁６が設けられるので、隣り合う画素電極４１に塗布された有機化合物含有液が隔壁６を越えて混ざり合うことを防止することができる。
なお、発光層４４の上にさらに電子輸送層を設けても良い。また、有機ＥＬ層４２は画素電極４１の上に形成された発光層、電子輸送層からなる二層構造であっても良いし、担体輸送層と発光層との組合せは任意に設定できる。また、これらの層構造において適切な層間に担体輸送を制限するインタレイヤ層が介在した積層構造であっても良いし、その他の積層構造であってもよい。
発光層４４、保護絶縁膜３２及び隔壁６の上部には、有機ＥＬ素子４０のカソードの一部となる電子注入層４５が成膜されている。電子注入層４５は、画素電極４１よりも仕事関数の低い材料で形成されており、例えば、インジウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、バリウム等のアルカリ金属またはアルカリ土類金属、または希土類金属の少なくとも一種を含む単体又は合金より１〜１０ｎｍの厚さに形成されている。あるいは、電子注入層４５は、上記各種材料の層が積層された積層構造となっていても良い。
電子注入層４５の上部には、例えばアルミニウム、クロム、銀やパラジウム銀系の合金等の導電性材料を気相成長法によって成膜されたカソードの一部となる対向電極（第２電極）４６が形成されている。
画素電極４１、有機ＥＬ層４２、電子注入層４５、対向電極４６の順に積層されたものが有機ＥＬ素子４０である。
画素電極４１、有機ＥＬ層４２、電子注入層４５、対向電極４６の順に積層されたものが有機ＥＬ素子４０である。
上記の有機ＥＬ素子４０が形成されたトランジスタアレイパネル１００には、図６に示すように、対向電極４６が形成された面の外周部に封止材として接着剤３が塗布され、接着剤３により基板２と対向基板９とを接合することで有機ＥＬ素子４０が封止され、有機ＥＬディスプレイパネル１０が形成される。有機ＥＬ素子４０はボトムエミッション型の発光構造を有するので、有機ＥＬ層４２で発光した光は、画素電極４１及び絶縁基板２を介して、絶縁基板２の他面側（図３〜５の下方）に出射される。
次に、ＥＬディスプレイパネル１０の製造工程について説明する。
まず、図７に示すように、遮光膜の材料となる酸化クロム、窒化クロム、あるいは酸化窒化クロム等をターゲットとするスパッタ法等により、金属膜６１を厚さ５０〜１５０ｎｍとなるように絶縁基板２上に成膜する。次に、感光性レジストを用い、硝酸セリウムアンモニウムを含むエッチャントで金属膜６１に対しウェットエッチングを行うことにより、図８に示すように所望のパターンの遮光膜４を残す。
まず、図７に示すように、遮光膜の材料となる酸化クロム、窒化クロム、あるいは酸化窒化クロム等をターゲットとするスパッタ法等により、金属膜６１を厚さ５０〜１５０ｎｍとなるように絶縁基板２上に成膜する。次に、感光性レジストを用い、硝酸セリウムアンモニウムを含むエッチャントで金属膜６１に対しウェットエッチングを行うことにより、図８に示すように所望のパターンの遮光膜４を残す。
次に、図９に示すように、厚さ約２００〜５００ｎｍの金属膜（補助信号線メタル６２）を形成する。補助信号線メタル６２を形成するには、例えばＡｌ、ＡｌＴｉ、ＡｌＴｉＮｄ等、少なくともＡｌを含む金属、あるいは銅、銀、あるいはそれらを含む合金をターゲットとするスパッタ法がある。あるいは、Ａｌ、ＡｌＴｉ、ＡｌＴｉＮｄ、銅、銀等の金属薄膜を、導電性接着剤により貼付してもよい。
次に、感光性レジストを用いて補助信号線メタル６２をエッチングすることにより、図１０に示すように補助信号線５４を形成する。Ａｌ合金系のエッチャントとしては、ナガセＡｌエッチャントを用いることができる。銅あるいは銅を含む合金のエッチャントとしては関東化学のＣｕ−１銅エッチング液等、銀あるいは銀を含むエッチャントとしてはＳＥＡ−１銀エッチング液等を用いることができる。
