TWI774184B - 可薄型化半導體裝置及其製造方法 - Google Patents

可薄型化半導體裝置及其製造方法 Download PDF

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Abstract

提供一種具有可薄型化之嶄新構造之裝置。
裝置10係包括第1薄膜20、第2薄膜30、第1電路構件40、及第2電路構件50。第1薄膜20係具有：第1外側部24，由第1密封部26與第1接觸部28所構成；以及第1內側部22，位於第1外側部24的內側。第2薄膜30係具有：第2外側部34，由第2密封部36與第2接觸部38所構成；以及第2內側部32，位於第2外側部34的內側。第1密封部26與第2密封部36係被彼此連接。第1接觸部28與第2接觸部38係彼此接觸，綿延全周以包圍第1內側部22及第2內側部32。第1電路構件40及第2電路構件50，係被封入被第1內側部22及第2內側部32所包圍之密封空間18的內部。

Description

可薄型化半導體裝置及其製造方法
本發明係關於一種包括被薄膜所密封之電路構件之裝置。
例如在專利文獻1，係開示有一種可薄型化之裝置。
當參照圖17時，於專利文獻1中，係開示有一種半導體晶片內建模組(裝置)90。裝置90係包括熱硬化性樹脂組成物(密封樹脂)92、及包含半導體晶片96及佈線圖98之電路構件94。密封樹脂92係被形成為埋設電路構件94於內部。之後，密封樹脂92的表面係被研磨，藉此，裝置90係被薄型化。
〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開2001-332654號公報
針對包括電路構件之裝置，係被要求更加薄型化。
在此，本發明之目的係在於提供一種可薄型化之嶄新之裝置。
本發明係提供一種裝置，當作第1裝置，其包括第1薄膜、第2薄膜、第1電路構件及第2電路構件，其特徵在於：該第1薄膜係具有第1內側部、及第1外側部，該第1內側部係位於該第1外側部的內側， 該第2薄膜係具有第2內側部、及第2外側部， 該第2內側部係位於該第2外側部的內側， 該第1外側部係具有第1密封部、及第1接觸部， 該第2外側部係具有第2密封部、及第2接觸部， 該第1密封部與該第2密封部係被彼此連接，以形成有密封標記， 該第1接觸部與該第2接觸部係在接觸領域中，彼此接觸， 該接觸領域係綿延全周，以包圍該第1內側部及該第2內側部， 在該裝置，係形成有被該第1內側部及該第2內側部所包圍之密封空間， 該第1電路構件及該第2電路構件，係被封入該密封空間的內部， 該第1電路構件係包括第1接點， 該第2電路構件係包括第2接點， 該第1接點與該第2接點係彼此接觸。
本發明係提供第1裝置，當作第2裝置，其中該第1密封部與該第2密封部係藉熱封，而被彼此連接。
本發明係提供第2裝置，當作第3裝置，其中該第1薄膜及該第2薄膜之每一個，係包括藉熱封以熔融之熔融層、及未藉熱封以熔融之非熔融層之兩層。
本發明係提供第1～第3中任一項之裝置，當作第4裝置，其中該第1薄膜及該第2薄膜，係在一片薄膜構件中，被彼此重疊之兩片密封片， 該薄膜構件係具有既定部與端緣， 該第1薄膜及該第2薄膜係在該既定部中，彼此連接， 該密封標記係至少被形成於該接觸領域與該端緣之間。
本發明係提供第4裝置，當作第5裝置，其中該薄膜構件係一片平面片體， 該第1薄膜及該第2薄膜係在該既定部中，被彎折重疊之兩片之該密封片。
本發明係提供第4裝置，當作第6裝置，其中該薄膜構件係一片袋狀片體， 該第1薄膜及該第2薄膜係在該既定部中，彼此連接之兩片之該密封片。
本發明係提供第1～第6中任一項之裝置，當作第7裝置，其中該第1電路構件係具有第1基體、及第1導體線路， 該第1基體係由絶緣薄膜所構成， 該第1導體線路係被形成於該第1基體上，具有該第1接點， 該第2電路構件係具有第2基體、及第2導體線路， 該第2基體係由絶緣薄膜所構成， 該第2導體線路係被形成於該第2基體上，具有該第2接點。
本發明係提供第1～第7中任一項之裝置，當作第8裝置，其中該第1薄膜及該第2薄膜之每一個，係具有較高之阻隔性。
本發明係提供第8裝置，當作第9裝置，其中該第1薄膜及該第2薄膜之每一個，係具有較高之氧阻隔性。
本發明係提供第8裝置，當作第10裝置，其中該第1薄膜及該第2薄膜之每一個，係具有較高之水蒸氣阻隔性。
本發明係提供第1～第10中任一項之裝置，當作第11裝置，其中該裝置係包括一個以上之彈性構件， 該彈性構件係被封入該密封空間的內部， 該彈性構件係包含第1彈性構件及第2彈性構件中之至少一者， 該第1彈性構件係至少局部性地位於該第1薄膜與該第1接點之間， 該第2彈性構件係至少局部性地位於該第2薄膜與該第2接點之間。
本發明係提供第11裝置，當作第12裝置，其中該彈性構件之每一個係具有本體部、及兩個主面， 該彈性構件之每一個中之該兩個主面，係在既定方向中，夾持該本體部以彼此位於相反側， 在該彈性構件之每一個中，當壓縮該本體部，使得兩個之該主面在該既定方向中，彼此接近時，包含於該本體部之空氣的一部份係被排出，當停止壓縮時，空氣係流入到該本體部。
本發明係提供第12裝置，當作第13裝置，其中該彈性構件之每一個係連續氣泡構造體。
