TW201511380A - 有機發光顯示設備 - Google Patents
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Abstract
有機發光顯示設備包含基板、顯示單元、封裝層及保護層。顯示單元係形成於基板上。封裝層覆蓋顯示單元。保護層係形成於封裝層上。封裝層係由低溫黏性轉變(LVT)無機材料形成。保護層係由彈性、黏著材料形成，以保護封裝層免受外力傷害。
Description
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2013年7月30日向韓國智慧財產局提出之申請案號為10-2013-0090424之優先權，其全部揭露之內容併入此處作為參考。
本發明係關於一種有機發光顯示設備及其製造方法。
有機發光顯示器係自發光，且包含複數個有機發光裝置。每一有機發光裝置包含電洞注入電極、電子注入電極，以及設置於其間之有機發射層。當從電洞注入電極注入之電洞與從電子注入電極注入之電子在有機發射層中重組時產生激子。當激子從激態落至基態時發射光線。
由於有機發光顯示器為自發光，故不需要獨立光源。因此，有機發光顯示器可在低電壓下驅動以及可為輕巧纖薄。有機發光裝置被密封以阻擋外部濕氣或氧氣。
根據本發明之例示性實施例，有機發光顯示設備包含基板、顯示單元、封裝層、以及保護層。顯示單元形成於基板上。封裝層覆蓋顯示單元。保護層形成於封裝層上。封裝層係由低溫黏性轉變(LVT)無機材料形成。保護層係由彈性、黏著材料形成，以保護封裝層免受外力傷害。
根據本發明之例示性實施例，提供一種有機發光顯示設備之製造方法。顯示單元形成於基板上。封裝層形成於基板上。封裝層覆蓋顯示單元。保護層形成於封裝層上。上部薄膜堆疊於保護層上。封裝層係由低溫黏性轉變(LVT)無機材料形成。保護層係由有彈性及黏性的矽類光固化或熱固化樹脂形成。
本發明之例示性實施例將參照附圖在下面詳細描述。然而，本發明可以不同的形式實施且不應被解釋為限於本文所闡述之實施例。在圖式中，層及區域之厚度為了清楚起見可被誇大。應理解的是，當元件被指稱在另一元件或基板「上」時，它可直接在另一元件或基板上，或也可存在中間層。也應理解的是，當元件被指稱為「耦接至」或「連接至」另一元件時，它可直接地耦接至或連接至另一元件，或也可存在中間元件。在整份說明書與圖式中，相似元件符號可指相似元件。
第1圖係為根據本發明之例示性實施例之有機發光顯示設備10之剖面圖。第2圖係為第1圖之有機發光顯示設備10之顯示單元200之示意性剖面圖。第3圖係為描繪針對第1圖之有機發光顯示設備10之比較例之示意性剖面圖。
參照第1圖至第3圖，有機發光顯示設備10包含基板100、形成於基板100上之顯示單元200、密封顯示單元200之封裝層300，以及形成於封裝層300上之保護層400。此外，上部薄膜500係設置於保護層400上。
基板100可由透明、可撓性塑膠材料形成。有機發光顯示設備10可為可撓性的。基板100之透明塑膠材料可為包含聚醚碸(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳脂、聚醯亞胺、聚碳酸酯(PC)、纖維素三乙酸酯(TAC)，或醋酸丙酸纖維素(CAP) 之絕緣有機材料，但不限於此。
當有機發光顯示設備10係在基板100之方向顯示影像之底部發射型顯示設備時，基板100係透明的。然而，當有機發光顯示設備10係在基板100之相反方向顯示影像之頂部發射型顯示設備時，基板100不需為透明的。在此情況下，基板100可由包含碳(C)、鐵(Fe)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉬(Mo)或不鏽鋼(SUS)之材料形成，但不限於此。
參照第2圖，顯示單元200包含有機薄膜電晶體(TFT)層200a與像素部分200b。像素部分200b包含有機發光裝置(OLED)。
緩衝層212形成於基板100上。緩衝層212防止雜質元素滲透通過基板100且提供平坦表面於基板100上。緩衝層212可由各種材料形成，包含無機材料、有機材料或其堆疊。無機材料可包含氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦或氮化鈦，但不限於此。有機材料可包含聚醯亞胺、聚酯或丙烯醯基(acryl)。