次に、図１１に示すように平坦化膜５を形成する。次に、平坦化膜５に対しドライエッチングを行うことにより、図１２に示すようにコンタクトホール５ａを形成する。
次に、図１３に示すように、Ａｌ、ＡｌＴｉ、ＡｌＴｉＮｄ等の金属によりゲートメタル層６３を形成する。次に、図１４に示すように、ゲートメタル層６３をパターニングすることによりゲート電極２１Ｇ，２２Ｇ、電極２７ａ、信号線５１を形成する。
次に、図１１に示すように平坦化膜５を形成する。次に、平坦化膜５に対しドライエッチングを行うことにより、図１２に示すようにコンタクトホール５ａを形成する。
次に、図１３に示すように、Ａｌ、ＡｌＴｉ、ＡｌＴｉＮｄ等の金属によりゲートメタル層６３を形成する。次に、図１４に示すように、ゲートメタル層６３をパターニングすることによりゲート電極２１Ｇ，２２Ｇ、電極２７ａ、信号線５１を形成する。
次に、図１５に示すように、ゲート絶縁膜３１を形成する。
次に、ゲート絶縁膜３１の上部に、半導体膜２１ａ，２２ａとなるアモルファスシリコン層６４、チャネル保護膜２１ｂ，２２ｂとなる絶縁膜６５を順に形成する。次に、図１６に示すように、アモルファスシリコン層６４、絶縁膜６５をパターニングして半導体膜２１ａ，２２ａ、チャネル保護膜２１ｂ，２２ｂを形成する。
次に、ゲート絶縁膜３１の上部に、半導体膜２１ａ，２２ａとなるアモルファスシリコン層６４、チャネル保護膜２１ｂ，２２ｂとなる絶縁膜６５を順に形成する。次に、図１６に示すように、アモルファスシリコン層６４、絶縁膜６５をパターニングして半導体膜２１ａ，２２ａ、チャネル保護膜２１ｂ，２２ｂを形成する。
次に、図１７に示すように、ｎ型半導体膜２１ｃ，２１ｄ，２２ｃ，２２ｄとなる不純物層６６を成膜する。次に、図１８に示すように、不純物層６６をパターニングしてｎ型半導体膜２１ｃ，２１ｄ，２２ｃ，２２ｄを形成する。
次に、図１９に示すように、ＩＴＯ等の透明電極膜６７を成膜する。次に、図２０に示すように、透明電極膜６７をパターニングして画素電極４１を形成する。
次に、図２１に示すように、ゲート絶縁膜３１に対しドライエッチングを行うことにより、コンタクトホール３１ａ、３１ｂ、３１ｃを形成する。
次に、図２２に示すように、ドレインメタル層６８を成膜する。次に、図２３に示すように、ドレインメタル層６８をパターニングして電極２７ｂ、ソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、走査線５２及び共通電源線５３を形成する。
次に、図２１に示すように、ゲート絶縁膜３１に対しドライエッチングを行うことにより、コンタクトホール３１ａ、３１ｂ、３１ｃを形成する。
次に、図２２に示すように、ドレインメタル層６８を成膜する。次に、図２３に示すように、ドレインメタル層６８をパターニングして電極２７ｂ、ソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、走査線５２及び共通電源線５３を形成する。
次に、図２４に示すように、保護絶縁膜３２を形成する。次に、図２５に示すように、保護絶縁膜３２に開口部３３を形成し画素電極４１を露出させる。
次に、図２６に示すように、ポリイミド系等のポジ型の感光性樹脂材料６９を塗布する。次に、図２７に示すように、絶縁基板２側から遮光膜４、走査線５２、及び共通電源線５３をマスクとして感光性樹脂材料６９を露光させる。次に、露光部分の可溶化した感光性樹脂材料６９を除去する。その後、現像処理を行うことで図２８に示すように遮光膜４、走査線５２、及び共通電源線５３の形状に対応した形状の開口を有する隔壁６が形成される。