本發明係提供一種製造方法，當作第1製造方法，其包括第1薄膜、第2薄膜、第1電路構件及第2電路構件，其特徵在於其包括： 準備工序，準備該第1薄膜、該第2薄膜、該第1電路構件及該第2電路構件，其中，該第1電路構件係包括第1接點，該第2電路構件係包括第2接點； 配置工序，依該第1薄膜、該第1電路構件、該第2電路構件及該第2薄膜之順序，彼此重疊，使該第1接點與該第2接點相向，以配置於腔體內；以及 密封工序，在使該腔體內抽真空後之狀態下，密封該第1薄膜與該第2薄膜，藉此，使該第1電路構件及該第2電路構件，封入被該第1薄膜及該第2薄膜所包圍之密封空間內，而且，使該第1接點與該第2接點彼此接觸。
本發明係提供第1製造方法，當作第2製造方法，其中在該密封工序中，熱封該第1薄膜與該第2薄膜。
在本發明之裝置中，第1薄膜及第2薄膜係夾持第1電路構件及第2電路構件（以下，單稱做「電路構件」）在其間，其被重疊，使得彼此接觸。又，電路構件之每一個係除了包括接點之外，沒有構造上之限制。亦即，本發明之電路構件，係具有簡易之構造，可由種種材料形成。例如電路構件也可以係形成有具有接點之導體線路之絶緣薄膜。在此情形下，可使裝置整體之厚度很薄。亦即，當依據本發明時，可提供一種可薄型化之嶄新裝置。
當參照圖1時，本發明實施形態之裝置10，係獨立之電子設備。更具體說來，裝置10係不物理性地安裝於其他電子設備（未圖示）地，可單獨動作。例如裝置10係藉黏著於對象者的心臟附近，量測對象者之心跳數，傳送量測結果到其他電子設備。亦即，裝置10係可當作量測心跳數等之生物體資訊之電子設備而使用。但是，本發明係並不侷限於此，而可適用於具有種種功能之裝置。
本實施形態之裝置10係包括電路構造體12與薄膜構件14。電路構造體12係用於將裝置10當作電子設備而發揮功能之構件。例如電路構造體12係具有：電子電路（未圖示），用於量測心跳數；以及電子電路（未圖示），用於傳送量測結果到其他電子設備（未圖示）。薄膜構件14係使電路構造體12整體收容於內部，保護電路構造體12不受外部環境影響。亦即，電路構造體12係被封入薄膜構件14的內部。
以下，說明本實施形態之裝置10之構造。
當參照圖2時，本實施形態之電路構造體12，係包括第1電路構件40與第2電路構件50。又，本實施形態之薄膜構件14係包括由絶緣體所構成之第1薄膜20、及由絶緣體所構成之第2薄膜30。亦即，裝置10係包括第1薄膜20、第2薄膜30、第1電路構件40及第2電路構件50。上述四個構件（第1薄膜20、第2薄膜30、第1電路構件40及第2電路構件50），係在上下方向（Z方向）中，被堆積重疊，而被組立為一個之裝置10（參照圖1）。本實施形態之裝置10，係僅包括上述四個構件。但是，本發明係並不侷限於此，裝置10也可以在上述四個構件之外，還包括其他構件。例如裝置10也可以還包括附加性電路構件。
當參照圖2及圖3時，本實施形態之第1電路構件40係具有第1基體42、及第1導體線路44。本實施形態之第1基體42，係由絶緣薄膜所構成之矩形較薄片體，其具有可撓性。第1基體42係與Z方向直交之水平面（片體面：XY平面）平行地延伸。第1導體線路44係被形成於第1基體42上。詳細說來，第1導體線路44係由銅等導電體所構成，藉銀墨印刷或蝕刻等之形成方法，被形成於第1基體42的下表面（－Z側之面）。
本實施形態之第2電路構件50係具有第2基體52、及第2導體線路54。本實施形態之第2基體52，係由絶緣薄膜所構成之矩形較薄片體，其具有可撓性。第2基體52係與XY平面平行地延伸。第2導體線路54係被形成於第2基體52上。詳細說來，第2導體線路54係由銅等導電體所構成，藉銀墨印刷或蝕刻等之形成方法，被形成於第2基體52的上表面（＋Z側之面）。
本實施形態之第1電路構件40及第2電路構件50之每一個，係具有上述構造。但是，本發明係並不侷限於此。例如第1基體42及第2基體52之每一個之形狀，係並不侷限於矩形，其可因應需要而變形之。第1基體42及第2基體52之每一個，也可以係剛硬之電路基板。第1導體線路44及第2導體線路54之每一個，只要係由導電體所形成，第1導體線路44及第2導體線路54之每一個之形成方法，係並未特別侷限。
在本實施形態中，第1導體線路44係具有第1接點48，第2導體線路54係具有第2接點58。亦即，第1電路構件40係包括第1接點48，第2電路構件50係包括第2接點58。在被組立後之裝置10（參照圖1）中，第1接點48與第2接點58係彼此接觸（參照圖3之中心線）。亦即，第1電路構件40與第2電路構件50係被組合，使得第1接點48與第2接點58係彼此接觸，以形成電路構造體12。電路構造體12的第1導體線路44及第2導體線路54，係彼此電性連接。
圖2及圖3所示之第1導體線路44及第2導體線路54，係用於簡易說明本發明之抽象性之導體線路，其不具有具體性功能。亦即，即使圖示之第1接點48與第2接點58係彼此接觸，裝置10仍（參照圖1）不具有電子設備之功能。另外，實際之第1導體線路44及第2導體線路54，係例如具有圖4所示之構造。
當參照圖4時，在第1基體42的下表面，係形成有第1電路43，在第2基體52的上表面，係形成有第2電路53。第1電路43係具有：兩個第1導體線路44，分別形成有第1接點48；以及鈕釦電池46。第2電路53係具有：兩個第2導體線路54，分別形成有第2接點58；以及LED（Light Emitting Diode）56。當第1接點48與第2接點58係彼此接觸時，電力自鈕釦電池46被供給到LED56，LED56係發光。第1電路43及第2電路53之構造，係可比圖4之實施例更加地變形為實用性構造。例如第2電路53也可以取代LED56，而具有心跳數之量測電路、及量測結果之傳送電路。
