KR100875099B1 - 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 유기층 및 무기층을 포함하며, 상기 유기층과 상기 무기층의 계면에 상기 유기층을 이루는 유기물과 상기 무기층을 이루는 무기물의 혼합 (intermixing) 영역이 존재하는 봉지층을 구비한 유기 발광 장치에 관한 것이다.
유기 발광 장치
Description
도 1은 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 장치의 단면도이고,
도 2는 본 발명의 다른 구현예를 따르는 유기 발광 장치의 단면도이고,
도 3은 본 발명의 또 다른 구현예를 따르는 유기 발광 장치의 단면도이고,
도 4a 및 4b는 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 장치의 제조 방법을 설명한 개략도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
20, 50...유기 발광 소자 30, 80...봉지층
31...유기층 33...혼합 영역
35...무기층 61...제1유기층
63...제1혼합 영역 65...제1무기층
71...제2유기층 73...제2혼합 영역
75...제2무기층
본 발명은 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 유기층 및 무기층을 포함하며, 상기 유기층과 상기 무기층의 계면에 상기 유기층을 이루는 유기물과 상기 무기층을 이루는 무기물의 혼합 (intermixing) 영역이 존재하는 봉지층을 구비한 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 유기 발광 장치의 봉지층은 우수한 방투산소 및 방투수분 성능을 가지며, 초박막으로 형성될 수 있는 바, 상기 유기 발광 장치는 장수명 및 고휘도를 가질 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 장치의 제조 방법은 그 공정이 단순하여, 제조 단가를 절감할 수 있다.
유기 발광 소자(Organic Light Emitting Diode)는 형광성 유기 화합물을 전기적으로 여기시켜서 발광시키는 자발광형 디스플레이로 낮은 전압에서 구동이 가능하고, 박형화가 용이하며, 광시야각, 빠른 응답 속도 등 액정 디스플레이에 있어서 문제점으로 지적되는 것을 해결할 수 있는 차세대 디스플레이로 주목받고 있다. 유기 발광 소자는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 유기물로 이루어진 발광층을 구비하고 있다. 유기 전계 발광 소자는 이들 전극들에 양극 및 음극 전압이 각각 인가됨에 따라 애노드 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 정공 수송층을 경유하여 발광층으로 이동되고, 전자는 캐소드 전극으로부터 전자 수송층을 경유하여 발광층으로 이동되어서, 발광층에서 전자와 정공이 재결합하여 여기자(exiton)를 생성하게 된다.
이 여기자가 여기 상태에서 기저 상태로 변화됨에 따라, 발광층의 형광성 분자가 발광함으로써 화상을 형성하게 된다. 풀 컬러(full color)형 유기 전계 발광 소자의 경우에는 적(R),녹(G),청(B)의 삼색을 발광하는 화소(pixel)를 구비토록 함으로써 풀 컬러를 구현한다.
전술한 바와 같이 유기 발광 소자는 유기층과 접촉된 캐소드 전극을 갖는다. 유기 발광 장치의 신뢰성을 향상시키기 위하여, 유기 발광 소자는 투습 및 투산소로부터 보호되어야 한다.
이를 해결하기 위하여, 예를 들면, 일본 특허공개공보 평 9-148066호는 유기 화합물로 된 유기 발광 재료층이 서로 대향하는 한 쌍의 전극간에 놓인 구조를 갖는 적층체와, 이러한 적층체를 외기와 차단하는 기밀성 용기와, 기밀성 용기 내에 배치된 알칼리 금속 산화물, 알칼리 금속 산화물과 같은 건조수단을 갖는 유기 전계 발광 표시 소자를 개시하고 있다. 그러나, 상기 유기 발광 장치는 그 기밀성 용기의 형상으로 인해 표시 장치 전체의 두께가 두꺼워질 수 있으며, 그 제조 공정이 복잡하여, 제조 단가가 상승할 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 제조 공정이 단순하고, 제조 단가가 저렴하며, 투습 및 투산소 방지 효과가 우수하며 초박막인 봉지층을 구비한 유기 발광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 상기 유기 발광 장치의 제조 방법 또한 제공한다.
상기 본 발명의 기술적 과제를 이루기 위하여, 본 발명은, 기판; 상기 기판 상에 구비되며, 제1전극, 제2전극 및 상기 제1전극과 제2전극 사이에 구비된 발광 층을 포함한 유기 발광 소자; 및 상기 유기 발광 소자를 덮는 봉지층;을 구비한 유기 발광 장치로서, 상기 봉지층은, 유기층 및 무기층을 포함하며, 상기 유기층과 상기 무기층의 계면에 상기 유기층을 이루는 유기물과 상기 무기층을 이루는 무기물의 혼합 (intermixing) 영역이 존재하는 유기 발광 장치를 제공한다.
상기 본 발명의 다른 기술적 과제를 이루기 위하여, 본 발명은, 기판; 상기 기판 상에 구비되며, 제1전극, 제2전극 및 상기 제1전극과 제2전극 사이에 구비된 발광층을 포함한 유기 발광 소자; 및 상기 유기 발광 소자를 덮는 봉지층;을 구비한 유기 발광 장치로서, 상기 봉지층은, 제1유기층, 제1무기층, 제2유기층 및 제2무기층을 포함하고, 상기 제1유기층과 상기 제1무기층의 계면에 상기 제1유기층을 이루는 제1유기물과 상기 제1무기층을 이루는 제1무기물의 제1혼합 영역이 존재하고, 상기 제2유기층과 상기 제2무기층의 계면에 상기 제2유기층을 이루는 제2유기물과 상기 제2무기층을 이루는 제2무기물의 제2혼합 영역이 존재하는 유기 발광 장치를 제공한다.
