CN104347666B - 制造有机发光显示设备的方法 - Google Patents
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Abstract
一种制造有机发光显示设备的方法，包括：在基板上提供有机发光部分；在所述基板上提供包括第一低温粘度转变(LVT)无机材料的第一无机层，以覆盖所述有机发光部分；和使用氟类材料将氟化物加入所述第一无机层中，以使所述第一无机层转变成包括包括第二低温粘度转变无机材料的第二无机层。
Description
本申请要求2013年7月25日申请的韩国专利申请10-2013-0088175的优先权，及根据35U.S.C.§119法条所规定的所有权益，其全部内容通过引用而合并于此。
技术领域
本发明的一个或多个示例性实施方式涉及制造有机发光显示设备的方法。
背景技术
有机发光显示设备为包括有机发光器件的自发光型的显示设备，所述有机发光器件包括空穴注入电极、电子注入电极及空穴注入电极和电子注入电极之间的有机发光层，并且当从空穴注入电极注出的空穴和从电子注入电极注出的电子在有机发光层中结合时产生激子，当激子从激发态落到基态时的发光。
作为自发光型显示设备的有机发光显示设备不包括单独的光源，以使可在低压驱动所述有机发光显示设备，并可具有轻的重量和薄的厚度。此外，所述有机发光显示设备通常具有高级的特性，例如宽视角、高对比度、快响应速度等。
在所述有机发光器件中，通常提供用于密封所述有机发光器件免受外部环境，例如氧气、湿气等损害的密封结构。
发明内容
本发明的一个或多个示例性实施方式包括制造具有改善的密封特性和简单的密封过程的有机发光显示设备的方法。
其他的特性将在下面的具体实施方式中部分阐述并且将部分地从本公开中变得明显，或者可以通过所描述的实施方式的实践来领会。
根据本发明的一个或多个示例性实施方式，制造有机发光显示设备的方法包括：在基板上提供有机发光部分；在所述基板上提供包括第一低温粘度转变(“LVT”)无机材料的第一无机层，以覆盖所述有机发光部分；使用氟类材料将氟化物加入所述第一无机层中，以使所述第一无机层转变成包括第二低温粘度转变无机材料的第二无机层。
在示例性实施方式中，所述将氟化物加入所述第一无机层中可包括使用等离子体加工过程。
在示例性实施方式中，所述将氟化物加入所述第一无机层中可包括使用离子注入过程。
在示例性实施方式中，所述氟类材料可包括氟化硫(SF6)、氟化碳(CF4)或它们的组合。
在示例性实施方式中，所述第一LVT无机材料可包括锡氧化物。
在示例性实施方式中，所述第一LVT无机材料可包括锡氧化物(SnO)，并可进一步包括磷氧化物(P2O5)、磷酸硼(BPO4)、铌氧化物(NbO)、氧化锌(ZnO)、氧化钛(TiO2)、钨氧化物(WO3)或它们的组合。
在示例性实施方式中，所述第二LVT无机材料的粘度转变温度可低于所述第一LVT无机材料的粘度转变温度。
在示例性实施方式中，所述第一无机层可包括磷酸锡玻璃(SnO-P2O5)。
在示例性实施方式中，所述第二无机层可包括磷酸氟化锡玻璃(SnO-P2O5-SnF2)。
在示例性实施方式中，所述基板可为柔性基板。
根据本发明的一个或多个示例性实施方式，制造有机发光显示设备的方法包括：在基板上提供有机发光部分；在所述基板上提供包括第一LVT无机材料的第一无机层，以覆盖所述有机发光部分；使用氟类材料将氟化物加入所述第一无机层中，以使所述第一无机层转变成包括第二LVT无机材料的第二无机层；和通过在等于或高于所述第二LVT无机材料的粘度转变温度的预定温度下热处理所述第二无机层而在所述第二无机层上进行修复操作，以使所述第二无机层转变成第三无机层。
在示例性实施方式中，可通过将氟化物掺杂到所述第一LVT无机材料中或通过氟化物取代部分所述第一LVT转变无机材料而形成所述第二LVT转变无机材料。
在示例性实施方式中，所述预定温度可低于所述有机发光部分的材料的变性温度。
在示例性实施方式中，可在真空气氛或惰性气体气氛下进行所述修复操作。
在示例性实施方式中，所述第一LVT转变无机材料可包括磷酸锡玻璃(SnO-P2O5)。
在示例性实施方式中，所述第三无机层可包括磷酸氟化锡玻璃(SnO-P2O5-SnF2)。
在示例性实施方式中，所述将氟化物加入所述第一无机层中可包括使用等离子体加工过程。
在示例性实施方式中，所述第二LVT无机材料的粘度转变温度可低于所述第一LVT无机材料的粘度转变温度。
在示例性实施方式中，所述第二LVT无机材料的粘度转变温度可低于所述有机发光部分中所包括的材料的变性温度。
