KR102085319B1 - 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102085319B1 KR102085319B1 KR1020130090424A KR20130090424A KR102085319B1 KR 102085319 B1 KR102085319 B1 KR 102085319B1 KR 1020130090424 A KR1020130090424 A KR 1020130090424A KR 20130090424 A KR20130090424 A KR 20130090424A KR 102085319 B1 KR102085319 B1 KR 102085319B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- organic light
- display device
- emitting display
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 183
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 77
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 14
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical group C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 15
- 230000035876 healing Effects 0.000 claims description 11
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 11
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 11
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 6
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 5
- GCFDVEHYSAUQGL-UHFFFAOYSA-J fluoro-dioxido-oxo-$l^{5}-phosphane;tin(4+) Chemical compound [Sn+4].[O-]P([O-])(F)=O.[O-]P([O-])(F)=O GCFDVEHYSAUQGL-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 4
- 239000005303 fluorophosphate glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000005365 phosphate glass Substances 0.000 claims description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 claims description 3
- 239000005387 chalcogenide glass Substances 0.000 claims description 3
- SITVSCPRJNYAGV-UHFFFAOYSA-L tellurite Chemical compound [O-][Te]([O-])=O SITVSCPRJNYAGV-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 claims 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 43
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910008449 SnF 2 Inorganic materials 0.000 description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 10
- -1 Polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 7
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 description 2
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000001815 facial effect Effects 0.000 description 2
- 230000009975 flexible effect Effects 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010003694 Atrophy Diseases 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000037444 atrophy Effects 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZYDPPZYDIRSJT-UHFFFAOYSA-K boron phosphate Chemical compound [B+3].[O-]P([O-])([O-])=O YZYDPPZYDIRSJT-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910000149 boron phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910001392 phosphorus oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- LFGREXWGYUGZLY-UHFFFAOYSA-N phosphoryl Chemical class [P]=O LFGREXWGYUGZLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(ii) oxide Chemical class [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUOWTJMRMWQJDA-UHFFFAOYSA-J tin(iv) fluoride Chemical class [F-].[F-].[F-].[F-].[Sn+4] YUOWTJMRMWQJDA-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치는, 기판, 상기 기판 상의 디스플레이부, 상기 디스플레이부를 밀봉하는 봉지층 및 상기 봉지층 상의 보호층을 포함하고, 상기 봉지층은, 저온 점도변화(Low temperature viscosity transition) 무기물로 형성되며, 상기 보호층은 외력으로부터 상기 봉지층을 보호하기 위한 탄성력과 접착성을 가지는 재질로 형성될 수 있다. 이에 의해, 유기 발광 디스플레이 장치의 밀봉성과 신뢰성이 우수할 수 있다.
Description
본 발명은 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로써, 더욱 상세하게는 밀봉 특성이 우수한 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 디스플레이 장치는 정공 주입 전극과 전자 주입 전극 그리고 이들 사이에 형성되어 있는 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 소자를 구비하며, 정공 주입 전극에서 주입되는 정공과 전자 주입 전극에서 주입되는 전자가 유기 발광층에서 결합하여 생성된 엑시톤(exiton)이 여기 상태(exited state)로부터 기저 상태(ground state)로 떨어지면서 빛을 발생시키는 자발광형 디스플레이 장치다.
자발광형 디스플레이 장치인 유기 발광 디스플레이 장치는 별도의 광원이 불필요하므로 저전압으로 구동이 가능하고 경량의 박형으로 구성할 수 있으며, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트(contrast) 및 빠른 응답 속도 등의 고품위 특성으로 인해 차세대 디스플레이 장치로 주목받고 있다. 다만, 유기 발광 디스플레이 장치는 외부의 수분이나 산소 등에 의해 열화되는 특성을 가지므로, 외부의 수분이나 산소 등으로부터 유기 발광 소자를 보호하기 위하여 유기 발광 소자를 밀봉하여야 한다.
본 발명의 목적은, 밀봉 특성과 신뢰성이 우수한 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 유기 발광 디스플레이 장치는, 기판, 상기 기판 상의 디스플레이부, 상기 디스플레이부를 밀봉하는 봉지층 및 상기 봉지층 상의 보호층을 포함하고, 상기 봉지층은, 저온 점도변화(Low temperature viscosity transition) 무기물로 형성되고, 상기 보호층은 외력으로부터 상기 봉지층을 보호하기 위한 탄성력과 접착성을 가지는 재질로 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 보호층은, 실리콘계 광 또는 열 경화성 수지로 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 보호층의 두께는 1um 내지 20um일 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 보호층의 두께는 3um 내지 10um일 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 봉지층은 주석 산화물을 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 봉지층은 주석 플로오르인산염 유리(Tin fluorophosphates glass), 칼코겐 유리(Chalcogenide glass), 텔루산염 유리(Tellurite glass), 붕산염 유리(Borate glass), 인산염유리(Phosphate glass) 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 보호층상에 강화층을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 강화층은 비스페놀A(bisphenol A), 노볼락(novolac), 비스페놀F(bisphenol F), 폴리에스터 아크릴레이트(polyester-acrylate), 우레탄 아크릴레이트(urethane-acrylate) 또는 에폭시 아크릴레이트(epoxy-acrylate) 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 봉지층과 상기 보호층 사이에 접합층을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 보호층 상에 상부필름을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 상부필름은 터치패널을 구성하는 필름들일 수 있다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법은, 기판 상에 디스플레이부를 형성하는 단계, 상기 디스플레이부를 밀봉하는 봉지층을 형성하는 단계, 상기 봉지층 상에 보호층을 형성하는 단계 및 상기 보호층 상에 상부필름을 적층하는 단계를 포함하고, 상기 봉지층은, 저온 점도변화(Low temperature viscosity transition) 무기물로 형성되며, 상기 보호층은 탄성력과 접착성을 동시에 가지는 실리콘계 광 또는 열 경화성 수지로 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 봉지층을 형성하는 단계는, 상기 저온 점도변화 무기물의 예비층을 상기 디스플레이부 상에 증착하는 단계 및 상기 예비층을 상기 저온 점도변화 무기물의 점도변화 온도 이상의 온도에서 힐링하는(healing) 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 보호층은 1um 내지 20um의 두께로 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 보호층은 3um 내지 10um의 두께로 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 보호층을 형성한 후, 상기 보호층 상에 강화층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 강화층은 비스페놀A(bisphenol A), 노볼락(novolac), 비스페놀F(bisphenol F), 폴리에스터 아크릴레이트(polyester-acrylate), 우레탄 아크릴레이트(urethane-acrylate) 또는 에폭시 아크릴레이트(epoxy-acrylate) 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 보호층을 형성하기 전에, 상기 봉지층 상에 접합층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 봉지층이 저온 점도변화 무기물로 형성됨으로써, 봉지층이 우수한 수분 및 산소 차단력을 가질 수 있다.