이 때, 상기 봉지층은 제3유기층 및 제3무기층을 더 포함할 수 있으며, 상기 제3유기층과 상기 제3무기층의 계면에는 제3유기층을 이루는 제3유기물과 상기 제3무기층을 이루는 제3무기물의 제3혼합 영역이 존재할 수 있다.
상기 본 발명의 또 다른 기술적 과제를 이루기 위하여, 본 발명은, 제1전극, 제2전극 및 상기 제1전극과 제2전극 사이에 구비된 발광층을 포함한 유기 발광 소자를 구비한 기판을 준비하는 단계; 및 상기 유기 발광 소자를 덮는 봉지층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 봉지층 형성 단계는, 상기 유기 발광 소자를 덮는 유 기층을 형성하는 제1단계; 및 상기 유기층 상부에 이온 빔 보조 증착법을 이용하여 무기물을 증착함으로써, 상기 무기물로 이루어진 무기층 및 상기 유기층을 이루는 유기물과 상기 무기층을 이루는 무기물의 혼합(intermixing) 영역을 동시에 형성하는 제2단계;를 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법을 제공한다.
상기 본 발명의 또 다른 기술적 과제를 이루기 위하여, 본 발명은, 제1전극, 제2전극 및 상기 제1전극과 제2전극 사이에 구비된 발광층을 포함한 유기 발광 소자를 구비한 기판을 준비하는 단계; 및 상기 유기 발광 소자를 덮는 봉지층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 봉지층 형성 단계는, 상기 유기 발광 소자를 덮는 제1유기층을 형성하는 제1단계; 상기 제1유기층 상부에 이온 빔 보조 증착법을 이용하여 제1무기물을 증착함으로써, 상기 제1무기물로 이루어진 제1무기층 및 상기 제1유기층을 이루는 제1유기물과 상기 제1무기층을 이루는 제1무기물의 제1혼합(intermixing) 영역을 동시에 형성하는 제2단계; 상기 제1무기층 상부에 제2유기층을 형성하는 제3단계; 및 상기 제2유기층 상부에 이온 빔 보조 증착법을 이용하여 제2무기물을 증착함으로써, 상기 제2무기물로 이루어진 제2무기층 및 상기 제2유기층을 이루는 제2유기물과 상기 제2무기층을 이루는 제2무기물의 제2혼합(intermixing) 영역을 동시에 형성하는 제4단계;를 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법을 제공한다.
상기 유기 발광 장치의 제조 방법의 봉지층 형성 단계는, 상기 제2무기층 상부에 제3유기층을 형성하는 제5단계 및 상기 제3유기층 상부에 이온 빔 보조 증착법을 이용하여 제3무기물을 증착함으로써, 상기 제3무기물로 이루어진 제3무기층 및 상기 제3유기층을 이루는 제3유기물과 상기 제3무기층을 이루는 제3무기물의 제3혼합(intermixing) 영역을 동시에 형성하는 제6단계를 더 포함할 수 있다.
전술한 바와 같은 유기 발광 장치는 초박막형이면서도 우수한 방투습 및 방투산소 효과를 갖는 봉지층을 갖는 바, 고휘도 및 장수명 특성을 가질 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 장치는 제조 공정이 단순하여, 제조 단가가 저렴하다.
이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명을 따르는 유기 발광 장치의 일 구현예를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 1에 도시된 유기 발광 장치(10)는 기판(11) 상부에, 제1전극(21), 발광층(23) 및 제2전극(25)을 포함한 유기 발광 소자(20)를 구비하여, 상기 유기 발광 소자(20)를 덮는 봉지층(30)을 구비한다. 상기 봉지층(30)은 유기층(31) 및 무기층(35)을 포함하며, 상기 유기층(31)과 상기 무기층(35)의 계면에는 상기 유기층(31)을 이루는 유기물과 상기 무기층(35)을 이루는 무기물의 혼합(intermixing) 영역(33)이 존재한다.
상기 기판(11)은 통상적인 유기 발광 장치에서 사용되는 기판을 사용하는데 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 이용할 수 있다. 도 1에는 도시되어 있지 않으나, 상기 기판(11) 상부에는 평탄화막, 절연층 등이 더 구비될 수 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.
상기 기판(11) 상부에는 유기 발광 소자(20)가 구비되어 있다. 상기 유기 발광 소자는 제1전극(21), 발광층(23) 및 제2전극(25)을 포함한다.
상기 제1전극(21)은 진공증착법이나 스퍼터링법 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 캐소드 또는 애노드일 수 있다. 상기 제1전극(21)은 투명 전극, 반투명 전극 또는 반사 전극일 수 있으며, 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO), Al, Ag, Mg 등을 이용하여 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 서로 다른 2 이상의 물질을 이용하여 2 층 이상의 구조를 가질 수 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.
상기 제2전극(25) 진공증착법이나 스퍼터링법 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 캐소드 또는 애노드일 수 있다. 상기 제2전극 형성용 금속으로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적인 예로서는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등을 들 수 있다. 또한, 상기 제2전극(25)은 서로 다른 2 이상의 물질을 이용하여 2층 이상의 구조를 가질 수 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.
