TWI658621B - 有機發光顯示裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種有機發光顯示裝置。該裝置可以包含含有實現影像所在的顯示區及包圍顯示區的非顯示區的基板。該裝置包含含有設置於顯示區中並被依次地堆疊於基板上的第一電極、中間層以及第二電極的有機發光單元。該裝置也包含含有具第一黏度相變溫度的第一低溫黏度相變(LVT)無機材料，並覆蓋有機發光單元的第一無機膜；以及含有具低於第一黏度相變溫度的第二黏度相變溫度的第二LVT無機材料，並被形成於非顯示區中的第二無機膜。
Description
相關申請案之交互參照
本申請主張於2013年7月12日提出的韓國專利申請號10-2013-0082441的權益，其就各方面而言如同其整個描述於本文中地通過引用整合於本文中。
本發明的例示性實施例係關於一種有機發光顯示裝置及其製造方法。
有機發光顯示裝置是一種自發光型裝置，並不但提供寬視角及優良的對比度，而且也具有如快速的回應時間、優良的亮度、優良的驅動電壓及優良的回應速度的特點。此外，有機發光顯示裝置能夠實現多種色彩。
有機發光顯示裝置可以包含含有下電極、有機層及上電極的有機發光單元。由於有機發光單元很容易受到如氧氣及水份之外部環境損害，所以使用用於從外部環境中封裝有機發光單元的封裝結構。
同時，有機發光顯示裝置需要為輕薄及/或可撓性的。
本發明的例示性實施例提供一種具有強而薄的薄膜封裝結構的有機發光顯示裝置及其製造方法。
本發明的附帶特點將於以下的描述中被闡述，並且部分將從描述中顯而易見，或可以通過本發明的實踐而得知。
通過說明包括用於實行本發明所考慮到的最佳模式之數個特定的實施例及實作，本發明的其它方面、特點及優點都會從以下詳細的描述中而顯而易見。本發明也能夠被應用於其他及不同的實施例，並且於所有不背離本發明的精神及範圍下，可以於各種明顯的方面中修改其若干的細節。因此，附圖及描述會被視為本質上是說明性的，而不是限制性的。
本發明的例示性實施例公開了一種有機發光顯示裝置。有機發光顯示裝置包含含有顯示區及於顯示區外的非顯示區的基板。有機發光顯示裝置包含設置於顯示區中的有機發光單元。有機發光單元包含設置於顯示區中並被順序地堆疊於基板上的第一電極、中間層以及第二電極。顯示裝置包含含有具第一低溫黏度相變(LVT)無機材料的第一無機膜。第一LVT無機材料具有第一黏度相變溫度。第一無機膜覆蓋有機發光單元。顯示裝置也包含含有第二LVT無機材料的第二無機膜。第二LVT無機材料具有低於第一黏度相變溫度的第二黏度相變溫度。第二無機膜形成於非顯示區上。
本發明的例示性實施例公開了製造有機發光顯示裝置的方法。該方法包括通過順序地堆疊第一電極、中間層、及第二電極於基板的顯示區上形成有機發光單元。該方法包括形成覆蓋有機發光單元的第一無機膜，第一無機膜包含具有第一黏度相變溫度的第一低溫黏度相變(LVT)無機材料。該方法還包括於基板的非顯示區上形成第二無機膜，第二無機膜包含具有低於第一黏度相變溫度的第二黏度相變溫度的第二LVT無機材料。
應當理解的是，以上的概括性描述及以下的詳細描述為例示性及解釋性的，並且旨在對所主張的本發明提供進一步的解釋。
1‧‧‧有機發光顯示裝置
100‧‧‧基板
100a‧‧‧第一基板
100b‧‧‧第二基板
200‧‧‧有機發光單元
200a‧‧‧第一電極
200b‧‧‧中間層
200c‧‧‧第二電極
210‧‧‧有機膜
220‧‧‧附著力提升膜
300‧‧‧封裝單元
310‧‧‧第一無機膜
320、320’‧‧‧第二無機膜
801、803、805‧‧‧步驟
DA‧‧‧顯示區
NDA、NDA1、NDA2‧‧‧非顯示區
被收錄以對本發明提供進一步理解並被併入及構成本說明書的一部分的附圖，說明了本發明的例示性實施例，並與描述一起用以解釋本發明的原理。
第1圖是描繪根據本發明的例示性實施例的有機發光顯示裝置的示意性平面圖。
第2圖是沿第1圖的線X-X'所截取的橫截面圖。
第3圖是描繪根據本發明的例示性實施例的有機發光顯示裝置的示意性橫截面圖。
第4圖至第7圖是用以描述製造根據本發明的例示性實施例的有機發光顯示裝置的製造方法的圖式。
第8圖是用以製造根據本發明的例示性實施例的有機發光顯示裝置的過程的流程圖。