또한, 봉지층의 상부에는 보호층이 형성되어, 봉지층의 손상을 방지함으로써 유기 발광 디스플레이 장치의 신뢰성이 향상될 수 있다.
본 발명의 효과는 상술한 내용 이외에도, 도면을 참조하여 이하에서 설명할 내용으로부터도 도출될 수 있음은 물론이다.
도 1은 본 발명의 일 측면에 따른 유기 발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 유기 발광 디스플레이 장치의 디스플레이부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 도 1의 유기 발광 디스플레이 장치의 효과를 설명하기 위한 비교예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4 내지 도 6은 도 1의 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법을 개략적으로 도시한 단면도들이다.
도 7은 도 1의 유기 발광 디스플레이 장치의 변형예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 8은 도 1의 유기 발광 디스플레이 장치의 다른 변형예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 유기 발광 디스플레이 장치의 디스플레이부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 도 1의 유기 발광 디스플레이 장치의 효과를 설명하기 위한 비교예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4 내지 도 6은 도 1의 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법을 개략적으로 도시한 단면도들이다.
도 7은 도 1의 유기 발광 디스플레이 장치의 변형예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 8은 도 1의 유기 발광 디스플레이 장치의 다른 변형예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고, 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본 명세서에서 사용되는 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 명세서에서 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
이하, 본 발명에 따른 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명함에 있어 실질적으로 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
도 1은 본 발명의 일 측면에 따른 유기 발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 2는 도 1의 유기 발광 디스플레이 장치의 디스플레이부를 개략적으로 도시한 단면도이다. 또한, 도 3은 도 1의 유기 발광 디스플레이 장치의 효과를 설명하기 위한 비교예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도면들을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치(10)는, 기판(100), 기판(100) 상에 형성된 디스플레이부(200), 디스플레이부(200)를 밀봉하는 봉지층(300) 및 봉지층(300) 상에 형성된 보호층(400)을 포함할 수 있다. 또한, 보호층(400) 상에는 상부필름(500)이 위치할 수 있다.
기판(100)은 유기 발광 디스플레이 장치(10)의 플렉서블한 성질을 구현하기 위해, 투명한 플라스틱 재로 형성할 수 있다. 기판(100)을 형성하는 플라스틱 재는 절연성 유기물일 수 있는데, 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN, polyethyelenennapthalate), 폴리에틸렌테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌설파이드(polyphenylenesulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스트리아세테이트(TAC), 셀룰로오스아세테이트프로피오네이트(celluloseacetatepropionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기물일 수 있다.
한편, 화상이 기판(100)방향으로 구현되는 배면 발광형(bottom emission type)인 경우에 기판(100)은 투명한 재질로 형성해야 한다. 그러나 화상이 기판(100)의 반대 방향으로 구현되는 전면 발광형(top emission type)인 경우에 기판(100)은 반드시 투명한 재질로 형성할 필요는 없다. 이 경우 금속으로 기판(100)을 형성할 수 있다. 금속으로 기판(100)을 형성할 경우 기판(100)은 탄소, 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴, 및 스테인레스 스틸(SUS)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
디스플레이부(200)는 유기 박막 트랜지스터 층(200a)과 화소부(200b)를 구비할 수 있다. 화소부(200b)는 유기 발광 소자(OLED)일 수 있다. 이하에서는 도 2를 참조하여 디스플레이부(200)를 보다 자세히 설명한다.
기판(100)상에는 버퍼층(212)이 형성될 수 있다. 버퍼층(212)은 기판(100)을 통한 불순 원소의 침투를 방지하며 기판(100)상부에 평탄한 면을 제공하는 것으로서, 버퍼층(212)은 이러한 역할을 수행할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(212)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물을 함유할 수 있고, 예시한 재료들 중 복수의 적층체로 형성될 수 있다.
이와 같은 버퍼층(212)은 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deosition)법, APCVD(atmospheric pressure CVD)법, LPCVD(low pressure CVD)법 등 다양한 증착 방법에 의해 증착될 수 있다.
활성층(221)은 버퍼층(212) 상에서 실리콘과 같은 무기질 반도체나, 유기 반도체에 의해 형성될 수 있다. 또한, 활성층(221)은 소스 영역, 드레인 영역과 이들 사이의 채널 영역을 갖는다. 예를 들어, 비정질 실리콘을 사용하여 활성층(221)을 형성하는 경우 비정질 실리콘층을 기판(100) 전면에 형성한 후 이를 결정화하여 다결정 실리콘층을 형성하고, 패터닝한 후 가장자리의 소스 영역 및 드레인 영역에 불순물을 도핑하여 소스 영역, 드레인 영역 및 그 사이의 채널 영역을 포함하는 활성층(221)을 형성할 수 있다.
활성층(221) 상에는 게이트 절연막(213)이 형성된다. 게이트 절연막(213)은 활성층(221)과 게이트 전극(222)을 절연하기 위한 것으로 SiNx, SiO2 등과 같은 무기물로 형성할 수 있다.