在示例性实施方式中，所述有机发光部分可包括多个有机发光器件，其中，每个所述有机发光器件都包括第一电极、第二电极和布置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机发光层。
附图说明
通过参照附图详细说明示例性实施方式，上述和其它特征将变得显而易见，其中：
图1至5B为阐明根据本发明的制造有机发光显示设备的方法的示例性实施方式的示意性截面视图；和
图6为图5中的部分I的放大的截面视图。
具体实施方式
将参照其中显示本发明的示例性实施方式的附图更全面地说明本发明。但这些示例性实施方式可以多种不同形式体现，且不应被理解为仅限于此处所述实施方式。更而且，提供以下实施方式以使本公开全面且完整，并将本发明的范围充分告知本领域技术人员。全文中相同的附图标记均指代相同的元件。
应理解的是当称一个元件或层在另一个元件或层“上”，或者“连接至”或“结合到”另一个元件或层时，所述元件或层可直接在所述其它元件或层上，或直接连接或结合到所述其它元件或层，或者可存在中间元件或层。相反，当称一个元件直接在另一个元件或层“上”，或者“直接连接至”或“直接结合到”另一个元件或层时，不存在中间元件或层。相似的数字表示相似的元件。如此处所用，术语“和/或”包括一个或多个相关列出项目的任意和全部组合。
应理解，虽然这里可使用术语第一、第二、第三等描述各个元件、部件、区域、层和/或部分，这些元件、部件、区域、层、图案和/或部分不应限于这些术语。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一区域、层或部分区分开来。因此，下面说明的第一元件、部件、区域、层或部分可被称为第二元件、部件、区域、层或部分，而不背离本发明的教导。
如图中所阐述的，为了易于说明一个元件或特征与另一元件或特征的关系，可使用空间相关术语，例如“下方”、“下面”、“下部”、“上面”、“上部”等。应理解，除了图中所绘的取向，空间相关术语旨在涵盖使用或操作中的装置的不同的取向。例如，如果翻转图中的装置，说明为在其它元件或特征“下面”或“下部”的元件则取向为其它元件或特征的“上面”。因此，示例性术语“下面”可涵盖上面和下面两种取向。所述装置可另外取向(旋转90度或其它方向)，并相应地解释文中使用的空间相对说明。
文中使用的术语仅为说明特定示例性实施方式的目的，而不旨在限制本发明的范围。如文中使用，单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“所述(the)”也旨在包括复数形式，除非上下文另外清楚地表明。将进一步理解，当术语“包括(includes)”和/或“包括(including)”用在说明书中时，指定了所述特征、整件、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其它特征、整件、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组的存在或增加。
考虑到有问题的测量和与具体值的测量相关的误差(即测量体系的局限性)，文中使用的“约”或“大致”包括所述的值，并指在本领域普通技术人员确定的针对具体的值偏差的可接受范围内。例如，“约”可指在一个或多个标准方差内或在所述值的±30%、20%、10%、5%之内。
除非另外定义，文中使用的全部术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属的本领域普通技术人员通常理解的相同的意思。应进一步理解，除非文中明确定义，例如常用的词典所定义的那些术语应被解释为具有与在现有技术的语境中它们的意思一致的意思，不应理想化或过于正式地解释。
文中参照示意性说明本发明的理想化的实施方式的横截面的描述(中间结构)，描述本发明的实施方式。因此，作为例如制造技术和/公差的结果，预期偏离说明的形状的变化。因此，本发明的实施方式不应解释为限于这里说明的区域的具体形状，而是包括由例如制造产生的形状的变化。例如，描述或说明为平的区域通常可具有粗糙的和/或非线性特征。此外，描述的锐角可为圆形的。因此，图中说明的区域在性质上为示意性，并且它们的形状不旨在限制文中说明的权利要求的范围。
除非另外表示，或被语境另外清楚地表明，可以合适的顺序执行文中说明的全部方法。任何和全部实施例，或示例性语言(例如“譬如”)的使用，旨在仅用于更好地描述本发明，并不造成对本发明的范围的限制，除非另外要求。如文中使用，说明书中语言不应解释表示对本发明的实践必要的未要求保护的任何元件。