揭露有機發光顯示裝置及其製造方法。於以下的描述中，為了解釋的目的，闡述大量具體的細節以提供對本發明全面的理解。然而，對於本領域中的技術人員來說為顯而易見的是，本發明可以於沒有這些具體的細節下實踐或以等效佈置實踐。於其他的實例中，熟知的結構及裝置會以方塊圖的形式表示以避免不必要地混淆本發明。
為了清楚理解本發明的一個或多個實施例，不說明或描述或簡單地說明或描述不相關的元件。而且，層與區域的厚度及面積可以為了清晰度而於附圖中誇大。
此外於附圖中，類似的參考標號表示類似的元件。用語“第一”、“第二”等並不具有限定的含義，並且被用於區分一元件與另一元件。也應當理解的是，當如層、區域或元件之部分被稱為“於”另一部分“上”時，它可以直接於其他的部分上，或也可以存在中間部分。
應當理解的是，當元件或層被稱為“於”另一元件或層“上”或“連接到”另一元件或層時，它可以直接於另一元件或層上或直接連接到另一元件或層，或可以存在中間元件或層。相反，當元件被稱為“直接於”另一元件或層“上”或“直接連接到”另一元件或層時，則不存在中間元件或層。
應當理解的是，為了本公開的目的，“X、Y及Z中的至少一個”可以被解釋為僅X、僅Y、僅Z，或者兩個或多個項目X、Y及Z的X的任何組合(例如，XYZ、XYY、YZ、ZZ)。
第1圖是描繪根據本發明的例示性實施例的有機發光顯示裝置1的示意性平面圖，而第2圖是沿第1圖的線X-X'所截取的橫截面圖。
參照第1圖及第2圖，有機發光顯示裝置1可以包含基板100、有機發光單元200及覆蓋有機發光單元200的封裝單元300。
基板100可以被劃分為其中實現影像的顯示區(DA)，及包圍顯示區(DA)的非顯示區(NDA)。
其中實現影像的有機發光單元200被設置於顯示區(DA)上。
有機發光單元200可以包含可以被順序地堆疊於基板100上的第一電極(未顯示)、中間層(未顯示)以及第二電極(未顯示)。
電源線路單元(未顯示)、驅動器集成電路(IC)(未顯示)可以設置於顯示區(DA)外的非顯示區(NDA)上。
例如，第一無機膜310可以形成於基板100的顯示區(DA)上以覆蓋有機發光單元200。而且，第二無機膜320可以形成以覆蓋基板100的非顯示區(NDA)。
第一無機膜310及第二無機膜320可以為具有不同的黏度相變溫度的無機膜，並且儘管於高黏度相變溫度下仍具有高穿透性的第一無機膜310可以被形成於顯示區(DA)上，而儘管於低穿透性下仍具有低黏度相變溫度的第二無機膜320可以被形成於非顯示區(NDA)上。
當與第一無機膜310相接觸時，可以形成第二無機膜320，但是本發明的例示性實施例並不受限於此。例如，第二無機膜320可以形成以覆蓋第一無機膜310的預定區域。
非顯示區(NDA)為不現影像的區域，且儘管於低穿透性下也不會影響有機發光顯示裝置1的操作。因此，通過形成相較於第一無機膜310具有低黏度相變溫度的第二無機膜320，第二無機膜320的密封效果可以被增加，而因此可以預防從有機發光顯示裝置1的邊緣部分由外部水分穿透，如氧氣或水分所引致的有機發光單元200的退化。
第一無機膜310及第二無機膜320可以包含低溫黏度相變(LVT)無機材料。
於本文中，用語“黏度相變溫度”並不表示LVT無機材料的黏度從“固體”完全地轉變為“液體”的溫度，而是表示對LVT無機材料提供流動性的最低溫度。
包含於形成以覆蓋有機發光單元200之第一無機膜310中的第一LVT無機材料可以具有等於或高於200℃的第一黏度相變溫度。
第一LVT無機材料可以包含氧化錫(SnO)及氧化磷(P2O5)、磷酸硼(BPO4)、氟化錫(SnF2)、氧化鈮(NbO或Nb2O5)、氟化鉛(PbF2)、氧化矽(SiO2)、氧化鎢(WO3)、氧化銦(In2O3)、氧化鉍(Bi2O3)、氧化鋅(ZnO)及氧化硼(B2O3)中的至少其一。
例如，第一LVT無機材料可以包含：SnO及P2O5；SnO、P2O5及B2O3；SnO、P2O5及SnF2；或SnO、P2O5、B2O3及SnF2，但是並不受限於此。
例如，第一LVT無機材料可以具有以下成分，但是只要第一LVT無機材料具有等於或高於200℃的第一黏度相變溫度，第一LVT無機材料的材料及成分就不受限。
