CN104112759A - 有机发光显示设备及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
公开了一种有机发光显示设备和一种制造所述有机发光显示设备的方法。所述有机发光显示设备包括：基底；位于基底上的显示单元；以及包封显示单元的包封层。包封层由低温粘度转变无机材料形成。包封层包括氮。
Description
本申请要求于2013年4月18日在韩国知识产权局提交的第10-2013-0043031号韩国专利申请的优先权和权益，该申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本发明的实施例涉及一种有机发光显示设备，更具体地讲，涉及一种包括改善了透光率且改善了包封特性的包封层的有机发光显示设备以及一种制造该有机发光显示设备的方法。
背景技术
有机发光显示设备是包括有机发光装置（OLED）的自发射显示设备，OLED包括空穴注入电极、电子注入电极以及形成在空穴注入电极和电子注入电极之间的有机发光层。在有机发光显示设备中，从空穴注入电极注入的空穴和从电子注入电极注入的电子在有机发光层中结合以产生激子，激子从激发态落到基态并产生光。
作为自发光显示设备的有机发光显示设备不需要独立的光源。因此，有机发光显示设备能够在低电压下操作，重量轻而薄，并且提供诸如宽视角、高对比度和快速响应的高品质特性。因此，作为下一代显示设备的有机发光显示设备已经受到了关注。
然而，由于外部湿气或氧等，会使有机发光显示设备退化。因此，有机发光显示设备应该被包封以保护OLED免受外部湿气或氧等的影响。另外，包封OLED的包封层应该保持至少某种程度的透光率。
发明内容
本发明的实施例提供一种包括具有改善的透光率和改善的包封特性的包封层的有机发光显示设备以及一种制造该有机发光显示设备的方法。
根据本发明的一方面，提供一种有机发光显示设备，所述有机发光显示设备包括：基底；显示单元，位于基底上；以及包封层，包封显示单元，其中，包封层由低温粘度转变无机材料形成，其中，包封层包括氮。
包封层可以包括锡氧化物。锡氧化物可以是SnO2。
包封层还可以包括P2O5、BPO4、SnF2和WO3中的至少一种。
在包封层的表面中的SnO2的量可以大于在显示单元附近的区域中的SnO2的量。
包封层也可以形成在基底上。
根据本发明的另一方面，提供一种有机发光显示设备，所述有机发光显示设备包括：基底；显示单元，位于基底上；以及包封层，包封显示单元，其中，包封层包括顺序地堆叠的第一包封层和第二包封层，其中，第一包封层和第二包封层由低温粘度转变无机材料形成，其中，第一包封层包括氮。
第一包封层和第二包封层可以包括锡氧化物。锡氧化物可以是SnO2。
第二包封层中的SnO2的量可以大于第一包封层中的SnO2的量。
第二包封层的厚度可以大于第一包封层的厚度。
根据本发明的另一方面，提供一种制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括在基底上形成显示单元以及形成包封显示单元的第一包封层，其中，形成第一包封层的步骤包括：通过溅射在显示单元上沉积低温粘度转变无机材料，并加热沉积的低温粘度转变无机材料；在溅射期间将氩气和氮气一起注入。
氮气的注入量与氩气的注入量之间的比可以在大约0.005至大约0.1的范围。
根据本发明的另一方面的方法还包括在第一包封层上形成第二包封层，其中，第二包封层可以通过溅射来沉积低温粘度转变无机材料而形成。
当形成第二包封层时，可以将氩气和氧气一起注入。
低温粘度转变无机材料可以包括锡氧化物。
低温粘度转变无机材料还可以包括P2O5、BPO4、SnF2和WO3中的至少一种。
第二包封层中的SnO2的量可以大于在第一包封层中的SnO2的量。
第二包封层的厚度可以大于第一包封层的厚度。
根据本发明的另一方面的方法还包括：在形成第二包封层后，同时加热第一包封层和第二包封层。
附图说明
通过参照附图详细地描述本发明的示例实施例，本发明的以上和其它特征及方面将变得更加明显，在附图中：
图1是示出根据本发明实施例的有机发光显示设备的剖视图；
图2是示出图1的有机发光显示设备的显示单元的剖视图；
图3是示出根据本发明另一个实施例的有机发光显示设备的剖视图；
图4是示出是制造图3的有机发光显示设备的方法的流程图。
具体实施方式
现在将参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例性实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，而不应该被理解为局限于在此提出的实施例；而是，提供这些实施例使得本公开将是彻底的且完整的，并将把本发明的构思充分地传达给本领域的技术人员。在本发明的描述中，如果确定涉及该发明的常用的技术或结构的详细描述可能不必要地使本发明的主题难以理解，则将省略其详细的描述。