緩衝層212可藉由各種沉積方法沉積，像是電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)法、大氣壓化學氣相沉積(APCVD)法或低壓化學氣相沉積(LPCVD)法。
主動層221形成於緩衝層212上。主動層221係由無機半導體，像是矽，或有機半導體形成。主動層221包含源極區域、汲極區域，以及它們之間之通道區域。例如，當主動層221係由非晶矽形成時，包含源極區域、汲極區域及在它們之間之通道區域之主動層221可藉由形成非晶矽層於基板100之前表面上、結晶非晶矽層以形成多晶矽層、圖樣化多晶矽層、以及摻雜源極區域與汲極區域而形成。
閘極絕緣膜213形成於主動層221上。閘極絕緣膜213可由無機材料形成，像是SiNx或SiO2
，以絕緣主動層221及閘極電極222。
閘極電極222係形成於閘極絕緣膜213上之預定區域中。閘極電極222連接至閘極線(未顯示)以施加開/關訊號至薄膜電晶體(TFT)。
閘極電極222可包含金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、鋁(Al)、鉬(Mo)、釹(Nd)或其合金，但不限於此。例如，合金可包含鋁：釹合金或鉬：鎢合金，但不限於此。
層間絕緣膜214形成於閘極電極222上。層間絕緣膜214可由無機材料形成，像是SiNx或SiO2
，以絕緣閘極電極222及源極與汲極電極223。
源極與汲極電極223形成於層間絕緣膜214上。例如，源極與汲極電極223貫穿層間絕緣膜214及閘極絕緣膜213以與主動層221之源極區域與汲極區域接觸。
頂部閘極型薄膜電晶體層包含主動層221、閘極電極222、以及源極與汲極電極223。此外，閘極電極222可設置於主動層221下。
薄膜電晶體層200a電性連接至像素區域220b以驅動像素區域200b，並藉由平坦化薄膜215覆蓋與保護。
平坦化薄膜215可包含無機絕緣薄膜及/或有機絕緣薄膜。無機絕緣薄膜可包含SiO2
、SiNx、SiON、Al2
O3
、TiO2
、Ta2
O5
、HfO2
、ZrO2
、鈦酸鋇鍶(BST)、或鈦酸鉛鋯(PZT)，但不限於此。有機絕緣薄膜可包含通用聚合物，像是聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)及聚苯乙烯(PS)，具有苯酚類基團之聚合物衍生物、丙烯酸類聚合物、醯亞胺類聚合物、芳基醚類聚合物、醯胺類聚合物、氟類聚合物、對二甲苯類聚合物、乙烯醇類聚合物或其混合物，但不限於此。此外，平坦化薄膜215可包含無機絕緣薄膜與有機絕緣薄膜之堆疊。
像素區域220b形成於平坦化薄膜215上。像素區域220b可包含像素電極231、中間層232及共用電極233。
像素電極231形成於平坦化薄膜215上，且透過形成於平坦化薄膜215中之接觸孔230電性連接至源極與汲極電極223。
像素電極231可為反射性的。像素電極231可包含反射薄膜及透明或半透明電極層。反射薄膜可由銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻或其化合物形成。透明或半透明電極層可形成於反射薄膜上。透明或半透明電極層可包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2
O3
)、氧化銦鎵(IGO)或氧化鋁鋅(AZO)，但不限於此。
面向像素電極231之共用電極233可為透明或半透明電極，且可由具小功函數之金屬薄膜形成。共用電極233可包含鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣、氟化鋰/鋁、鋁、銀、鎂、或這些材料之化合物。同時，由透明電極金屬，像是ITO、IZO、ZnO、或In2
O3
形成之匯流電極或輔助電極，可更進一步在金屬薄膜上形成。
因此，共用電極233傳輸由包含於中間層232中之有機發光層(未顯示)所發出之光。舉例來說，從有機發光層(未顯示)發射之光可直接地或藉由從反射性之像素電極231反射而發射至共用電極233。