1)SnO(60至80mol%)及P2O5(20至40mol%)；2)SnO(60至80mol%)、P2O5(10至20mol%)及B2O3(10至20mol%)(此處，SnO、P2O5及B2O3的總和為100mol%)；3)SnO(40至60mol%)、P2O5(20至40mol%)及SnF2(1至19mol%)(此處，SnO、P2O5及SnF2的總和為100mol%)；或4)SnO(40至60mol%)、P2O5(10至20mol%)、B2O3(10至20mol%)及SnF2(1至19mol%)(此處，SnO、P2O5、B2O3及SnF2的總和為100mol%)。
當形成第一無機膜310時，進行第一加熱操作以預防由水分或氧氣所引致的缺陷。
第一加熱操作於等於或高於第一LVT無機材料的第一黏度相變溫度的溫度下進行。例如，第一加熱操作可以通過熱處理形成於顯示區(DA)上的第一準無機膜而進行，以於等於或高於第一黏度相變溫度並低於包含於有機發光單元200中的材料的退化溫度的溫度下形成第一無機膜310。
通過進行第一加熱操作，可流體化包含於第一準無機膜中的第一LVT無機材料。被流體化的第一LVT無機材料可以具有流動性。因此，於第一加熱操作期間，被流體化的第一LVT無機材料可以流動並被注入於第一準無機膜的小孔中。
其結果為，第一準無機膜的缺陷被移除，並因此可以形成具有緊密薄膜性質的第一無機膜310。
第一無機膜310的厚度可以是從大約1μm至大約30μm，例如，從大約1μm至大約5μm。此處，當第一無機膜310的厚度於從大約1μm至大約5μm的範圍內時，可以實現具有彎曲特性的可撓性有機發光裝置。
被包含於形成以覆蓋非顯示區(NDA)之第二無機膜320中的第二LVT無機材料被具有低於120℃的第二黏度相變溫度。例如，第二LVT無機材料的第二黏度相變溫度可以等於或高於80℃，例如，從80℃至120℃，但是並不受限於此。
於一些例子中，第二LVT無機材料可以為一種類型的化合物或者兩種或多種類型的化合物的混合物。
第二LVT無機材料可以包含氧化錫，如SnO或SnO2。
當第二LVT無機材料包含SnO時，SnO的量可以為從大約20重量%至大約100重量%。
例如，第二LVT無機材料可以包含，氧化磷(P2O5)、磷酸硼(BPO4)、氟化錫(SnF2)、氧化鈮(NbO或Nb2O5)、氟化鉛(PbF2)、氧化
矽(SiO2)、氧化鎢(WO3)、氧化銦(In2O3)、氧化鉍(Bi2O3)、氧化鋅(ZnO)及氧化硼(B2O3)中的至少其一，以及氧化錫。
例如，第二LVT無機材料可以包含：-SnO；-SnO及BPO4；-SnO、SnF2及P2O5；-SnO、SnF2、P2O5及NbO；或-SnO、SnF2、P2O5及WO3，但是並不受限於此。
例如，第二LVT無機材料可以具有以下的成分，但是只要第二LVT無機材料具有低於120℃的第二黏度相變溫度，第二LVT無機材料的材料及成分就不受限。
1)SnO(100mol%)；2)SnO(90mol%)及BPO4(10mol%)；3)SnO(32.5至42.5mol%)、SnF2(35至50mol%)及P2O5(15至22.5mol%)(此處，SnO、SnF2及P2O5的總和為100mol%)；4)SnO(20至50mol%)、SnF2(30至60mol%)、P2O5(10至30mol%)及NbO(1至5mol%)(此處，SnO、SnF2、P2O5及NbO的總和為100mol%)；或5)SnO(20至50mol%)、SnF2(30至60mol%)、P2O5(10至30mol%)及WO3(1至5mol%)(此處，SnO、SnF2、P2O5及WO3的總和為100mol%)。
第二無機膜320可以包含如薄膜形成元件或小孔之缺陷，而當存儲及操作有機發光顯示裝置1時，此種缺陷可以作為外部環境物質，如水分或氧
氣的移動通道，因而導致漸進性的暗點。因此，有機發光顯示裝置1的壽命可能會被縮短。
因此，當形成第二無機膜320時，進行用於移除此種缺陷的第二加熱操作。
第二加熱操作於等於或高於第二LVT無機材料的第二黏度相變溫度的溫度下進行。例如，第二加熱操作可以通過熱處理形成於非顯示區(NDA)上的第二準無機膜而進行，以於等於或高於第二LVT無機材料的第二黏度相變溫度並低於包含於有機發光單元200中的材料的退化溫度的溫度下形成第二無機膜320。
例如，第二加熱操作可以通過於從120℃至150℃的溫度下熱處理被形成於非顯示區(NDA)上的第二準無機膜1至3小時(例如，於130℃下進行2小時)而進行，但是並不受限於此。當第二加熱操作的溫度於上述的範圍內時，第二準無機膜的第二LVT無機材料可以被流體化，並因此可以預防有機發光顯示裝置1的邊緣缺陷。
