KR101347541B1 - 유기 발광 장치의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
외부 환경에 대한 밀봉성이 우수하며 플렉시블 특성을 제공할 수 있는 박막 밀봉층을 구비한 유기 발광 장치의 제조 방법이 개시된다.
Description
유기 발광 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 장치(organic light emitting device)는 자발광형 장치로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 응답시간이 빠르며, 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점을 가지고 있다.
상기 유기 발광 장치는 제1전극, 유기층 및 제2전극을 포함한 유기 발광부를 포함할 수 있다. 상기 유기 발광부는 외부 환경, 예를 들면, 산소, 수분 등에 매우 취약하므로, 상기 유기 발광부를 외부 환경으로부터 밀봉시키는 밀봉 구조가 필요하다.
한편, 박형 유기 발광 장치 및/또는 플렉시블 유기 발광 장치의 개발 역시 여전히 요구되어 있다.
외부 환경에 대한 우수한 밀봉 특성 및 플렉시블 특성을 장시간 유지할 수 있는 박막 밀봉층을 포함한 유기 발광 장치의 제조 방법을 제공한다.
일 측면에 따르면, 기판 상에 유기 발광부를 형성하는 단계; 및
환경성 요소 표면의 일부 이상과 접촉하고 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물을 포함한 적어도 하나의 무기막을 포함한 박막 봉지층을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 박막 봉지층에 포함된 무기막을 형성하는 단계는,
상기 환경성 요소가 존재하는 유기 발광부 상에 상기 LVT 무기물을 제공하여, 상기 LVT 무기물을 포함한 예비-무기막(pre-inorganic layer)을 형성하는 단계;
상기 예비-무기막을 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도 이상의 온도에서 제1힐링하는(healing) 단계; 및
상기 환경성 요소와 상기 LVT 무기물 간의 결합력 및 상기 LVT 무기물들 간의 결합력이 향상되도록, 상기 제1힐링된 예비-무기막을 제2힐링하는 단계;
를 포함하는, 유기 발광 장치의 제조 방법이 제공된다.
상기 LVT 무기물은 주석 산화물을 포함할 수 있다.
상기 LVT 무기물은 인 산화물, 보론 포스페이트, 주석 불화물, 니오브 산화물 및 텅스텐 산화물 중 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
상기 제1힐링 단계는, 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도 이상 내지 상기 유기 발광부에 포함된 물질의 변성 온도 미만의 범위에서 상기 예비-무기막을 열처리함으로써 수행할 수 있다.
상기 제1힐링 단계는, 진공 분위기 또는 불활성 가스 분위기 하에서 수행할 수 있다.
상기 제2힐링 단계는, 화학적 처리법, 플라즈마 처리법, 산소-함유 고온 챔버 처리법, 산소 및 수분-함유 고온 챔버 처리법 또는 표면 도핑법을 이용하여 수행할 수 있다.
상기 박막 봉지층은, 고분자를 포함한 적어도 하나의 유기막을 더 포함할 수 있다.
상기 환경성 요소는 상기 박막 봉지층 내에 매립되어 있을 수 있다.
상기 유기 발광 장치의 제조 방법에 따르면, 외부 환경에 대한 우수한 밀봉 특성 및 플렉시블 특성을 장시간 유지할 수 있는 박막 밀봉층을 제공할 수 있는 바, 장수명 플렉시블 유기 발광 장치를 구현할 수 있다.
도 1a 내지 1d는 상기 유기 발광 장치의 제조 방법의 일구현예를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2a 내지 2d는 상기 유기 발광 장치의 제조 방법의 다른 구현예를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3 내지 5는 상기 유기 발광 장치의 제조 방법의 또 다른 구현예에 의하여 제조된 유기 발광 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2a 내지 2d는 상기 유기 발광 장치의 제조 방법의 다른 구현예를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3 내지 5는 상기 유기 발광 장치의 제조 방법의 또 다른 구현예에 의하여 제조된 유기 발광 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 상기 유기 발광 장치의 제조 방법의 구현예를 설명한다.
먼저, 도 1a에서와 같이 기판(11) 상에 유기 발광부(13)를 형성한다. 상기 유기 발광부(13)는 제1전극(13a), 유기층(13b) 및 제2전극(13c)이 차례로 적층된 구조를 가질 수 있다.
상기 기판(11)으로는, 통상적인 유기 발광 장치에서 사용되는 기판을 사용할 수 있는데, 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 상기 기판(11)은 밴딩(bending) 가능한 플렉시블(flexible) 기판일 수 있는데, 예를 들면, 반경이 10cm 이하인 기판일 수 있다.
상기 제1전극(13a)은 기판(11) 상부에 제1전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등을 이용하여 제공함으로써 형성될 수 있다. 상기 제1전극(13a)이 애노드일 경우, 정공 주입이 용이하도록 제1전극용 물질은 높은 일함수를 갖는 물질 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1전극(13a)은 반사형 전극, 반투과형 전극 또는 투과형 전극일 수 있다. 제1전극용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등을 이용할 수 있다. 또는, 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등을 이용하면, 상기 제1전극(13a)을 반사형 전극으로 형성할 수도 있다.
상기 제1전극(13a)은 단일층 또는 2 이상의 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1전극(13a)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1전극(13a) 상부로는 유기층(13b)이 구비되어 있다.
상기 유기층(13b)은 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 주입 기능과 정공 수송 기능을 동시에 갖는 기능층, 버퍼층, 전자 저지층, 발광층, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 1층 이상을 포함할 수 있다.
상기 유기층(13b)에는 예를 들면, 하기와 같은 화합물 301, 311 및 321 중 하나 이상이 포함되어 있을 수 있다.
321
이와 같은 유기층(13b) 상부로는 제2전극(13c)이 구비되어 있다. 상기 제2전극(13c)은 전자 주입 전극인 캐소드(Cathode)일 수 있는데, 이 때, 상기 제2전극 형성용 금속으로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적인 예로서는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등을 박막으로 형성하여 반사형, 반투과형 전극 또는 투과형 전극을 얻을 수 있다. 한편, 전면 발광 장치를 얻기 위하여 ITO, IZO를 이용한 투과형 전극을 형성할 수 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.