下文，将参照附图进一步详细地说明本发明的示例性实施方式。
图1、2A、和3至图5A为阐明根据本发明的制造有机发光显示设备10的方法的示例性实施方式的示意性截面视图，并且图6为图5的部分I的放大的截面视图。图2B和图5B分别为图2A的部分A和图5B的部分B的放大的视图。
参照图1，在制造有机发光显示设备的方法的示例性实施方式中，提供了，例如在基板11上形成的有机发光部分13。
在一个示例性实施方式中，例如，基板11可为玻璃材料基板，但不限于此。在备选的示例性实施方式中，基板11可包括金属或塑料。在该实施方式中，基板11可为可弯曲的柔性基板。
有机发光部分13用于显示图像。如图6显示，在示例性实施方式中，有机发光部分13包括具有其中第一电极221、有机发光层220和第二电极222依次堆叠在基板11上的结构的有机发光器件OLED。在该实施方式中，有机发光部分13可包括多个有机发光器件OLED。后面将参照图6更详细地说明有机发光部分13。
参照图2A和图2B，提供了，例如形成在有机发光部分13和基板11上的第一无机层16a。第一无机层16a基本完全覆盖有机发光部分13，以使有机发光部分13被第一无机层16a和基板11密封。第一无机层16a包括第一低温粘度转变(“LVT”)无机材料。文中，LVT无机材料是指具有低的粘度转变温度的无机材料。
将理解，如文中使用的“粘度转变温度”不表示LVT无机材料的粘度完全从“固体”转变成“液体”的温度，而是表示为LVT无机材料提供流动性的最低温度。
如下面描述，可通过在液化后固化而形成LVT无机材料，并且LVT无机材料的粘度转变温度可低于有机发光部分13中所包括的材料的变性温度。
将理解，文中使用的“有机发光部分13中所包括的材料的变性温度”表示有机发光部分13中包括的材料的化学和/或物理变性温度。例如，“有机发光部分13中所包括的材料的变性温度”可表示包括在有机发光部分13的有机发光层220中的有机材料的玻璃化转变温度Tg。可通过例如使用热重量分析(“TGA”)或差示扫描量热法(“DSC”)，如TGA或DSC预定条件下使用TGA或DSC对有机发光部分13中所包括的材料进行热分析的结果而获得玻璃化转变温度Tg，并可易于被本领域普通技术人员识别，所述预定条件例如为N2气氛、一定温段(对于TGA为正常温度至约600℃(10℃/分钟)，对于DSC为正常温度至约400℃)、托盘类型(在TGA中为一次性铝(Al)托盘中的铂(Pt)托盘，在DSC中为一次性Al托盘)。
有机发光部分13中包括的材料的变性温度可超过，例如约130℃，但不限于此。如上述，可通过对例如有机发光部分13中所包括的材料进行TGA分析容易地测量有机发光部分13中所包括的材料的变性温度。
根据本发明的一个或多个示例性实施方式，第一LVT无机材料的粘度转变温度可等于或高于约80℃，例如可在约80℃至约130℃的范围内，但不限于此。在一个示例性实施方式中，例如，对于第一LVT无机材料的粘度转变温度可在约80℃至约120℃的范围内，但不限于此。
在示例性实施方式中，第一LVT无机材料可包括单个化合物或多个化合物的组合(例如混合物)。
在示例性实施方式中，第一LVT无机材料可包括锡氧化物(例如SnO或SnO2)。
在示例性实施方式中，当第一LVT无机材料可包括SnO时，基于第一LVT无机材料的总重量，SnO含量可在约20重量百分比(wt%)至约100wt%的范围内。
在一个示例性实施方式中，例如，第一LVT无机材料可进一步包括磷氧化物(例如P2O5)、磷酸硼(BPO4)、氟化锡(例如SnF2)、铌氧化物(例如NbO)、钨氧化物(例如WO3)、氧化锌(例如ZnO)、氧化钛(例如TiO2)或它们的组合，但是不限于此。根据本发明的一个或多个示例性实施方式，所述第一LVT无机材料可包括磷酸锡玻璃(SnO-P2O5)。
在一个示例性实施方式中，例如，第一LVT无机材料可包括：SnO；SnO和P2O5；SnO和BPO4；SnO、P2O5和NbO；或SnO、P2O5和WO3，但不限于此。
在一个示例性实施方式中，例如，第一LVT无机材料可包括组合物，所述组合物包括SnO(约100wt%)、SnO(约80wt%)和P2O5(约20wt%)的混合物或SnO(约90wt%)和BPO4(约10wt%)的混合物，但不限于此。这里，wt%基于第一LVT无机材料的总重量。
在一个示例性实施方式中，第一无机层16a的厚度可在约1微米(μm)至约30μm的范围内。在一个示例性实施方式中，例如，第一无机层16a的厚度可在约1μm至约5μm的范围内。在该实施方式中，当第一无机层16a的厚度满足约1μm至约5μm时，有机发光显示设备可为具有弯曲特性的柔性有机发光显示设备。