将理解的是，尽管在这里使用术语第一和第二来描述各种元件，但是这些元件并不应该受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件与另一个元件区分开。
将理解的是，当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”时，该元件或层可以直接在另一元件或层上，或者可以存在中间元件或中间层。
如这里使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列的项目的任意和所有组合。当诸如“…中的至少一个”的表述在一系列元件之后时，修饰整个系列的元件，而不是修饰系列中的个别元件。
在下文中，将参照附图详细地描述本发明的一个或多个实施例。同样的附图标记在附图中指的是同样的元件，因此将省略它们的描述。在附图中，为了清楚起见，夸大了层和区域的厚度。
图1是示出根据本发明实施例的有机发光显示设备10的剖视图。图2是示出图1的有机发光显示设备10的显示单元200的剖视图。
参照图1，有机发光显示设备10可以包括：基底100；显示单元200，形成在基底100上；以及包封层300，包封显示单元200。
基底100可以由可包括SiO2作为主要成分的透明玻璃材料形成。然而，基底100的材料不限于此，并且基底100可以由透明塑料材料形成。用于形成基底100的塑料材料可以是绝缘有机材料，例如，聚醚砜（PES）、聚丙烯酸酯（PAR）、聚醚酰亚胺（PEI）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚苯硫醚（PPS）、聚烯丙基化物、聚酰亚胺、聚碳酸酯（PC）、三乙酸纤维素（TAC）或乙酸-丙酸纤维素（CAP）。
如果基底100是图像朝着基底100显示的底部发射型，则基底100利用透明材料形成。然而，如果基底100是图像沿着远离基底100的方向显示的顶部发射型，则基底100不需要利用透明材料形成。在这种情况下，基底100可以由金属形成，如果基底100由金属形成，则基底100可以由包括碳（C）、钢、铬（Cr）、锰（Mn）、镍（Ni）、钛（Ti）和钼（Mo）中的至少一种的金属形成，但不限于此。
显示单元200可以包括有机薄膜晶体管（TFT）层200a和像素单元200b。像素单元200b可以是有机发光装置（OLED）。在下文中，将参照图2详细地描述显示单元200。
缓冲层212可以形成在基底100上。缓冲层212阻挡杂质借助基底100的进入，并且使基底100的顶表面平坦。缓冲层212可以由任何材料形成，只要该材料执行这些功能即可。例如，缓冲层212可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛或氮化钛的无机材料或者诸如聚酰亚胺、聚酯或压克力的有机材料。缓冲层212可以是上述材料中的一种或多种的堆叠件。
缓冲层212可以利用诸如等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、常压化学气相沉积（APCVD）或低压化学气相沉积（LPCVD）的各种沉积方法形成。
有源层221可以由诸如硅的无机半导体或者有机半导体形成在缓冲层212上。另外，有源层221可以包括源极区域、漏极区域和/或源极区域和漏极区域之间的沟道区域。例如，当利用非晶硅形成有源层221时，包括源极区域、漏极区域和/或它们之间的沟道区域的有源层221可以通过如下步骤来形成：在基底100的整个表面上形成非晶硅层；使非晶硅层结晶以形成多晶硅层；将多晶硅层图案化；并且用杂质掺杂源极区域和漏极区域的边界。
栅绝缘层213可以形成在有源层221上。提供栅绝缘层213以使有源层221与栅电极222绝缘，并且栅绝缘层213可以由诸如SiNx或SiO2的无机材料形成。
栅电极222可以形成在栅绝缘层213的上表面的预定区域上。栅电极222连接到施加薄膜晶体管（TFT）的导通/截止信号的栅极线（未示出）。
栅电极222可以包括金（Au）、银（Ag）、铜（Cu）、镍（Ni）、铂（Pt）、钯（Pd）、铝（Al）、钼（Mo）或者诸如Al-Nd合金或Mo-W合金的合金，但不限于此。栅电极222可以包括考虑到有机发光显示设备10的设计条件的各种材料。
层间绝缘层214可以形成在栅电极222上，以使栅电极222与源电极和漏电极223绝缘。层间绝缘层214可以由诸如SiNx或SiO2的无机材料形成。
源电极和漏电极223可以形成在层间绝缘层214上。详细地讲，层间绝缘层214和栅绝缘层213暴露有源层221的源极区域和漏极区域。源电极和漏电极223接触有源层221的被暴露的源极区域和漏极区域。
图2示出了顺序地包括有源层221、栅电极222及源电极和漏电极223的顶部栅极型TFT。然而，本发明不限于此。栅电极222可以设置在有源层221的下面。
如上所述的TFT层200a电连接到像素单元200b并使像素单元200b工作，并且被平坦化层215覆盖以保护TFT层200a。