도 1a에는 미도시하였으나, 상기 유기 발광부(13)는 각 화소 당 하나의 화소 회로를 포함하고, 상기 화소 회로는 적어도 하나의 박막 트랜지스터(미도시) 및 커패시터(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 제1전극(13a)은 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1전극(13a)은 화소별로 패터닝되어 있을 수 있고, 상기 제2전극(13c)은 모든 화소를 덮도록 공통 전극으로 형성될 수 있다.
기판(11)의 방향으로 화상이 구현되는 배면 발광형 구조의 경우 상기 제2전극(13c)의 두께를 상대적으로 두껍게 형성하여 기판(11) 방향으로의 발광 효율을 높일 수 있다.
유기막(13b)의 방향으로 화상이 구현되는 전면 발광형 구조의 경우, 상기 제2전극(13c)의 두께를 얇게 형성하여 제2전극(13c)이 반투과 반사막이 되도록 하거나, 제2전극(13c)을 전술한 물질 이외에도 투명한 도전체로 형성할 수 있다. 물론 이 경우에는 제1전극(13a)이 반사막을 더 포함할 수 있다.
도 1a에는 미도시하였으나, 상기 제2전극(13c) 상부에는 보호층이 구비될 수 있다. 상기 보호층은 유기 발광부(13) 상에 박막 봉지층(20)을 형성할 때, 제2전극(13c)가 손상되는 것을 방지하기 위한 것으로서, 예를 들면, LiF, 리튬 퀴놀레이트, Alq3 등의 물질을 이용할 수 있다.
상기 유기 발광부(13) 형성 후, 유기 발광부(13) 상에는 환경성 요소(15)가 필연적으로 존재하게 된다. 상기 환경성 요소(15)는 유기 발광부(13) 형성시 존재 및 생성되는 필수불가결한 불순물 입자로서, 예를 들면, 외부 환경으로부터 유입된 미세 입자(예를 들면, 외부 환경에 존재하는 먼지, 티끌 등), 유기 발광부(13) 형성시 사용된 물질로서 유기 발광부(13) 상에 잔류하는 미세 입자(예를 들면, 제2전극(13c) 성막 후 잔류하는 제2전극(13c) 형성용 물질로 이루어진 미세 입자 등) 등일 수 있으며, 상기 환경성 요소(15)의 성분은 각종 유기물, 무기물, 유무기/복합체일 수 있는 등, 매우 다양하다. 상기 환경성 요소(15)는 유기 발광부(13) 형성 후 공지의 방법, 예를 들면 세정과 같은 습식 공정에 의하여 제거하는 것이 실질적으로 불가하다.
예를 들어, 상기 환경성 요소(15)는 5㎛ 이하의 평균 입경을 갖는 입자, 예를 들면, 1㎛ 내지 5㎛ 이하의 평균 입경을 갖는 입자일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 1a 중 환경성 요소(15)는 편의상 1개의 구형 입자로서 도시되어 있다.
이이서, 상기 환경성 요소(15)가 존재하는 유기 발광부(13) 상에 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물(이하, "LVT 무기물"이라 함)을 제공하여, 도 1b에 도시된 바와 같은 LVT 무기물을 포함한 예비-무기막(pre-inorganic layer)(23)을 형성한다.
상기 LVT 무기물은 점도변화 온도가 낮은 무기물이다.
본 명세서 중, "점도변화 온도"는, 상기 LVT 무기물의 점도(Viscosity)가 "고체"에서 "액체"로 완전히 변하는 온도를 의미하는 것은 아니라, 상기 LVT 무기물에 유동성(fluidity)을 제공할 수 있는 최소 온도를 의미한다.
LVT 무기물의 점도변화 온도는, 상기 유기 발광부(13)에 포함된 물질의 변성 온도보다 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도는, 상기 유기 발광부(13)에 포함된 물질의 변성 온도들 중 최소값보다 작을 수 있다.
상기 "유기 발광부에 포함된 물질의 변성 온도"란 상기 유기 발광부에 포함된 물질의 화학적 및/또는 물리적 변성을 초래할 수 있는 온도를 의미하는 것으로서, 유기 발광부에 포함된 물질의 종류 및 갯수에 따라, 복수개 존재할 수 있다.
예를 들어, 상기 "LVT 무기물의 점도변화 온도" 및 "유기 발광부에 포함된 물질의 변성 온도"는 LVT 무기물 및 유기 발광부(13)의 유기층(13b)에 포함된 유기물의 유리 전이 온도(Tg)를 의미할 수 있다. 상기 유리 전이 온도는, LVT 무기물 및 유기 발광부(13)의 유기층(13b)에 포함된 유기물에 대하여 열중량분석법(Thermo Gravimetric Analysis : TGA)를 수행함으로써, 측정될 수 있다.
상기 유리 전이 온도는, 예를 들면, LVT 무기물 및 유기 발광부(13)에 포함된 물질에 대하여 TGA(Thermo Gravimetric Analysis) 및 DSC(Differential Scanning Calorimetry)를 이용한 열분석(N2 분위기, 온도구간 : 상온~ 600℃ (10℃/min)-TGA ,상온에서 400℃까지-DSC, Pan Type : Pt Pan in 일회용 Al Pan(TGA) , 일회용 Al pan(DSC))을 수행한 결과로부터 도출될 수 있으며, 이는 당업자가 용이하게 인식할 수 있는 것이다.
상기 유기 발광부(13)에 포함된 물질의 변성 온도는 예를 들면, 130℃를 초과할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 유기 발광부(13)에 포함된 물질에 대하여 상술한 바와 같은 TGA 분석을 통하여 용이하게 측정할 수 있는 것이다.