在一个示例性实施方式中，可通过电阻加热气相沉积、溅射。真空气相沉积、低温气相沉积、电子束涂布、离子电镀或它们的组合形成第一无机层16a。
根据本发明的一个或多个示例性实施方式，可通过等离子体化学气相沉积(“PCVD”)或等离子体离子辅助沉积(“PIAD”)形成第一无机层16a。根据本发明的一个或多个示例性实施方式，可通过以使用直流电(“DC”)脉冲能源的双旋转靶方法或面对靶的方法在有机发光部分13上溅射LVT无机材料以提供第一无机层16a。在示例性实施方式中，可使用等离子体以真空沉积方法或大气沉积方法产生第一无机层16a。
根据本发明的一个或多个示例性实施方式，当形成第一无机层16a时，可使用在移动基板11的同时扫描的方法。根据本发明的一个或多个示例性实施方式，当沉积第一无机层16a时，可通过调节氧气注入容量而改变LVT材料的组成。
在该实施方式中，如图2B显示，第一无机层16a可包括缺陷，例如LVT无机材料沉积成分162和针孔161。LVT无机材料沉积成分162表示其中凝聚了未有助于LVT无机材料的沉积的LVT无机材料的颗粒，并且小孔161表示其中没有LVT无机材料的空的区域。LVT无机材料沉积元素162的存在可有助于小孔161的存在。
参照图3和图4，通过例如将氟化物掺杂到第一无机层16a中而提供第二无机层16b。
在示例性实施方式中，将图3中显示的其上包括有第一无机层16a的基板11插入等离子体室，其中氟类材料为等离子体状态，然后可进行等离子体氟化过程。在该实施方式中，氟化物以氟原子(F)、氟离子(F+或F-)、或亚稳态的氟原子(F*)存在。根据本发明的一个或多个示例性实施方式，氟类材料可包括氟化硫(SF6)和氟化碳(CF4)的至少一种。在一个示例性实施方式中，例如，氟类材料可包括SF6、CF4或它们的组合。根据本发明的一个或多个示例性实施方式，氟类材料可与惰性气体，例如氩(Ar)一起使用。
在备选的示例性实施方式中，可进行将氟离子注入第一无机层16a中的离子注入过程。
在其中基板11为柔性基板的示例性实施方式中，可以卷对卷过程进行该氟化物处理过程。
在该过程中，第一无机层16a的小孔161可提供使氟化物大幅地深深浸润在第一无机层16a中的路径。因此，包括在第一无机层16a中的第一LVT无机材料可转变成包括氟化物的第二LVT无机材料。在该实施方式中，第二LVT无机材料可为氟化物掺杂或氟化物取代的，即通过将氟化物掺杂至第一LVT无机材料中或通过用氟化物取代部分第一LVT无机材料而形成第二LVT无机材料。在该实施方式中，第二LVT无机材料可形成为参照用氟化物进一步掺杂的第一LVT无机材料所说明的组合物。根据本发明的一个或多个实施方式，第二无机层16b可包括磷酸氟化锡玻璃(SnO-P2O5-SnF2)。
在一个示例性实施方式中，例如，第二LVT无机材料可包括：SnO和SnF2的混合物；SnO、SnF2和P2O5的混合物；SnO、SnF2和BPO4的混合物；SnO、SnF2、P2O5和NbO的混合物；或SnO、SnF2、P2O5和WO3的混合物，但不限于此。
第二LVT无机材料的粘度转变温度可低于第一LVT无机材料的粘度转变温度。
通常，包括氟化物的LVT无机材料具有比无氟化物的LVT无机材料更低的粘度转变温度。当LVT无机材料的粘度转变温度低时，当用LVT无机材料密封有机发光部分13时，有机发光部分13可不被损坏。
因此，当在真空沉积方法，例如气相沉积、溅射等中形成包括氟化物的LVT无机材料时，如果在沉积中升高温度，由于具有低熔点的LVT无机材料的化合物，例如SnF2等首先熔化，可有效地进行均匀地沉积。
此外，当产生包括氟化物的用于LVT的无机材料的溅射靶时，可在高温进行烧结等工艺，从而熔化LVT无机材料的化合物，例如SnF2等。
在示例性实施方式中，可在等离子体氟化物处理过程中提供包括的氟化物的第二LVT无机材料，以便可简化产生包括氟化物的第二LVT无机材料的过程，并且可解决上述问题。
参照图5A，通过修复操作，例如通过热处理所述第二无机层16b而提供第三无机层16c。在备选的实施方式中，可省略修复操作。
在等于或高于包括在第二无机层16b中所包括的第二LVT无机材料的粘度转变温度的温度下进行修复操作。可在不损坏有机发光部分13的温度下进行修复操作。在一个示例性实施方式中，例如可通过在等于或高于第二LVT无机材料的粘度转变温度并低于有机发光部分13中所包括的材料的变性温度的温度下热处理第二无机层16b而进行修复操作。“第二LVT无机材料的粘度转变温度”可根据第二LVT无机材料的组成而变化，并且“有机发光部分13中所包括的材料的变性温度”可根据有机发光部分13中使用的材料而变化，但应理解，可易于从第二LVT无机材料的组成和用在有机发光部分13中的材料的组分而得出该温度。在一个示例性实施方式中，例如，可通过评估从有机发光部分所包括的材料的TGA结果所得出的有机材料的玻璃化转变温度Tg而得到该温度。
