KR20130107932A - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발과 표시 장치는 유기 발광 소자가 형성되어 있는 기판, 기판 위에 형성되며 상기 유기 발광 소자을 덮고 있는 박막 봉지층을 포함하고, 박막 봉지층은 전압 인가 패드를 가지는 도전막을 적어도 하나 이상 포함한다.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 박막 봉지가 이루어진 후에 에이징을 할 수 있는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 정공 주입 전극과 유기 발광층 및 전자 주입 전극으로 구성되는 유기 발광 소자들을 포함한다. 각각의 유기 발광 소자는 유기 발광층 내부에서 전자와 정공이 결합하여 생성된 여기자(exciton)가 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발생하는 에너지에 의해 발광하고, 이러한 발광을 이용하여 유기 발광 표시 장치가 소정의 영상을 표시한다.
유기 발광 표시 장치는 자발광(self-luminance) 특성을 가지며, 액정 표시 장치와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 빠른 응답 속도 등의 고품위 특성을 나타내므로 차세대 표시 장치로 주목을 받고 있다.
이러한 유기 발광 표시 장치는 작은 파티클(particle)과 같은 불순물 때문에 애노드 전극 및 캐소드 전극에서 단락 문제가 발생할 수 있으며, 표시 장치를 제작하는 공정시에 에이징 혹은 버닝 공정을 더 추가하여 불순물을 제거한다.
에이징 공정은 데이터 선을 하나로 연결한 쇼팅바를 만들고 스캔선을 하나로 연결한 쇼팅바를 만들어서 에이징을 수행한 후 쇼팅바를 잘라버린다.
그러나 박막 봉지를 하기 전에 실시되며 박막 봉지를 한 후 표시 장치 모듈이 완성된 상태에서 미세한 입자들로 인하여 발생하는 불량에 대해서는 에이징을 추가로 실시할 수 없다. 따라서 제거되지 않은 미세 입자와 같은 불순불로 인한 진행성 불량이 발생한다.
본 발명은 모듈(패널 또는 셀) 완성 후에도 에이징을 실시할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발과 표시 장치는 유기 발광 소자가 형성되어 있는 기판, 기판 위에 형성되며 상기 유기 발광 소자을 덮고 있는 박막 봉지층을 포함하고, 박막 봉지층은 전압 인가 패드를 가지는 도전막을 적어도 하나 이상 포함한다.
상기 유기 발광 소자와 상기 박막 봉지층 사이에 위치하는 완충층을 더 포함할 수 있다.
상기 유기 발광 소자는 전자 주입층을 포함하고, 완충층은 상기 전자 주입층과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
상기 완충층은 LiQ, LiF 및 WO3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 도전막은 스퍼터링 방법 또는 플라스마 코팅법으로 형성할 수 있으며, 도전막은 알루미늄, 텅스텐, 몰리브덴 및 구리 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 도전막은 200Å이하로 형성할 있다.
상기 도전막은 투명 도전막으로 이루어질 수 있다.
상기 박막 봉지층은 상기 도전막과 상기 완충층 사이에 위치하는 산화막을 더 포함할 수 있다.
상기 산화막은 산화알루미늄일 수 있다.
상기 박막 봉지층은 상기 도전막 위에 위치하는 유기막 또는 무기막을 적어도 하나 이상 포함할 수 있다.
상기 전압 인가 패드에 인가되는 전압은 50V 이하일 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 박막 봉지층을 이루는 무기막 또는 유기막 사이에 에이징용 도전막을 형성함으로써 불순물을 효과적으로 제거할 수 있다. 따라서 불순물 등으로 인한 진행성 불량이 발생하지 않는 유기 발광 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구조를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 표시 영역의 개략적인 평면도이다.
도 3은 도 2의 III-III선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 봉지층의 도전막을 반복하여 형성하기 위해서 사용한 마스크를 순서대로 도시한 도면이다.
도 5는 도 4a 내지 4d에 의해서 형성된 도전막의 개략적인 배치도이다.
도 6은 유기 발광 표시 장치가 갖는 한 화소 회로를 나타낸 등가 회로도이다.
도 7은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이하 도면을 참고하여 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대해서 구체적으로 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구조를 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 표시 영역의 개략적인 평면도이고, 도 3은 도 2의 III-III선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NA)으로 구분된 기판(111)을 포함한다. 기판(111)의 표시 영역(DA)에는 다수의 화소(PE)들이 형성되어 화상을 표시하고, 비표시 영역(NA)에는 하나 이상의 구동 회로(GD, DD)가 형성된다.