상기 유기 발광부(13)에 포함된 물질의 변성 온도들 중 최소값은 예를 들면, 130℃ 내지 140℃일 수 있다. 예를 들면, 상기 유기 발광부(13)에 포함된 물질의 변성 온도들 중 최소값은 132℃일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 유기 발광부(13)에 포함된 물질의 변성 온도들 중 최소값은, 유기 발광부(13)에 포함된 물질에 대하여 상술한 바와 같은 TGA 분석을 통하여 Tg를 구한 다음, 다양한 Tg 중 최소값을 선택함으로써, 결정될 수 있다.
예를 들어, 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도는, 80℃ 이상, 예를 들면, 80℃ 이상 및 132℃ 미만의 범위일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도는 예를 들면, 80℃ 내지 120℃ 또는 100℃ 내지 120℃일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도는 110℃일 수 있다.
상기 LVT 무기물은 1종의 화합물로 이루어지거나, 2종 이상의 화합물로 이루어진 혼합물일 수 있다.
상기 LVT 무기물은 주석 산화물(예를 들면, SnO 또는 SnO2)을 포함할 수 있다.
상기 LVT 무기물이 SnO를 포함할 경우, 상기 SnO의 함량은 20중량% 내지 100중량%일 수 있다.
예를 들어, 상기 LVT 무기물은, 인 산화물(예를 들면, P2O5), 보론 포스페이트(BPO4), 주석 불화물(예를 들면, SnF2), 니오브 산화물(예를 들면, NbO) 및 텅스텐 산화물(예를 들면, WO3) 중 1종 이상을 더 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 LVT 무기물은,
- SnO;
- SnO 및 P2O5;
- SnO 및 BPO4;
- SnO, SnF2 및 P2O5;
- SnO, SnF2, P2O5 및 NbO; 또는
- SnO, SnF2, P2O5 및 WO3;
를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 LVT 무기물은 하기 조성을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
1)SnO(100wt%);
2)SnO(80wt%) 및 P2O5(20wt%);
3)SnO(90wt%) 및 BPO4(10wt%);
4) SnO(20-50wt%), SnF2(30-60wt%) 및 P2O5(10-30wt%) (여기서, SnO, SnF2 및 P2O5의 중량 합은 100wt%임);
5) SnO(20-50wt%), SnF2(30-60wt%), P2O5(10-30wt%) 및 NbO(1-5wt%) (여기서, SnO, SnF2, P2O5 및 NbO의 중량 합은 100wt%임); 또는
6) SnO(20-50wt%), SnF2(30-60wt%), P2O5(10-30wt%) 및 WO3(1-5wt%) (여기서, SnO, SnF2, P2O5 및 WO3의 중량 합은 100wt%임).
예를 들어, 상기 LVT 무기물은, SnO(42.5wt%), SnF2 (40wt%), P2O5(15wt%) 및 WO3(2.5wt%)을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 LVT 무기물을 유기 발광부(13)에 제공하여 예비-무기막(23)을 형성하는 단계는, 스퍼터법, 진공 증착법, 저온 증착법, 전자 빔 코팅법 또는 이온 플레이팅법을 이용하여 수행될 수 있다.
예를 들어, 상기 LVT 무기물 제공 단계는, 플라즈마 강화 화학적 기상 증착법(PCVD) 또는 플라즈마 이온 지원 증착법(PIAD)을 이용하여 수행될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일예에 따르면, 상기 유기 발광부(13) 상에 SnO-SnF2-P2O5-WO3 조성의 LVT무기물을 스퍼터링 방식을 통해 제공할 수 있다. 스퍼터링 방식은 구체적으로 dual rotary target방식을 적용하였고, 기판(11)이 움직이면서 스캔하는 방식을 사용할 수 있다. 이 때, 12kw 및 0.4Pa의 아르곤 플라즈마를 사용할 수 있으며, 복수 회의 스캔 반복으로 원하는 예비-무기막(23)의 두께(예를 들면, 1㎛ 정도)를 얻을 수 있다.
도 1b에 도시되어 있는 바와 같이, 상기 예비-무기막(23)은 성막성 요소(23a), 핀홀(23b) 및 환경성 요소(15)와 유기 발광부(13) 사이의 빈 공간(23d)과 같은 결함(defect)을 포함할 수 있다.
상기 LVT 무기물 성막 요소(23a)는 LVT 무기물 성막시, 성막에 기여하지 못한 LVT 무기물 응집 입자를 의미하고, 상기 핀홀(23b)은 LVT 무기물이 제공되지 못하여 유기 발광부(13)가 노출된 영역이다. 상기 LVT 무기물 성막 요소(23a)의 생성은 상기 핀홀(23b)의 형성에 기여할 수 있다. 상기 환경성 요소(15)와 유기 발광부(13) 사이의 빈 공간(23d)은 상기 LVT 무기물이 제공되지 못하여 형성된 빈 공간이다.
상술한 바와 같은 예비-무기막(23)의 결함은, 유기 발광 장치의 보관 및 구동시, 외부 환경 물질, 예를 들면, 수분, 산소 등의 이동 통로가 될 수 있어, 진행성 암점 형성의 원인이 될 수 있는 바, 유기 발광 장치 수명 저하의 원인이 될 수 있다.
따라서, 도 1b에서와 같이 예비-무기막(23)을 형성한 다음, 상기 예비-무기막(23)의 결함을 제거하는 제1힐링 단계를 수행한다.
상기 제1힐링 단계는 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도 이상의 온도에서 수행된다. 예를 들어, 상기 제1힐링 단계는, 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도 이상 내지 상기 유기 발광부에 포함된 물질의 변성 온도 미만의 범위에서 상기 예비-무기막(23)을 열처리함으로써 수행될 수 있다. 다른 예로서, 상기 제1힐링 단계는, 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도 이상 내지 상기 유기 발광부에 포함된 물질의 변성 온도들 중 최소값 미만의 범위에서 상기 예비-무기막(23)을 열처리함으로써 수행될 수 있다. 또 다른 예로서, 상기 제1힐링 단계는, LVT 무기물의 점도변화 온도에서 수행될 수 있다.