根据本发明的一个或多个示例性实施方式，可在约80℃至约130℃的温度范围内通过热处理所述第二无机层16b约1个小时至3个小时(例如在100℃下2个小时)而进行修复操作，但不限于此。当修复操作的温度在上述范围内时，第二无机层16b中所包括的第二LVT无机材料可而被液化，并且可有效防止有机发光部分13的变性。
根据本发明的一个或多个示例性实施方式，可在真空气氛或惰性气氛(例如N2气氛、Ar气氛等)在红外线(“IR”)烘箱中进行修复操作。
第二无机层16b仍可包括缺陷，例如沉积元素(未显示)和小孔(未显示)。
在修复操作中，可在第二无机层16b的小孔中填充液化的第二LVT无机材料，或者可液化所述沉积元素并填充在小孔中。在热处理后，当温度降低时，液化的第二LVT无机材料被再次转变成固相。
结果，如图5B显示，可有效地消除第二无机层16b的缺陷，从而提供具有精细的膜质量的第三无机层16c。
图6为图5的部分的放大的截面视图。
参照图6，有机发光显示设备10的示例性实施方式可包括基板11、缓冲层211、薄膜晶体管TR、有机发光器件OLED、像素限定层219和第三无机层16c。
在一个示例性实施方式中，例如，基板11可为玻璃材料基板，但不限于此。在替代的示例性实施方式，基板11可为金属或塑料基板。在示例性实施方式中，基板11可为可弯曲的柔性基板。
缓冲层211可有效地防止在基板11的上表面上的杂质离子的扩散，有效地防止湿气或外部空气(open air)的渗透，并有效地使它的表面平面化。根据本发明的一个或多个示例性实施方式，缓冲层211可包括：无机材料，例如硅氧化物、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛、氮化钛等；有机材料，例如聚酰亚胺、聚酯、亚克力等或它们的组合。在备选的示例性实施方式中，可省略缓冲层211。
薄膜晶体管TR可包括有源层212、栅极214、源极216和漏极217。栅绝缘层213被插入有源层212和栅极214之间，以使它们之间绝缘。
可在缓冲层211上提供有源层212。有源层212可包括：无机半导体，例如非晶硅或多晶硅；或有机半导体。根据本发明的一个或多个示例性实施方式，有源层212可包括氧化物半导体。在一个示例性实施方式中，例如，所述氧化物半导体可包括12族、13族或14族的金属元素，例如(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、镉(Cd)、锗(Ge)或铪(Hf)或它们的氧化物。
在缓冲层211上提供栅绝缘层213，并且栅绝缘层213覆盖有源层212，并在栅绝缘层213上提供栅极214。
在该实施方式中，可在栅绝缘层213上提供中间层绝缘层215，以覆盖栅极214，并且可在中间层绝缘层215上提供源极216和栅极217，源极216和栅极217通过相应的接触孔接触有源层212，所述接触孔穿过栅绝缘层213和中间层绝缘层215而形成。
在示例性实施方式中，薄膜晶体管TR的结构不限于具体的结构，而是可具有各自结构。在一个示例性实施方式中，如图6显示，例如，薄膜晶体管TR可具有顶栅结构。在备选的实施方式中，薄膜晶体管TR可具有底栅结构，其中栅极214布置在有源层212的下面。
可在有机发光显示设备10中与薄膜晶体管TR一起提供包括电容器的像素电路(未显示)。
在示例性实施方式中，可在中间绝缘层215上提供覆盖包括所述薄膜晶体管TR的像素电路的平面化层218。平面化层218可作用为去除水平差异，并使所述像素电路平面化，以增加其上提供的有机发光器件OLED的发光效率。
平面化层218可包括无机材料和/或有机材料。在一个示例性实施方式中，例如，平面化层218可包括光致抗蚀剂、丙烯醛基聚合物、聚酰亚胺类聚合物、聚酰胺类聚合物、硅氧烷类聚合物、包括光敏丙烯酸基的聚合物、酚醛清漆树脂、碱溶性树脂、硅氧化物、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅、铝(Al)、镁(Mg)、Zn、Hf、锆(Zr)、钛(Ti)、钽(Ta)、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化镁、氧化锌、氧化铪、氧化锆或它们的组合。
