TWI467756B - 有機電激發光顯示裝置 - Google Patents

Description

有機電激發光顯示裝置

本發明係有關於一種顯示裝置，特別是有關於一種有機電激發光顯示裝置。

近年來，有機電激發光顯示器(organic light emission display，簡稱OLED)已經被大量應用在各式各樣產品的顯示元件上，其具有自發光(self-emissive)、視角廣達170°以上、反應時間快、無一般液晶顯示器(LCD)殘影現象等優點。

第1A圖顯示一傳統有機電激發光顯示器之電路結構，其中掃描線Scan及資料線Data分別電性連接N型薄膜電晶體T1的閘極與源極，N型薄膜電晶體T1的汲極電性連接P型薄膜電晶體T2的閘極與一儲存電容CS之一側電極，儲存電容CS之另一側電極電性連接直流高電壓準位電源線Vdd及P型薄膜電晶體T2的汲極，P型薄膜電晶體T2的源極與有機電激發光二極體OLED(發光單元)的一側電極電性連接，有機電激發光二極體OLED另一側電極則與直流低電壓準位電源線Vss電性連接，有機電激發光二極體OLED兩電極之間具有有機材質構成的電激發光層。

當一高電壓準位掃描訊號經由掃描線Scan開啟(switch on)N型薄膜電晶體T1的接觸孔(channel)，資料線Data的資料訊號會經由該接觸孔將資料寫入儲存電容CS，若資料訊號為低電壓值，則會開啟P型薄膜電晶體T2的接觸孔，高電壓準位電源線Vdd的電壓訊號與低電壓準位電源線Vss的電壓訊號形成電壓差，激發電激發光層材料而放出光線，此時低電壓準位電源線Vss之電壓通常為共用電壓(common voltage)準位；當一低電壓準位掃描訊號經由掃描線Scan關閉(switch off)N型薄膜電晶體T1的接觸孔，資料訊號將留存於儲存電容CS中，並維持P型薄膜電晶體T2及有機電激發光二極體OLED的狀態，待下一週期的資料更新程序。

第1B圖顯示一傳統的有機電激發光顯示器之平面圖，第1C圖顯示第1B圖沿I-I’剖面線之剖面圖。如第1B圖和第1C圖所示，此傳統下發光型的有機電激發光顯示器包括複數條沿水平方向延伸之第一電源線106和掃描線104，以及複數條沿垂直方向延伸之第二電源線108和資料線102，第一電源線106和掃描線104與第二電源線108和資料線102包圍發光單元110，其中發光單元110包括第一電極層101、電激發光層103和第二電極層105，且發光單元110面積由畫素定義層107之開孔區域定義。其中，第一電源線106及第二電源線108即為第1A圖之高電壓準位電源線Vdd，兩者利用接觸孔(contact via)電性連結呈網狀(未繪示)，其作用為避免斷線。另外，此處省略第1A圖之薄膜電晶體、低電壓準位電源線Vss、儲存電容CS等元件，以利說明。如第1C圖所示，第二電源線108和資料線102係設置於一基板112和閘極絕緣層114上方，共面並排且位於發光單元110正下方之外側。此電路與發光單元110並排之設計，若要提高開口率，則必須將線路之間距縮小(亦即，將第一電源線106與掃描線104，和第二電源線108與資料線102之間距縮小)，然而，若第一電源線106與掃描線104，和第二電源線108與資料線102之間距縮小，當製程過程中有黃光(lithography)誤差或微粒(particle)污染等問題發生時，會造成線路短路，使良率降低。

根據上述，本發明之目的為提供一種有機電激發光顯示器，其電源線和訊號線形成在不同層，可避免在增加開口率時，電源線和訊號線仍保持一定間距，不容易產生線路短路，避免良率損失。

本發明提供一種有機電激發光顯示裝置，包括：一基板；複數個交錯的電源線，位於該基板上；複數個交錯的訊號線，位於該基板上；複數個發光單元，各發光單元係被對應的電源線和訊號線包圍，其中該些電源線與該些訊號線係設置於不同層，以減少該些電源線與該些訊號線間發生短路。