상기 "LVT 무기물의 점도변화 온도"는 상기 LVT 무기물의 조성에 따라 상이하고, "유기 발광부에 포함된 물질의 변성 온도" 및 "유기 발광부에 포함된 물질의 변성 온도의 최소값"은 상기 유기 발광부(13)에 사용된 물질에 따라 상이할 것이나, LVT 무기물의 조성 및 유기 발광부(13)에 사용된 물질의 성분에 따라 당업자가 용이하게 인식(예를 들면, 유기 발광부(13)에 포함된 물질에 대한 TGA 분석 결과로부터 도출되는 Tg 온도 평가 등)할 수 있는 것이다.
예를 들어, 상기 제1힐링 단계는, 80℃ 이상 및 132℃ 미만의 범위(예를 들면, 80℃ 내지 120℃ 또는 100℃ 내지 120℃의 범위)에서 1시간 내지 3시간 동안(예를 들면, 110℃에서 2시간 동안) 상기 예비-무기막을 열처리함으로써 수행될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1힐링 단계의 온도가 상술한 바와 같은 범위를 만족함으로써, 상기 예비-무기막(23)의 LVT 무기물의 유동화가 가능해 지고, 유기 발광부(13)의 변성이 방지될 수 있다.
상기 제1힐링 단계는, 예비-무기막(23)의 핀홀(23b)를 통한 유기 발광부(13)의 외부 환경 노출을 방지하기 위하여, 진공 분위기 또는 불활성 가스 분위기(예를 들면, N2 분위기, Ar 분위기 등) 하의 IR 오븐에서 수행될 수 있다.
상기 제1힐링 단계에 의하여, 상기 예비-무기막(23)에 포함된 LVT 무기물은 유동화(fluidized)될 수 있다. 유동화된 LVT 무기물은 흐름성(flowability)를 가질 수 있다. 따라서, 상기 제1힐링 단계시,
i) 상기 환경성 요소(15)와 상기 유기 발광부(13) 사이의 빈 공간(23d)에 상기 유동화된 LVT 무기물이 흘러 충진될 수 있고,
ii) 상기 예비-무기막 중 핀홀(23b)에 상기 유동화된 LVT 무기물이 흘러 충진될 수 있고,
iii) 상기 성막성 요소(23a)가 유동화되어 핀홀(23b)에 흘러 충진될 수 있다.
그 결과, 도 1c에서와 같이, 예비-무기막(23)의 결함(즉, 성막성 요소(23a) / 핀홀(23b) / 환경성 요소(15)와 유기 발광부(13) 사이의 빈 공간(23d) 등)이 제거된 제1힐링된 예비-무기막(23')이 형성될 수 있다.
상기 제1힐링된 예비-무기막(23')에는 환경성 요소(15)와 LVT 무기물 간의 결합력 또는 LVT 무기물들 간의 결합력이 약한 영역(23e)이 존재할 수 있다. 상기 환경성 요소(15)와 LVT 무기물 간의 결합력 또는 LVT 무기물들 간의 결합력이 약한 영역(23e)은 외부 환경, 예를 들면 수분 및 산소의 이동 통로가 되어 유기 발광 장치의 보관 및 구동 시 진행성 암점 발생의 원인이 될 수 있는 바, 유기 발광 장치 수명 저하의 원인이 될 수 있다.
따라서, 환경성 요소(15)와 LVT 무기물 간의 활발한 치환 반응 및 LVT 무기물 간의 활발한 치환 반응을 가속화시킬 수 있고, 제1힐링된 예비-무기막(23')의 내열성 및 기계적 강도 등을 강화시킴으로써, 상기 환경성 요소(15)와 LVT 무기물 간의 결합력 또는 LVT 무기물들 간의 결합력이 약한 영역(23e)을 제거할 수 있는 제2힐링 단계를 수행한다.
상기 제2힐링 단계는, 화학적 처리법, 플라즈마 처리법, 산소-함유 고온 챔버 처리법, 산소 및 수분-함유 고온 챔버 처리법을 이용하여 수행될 수 있다.
예를 들어, 상기 제2힐링 단계는, 상기 제1힐링된 예비-무기막(23')을 산 용액, 알칼리 용액 및 중성 용액 중 1종 이상과 접촉시키는 화학적 처리법을 이용하여 수행될 수 있다. 여기서, 상기 알칼리 용액은 질산염(예를 들면, 질산 칼륨액)일 수 있다.
다른 예로서, 상기 제2힐링 단계는, 상기 제1힐링된 예비-무기막(23')을 진공 하 O2 플라즈마, N2 플라즈마 및 Ar 플라즈마 중 1종 이상으로 처리하는 플라즈마 처리법을 이용하여 수행될 수 있다.
또 다른 예로서, 상기 제2힐링 단계는, 상기 제1힐링된 예비-무기막(23')을 대기압 하 O2 플라즈마, N2 플라즈마 및 Ar 플라즈마 중 1종 이상으로 처리하는 플라즈마 처리법을 이용하여 수행될 수 있다.
또 다른 예로서, 상기 제2힐링 단계는, 상기 제1힐링된 예비-무기막(23')을 2% 내지 100%의 산소 분압(예를 들면, 대기 분위기 중 산소 분압) 및 25℃ 내지 150℃의 온도를 갖는 챔버 내에 노출시킴으로써 수행될 수 있다.
또 다른 예로서, 상기 제2힐링 단계는, 상기 제1힐링된 예비-무기막(23')을 2% 내지 100%의 산소 분압(예를 들면, 대기 분위기 중 산소 분압), 10% 내지 100%의 상대 습도 및 25℃ 내지 150℃의 온도를 갖는 챔버 내에 노출시킴으로써 수행될 수 있다.
상기 산소 분압은 챔버 내 압력 100% 대비 압력을 나타낸 것이다.