然而，本實施例之有機發光顯示設備10不限於頂部發射型顯示設備，且可為從有機發光層(未顯示)發射之光發射至基板100之底部發射型顯示設備。在此情況下，像素電極231為透明或半透明，且共同電極233係反射性的。同時，有機發光顯示設備10可為光線同時於頂部表面與底部表面方向發出之雙面發光型顯示設備。
像素定義薄膜216可由絕緣材料形成於像素電極231上。像素定義薄膜216可使用像是旋轉塗佈法以包含聚醯亞胺、聚醯胺、丙烯酸樹脂、苯並環丁烯、以及苯酚樹脂之有機絕緣材料之至少其中之一形成，但不限於此。像素定義薄膜216露出像素電極231之預定區域，且包含有機發光層(未顯示)之中間層232係設置於露出區域中。
包含於中間層232之有機發光層(未顯示)可由低分子量有機材料或聚合物有機材料形成。中間層232除有機發光層(未顯示)外可更進一步包含功能層，像是電洞傳輸層(HTL)、電洞注入層(HIL)、電子傳輸層(ETL)、及電子注入層(EIL)。
封裝層300形成以完全地覆蓋顯示單元200，從而防止外部濕氣或氧氣滲入至顯示單元200。
封裝層300可由低溫黏性轉變(LVT)無機材料形成。於此，黏性轉變溫度指低溫黏性轉變(LVT)無機材料變成有黏性的最低溫度。最低溫度可能低於包含於有機發光裝置中之材料之變質溫度。
舉例來說，低溫黏性轉變無機材料可為玻璃化轉變溫度可為約200°C或更低之低溫液態溫度(LLT)材料。舉例來說，低溫液態溫度材料可包含錫氟磷酸玻璃、琉屬玻璃、亞碲酸鹽玻璃、硼酸鹽玻璃、及磷酸鹽玻璃之至少其中之一。
舉例來說，錫氟磷酸玻璃可包含約20wt%至約80wt%之錫(Sn)、約2wt%至約20wt%之磷(P)、約3wt%至約20wt%之氧(O)、以及約10wt%至約36wt%之氟(F)，但此組合物不限於此。上述玻璃材料可更包含鎢(W)。加入鎢可導致更穩定且均勻之玻璃，因此可更增加封裝層300之化學穩定性。
此外，低溫黏性轉變無機材料可包含氧化錫(例如，SnO或SnO2
)。舉例來說，當低溫黏性轉變無機材料包含SnO時，SnO的含量可為約20wt%至約100wt%。
包含氧化錫之低溫黏性轉變無機材料可包含一個或多個氧化磷(例如，P2
O5
)、磷酸硼(BPO4
)、氟化錫(例如，SnF2
)、氧化鈮(例如，NbO)、氧化鎢(例如，WO3
)，但不限於此。
舉例來說，低溫黏性轉變無機材料可包含SnO；SnO與P2
O5
之混合物；SnO與BPO4
之混合物；SnO、SnF2
與P2
O5
之混合物；SnO、SnF2
、P2
O5
與NbO之混合物；或SnO、SnF2
、P2
O5
與WO3
之混合物，但不限於此。
此外，低溫黏性轉變無機材料可具有如下之成分：1) SnO(100wt%)；2) SnO(80wt%)及P2
O5
(20wt%)；3) SnO(90wt%)及BPO4
(10wt%)；4) SnO(20wt%-50wt%)、SnF2
(30wt%-60wt%)及P2
O5
(10wt%-30wt%)(其中SnO、SnF2
及P2
O5
之總重量為100 wt%)；5) SnO(20wt%-50wt%)、SnF2
(30wt%-60wt%)、P2
O5
(10wt%-30wt%)及NbO (1wt%-5wt%) (其中SnO、SnF2
、P2
O5
及NbO之總重量為100 wt%)；或6)SnO(20wt%-50wt%)、SnF2
(30wt%-60wt%)、P2
O5
(10wt%-30wt%)及WO3
(1wt%-5wt%) (其中SnO、SnF2
、P2
O5
及WO3
之總重量為100 wt%)，但不限於此。
封裝層300可能具有從粒子P產生且擴大之裂縫。物理力可集中於粒子P上，因此封裝層300對於從外力施加之物理壓力而言係脆弱的。
舉例來說，當上部薄膜500堆疊於封裝層300上以形成觸控面板時，封裝層300可能藉由附著上部薄膜500至封裝層300所施加的物理力而破裂。
參照第3圖，由於外部力集中在粒子P上，即使粒子P非常小，位於封裝層300上之粒子P可能造成在封裝層300上之裂紋。因此，外部濕氣或氧氣透過裂紋滲入，從而降低顯示單元200之光發射特性。舉例來說，暗點或像素收縮可能發生在有機發光顯示設備10上。