平坦化层215可以是无机绝缘层和/或有机绝缘层。无机绝缘层可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、ZrO2、BST或PZT。有机绝缘层可以包括通常目的的聚合物（例如，聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）或聚苯乙烯（PS））、包括苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酰基聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或者它们的混合物。另外，平坦化层215可以是无机层和有机层的复合堆叠件。
像素单元200b可以形成在平坦化层215上。像素单元200b可以包括像素电极231、中间层232和对电极233。
像素电极231可以形成在平坦化层215上，并且可以通过形成在平坦化层215中的接触孔230电连接到源电极和漏电极223。
像素电极231可以是反射电极，并且可以包括由Ag、镁（Mg）、Al、Pt、Pd、Au、Ni、钕（Nd）、铱（Ir）、铬（Cr）或它们的混合物形成的反射层以及形成在反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化锌（ZnO）、氧化铟（In2O3）和氧化铟镓（IGO）中的至少一种。
对电极233被设置成面向像素电极231。对电极233可以是透明或半透明电极，并且可以由具有低功函数的包括锂（Li）、钙（Ca）、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它们的混合物的金属薄膜形成。另外，通过利用用来形成诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的透明电极的材料，还可以在金属薄膜上形成辅助电极层或汇流电极。
因此，对电极233可以透射从包括在中间层232中的有机发光层（未示出）发射的光。换句话说，从有机发光层发射的光可以朝着对电极233释放，或者可以被朝着对电极233的作为反射电极的像素电极231反射。
然而，根据本实施例的有机发光显示设备10不限于顶部发射型，而是可以是从有机层发光层发射的光朝着基底100发射的底部发射型。在这种情况下，像素电极231可以是透明或半透明电极，并且对电极233可以是反射电极。另外，有机发光显示设备10可以是光从前后两个表面发射的双发射型。
通过利用绝缘材料，像素限定层216可以形成在像素电极231上。像素限定层216可以由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂中的至少一种有机绝缘材料形成。像素限定层216可以利用诸如旋转涂覆的方法形成。像素限定层216暴露像素电极231的预定区域。可以在暴露的区域上设置包括有机发光层的中间层232。
有机发光层可以由低分子量有机材料或高分子量有机材料形成。除有机发光层之外，中间层232可以选择性地还包括诸如空穴传输层（HTL）、空穴注入层（HIL）、电子传输层（ETL）或电子注入层（EIL）的功能层。
返回参照图1，包封层300可以形成为覆盖显示单元200的整个表面，并且保护显示单元200避免外部湿气和氧的影响。具体地讲，包封层300的面积可以大于显示单元200的面积。因此，包封层300的边界可以接触基底100，因此通过包封层300可以更安全地阻挡外部杂质。
包封层300可以由低温粘度转变（LVT）无机材料形成，并且可以包括氮。
这里，“粘度转变温度”指的是LVT无机材料变成液体的最小温度。粘度转变温度可以低于包括在OLED中的材料的变性温度。另外，“包括在OLED中的材料的变性温度”可以指引起包括在OLED中的材料的化学和/或物理变性的温度，例如，“包括在OLED中的材料的变性温度”可以是在OLED的中间层232中的有机材料的玻璃转变温度（Tg）。即，Tg可以通过针对包括在OLED中的材料利用热重分析（TGA）方法和差示扫描量热（DSC）方法执行热分析获得的结果。可以在N2气氛中执行热分析。另外，在TGA方法中，温度范围从室温至600℃（10℃/min），在DSC方法中，温度范围从室温至400℃。在TGA方法中，锅（pan）是位于一次性Al锅中的Pt锅，在DSC方法中，锅是一次性Al锅。本领域普通技术人员可以容易地辨别Tg。
包括在OLED中的材料的变性温度可以超越例如大约130℃，但是不限于此。其变性温度可以是通过对包括在OLED中的材料执行上述TGA而测量到的。
LVT无机材料的粘度转变温度可以是大约80℃或更高，例如，大约80℃到大约130℃，但是不限于此。另外，LVT无机材料的粘度转变温度可以是大约80℃到大约120℃或者大约100℃到大约120℃，但是不限于此。
LVT无机材料可以是一种类型的化合物的混合物或者两种或更多种类型的化合物的混合物。
LVT无机材料可以包括诸如SnO或SnO2的锡氧化物。如果LVT无机材料包括SnO，则SnO的量可以是按重量计的大约20%（在下文中，wt%）至大约100wt%。