本發明提供一種有機電激發光顯示裝置，包括：一基板；複數個交錯的電源線，位於該基板上之第零金屬層；複數個交錯的訊號線，位於該基板上，上述訊號線包括位於第一金屬層之掃描線，和位於第二金屬層之資料線，其中該第零金屬層與該第一金屬層係間隔一阻障層，該第一金屬層與該第二金屬層係間隔一閘極絕緣層及/或一層間絕緣層；及複數個發光單元，各發光單元係被對應的電源線和訊號線包圍。

為讓本發明之特徵能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

以下詳細討論揭示實施例的實施。然而，可以理解的是，實施例提供許多可應用的發明概念，其可以較廣的變化實施。所討論之特定實施例僅用來揭示使用實施例的特定方法，而不用來限定揭示的範疇。

本發明係提供一種有機電激發光顯示器，將訊號線(包括掃描線和資料線)與電源線設置於不同層，可大幅降低同層線路發生短路的風險，避免因此造成的良率損失。

第2A圖顯示一本發明一實施例有機電激發光顯示器之平面圖，第2B圖顯示第2A圖沿I-I’剖面線之剖面圖，第2C圖顯示本實施例有機電激發光顯示器線路配置平面圖，第2D圖顯示本實施例有機電激發光顯示器包括開關元件之剖面圖，本實施例之開關元件係為下閘極之薄膜電晶體，然而，本發明不特別限定於下閘極薄膜電晶體，本發明也可使用上閘極薄膜電晶體，或其它形式之電晶體。請參照第2A圖、第2B圖、第2C圖和第2D圖所示，首先，提供一基板202，在本發明一實施例中，基板202可以為玻璃、塑膠或矽晶圓。接著，形成一遮蔽層於基板202上，以例如黃光微影和蝕刻製程，對此遮蔽層進行圖案化，以形成黑色矩陣204(black matrix，簡稱BM)。黑色矩陣204材料可為金屬或不透光樹脂。形成一第零金屬層(M0)於黑色矩陣204上，接著，對第零金屬層進行例如黃光微影和蝕刻製程之圖案化製程，形成沿水平方向延伸之第一電源線203和沿垂直方向延伸之第二電源線206於黑色矩陣204上。第零金屬層為高導電效率之金屬組成，例如Al-Nd、MoN/Al/MoN等。在本實施例中，第一電源線203和第二電源線206，與黑色矩陣204係採用不同之圖案化製程製作，如第2C圖所示，在本實施例中，第一電源線203和第二電源線206之寬度係明顯小於黑色矩陣204之寬度。後續，形成一阻障層208(buffer layer)於第一電源線203、第二電源線206和黑色矩陣204上，在本發明一實施例中，阻障層208為氮化矽、氧化矽、氮氧化矽或上述之組合，亦可為有機材料，可作為平坦化之用。接著，形成第一金屬層(M1)於阻障層208上，對第一金屬層進行例如黃光微影和蝕刻製程之圖案化製程，形成閘極210和掃描線207。第一金屬層為高導電效率之金屬組成，例如Al-Nd/MoN、Mo等。