當依據圖4之實施例時，第1接點48及第2接點58之每一個之數量係2。但是，第1接點48及第2接點58之每一個之數量，如圖2所示，可以係1，也可以係3以上。亦即，當參照圖2及圖3時，第1電路構件40係只要包括一個以上之第1接點48即可，第2電路構件50係只要包括分別對應於第1接點48之一個以上之第2接點58即可。在被組立後之裝置10（參照圖1）中，第1接點48之每一個，係只要接觸到對應之第2接點58即可。
當參照圖2時，本實施形態之第1薄膜20與第2薄膜30，係彼此具有同樣之構造。更具體說來，第1薄膜20及第2薄膜30之每一個，係矩形之較薄片體，其具有可撓性。第1薄膜20及第2薄膜30之每一個，係與XY平面平行地延伸。第1薄膜20係具有XY平面中之周緣29。第2薄膜30係具有XY平面中之周緣39。
當一併參照圖1與圖2時，本實施形態之第1薄膜20與第2薄膜30，係使XY平面中之周緣29之位置與周緣39之位置彼此一致，以被彼此重疊。但是，本發明係並不侷限於此。例如XY平面中之第1薄膜20之尺寸與XY平面中之第2薄膜30之尺寸，也可以係彼此不同。第1薄膜20及第2薄膜30之每一個之形狀，係並不侷限於矩形，其可因應需要而變形之。
當參照圖2時，第1薄膜20係具有第1內側部22、及第1外側部24。第1內側部22係在XY平面中，位於第1外側部24的內側。換言之，第1外側部24係在第1薄膜20之中，包圍第1內側部22之部位。同樣地，第2薄膜30係具有第2內側部32、及第2外側部34。第2內側部32係在XY平面中，位於第2外側部34的內側。換言之，第2外側部34係在第2薄膜30之中，包圍第2內側部32之部位。
當參照圖1、圖2及圖5時，第1薄膜20的第1內側部22及第2薄膜30的第2內側部32，係在裝置10中，收容電路構造體12之部位。當依據本實施形態時，於裝置10被組立之前，第1薄膜20係沿著XY平面般地延伸，第1內側部22與第1外側部24之間，係無可辨識之邊界。同樣地，在裝置10被組立之前，第2薄膜30係沿著XY平面般地延伸，在第2內側部32與第2外側部34之間，係無可辨識之邊界。但是，本發明係並不侷限於此。例如可以在第1內側部22與第1外側部24之間，形成有凹陷等之可辨識之邊界，也可以在第2內側部32與第2外側部34之間，形成有凹陷等之可辨識之邊界。
當參照圖2時，第1外側部24係具有第1密封部26、及第1接觸部28。第2外側部34係具有第2密封部36、及第2接觸部38。當一併參照圖1與圖2時，第1密封部26與第2密封部36，係被彼此連接以形成有密封標記16。當依據本實施形態時，第1密封部26與第2密封部36，係藉熱封而被彼此連接。亦即，本實施形態之密封標記16，係第1密封部26與第2密封部36藉加熱，而彼此熔著之標記。但是，本發明係並不侷限於此，第1密封部26與第2密封部36係可藉高週波、超音波及雷射等之種種方法連接。
當參照圖1及圖2時，本實施形態之密封標記16，係綿延第1密封部26及第2密封部36全周以形成。亦即，密封標記16係在XY平面中，綿延全周以包圍第1內側部22及第2內側部32。另外，第1密封部26及第2密封部36的一部份（尤其，XY平面中之外周部），係不被熱封，而未形成有密封標記16。但是，本發明係並不侷限於此，密封標記16也可以係綿延第1密封部26及第2密封部36整體以形成。
當一併參照圖1與圖5時，如下所述，第1密封部26與第2密封部36，係在被抽真空後之環境內，彼此連接。當第1密封部26與第2密封部36彼此連接時，第1接觸部28與第2接觸部38係藉氣壓差，而在接觸領域17中，彼此接觸。接觸領域17係在XY平面中，綿延全周地無縫包圍第1內側部22及第2內側部32。結果，在裝置10，係形成有被第1內側部22及第2內側部32所包圍之密封空間18。當依據本實施形態時，第1密封部26與第2密封部36，係在使密封空間18內部之氣壓為接近真空之低壓後之狀態下，被彼此連接。而且，接觸領域17係遮斷密封空間18內部與外部間之空氣之流動。亦即，密封空間18內部之氣壓係被維持，使得成為比大氣壓還要低之低壓。
當參照圖5時，第1電路構件40及第2電路構件50，係被封入被維持於上述低氣壓之密封空間18內部。第1接點48與第2接點58，係在密封空間18內部，彼此接觸。亦即，第1接點48與第2接點58，係因為密封空間18內部與外部間之氣壓差，而被彼此壓抵，藉此，即使不在第1接點48及第2接點58之每一個施加金電鍍等之電鍍，第1接點48與第2接點58之間，也可確實維持接觸。
當總結以上之說明時，在本實施形態之裝置10中，第1薄膜20及第2薄膜30係夾持第1電路構件40及第2電路構件50（以下，單稱做「電路構件」）於其間，以彼此接觸地被重疊。又，電路構件之每一個係除了包括接點（第1接點48或第2接點58）之外，在構造上並無限制。亦即，本實施形態之電路構件係具有簡易之構造，可由種種材料形成。例如電路構件也可以係形成有具有接點之導體線路（第1導體線路44或第2導體線路54）之絶緣薄膜。在此情形下，可使裝置10整體之厚度極薄。亦即，當依據本實施形態時，可提供一種可薄型化之嶄新之裝置10。