なお、走査線５２と共通電源線５３との隙間であって保護絶縁膜３２で覆われている部分は、幅が狭いこと、及び露光部分が現像液に触れないことより、隔壁６として残存する。
次に、図２６に示すように、ポリイミド系等のポジ型の感光性樹脂材料６９を塗布する。次に、図２７に示すように、絶縁基板２側から遮光膜４、走査線５２、及び共通電源線５３をマスクとして感光性樹脂材料６９を露光させる。次に、露光部分の可溶化した感光性樹脂材料６９を除去する。その後、現像処理を行うことで図２８に示すように遮光膜４、走査線５２、及び共通電源線５３の形状に対応した形状の開口を有する隔壁６が形成される。
なお、走査線５２と共通電源線５３との隙間であって保護絶縁膜３２で覆われている部分は、幅が狭いこと、及び露光部分が現像液に触れないことより、隔壁６として残存する。
次に、図２９に示すように、トリアジンチオールフッ化アルキル誘導体のような少なくとも環上に一つの窒素原子を有する複素環と、複数のチオール基と、チオール基を介して結合しているフッ化アルキル基とを有する化合物からなる撥液剤７０を塗布する。次に、図３０に示すように、絶縁基板２側から遮光膜４、走査線５２、及び共通電源線５３をマスクとして撥液剤７０を露光させる。このとき、撥液剤７０が光反応により分解されるので、図３１に示すように、遮光された隔壁６の上面のみが選択的に撥液処理される。以上により、トランジスタアレイパネル１００が完成する。
次に、図３２に示すように、正孔注入材料（例えば導電性高分子であるＰＥＤＯＴ及びドーパントとなるＰＳＳ）を水に溶解した有機化合物含有液を画素電極４１に塗布する。塗布方法としては、インクジェットプリント法（液滴吐出法）、その他の印刷方法を用いても良いし、ディップコート法、スピンコート法といったコーティング法を用いても良い。
その後、大気に曝露した状態で、ホットプレートを用いてトランジスタアレイパネル１００を１６０〜２００℃の温度で乾燥させ、残留溶媒の除去を行うことで正孔注入層４３を形成する。
その後、大気に曝露した状態で、ホットプレートを用いてトランジスタアレイパネル１００を１６０〜２００℃の温度で乾燥させ、残留溶媒の除去を行うことで正孔注入層４３を形成する。
次に、発光色が赤、緑、青の共役ポリマー発光材料をそれぞれ有機溶剤（例えば、テトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン）に溶かし、赤、緑、青それぞれの有機化合物含有液を準備する。そして、赤のサブピクセルの正孔注入層４３上には赤の有機化合物含有液を塗布し、緑のサブピクセルの正孔注入層４３上には緑の有機化合物含有液を塗布し、青のサブピクセルの正孔注入層４３上には青の有機化合物含有液を塗布する。これにより、正孔注入層４３上に発光層４４を成膜する。塗布方法としてはインクジェットプリント法（液滴吐出法）、その他の印刷方法を用いて、色ごとに塗り分けを行う。
次に、不活性ガス雰囲気（例えば、窒素ガス雰囲気）下でホットプレートによってトランジスタアレイパネル１００を乾燥させ、残留溶媒の除去を行う。なお、真空中でシーズヒータや赤外線ヒーター等による乾燥を行っても良い。
このように湿式塗布法により正孔注入層４３及び発光層４４を形成した場合、隔壁６の上面が撥液処理されているため、隣り合う画素電極４１に塗布された有機化合物含有液が隔壁６を越えて混ざり合わない。そのため、画素電極４１ごとに独立して正孔注入層４３を形成することができる。
次に、図３〜図５に示すように、発光層４４、保護絶縁膜３２、及び隔壁６の上部に電子注入層４５を気相成長法により成膜する。その後、電子注入層４５の上部に金属膜を蒸着、またはスパッタ法で形成することにより、対向電極４６を形成する。以上により、トランジスタアレイパネル１００上に有機ＥＬ素子４０が形成される。