표시 영역(DA)은 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 기판(111), 기판(111) 위에 형성되어 있는 유기 발광 소자(700), 유기 발광 소자(700) 위에 형성되어 있는 완충막(250), 완충막(250) 위에 형성되어 있는 박막 봉지층(260)을 포함한다. 유기 발광 소자(700)는 기판(111) 위에 형성되어 있는 박막 트랜지스터를 포함하는 배선부(도시하지 않음)에 의해서 구동된다.
기판(111)은 폴리머, 석영, 유리 및 금속 등을 포함하며 광투과성 재질로 이루어진다.
유기 발광 소자(700)는 제1 전극(71), 유기 발광층(72) 및 제2 전극(73)을 포함한다.
완충막(250)은 유기 발광 소자(700)와 박막 봉지층(260) 사이에 위치하여 박막 봉지층(260) 형성시에 유기 발광 소자(700)를 보호하기 위한 것으로, 필요에 따라서 생략할 수 있다.
완충막(250)은 유기 발광층과 같이 유기 증착법으로 형성할 수 있는 물질로, 유기 발광 소자의 전자 수송층을 형성하는 물질로 형성할 수 있다. 예를 들어 LiF, WO3 및 LiQ 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
박막 봉지층(260)은 유기 발광 소자(700)를 봉지하는 봉지재로서, 무기막(2605), 유기막(2607), 도전막(2603) 및 산화막(2601)을 적어도 하나 이상 포함하여 적층된다. 예를 들어 완충막(250) 위에 산화막(2601), 도전막(2603), 무기막(2605) 및 유기막(2607) 순으로 적층될 수 있으며 필요에 따라서 2회 이상 반복해서 적층될 수 있다. 또한, 산화막(2601), 도전막(2603) 순으로 적층하였으나 도전막(2603), 산화막(2601) 순으로 적층할 수도 있다. 도 2의 한 실시예에서는 각 2개씩 형성하였으나, 필요에 따라서 각 박막을 1개 또는 3개 이상으로 형성할 수 있다.
산화막(2601)은 산화알루미늄일 수 있으며, 도전막은 불투명 금속인 알루미늄, 텅스텐, 구리 및 몰리브덴 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 산화인듐주석과 같은 투명 도전막일 수 있다. 불투명 금속으로 이루어지는 도전막은 빛이 투과할 수 있도록 각 층은 50Å이하로 형성하는 것이 바람직하며, 복수로 적층할 때 도전막의 전체 두께를 200Å이하로 하는 것이 바람직하다.
도전막(2603)은 전압을 인가하기 위한 인가패드(26)를 가진다. 도전막(2603)은 복수로 적층될 수 있으며, 이때 인가 패드(26)는 도 2에서와 같이 중첩하지 않도록 형성되어 있다. 설명을 용이하게 하기 위해서 이하에서는 왼쪽에 인가 패드(26a)를 가지는 도전막을 제1 도전막(2603a)이라 하고, 오른쪽에 인가 패드(26b)를 가지는 도전막을 제2 도전막(2603b)이라 한다.
본 발명의 한 실시예에서와 같이 도전막을 형성하면 공정시 발생하는 불순물을 효과적으로 제거할 수 있다.
구체적으로는 제1 인가 패드(26a)와 제2 인가 패드(26b)는 전압선(30)을 통해서 전기적으로 연결되며, 제1 도전막(2603a) 및 제2 도전막(2603b)에 일정 전압을 인가한다. 일정 전압은 직류 또는 교류 전압일 수 있으며, 불순물이 버닝(burning) 될 수 있는 전압으로 직류일 때 50V이하일 수 있다. 한편, 별도의 접지선 및 접지 전극을 이용하면 제1 도전막 또는 제2 도전막 하나만 형성할 수 있다.
이처럼 제1 도전막(2603a)과 제2 도전막(2603b)에 수십 V의 전압을 인가하면 불순물에는 수메가 V의 전계가 형성되어 불순물이 버닝되므로 박막 봉지층(260) 내의 불순물을 용이하게 제거할 수 있다. 따라서 유기 발광 표시 장치에서 박막 봉지 공정이 끝난 후에라도 박막 봉지층 내의 불순물을 제거하는 공정을 실시할 수 있다.