게이트 절연막(213) 상부의 소정 영역에는 게이트 전극(222)이 형성된다. 게이트 전극(222)은 박막 트랜지스터(TFT)의 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결되어 있다.
게이트 전극(222)은 Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo를 함유할 수 있고, Al:Nd, Mo:W 합금 등과 같은 합금을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않고 설계 조건을 고려하여 다양한 재질로 형성할 수 있다.
게이트 전극(222) 상에 형성되는 층간 절연막(214)은 게이트 전극(222)과 소스 및 드레인 전극(223) 사이의 절연을 위한 것으로, SiNx, SiO2 등과 같은 무기물로 형성할 수 있다.
층간 절연막(214)상에는 소스 및 드레인 전극(223)이 형성된다. 구체적으로, 층간 절연막(214) 및 게이트 절연막(213)은 활성층(221)의 소스 영역 및 드레인 영역을 노출하도록 형성되고, 이러한 활성층(221)의 노출된 소스 영역 및 드레인 영역과 접하도록 소스 및 드레인 전극(223)이 형성된다.
한편, 도 2는 활성층(221)과, 게이트 전극(222)과, 소스 및 드레인 전극(223)을 순차적으로 포함하는 탑 게이트 방식(top gate type)의 박막 트랜지스터(TFT)를 예시하고 있으나, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 게이트 전극(222)이 활성층(221)의 하부에 배치될 수도 있다.
이와 같은 박막 트랜지스터(TFT) 층(200a)은 화소부(200b)에 전기적으로 연결되어 화소부(200b)를 구동하며, 평탄화막(215)으로 덮여 보호된다.
평탄화막(215)은 무기 절연막 및/또는 유기 절연막을 사용할 수 있다. 무기 절연막으로는 SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, PZT 등이 포함되도록 할 수 있고, 유기 절연막으로는 일반 범용고분자(PMMA, PS), 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등이 포함되도록 할 수 있다. 또한, 평탄화막(215)은 무기 절연막과 유기 절연막의 복합 적층체로도 형성될 수 있다.
평탄화막(215) 상에는 화소부(200b)가 형성되며, 화소부(200b)는 화소 전극(231), 중간층(232) 및 대향 전극(233)을 구비할 수 있다.
화소 전극(231)은 평탄화막(215)상에 형성되고, 평탄화막(215)에 형성된 컨택홀(230)을 통하여 소스 및 드레인 전극(223)과 전기적으로 연결된다.
화소 전극(231)은 반사 전극일 수 있으며, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 반사막 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다.
화소 전극(231)과 대향되도록 배치된 대향 전극(233)은 투명 또는 반투명 전극일 수 있으며, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물을 포함하는 일함수가 작은 금속 박막으로 형성될 수 있다. 또한, 금속 박막 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명 전극 형성용 물질로 보조 전극층이나 버스 전극을 더 형성할 수 있다.
따라서, 대향 전극(233)은 중간층(232)에 포함된 유기 발광층(미도시)에서 방출된 광을 투과시킬 수 있다. 즉, 유기 발광층(미도시)에서 방출되는 광은 직접 또는 반사 전극으로 구성된 화소 전극(231)에 의해 반사되어, 대향 전극(233) 측으로 방출될 수 있다.
그러나, 본 실시예의 유기 발광 디스플레이 장치(10)는 전면 발광형으로 제한되지 않으며, 유기 발광층(미도시)에서 방출된 광이 기판(100) 측으로 방출되는 배면 발광형일 수도 있다. 이 경우, 화소 전극(231)은 투명 또는 반투명 전극으로 구성되고, 대향 전극(233)은 반사 전극으로 구성될 수 있다. 또한, 본 실시예의 유기 발광 디스플레이 장치(10)는 전면 및 배면 양 방향으로 광을 방출하는 양면 발광형일 수도 있다.
한편, 화소 전극(231)상에는 절연물로 화소 정의막(216)이 형성된다. 화소 정의막(216)은 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유기 절연 물질로, 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다. 화소 정의막(216)은 화소 전극(231)의 소정의 영역을 노출하며, 노출된 영역에 유기 발광층을 포함하는 중간층(232)이 위치한다.
중간층(232)에 포함된 유기 발광층(미도시)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있으며, 중간층(232)은 유기 발광층(미도시) 이외에 홀 수송층(HTL; hole transport layer), 홀 주입층(HIL; hole injection layer), 전자 수송층(ETL; electron transport layer) 및 전자 주입층(EIL; electron injection layer) 등과 같은 기능층을 선택적으로 더 포함할 수 있다.
봉지층(300)은 디스플레이부(200)를 전체적으로 덮도록 형성되어, 외부의 습기 및 산소가 디스플레이부(200)로 침투하는 것을 방지한다.
봉지층(300)은 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition, LVT) 무기물로 형성될 수 있다. 여기서 "점도변화 온도"는, 저온 점도변화 무기물에 유동성(fluidity)을 제공할 수 있는 최소 온도를 의미하는 것으로, 이는 유기 발광 소자에 포함된 물질의 변성 온도보다 작을 수 있다.
저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition, LVT) 무기물은 일 예로, 유리 전이 온도가 200℃ 이하인 저 액상 온도(Low liquidus temperature, LLT) 물질일 수 있다. 보다 구체적으로, 저 액상 온도(Low liquidus temperature) 물질은 주석 플로오르인산염 유리(Tin fluorophosphates glass), 칼코겐 유리(Chalcogenide glass), 텔루산염 유리(Tellurite glass), 붕산염 유리(Borate glass), 인산염유리(Phosphate glass) 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다.
일 예로, 주석 플로오르인산염 유리는 20-80 중량%의 주석(Sn), 2-20중량%의 인(P), 3-20중량%의 산소(O) 및 10-36중량%의 플로오르(F)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 상술한 유리 재질들에는 텅스텐(Tungsten)이 더 포함될 수 있다. 유리 재질에 텅스텐이 추가되면, 보다 안정적이고 균질한 유리가 만들어지므로, 봉지층(300)은 화학적 내구성이 보다 향상될 수 있다.