當參照圖2及圖5時，第1薄膜20的第1密封部26及第2薄膜30的第2密封部36，係用於使第1薄膜20及第2薄膜30藉熱封等之密封，而彼此牢固地連接之部位。第1薄膜20的第1接觸部28及第2薄膜30的第2接觸部38，係伴隨著第1密封部26及第2密封部36在低氣壓下之連接，而彼此接觸之部位。當依據本實施形態時，於密封前，第1密封部26與第1接觸部28之間，係無可辨識之邊界。同樣地，於密封前，於第2密封部36與第2接觸部38之間，係無可辨識之邊界。但是，本發明係並不侷限於此。例如也可以於第1密封部26與第1接觸部28之間，形成有凹陷等之可辨識之邊界，或者，亦可在第2密封部36與第2接觸部38之間，形成有凹陷等之可辨識之邊界。
當依據本實施形態時，第1接觸部28及第2接觸部38，係在XY平面中，綿延全周以無縫地包圍第1內側部22及第2內側部32。第1密封部26及第2密封部36，係在XY平面中，綿延全周以無縫地包圍第1接觸部28及第2接觸部38。當依據此構造時，可確實地維持密封空間18之氣密性。而且，藉切除第1密封部26及第2密封部36，可自密封空間18，較容易地取出第1電路構件40及第2電路構件50。亦即，當依據本實施形態時，可較容易分別回收構件，而且，可再利用。但是，本發明係並不侷限於此。例如第1密封部26及第2密封部36，係也可以在XY平面中，局部性地包圍第1接觸部28及第2接觸部38。又，第1密封部26及第2密封部36，係也可以局部性地被第1接觸部28及第2接觸部38所包圍。
當參照圖1及圖8時，本實施形態之第1薄膜20及第2薄膜30之每一個，係包括藉熱封而熔融之熔融層146、及不藉熱封而熔融之非熔融層148之兩層。亦即，第1薄膜20及第2薄膜30之每一個，係具有由熔融層146及非熔融層148所構成之兩層構造。例如熔融層146係由聚乙烯所構成，非熔融層148係由尼龍所構成。藉此構造，維持第1密封部26及第2密封部36的非熔融層148，可使熔融層146彼此融著。但是，本發明係並不侷限於此，第1薄膜20及第2薄膜30之每一個，係只要具有因應密封方法之構造即可。例如第1薄膜20及第2薄膜30之每一個，可以僅包括一層，也可以包括三層以上之層。
本實施形態之第1薄膜20及第2薄膜30之每一個，係在第1密封部26及第2密封部36以外之部位，也包括熔融層146與非熔融層148。但是，本發明係並不侷限於此。例如熔融層146也可以僅形成於第1密封部26及第2密封部36之每一個。
當參照圖1時，第1薄膜20及第2薄膜30之每一個，係最好具有較高之氧阻隔性。更具體說來，第1薄膜20及第2薄膜30之每一個，最好係包括由具有較高之氧阻隔性之材料（高氧阻隔材）所構成之層。當依據此層構造時，可減少電路構造體12的金屬構件之氧化。
例如高氧阻隔材也可以係線性聚乙烯（LLDPE : Linear Low Density Polyethylene）。更具體說來，高氧阻隔材可以係覆膜（laminate）加工聚對苯二甲酸乙二酯、鋁及聚乙烯後之PET／AI／PE，也可以係覆膜加工雙軸延伸尼龍及聚乙烯後之ON／PE，也可以係覆膜加工聚對苯二甲酸乙二酯、聚氯乙烯及聚乙烯後之PET／EVOH／PE，也可以係覆膜加工透明高阻隔薄膜及聚乙烯以形成之。透明高阻隔薄膜可以係SiOx蒸鍍PET（聚對苯二甲酸乙二酯），也可以係氧化鋁蒸鍍PET（聚對苯二甲酸乙二酯）。
本實施形態之第1薄膜20及第2薄膜30之每一個，係最好在較高之氧阻隔性之外，還具有較高之水蒸氣阻隔性。更具體說來，第1薄膜20及第2薄膜30之每一個，最好係包括由具有較高之水蒸氣阻隔性之材料（高水蒸氣阻隔材）所構成之層。當依據此層構造時，可使電路構造體12防水。例如高水蒸氣阻隔材也可以係在ON／PE、OPP（雙軸延伸聚丙烯）、PET等之片體，施加過PVDC（聚偏二氯乙烯）塗層之材料。
第1薄膜20及第2薄膜30之每一個，也可以係在較高之氧阻隔性及較高之水蒸氣阻隔性之外，具有氮阻隔性等之種種阻隔性。亦即，第1薄膜20及第2薄膜30之每一個，最好係因應用途而具有較高之阻隔性。
當參照圖6時，本實施形態之裝置10（參照圖1），係經過準備工序（步驟1）、配置工序（步驟2）、及密封工序（步驟3）之三個工序以被製造。但是，本發明係並不侷限於此，裝置10之製造方法，係可因應需要而變形。以下，說明本實施形態之裝置10之製造方法。
當參照圖7時，在準備工序（參照圖6）中，係準備裝置構件11。裝置構件11係包括第1薄膜20、第2薄膜30、第1電路構件40及第2電路構件50。當參照圖8時，如上所述，第1電路構件40係包括第1接點48，第2電路構件50係包括第2接點58。亦即，本實施形態之製造方法，係包括準備第1薄膜20、第2薄膜30、第1電路構件40及第2電路構件50之準備工序，其中，第1電路構件40係包括第1接點48，第2電路構件50係包括第2接點58。
接著，在配置工序（參照圖6）中，係使第1薄膜20、第1電路構件40、第2電路構件50及第2薄膜30，沿著Z方向，自上而下地依序彼此重疊。此時，使第1電路構件40及第2電路構件50，位於第1薄膜20及第2薄膜30之XY平面中之中間部。又，使第1電路構件40及第2電路構件50，配置使得第1接點48與第2接點58係在Z方向中相向。又，使第1薄膜20及第2薄膜30，配置使得兩個熔融層146，在Z方向中相向。