상기 제1전극(21)과 상기 제2전극(25) 사이에는 발광층(23)이 구비되어 있다. 상기 발광층(23)은 공지의 발광 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, Alq3, CBP(4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐), PVK(폴리(n-비닐카바졸)), DSA( 디스티릴아릴렌) 등과 같은 공지의 호스트 및 PtOEP, Ir(piq)3, Btp2Ir(acac), DCJTB (이상, 적색 도펀트), Ir(ppy)3 (ppy = 페닐피리딘), Ir(ppy)2(acac), Ir(mpyp)3 (이상, 녹색 도펀 트), F2Irpic, (F2ppy)2Ir(tmd), Ir(dfppz)3, ter-플루오렌(fluorene) (이상, 청색 도펀트) 등과 같은 공지의 도펀트 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 도 1에는 구체적으로 도시하지 않았으나, 제1전극(21) 및 제2전극(25) 사에는 발광층(23) 외에도, 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 층이 더 포함될 수 있다. 상기 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층은 공지의 재료 및 공지의 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
상기 정공 주입층은 예를 들면, 미국특허 제4,356,429호에 개시된 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물 또는 Advanced Material, 6, p.677(1994)에 기재되어 있는 스타버스트형 아민 유도체류인 TCTA, m-MTDATA, m-MTDAPB, 등을 이용하여 형성할 수 있고, 상기 정공 수송층은 예를 들면, N-페닐카르바졸, 폴리비닐카르바졸 등의 카르바졸 유도체, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB), N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N' -디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(α-NPD) 등의 방향족 축합환을 가지는 통상적인 아민 유도체 등을 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 상기 정공 저지층은 예를 들면, 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 또는 JP 11-329734(A1)에 기재되어 있는 정공저지재료, Balq, BCP 등을 이용하여 형성할 수 있다. 한편, 상기 전자 수송층은, 예를 들면, 퀴놀린 유도체, 특히 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3), TAZ 등을 이용하여 형성할 수 있고, 상기 전자 주입층은 예를 들면, LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO 등을 이용하여 형성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
구체적으로 도시하지는 않았으나, 상기 유기 발광 소자(20) 상부로는 보호층이 더 구비될 수 있다. 상기 보호층은 유기 발광 소자(20)의 제2전극(25)이 수분 및 산소에 의하여 산화되는 것을 방지할 수 있는 유기물 또는 무기물로 이루어질 수 있다. 또는, 상기 보호층은 유/무기 복합층으로 이루어질 수도 있는 등, 다양한 변화가 가능하다.
도 1 중, 봉지층(30)은 상기 유기 발광 소자(20)를 덮도록 구비되어 있는데, 유기층(31) 및 무기층(35)를 구비하며, 상기 유기층(31) 및 상기 무기층(35) 사이에는 상기 유기층(31)을 이루는 유기물과 상기 무기층(35)을 이루는 무기물의 혼합 영역(33)이 존재한다.
상기 유기층(31)은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 아크릴계 수지의 예로서, 부틸아그릴레이트, 에틸헥실아크릴레이트 등이 있고, 상기 메타크릴계 수지의 예로서, 프로필렌글리콜메타크릴레이트, 테트라하이드로퍼프리 메타크릴레이트 등이 있고, 상기 비닐계 수지의 예로서 비닐아세테이트, N-비닐피롤리돈 등이 있고, 에폭시계 수지의 예로서, 싸이클로알리파틱 에폭사이드, 에폭시 아크릴레이트, 비닐 에폭시계 수지 등이 있고, 우레탄계 수지의 예로서, 우레탄 아크릴레이트 등이 있고, 셀룰로오즈계 수지의 예로서, 셀룰로오즈나이트레이트 등이 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 무기층(35)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물(SiON)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
상기 유기층(31)과 상기 무기층(35)의 계면에는 상기 유기층(31)을 이루는 유기물과 상기 무기층(35)을 이루는 무기물의 혼합 영역(33)이 존재한다. 통상적으로, 봉지층(30)의 유기층(31)은 평탄화 역할을 하고, 무기층(35)은 수분 및 산소 침투 방지 역할을 하는 것으로 알려져 있는데, 본 발명의 혼합 영역(33)은 평탄화 역할과 수분 및 산소 침투 방지 역할을 동시에 할 수 있는 바, 이러한 혼합 영역(33)을 구비한 본 발명의 봉지층(30)은 매우 우수한 방투산소 및 방투수분 효과를 나타낼 수 있다.
뿐만 아니라, 상기 무기층(35) 및 상기 혼합 영역(33)은 상기 유기층(31) 상부에 이온 빔 보조 증착법(Ion Beam Assisted Deposition : IBAD)을 이용하여 상기 무기층(35)을 이루는 무기물을 증착함으로써 동시에 형성된 것이다. 즉, 상기 혼합 영역(33)은 별도의 코팅법, 증착법 등을 이용하여 형성된 층이 아니라, 이온 빔 보조 증착법을 이용하여 무기층(35)을 형성하는 과정에서 생성된 층이다. 따라서, 도 1로부터 확인할 수 있는 바와 같이, 유기층(31), 혼합 영역(33) 및 무기층(35)의 경계면은 명확하지 않다.
이와 같이, 상기 혼합 영역(33)은 별도의 코팅법, 증착법 등을 이용하여 형성된 것이 아닌 바, 초박막 두께로 형성가능하다. 따라서, 본 발명을 따르는 봉지층(30)은 전술한 바와 같은 이유로 우수한 방투산소 및 방투수분 특성을 가지면서도 초박막으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 봉지층(30)은 0.05㎛ 내지 5㎛, 바람직하게는 0.1㎛ 내지 3㎛의 두께를 가질 수 있다. 이로써, 본 발명을 따르는 유기 발광 장치는 매우 얇은 두께로 제작가능하다.