또한, 저온 점도변화 무기물은 주석 산화물(예를 들면, SnO 또는 SnO2)을 포함하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 저온 점도변화 무기물이 SnO를 포함하는 경우, SnO의 함량은 20중량% 내지 100중량%일 수 있다.
주석 산화물을 포함하는 저온 점도변화 무기물은, 인 산화물(예를 들면, P2O5), 보론 포스페이트(BPO4), 주석 불화물(예를 들면, SnF2), 니오브 산화물(예를 들면, NbO) 및 텅스텐 산화물(예를 들면, WO3) 중 1종 이상을 더 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 저온 점도변화 무기물은,
- SnO;
- SnO 및 P2O5;
- SnO 및 BPO4;
- SnO, SnF2 및 P2O5;
- SnO, SnF2, P2O5 및 NbO; 또는
- SnO, SnF2, P2O5 및 WO3;
를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 저온 점도변화 무기물은 하기 조성을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
1) SnO(100wt%);
2) SnO(80wt%) 및 P2O5(20wt%);
3) SnO(90wt%) 및 BPO4(10wt%);
4) SnO(20-50wt%), SnF2(30-60wt%) 및 P2O5(10-30wt%) (여기서, SnO, SnF2 및 P2O5의 중량 합은 100wt%임);
5) SnO(20-50wt%), SnF2(30-60wt%), P2O5(10-30wt%) 및 NbO(1-5wt%) (여기서, SnO, SnF2, P2O5 및 NbO의 중량 합은 100wt%임); 또는
6) SnO(20-50wt%), SnF2(30-60wt%), P2O5(10-30wt%) 및 WO3(1-5wt%) (여기서, SnO, SnF2, P2O5 및 WO3의 중량 합은 100wt%임).
이와 같은 봉지층(300)은 외부의 산소 또는 수분의 침투를 효과적으로 막을 수 있으나, 리지드(Rigid)한 성질에 의해 외부에서 가해지는 물리적인 압력에는 취약한 특성을 가진다.
예를 들어, 봉지층(300)을 형성한 후, 터치 패널 등을 형성하기 위해 봉지층(300) 상에 상부필름(500)을 적층할 때, 상부필름(500)의 접착을 위해 가해지는 물리력에 의해 봉지층(300)은 파괴되기 쉽다.
특히, 도 3에 도시하는 바와 같이 봉지층(300) 상에 파티클(P)이 존재하는 경우에는, 파티클(P)의 크기가 매우 작은 경우에도 외력이 파티클로 집중되어 봉지층(300)에 크랙 등이 쉽게 발생할 수 있다. 이로 인해 외부의 수분 또는 산소가 침투하여 유기 발광 소자(OLED)가 열화됨으로써, 발광 특성이 저하되는 문제가 발생하며, 유기 발광 디스플레이 장치(10)에 다크 스팟(dark spot)이 발생하고, 픽셀 위축(pixel shrinkage) 등이 발생할 수 있다.
보호층(400)은 봉지층(300) 상에 형성되어, 상기의 문제를 해결한다. 즉, 보호층(400)은 봉지층(300)의 표면을 강화시켜, 외부에서 가해지는 물리력에 의해 봉지층(300)에 결함이 발생되는 것을 방지함과 동시에, 봉지층(300) 상에 이물질이 있는 경우 이를 감싸 봉지층(300)의 상부면을 평탄화시킴으로써 봉지층(300)의 배리어 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 보호층(400)은 터치패널 등을 형성하기 위한 상부필름(500)과의 접합력을 향상시킬 수 있으므로, 후속 공정을 용이하게 할 수 있다.
이와 같은 보호층(400)은 탄성력과 접착성을 동시에 갖는 재질로 형성될 수 있다. 보호층(400)은 실리콘계 광 또는 열 경화성 수지로 형성될 수 있다. 보다 구체적으로, 보호층(400)은 실록산(Siloxane) 가교 반응을 포함하는 실리콘계 수지로, 예를 들어 폴리메틸트리플루오로프로필 실록산(polymethyltrifluoropropyl siloxane), 폴리메틸비닐 실록산(polymethylvinyl-siloxane) 등을 포함하는 실리콘계 수지로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 보호층(400)은 1um 내지 20um 의 두께로 형성될 수 있으며, 바람직하게는 3um 내지 10um의 두께로 형성될 수 있다. 보호층(400)의 두께가 1um 보다 작은 경우는, 봉지층(300) 상에 파티클(P)이 존재할 때, 상기 파티클(P)을 충분히 덮기 어려울 수 있다. 반면에, 보호층(400)의 두께가 20 um 보다 큰 경우는 유기 발광 디스플레이 장치(10)의 두께가 너무 증가하며, 유기 발광 디스플레이 장치(10)의 플렉서블한 성질이 급격히 저하될 수 있다. 따라서, 보호층(400)은 1um 내지 20um의 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 보호층(400)이 파티클(P)을 더욱 확실하게 커버하여 봉지층(300)을 보호하고, 유기 발광 디스플레이 장치(10)의 박형화를 구현하기 위해, 보호층(400)은 3um 내지 10um의 두께로 형성되는 것이 더욱 바람직하다.
상부필름(500)은 보호층(400) 상에 적층된다. 상부필름(500)은 예를 들어, 터치패널을 구성하는 필름들 일 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정하지 않으며, 상부필름(500)은 터치패널을 부착하기 위한 투명 접착 필름, 광학필터 등을 포함할 수도 있다.
도 4 내지 도 6은 도 1의 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법을 개략적으로 도시한 단면도들이다.
도 4 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치(10)의 제조 방법을 설명하면, 먼저 도 4에 도시된 바와 같이, 기판(100)의 일면에 디스플레이부(200)를 형성한다. 디스플레이부(200)는 도 2에서 설명한 바와 동일하고, 공지된 다양한 유기발광 디스플레이가 적용될 수 있으므로, 이의 구체적인 제조 방법은 생략한다.