接著，當參照圖9時，係使如上配置之裝置構件11收容於腔體70內部。亦即，本實施形態之製造方法，係包括使第1薄膜20、第1電路構件40、第2電路構件50及第2薄膜30，以此順序彼此重疊，使第1接點48與第2接點58相向，以配置於腔體70內之配置工序。
腔體70係可使內部空間為非常接近真空之狀態之裝置。本實施形態之腔體70係包括模具74、及熱封條78。裝置構件11係被置於模具74之上。之後，減少腔體70內部空間之氣壓，同時密封第1薄膜20與第2薄膜30。
詳細說來，本實施形態之熱封條78係具有加熱部782。當依據本實施形態時，係加熱加熱部782，使得成為熔融層146（參照圖8）之熔點以上之高溫。使如此加熱後之加熱部782，壓抵到被上下重疊後之第1薄膜20的第1密封部26及第2薄膜30的第2密封部36，以熱封第1密封部26與第2密封部36。結果，第1電路構件40及第2電路構件50，係被封入被第1薄膜20及第2薄膜30所包圍之密封空間18（參照圖5）內。而且，第1接點48與第2接點58係彼此接觸。
亦即，本實施形態之製造方法，係包括於使腔體70內抽真空後之狀態下，密封第1薄膜20與第2薄膜30，藉此，使第1電路構件40及第2電路構件50，封入被第1薄膜20及第2薄膜30所包圍之密封空間18（參照圖5）內，而且，使第1接點48與第2接點58彼此接觸之密封工序。
當依據本實施形態時，於密封工序中，係在接近真空之低氣壓下，熱封第1薄膜20與2薄膜30。當依據此製造方法時，第1接點48與第2接點58，係不使用接著劑等固定構件地，彼此確實地接觸。因此，當無須裝置10（參照圖1）時，僅藉切除第1密封部26及第2密封部36，就可分解裝置10。而且，可使第1電路構件40及第2電路構件50，封入低氣壓之密封空間18（參照圖5）內部，藉此，可減少由金屬構件之氧化等所致之劣化。但是，本發明係並不侷限於此，裝置10之製造方法及密封方法，係可因應需要而變形之。
當參照圖6～圖9時，當依據上述製造方法時，係藉準備工序～密封工序之工序，可由一個裝置構件11製造一個裝置10（參照圖1）。但是，本發明係並不侷限於此。例如當參照圖10時，係也可以準備及配置包括複數的裝置構件11之構件，對於此構件整體施加密封工序（參照圖6及圖9）。又，也可以使圖10所示之構件，藉滾輪等而傳遞到腔體70（參照圖9）的內部。
本實施形態係在已經說明過之變形例之外，更可做種種變形。以下，說明兩個變形例。
當參照圖11及圖12時，本實施形態變形例之裝置10A，係由裝置構件11A所製造。當參照圖11時，裝置構件11A係取代裝置構件11（參照圖7）的第1薄膜20（參照圖7）及第2薄膜30（參照圖7），而包括由絶緣體所構成之一片平面片體14A，而且，與裝置構件11相同地，包括電路構造體12。亦即，電路構造體12係包括第1電路構件40、及第2電路構件50。
平面片體14A係在前後方向（X方向）中之中間部（既定部142A），被彎折，藉此，形成有在Z方向中，彼此重疊之第1薄膜（密封片）20A與第2薄膜（密封片）30A。亦即，第1薄膜20A及第2薄膜30A，係在一片之薄膜構件14A中，被彼此重疊之兩片密封片。薄膜構件14A係一片平面片體，其具有既定部142A與端緣144A。端緣144A係薄膜構件14A之XY平面中之緣。
本變形例之裝置10A係可藉與裝置10（參照圖1）同樣之製造方法製造之。例如於配置工序（參照圖6）中，電路構造體12係被配置於Z方向中之第1薄膜20A與第2薄膜30A之間。
當參照圖12時，裝置10A係具有與裝置10（參照圖1）同樣之構造。例如第1密封部26A與第2密封部36A，係被彼此連接以形成密封標記16A。第1接觸部28A與第2接觸部38A係在接觸領域17A中，彼此接觸。接觸領域17A係綿延全周以包圍第1內側部22及第2內側部32。在裝置10A，係形成有被第1內側部22及第2內側部32所包圍之密封空間18。第1電路構件40（參照圖10）及第2電路構件50（參照圖10），係被封入密封空間18內部。第1電路構件40的第1接點48（參照圖3）與第2電路構件50的第2接點58（參照圖3），係彼此接觸。
另外，裝置10A係在以下之點中，與裝置10（參照圖1）不同。首先，第1薄膜20A及第2薄膜30A係在既定部142A中，被彎折重疊之兩片密封片。亦即，第1薄膜20A及第2薄膜30A係在既定部142A中，彼此連接。當依據此構造時，既定部142A與接觸領域17A之間，係無須密封。因此，僅接觸領域17A與端緣144A間係被密封。亦即，密封標記16A係僅形成於接觸領域17A與端緣144A之間。但是，本發明係並不侷限於此，也可以密封既定部142A與接觸領域17A之間。亦即，密封標記16A係只要至少被形成於接觸領域17A與端緣144A之間即可。
當參照圖13及圖14時，本實施形態之另一變形例之裝置10B，係由裝置構件11B所製造。當參照圖13時，裝置構件11A係取代裝置構件11（參照圖7）的第1薄膜20（參照圖7）及第2薄膜30（參照圖7），而包括由絶緣體所構成之一片之袋狀片體14B，而且，與裝置構件11相同地，包括電路構造體12。亦即，電路構造體12係包括第1電路構件40、及第2電路構件50。