상기 봉지층(30) 중, 상기 혼합 영역(33)은 150Å 이하, 바람직하게는 20Å 내지 150Å, 보다 바람직하게는 20Å 내지 100Å의 두께를 가질 수 있다. 상기 혼합 영역(33)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족시킬 경우, 방투습 및 방투산소 성능이 우수하고, 제조 비용이 저렴한 봉지층(30)을 얻을 수 있다.
도 2는 본 발명을 따르는 유기 발광 장치(40)의 다른 일 구현예를 도시한 것이다. 상기 유기 발광 장치(40)의 기판(41) 상부에는 제1전극(51), 발광층(53) 및 제2전극(55)를 포함한 유기 발광 소자(50)가 구비되어 있다. 상기 유기 발광 소자(50)에 대한 상세한 설명은 전술한 바를 참조한다. 도 2에는 구체적으로 도시되어 있지 않으나, 제1전극(51) 및 제2전극(55) 사이에는 발광층(53) 외에도, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 저지층, 전자 수송층 및 전자 수송층으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이 층이 더 포함될 수 있음은 물론이다.
도 2에는 구체적으로 도시되어 있지 않으나, 상기 유기 발광 소자(50) 상부에는 유기 발광 소자(50)의 제2전극(55)가 산소 및 수분에 의하여 추가적으로 산화되는 것을 방지할 수 있는 보호층이 구비될 수 있다.
한편, 봉지층(80)은 유기 발광 소자(50)을 덮도록 구비되어 있다. 상기 봉지층(80)은 제1유기층(61), 제1무기층(65), 제2유기층(71) 및 제2무기층(75)을 포함한다. 이 때, 상기 제1유기층(61)과 상기 제1무기층(65)의 계면에 상기 제1유기층(61)을 이루는 제1유기물과 상기 제1무기층(65)을 이루는 제1무기물의 제1혼합(intermixing) 영역(63)이 존재한다. 또한, 상기 제2유기층(71)과 상기 제2무기층(75)의 계면에 상기 제2유기층(71)을 이루는 제2유기물과 상기 제2무기층(75)을 이루는 제2무기물의 제2혼합 영역(73)이 존재한다.
상기 제1유기층(61)을 이루는 제1유기물 및 상기 제2유기층(71)을 이루는 제2유기물은 서로 독립적으로, 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1유기물과 상기 제2유기물은 서로 동일하거나, 상이할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 아크릴계 수지의 예로서, 부틸아그릴레이트, 에틸헥실아크릴레이트 등이 있고, 상기 메타크릴계 수지의 예로서, 프로필렌글리콜메타크릴레이트, 테트라하이드로퍼프리 메타크릴레이트 등이 있고, 상기 비닐계 수지의 예로서 비닐아세테이트, N-비닐피롤리돈 등이 있고, 에폭시계 수지의 예로서, 싸이클로알리파틱 에폭사이드, 에폭시 아크릴레이트, 비닐 에폭시계 수지 등이 있고, 우레탄계 수지의 예로서, 우레탄 아크릴레이트 등이 있고, 셀룰로오즈계 수지의 예로서, 셀룰로오즈나이트레이트 등이 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1무기층(65)을 이루는 제1무기물과 상기 제2무기층(75)을 이루는 제2무기물은 서로 독립적으로, 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물(SiON)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다. 이 때, 제1무기물과 제2무기물은 서로 동일하거나, 상이할 수 있다.
상기 제1유기층(61)과 상기 제1무기층(65)의 계면에는 상기 제1유기층(61)을 이루는 제1유기물과 상기 제1무기층(65)을 이루는 제1무기물의 제1혼합 영역(63)이 존재한다. 또한, 제2유기층(71)과 상기 제2무기층(75)의 계면에는 상기 제2유기층(71)을 이루는 제2유기물과 상기 제2무기층(75)을 이루는 제2무기물의 제2혼합 영역(73)이 존재한다. 상기 제1혼합 영역(63) 및 상기 제2혼합 영역(73)은 평탄화 역할과 수분 및 산소 침투 방지 역할을 동시에 할 수 있는 바, 이를 구비한 본 발명의 봉지층(80)은 매우 우수한 방투산소 및 방투수분 효과를 나타낼 수 있다.
한편, 상기 제1무기층(65) 및 상기 제1혼합 영역(63)은 상기 제1유기층(61) 상부에 이온 빔 보조 증착법(Ion Beam Assisted Deposition : IBAD)을 이용하여 상기 제1무기층(65)을 이루는 제1무기물을 증착함으로써 동시에 형성된 것이다. 또한, 상기 제2무기층(75) 및 상기 제2혼합 영역(73)은 상기 제2유기층(71) 상부에 이온 빔 보조 증착법을 이용하여 상기 제2무기층(75)을 이루는 제2무기물을 증착함으로써 동시에 형성된 것이다. 즉, 상기 제1혼합 영역(63) 및 제2혼합 여역(73)은 별도의 코팅법, 증착법 등을 이용하여 형성된 층이 아니라, 이온 빔 보조 증착법을 이용하여 제1무기층(65) 또는 제2무기층(75)을 형성하는 과정에서 생성된 층이다. 따라서, 도 2로부터 확인할 수 있는 바와 같이, 제1유기층(61), 제1혼합 영역(63) 및 제1무기층(65) 간의 경계면 및 제2유기층(71), 제2혼합 영역(73) 및 제2무기층(75) 간의 경계면은 명확하지 않다.