為了避免有機發光單元200被曝露於外部環境中，第二加熱操作可以於真空或惰性氣體(N2或Ar)氣氛下於紅外線(IR)烘箱中進行。
通過進行第二加熱操作，包含於第二準無機膜中的第二LVT無機材料可以被流體化。被流體化的第二LVT無機材料可以具有流動性。因此，於第二加熱操作期間，被流體化的第二LVT無機材料可以流動並被注入於第二準無機膜的小孔中，而薄膜形成元件可以被流體化並被注入於小孔中。
其結果為，可以移除第二準無機膜的缺陷，並因此可以形成具有緊密薄膜性質的第二無機膜320。
第二無機膜320的厚度可以是從大約1μm至大約30μm，例如，從大約1μm至大約5μm。此處，當第二無機膜320的厚度於從大約1μm至大約5μm的範圍內時，可以實現具有彎曲特性的可撓性有機發光裝置。
由於第二無機膜320可以為如上所述的薄膜，所以第二無機膜320可以有助於實現具有彎曲特性的可撓性有機發光裝置。因此，可以實現具有長壽命及彎曲特性的有機發光裝置。
根據本發明的例示性實施例，靠近有機發光顯示裝置1的邊緣產生的缺陷，如暗點，可以通過分別於顯示區(DA)及非顯示區(NDA)上形成具有不同的黏度相變溫度的第一無機膜310及第二無機膜320而預防。
有機膜210可以進一步形成於有機發光單元200的第二電極200c上。當透過薄膜封裝形成第一無機膜310於有機發光單元200上時，有機膜210作為用於預防第二電極200c受損壞的保護層。
當有機發光單元200為其中光朝向第二電極200c發出的頂部發光型時，有機膜210由為透明的並具有高折射率的材料所形成以進行折射率配對。有機膜210可以由氟化鋰(LiF)、8-羥基喹啉-鋰(Liq)及三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)中的至少其一所形成。有機膜210也可以被形成於基板100以及有機發光單元200的頂部表面上。有機膜210可以為均勻薄膜以密封整個有機發光單元200。
另外，為了提升有機膜210與第一無機膜310之間的附著力，附著力提升膜220可以被進一步設置於第一無機膜310與有機膜210之間。附著力提升膜220可以包含金屬氧化物及有機金屬化合物中的至少其一。
第3圖是描繪根據本發明的例示性實施例的有機發光顯示裝置的示意性橫截面圖。由於對應於第1圖的元件的第3圖的元件表現與第1圖的元件相同或類似的功能，所以其細節不會在此重複。
當第3圖的非顯示區(NDA)沒有足夠空間以形成第二無機膜320時，第二無機膜320’被形成遍佈於第一基板100a的非顯示區(NDA1)及第二基板100b的非顯示區(NDA2)上。
於非顯示區(NDA1及NDA2)上形成第二無機膜320’之後，可以於第二無機膜320'及基板100上進行切割操作以獲得複數個有機發光顯示裝置。第4圖至第7圖是用以描述製造根據本發明的例示性實施例的有機發光顯示裝置的方法的圖式。
參照第4圖，首先，準備基板100。基板100可以為一般用於有機發光顯示裝置的基板。基板100可以由具有出色的機械強度、出色的熱穩定性、出色的表面平坦度、出色的處理簡易性以及出色的防水性的材料所形成。
基板100可以由剛性材料形成，如玻璃、塑料、金屬或碳纖維。或者，當有機發光顯示裝置為可撓性時，基板100可以由可撓性材料形成，如聚醯亞胺(PI)或聚對苯二甲酸乙二酯(PET)。
參照第5圖，有機發光單元200形成於基板100上。有機發光單元200可以具有其中第一電極200a、中間層200b及第二電極200c被順序地堆疊於基板100上的結構。
第一電極200a可以通過經由沉積法或濺鍍法於基板100上提供第一電極材料而形成。當第一電極200a為陽極時，下電極材料可以為用於便利電洞注入之具有高功率函數的材料。根據有機發光顯示裝置的類型，第一電極200a可以為反射電極、半反射電極或透射電極。第一電極可以為透明及具有出色的導電性的氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化錫(SnO2)或氧化鋅(ZnO)。或者，
當使用鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)、鎂-銀(Mg-Ag)時，第一電極可以為反射電極。
第一電極200a可以具有單層結構或兩層或更多層的多層結構。例如，第一電極200a可為具有ITO/Ag/ITO的三層結構以獲得頂部發光型裝置，但是並不受限於此。