그 결과, 도 1d에서와 같이, 상기 환경성 요소(15)와 LVT 무기물 간의 결합력 또는 LVT 무기물들 간의 결합력이 약한 영역(23e)이 제거된 무기막(23")을 형성할 수 있다. 뿐만 아니라, 상기 제2힐링 단계에 의하여 무기막(23")과 유기 발광부(13)간의 결합력이 향상될 수 있는 바, 고품위의 유기 발광 장치를 구현할 수 있다. 상기 무기막(23") 표면은 평탄하다.
상기 무기막(23")의 두께는 1㎛ 내지 30㎛, 예를 들면, 1㎛ 내지 5㎛일 수 있다. 여기서, 상기 무기막(23")의 두께가 1㎛ 내지 5㎛ 범위를 만족할 경우, 벤딩 특성을 갖는 플렉시블 유기 발광 장치를 구현할 수 있다.
도 1d의 유기 발광 장치는 무기막(23")으로 이루어진 박막 봉지층(20)을 포함한다. 상기 제1힐링 단계 및 제2힐링 단계를 수행함으로써, 환경성 요소(15)와 LVT 무기물 사이의 빈 공간 및 환경성 요소(15)와 유기 발광부(13) 사이에 빈 공간이 제거되고, 환경성 요소(15)와 LVT 무기물 간의 결합력, LVT 무기물 간의 결합력 및 유기 발광부(13)와의 결합력이 강화된 무기막(23")을 형성할 수 있다. 또한, 상기 무기막(23")은 상술한 바와 같은 박막으로 형성가능하므로, 벤딩 특성을 갖는 플렉시블 유기 발광 장치의 구현에 기여할 수 있다. 이로써, 장수명 특성 및 플렉시블 특성을 갖는 유기 발광 장치를 구현할 수 있다.
도 2a 내지 2d는 상기 유기 발광 소자의 제조 방법의 다른 구현예를 순서대로 설명한 도면이다.
먼저, 도 1a에서와 같이 기판(11) 상에 유기 발광부(13)(도 1a에서 설명한 바와 같이, 유기 발광부(13)에는 환경성 요소(15)가 필연적으로 존재함)를 형성한 다음, 고분자를 포함한 유기막(21)을 유기 발광부(13)을 덮도록 형성한다.
상기 유기막(21) 형성 단계는, 상기 유기막(21)에 포함된 경화성(curable) 전구체를 제공하는 단계 및 상기 경화성 전구체를 경화시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 전구체는 상온에서 5-15cp의 점도를 갖고, 300℃ 내지 500℃의 끓는점을 갖는 전구체로서, 열경화성 또는 광경화성 전구체일 수 있다. 예를 들면, 상기 전구체는 아크릴레이트계 전구체(모노아크릴레이트, 디메타크릴레이트, 트리아크릴레이트 등)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 경화성 전구체는 1종의 화합물로 이루어지거나, 2종 이상의 서로 상이한 화합물의 혼합물일 수 있다.
상기 경화성 전구체를 유기 발광부(13)에 제공하는 단계는 플래쉬 증발법(Flash evaporator)을 이용하여 수행할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이어서, 유기 발광부(13)에 제공된 경화성 전구체를 공지의 경화 방법을 이용하여 경화시킨다. 예를 들어, 상기 전구체는 UV(자외선) 경화, 적외선 경화, 레이저 경화 등에 의하여 경화되어 유기막(21)으로 성막될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 유기막(21)의 두께는 1㎛ 내지 5㎛일 수 있다. 상기 유기막(21) 두께가 상술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 상기 유기막(21) 내에 유기 발광부(13) 상의 환경성 요소(15)의 일부 이상이 매립되면서, 벤딩 특성을 갖는 박막 밀봉층(도 2d의 박막 밀봉층(20)) 형성에 기여할 수 있게 된다.
일예에 따르면, 유기 발광부(13) 상에, 경화성 전구체로서, 모노아크릴레이트(mono-acrylate), 디메타크릴레이트(dimethacrylate), 트리아크릴레이트(triacryrate)가 대략 2:7:1의 중량비로 배합된 경화성 전구체 혼합물(상온에서 5~15cp 정도의 점도를 갖고, 끓는점은 300 내지 500℃임)을 플래시 증착(Flash evaporating) 방법(성막 속도: 약 200Å/s / 성막 시간: 3 내지 4분)을 이용하여 제공한다. 이 때, 상기 경화성 전구체 혼합물은 유기 발광부(13)에 제공되자마자 바로 응축되어 액상 헝태로 존재하게 되므로, 상기 환경성 요소(15)와의 사이에 빈 공간이 없이 상기 환경성 요소(15) 표면의 일부 이상은 상기 경화성 전구체에 의하여 둘러싸이게 된다. 이어서, 유기 발광부(13) 상에 제공된 경화성 전구체 혼합물을 바로 UV 경화 장치(자외선 파장: 390nm / 광량: 500mJ)를 이용하여 경화시켜 유기막(21)을 형성할 수 있다.
이어서, 상기 유기막(21) 상부에 상기 LVT 무기물을 제공하여, 도 2b에 도시된 바와 같은 LVT 무기물을 포함한 예비-무기막(23)을 형성한다. 도 2b에 도시되어 있는 바와 같이, 상기 예비-무기막(23)은, 성막성 요소(23a), 핀홀(23b) 및 환경성 요소(15)가 노출된 영역(23c)와 같은 결함(defect)을 포함할 수 있다. 상술한 바와 같은 예비-무기막(23)의 결함은, 유기 발광 장치의 보관 및 구동시, 외부 환경 물질, 예를 들면, 수분, 산소 등의 이동 통로가 될 수 있어, 진행성 암점 형성의 원인이 될 수 있는 바, 유기 발광 장치 수명 저하의 원인이 될 수 있다.
따라서, 도 2b에서와 같이 예비-무기막(23)을 형성한 다음, 상기 예비-무기막(23)의 결함을 제거하는 제1힐링 단계를 수행한다. 상기 제1힐링 단계에 대한 설명은 도 1b에 대한 설명을 참조한다.