另外，LVT无机材料还可以包括来自于诸如P2O5的磷氧化物、磷酸硼（BPO4）、诸如SnF2的锡氟化物、诸如NbO的铌氧化物和诸如WO3的钨氧化物的组中的至少一种类型的化合物，但是不限于此。
例如，LVT无机材料可以包括：SnO；SnO和P2O5；SnO和BPO4；SnO、SnF2和P2O5；SnO、SnF2、P2O5和NbO；或者SnO、SnF2、P2O5和WO3，但是不限于此。
例如，LVT无机材料可以具有下列组成物中的一种，但是不限于此：
SnO（100wt%）；
SnO（80wt%）和P2O5（20wt%）；
SnO（90wt%）和BPO4（10wt%）；
SnO（20wt%-50wt%）、SnF2（30wt%-60wt%）和P2O5（10wt%-30wt%）（这里，SnO、SnF2和、P2O5的总重量是100wt%）；
SnO（20wt%-50wt%）、SnF2(30wt%-60wt%）、P2O5(10wt%-30wt%）和NbO（1wt%-5wt%）(SnO、SnF2、P2O5和NbO的总重量是100wt%）；或者
SnO（20wt%-50wt%）、SnF2（30wt%-60wt%）、P2O5（10wt%-30wt%）和WO3（1wt%-5wt%）（这里，SnO、SnF2、P2O5和WO3的总重量是100wt%）。
例如，LVT无机材料可以包括SnO（42.5wt%）、SnF2（40wt%）、P2O5（15wt%）和WO3（2.5wt%），但是不限于此。
在下文中，将更详细地描述形成包封层300的方法。
可以通过在显示单元200上形成LVT无机材料的初始层（未示出），然后对沉积的初始层加热来形成包封层300。LVT无机材料的初始层可以利用溅射法、真空沉积法、低温沉积法、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法、等离子体辅助沉积（PIAD）法、电子束涂覆法或离子镀法来形成。
例如，LVT无机材料的初始层可以利用使用具有SnO-SnF2-P2O5-WO3组成的靶材的溅射法形成。在溅射法中，可以使用双回转靶材，并且随着基底100移动可以扫描双回转靶材。
在溅射期间，氩气和氮气一起注入。当在溅射期间注入氮气时，可以通过氮气去除在靶材中或在LVT无机材料的初始层中包括的诸如碳的杂质。由于诸如碳的杂质使透光率减小，所以可以通过注入氮气去除诸如碳的杂质，从而增大了包封层300的透光水平。另外，由于在溅射期间随着氮气的注入在包封层300中包括氮气，所以可以减小包封层300的压应力。
在溅射期间一起注入氮气和氩气意味着会在不会存在氧的条件下执行溅射沉积工艺。如果在不含氧的条件下使用溅射沉积方法，则可以防止OLED的有机发光层和对电极233在溅射沉积工艺期间被氧化。
注入的氮气的量与注入的氩气的量的比例在大约0.005:1至大约0.1:1的范围。如果该比例低于大约0.005:1，则不会有效地去除诸如碳的杂质，因此会使包封层300的透光率减小。另一方面，如果该比例高于大约0.1:1，则会使包封层300的密度减小，因此会降低包封层300的阻挡性能。因此，氮气的注入量与氩气的注入量的合适的比例是大约0.005:1至大约0.1:1。
然而，本发明不限于此。即，为了提高包封层300的透光率，也可以注入低于相对于气体的整个注入量的5%的氧。
利用上面描述的方法形成的LVT无机材料的初始层可能包括诸如针孔的缺陷。针孔可以作为诸如湿气或氧的外部杂质的移动通道。因此，针孔可以是连续的暗点的起因，并且因此减小了有机发光显示设备的寿命。因此，当在显示单元200上形成LVT无机材料的初始层时，执行加热工艺以去除诸如针孔的缺陷。
在高于或等于LVT无机材料的粘度转变温度的温度下执行加热工艺。例如，可以通过在从LVT无机材料的粘度转变温度至包括在OLED中的材料的变性温度之下的温度的范围内对LVT无机材料热处理来完成加热工艺。这里，“LVT无机材料的粘度转变温度”可以根据LVT无机材料的组成而变化。另外，“包括在OLED中的材料的变性温度”可以根据包括在OLED中的材料而变化。然而，根据LVT无机材料和包括在OLED中的材料的组成，本领域的普通技术人员可以辨别出包括在OLED中的材料的变性温度。例如，可以通过估算根据对包括在OLED中的材料执行的TGA的结果得到的Tg来辨别包括在OLED中的材料的变性温度。
例如，可以对LVT无机材料的初始层在大约80℃至大约130℃的温度范围内加热处理大约1小时至大约3小时（例如，在110℃达2小时）来完成加热工艺。然而，本发明不限于此。当加热工艺的温度满足热处理的温度范围时，可以使LVT无机材料的初始层流体化，因此防止OLED变性。
另外，为了防止OLED通过LVT无机材料的初始层的针孔被暴露于外部杂质，可以在真空气氛或惰性气体气氛（诸如，N2气氛和氩（Ar）气气氛等）下在红外（IR）炉中执行加热工艺。