中間層200b可以形成於第一電極200a上。
中間層200b可以包含電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、同時作為HIL及HTL的功能層、緩衝層、電子阻擋層、發光層、電洞阻擋層、電子傳輸層(ETL)及電子注入層(EIL)中的至少其一。
例如，中間層200b可以包含以下化合物301、化合物311及化合物321中的至少其一。
第二電極200c可以被設置於中間層200b上。第二電極200c可以為係電子注入電極的陰極，並於此時，第二電極200c可以由具有低功率函數的金屬、合金、導電性化合物及其混合物所形成。例如反射性、半反射性或透射性電極可以通過利用Li、Mg、Al、Al-Li、Ca、Mg-In或Mg-Ag形成薄膜而獲得。然而，第二電極200c可以被不同地修改，例如，可以形成由ITO或IZO形成的透射性電極以獲得頂部發光裝置。
雖然未顯示於第5圖中，但是有機發光單元200可以每個像素包含像素電路，而像素電路可以包含至少一個薄膜電晶體(未顯示)及電容器(未顯示)。第一電極200a可以通過被電連接到至少一個薄膜電晶體而操作。
第一電極200a可以根據像素而圖案化，而第二電極200c可以為覆蓋所有像素的共同電極。
於其中影像朝向基板100實現的底部發光型裝置中，第二電極200c的厚度可以相對地厚以增加朝向基板100的發光效率。
於其中影像朝向第二電極200c實現的頂部發光型裝置中，第二電極200c的厚度可以相對地薄使得第二電極200c為半透射性反射薄膜。或者，第二電極200c可以由透明導電性材料所形成。於一些例示性實施例中，第一電極200a可以進一步包含反射薄膜。
然後，有機膜210可以形成於第二電極200c上。當於有機發光單元200上通過薄膜封裝形成第6圖的第一無機膜310時，有機膜210可以作為保護膜以預防第二電極200c受損壞。
當有機發光單元200為其中光朝向第二電極200c發射的頂部發光型時，有機膜210由透明及具有高反射率的材料所形成以進行反射率配對。例如，有機膜210可以由LiF、Liq、Alq3中的至少其一所形成。有機膜210也可以被形成於基板100以及有機發光單元200的上表面上。有機膜210可以為均勻薄膜以密封整個有機發光單元200。
有機膜210可以由熱電阻沉積法(resistance heating deposition method)、濺鍍法、真空沉積法、低溫沉積法、電子束塗佈法及離子鍍法所形成。此處，熱電阻沉積法通過根據電阻將沉積源加熱及蒸發以於沉積靶上沉積沉積源而進行。例如，濺鍍法可以經由通過濺鍍製造薄膜而進行。然後，如第6圖中所示，第一無機膜310可以被形成於由有機膜210所覆蓋的有機發光單元200上。
而且，為了提升有機膜210與第一無機膜310之間的附著力，附著力提升膜220可以被進一步設置於第一無機膜310與有機膜210之間。
附著力提升膜220提升有機膜210及第一無機膜310的附著力。例如，由於有機膜210包含有機材料，有機膜210及第一無機膜310的附著力為有機-無機附著力，並因此相較於無機-無機附著力，附著力可能為弱的。
因此，例如，附著力提升膜220可以被設置於有機膜210與第一無機膜310之間以增強有機膜210與第一無機膜310之間的附著力，並提供剛性薄膜封裝結構。附著力提升膜220可以包含金屬氧化物及有機金屬化合物中的至少其一。
金屬氧化物可以為Al 2O3、SiO2、SixNy、或氧化鋅錫(藉由通過提高錫及氧化物的比率以移除導電性所獲得的化合物)。另外，有機金屬化合物可以為單核金屬羰基化合物(M(CO)x)或多核金屬羰基化合物Mx(CO)y)，其中M(CO)x可以為Mo(CO)5、Fe(CO)5、Cr(CO)6或W(CO)6，而Mx(CO)y可以為Mn2(CO)10、Co2(CO)8或Fe2(CO)9。然而，本發明的實施例並不受限於此。
附著力提升膜220可以由包含上述材料的單膜或多膜所形成。
附著力提升膜220也可以被形成於基板100，以及有機膜210的上表面上。附著力提升膜220可以為均勻薄膜以覆蓋整個有機發光單元200。因此，附著力提升膜220可以進一步緊緊地密封有機發光單元200及有機膜210。
附著力提升膜220可以通過利用熱電阻沉積法、濺鍍法、真空沉積法、低溫沉積法、電子束塗佈法或離子鍍法而形成。