袋狀片體14B係在XY平面中之三邊（既定部142B）中連接，於前端（＋X側之端）中，開口。藉此構造，係於袋狀片體14B，形成有於Z方向中，彼此重疊之第1薄膜（密封片）20B與第2薄膜（密封片）30B。亦即，第1薄膜20B及第2薄膜30B係在一片之薄膜構件14B中，被彼此重疊之兩片密封片。薄膜構件14B係一片袋狀片體，其具有既定部142B與端緣144B。端緣144B係薄膜構件14B的開口部的緣。
本變形例之裝置10B，係可藉與裝置10（參照圖1）同樣之製造方法製造之。例如於配置工序（參照圖6）中，電路構造體12係被封入薄膜構件14B內部，被配置於Z方向中之第1薄膜20B與第2薄膜30B之間。
當參照圖14時，裝置10B係具有與裝置10（參照圖1）同樣之構造。例如第1密封部26B與第2密封部32B係被彼此連接，以形成密封標記16B。第1接觸部28B與第2接觸部38B係在接觸領域17B中，彼此接觸。接觸領域17B係綿延全周以包圍第1內側部22及第2內側部32。於裝置10B中，係形成有被第1內側部22及第2內側部32所包圍之密封空間18。第1電路構件40（參照圖12）及第2電路構件50（參照圖12），係被封入密封空間18內部。第1電路構件40的第1接點48（參照圖3）與第2電路構件50的第2接點58（參照圖3），係彼此接觸。
另外，裝置10B係在以下之點中，與裝置10（參照圖1）不同。首先，第1薄膜20B及第2薄膜30B係在既定部142B中，彼此連接之兩片密封片。亦即，第1薄膜20B及第2薄膜30B係在既定部142B中，彼此連接。當依據此構造時，既定部142B與接觸領域17B之間，係無須密封。因此，僅接觸領域17B與端緣144B之間係被密封。亦即，密封標記16B係僅形成於接觸領域17B與端緣144B之間。但是，本發明係並不侷限於此，也可以密封既定部142B與接觸領域17B之間。亦即，密封標記16B係只要至少形成於接觸領域17B與端緣144B之間即可。
於上述之兩個變形例中，薄膜構件係一片平面片體或一片袋狀片體。但是，本發明之薄膜構件係並不侷限於此，其可做種種變形。
當參照圖1時，裝置10係在已經說明過之變形例之外，更可做種種變形。例如如上所述，裝置10也可以在四個構件（第1薄膜20、第2薄膜30、第1電路構件40及第2電路構件50）之外，還包括其他構件。以下，說明裝置10包括其他構件之變形例。
當比較圖15與圖2時，本變形例之裝置10C，係與裝置10相同地，於第1薄膜20、第2薄膜30、第1電路構件40及第2電路構件50之外，包括裝置10所未包括之兩個之彈性構件60C。本變形例之彈性構件60C係包含第1彈性構件62C、及第2彈性構件64C。當參照圖15及圖16時，彈性構件60C係與第1電路構件40及第2電路構件50一同地，被封入密封空間18（參照圖5）內部。第1彈性構件62C係在Z方向中，位於第1薄膜20與第1接點48之間。第2彈性構件64C係在Z方向中，位於第2薄膜30與第2接點58之間。
當參照圖15時，本變形例之彈性構件60C之每一個，係具有反逆性之發泡性緩衝材。更具體說來，本變形例之彈性構件60C之每一個，係胺甲酸酯（urethane）海綿、聚烯烴海綿、CR（氯丁二烯橡膠）海綿等之連續氣泡構造體。本變形例之連續氣泡構造體，係由可伸縮之彈性體、及稠密地形成於彈性體內部之多數氣泡所構成。氣泡係形成有彼此連接之連續氣泡。連續氣泡係在彈性體外部開口。當壓縮連續氣泡構造體時，連續氣泡構造體係持續排出氣泡內部的空氣到外部而收縮。當停止壓縮連續氣泡構造體時，連續氣泡構造體係持續吸收外部空氣到氣泡內部而膨脹，以復原到收縮前之形狀。本變形例之彈性構件60C之每一個，係由這種連續氣泡構造體所構成之優良緩衝材。
當參照圖15及圖16時，本變形例之彈性構件60C之每一個，係具有本體部602C與兩個之主面604C。彈性構件60C之每一個中之兩個之主面604C，係在既定方向（於圖15及圖16中，Z方向）中，係夾持本體部602C以彼此位於相反側，沿著與既定方向直交之平面（在圖15及圖16中，XY平面），彼此平行地延伸。於彈性構件60C之每一個中，當壓縮本體部602C，使得兩個之主面604C於既定方向中，彼此接近時，包含於本體部602C之空氣的一部份係被排出，當停止壓縮時，空氣係流入到本體部602C。
當一併參照圖15與圖1時，裝置10C係與裝置10同樣地被組立。詳細說來，當一併參照圖6與圖1及圖15時，裝置10C係與裝置10同樣地，經過準備工序（步驟1）、配置工序（步驟2）、及密封工序（步驟3）之三個工序以被製造。以下，針對本變形例之裝置10C之製造方法，以與裝置10之製造方法不同之點為中心做說明。
當比較圖16與圖8時，於變形例之準備工序（參照圖6）中，係準備裝置構件11C。裝置構件11C係與裝置構件11相同地，於第1薄膜20、第2薄膜30、第1電路構件40及第2電路構件50之外，係包括裝置構件11所不包括之兩個之彈性構件60C（第1彈性構件62C及第2彈性構件64C）。
接著，在變形例之配置工序（參照圖6）中，使第1薄膜20、第1彈性構件62C、第1電路構件40、第2電路構件50、第2彈性構件64C及第2薄膜30，沿著Z方向，自上而下，以此順序彼此重疊。此時，使第1彈性構件62C位於第1接點48正上方地，配置於Z方向中之第1薄膜20與第1電路構件40之間。又，使第2彈性構件64C位於第2接點58之正下方地，配置於Z方向中之第2薄膜30與第2電路構件50之間。