在平面化层218上布置有机发光器件OLED，并且所述有机发光器件OLED包括第一电极221、有机发光层220和第二电极222。像素限定层219被布置在平面化层218和第一电极221上，并限定有机发光显示设备10的像素区域和非像素区域。
有机发光层220可包括低分子有机材料或高分子有机材料。在示例性实施方式中，当有机发光层220包括低分子有机材料时，有机发光层220可包括可彼此堆叠的空穴注入层(“HIL”)、空穴传输层(“HTL”)、发光层(“EML”)、电子传输层(“ETL”)、电子注入层(“EIL”)等，每种可具有单层结构或例如多层结构的复合结构。可使用真空沉积方法提供所述低分子有机材料。在该实施方式中，可为每个红色(“R”)、绿色(“G”)和蓝色(“B”)的像素独立地提供EML，并且HIL、HTL、ETL、EIL等（为像素的共同的层）可共同或同时提供给R、G和B像素。
在示例性实施方式中，当有机发光层220包括高分子有机材料时，除了EML，有机发光层220可在基于EML的第一电极221的方向上仅包括HTL。在一个示例性实施方式中，例如，可使用聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(“PEDOT”)、聚苯胺(“PANI”)等以喷墨印刷或旋涂方法在第一电极221上提供HTL。在该实施方式中，高分子有机材料可为聚苯撑乙烯撑(“PPV”)类、聚芴类等，并可通过例如喷墨印刷、旋涂、使用激光的热转印等提供彩色图案，本领域技术人员可不需要过多的实验而确定它们的细节。
在示例性实施方式中，HIL可包括例如铜酞菁(“CuPc”)等的酞菁化合物或者例如4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(“m-MTDATA”)、1,3,5-三[4-(3-甲基苯基苯基氨基)苯基]苯(“m-MTDAPB”)等的星芒型胺(starburst-type amine)形成。
在备选的示例性实施方式中，HTL可包括N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-联苯基]-4,4'-二胺(“TPD”)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺(“α-NPD”)等。
在示例性实施方式中，可使用例如氟化锂(LiF)、氯化钠(NaCl)、氟化铯(CsF)、氧化锂(Li2O)、8-羟基喹啉合锂(Liq)等材料提供EIL。
在示例性实施方式中，可使用三(8-羟基喹啉)铝(“Alq3”)提供ETL。
在示例性实施方式中，EML可包括主体材料和掺杂材料。
在该实施方式中，EML的主体材料可包括例如Alq3、9,10-二(萘-2-基)蒽(“AND”)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(“TBADN”)、4,4'-双(2,2-二苯基-乙烯-1-基)-4,4'-二甲基苯(“DPVBi”)、4,4'-双(2,2-二苯基-乙烯-1-基)-4,4'-二甲基苯(“p-DMDPVBi”)、叔(9,9-二芳基芴)(“TDAF”)、2-(9,9'-螺二芴-2-基)-9,9'-螺二芴(“BSDF”)、2,7-双(9,9'-螺二芴-2-基)-9,9'-螺二芴(“TSDF”)、双(9,9-二芳基芴)(“BDAF”)、4,4'-双(2,2-二苯基-乙烯-1-基)-4,4'-二-(叔丁基)苯(“p-TDPVBi”)、1,3-双(咔唑-9-基)苯(“mCP”)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(“tCP”)、TcTa、4,4'-双(咔唑-9-基)联苯(“CBP”)、4,4'-双(9-咔唑基)-2,2'-二甲基联苯(“CBDP”)、4,4'-双(咔唑-9-基)-9,9-二甲基芴(“DMFL-CBP”)、4,4'-双(咔唑-9-基)-9,9-双(9-苯基-9H-咔唑)芴(“FL-4CBP”)、4,4'-双(咔唑-9-基)-9,9-二甲苯基芴(“DPFL-CBP”)、9,9-双(9-苯基-9H-咔唑)芴(“FL-2CBP”)等。
在该实施方式中，EML的掺杂材料可包括例如4,4'-双[4-(二-对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(“DPAVBi”)、9,10-二(萘-2-基)蒽(“AND”)、TBADN等。