通过执行如上所述的加热工艺，可以使LVT无机材料的初始层流体化。因此，在加热工艺期间，流体化的LVT无机材料可以流到LVT无机材料的初始层的针孔中并且可以填充在针孔中。结果，可以去除LVT无机材料的初始层的缺陷，并且可以形成具有致密层质量的包封层300。
包括在包封层300中的LVT无机材料可以与空气中的氧结合。因此，包封层300的表面区域包含的SnO2比其它区域包含的SnO2相对要多，并且越接近显示单元200的区域包括相对更多的SnO。包含在包封层300中的SnO2可以增强密度和包封层300的透光率。
图3示出根据本发明另一个实施例的有机发光显示设备20的剖视图。图4示出是制造图3的有机发光显示设备20的方法的流程图。
参照图3，有机发光显示设备20可以包括：基底100；显示单元200，形成在基底100上；以及包封层400，包封显示单元200。
基底100和显示单元200与在图1和图2中示出的且在上面参照图1和图2中所描述的基底100和显示单元200相似。因此，将省略其详细描述。
包封层400可以包括顺序地堆叠在显示单元200上的第一包封层410和第二包封层420。
第一包封层410与上面参照图1描述的包封层300相似。即，第一包封层410可以由LVT无机材料形成。另外，第一包封层410可以包括氮，因此可以减小第一包封层410的压应力。
第二包封层420可以由包括一种类型的化合物或者两种或更多种类型的化合物的LVT无机材料形成。第二包封层420可以比第一包封层410包括更多的SnO2，因此可以具有增强的层密度并且可以提供增大的透光率。
在下文中，将参照图4描述制造有机发光显示设备20的方法。
制造有机发光显示设备20的方法包括以下步骤：操作S10，在基底100上形成显示单元200；操作S20，在显示单元200上形成第一包封层410；以及操作S30，在第一包封层410上形成第二包封层420。
显示单元200与图2的显示单元200相似，并且各种公知的有机发光显示器可以用于显示单元200。因此，将省略制造显示单元200的方法的详细的描述。
可以通过利用溅射沉积、真空沉积、低温沉积、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、等离子体辅助沉积（PIAD）、电子束涂覆或离子镀在显示单元200上沉积LVT材料，然后对沉积的LVT无机材料加热来形成第一包封层410和第二包封层420。
例如，第一包封层410和第二包封层420可以利用使用具有SnO-SnF2-P2O5-WO3组成的靶材的溅射方法形成。在溅射方法中，可以使用双回转靶材，并且随着基底100的移动可以扫描双回转靶材。
第一包封层410与图1中的包封层300相似。在溅射期间，通过将氩气和氮气一起注入来形成第一包封层410。当在溅射期间注入氮气时，氮气去除诸如碳的使透光率减小的杂质，因此，可以增强第一包封层410的透光率。另外，由于在不存在氧的条件下执行溅射，所以OLED的有机发光层和对电极233不会被氧化。
第一包封层410可以包括SnO2。然而，第一包封层410中的SnO2的量在包封层410的表面区域中可以比在第一包封层410的较为接近显示单元200的区域中相对要大。
在溅射沉积工艺期间，可以通过将氩气和氧气一起注入来形成第二包封层420。氧气的注入量与氩气的注入量的比例可以是大约0.005:1至大约1:1。由于第一包封层410起着保护OLED的有机发光层和对电极233免于被氧化的阻挡层的作用，所以在形成第二包封层420时可以增加氧气的注入量。因此，在第二包封层420中包括的SnO2比在第一包封层410中的SnO2多，其中，SnO2是SnO被氧化时所形成的。SnO2可以增强薄膜密度和第二包封层420的透光率。
由于第一包封层410起着保护OLED的有机发光层和对电极233免于被氧化的阻挡层的作用，所以第一包封层410可以以足以实现阻挡功能的厚度形成。因此，由于第二包封层420的厚度可以相对地增大（例如，可以形成为比第一包封层410厚），所以可以增强包封层400的阻挡特性和透光率。
加热工艺与参照图1所示的和描述的工艺相似。可以对第一包封层410和第二包封层420独立地执行加热工艺，或者，可以同时对第一包封层410上和第二包封层420执行加热工艺。
加热工艺可以不一定包括一个操作，而是可以包括多个操作。另外，加热工艺后可以进行后处理工艺，例如化学处理、等离子处理、利用包括氧的高温室的处理、利用包括氧和湿气的高温室的处理或者表面掺杂。通过执行后处理工艺，可以更牢固地固定已经对其执行了加热工艺的第一包封层410和第二包封层420。
根据本发明的一个或多个实施例，可以提供在透光和包封有机发光装置方面改善的包封层。因此，有机发光显示设备可以更加可靠。
虽然已经参照本发明的示例性实施例具体示出且描述了本发明，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，在此可以在形式和细节方面进行各种改变。
Claims (18)
1.一种有机发光显示设备，所述有机发光显示设备包括：
基底；
显示单元，位于基底上；以及
包封层，包封显示单元，
其中，包封层由低温粘度转变无机材料形成；