其後，形成一閘極絕緣層212於第一金屬層於閘極210和掃描線207上，閘極絕緣層212為氧化矽或氮化矽。在本發明一實施例中，尚包括一層間絕緣層(未繪示)形成於閘極絕緣層212上。其後，形成一圖案化之半導體層於閘極絕緣層212上，用作薄膜電晶體211之主動層214。在本實施例中，半導體層可以為多晶矽、非晶矽或其它適合之半導體材料。另外，於薄膜電晶體接觸孔部分具有P型或N型離子佈植於半導體層上表面，形成P+型半導體層(未繪示)或N+型半導體層(未繪示)。圖案化閘極絕緣層212(及/或層間絕緣層)，形成暴露第一電源線203和第二電源線206之開口。形成一第二金屬層於閘極絕緣層212上，對第二金屬層進行一例如黃光微影和蝕刻製程之圖案化製程，形成源極218、汲極220和資料線205，其中第二金屬層填入上述開口中，形成導電接觸孔222，使薄膜電晶體211之源極218可導通第二電源線206。第二金屬層為高導電效率之金屬組成，例MoN/Al/MoN等。接下來，形成一保護層216於資料線205、源極218、汲極220和閘極絕緣層212上。在本發明一實施例中，保護層216為氮化矽、氧化矽、氮氧化矽或上述之組合。形成一平坦化層224於保護層216上，平坦化層224可以有機材料組成。在本發明一實施例中，平坦化層224和閘極絕緣層212間可設置一彩色濾光層228，藉以提升色飽和度。此外，保護層216與平坦層224具有同位置之開孔，以形成電性連接接觸孔。形成圖案化之第一電極230，經由該保護層及平坦層之開孔電性連接薄膜電晶體211之汲極220，以提供發光層驅動所需之電壓，在本實施例中，第一電極230可以為銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide,IZO)或氧化鋅(ZnO)等以氧為基礎之導電薄膜。形成一畫素定義層226於平坦化層224及第一電極230上，其開口定義一畫素單元之電激發光層232範圍，此範圍面積係小於第一電極230，其材料可為有機材料。之後，形成一電激發光層232於上述開口內。電激發光層232尚可包含電洞注入層、電洞傳輸層、阻擋層(block layer)、電子傳輸層、電子注入層，電激發光層之材質可以為有機半導體材料，例如小分子有機材料、高分子化合物材料或有機金屬化合物材料，形成方式可為真空蒸鍍、旋轉塗佈、浸沒塗佈、滾動式塗佈、噴墨填充、浮雕法、壓印法、物理氣相沉積、或是化學氣相沉積。電洞注入層、電洞傳輸層、電激發光層及電子傳輸層之材料非為本發明之技術特徵，並無特別之限制，可視熟知此技藝之人之需要調整，在此不詳細說明。最後，形成整面式第二電極234於電激發光層232及畫素定義層226上，其材料可為Al、Ag等高反射率金屬或合金。在本實施例中，發光單元236面積為電激發光層面積，而結構包括部分第一電極230、電激發光層232及部分第二電極234。