最後に、図６に示すように、基板２の対向電極４６が形成された面の外周部に接着剤３を塗布し、基板２と対向基板９とを接着することで有機ＥＬ素子４０を封入する。以上により、ＥＬディスプレイパネル１０が完成する。
以上示したように、本発明によれば、絶縁基板２側から遮光膜４、走査線５２、及び共通電源線５３をマスクとして隔壁６を形成することができるので、マスクずれの心配がない。よってマスクずれに備えてマージンを設ける必要がなく、開口率を向上することができる。また、縁基板２側から遮光膜４、走査線５２、及び共通電源線５３をマスクとして隔壁６の上面のみを選択的に撥液処理することができるので、別途フォトマスクを設ける必要がなく、位置合わせも不要である。このため、フォトマスクの枚数を低減することができ、製造工程数を削減して製造コストの低減を図ることができる。
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行ってもよい。例えば、上記実施形態においては、ＥＬディスプレイパネルのような表示装置について説明したが、本発明はこれに限らず、例えばプリンタヘッド等の露光装置に応用してもよい。
また、上記実施の形態においては、走査線５２、及び共通電源線５３を遮光膜４と交差する方向に設けたが、本発明はこれに限らず、走査線５２または共通電源線５３の一方のみを遮光膜４と交差する方向に設けてもよい。あるいは、遮光膜４を信号線５１と交差する方向に設けてもよい。
２ 基板
４ 遮光膜
５ 平坦化膜（第１の絶縁膜）
６ 隔壁
８ 開口
１０ 有機ＥＬディスプレイパネル
２１，２２ トランジスタ
４０ 有機ＥＬ素子
４１ 画素電極
４２ 有機ＥＬ層（担体輸送層）
４６ 対向電極
５１ 信号線
５２ 走査線
５３ 共通電源線
５４ 補助信号線
６９ 感光性樹脂
７０ 撥液剤
４ 遮光膜
５ 平坦化膜（第１の絶縁膜）
６ 隔壁
８ 開口
１０ 有機ＥＬディスプレイパネル
２１，２２ トランジスタ
４０ 有機ＥＬ素子
４１ 画素電極
４２ 有機ＥＬ層（担体輸送層）
４６ 対向電極
５１ 信号線
５２ 走査線
５３ 共通電源線
５４ 補助信号線
６９ 感光性樹脂
７０ 撥液剤
Claims (1)
- 基板上に形成された第１電極と、前記第１電極上に形成された少なくとも一層からなる担体輸送層と、前記隔壁及び前記担体輸送層上に形成された第２電極と、を備える発光パネルの製造方法において、
前記基板に設けられた金属膜からなる遮光部の上面に堆積された補助信号線メタルをエッチングしてなる補助信号線を形成する工程と、
前記補助信号線上が開口された開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記開口部内及び前記絶縁膜上に金属層を堆積し、前記金属層をエッチングして、前記開口部内に前記補助信号線と導通する信号線を形成するとともに前記絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記信号線上に、前記信号線と導通するドレイン電極を形成する工程と、
前記基板に設けられた前記遮光部の上方を含む前記基板の上面側にポジ型感光性樹脂を塗布する工程と、
前記基板の下面から前記ポジ型感光性樹脂側に向けて光を照射して、前記遮光部の形状に対応した形状の開口を有する隔壁を形成する工程と、
前記開口を有する隔壁を形成する工程の後、前記隔壁上及び前記開口内部に撥液剤を塗布し、前記基板の下面から光を照射し、前記開口内部の前記撥液剤を分解する工程と、を備えることを特徴とする発光パネルの製造方法。
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