然後，第一無機膜310可以被形成於有機膜210上。第一無機膜310可以包含第一LVT無機材料。形成第一無機膜310的操作現在將被詳細描述。
首先，包含第一LVT無機材料的第一準無機膜(未顯示)可以通過於附著力提升膜220上提供第一LVT無機材料而形成。
第一LVT無機材料可以為具有低第一黏度相變溫度的無機材料。
於本文中，用語“黏度相變溫度”並不表示LVT無機材料的黏度從“固體”完全地轉變為“液體”的溫度，而是表示對LVT無機材料提供流動性的最低溫度。
第一LVT無機材料的第一黏度相變溫度可以低於包含於有機發光單元200中的材料的退化溫度。
包含於有機發光單元中的材料的退化溫度是指引致包含於有機發光單元中的材料的化學及/或物理退化的溫度。例如，退化溫度可以表示包含
於有機發光單元200的中間層200b中的有機材料的玻璃轉變溫度(Tg)。玻璃轉變溫度可以基於利用熱重損失分析(TGA)及示差掃描熱量分析(DSC)於包含於有機發光單元200中的材料上進行的熱分析(例如，N2氣氛、溫度範圍：室溫至600℃(10℃/分鐘)-TGA、室溫至400℃-DSC及盤型：配置Al盤中的Pt盤(TGA)、配置Al盤(DSC))的結果而推導出來。
包含於有機發光單元200中的材料的退化溫度可以超過，例如130℃，但是並不受限於此，並且對於包含於有機發光單元200中的材料可以通過上述的TGA而被容易地測量。
第一LVT無機材料的第一黏度相變溫度可以等於或高於200℃，但是並不受限於此。
第一LVT無機材料可以包含氧化錫(SnO)及氧化磷(P2O5)、磷酸硼(BPO4)、氟化錫(SnF2)、氧化鈮(NbO或ND2O5)、氟化鉛(PbF2)、氧化矽(SiO2)、氧化鎢(WO3)、氧化銦(In2O3)、氧化鉍(Bi2O3)、氧化鋅(ZnO)及氧化硼(B2O3)中的至少其一。
例如，第一LVT無機材料可以包含：- SnO及P2O5；- SnO、P2O5及B2O3；- SnO、P2O5及SnF2；或- SnO、P2O5、B2O3及SnF2，但是並不受限於此。
例如，第一LVT無機材料可以具有以下的成分，但是只要第一LVT無機材料具有等於或高於200℃的第一黏度相變溫度，第一LVT無機材料的材料及成分就不受限。
1)SnO(60至80mol%)及P2O5(20至40mol%)；2)SnO(60至80mol%)、P2O5(10至20mol%)及B2O3(10至20mol%)(此處，SnO、P2O5及B2O3的總和為100mol%)；3)SnO(40至60mol%)、P2O5(20至40mol%)及SnF2(1至19mol%)(此處，SnO、P2O5及SnF2的總和為100mol%)；或SnO(40至60mol%)、P2O5(10至20mol%)、B2O3(10至20mol%)及SnF2(1至19mol%)(此處，SnO、P2O5、B2O3及SnF2的總和為100mol%)。
於一些例子中，第一準無機膜可以通過進行熱電阻沉積法、濺鍍法、真空沉積法、低溫沉積法、電子束塗佈法或離子鍍法而形成。
例如，第一LVT無機材料可以通過利用電漿化學氣相沉積(PCVD)法或電漿離子輔助沉積(PIAD)法而提供，但是並不受限於此。
根據例示性實施例，具有SnO-P2O5-B2O3成分的第一LVT無機材料可以通過濺鍍法提供於附著力提升膜220上。濺鍍法可以通過應用利用直流電(DC)脈衝功率之雙旋轉靶法(dual rotary target method)或面向靶法(facing target method)並當移動基板100時進行掃描而進行。此處，可以使用大約4kW至大約20kW及大約0.3Pa至大約1.5Pa的氬電漿，而第一準無機膜的期望厚度(例如，大約1μm)可以通過複數次掃描而獲得。
如此形成的第一準無機膜可以包含缺陷，如薄膜形成元件或小孔。第一LVT無機材料的薄膜形成元件表示當形成第一LVT無機材料時，並不有助於薄膜形成的第一LVT無機材料的聚集粒子，而小孔為由於沒有配置第一LVT無機材料而曝露有機膜210的區域。
如上所述，當儲存及操作有機發光裝置時，第一準無機膜的缺陷可以作為外部環境材料如水分或氧氣的移動通道，因而導致漸進性的暗點。因此，可能會縮短有機發光裝置的壽命。
因此，於形成第一準無機膜後，可以進行第一加熱操作以移除第一準無機膜的缺陷。