第一电极221被布置在平面化层218上，并可通过由平面化层218限定的通孔208电连接至薄膜晶体管TR的漏极217。
在示例性实施方式中，第一电极221可作用为阳极，并且第二电极222可作用为阴极，但不限于此。在备选的示例性实施方式中，第一电极221可作用为阴极，并且第二电极222可作用为阳极。
在示例性实施方式中，当第一电极221作用为阳极时，第一电极221可包括具有大功函的氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(“ZnO”)、氧化铟(In2O3)等。在示例性实施方式中，其中有机发光显示设备10为在与基板11相反的方向显示图像的顶发光类型，第一电极221可进一步包括含有例如银(Ag)、镁(Mg)、Al、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、Li、镱(Yb)、钙(Ca)等的反射层。所述反射层可包括上述金属的组合。第一电极221可具有含有上述金属和/或合金的单层结构或多层结构。根据本发明的一个或多个示例性实施方式，第一电极221可包括作为反射电极的ITO/Ag/ITO结构。
在示例性实施方式中，当第二电极222作用为阴极时，第二电极222可包括例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li或Ca的金属。在示例性实施方式中，其中有机发光显示设备10为顶发光类型，第二电极222可为可透光的(photo-transmissible)。根据本发明的一个或多个示例性实施方式，第二电极222可包括透明导电氧化物，例如ITO、IZO、氧化锌锡(“ZTO”)、ZnO、In2O3等。
根据本发明的示例性实施方式，第二电极222可包括含Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg、Yb或它们的组合的薄膜。在一个示例性实施方式中，例如，第二电极222可形成在包括Mg:Ag、Ag:Yb和/或Ag的单层或多层结构中。在示例性实施方式中，为每个像素提供的第二电极222可彼此连接，以在全部的像素上施加共同的电压。
像素限定层219具有暴露第一电极221的孔，并限定有机发光器件OLED的像素区域和非像素区域。在该实施方式中，像素限定层219可具有多个对应于多个像素区域的开口。第一电极221、有机发光层220和第二电极222在像素限定层219的开口中依次堆叠，从而使有机发光层220发光。在该实施方式中，其中提供像素限定层219的部分基本为非像素区域，并且像素限定层219的开口基本为像素区域。
在包括多个开口的示例性实施方式中，有机发光显示设备10可包括多个对应于被所述开口限定的多个像素或像素区域的有机发光器件OLED。在该实施方式中，每个有机发光器件OLED可对应于多个像素中的每个像素，并且每个像素可显示红色、绿色、蓝色或白色。
在备选的示例性实施方式中，有机发光显示设备10可包括为了基本覆盖平面化层218的整个表面而提供的单个有机发光层220，而不考虑每个像素的位置。在该实施方式中，可通过垂直地堆叠或混合包括发射红光、绿光和蓝光或其它颜色的光的组合的材料的层而提供有机发光层220以发射白光。在该实施方式中，可进一步包括可将发射的白光转换成预定颜色的颜色转换层或滤色片。
保护层223可被布置在有机发光器件OLED和像素限定层219上，并可覆盖并保护有机发光器件OLED。保护层223可包括无机绝缘层和/或有机绝缘层。在该实施方式中，无机绝缘层可包括例如硅氧化物(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锆(ZrO2)、钛酸锶钡(“BST”)、锆钛酸铅(“PZT”)或它们的组合。在该实施方式中，有机绝缘层可包括常用的聚合物(例如聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)或聚苯乙烯(“PS”))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酰基聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的混合物。可通过各种气相沉积方法，例如等离子体增强化学气相沉积(“PECVD”)方法、大气压化学气相沉积(“APCVD”)方法、低压化学气相沉积(“LPCVD”)方法等沉积保护层223。