다음으로 도 5에 도시된 바와 같이 디스플레이부(200)를 밀봉하도록 봉지층(300)을 형성한다.
상술한 바와 같이 봉지층(300)은 저온 점도변화 무기물로 형성되어, 효과적으로 외부의 산소 또는 수분의 침투를 방지할 수 있다. 봉지층(300)은 저항 가열 증착법, 스퍼터법, 진공 증착법, 저온 증착법, 전자 빔 코팅법 또는 이온 플레이팅법 등에 의해 저온 점도변화 무기물의 예비층(미도시)을 디스플레이부(200) 상에 증착한 후, 힐링(Healing) 단계를 수행하여 형성할 수 있다.
일 예로, 저온 점도변화 무기물의 예비층(미도시)은 스퍼터링 방식을 통해 제공할 수 있다. 보다 구체적으로, 스퍼터링 방식은 dual rotary target스퍼터링 방식 또는 facial target 스퍼터링 방식을 적용할 수 있다. dual rotary target스퍼터링 방식의 경우, 12kw 및 0.4Pa의 아르곤 플라즈마를 사용할 수 있으며, facial target 스퍼터링 방식의 경우, 1~12kW, 0.10Pa~1.5Pa Ar 플라즈마를 사용할 수 있다. 복수 회의 스캔 반복으로 원하는 저온 점도변화 무기물의 예비층(미도시)의 두께를 얻을 수 있다. 또한, 각 스캔 횟수별로 서로 상이한 압력, Power 조건을 적용할 수도 있다.
한편, 형성된 저온 점도변화 무기물의 예비층(미도시)은 핀홀 등과 같은 결함을 포함할 수 있으며, 이러한 결함은 수분, 산소 등의 이동 통로가 될 수 있는바, 힐링 단계를 통해 이를 제거할 수 있다.
힐링 단계는, 저온 점도변화 무기물의 점도변화 온도 이상의 온도에서 수행된다. 예를 들어, 힐링 단계는, 저온 점도변화 무기물의 점도변화 온도 이상 내지 유기 발광 소자에 포함된 물질의 변성 온도 미만의 범위에서 형성된 저온 점도변화 무기물의 예비층(미도시)을 열처리함으로써 수행될 수 있다.
또한 힐링 단계는, 저온 점도변화 무기물의 예비층(미도시)의 핀홀을 통한 유기 발광 소자의 외부 환경 노출을 방지하기 위하여, 진공 분위기 또는 불활성 가스 분위기(예를 들면, N2 분위기, Ar 분위기 등) 하의 IR 오븐에서 수행될 수 있으며, 또는1000ppm 이하, 보다 바람직하게는 500ppm 이하의 H2O 또는 O2 분위기 하의 IR 오븐에서 수행될 수 있다. 이때, 힐링 단계의 온도는 유기 발광 소자에 포함된 물질의 변성을 방지하기 위해 120℃ 이하, 보다 바람직하게는 110℃ 이하에서 수행 될 수 있다.
이와 같은 힐링 단계를 통해, 저온 점도변화 무기물은 유동화(Fluidized) 된 후, 재응고 됨으로써, 핀홀 등을 결함을 제거할 수 있으므로, 막질이 치밀한 봉지층(300)을 형성할 수 있다.
다음으로, 도 6에 도시된 바와 같이 보호층(400)을 형성한 후, 보호층(400) 상에 상부필름(500)을 부착한다.
보호층(400)은 탄성력과 접착성이 우수한 실리콘계 광 또는 열 경화성 수지를 프린팅법, 스핀 코팅법, 분무확산증착(flash evaporation) 등의 방법에 의해 도포한 후, 광 또는 열 경화를 통해 형성할 수 있다. 이를 위해 보호층(400)을 형성하는 광 또는 열 경화성 수지는 경화제를 포함할 수 있다. 다만, 경화제는 유기 발광 소자의 대향 전극(도 2의 233)을 산화시켜 암점(Dark spot) 등을 유발하는 Outgassing을 발생시킬 수 있으므로, 사용되는 경화제는 Outgassing의 발생을 최소화하기 위해, 경화율이 높은 것이 바람직하다. 예를 들어, 경화제는 경화율이 90% 이상인 실리콘계나 아크릴레이트 계를 사용할 수 있다.
이와 같은 보호층(400)은 리지드한 성질을 가지는 봉지층(300)의 표면을 강화시켜, 외부에서 가해지는 물리력에 의해 봉지층(300)에 크랙 등의 결함이 발생되는 것을 방지한다. 또한, 봉지층(300) 상에 이물질이 있는 경우 이를 감싸 봉지층(300)의 상부면을 평탄화시킴으로써 봉지층(300)의 배리어 특성이 저하되는 것을 차단할 수 있게 된다.
상부필름(500)은 보호층(400) 상에 적층된다. 상부필름(500)은 예를 들어, 터치패널을 구성하는 필름들 일 수 있다. 또한, 상부필름(500)은 터치패널을 부착하기 위한 투명 접착 필름, 광학필터 등을 포함할 수도 있다.
한편, 상부필름(500)이 터치패널을 구성하는 필름들을 포함하면, 유기 발광 디스플레이 장치(10)의 사용 중 지속적으로 외력이 가해지게 되는데, 이와 같은 경우에도 보호층(400)은 외력에 의한 봉지층(300)의 파괴를 방지할 수 있는바, 유기 발광 디스플레이 장치(10)의 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 7은 도 1의 유기 발광 디스플레이 장치의 변형예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 7의 유기 발광 디스플레이 장치(20)는, 기판(100), 기판(100) 상에 형성된 디스플레이부(200), 디스플레이부(200)를 밀봉하는 봉지층(300) 및 봉지층(300) 상에 형성된 보호층(400), 보호층(400) 상의 강화층(410) 및 강화층(410) 상의 상부필름(500)을 포함할 수 있다.