第3A圖顯示本發明另一實施例有機電激發光顯示器之平面圖，第3B圖顯示第3A圖沿I-I’剖面線之剖面圖，第3C圖顯示本實施例有機電激發光顯示器線路配置平面圖，第3D圖顯示本實施例有機電激發光顯示器包括開關元件之剖面圖，本實施例之開關元件係為下閘極之薄膜電晶體，然而，本發明不特別限定於下閘極薄膜電晶體，本發明也可使用上閘極薄膜電晶體，或其它形式之電晶體。不同於第2A-2D圖之實施例，本實施例之第一和第二電源線係與黑色矩陣採用同一光罩和於同一圖案化製程製作，因此第一和第二電源線之寬度大體上與黑色矩陣相等，視黃光與蝕刻狀況而稍有大小之區別，其差距在2um以內。請參照第3A圖、第3B圖、第3C圖和第3D圖所示，首先，提供一基板302，在本發明一實施例中，基板302可以為玻璃、塑膠或矽晶圓。接著，順序形成一遮蔽層及一第零金屬層(M0)於於基板302上，接著以例如黃光微影和蝕刻製程，對遮蔽層和第零金屬層進行例如黃光微影和蝕刻製程，形成黑色矩陣304(black matrix，簡稱BM)、沿水平方向延伸之第一電源線303和沿垂直方向延伸之第二電源線306。。黑色矩陣304材料可為金屬或不透光樹脂。第零金屬層為高導電效率之金屬組成，例Al-Nd、MoN/Al/MoN等。如第3B圖所示，在本實施例中，由於黑色矩陣304和第一和第二電源線303、306採用相同之光罩製作，第一和第二電源線303、306之寬度大體上與黑色矩陣304相等。後續，形成一阻障層308(buffer layer)於第一電源線303和第二電源線306上，在本發明一實施例中，阻障層308為氮化矽、氧化矽、氮氧化矽或上述之組合組成，亦可為有機材料，可作為平坦化之用。接著，形成第一金屬層(M1)於阻障層308上，對第一金屬層進行例如黃光微影和蝕刻製程之圖案化製程，形成閘極310和掃描線307。第一金屬層為高導電效率之金屬組成，例如Al-Nd/MoN、Mo等。其後，形成一閘極絕緣層312於閘極310和掃描線307上，閘極絕緣層312為氧化矽或氮化矽。在本發明一實施例中，尚包括一層間絕緣層(未繪示)形成於閘極絕緣層312上。其後，形成一圖案化之半導體層於閘極絕緣層312上，用作薄膜電晶體311之主動層314。在本實施例中，半導體層可以為多晶矽、非晶矽或其它適合之半導體材料。另外，於薄膜電晶體接觸孔部分具有P型或N型離子佈植於半導體層上表面，形成P+型半導體層(未繪示)或N+型半導體層(未繪示)。圖案化閘極絕緣層312(及/或層間絕緣層)，形成暴露第一電源線303和第二電源線306之開口。形成一第二金屬層於閘極絕緣層312上，對第二金屬層進行一例如黃光微影和蝕刻製程之圖案化製程，形成源極318、汲極320和資料線305，其中第二金屬層填入上述開口中，形成導電接觸孔322，使薄膜電晶體311之源極318可導通第二電源線306。第二金屬層為高導電效率之金屬組成，例如_MON/Al/MON等。接下來，形成一保護層316於資料線305、源極318、汲極320和閘極絕緣層312上。在本發明一實施例中，保護層316為氮化矽、氧化矽、氮氧化矽或上述之組合。形成一平坦化層324於保護層316上，平坦化層324可以有機材料組成。在本發明一實施例中，平坦化層324和閘極絕緣層312間可設置一彩色濾光層328，藉以提升色飽和度。此外，保護層316與平坦層324具有同位置之開孔，以形成電性連接接觸孔。形成圖案化之第一電極330，經由該保護層及平坦層之開孔電性連接薄膜電晶體311之汲極320，以提供發光層驅動所需之電壓，在本實施例中，第一電極330可以為銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide,IZO)或氧化鋅(ZnO)等以氧為基礎之導電薄膜。形成一畫素定義層326於平坦化層324及第一電極330上，其開口定義一畫素單元之電激發光層332範圍，此範圍面積係小於第一電極330，其材料可為有機材料。之後，形成一電激發光層332於上述開口內。電激發光層334尚可包含電洞注入層、電洞傳輸層、阻擋層(block layer)、電子傳輸層、電子注入層，電激發光層之材質可以為有機半導體材料，例如小分子有機材料、高分子化合物材料或有機金屬化合物材料，形成方式可為真空蒸鍍、旋轉塗佈、浸沒塗佈、滾動式塗佈、噴墨填充、浮雕法、壓印法、物理氣相沉積、或是化學氣相沉積。電洞注入層、電洞傳輸層、電激發光層及電子傳輸層之材料非為本發明之技術特徵，並無特別之限制，可視熟知此技藝之人之需要調整，在此不詳細說明。最後，形成整面式第二電極334於電激發光層332及畫素定義層326上，其材料可為Al、Ag等高反射率金屬或合金。在本實施例中，發光單元336面積為電激發光層面積，而結構包括部分第一電極330、電激發光層332及部分第二電極334。