이하에서는, 도 4a 내지 도 4d 및 도 5를 참조하여 도 2의 도전막을 제조하는 방법에 대해서 좀 더 구체적으로 설명한다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 봉지층의 도전막을 반복하여 형성하기 위해서 사용한 마스크를 순서대로 도시한 도면이고, 도 5는 도 4a 내지 4d에 의해서 형성된 도전막의 개략적인 배치도이다.
도 2의 유기 발광 표시 장치는 도전막을 2개 형성하였으나, 도 4 및 도 5의 실시예에서는 4개의 도전막을 형성하는 것을 예로 들어서 설명한다. 설명을 용이하게 하기 위해서 먼저 형성하는 순서대로 도면 부호에 a, b, c, d를 포함시켰다.
먼저 도 4a 및 도 5에서와 같이 기판 위에 제1 마스크(500a)를 배치한 후 스퍼터링(sputtering)법 또는 플라스마 코팅(Plasma　coating)으로 기판 위에 제1 도전막(2603a)을 형성한다.
제1 마스크(500a)는 제1 도전막(2603a)과 동일한 형태의 제1 개구부(5a)가 형성되어 있으며, 제1 개구부(5a)는 유기 발광 표시 장치의 가장자리 구동부를 제외한 표시 영역(DA)(도1 참조)과 대응하도록 배치된다.
이후, 무기막, 유기막 및 산화막을 순차적으로 적층한다. 이들의 적층 순서는 필요에 따라서 바뀔 수 있다. 무기막, 유기막 및 산화막은 인가 패드를 포함하지 않으므로 종래의 유기막 및 무기막을 형성하는 마스크를 사용하여 형성할 수 있으며, 인가 패드 위에 적층되지 않도록 형성한다.
그런 다음, 도 4b 및 도 5에 도시한 바와 같이, 제2 마스크(500b)를 배치한 후 스퍼터링 또는 플라스마 코팅으로 산화막 위에 제2 도전막(2603b)을 형성한다.
제 2 마스크(500b)는 제2 도전막(2603b)과 동일한 형태의 제2 개구부(5b)가 형성되어 있다. 그리고 무기막, 유기막 및 산화막을 순차적으로 적층한다. 이들의 적층 순서는 필요에 따라서 바뀔 수 있다.
그런 다음, 도 4c 및 5에 도시한 바와 같이, 산화막 위에 제3 개구부(5c)를 가지는 제3 마스크(500c)를 배치한 제3 도전막(2603c)를 형성하고 무기막, 유기막 및 산화막을 형성한다.
그런 다음, 도 4d 및 도 5에 도시한 바와 같이, 산화막 위에 제4 개구부(5d)를 가지는 제4 마스크(500d)를 배치한 후 제4 도전막(2603d)을 형성한다. 이후 유기막 및 무기막을 추가로 형성할 수 있다.
한편, 도 5에서와 같이 4개 이상의 도전막을 형성할 때 홀수 번째 위치하는 인가 패드(26a, 26c)를 배선(30a)을 통해서 전기적으로 연결하고, 짝수 번째 위치하는 인가 패드(26b, 26d)를 배선(30b)를 통해서 전기적으로 연결한 후 전압선(30)을 통해서 일정 전압을 인가할 수 있다. 즉, 짝수 번째(26b, 26d)에 위치하는 인가 패드에는 양극(+)과 연결하고, 홀수번째에 위치하는 인가 패드(26a, 26c)에는 음극(-)을 연결하여 박막 봉지층(260) 전체를 한 번에 에이징할 수 있다.
이상의 실시예에서는 표시 장치의 가장자리 구동부를 제외한 표시 영역(DA)(도 1 참조)과 대응하도록 도전막을 형성하였으나, 표시 장치의 각 화소의 유기 발광 소자의 발광층과 대응하는 영역을 제외한 영역에만 도전막을 형성할 수 있다. 이는 유기 발광 표시 장치의 광효율을 증가시키기 위한 것으로, 발광층 위에만 감광막 패턴을 형성한 후 식각으로 제거할 수 있다.
이하에서는 기 설명한 박막 봉지층을 포함하는 유기 발광 표시 장치에 대해서 한 화소를 중 심으로 좀 더 구체적으로 설명한다.