第一加熱操作可以於等於或高於第一LVT無機材料的第一黏度相變溫度的溫度下進行。例如，第一加熱操作可以通過於等於或高於第一LVT無機材料的第一黏度相變溫度並低於包含於有機發光單元200中的材料的退化溫度的溫度下熱處理第一準無機膜而進行。
為了避免有機發光單元200通過第一準無機膜的小孔曝露於外部環境中，第一加熱操作可以於真空或惰性氣體(N2或Ar)氣氛下於IR烘箱中進行。
於第一加熱操作中，包含於第一準無機膜中的第一LVT無機材料可以被流體化。被流體化的第一LVT無機材料可以具有流動性。因此，於第一加熱操作期間，被流體化的第一LVT無機材料可以流動並被注入於第一準無機膜的小孔中，而薄膜形成元件可以被流體化並被注入於小孔中。
其結果為，第一準無機膜的缺陷可以被移除，且可以形成具有緊密薄膜性質的第一無機膜310。
第一無機膜310的厚度可以是從大約1μm至大約30μm，例如，從大約1μm至大約5μm。此處，當第一無機膜310的厚度於從大約1μm至大約5μm的範圍內時，可以實現具有彎曲特性的可撓性有機發光裝置。
然後，參照第7圖，例如，第二無機膜320可以被形成於基板100的非顯示區(NDA)上。第二無機膜320可以包含具有低於第一無機膜310的第一黏
度相變溫度的二黏度相變溫度的第二LVT無機材料。形成第二無機膜320的操作現在將被詳細描述。
首先，將第二LVT無機材料提供於基板100的非顯示區NDA上以形成包含第二LVT無機材料的第二準無機膜(未顯示)。
例如，第二LVT無機材料的第二黏度相變溫度可以低於120℃。例如，第二黏度相變溫度可以等於或高於80℃，例如，從大約80℃至大約120℃，但是並不受限於此。
第二LVT無機材料可以為一種類型的化合物或者兩種或多種類型的化合物的混合物。
第二LVT無機材料可以包含氧化錫，如SnO或SnO2。
當第二LVT無機材料包含SnO時，SnO的量可以為從大約20重量%至大約100重量%。
例如，第二LVT無機材料可以包含，氧化磷(P2O5)、磷酸硼(BPO4)、氟化錫(SnF2)、氧化鈮(NbO或Nb2O5)、氟化鉛(PbF2)、氧化矽(SiO2)、氧化鎢(WO3)、氧化銦(In2O3)、氧化鉍(Bi2O3)、氧化鋅(ZnO)及氧化硼(B2O3)中的至少其一，以及氧化錫。
例如，第二LVT無機材料可以包含：-SnO；-SnO及BPO4；-SnO、SnF2及P2O5；-SnO、SnF2、P2O5及NbO；或-SnO、SnF2、P2O5及WO3，但是並不受限於此。
例如，第二LVT無機材料可以具有以下的成分，但是只要第二LVT無機材料具有低於120℃的第二黏度相變溫度，第二LVT無機材料的材料及成分就不受限。
1)SnO(100mol%)；2)SnO(90mol%)及BPO4(10mol%)；3)SnO(32.5至42.5mol%)、SnF2(35至50mol%)及P2O5(15至22.5mol%)(此處，SnO、SnF2及P2O5的總和為100mol%)；4)SnO(20至50mol%)、SnF2(30至60mol%)、P2O5(10至30mol%)及NbO(1至5mol%)(此處，SnO、SnF2、P2O5及NbO的總和為100mol%)；或5)SnO(20至50mol%)、SnF2(30至60mol%)、P2O5(10至30mol%)及WO3(1至5mol%)(此處，SnO、SnF2、P2O5及WO3的總和為100mol%)。
例如，第二準無機膜可以通過使用熱電阻沉積法、濺鍍法、真空沉積法、低溫沉積法、電子束塗佈法或離子鍍法而形成。
根據例示性實施例，具有SnO-SnF2-P2O5成分的第二LVT無機材料可以通過濺鍍法提供於基板100的非顯示區NDA上。
由於如此形成的第二準無機膜可以包含缺陷，如薄膜形成元件或小孔，所以進行第二加熱操作以移除第二準無機膜的缺陷。
第二加熱操作可以通過於從120℃至150℃的溫度下熱處理被形成於非顯示區(NDA)上的第二準無機膜1至3小時(例如，於130℃下進行2小時)而進行，但是並不受限於此。當第二加熱操作的溫度於上述的範圍內時，第二準無機膜的第二LVT無機材料可以被流體化，並因此可以預防有機發光顯示裝置的邊緣缺陷。
通過進行第二加熱操作，包含於第二準無機膜中的第二LVT無機材料可以被流體化。被流體化的第二LVT無機材料可以具有流動性。因此，於第二加熱操作期間，被流體化的第二LVT無機材料可以流動並被注入於第二準無機膜的小孔中，而薄膜形成元件可以被流體化並被注入於小孔中。