其中，包封层包括氮。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，包封层包括锡氧化物。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，包封层还包括P2O5、BPO4、SnF2和WO3中的至少一种。
4.根据权利要求2所述的有机发光显示设备，其中，锡氧化物是SnO2，并且在包封层的表面中的SnO2的量大于在显示单元附近的区域中的SnO2的量。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，包封层还形成在基底上。
6.一种有机发光显示设备，所述有机发光显示设备包括：
基底；
显示单元，位于基底上；以及
包封层，包封显示单元，
其中，包封层包括顺序地堆叠的第一包封层和第二包封层；
其中，第一包封层和第二包封层由低温粘度转变无机材料形成；
其中，第一包封层包括氮。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示设备，其中，第一包封层和第二包封层包括锡氧化物。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示设备，其中，锡氧化物是SnO2，并且第二包封层中的SnO2的量大于第一包封层中的SnO2的量。
9.根据权利要求6所述的有机发光显示设备，其中，第二包封层的厚度大于第一包封层的厚度。
10.一种制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括：
在基底上形成显示单元；以及
形成包封显示单元的第一包封层，
其中，形成第一包封层的步骤包括：通过溅射在显示单元上沉积低温粘度转变无机材料，并加热沉积的低温粘度转变无机材料；在溅射期间将氩气和氮气一起注入。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，氮气的注入量与氩气的注入量的比例在0.005:1至0.1:1的范围。
12.根据权利要求10所述的方法，所述方法还包括在第一包封层上形成第二包封层，
其中，第二包封层是通过溅射来沉积低温粘度转变无机材料而形成的。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，当形成第二包封层时，将氩气和氧气一起注入。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，低温粘度转变无机材料包括锡氧化物。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，低温粘度转变无机材料还包括P2O5、BPO4、SnF2和WO3中的至少一种。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，锡氧化物是SnO2，并且第二包封层中的SnO2的量大于第一包封层中的SnO2的量。
17.根据权利要求12所述的方法，其中，第二包封层的厚度大于第一包封层的厚度。
18.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括：在形成第二包封层后，同时加热第一包封层和第二包封层。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140120541A (ko) * | 2013-04-03 | 2014-10-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102061789B1 (ko) * | 2013-08-21 | 2020-01-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치와, 이를 이용한 온도를 측정하는 방법 |
| KR20180100118A (ko) * | 2016-01-08 | 2018-09-07 | 와이이제이 가라스 가부시키가이샤 | 불화주석계 유리 프리트와 그 제조 방법 |
| TWI621261B (zh) * | 2016-08-31 | 2018-04-11 | 群創光電股份有限公司 | 有機發光二極體觸控顯示裝置 |
| CN107129660A (zh) * | 2017-05-12 | 2017-09-05 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Led封装材料及制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6306783B1 (en) * | 1998-04-06 | 2001-10-23 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Tin borophosphate glass comprising SnO, B2O3, and P2O5 as main components and sealing material using the glass |