기판(100), 디스플레이부(200), 봉지층(300), 보호층(400)은 도 1 및 도 2에서 도시하고 설명한 바와 동일하므로, 이하에서는 반복하여 자세하게 설명하지 않는다.
봉지층(300)은 저온 점도변화(Low temperature Viscosity Transition, LVT) 무기물로 형성되어, 우수한 수분 및 산소 차단력을 가진다. 다만, 봉지층(300)은 리지드한 성질에 의해 외력에 취약한 특성을 함께 가지므로, 상부필름(500) 등을 부착하는 과정에서 손상이 발생할 수 있다.
보호층(400)은 봉지층(300) 상에 형성되어, 외부에서 가해지는 물리력에 의해 봉지층(300)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 보호층(400)은 봉지층(300) 상에 이물질이 있는 경우 이를 감싸 봉지층(300)의 상부면을 평탄화시킬 수 있다. 보호층(400)은 탄성력과 접착성을 동시에 갖는 실리콘계 광 또는 열 경화성 수지로 형성될 수 있다.
보호층(400) 상에는 강화층(410)이 더 형성될 수 있다. 강화층(410)은 외부의 충격을 흡수할 수 있고, 접착력이 우수한 에폭시계 또는 아크릴레이트계 광 또는 열 경화성 수지로 형성할 수 있다. 예를 들어, 에폭시계 경화성 수지로는, 비스페놀A(bisphenol A), 노볼락(novolac) 또는 비스페놀F(bisphenol F) 중 적어도 어느 하나 일 수 있고, 아크릴레이트계 경화성 수지로는 폴리에스터 아크릴레이트(polyester-acrylate), 우레탄 아크릴레이트(urethane-acrylate) 또는 에폭시 아크릴레이트(epoxy-acrylate) 중 적어도 어느 하나 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이와 같이 보호층(400) 상에 강화층(410)을 더 형성하면, 외부에서 가해지는 외력으로부터 봉지층(300)이 파괴되는 것을 보다 확실하게 차단할 수 있으며, 상부에 형성되는 상부필름(500)과의 접착력이 향상될 수 있다.
한편, 도 7의 유기 발광 디스플레이 장치(20)는 도 3 내지 도 6에서 도시하고 설명한 유기 발광 디스플레이 장치(10)의 제조방법에서, 보호층(400)을 형성한 후, 강화층(410)을 형성하는 단계를 추가하여 제조할 수 있다. 강화층(410)은 에폭시계 또는 아크릴레이트계 수지를 프린팅법이나 스핀 코팅의 방법 등에 의해 도포한 후, 광 또는 열 경화를 통해 형성할 수 있다.
도 8은 도 1의 유기 발광 디스플레이 장치의 다른 변형예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 8의 유기 발광 디스플레이 장치(30)는 기판(100), 기판(100) 상에 형성된 디스플레이부(200), 디스플레이부(200)를 밀봉하는 봉지층(300) 및 봉지층(300) 상에 형성된 보호층(400), 보호층(400) 상의 강화층(410), 강화층(410) 상의 상부필름(500) 및 봉지층(300)과 보호층(400) 사이의 접합층(420)을 포함할 수 있다. 즉, 도 8의 유기 발광 디스플레이 장치(30)는 도 7의 유기 발광 디스플레이 장치(20)에서 접합층(420)을 더 형성한 경우에 해당한다.
접합층(420)은 봉지층(300)의 표면에 잔존하는 크랙 등의 결함을 보완할 수 있을 정도의 접합력을 가지며, 봉지층(300)의 두께에 비례하여 증가하는 봉지층(300)의 막 스트레스를 감소시킬 수 있다. 접합층(420)은 아크릴레이트계 광 또는 열 경화 수지로 형성될 수 있다.
한편, 도 8의 유기 발광 디스플레이 장치(30)는 도 3 내지 도 6에서 도시하고 설명한 유기 발광 디스플레이 장치(10)의 제조방법에서, 보호층(400)의 형성시, 봉지층(300) 상에 접합층(420), 보호층(400) 및 강화층(410)을 순차적으로 형성하는 방법에 의해 제조할 수 있다. 접합층(420)은 에폭시계 또는 아크릴레이트계 수지를 프린팅법이나 스핀 코팅의 방법 등에 의해 도포한 후, 광 또는 열 경화를 통해 형성할 수 있다. 한편, 접합층(420)을 형성하는 광 또는 열 경화성 수지는 경화제를 포함할 수 있는데, 포함되는 경화제는 Outgassing을 발생시키지 않는 종류인 것이 바람직하다.
또한, 도 8의 유기 발광 디스플레이 장치(30)에서, 강화층(410)은 생략될 수 있다. 즉, 유기 발광 디스플레이 장치(30)는 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니며, 봉지층(300) 상에 접합층(420)과 보호층(400) 만을 포함하여 구성될 수도 있다.
상술한 실시예들은 상기한 바와 같이 설명된 실시예들의 구성과 방법이 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.