상기 제1힐링 단계에 의하여, 상기 예비-무기막(23)에 포함된 LVT 무기물은 유동화(fluidized)될 수 있다. 유동화된 LVT 무기물은 흐름성(flowability)를 가질 수 있다. 따라서, 상기 제1힐링 단계시,
i) 상기 환경성 요소(15)가 노출된 영역(23c)에 상기 유동화된 LVT 무기물이 흘러 충진될 수 있고,
ii) 상기 예비-무기막 중 핀홀(23b)에 상기 유동화된 LVT 무기물이 흘러 충진될 수 있고,
iii) 상기 성막성 요소(23a)가 유동화되어 핀홀(23b)에 흘러 충진될 수 있다.
그 결과, 도 2c에서와 같이, 예비-무기막(23)의 결함(즉, 성막성 요소(23a) / 핀홀(23b) / 환경성 요소(15)가 노출된 영역(23c) 등)이 제거된 제1힐링된 예비-무기막(23')이 형성될 수 있다.
상기 제1힐링된 예비-무기막(23')에는 환경성 요소(15)와 LVT 무기물 간의 결합력 또는 LVT 무기물들 간의 결합력이 약한 영역(23e)이 존재할 수 있다. 상기 환경성 요소(15)와 LVT 무기물 간의 결합력 또는 LVT 무기물들 간의 결합력이 약한 영역(23e)은 외부 환경, 예를 들면 수분 및 산소의 이동 통로가 되어 유기 발광 장치의 보관 및 구동 시 진행성 암점 발생의 원인이 될 수 있는 바, 유기 발광 장치 수명 저하의 원인이 될 수 있다.
따라서, 상기 환경성 요소(15)와 LVT 무기물 간의 결합력 또는 LVT 무기물들 간의 결합력이 약한 영역(23e)을 제거할 수 있는 제2힐링 단계를 수행한다. 상기 제2힐링 단계에 대한 상세한 설명은 상술한 바를 참조한다.
그 결과, 도 2d에서와 같이, 상기 환경성 요소(15)와 LVT 무기물 간의 결합력 또는 LVT 무기물들 간의 결합력이 약한 영역(23e)이 제거되어 내열성, 기계적 강도 등이 향상된 무기막(23")을 형성할 수 있다. 뿐만 아니라, 상기 제2힐링 단계에 의하여 무기막(23")과 유기 발광부(13)간의 결합력이 향상될 수 있는 바, 고품위의 유기 발광 장치를 구현할 수 있다. 상기 무기막(23") 표면은 평탄하다.
도 2d의 박막 봉지층(20)은 1개의 유기막(21)과 1개의 무기막(23")을 포함하되, 유기 발광부(13)로부터 유기막(21) 및 무기막(23")이 차례로 적층되어 있는 구조를 갖는다. 도 2d의 박막 봉지층(20)은 일정 두께의 유기막(21)을 형성한 다음 무기막(23")을 형성하므로, 무기막(23")만을 포함한 도 1d의 박막 봉지층(20)에 비하여, 공정 택 타임(Tact Time)을 현격히 줄일 수 있고 이에 따라 양산성을 향상시킬 수 있다. 또한, 유기막(21)은 무기막(23")에 비하여 우수한 벤딩 특성을 가지므로, 도 2d의 박막 봉지층(20)은 무기막(23")만을 포함한 도 1d의 박막 봉지층(20)에 비하여, 우수한 벤딩 특성을 가지면서도, 무기막(23")에 의한 우수한 밀봉 특성도 동시에 가질 수 있다.
상기 도 2d의 박막 봉지층(20)의 두께는 상기 환경성 요소(15)의 평균 입경보다 클 수 있다. 이로써, 환경성 요소(15)가 박막 봉지층(20) 내부에 매립될 수 있는 바, 환경성 요소(15)의 외부 환경 노출로 인한 진행성 암점의 발생 가능성을 제거할 수 있다.
도 3의 유기 발광 장치는, 1개의 유기막(21)과 1개의 무기막(23")을 포함하되, 유기 발광부(13)로부터 무기막(23") 및 유기막(21)이 차례로 적층된 박막 밀봉층(20)을 구비하였다는 점을 제외하고는, 도 2d의 유기 발광 장치와 동일한 구조를 갖는다. 도 3의 유기 발광 장치는, 유기 발광부(13) 상에 무기막(23")을 먼저 형성한 후, 유기막(21)을 형성하였다는 점을 제외하고는, 도 2d의 유기 발광 장치 제조 방법과 동일한 방법을 이용하여 제조한다.
도 3의 박막 밀봉층(20) 중 무기막(23") 외측에 형성된 유기막(21)은 외부 충격으로부터 무기막(23")을 보호하고, 무기막(23")의 벤딩 특성을 보완해 주는 역할을 하며, 상기 무기막(23")은 상술한 바와 같이 우수한 밀봉 특성을 장기간 제공할 수 있다. 또한, 유기막(21)을 형성함으로써, 무기막(23") 표면으로 일부 이상 노출된 환경성 요소(15)가 박막 밀봉층(20) 내에 완전히 매립될 수 있다. 이로써, 환경성 요소(15)의 외부 환경 노출로 인한 진행성 암점의 발생 가능성을 제거할 수 있다. 도 3의 박막 밀봉층(20)의 두께는 환경성 요소(15)의 평균 입경보다 클 수 있다.
한편, 상기 유기 발광 장치는 복수의 무기막 및/또는 복수의 유기막을 포함한 박막 밀봉층을 포함할 수 있다. 상기 박막 밀봉층이 복수의 무기막 및/또는 복수의 유기막을 포함할 경우, 복수의 무기막 및/또는 복수의 유기막은 서로 교번(alternative)되어 적층될 수 있다.