| US20080149924A1 (en) * | 2005-08-18 | 2008-06-26 | Bruce Gardiner Aitken | Hermetically sealing a device without a heat treating step and the resulting hermetically sealed device |
| CN102822109A (zh) * | 2010-03-29 | 2012-12-12 | 日本电气硝子株式会社 | 密封材料及使用其的糊剂材料 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100472502B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2005-03-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
| WO2006001138A1 (ja) | 2004-06-29 | 2006-01-05 | Pioneer Corporation | 薄膜形成用スパッタリングターゲット、誘電体薄膜、光ディスク及びその製造方法 |
| US7722929B2 (en) | 2005-08-18 | 2010-05-25 | Corning Incorporated | Sealing technique for decreasing the time it takes to hermetically seal a device and the resulting hermetically sealed device |
| US20070040501A1 (en) | 2005-08-18 | 2007-02-22 | Aitken Bruce G | Method for inhibiting oxygen and moisture degradation of a device and the resulting device |
| JP4749985B2 (ja) | 2006-09-28 | 2011-08-17 | 京セラ株式会社 | 撮像装置、並びにその製造装置および製造方法 |
| US7927713B2 (en) | 2007-04-27 | 2011-04-19 | Applied Materials, Inc. | Thin film semiconductor material produced through reactive sputtering of zinc target using nitrogen gases |
| KR101931177B1 (ko) * | 2012-03-02 | 2018-12-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6306783B1 (en) * | 1998-04-06 | 2001-10-23 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Tin borophosphate glass comprising SnO, B2O3, and P2O5 as main components and sealing material using the glass |
| US20080149924A1 (en) * | 2005-08-18 | 2008-06-26 | Bruce Gardiner Aitken | Hermetically sealing a device without a heat treating step and the resulting hermetically sealed device |
| CN102822109A (zh) * | 2010-03-29 | 2012-12-12 | 日本电气硝子株式会社 | 密封材料及使用其的糊剂材料 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106098733A (zh) * | 2015-04-29 | 2016-11-09 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示设备及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| KR102072806B1 (ko) | 2020-03-03 |
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