參照第1圖，保護層400形成於封裝層300上以防止裂紋由於從外部施加之物理力而產生在封裝層300中。保護層400覆蓋外來粒子以平坦化封裝層300之上部表面，從而避免壓力集中在位於封裝層300上之外來粒子。
此外，保護層400可提高與用於形成觸控面板之上部薄膜500之結合力，因此使其容易進行後續步驟。
保護層400可由有彈性與黏性的材料形成。保護層400可由矽類光固化或熱固化樹脂形成。舉例來說，保護層400可由包含交聯矽氧烷之矽類樹脂形成，其包含聚甲基三氟丙基矽氧烷(polymethyltrifluoropropyl siloxane)或聚甲基乙烯基矽氧烷(polymethylvinyl-siloxane)，但不限於此。
保護層400可形成為約1 μm至約20 μm之厚度，例如，約3μm至約10 μm。具有小於約1 μm之厚度之保護層400可能不足以覆蓋位於封裝層300之上之粒子P。另一方面，具有大於約20 μm之厚度之保護層400可能使有機發光顯示設備10缺乏可撓性。因此，保護層400可形成為約1 μm至約20 μm之厚度。此外，保護層400可形成為約3 μm至約10 μm之厚度，以更可靠地覆蓋粒子P且使有機發光顯示設備10變薄。
上部薄膜500堆疊於保護層400上。例如，上部薄膜500可包含構成觸控面板之薄膜。然而，本發明之例示性實施例並不限於此，且上部薄膜500可包含透明黏著膜或用於附著觸控面板之光學薄膜。
第4圖至第6圖係為描繪根據本發明之例示性實施例製造有機發光顯示設備之方法之示意性剖面圖。
在下文中，根據本發明之例示性實施例之製造有機發光顯示設備之方法將參照第4圖至第6圖作描述。首先，如第4圖所示，顯示單元200形成於基板100上。顯示單元200基本上與參照第2圖所述者相同且可使用各種已知的製造方法。其詳細說明在此省略。
然後，如第5圖所示，封裝層300形成以覆蓋顯示單元200。
如上所述，封裝層300可由低溫黏性轉變無機材料形成以防止外部氧氣或濕氣滲入。封裝層300可由沉積低溫黏性轉變無機材料之初步層(未顯示)並於其上執行修復過程而形成。沉積低溫黏性轉變無機材料之初步層可使用濺鍍法、真空沉積法、低溫沉積法、電子束鍍法(electron beam coating method)或離子電鍍法進行。
舉例來說，低溫黏性轉變無機材料之初步層(未顯示)可使用濺鍍方法形成。濺鍍法可使用雙旋轉靶材或表面靶材。以雙旋靶材來說，濺鍍法可使用約12千瓦及0.4帕之氬(Ar)等離子來進行，以及以表面靶材來說，濺鍍法可使用約1千瓦至12千瓦及約0.10帕至約1.5帕之氬等離子來進行。低溫黏性轉變無機材料之初步層(未顯示)之所需厚度可由重複預定數量的掃描操作來獲得。此外，壓力及功率條件可根據掃描操作的預定數量而有所不同。
低溫黏性轉變無機材料之初步層(未顯示)可包含像是小孔的缺陷，且此缺陷可為濕氣或氧氣之滲入通道。此缺陷可透過修復過程移除。
在修復過程中，低溫黏性轉變無機材料之初步層(未顯示)經歷在大致上等於或高於低溫黏性轉變無機材料之黏度轉變溫度的溫度下進行之熱處理。低溫黏性轉變無機材料之初步層在大約低溫黏性轉變無機材料之黏度轉變溫度至大約包含在有機發光裝置之材料的變質溫度的溫度範圍內形成。
修復過程可用來除去低溫黏性轉變無機材料之初步層之小孔，從而防止有機發光顯示裝置透過低溫黏性轉變無機材料之初步層(未顯示)之小孔曝露於外部。修復過程可在真空環境或在惰性氣體(例如，N2
氣體或Ar氣體)下使用紅外線烘箱進行，或可在約500ppm或更少之H2
O或O2
下使用紅外線烘箱進行。為防止包含於有機發光裝置中之材料變質，修復過程可在約120°C或更低，例如約110°C或更低的溫度下進行。
在修復過程中，低溫黏性轉變無機材料係流體化然後再固化。因此，可除去像是小孔的缺陷，從而可形成緊密的封裝層300。
然後，如第6圖所示，形成保護層400，且上部薄膜500係附著於保護層400上。
保護層400可為有彈性及黏性的。保護層400可使用印刷法、旋轉塗佈法或急速蒸發法藉由沉積矽類光固化或熱固化樹脂，然後進行光學或熱固化過程於其上而形成。為此，用於形成保護層400之光學或熱固化樹脂可包含硬化劑。在固化過程中，釋氣固化劑可氧化第2圖之共用電極233，從而在有機發光裝置上造成暗點。為了將釋氣減至最低，硬化劑可有高的硬化率。舉例來說，硬化劑可為具有硬化率約90%或更多之矽類或丙烯酸酯類硬化劑。