第4A圖顯示本發明另一實施例有機電激發光顯示器之平面圖，第4B圖顯示第4A圖沿I-I’剖面線之剖面圖，第4C圖顯示本實施例有機電激發光顯示器包括開關元件之剖面圖，本實施例之開關元件係為下閘極之薄膜電晶體，然而，本發明不特別限定於下閘極薄膜電晶體，本發明也可用上閘極薄膜電晶體，或其它形式之電晶體。不同於第2A-2D圖之實施例，本實施例不形成黑色矩陣，而於基板背面貼附一偏光膜，利用偏光膜過濾極化光的特性，達成遮光效果。請參照第4A圖、第4B圖和第4C圖所示，首先，提供一基板402，在本發明一實施例中，基板402可以為玻璃、塑膠或矽晶圓。接著，形成一第零金屬層(M0)於基板402上。以例如黃光微影和蝕刻製程，對第零金屬層進行例如黃光微影和蝕刻製程，沿水平方向延伸之第一電源線403和沿垂直方向延伸之第二電源線406。第零金屬層為高導電效率之金屬組成，例如Al-Nd、MoN/Al/MoN等。後續，形成一阻障層408(buffer layer)於第一電源線403和第二電源線406上，在本發明一實施例中，阻障層408為氮化矽、氧化矽、氮氧化矽或上述之組合組成，亦可為有機材料，可作為平坦化之用。接著，形成第一金屬層(M1)於阻障層408上，對第一金屬層進行例如黃光微影和蝕刻製程之圖案化製程，形成閘極410和掃描線407。第一金屬層為高導電效率之金屬組成，例如Al-Nd/MoN、Mo等。其後，形成一閘極絕緣層412於第一金屬層於閘極410和掃描線407上，閘極絕緣層412為氧化矽或氮化矽。在本發明一實施例中，尚包括一層間絕緣層(未繪示)形成於閘極絕緣層412上。其後，形成一圖案化之半導體層於閘極絕緣層412上，用作薄膜電晶體411之主動層414。在本實施例中，半導體層可以為多晶矽、非晶矽或其它適合之半導體材料。另外，於薄膜電晶體接觸孔部分具有P型或N型離子佈植於半導體層上表面，形成P+型半導體層(未繪示)或N+型半導體層(未繪示)。圖案化閘極絕緣層412(及/或層間絕緣層)，形成暴露第一電源線403和第二電源線406之開口。形成一第二金屬層於閘極絕緣層412上，對第二層金屬層進行一例如黃光微影和蝕刻製程之圖案化製程，形成源極418、汲極420和資料線405，其中第二金屬層填入上述開口中，形成導電接觸孔422，使薄膜電晶體411之源極418可導通第二電源線406。第二金屬層為高導電效率之金屬組成，例如MoN/Al/MoN等。接下來，形成一保護層416於資料線405、源極418、汲極420和閘極絕緣層412上。在本發明一實施例中，保護層416為氮化矽、氧化矽、氮氧化矽或上述之組合。形成一平坦化層424於保護層416上，平坦化層424可以有機材料組成。在本發明一實施例中，平坦化層424和閘極絕緣層412上間可設置一彩色濾光層428，藉以提升色飽和度。此外，保護層316與平坦層324具有同位置之開孔，以形成電性連接接觸孔。形成圖案化之第一電極430該保護層及平坦層之開孔電性連接薄膜電晶體411之汲極420，以提供發光層驅動所需之電壓，在本實施例中，第一電極430可以為銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide,IZO)或氧化鋅(ZnO)等以氧為基礎之導電薄膜。形成一畫素定義層426於平坦化層424及第一電極430上，其開口定義一畫素單元之電激發光層432範圍，此範圍面積係小於第一電極430，其材料可為有機材料。之後，形成一電激發光層432於上述開口內。電激發光層434尚可包含電洞注入層、電洞傳輸層、阻擋層(block layer)、電子傳輸層、電子注入層，電激發光層之材質可以為有機半導體材料，例如小分子有機材料、高分子化合物材料或有機金屬化合物材料，形成方式可為真空蒸鍍、旋轉塗佈、浸沒塗佈、滾動式塗佈、噴墨填充、浮雕法、壓印法、物理氣相沉積、或是化學氣相沉積。電洞注入層、電洞傳輸層、電激發光層及電子傳輸層之材料非為本發明之技術特徵，並無特別之限制，可視熟知此技藝之人之需要調整，在此不詳細說明。最後，形成整面式第二電極434於電激發光層432及畫素定義層426上，其材料可為Al、Ag等高反射率金屬或合金。在本實施例中，發光單元436面積為電激發光層面積，而結構包括部分第一電極430、電激發光層432及部分第二電極434。最後，於基板402背面貼附一偏光膜401，完成有機電激發光顯示裝置。