또한, 본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
10, 20, 30: 유기 발광 디스플레이 장치
100: 기판
200: 디스플레이부
200a: 유기 박막 트랜지스터 층
200b: 화소부 212: 버퍼층
213: 게이트 절연막 214: 층간 절연막
215: 평탄화막 216: 화소 정의막
221: 활성층 222: 게이트 전극
223: 소스 및 드레인 전극 230: 컨택홀
231: 화소 전극 232: 중간층
233: 대향전극 300: 봉지층
400: 보호층 410: 강화층
420: 접합층 500: 상부 필름
100: 기판
200: 디스플레이부
200a: 유기 박막 트랜지스터 층
200b: 화소부 212: 버퍼층
213: 게이트 절연막 214: 층간 절연막
215: 평탄화막 216: 화소 정의막
221: 활성층 222: 게이트 전극
223: 소스 및 드레인 전극 230: 컨택홀
231: 화소 전극 232: 중간층
233: 대향전극 300: 봉지층
400: 보호층 410: 강화층
420: 접합층 500: 상부 필름
Claims (18)
- 기판;
상기 기판 상의 디스플레이부;
상기 디스플레이부를 밀봉하는 봉지층; 및
상기 봉지층 상의 보호층;을 포함하고,
상기 봉지층은, 저온 점도변화(Low temperature viscosity transition) 무기물로 형성되고,
상기 보호층은 외력으로부터 상기 봉지층을 보호하기 위한 탄성력과 접착성을 가지는 재질로 형성된 유기 발광 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 보호층은, 실리콘계 광 또는 열 경화성 수지로 형성된 유기 발광 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 보호층의 두께는 1um 내지 20um 인 유기 발광 디스플레이 장치. - 제3항에 있어서,
상기 보호층의 두께는 3um 내지 10um인 유기 발광 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 봉지층은 주석 산화물을 포함한 유기 발광 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 봉지층은 주석 플로오르인산염 유리(Tin fluorophosphates glass), 칼코겐 유리(Chalcogenide glass), 텔루산염 유리(Tellurite glass), 붕산염 유리(Borate glass), 인산염유리(Phosphate glass) 중 적어도 하나를 포함하여 형성된 유기 발광 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 보호층상에 강화층을 더 포함하는 유기 발광 디스플레이 장치. - 제7항에 있어서,
상기 강화층은 비스페놀A(bisphenol A), 노볼락(novolac), 비스페놀F(bisphenol F), 폴리에스터 아크릴레이트(polyester-acrylate), 우레탄 아크릴레이트(urethane-acrylate) 또는 에폭시 아크릴레이트(epoxy-acrylate) 중 적어도 어느 하나 로 형성된 유기 발광 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 봉지층과 상기 보호층 사이에 접합층을 더 포함하는 유기 발광 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 보호층 상에 상부필름을 더 포함하는 유기 발광 디스플레이 장치. - 제10항에 있어서,
상기 상부필름은 터치패널을 구성하는 필름들인 유기 발광 디스플레이 장치. - 기판 상에 디스플레이부를 형성하는 단계;
상기 디스플레이부를 밀봉하는 봉지층을 형성하는 단계;
상기 봉지층 상에 보호층을 형성하는 단계; 및
상기 보호층 상에 상부필름을 적층하는 단계;를 포함하고,
상기 봉지층은, 저온 점도변화(Low temperature viscosity transition) 무기물로 형성되며,
상기 보호층은 탄성력과 접착성을 동시에 가지는 실리콘계 광 또는 열 경화성 수지로 형성된 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제12항에 있어서,
상기 봉지층을 형성하는 단계는,
상기 저온 점도변화 무기물의 예비층을 상기 디스플레이부 상에 증착하는 단계; 및
상기 예비층을 상기 저온 점도변화 무기물의 점도변화 온도 이상의 온도에서 힐링하는(healing) 단계;를 포함하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제12항에 있어서,
상기 보호층은 1um 내지 20um의 두께로 형성되는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제14항에 있어서,
상기 보호층은 3um 내지 10um의 두께로 형성되는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제12항에 있어서,
상기 보호층을 형성한 후, 상기 보호층 상에 강화층을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제16항에 있어서,
상기 강화층은 비스페놀A(bisphenol A), 노볼락(novolac), 비스페놀F(bisphenol F), 폴리에스터 아크릴레이트(polyester-acrylate), 우레탄 아크릴레이트(urethane-acrylate) 또는 에폭시 아크릴레이트(epoxy-acrylate) 중 적어도 어느 하나 로 형성되는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제15항에 있어서,
상기 보호층을 형성하기 전에, 상기 봉지층 상에 접합층을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130090424A KR102085319B1 (ko) | 2013-07-30 | 2013-07-30 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
| US14/220,184 US9515287B2 (en) | 2013-07-30 | 2014-03-20 | Organic light-emitting display apparatus having encapsulation layer of low temperature viscosity transition and method of manufacturing the same |
| TW103118243A TWI625880B (zh) | 2013-07-30 | 2014-05-26 | 有機發光顯示設備 |
| CN201410325513.XA CN104347671B (zh) | 2013-07-30 | 2014-07-09 | 有机发光显示设备及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130090424A KR102085319B1 (ko) | 2013-07-30 | 2013-07-30 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150014775A KR20150014775A (ko) | 2015-02-09 |
| KR102085319B1 true KR102085319B1 (ko) | 2020-03-06 |
Family
ID=52426817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130090424A KR102085319B1 (ko) | 2013-07-30 | 2013-07-30 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9515287B2 (ko) |
| KR (1) | KR102085319B1 (ko) |
| CN (1) | CN104347671B (ko) |
| TW (1) | TWI625880B (ko) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102013109646B4 (de) * | 2013-09-04 | 2021-12-02 | Pictiva Displays International Limited | Organisches optoelektronisches Bauelement |
| KR102107109B1 (ko) * | 2013-10-17 | 2020-05-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법 |
| US10749123B2 (en) * | 2014-03-27 | 2020-08-18 | Universal Display Corporation | Impact resistant OLED devices |
| US10910590B2 (en) | 2014-03-27 | 2021-02-02 | Universal Display Corporation | Hermetically sealed isolated OLED pixels |
| EP3671883A1 (en) | 2014-06-25 | 2020-06-24 | LG Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus |
| KR102194667B1 (ko) * | 2014-10-28 | 2020-12-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치와 이의 제조 방법 |
| KR102532303B1 (ko) | 2015-11-03 | 2023-05-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101973163B1 (ko) | 2016-03-22 | 2019-04-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| CN105609538B (zh) * | 2016-03-29 | 2020-03-27 | Tcl集团股份有限公司 | 一种顶发射型显示面板及制作方法 |
| CN106409873B (zh) * | 2016-10-12 | 2019-06-04 | 上海天马微电子有限公司 | 柔性显示装置及制造方法 |
| US11751426B2 (en) | 2016-10-18 | 2023-09-05 | Universal Display Corporation | Hybrid thin film permeation barrier and method of making the same |
| KR102610160B1 (ko) * | 2018-05-14 | 2023-12-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| JP6817257B2 (ja) * | 2018-07-31 | 2021-01-20 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 保護シート、表示装置および電子機器 |
| KR102178626B1 (ko) * | 2018-10-30 | 2020-11-16 | 에이피시스템 주식회사 | 적층구조물 박리 방법, 유기발광소자 수리 방법 및 적층구조물 박리장치 |
| KR102169567B1 (ko) * | 2018-12-21 | 2020-10-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR102658294B1 (ko) * | 2019-09-09 | 2024-04-16 | 주식회사 두산 | 밀봉 시트 및 이를 포함하는 반도체 장치 |