이와 같이, 상기 제1혼합 영역(63) 및 제2혼합 영역(73)은 별도의 코팅법, 증착법 등을 이용하여 형성된 것이 아닌 바, 초박막 두께로 형성가능하다. 따라서, 본 발명을 따르는 봉지층(80)은 전술한 바와 같은 이유로 우수한 방투산소 및 방투수분 특성을 가지면서도 초박막으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 봉지층(80)은 0.1㎛ 내지 10㎛, 바람직하게는 0.6㎛ 내지 5.5㎛의 두께를 가질 수 있다. 이로써, 본 발명을 따르는 유기 발광 장치는 매우 얇은 두께로 제작가능하다.
상기 봉지층(80) 중, 상기 제1혼합 영역(63)은, 예를 들면 150Å 이하, 바람직하게는 20Å 내지 150Å, 보다 바람직하게는 20Å 내지 100Å의 두께를 가질 수 있다. 한편, 상기 봉지층(80) 중, 상기 제2혼합 영역(73)은 예를 들면, 150Å 이하, 바람직하게는 20Å 내지 150Å, 보다 바람직하게는 20Å 내지 100Å의 두께를 가질 수 있다. 상기 제1혼합 영역(63) 및 상기 제2혼합 영역(73)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족시킬 경우, 방투습 및 방투산소 성능이 우수하고, 제조 비용이 저렴한 봉지층(80)을 얻을 수 있다.
한편, 상기 봉지층(80)은 제3유기층 및 제3무기층을 더 포함할 수 있는데, 이와 같은 봉지층을 구비한 유기 발광 장치의 일 구현예는 도 3에 도시되어 있다.
도 3에 도시된 유기 발광 장치(105)의 봉지층(100)은, 제1유기층(61), 제1무기층(65), 제2유기층(71), 제2무기층(75), 제3유기층(91) 및 제3무기층(95)를 포함한다. 이 때, 상기 제1유기층(61)과 상기 제1무기층(65)의 계면에는 상기 제1유기층(61)을 이루는 제1유기물과 상기 제1무기층(65)을 이루는 제1무기물의 제1혼합 영역(63)이 존재한다. 또한, 제2유기층(71)과 상기 제2무기층(75)의 계면에는 상기 제2유기층(71)을 이루는 제2유기물과 상기 제2무기층(75)을 이루는 제2무기물의 제2혼합 영역(73)이 존재한다. 한편, 상기 제3유기층(91)과 상기 제3무기층(95)의 계면에는 상기 제3유기층(91)을 이루는 제3유기물과 상기 제3무기층(95)을 이루는 제3무기물의 제3혼합 영역(93)이 존재한다. 상기 제1혼합 영역(63), 상기 제2혼합 영역(73) 및 상기 제3혼합 영역(93)은 평탄화 역할과 수분 및 산소 침투 방지 역할을 동시에 할 수 있는 바, 이를 구비한 본 발명의 봉지층(100)은 매우 우수한 방투산소 및 방투수분 효과를 나타낼 수 있다. 상기 제3유기층(91), 제3혼합 영역(93) 및 제3무기층(95)에 대한 상세한 설명은 상기 제1유기층(61), 제2유기층(71), 제1혼합 영역(63), 제2혼합 영역(73), 제1무기층(65) 및 제2무기층(75)에 대한 설명을 참조한다.
본 발명을 따르는 유기 발광 소자의 제조 방법의 일 구현예는, 제1전극, 제2전극 및 상기 제1전극과 제2전극 사이에 구비된 발광층을 포함한 유기 발광 소자를 구비한 기판을 준비하는 단계; 및 상기 유기 발광 소자를 덮는 봉지층을 형성하는 단계;를 포함한다. 이 때, 상기 봉지층 형성 단계는, 상기 유기 발광 소자를 덮는 유기층을 형성하는 제1단계; 및 상기 유기층 상부에 이온 빔 보조 증착법을 이용하여 무기물을 증착함으로써, 상기 무기물로 이루어진 무기층 및 상기 유기층을 이루는 유기물과 상기 무기층을 이루는 무기물의 혼합(intermixing) 영역을 동시에 형성하는 제2단계;를 포함할 수 있다.
상기 유기 발광 소자의 제1전극, 발광층 및 제2전극을 형성하는 방법은 공지의 증착법, 스퍼터링법, 코팅법을 이용하여 수행할 수 있다. 이 때, 제1전극과 제2전극 사이에 발광층 외에, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 하나 이상을 더 형성할 수 있음은 물론이다.
기판 상부에 유기 발광 소자를 형성한 다음에는, 상기 유기 발광 소자를 덮 도록 봉지층을 형성한다. 봉지층 형성 단계를 도 4a 및 4b를 참조하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
제1전극(121), 발광층(123) 및 제2전극(125)를 구비한 유기 발광 소자(120)가 구비된 기판(111)을 준비한 다음, 도 4a에서와 같이 유기 발광 소자(120)를 덮도록 유기층(131)을 형성한다. 상기 유기층(131)을 이루는 물질은 전술한 바를 참조한다. 상기 유기층(131)을 형성하는 방법은 통상의 성막 방법, 예를 들면, 코팅 및 열처리법, 증착법 등을 다양하게 이용할 있다.