根據上述，本發明提供之有機電激發光顯示器具有以下優點：本發明係將訊號線(包括掃描線和資料線)與電源線設置於不同層，可大幅降低同層線路發生短路的風險，避免因此造成的良率損失

雖然本發明已以較佳實施例發明如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

101．．．第一電極層

102．．．資料線

103．．．電激發光層

104．．．掃描線

105．．．第二電極層

106．．．第一電源線

107．．．畫素定義層

108．．．第二電源線

110．．．發光單元

112．．．基板

114．．．閘極絕緣層

202．．．基板

203．．．第一電源線

204．．．黑色矩陣

205．．．資料線

206．．．第二電源線

207．．．掃描線

208．．．阻障層

210．．．閘極

211．．．薄膜電晶體

212．．．閘極絕緣層

214．．．主動層

216．．．保護層

218．．．源極

220．．．汲極

222．．．接觸孔

224．．．平坦化層

226．．．畫素定義層

228．．．彩色濾光層

230．．．第一電極

232．．．電激發光層

234．．．第二電極

236．．．發光單元

302．．．基板

303．．．第一電源線

304．．．黑色矩陣

306．．．第二電源線

307．．．掃描線

308．．．阻障層

310．．．閘極

311．．．薄膜電晶體

312．．．閘極絕緣層

314．．．主動層

316．．．保護層

318．．．源極

320．．．汲極

322．．．接觸孔

324．．．平坦化層

326．．．畫素定義層

328．．．彩色濾光層

330．．．第一電極

332．．．電激發光層

334．．．第二電極

336．．．發光單元

401．．．偏光膜

402．．．基板

403．．．第一電源線

406．．．第二電源線

407．．．掃描線

408．．．阻障層

410．．．閘極

411．．．薄膜電晶體

412．．．閘極絕緣層

414．．．主動層

416．．．保護層

418．．．源極

420．．．汲極

422．．．接觸孔

424．．．平坦化層

426．．．畫素定義層

428．．．彩色濾光層

430．．．第一電極

432．．．電激發光層

434．．．第二電極

436．．．發光單元

第1A圖顯示一傳統的有機電激發光顯示器之電路圖。

第1B圖顯示一傳統的有機電激發光顯示器之平面圖。

第1C圖顯示第1A圖沿I-I’剖面線之剖面圖。

第2A圖顯示一本發明一實施例有機電激發光顯示器之平面圖。

第2B圖顯示第2A圖沿I-I’剖面線之剖面圖。

第2C圖顯示本實施例有機電激發光顯示器線路配置平面圖。

第2D圖顯示本實施例有機電激發光顯示器包括開關元件之剖面圖。

第3A圖顯示本發明另一實施例有機電激發光顯示器之平面圖。

第3B圖顯示第3A圖沿I-I’剖面線之剖面圖。

第3C圖顯示本實施例有機電激發光顯示器線路配置平面圖。

第3D圖顯示本實施例有機電激發光顯示器包括開關元件之剖面圖。

第4A圖顯示本發明另一實施例有機電激發光顯示器之平面圖。

第4B圖顯示第4A圖沿I-I’剖面線之剖面圖。

第4C圖顯示本實施例有機電激發光顯示器包括開關元件之剖面圖。

202．．．基板

204．．．黑色矩陣

205．．．資料線

206．．．第二電源線

208．．．阻障層

212．．．閘極絕緣層

216．．．保護層

224．．．平坦化層

226．．．畫素定義層

230．．．第一電極

232．．．電激發光層

234．．．第二電極

236．．．發光單元

Claims (11)

1. 一種有機電激發光顯示裝置，包括：一基板；複數個交錯的電源線，位於該基板上；一黑色矩陣，設置於該些電源線與該基板間；複數個交錯的訊號線，位於該基板上；以及複數個發光單元，各發光單元係被對應的電源線和訊號線包圍，其中該些電源線包括互相垂直且共平面的第一電源線和第二電源線，該些電源線與該些訊號線係設置於不同層，該些電源線與該黑色矩陣由同一製程形成。
2. 如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光顯示裝置，其中該些訊號線包括互相垂直的掃描線和資料線。
3. 如申請專利範圍第2項所述之有機電激發光顯示裝置，該些掃描線係為第一金屬層，該些資料線係為第二金屬層。
4. 如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光顯示裝置，該些第一電源線和第二電源線係為第零金屬層。
5. 如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光顯示裝置，其中該些電源線之寬度小於該黑色矩陣之寬度。
6. 如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光顯示裝置，其中該些電源線之寬度等於該黑色矩陣之寬度。
7. 如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光顯示裝置，尚包括一偏光膜，設置於該基板下。
8. 一種有機電激發光顯示裝置，包括： 一基板；複數個交錯的電源線，位於該基板上之第零金屬層，該些電源線包括互相垂直且共平面的第一電源線和第二電源線；一黑色矩陣，設置於該些電源線與該基板間；複數個交錯的訊號線，位於該基板上，該些訊號線包括位於第一金屬層之掃描線，和位於第二金屬層之資料線；以及複數個發光單元，各發光單元係被對應的電源線和訊號線包圍，其中該第零金屬層與該第一金屬層係間隔一阻障層，該第一金屬層與該第二金屬層係間隔一閘極絕緣層及/或一層間絕緣層，該些電源線與該黑色矩陣由同一製程形成。
9. 如申請專利範圍第8項所述之有機電激發光顯示裝置，其中該些電源線之寬度小於該黑色矩陣之寬度。
10. 如申請專利範圍第8項所述之有機電激發光顯示裝置，其中該些電源線之寬度等於該黑色矩陣之寬度。
11. 如申請專利範圍第8項所述之有機電激發光顯示裝置，尚包括一偏光膜，設置於該基板下。