保護層400覆蓋封裝層300之堅硬表面，從而防止通過從外部施加的物理力在封裝層300產生裂紋。此外，當有外來物質在封裝層300上時，保護層400覆蓋外來物質以平坦化封裝層300之頂部表面，從而防止降低封裝層300之屏障特性。
上部薄膜500堆疊於保護層400上。舉例來說，上部薄膜500可包含構成觸控面板之薄膜。此外，上部薄膜500可包含透明黏著薄膜或用於附著觸控面板之光學薄膜。
當上部薄膜500包含構成觸控面板之薄膜時，即使當在使用有機發光顯示設備的過程中外力不斷地施加，保護層400可防止封裝層300透過外力而破裂，從而增加有機發光顯示設備10之可靠性。
第7圖係為描繪根據本發明之例示性實施例之有機發光顯示設備之剖面圖。
參照第7圖，有機發光顯示設備20包含基板100、形成於基板100上之顯示單元200、密封顯示單元200之封裝層300、形成於封裝層300上之保護層400、保護層400上之強化層410，以及強化層410上之上部薄膜500。
基板100、顯示單元200、封裝層300，及保護層400大致上與第1圖及第2圖所示相同，因此其詳細描述在此將省略。
封裝層300可由抗濕氣/氧氣之低溫黏性轉變無機材料形成。然而，封裝層300由於其剛性而易受外力損害，且可能在附著上部薄膜500的過程中產生損壞。
保護層400可形成於封裝層300上以防止當從外部施加物理力時在封裝層300上發生之損壞。此外，當有外來粒子坐落在封裝層300上時，保護層400可覆蓋外來物質以平坦化封裝層300之頂部表面。保護層400可由矽類光固化或熱固化樹脂形成。樹脂可為有彈性及黏性的。強化層410可進一步形成於保護層400上。強化層410可吸收外部的衝擊。強化層410可由環氧類或丙烯酸酯類光固化或熱固化樹脂形成。樹脂可為有黏性的。舉例來說，環氧類固化樹脂可包含雙酚A、酚醛清漆(novolac)、以及雙酚F之至少其中之一，以及丙烯酸酯類固化樹脂可包含聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸乙酯丙烯酸酯、以及環氧丙烯酸酯之至少其中之一。然而，本發明之例示性實施例並不限於此。
當強化層410更進一步形成於保護層400上時，可防止外力所導致之封裝層300之損壞，可增加與形成於其上之上部薄膜500之黏著性。
第7圖之有機發光顯示設備20可在參照第4圖至第6圖所述之有機發光顯示設備10之製造方法中，藉由增加形成強化層410於保護層400上之步驟而製造。強化層410可使用印刷法或旋轉塗佈法藉由塗佈環氧類或丙烯酸酯類樹脂，然後進行光學或熱固化步驟於其上而形成。
第8圖係為描繪根據本發明之例示性實施例之有機發光顯示設備之剖面圖。
參照第8圖，有機發光顯示設備30包含基板100、形成於基板100上之顯示單元200、密封顯示單元200之封裝層300、形成於封裝層300上之保護層400、保護層400上之強化層410、強化層410上之上部薄膜500，以及封裝層300與保護層400之間之接合層420。舉例來說，第8圖之有機發光顯示設備30與第7圖之有機發光顯示設備20相比更進一步包含接合層420
接合層420可具有接合力，其用於補償留在封裝層300之表面上之像是裂紋的缺陷，以及可減少與封裝層300之厚度成比例增加之封裝層300之薄膜壓力。接合層420可由丙烯酸酯類光固化或熱固化樹脂形成。
第8圖之有機發光顯示設備30可在參照第4圖至第6圖所述之有機發光顯示設備10之製造方法中，藉由增加按順序地形成接合層420、保護層400、以及於保護層400上之強化層410之步驟而製造。強化層420可進行印刷法或旋轉塗佈法藉由塗佈環氧類或丙烯酸酯類樹脂，然後進行光學或熱固化步驟於其上而形成。用於形成接合層420之光固化或熱固化樹脂可包含具有硬化率約90%或更多之硬化劑以把釋氣量減至最低。
此外，在第8圖之有機發光顯示設備30中，強化層410可被省略。舉例來說，有機發光顯示設備30不限於上述例示性實施例，且可包含封裝層300上之接合層420及保護層400而無強化層410。
如上所述，封裝層可由抗濕氣/氧氣低溫黏性轉變無機材料形成。
此外，由於保護層形成於封裝層上，所以可防止封裝層之損壞，因此可增加有機發光顯示設備之可靠性。