도 6에 도시한 바와 같이, 유기 발광 소자(organic light emitting diode)(700), 두 개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT) (10, 20), 그리고 하나의 축전기(capacitor)(80)를 구비하는 2Tr-1Cap 구조를 갖는다. 하지만, 본 발명의 한 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 하나의 화소(PE)에 셋 이상의 박막 트랜지스터와 둘 이상의 축전기를 구비할 수 있으며, 별도의 배선이 더 형성되어 다양한 구조를 갖도록 형성할 수도 있다. 이와 같이 추가로 형성되는 박막 트랜지스터 및 축전기는 보상 회로의 구성이 될 수 있다.
보상 회로는 각 화소(PE)마다 형성된 유기 발광 소자(700)의 균일성을 향상시켜 화질에 편차가 생기는 것을 억제한다. 일반적으로 보상 회로는 2개 내지 8개의 박막 트랜지스터를 포함한다.
또한, 기판(111)의 비 표시 영역(NA) 상에 형성된 구동 회로(GD, DD)도 추가의 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다.
유기 발광 소자(700)는 정공 주입 전극인 애노드(anode) 전극과 전자 주입 전극인 캐소드(cathode) 전극, 그리고 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 배치된 유기 발광층을 포함한다. 애노드 전극과 캐소드 전극은 도 2의 제1 전극 또는 제2 전극일 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서 하나의 화소(PE)는 제1 박막 트랜지스터(10)와 제2 박막 트랜지스터(20)를 포함한다.
제1 박막 트랜지스터(10) 및 제2 박막 트랜지스터(20)는 각각 게이트 전극, 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다. 그리고 제1 박막 트랜지스터(10) 및 제2 박막 트랜지스터(20) 중 하나 이상의 박막 트랜지스터의 반도체층은 불순물이 도핑된 다결정 규소막을 포함한다. 즉, 제1 박막 트랜지스터(10) 및 제2 박막 트랜지스터(20) 중 하나 이상의 박막 트랜지스터는 다결정 규소 박막 트랜지스터이다.
도 6에는 게이트선(GL), 데이터선(DL) 및 공통 전원선(VDD)과 함께 축전기선(CL)이 나타나 있으나, 축전기선(CL)은 경우에 따라 생략될 수도 있다.
데이터선(DL)에는 제1 박막 트랜지스터(10)의 소스 전극이 연결되고, 게이트선(GL)에는 제1 박막 트랜지스터(10)의 게이트 전극이 연결된다. 그리고 제1 박막 트랜지스터(10)의 드레인 전극은 축전기(80)를 통하여 축전기 선(CL)에 연결된다. 제1 박막 트랜지스터(10)의 드레인 전극과 축전기(80) 사이에 노드가 형성되어 제2 박막 트랜지스터(20)의 게이트 전극이 연결된다. 그리고 제2 박막 트랜지스터(20)의 소스 전극에는 공통 전원선(VDD)이 연결되며, 드레인 전극에는 유기 발광 소자(700)의 애노드 전극이 연결된다.
제1 박막 트랜지스터(10)는 발광시키고자 하는 화소(PE)를 선택하는 스위칭 소자로 사용된다. 제1 박막 트랜지스터(10)가 순간적으로 턴온되며 축전기(80)는 충전되고, 이때 충전되는 전하량은 데이터선(DL)으로부터 인가되는 전압의 전위에 비례한다. 그리고 제1 박막 트랜지스터(10)가 턴오프된 상태에서 축전기 선(CL)에 한 프레임 주기로 전압이 증가하는 신호가 입력되면, 제2 박막 트랜지스터(20)의 게이트 전위는 축전기(80)에 충전된 전위를 기준으로 인가되는 전압의 레벨이 축전기 선(CL)을 통하여 인가되는 전압을 따라서 상승한다. 그리고 제2 박막 트랜지스터(20)는 게이트 전위가 문턱 전압을 넘으면 턴온된다. 그러면 공통 전원 선(VDD)에 인가되던 전압이 제2 박막 트랜지스터(20)를 통하여 유기 발광 소자(700)에 인가되고, 유기 발광 소자(700)는 발광한다.
이하에서는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 한 화소의 층간 구성에 대해서 도 7을 참조하여 구체적으로 설명한다.
도 7은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 7에서는 도 6의 제2 박막 트랜지스터(20) 및 유기 발광 소자(700)을 중심으로 적층 순서에 따라 상세히 설명한다. 이하에서는 제2 박막 트랜지스터(20)를 박막 트랜지스터라 한다.
기판(111)은 유리, 석영, 세라믹 등으로 이루어진 절연성 기판 일 수 있다.