| US20220199932A1 (en) * | 2020-12-17 | 2022-06-23 | The Regents Of The University Of Michigan | Optoelectronic device including morphological stabilizing layer |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005298703A (ja) | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Mitsui Chemicals Inc | 粘着性フィルム、筐体およびそれを用いた有機ｅｌ発光素子 |
| US20070040501A1 (en) | 2005-08-18 | 2007-02-22 | Aitken Bruce G | Method for inhibiting oxygen and moisture degradation of a device and the resulting device |
| US20070252526A1 (en) | 2005-08-18 | 2007-11-01 | Aitken Bruce G | Sealing technique for decreasing the time it takes to hermetically seal a device and the resulting hermetically sealed device |
| US20080149924A1 (en) | 2005-08-18 | 2008-06-26 | Bruce Gardiner Aitken | Hermetically sealing a device without a heat treating step and the resulting hermetically sealed device |
| JP2011225426A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-11-10 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 封着材料及びこれを用いたペースト材料 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6936131B2 (en) * | 2002-01-31 | 2005-08-30 | 3M Innovative Properties Company | Encapsulation of organic electronic devices using adsorbent loaded adhesives |
| KR100942038B1 (ko) * | 2002-04-15 | 2010-02-11 | 쇼오트 아게 | 유기 광전 소자 및 유기 광전 소자 제조 방법 |
| TWI286371B (en) * | 2003-02-12 | 2007-09-01 | Au Optronics Corp | OLED packaging method |
| US20080206589A1 (en) * | 2007-02-28 | 2008-08-28 | Bruce Gardiner Aitken | Low tempertature sintering using Sn2+ containing inorganic materials to hermetically seal a device |
| US8115326B2 (en) | 2006-11-30 | 2012-02-14 | Corning Incorporated | Flexible substrates having a thin-film barrier |
| JP2009145582A (ja) | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Canon Inc | 表示装置の保持構造 |
| KR101634791B1 (ko) | 2008-11-28 | 2016-06-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 접촉 감지 기능이 있는 유기 발광 표시 장치 |
| CN107634148B (zh) * | 2011-11-14 | 2019-09-17 | Lg化学株式会社 | 粘合膜 |
| KR101404361B1 (ko) * | 2011-11-14 | 2014-06-09 | 주식회사 엘지화학 | 접착 필름 및 이를 이용한 유기전자장치의 봉지 방법 |
| KR101347541B1 (ko) * | 2012-03-02 | 2014-01-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치의 제조 방법 |
| KR101444065B1 (ko) * | 2013-04-26 | 2014-09-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
-
2013
- 2013-07-30 KR KR1020130090424A patent/KR102085319B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-03-20 US US14/220,184 patent/US9515287B2/en active Active
- 2014-05-26 TW TW103118243A patent/TWI625880B/zh active
- 2014-07-09 CN CN201410325513.XA patent/CN104347671B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005298703A (ja) | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Mitsui Chemicals Inc | 粘着性フィルム、筐体およびそれを用いた有機ｅｌ発光素子 |
| US20070040501A1 (en) | 2005-08-18 | 2007-02-22 | Aitken Bruce G | Method for inhibiting oxygen and moisture degradation of a device and the resulting device |
| US20070252526A1 (en) | 2005-08-18 | 2007-11-01 | Aitken Bruce G | Sealing technique for decreasing the time it takes to hermetically seal a device and the resulting hermetically sealed device |
| US20080149924A1 (en) | 2005-08-18 | 2008-06-26 | Bruce Gardiner Aitken | Hermetically sealing a device without a heat treating step and the resulting hermetically sealed device |
| JP2011225426A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-11-10 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 封着材料及びこれを用いたペースト材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI625880B (zh) | 2018-06-01 |
| US9515287B2 (en) | 2016-12-06 |
| CN104347671B (zh) | 2019-05-28 |
| KR20150014775A (ko) | 2015-02-09 |
| US20150034916A1 (en) | 2015-02-05 |
| TW201511380A (zh) | 2015-03-16 |
| CN104347671A (zh) | 2015-02-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102085319B1 (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR102048926B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR102034253B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| US10085311B2 (en) | Flexible organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same | |
| US9825255B2 (en) | Method of manufacturing organic light emitting display apparatus | |
| KR102093393B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| US8637333B2 (en) | Organic light emitting diode display and manufacturing method of the same | |
| US20110143079A1 (en) | Substrate section for flexible display device, method of manufacturing substrate section, and method of manufacturing organic light emitting display device including substrate | |
| JP4890582B2 (ja) | 有機発光ディスプレイ装置の製造方法 | |
| US8998446B2 (en) | Optical film and organic light emitting display apparatus comprising the same | |
| US9159950B2 (en) | Organic light emitting display device and method for manufacturing the same | |
| KR102072806B1 (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR20150016780A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20140128789A (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 | |
| US9035338B2 (en) | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same | |
| US20110140119A1 (en) | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same | |
| US9196867B2 (en) | Organic light emitting display apparatus and manufacturing method thereof | |
| KR102296916B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR20120110777A (ko) | 오엘이디 장치 | |
| KR101493409B1 (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR102239844B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR101015886B1 (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right |