그리고 나서, 상기 유기층(131) 상부에, 도 4b에서와 같이 봉지층(130)의 무기층(135)을 이루는 무기물(135a)를 공급하는 증발원(97) 및 이온 빔 소스(95)를 이용한 이온 빔 보조 증착법을 통하여 무기물(135a)을 증착한다. 이 때, 이온 빔 소스(95)로부터 방출되는 불활성 원자의 이온(93)에 의하여 증발원(97)로부터 방출되는 무기물(135a)의 이동도가 높아져, 도 4b의 확대도에서 관찰할 수 있는 바와 같이, 유기층(131)을 이루는 유기물(131a) 사이에 무기물(135a)이 부분적으로 패킹(packing)될 수 있게 된다. 그 결과, 유기층(131)을 이루는 유기물(131a)과 무기층(135)을 이루는 무기물(135a)의 혼합 영역(133)이 형성될 수 있다. 상기 혼합 영역(133)이 형성된 다음에도 계속 무기물(135a)을 증착하면, 상기 혼합 영역(133) 상부에 무기층(135)이 형성되게 된다. 이 때, 상기 무기층(135) 또한 이온 빔 보조 증착법을 통하여 형성된 것인 바, 무기물(135a)을 이루는 원자 간 빈 공간(void) 또는 원자 배열이 단절된 상태인 결함(defect)이 실질적으로 존재하지 않으면서 무기물(135a)가 촘촘히 팩킹될 수 있다. 따라서, 우수한 방투습 효과 및 방투산소 효과를 얻을 수 있다.
상기 이온 빔 보조 증착법의 이온 빔 소스(95)로부터 방출되는 이온(93)은 유기층(131)을 이루는 유기물(131a)과 증발원(97)으로부터 방출되는 무기층(135)을 이루는 무기물(135a)와 반응성이 없는 것이 바람직하다. 이의 예에는 불활성 원자의 이온 등이 있다. 보다 구체적으로, Ar+, Kr+ 또는 Xe+ 이온 등을 이용할 수 있다.
상기 이온 빔 보조 증착법의 이온 빔 소스(95)의 에너지는 50 eV 내지 200eV, 바람직하게는 80eV 내지 150eV일 수 있다. 이온 빔 소스(95)의 에너지가 50eV 이상일 경우에는, 이온 빔 소스(95)로부터 방출되는 이온(93)이 무기물(135a)의 표면 이동도를 효과적으로 증가시킬 수 있고, 이온 빔 소스(95)의 에너지가 200eV 미만인 경우, 유기층(131) 에칭없이 효과적으로 혼합 영역(133) 및 무기층(135)을 형성할 수 있게 된다.
상기 이온 빔 보조 증착법 중, 증발원(97)로부터 방출되는 무기물(135a)의 입자 개수와 이온 빔 소스(97)로부터 방출되는 이온(93) 개수의 비는 1:1 내지 0.9:1, 바람직하게는 0.9:1일 수 있다. 이온 빔 소스(95)로부터 방출되는 이온(93)의 개수가 증발원(97)으로부터 방출되는 원자(135a) 개수를 기준으로 상기 범위를 만족시키는 경우, 유기층(131)의 에칭없이 효과적으로 혼합 영역(133) 및 무기층(135)을 형성할 수 있다.
상기 비율은 통상적으로 이온 빔 소스(95)의 전자 유량 또는 이온 발생 가스 의 유입량을 조절함으로써 제어될 수 있다. 예를 들면, SiO2 입자를 방출하는 증발원 및 아르곤 이온을 방출하는 이온 빔 소스를 이용하여 SiO2를 증착시킬 경우, 이온 빔 소스의 이온 유량을 50mA로 조절하고, 아르곤 가스의 유입량을 5sccm으로 조절하면 SiO2 입자 대 아르곤 이온 개수의 비를 1:1로 조절할 수 있다.
상기 이온 빔 보조 증착법을 이용한 보호층 형성 단계에 있어서, 증발원(97)으로서 열증발원(Thermal evaporation source) 또는 전자빔 증발원(Electron evaporation source)를 모두 사용할 수 있다. 또한, 이온 빔 소스(95)로는 카우프만형 이온 건(Kaufmann type ion gun), 엔드홀형 이온 건(Endhall type ion gun) 또는 rf형 이온 건(rf type ion gun) 등을 사용할 수 있다. 이는 본 발명의 목적에 따라 당업자가 용이하게 선택할 수 있는 것이다.
본 발명을 따르는 유기 발광 장치의 다른 구현예에 따르면, 제1전극, 제2전극 및 상기 제1전극과 제2전극 사이에 구비된 발광층을 포함한 유기 발광 소자를 구비한 기판을 준비하는 단계; 및 상기 유기 발광 소자를 덮는 봉지층을 형성하는 단계;를 포함하되, 상기 봉지층 형성 단계는, 상기 유기 발광 소자를 덮는 제1유기층을 형성하는 제1단계; 상기 제1유기층 상부에 이온 빔 보조 증착법을 이용하여 제1무기물을 증착함으로써, 상기 제1무기물로 이루어진 제1무기층 및 상기 제1유기층을 이루는 제1유기물과 상기 제1무기층을 이루는 제1무기물의 제1혼합(intermixing) 영역을 동시에 형성하는 제2단계; 상기 제1무기층 상부에 제2유기층을 형성하는 제3단계; 및 상기 제2유기층 상부에 이온 빔 보조 증착법을 이용하 여 제2무기물을 증착함으로써, 상기 제2무기물로 이루어진 제2무기층 및 상기 제2유기층을 이루는 제2유기물과 상기 제2무기층을 이루는 제2무기물의 제2혼합(intermixing) 영역을 동시에 형성하는 제4단계;를 포함할 수 있다. 이로써, 도 2에 도시된 바와 같은 유기 발광 장치를 제작할 수 있다. 이 중, 제1유기물, 제2유기물, 제1무기물, 제2무기물 및 이온 빔 보조 증착법에 대한 상세한 설명은 전술한 바를 참조한다.