接著，當一併參照圖9與圖16時，使如上地配置之裝置構件11C，收容於腔體70內部。裝置構件11C係被置於模具74之上方。之後，進行與裝置10（參照圖1）之密封工序同樣之密封工序（參照圖6）。更具體說來，藉抽真空而減少腔體70的內部空間之氣壓，同時熱封第1薄膜20與第2薄膜30。結果，第1電路構件40、第2電路構件50及彈性構件60C，係被封入被第1薄膜20及第2薄膜30所包圍之密封空間18（參照圖16）內。又，第1接點48與第2接點58係彼此接觸。
當參照圖16時，於密封工序（參照圖6）中，隨著腔體70（參照圖9）的內部空間之氣壓減少，第1薄膜20係相對於第1電路構件40中之第1接點48之正內面之部位而言，壓抵第1彈性構件62C，第2薄膜30係相對於第2電路構件50中之第2接點58之正內面之部位而言，壓抵第2彈性構件64C。結果，彈性構件60C之每一個，係排出本體部602C之空氣，主要係被壓縮往既定方向（Z方向）（參照在圖16之放大圖中，假想線所示之壓縮後之主面604C之位置）。因此，裝置10C中之彈性構件60C之厚度（Z方向中之尺寸）係非常薄。亦即，當依據本變形例時，可提供一種可薄型化之嶄新之裝置10C。
在裝置10C中，第1接點48係藉被壓縮後之第1彈性構件62C之復原力，被壓抵到第2接點58。同樣地，第2接點58係藉被壓縮後之第2彈性構件64C之復原力，被壓抵到第1接點48。當依據本變形例時，係配置兩個之彈性構件60C，使得夾入第1接點48及第2接點58，藉此，可使第1接點48與第2接點58更穩定地連接。
即使在使用裝置10C時，空氣進入密封空間18的內部，空氣也被彈性構件60C所吸收。此時，彈性構件60C之復原力之減少係很少，所以，可抑制第1接點48與第2接點58間之接觸力之改變。而且，包括彈性構件60C之裝置10C，係即使彎曲也不太會破損。當依據本變形例時，可提供一種於種種環境中，可綿延長期間地穩定動作之裝置10C。
本變形例係如以下說明地，還可做種種變形。
當參照圖15時，彈性構件60C之每一個，係具有矩形之平板形狀。又，彈性構件60C之每一個之XY平面中之尺寸，係與第1接點48及第2接點58之XY平面中之尺寸為同程度。但是，本發明係並不侷限於此。例如彈性構件60C之每一個之形狀，係並未特別侷限。又，只要係可以第1接點48及第2接點58被彼此壓抵地，使彈性構件60C封入密封空間18（圖5參照）內部，彈性構件60C之每一個之XY平面中之尺寸係並未特別侷限。亦即，第1彈性構件62C係只要至少局部性地位於第1薄膜20與第1接點48之間即可，第2彈性構件64C係只要至少局部性地位於第2薄膜30與第2接點58之間即可。
例如彈性構件60C之每一個之XY平面中之尺寸，也可以係與第1電路構件40及第2電路構件50之每一個之XY平面中之尺寸為同程度。藉使彈性構件60C之尺寸如此地加大，可減少空氣進入密封空間18內部後之彈性構件60C之膨脹。而且，較大尺寸之彈性構件60C，係在配置工序（參照圖6）中，較容易與第1接點48及第2接點58對應地配置。尤其，即使當第1接點48及第2接點58之每一個之數量係兩個以上時，較大尺寸之彈性構件60C，在不增加彈性構件60C之數量，於配置工序中，容易配置。
本變形例之彈性構件60C，係包含第1彈性構件62C及第2彈性構件64C之兩者。但是，本發明係並不侷限於此。例如彈性構件60C係也可以僅包含第1彈性構件62C及第2彈性構件64C中之任一者。又，第1彈性構件62C及第2彈性構件64C之每一個之數量，也可以係兩個以上。亦即，裝置10C係只要包括一個以上之彈性構件60C即可。彈性構件60C係只要包含第1彈性構件62C及第2彈性構件64C中之至少一者即可。
彈性構件60C之每一個，也可以由連續氣泡構造體以外之材料所形成。例如彈性構件60C之每一個，也可以係由包含彼此獨立之多數氣泡之獨立氣泡構造體所形成，使得具有與連續氣泡構造體同樣之功能。更具體說來，係只要在獨立氣泡構造體，形成於外部開口之孔，在壓縮後，孔內部的空氣被排出到外部即可。彈性構件60C之每一個，也可以係使兩片平板藉多數彈簧而連接，以形成使得具有與連續氣泡構造體同樣之功能。又，彈性構件60C之每一個，也可以由不包含氣泡之橡膠等彈性體所形成。但是，當由不包含連續氣泡之彈性體，形成彈性構件60C之每一個時，當被壓縮後，彈性變形之部位係偏倚，藉此，有時無法均勻地加壓第1接點48（第2接點58）整體。因此，由使第1接點48及第2接點58彼此穩定地連接之觀點看來，最好使彈性構件60C之每一個，由連續氣泡構造體所形成。
當一併參照圖15、圖1、圖12及圖14時，本變形例之裝置10C，係與前述之裝置10、裝置10A及裝置10B同樣地，可變形。例如裝置10C之薄膜構件14，可以係一片平面片體，也可以係一片袋狀片體。又，裝置10C之製造方法，也與裝置10之製造方法同樣地，可變形（例如參照圖10）。