其結果為，第二準無機膜的缺陷可以被移除，並因此可以形成具有緊密薄膜性質的第二無機膜320。
第二無機膜320的厚度可以是從大約1μm至大約30μm，例如，從大約1μm至大約5μm。此處，當第二無機膜320的厚度於從大約1μm至大約5μm的範圍內時，可以實現具有彎曲特性的可撓性有機發光裝置。
由於第二無機膜320可以為如上所述的薄膜，所以第二無機膜320可以有助於實現具有彎曲特性的可撓性有機發光裝置。因此，可以實現具有長壽命及彎曲特性的有機發光裝置。
根據本發明的例示性實施例，薄膜封裝結構的密封特性可以通過分別於顯示區(DA)及非顯示區(NDA)上形成具有不同的黏度相變溫度的第一無機膜310及第二無機膜320而被改善。因此，可以預防靠近有機發光顯示裝置l的邊緣產生的缺陷，如暗點。
第8圖是用以製造根據本發明的例示性實施例的有機發光顯示裝置的過程的流程圖。於步驟801中，有機發光單元通過順序地堆疊第一電極、中間層及第二電極於包括用於顯示影像的顯示區及於顯示區外的非顯示區的基板的顯示區上而被形成。於步驟803中，第一無機膜被形成以覆蓋有機發光單元。第一無機膜包含具有第一黏度相變溫度的第一低溫黏度相變(LVT)無機材料。於步驟805中，第二無機膜被形成於非顯示區上。第二無機膜包含第二LVT無機材料。第二LVT無機材料具有低於第一黏度相變溫度的第二黏度相變溫度。
對於本領域中技術人員來說將為顯而易見的是，於不背離本發明的精神或範圍下，於本發明中可以作出各種修改及變化。因此，意圖使本發明涵蓋落入所附的申請專利範圍及其等效物的範圍內之修改及變化。
Claims (10)
- 一種有機發光顯示裝置，其包含：一基板，包含一顯示區及於該顯示區外的一非顯示區；一有機發光單元，設置於該顯示區中，該有機發光單元包含順序地被堆疊於該基板上的一第一電極、一中間層及一第二電極；一第一無機膜，覆蓋該有機發光單元，該第一無機膜包含具有一第一黏度相變溫度的一第一低溫黏度相變(LVT)無機材料；以及一第二無機膜，形成於該非顯示區上，該第二無機膜包含具有低於該第一黏度相變溫度的一第二黏度相變溫度的一第二低溫黏度相變無機材料，其中，該第一無機膜之穿透性大於該第二無機膜之穿透性。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一黏度相變溫度為等於或高於至少200℃，而該第二黏度相變溫度為於80℃至120℃的範圍內。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一低溫黏度相變無機材料包含60至80mol%的SnO及20至40mol%的P2O5。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二低溫黏度相變無機材料包含32.5至42.5mol%的SnO、35至50mol%的SnF2及15至22.5mol%的P2O5，其中SnO mol%、P2O5 mol%及SnF2mol%的總和為100mol%。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二無機膜與該第一無機膜相接觸或覆蓋該第一無機膜的一區域。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該基板為一可撓性基板。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，進一步包含：一有機膜，設置於該有機發光單元上；以及一附著力提升膜，設置於該有機膜上。
- 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示裝置，其中該有機膜進一步設置於該基板上。
- 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示裝置，其中該附著力提升膜包含一金屬氧化物及一有機金屬化合物中的至少其一。
- 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示裝置，其中該附著力提升膜及該第一無機膜被設置於該基板上。
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