기판(111) 위에는 불순물 또는 수분과 같이 불필요한 성분의 침투를 방지하면서 동시에 표면을 평탄화하는 하부 완충층(120)이 형성되어 있다.
하부 완충층(120) 위에는 다결정 규소로 이루어진 반도체(135)가 형성되어 있다.
반도체(135)는 채널 영역(1355)과 채널 영역(1355)의 양측에 각각 형성된 소스 영역(1356) 및 드레인 영역(1357)으로 구분된다. 반도체(135)의 채널 영역(1355)은 불순물이 도핑되지 않은 다결정 규소, 즉 진성 반도체(intrinsic semiconductor)이다. 반도체(135)의 소스 영역(1356) 및 드레인 영역(1357)은 도전성 불순물이 도핑된 다결정 규소, 즉 불순물 반도체(impurity semiconductor)이다.
소스 영역(1356) 및 드레인 영역(1357)에 도핑되는 불순물은 p형 불순물 및 n형 불순물 중 어느 하나 일 수 있다.
반도체(135) 위에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140)은 테트라에톡시실란(tetra ethyl ortho silicate, TEOS), 질화 규소 및 산화 규소 중 적어도 하나를 포함한 단층 또는 복수층일 수 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 게이트 전극(155)이 형성되어 있다. 게이트 전극(155)은 채널 영역(1355)과 중첩한다.
게이트 전극(155) 위에는 층간 절연막(160)이 형성된다. 층간 절연막(160)은 게이트 절연막(140)과 마찬가지로 테트라에톡시실란(tetra ethyl ortho silicate, TEOS), 질화 규소 또는 산화 규소 등으로 형성될 수 있다.
층간 절연막(160) 및 게이트 절연막(140)은 소스 영역(1356)과 드레인 영역(1357)을 각각 노출하는 소스 접촉 구멍(166)과 드레인 접촉 구멍(167)을 갖는다.
층간 절연막(160) 위에는 소스 전극(176) 및 드레인 전극(177)이 형성되어 있다. 소스 전극(176)은 소스 접촉 구멍(166)을 통해서 소스 영역(1356)과 연결되고, 드레인 전극(177)은 드레인 접촉 구멍(167)을 통해서 드레인 영역(1357)과 연결된다.
층간 절연막(160) 위에는 보호막(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 드레인 전극(177)을 노출하는 접촉 구멍(185)을 가진다.
보호막(180) 위에는 접촉 구멍(185)을 통해서 드레인 전극(177)과 연결되는 화소 전극(71)이 형성되어 있다. 화소 전극(71)은 도 2의 제1 전극일 수 있으며, 유기 발광 소자의 애노드 전극이 된다.
화소 전극(71) 위에는 화소 정의막(190)이 형성되어 있다.
화소 정의막(190)은 화소 전극(71)을 노출하는 개구부(95)을 가진다. 화소 정의막(190)은 폴리아크릴계(polyacrylates) 또는 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지와 실리카 계열의 무기물 등을 포함하여 이루어질 수 있다.
화소 정의막(190)의 개구부(95)에는 유기 발광층(72)이 형성되어 있다.
유기 발광층(72)은 발광층, 정공 수송층(hole-injection layer, HIL), 정공 수송층(hole-transporting layer, HTL), 전자 수송층(electron-transporting layer, ETL) 및 전자 주입층(electron-injection layer, EIL) 중 하나 이상을 포함하는 복수층으로 형성된다.
유기 발광층(72)이 이들 모두를 포함할 경우 정공 주입층이 애노드 전극인 화소 전극(71) 위에 위치하고 그 위로 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 차례로 적층될 수 있다.
화소 정의막(190) 및 유기 발광층(72) 위에는 공통 전극(73)이 형성된다.
공통 전극(73)은 도 2의 제2 전극일 수 있으며, 유기 발광 소자(700)의 캐소드 전극이 된다. 따라서 화소 전극(71), 유기 발광층(72) 및 공통 전극(73)은 유기 발광 소자(700)를 이룬다.
유기 발광 소자(700)가 빛을 방출하는 방향에 따라서 유기 발광 표시 장치는 전면 표시형, 배면 표시형 및 양면 표시형 중 어느 한 구조를 가질 수 있다.