예를 들어, 도 4의 유기 발광 장치는, 제1유기막(21) 및 제2유기막(25)을 포함한 2개의 유기막과 1개의 무기막(23")을 포함하되, 유기 발광부(13)로부터 제1유기막(21), 무기막(23") 및 제2유기막(25)이 차례로 적층되어 있는 박막 밀봉층(20)을 구비하였다는 점을 제외하고는, 도 2d의 유기 발광 장치와 동일한 구조를 갖는다.
상기 제1유기막(21)과 상기 제2유기막(25)에 대한 설명 및 이의 형성 방법은 도 2a에 대한 설명을 참조할 수 있다. 또는, 상기 제2유기막(25)은 스크린 프린팅법, 잉크젯 프린팅법, 스핀 코팅법 등과 같은 종래의 코팅법을 이용하여 형성될 수 있는 등, 다양한 변형이 가능하다. 상기 제1유기막(21)과 상기 제2유기막(25)에 포함된 유기물은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 한편, 무기막(23")에 대한 설명 및 이의 형성 방법은 도 1b, 1c 및 1d에 대한 설명을 참조한다.
도 4의 박막 밀봉층(20) 중 제1유기막(21) 및 제2유기막(25)은 무기막(23")의 부족한 벤딩 특성을 보완해 주는 역할을 하고, 무기막(23") 외측에 형성된 제2유기막(25)은 외부 충격으로부터 무기막(23")을 보호하는 역할을 추가로 할 수 있다.
도 4의 박막 밀봉층(20)의 두께는 환경성 요소(15)의 평균 입경보다 클 수 있다.
또 다른 예로서, 도 5의 유기 발광 장치는, 1개의 유기막(21)과 제1무기막(23") 및 제2무기막(27")을 포함한 2개의 무기막을 포함하되, 유기 발광부(13)로부터 제1무기막(23"), 유기막(21) 및 제2무기막(27")이 차례로 적층되어 있는 박막 밀봉층(20)을 구비하였다는 점을 제외하고는, 도 2d의 유기 발광 장치와 동일한 구조를 갖는다. 도 5의 유기 발광 장치 중 제1무기막(23") 및 제2무기막(27")에 대한 설명 및 이의 형성 단계는 도 1b, 1c 및 1d에 대한 설명을 참조할 수 있다. 또는, 제2무기막(27")은, 실리콘계 산화물 및/또는 실리콘계 질화물 및/또는 알루미늄계 산화물 및/또는 알루미늄계 질화물과 같이, 제1무기막(23")과는 다른 성분의 무기물로 형성할 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다. 상기 유기막(21)에 대한 설명 및 이의 제조 방법은 도 2a에 대한 설명을 참조한다.
복수의 무기막 및/또는 복수의 유기막을 포함한 박막 봉지층을 구비한 유기 발광 장치에 대하여, 도 4 및 5를 참조하여 설명하였으나, 도 4 및 5를 참조하여, 제1무기막, 제1유기막, 제2무기막 및 제2유기막이 순서대로 적층된 박막 봉지층 등과 같은 다양한 변형예가 가능하다.
상기 도 1a 내지 5의 유기 발광 장치 중 상기 박막 봉지층(20)은 유기 발광부(13)를 덮도록 형성되어 있으나, 박막 봉지층(20)의 위치는 이에 한정되지 않는다.
예를 들어, 도 1d, 2d, 3, 4 및 5의 박막 봉지층(20)은 기판(11)의 하부에 형성될 수도 있는데, 기판(11)이 TFT 기판인 경우, 상기 박막 봉지층(20)에 의하여 TFT가 외부 환경으로부터 밀봉될 수 있어, 장수명 및 플렉시블 특성을 갖는 유기 발광 장치를 구현할 수 있다.
또 다른 예로서, 도 1d, 2d, 3, 4 및 5의 박막 봉지층(20)은 유기 발광부(13)와 기판(11) 사이에 형성될 수도 있다. 이로써, 박막 봉지층(20) 상부에 박막 트랜지스터 및/또는 커패시터를 포함하는 화소 회로부를 구성할 수 있다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
1: 기판 13: 유기 발광부
13a: 제1전극 13b: 유기층
13c: 제2전극 15: 환경성 요소
20: 박막 봉지층 21: 유기막
23: 예비-무기막
23a: 성막성 요소
23b: 핀홀
23c: 환경성 요소(15)가 노출된 영역
23d: 환경성 요소(15)와 유기 발광부(13) 사이의 빈 공간
23': 제1힐링된 예비-무기막 23": 무기막
13a: 제1전극 13b: 유기층
13c: 제2전극 15: 환경성 요소
20: 박막 봉지층 21: 유기막
23: 예비-무기막
23a: 성막성 요소
23b: 핀홀
23c: 환경성 요소(15)가 노출된 영역
23d: 환경성 요소(15)와 유기 발광부(13) 사이의 빈 공간
23': 제1힐링된 예비-무기막 23": 무기막
Claims (29)
- 기판 상에 유기 발광부를 형성하는 단계; 및
환경성 요소 표면의 일부 이상과 접촉하고 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition: LVT) 무기물을 포함한 적어도 하나의 무기막을 포함한 박막 봉지층을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 박막 봉지층에 포함된 무기막을 형성하는 단계는,
상기 환경성 요소가 존재하는 유기 발광부 상에 상기 LVT 무기물을 제공하여, 상기 LVT 무기물을 포함한 예비-무기막(pre-inorganic layer)을 형성하는 단계;
상기 예비-무기막을 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도 이상의 온도에서 제1힐링하는(healing) 단계; 및
상기 환경성 요소와 상기 LVT 무기물 간의 결합력 및 상기 LVT 무기물들 간의 결합력이 향상되도록, 상기 제1힐링된 예비-무기막을 제2힐링하는 단계;
를 포함하는, 유기 발광 장치의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 환경성 요소는 상기 유기 발광부 형성시 필수불가결하게 존재하거나 생성되는 불순물 입자인, 유기 발광 장치의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 LVT 무기물의 점도변화 온도는, 상기 LVT 무기물에 유동성(fluidity)을 제공할 수 있는 최소 온도인, 유기 발광 소자의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 LVT 무기물의 점도변화 온도가 상기 유기 발광부에 포함된 물질의 변성 온도보다 작은, 유기 발광 소자의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 LVT 무기물의 점도변화 온도가 상기 유기 발광부에 포함된 물질의 변성 온도들 중 최소값보다 작은, 유기 발광 소자의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 LVT 무기물이 주석 산화물을 포함한, 유기 발광 소자의 제조 방법. - 제6항에 있어서,