한편, 상기 봉지층 형성 단계는 전술한 바와 같은 제1단계, 제2단계, 제3단계 및 제4단계 외에, 상기 제2무기층 상부에 제3유기층을 형성하는 제5단계 및 상기 제3유기층 상부에 이온 빔 보조 증착법을 이용하여 제3무기물을 증착함으로써, 상기 제3무기물로 이루어진 제3무기층 및 상기 제3유기층을 이루는 제3유기물과 상기 제3무기층을 이루는 제3무기물의 제3혼합(intermixing) 영역을 동시에 형성하는 제6단계를 더 포함할 수 있다. 이로써, 도 3에 도시된 바와 같은 유기 발광 장치를 제작할 수 있다. 이 중, 제3유기물 및 제3무기물 및 이온 빔 보조 증착법에 대한 상세한 설명은 전술한 바를 참조한다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
[실시예]
실시예
1
유기 발광 소자가 구비된 유리 기판을 준비한 다음, 상기 유기 발광 소자를 덮도록 vitex사의 아크릴계 모노머를 코팅한 다음, UV 경화를 하여, 아크릴계 수지로 이루어진 1.5㎛의 유기층을 형성하였다.
상기 유기층 상부에 이온 빔 증착법을 이용하여 SiO2를 증착함으로써, SiO2층 및 SiO2와 상기 유기층의 아크릴계 수지가 혼합된 영역을 동시에 형성하였다. 먼저, SiO2 증착원, 이온 빔 소스, 열증발원, 기판 홀더 및 상기 기판 홀더를 회전시키는 역할을 하는 회전 쉐프트를 구비한 컨테이너를 준비하였다. 상기 이온 빔 소스로는 엔드홀형 이온 건(EndHall type ion gun, Infovion 사 제품)을, 상기 열증발 소스로는 헬리시스(Helisys, ANS 사 제품)를 사용하였다. 상기 SiO2 증착원에 대향되도록 배치된 기판 홀더에 전술한 바와 같이 유기 발광 소자 및 유기층이 구비된 기판을 탑재한 후, 하기 표 1에 나타낸 바와 같은 조건 하에서 상기 컨테이너를 작동시켜 SiO2층 및 SiO2와 상기 유기층의 아크릴계 수지가 혼합된 영역(상기 아크릴 수지층 및 SiO2층 사이에 형성됨)을 동시에 형성하였다:
| 기본 압력 | 1.0 x 10-7 Torr |
| 가스 유량 | 산소 유량 - 2sccm 아르곤 유량 - 5sccm |
| 열증발원 | 텅스텐 보트, BN 보트 |
| 열증발원 작동 조건 | 200A |
| 이온 빔 소스 | 엔드홀형 이온 건 |
| 이온 빔 소스 작동 조건 | 방전 전류(Discharge current)-500mA 방전 전압(Discharge voltage)-300V 빔 전압(Beam Voltage)-150eV 빔 전류(Beam Current)-50mA |
| 증착 각도 | 90° |
| 기판 RPM | 4.5 |
| 기판 온도 | 80℃ |
| 증착 속도 | 5Å/sec |
이로써, 아크릴계 수지로 이루어진 유기층, SiO2로 이루어진 무기층 및 상기 유기층과 상기 무기층 사이에 아크릴계 수지 및 SiO2가 혼합된 영역을 구비하며, 상기 유기 발광 소자를 덮는 봉지층을 구비한 유기 발광 장치를 완성하였다. 상기 봉지층의 두께는 약 1.6㎛였다.
본 발명을 따르는 봉지층은 유기층 및 무기층을 포함하며, 상기 유기층과 상기 무기층의 계면에 상기 유기층을 이루는 유기물과 상기 무기층을 이루는 무기물의 혼합 (intermixing) 영역이 존재하는 바, 초박막으로 형성가능하며, 방투산소 및 방투수분 특성이 우수하다. 이러한 봉지층을 구비한 본 발명을 따르는 유기 발광 장치는 장수명을 가질 수 있다. 한편, 상기 유기 발광 장치의 제조 방법을 이용하면 그 제조 공정이 간단하여 제조 단가를 절감할 수 있다.
본 발명에 대하여 구현예 및 실시예를 참고하여 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명에 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 구현예 및 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
Claims (24)
- 기판;상기 기판 상에 구비되며, 제1전극, 제2전극 및 상기 제1전극과 제2전극 사이에 구비된 발광층을 포함한 유기 발광 소자; 및상기 유기 발광 소자를 덮는 봉지층;을 구비한 유기 발광 장치로서,상기 봉지층은, 유기층 및 무기층을 포함하며, 상기 유기층과 상기 무기층의 계면에 상기 유기층을 이루는 유기물과 상기 무기층을 이루는 무기물의 혼합 (intermixing) 영역이 존재하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.
- 제1항에 있어서,상기 유기 발광 소자와 상기 봉지층 사이에 보호층이 더 구비된 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.
- 제1항에 있어서,상기 유기물이 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.
- 제1항에 있어서,상기 무기물이 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물 (SiON)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.
- 제1항에 있어서,상기 무기층 및 상기 혼합 영역은, 상기 유기층 상부에 이온 빔 보조 증착법(Ion Beam Assisted Deposition:IBAD)을 이용하여 상기 무기물을 증착함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.
- 제1항에 있어서,상기 봉지층의 두께가 0.05㎛ 내지 5㎛인 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.
- 제1항에 있어서,상기 혼합 영역의 두께가 150Å 이하인 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.