전면 표시형일 경우 화소 전극(71)은 반사막으로 형성하고 공통 전극(73)은 반투과막으로 형성한다. 반면, 배면 표시형일 경우 화소 전극(71)은 반투과막으로 형성하고 공통 전극(73)은 반사막으로 형성한다. 그리고 양면 표시형일 경우 화소 전극(71) 및 공통 전극(73)은 투명막 또는 반투과막으로 형성한다.
반사막 및 반투과막은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 금(Au), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr) 및 알루미늄(Al) 중 하나 이상의 금속 또는 이들의 합금을 사용하여 만들어진다. 반사막과 반투과막은 두께로 결정되며, 반투과막은 200nm 이하의 두께로 형성될 수 있다. 두께가 얇아질수록 빛의 투과율이 높아지나, 너무 얇으면 저항이 증가한다.
투명막은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(산화 아연) 또는 In2O3(indium oxide) 등의 물질로 이루어진다.
공통 전극(73) 위에는 완충층(250)이 형성되어 있고, 완충층(250) 위에는 박막 봉지층(260)이 형성되어 있다. 완충층(250)은 유기 발광 소자의 전자 주입층(electron-injection layer, EIL)과 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, LiF, WO3 및 LiQ 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 전자 주입층으로 완충층을 형성하면 유기 발광 표시 장치의 광효율을 증가시킬 수 있다.
박막 봉지층(260)은 도 2에 도시한 바와 같이, 완충층(250) 위에 형성되어 있는 산화막(2601), 산화막(2601) 위에 형성되어 있는 도전막(2603), 도전막 위에 형성되어 있는 무기막(2605) 및 유기막(2607)이 2회 반복해서 적층되어 있다. 또한, 완충층(250) 위에 도전막, 산화막 중으로 적층(도시하지 않음)할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서와 같이 도전막을 포함하여 박막 봉지층을 형성하면, 도전막에 일정 전압을 인가하여 용이하게 불순물을 제거할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
5a: 제1 개구부 5b: 제2 개구부
5c: 제3 개구부 5d: 제4 개구부
10: 제1 박막 트랜지스터 20: 제2 박막 트랜지스터
26: 인가 패드 26a: 제1 인가 패드
26b: 제2 인가 패드 30: 전압선
30a, 30b: 배선 71: 화소 전극
72: 유기 발광층 73: 공통 전극
80: 축전기 111: 기판
120: 하부 완충층 135: 반도체
140: 게이트 절연막 155: 게이트 전극
160: 층간 절연막 166: 소스 접촉 구멍
167: 드레인 접촉 구멍 176: 소스 전극
177: 드레인 전극 180: 보호막
190: 화소 정의막 195: 개구부
250: 완충층 260: 박막 봉지층
500a: 제1 마스크 500b: 제2 마스크
500c: 제3 마스크 500d: 제4 마스크
700: 유기 발광 소자 1355: 채널 영역
1356: 소스 영역 1357: 드레인 영역
2601: 산화막 2603: 도전막
2603a: 제1 도전막 2603b: 제2 도전막
2603c: 제3 도전막 2603d: 제4 도전막
2605: 무기막 2607: 유기막

Claims (12)

  1. 유기 발광 소자가 형성되어 있는 기판,
    상기 기판 위에 형성되며 상기 유기 발광 소자을 덮고 있는 박막 봉지층
    을 포함하고,
    상기 박막 봉지층은 전압 인가 패드를 가지는 도전막을 적어도 하나 이상 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 유기 발광 소자와 상기 박막 봉지층 사이에 위치하는 완충층을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 유기 발광 소자는 전자 주입층을 포함하고,
    상기 완충층은 상기 전자 주입층과 동일한 물질로 이루어지는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 완충층은 LiQ, LiF 및 WO3 중 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제1항에서,
    상기 도전막은 스퍼터링 방법 또는 플라스마 코팅법으로 형성하는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 도전막은 알루미늄, 텅스텐, 구리 및 몰리브덴 중 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 도전막은 200Å이하로 형성하는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제5항에서,
    상기 도전막은 투명 도전막으로 이루어지는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제2항에서,
    상기 박막 봉지층은 상기 도전막과 상기 완충층 사이에 위치하는 산화막을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 산화막은 산화알루미늄인 유기 발광 표시 장치.
  11. 제2항에서,
    상기 박막 봉지층은 상기 도전막 위에 위치하는 유기막 또는 무기막을 적어도 하나 이상 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  12. 제1항에서,
    상기 전압 인가 패드에 인가되는 전압은 50V 이하인 유기 발광 표시 장치.
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