雖然本發明已參考其例示性實施例而顯示和描述，但本技術領域的通常技術人員將理解，在未脫離下述申請專利範圍定義之本發明的精神與範疇的情況下，可在其中進行形式和細節上的各種改變。
10、20、30‧‧‧有機發光顯示設備
100‧‧‧基板
200‧‧‧顯示單元
200a‧‧‧薄膜電晶體層
200b‧‧‧像素部分
212‧‧‧緩衝層
213‧‧‧閘極絕緣膜
214‧‧‧層間絕緣膜
215‧‧‧平坦化薄膜
216‧‧‧像素定義薄膜
221‧‧‧主動層
222‧‧‧閘極電極
223‧‧‧源極與汲極電極
230‧‧‧接觸孔
231‧‧‧像素電極
232‧‧‧中間層
233‧‧‧共用電極
300‧‧‧封裝層
400‧‧‧保護層
410‧‧‧強化層
420‧‧‧接合層
500‧‧‧上部薄膜
P‧‧‧粒子
100‧‧‧基板
200‧‧‧顯示單元
200a‧‧‧薄膜電晶體層
200b‧‧‧像素部分
212‧‧‧緩衝層
213‧‧‧閘極絕緣膜
214‧‧‧層間絕緣膜
215‧‧‧平坦化薄膜
216‧‧‧像素定義薄膜
221‧‧‧主動層
222‧‧‧閘極電極
223‧‧‧源極與汲極電極
230‧‧‧接觸孔
231‧‧‧像素電極
232‧‧‧中間層
233‧‧‧共用電極
300‧‧‧封裝層
400‧‧‧保護層
410‧‧‧強化層
420‧‧‧接合層
500‧‧‧上部薄膜
P‧‧‧粒子
本發明之這些與其他特徵藉由參考附圖詳細的描述例示性實施例，將變得更顯而易見，其中：
第1圖係為根據本發明之例示性實施例之有機發光顯示設備之剖面圖；
第2圖係為根據本發明之例示性實施例之顯示單元之剖面圖；
第3圖係為描繪針對本發明之例示性實施例之比較例之剖面圖；
第4圖至第6圖係為描繪根據本發明之例示性實施例製造有機發光顯示設備之方法之剖面圖；
第7圖係為描繪根據本發明之例示性實施例之有機發光顯示設備之剖面圖；以及
第8圖係為描繪根據本發明之例示性實施例之有機發光顯示設備之剖面圖。
10‧‧‧有機發光顯示設備
100‧‧‧基板
200‧‧‧顯示單元
300‧‧‧封裝層
400‧‧‧保護層
500‧‧‧上部薄膜
P‧‧‧粒子
Claims (10)
- 一種有機發光顯示設備，其包含： 一基板； 一顯示單元，形成於該基板上； 一封裝層，覆蓋該顯示單元；以及 一保護層，形成於該封裝層上，其中 該封裝層係由低溫黏性轉變(LVT)無機材料形成，以及 該保護層係由彈性、黏著材料形成，以保護該封裝層免受外力傷害。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該保護層係由矽類光固化或熱固性樹脂形成。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該保護層具有約1μm至約20μm之厚度。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該保護層具有約3μm至約10μm之厚度。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該封裝層包含氧化錫。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該封裝層包含錫氟磷酸玻璃、琉屬玻璃、亞碲酸鹽玻璃、硼酸鹽玻璃、及磷酸鹽玻璃之至少其中之一。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，更包含於該保護層上之一強化層。
- 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示設備，其中該強化層包含雙酚A、酚醛清漆、雙酚F、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸乙酯丙烯酸酯、以及環氧丙烯酸酯之至少其中之一。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，更包含插入於該封裝層與該保護層之間之一接合層。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，更包含形成於該保護層上之一上部薄膜。
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