- 기판;상기 기판 상에 구비되며, 제1전극, 제2전극 및 상기 제1전극과 제2전극 사이에 구비된 발광층을 포함한 유기 발광 소자; 및상기 유기 발광 소자를 덮는 봉지층;을 구비한 유기 발광 장치로서,상기 봉지층은, 제1유기층, 제1무기층, 제2유기층 및 제2무기층을 포함하고, 상기 제1유기층과 상기 제1무기층의 계면에 상기 제1유기층을 이루는 제1유기물과 상기 제1무기층을 이루는 제1무기물의 제1혼합 영역이 존재하고, 상기 제2유기층과 상기 제2무기층의 계면에 상기 제2유기층을 이루는 제2유기물과 상기 제2무기층을 이루는 제2무기물의 제2혼합 영역이 존재하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.
- 제8항에 있어서,상기 유기 발광 소자와 상기 봉지층 사이에 보호층이 더 구비된 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.
- 제8항에 있어서,상기 제1유기물 및 상기 제2유기물이 서로 독립적으로, 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.
- 제8항에 있어서,상기 제1무기물 및 상기 제2무기물이 서로 독립적으로, 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실 리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물 (SiON)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.
- 제8항에 있어서,상기 제1무기층 및 상기 제1혼합 영역은, 상기 제1유기층 상부에 이온 빔 보조 증착법을 이용하여 상기 제1무기물을 증착함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.
- 제8항에 있어서,상기 제2무기층 및 상기 제2혼합 영역은, 상기 제2유기층 상부에 이온 빔 보조 증착법(Ion Beam Assisted Deposition:IBAD)을 이용하여 상기 제2무기물을 증착함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.
- 제8항에 있어서,상기 봉지층의 두께가 0.1㎛ 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.
- 제8항에 있어서,상기 제1혼합 영역 및 제2혼합 영역의 두께가 각각 150Å 이하인 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.
- 제8항에 있어서,상기 봉지층이 제3유기층 및 제3무기층을 더 포함하며, 상기 제3유기층과 상기 제3무기층의 계면에는 제3유기층을 이루는 제3유기물과 상기 제3무기층을 이루는 제3무기물의 제3혼합 영역이 존재하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치.
- 제1전극, 제2전극 및 상기 제1전극과 제2전극 사이에 구비된 발광층을 포함한 유기 발광 소자를 구비한 기판을 준비하는 단계; 및상기 유기 발광 소자를 덮는 봉지층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 봉지층 형성 단계는,상기 유기 발광 소자를 덮는 유기층을 형성하는 제1단계; 및상기 유기층 상부에 이온 빔 보조 증착법을 이용하여 무기물을 증착함으로써, 상기 무기물로 이루어진 무기층 및 상기 유기층을 이루는 유기물과 상기 무기층을 이루는 무기물의 혼합(intermixing) 영역을 동시에 형성하는 제2단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
- 제17항에 있어서,상기 제2단계의 이온 빔 보조 증착법에서 사용된 이온 빔 소스(ion beam source)로부터 방출되는 이온이 불활성 원자의 이온인 것을 특징으로 하는 유기 발 광 장치의 제조 방법.
- 제17항에 있어서,상기 제2단계의 이온 빔 보조 증착법에서 사용된 이온 빔 소스의 에너지가 50eV 내지 200eV인 것을 특징으로 유기 발광 장치의 제조 방법.
- 제1전극, 제2전극 및 상기 제1전극과 제2전극 사이에 구비된 발광층을 포함한 유기 발광 소자를 구비한 기판을 준비하는 단계; 및상기 유기 발광 소자를 덮는 봉지층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 봉지층 형성 단계는,상기 유기 발광 소자를 덮는 제1유기층을 형성하는 제1단계;상기 제1유기층 상부에 이온 빔 보조 증착법을 이용하여 제1무기물을 증착함으로써, 상기 제1무기물로 이루어진 제1무기층 및 상기 제1유기층을 이루는 제1유기물과 상기 제1무기층을 이루는 제1무기물의 제1혼합(intermixing) 영역을 동시에 형성하는 제2단계;상기 제1무기층 상부에 제2유기층을 형성하는 제3단계; 및상기 제2유기층 상부에 이온 빔 보조 증착법을 이용하여 제2무기물을 증착함으로써, 상기 제2무기물로 이루어진 제2무기층 및 상기 제2유기층을 이루는 제2유기물과 상기 제2무기층을 이루는 제2무기물의 제2혼합(intermixing) 영역을 동시에 형성하는 제4단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
- 제20항에 있어서,상기 봉지층 형성 단계가, 상기 제2무기층 상부에 제3유기층을 형성하는 제5단계 및 상기 제3유기층 상부에 이온 빔 보조 증착법을 이용하여 제3무기물을 증착함으로써, 상기 제3무기물로 이루어진 제3무기층 및 상기 제3유기층을 이루는 제3유기물과 상기 제3무기층을 이루는 제3무기물의 제3혼합(intermixing) 영역을 동시에 형성하는 제6단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
- 제20항에 있어서,상기 제2단계 및 제4단계의 이온 빔 보조 증착법에서 사용된 이온 빔 소스(ion beam source)로부터 방출되는 이온이 불활성 원자의 이온인 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
- 제20항에 있어서,상기 제2단계 및 제4단계의 이온 빔 보조 증착법에서 사용된 이온 빔 소스의 에너지가 50eV 내지 200eV인 것을 특징으로 유기 발광 장치의 제조 방법.
- 제21항에 있어서,상기 제6단계의 이온 빔 보조 증착법에서 사용된 이온 빔 소스(ion beam source)로부터 방출되는 이온이 불활성 원자의 이온이고, 상기 제6단계의 이온 빔 보조 증착법에서 사용된 이온 빔 소스의 에너지가 50eV 내지 200eV인 것을 특징으로 유기 발광 장치의 제조 방법.
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