상기 LVT 무기물이 인 산화물, 보론 포스페이트, 주석 불화물, 니오브 산화물 및 텅스텐 산화물 중 1종 이상을 더 포함한, 유기 발광 장치의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 LVT 무기물이 SnO; SnO 및 P2O5; SnO 및 BPO4; SnO, SnF2 및 P2O5; SnO, SnF2, P2O5 및 NbO; 또는 SnO, SnF2, P2O5 및 WO3;을 포함한, 유기 발광 장치의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 LVT 무기물 제공 단계를, 스퍼터법, 진공 증착법, 저온 증착법, 전자 빔 코팅법 또는 이온 플레이팅법을 이용하여 수행하는, 유기 발광 소자의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 제1힐링 단계를, 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도 이상 내지 상기 유기 발광부에 포함된 물질의 변성 온도 미만의 범위에서 상기 예비-무기막을 열처리함으로써 수행하는, 유기 발광 소자의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 제1힐링 단계를, 상기 LVT 무기물의 점도변화 온도 이상 내지 상기 유기 발광부에 포함된 물질의 변성 온도들 중 최소값 미만의 범위에서 상기 예비-무기막을 열처리함으로써 수행하는, 유기 발광 소자의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 제1힐링 단계를, 80℃ 이상 내지 130℃ 미만의 범위에서 1시간 내지 3시간 동안 상기 예비-무기막을 열처리함으로써 수행하는, 유기 발광 소자의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 제1힐링 단계를, 진공 분위기 또는 불활성 가스 분위기 하에서 수행하는, 유기 발광 소자의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 제2힐링 단계를, 화학적 처리법, 플라즈마 처리법, 산소-함유 고온 챔버 처리법 또는 산소 및 수분-함유 고온 챔버 처리법을 이용하여 수행하는, 유기 발광 소자의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 제2힐링 단계를, 상기 제1힐링된 예비-무기막을 산 용액, 알칼리 용액 및 중성 용액 중 1종 이상과 접촉시키는 화학적 처리법을 이용하여 수행하는, 유기 발광 소자의 제조 방법. - 제15항에 있어서,
상기 알칼리 용액은 질산염을 포함한 유기 발광 소자의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 제2힐링 단계를, 상기 제1힐링된 예비-무기막을 진공 하 O2 플라즈마, N2 플라즈마 및 Ar 플라즈마 중 1종 이상으로 처리하는 플라즈마 처리법을 이용하여 수행하는, 유기 발광 소자의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 제2힐링 단계를, 상기 제1힐링된 예비-무기막을 대기압 하 O2 플라즈마, N2 플라즈마 및 Ar 플라즈마 중 1종 이상으로 처리하는 플라즈마 처리법을 이용하여 수행하는, 유기 발광 소자의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 제2힐링 단계를, 상기 제1힐링된 예비-무기막을 2% 내지 100%의 산소 분압 및 25℃ 내지 150℃의 온도를 갖는 챔버 내에 노출시킴으로써 수행하는, 유기 발광 소자의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 제2힐링 단계를, 상기 제1힐링된 예비-무기막을 2% 내지 100%의 산소 분압, 10% 내지 100%의 상대 습도 및 25℃ 내지 150℃의 온도를 갖는 챔버 내에 노출시킴으로써 수행하는, 유기 발광 소자의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 박막 봉지층이 고분자를 포함한 적어도 하나의 유기막을 더 포함한, 유기 발광 소자의 제조 방법. - 제21항에 있어서,
상기 박막 봉지층에 포함된 유기막을 형성하는 단계가, 경화성(curable) 전구체를 제공하는 단계 및 상기 경화성 전구체를 경화시키는 단계를 포함하는, 유기 발광 소자의 제조 방법. - 제22항에 있어서,
상기 경화성 전구체 제공 단계를 플래쉬 증발법(Flash evaporator)을 이용하여 수행하는, 유기 발광 소자의 제조 방법. - 제22항에 있어서,
상기 경화성 전구체 경화 단계를 UV(자외선) 경화, 적외선 경화 또는 레이저 경화를 이용하여 수행하는, 유기 발광 소자의 제조 방법. - 제21항에 있어서,
상기 박막 봉지층이 1개의 유기막 및 1개의 무기막을 포함하고, 상기 유기막 및 상기 무기막은 상기 유기 발광부로부터 차례로 적층되어 있는, 유기 발광 소자의 제조 방법. - 제21항에 있어서,
상기 박막 봉지층이 1개의 유기막 및 1개의 무기막을 포함하고, 상기 무기막 및 상기 유기막은 상기 유기 발광부로부터 차례로 적층되어 있는, 유기 발광 소자의 제조 방법. - 제21항에 있어서,
상기 박막 봉지층이 제1유기막 및 제2유기막을 포함한 2개의 유기막 및 1개의 무기막을 포함하고, 상기 유기 발광부로부터 상기 제1유기막, 상기 무기막 및 상기 제2유기막이 차례로 적층되어 있는, 유기 발광 장치의 제조 방법. - 제21항에 있어서,
상기 박막 봉지층이 1개의 유기막 및 제1무기막 및 제2무기막을 포함한 2개의 무기막을 포함하고, 상기 유기 발광부로부터 상기 제1무기막, 상기 유기막 및 상기 제2무기막이 차례로 적층되어 있는, 유기 발광 장치의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 환경성 요소가 상기 박막 봉지층 내에 매립되어 있는, 유기 발광 소자의 제조 방법.
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