如上述，第三无机层16c被布置在有机发光器件OLED上，以有效防止外部氧气和湿气渗透所述有机发光器件OLED。在示例性实施方式中，第三无机层16c具有比第一无机层16a更低的LVT温度，并且从而当密封有机发光显示设备10时基本使有机发光器件OLED的变性最小化。
如文中使用，根据本发明的一个或多个示例性实施方式，制造有机发光显示设备的方法可包括在密封有机发光部分的过程中，将氟组分加入LVT无机材料中的过程，而不需要产生单独的溅射靶。因此，可大幅简化所述方法。
在该实施方式中，可用具有低粘度转变温度的LVT无机材料密封所述有机发光部分，以使所述有机发光部分的变性可被有效地最小化。
应理解的是这里描述的示例性实施方式仅从说明的意义上考虑，而非限制的目的。在每个实施方式内的特征或方面的说明通常应被认为是对其它实施方式中的其它相似的特性或方面是有效的。
虽然已经参照附图说明了一个或多个示例性实施方式，但是本领域技术人员将理解其中可作出形式和细节上的各种改变，而不会背离由以下权利要求限定的本发明的精神和范围。
Claims (15)
1.一种制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括：
在基板上提供有机发光部分；
在所述基板上提供包括第一低温粘度转变无机材料的第一无机层，以覆盖所述有机发光部分；和
使用氟类材料将氟化物加入所述第一无机层中，以使所述第一无机层转变成包括第二低温粘度转变无机材料的第二无机层，
其中，所述将氟化物加入所述第一无机层中包括使用等离子体加工过程，且所述氟类材料包括氟化硫SF6、氟化碳CF4或它们的组合，并且
其中，所述第一低温粘度转变无机材料包括锡氧化物。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述锡氧化物为SnO，并且，所述第一低温粘度转变无机材料进一步包括磷氧化物P2O5、磷酸硼BPO4、铌氧化物NbO、氧化锌ZnO、氧化钛TiO2、钨氧化物WO3或它们的组合。
3.如权利要求1所述的方法，其中，所述第二低温粘度转变无机材料的粘度转变温度低于所述第一低温粘度转变无机材料的粘度转变温度。
4.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一无机层包括磷酸锡玻璃SnO-P2O5。
5.如权利要求1所述的方法，其中，所述第二无机层包括磷酸氟化锡玻璃SnO-P2O5-SnF2。
6.如权利要求1所述的方法，其中，所述基板为柔性基板。
7.一种制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括：
在基板上提供有机发光部分；
在所述基板上提供包括第一低温粘度转变无机材料的第一无机层，以覆盖所述有机发光部分；
使用氟类材料将氟化物加入所述第一无机层中，以使所述第一无机层转变成包括第二低温粘度转变无机材料的第二无机层；和
通过在等于或高于所述第二低温粘度转变无机材料的粘度转变温度的预定温度下热处理所述第二无机层而在所述第二无机层上进行修复操作，以使所述第二无机层转变成第三无机层，
其中，所述将氟化物加入所述第一无机层中包括使用等离子体加工过程，且所述氟类材料包括氟化硫SF6、氟化碳CF4或它们的组合，并且
其中，所述第一低温粘度转变无机材料包括锡氧化物。
8.如权利要求7所述的方法，其中，通过将氟化物掺杂到所述第一低温粘度转变无机材料中或用氟化物取代部分所述第一低温粘度转变无机材料而形成所述第二低温粘度转变无机材料。
9.如权利要求7所述的方法，其中，所述预定温度低于所述有机发光部分的材料的变性温度。
10.如权利要求7所述的方法，其中，在真空气氛或惰性气体气氛下进行所述修复操作。
11.如权利要求7所述的方法，其中，所述第一低温粘度转变无机材料包括磷酸锡玻璃SnO-P2O5。
12.如权利要求7所述的方法，其中，所述第三无机层包括磷酸氟化锡玻璃SnO-P2O5-SnF2。
13.如权利要求7所述的方法，其中，所述第二低温粘度转变无机材料的粘度转变温度低于所述第一低温粘度转变无机材料的粘度转变温度。
14.如权利要求7所述的方法，其中，所述第二低温粘度转变无机材料的粘度转变温度低于所述有机发光部分的材料的变性温度。
15.如权利要求7所述的方法，其中，
所述有机发光部分包括多个有机发光器件，
其中，每个所述有机发光器件包括第一电极、第二电极和布置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机发光层。
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