10,10A,10B,10C:裝置 11,11A,11B,11C:裝置構件 12:電路構造體 14:薄膜構件 14A:薄膜構件（平面片體） 14B:薄膜構件（袋狀片體） 142A,142B:既定部 144A,144B:端緣 146:熔融層 148:非熔融層 16,16A,16B:密封標記 17,17A,17B:接觸領域 18:密封空間 20:第1薄膜 20A,20B:第1薄膜（密封片） 22:第1內側部 24:第1外側部 26,26A,26B:第1密封部 28,28A,28B:第1接觸部 29:周緣 30:第2薄膜 30A,30B:第2薄膜（密封片） 32:第2內側部 34:第2外側部 36,36A,36B:第2密封部 38,38A,38B:第2接觸部 39:周緣 40:第1電路構件 42:第1基體 43:第1電路 44:第1導體線路 46:鈕釦電池 48:第1接點 50:第2電路構件 52:第2基體 53:第2電路 54:第2導體線路 56:LED 58:第2接點 60C:彈性構件 602C:本體部 604C:主面 62C:第1彈性構件 64C:第2彈性構件 70:腔體 74:模具 78:熱封棒 782:加熱部
〔圖1〕係表示本發明實施形態之裝置之立體圖。以虛線描繪被形成於第1薄膜與第2薄膜間之接觸領域的邊界。其放大描繪裝置的一部份（以中心線包圍之部分）。 〔圖2〕係表示圖1之裝置之分解立體圖。以虛線描繪第1薄膜及第2薄膜之每一個中之接觸領域的邊界。 〔圖3〕係表示圖1之裝置之立體圖。其未描繪第1薄膜。以虛線描繪第2薄膜中之接觸領域的邊界。以中心線描繪隱藏之第1導體線路及第2導體線路之輪廓。 〔圖4〕係表示圖3之第1電路構件的第1導體線路及第2電路構件的第2導體線路之具體例之圖。 〔圖5〕係沿著V-V線，表示圖1之裝置之剖面圖。其放大描繪裝置的一部份（以中心線包圍之三個部分）。在放大圖中之一個中，以虛線描繪接觸領域的邊界。 〔圖6〕係表示圖1之裝置之製造方法例之圖。 〔圖7〕係表示以圖6之製造方法之準備工序所準備之裝置構件之立體圖。其以虛線描繪隱藏之第1電路構件及第2電路構件之輪廓。 〔圖8〕係表示圖7之裝置構件之側視圖。其放大描繪裝置構件的一部份（以虛線包圍之三個部分）。 〔圖9〕係使在圖6之製造方法之配置工序中，被配置於腔體內之裝置構件的側面，與腔體的示意性構造一同表示之圖。 〔圖10〕係表示使圖7之裝置構件包括複數個之構件之立體圖。其以虛線描繪隱藏之第1電路構件及第2電路構件之輪廓。其以中心線描繪裝置構件間之邊界。 〔圖11〕係表示圖7之裝置構件之變形例之立體圖。其以虛線描繪隱藏之第1電路構件及第2電路構件之輪廓。 〔圖12〕係表示由圖11之裝置構件所製造之裝置之立體圖。其以虛線描繪被形成於第1薄膜與第2薄膜間之接觸領域的邊界。 〔圖13〕係表示圖7之裝置構件之另一變形例之立體圖。其以虛線描繪隱藏之第1電路構件及第2電路構件之輪廓。 〔圖14〕係表示由圖13之裝置構件所製造之裝置之立體圖。其以虛線描繪被形成於第1薄膜與第2薄膜間之接觸領域的邊界。 〔圖15〕係表示圖2之裝置之變形例之分解立體圖。其以虛線描繪隱藏之第1導體線路之輪廓。 〔圖16〕係表示圖15之裝置之裝置構件之側視圖。其放大描繪裝置構件的一部份（以虛線包圍之部分）。在放大圖中，其以假想線描繪彈性構件被壓縮後之主面之位置。其更加放大放大圖的一部份（以中心線包圍之部分），描繪裝置被組立後之剖面。 〔圖17〕係表示專利文獻1之裝置之剖面圖。
10:裝置
12:電路構造體
14:薄膜構件
17:接觸領域
18:密封空間
20:第1薄膜
22:第1內側部
24:第1外側部
26:第1密封部
28:第1接觸部
29:周緣
30:第2薄膜
32:第2內側部
34:第2外側部
36:第2密封部
38:第2接觸部
39:周緣
40:第1電路構件
42:第1基體
44:第1導體線路
48:第1接點
50:第2電路構件
52:第2基體
54:第2導體線路
58:第2接點

Claims (15)

  1. 一種可薄型化半導體裝置，其包括第1薄膜、第2薄膜、第1電路構件及第2電路構件，其特徵在於：該第1薄膜係具有第1內側部、及第1外側部，該第1內側部係位於該第1外側部的內側，該第2薄膜係具有第2內側部、及第2外側部，該第2內側部係位於該第2外側部的內側，該第1外側部係具有第1密封部、及第1接觸部，該第2外側部係具有第2密封部、及第2接觸部，該第1密封部與該第2密封部係被彼此連接，以形成有密封標記，該第1接觸部與該第2接觸部係在接觸領域中，彼此接觸，該接觸領域係綿延全周以包圍該第1內側部及該第2內側部，在該可薄型化半導體裝置，係形成有被該第1內側部及該第2內側部所包圍之密封空間，該第1電路構件及該第2電路構件，係被封入該密封空間的內部，該第1電路構件係包括第1接點，該第2電路構件係包括第2接點，該第1接點與該第2接點係彼此接觸。
  2. 如請求項1之可薄型化半導體裝置，其中該第1密封部與該第2密封部係藉熱封，而被彼此連接。
  3. 如請求項2之可薄型化半導體裝置，其中該第1薄膜及該第2薄膜之每一個，係包括經熱封熔融之熔融層、及經熱封未熔融之非熔融層之兩層。
  4. 如請求項1之可薄型化半導體裝置，其中該第1薄膜及該第2薄膜，係在一片薄膜構件中，被彼此重疊之兩片密封片， 該薄膜構件係具有既定部及端緣，該第1薄膜及該第2薄膜係在該既定部中，彼此連接，該密封標記係至少被形成於該接觸領域與該端緣之間。
  5. 如請求項4之可薄型化半導體裝置，其中該薄膜構件係一片平面片體，該第1薄膜及該第2薄膜係在該既定部中，被彎折重疊之兩片之該密封片。
  6. 如請求項4之可薄型化半導體裝置，其中該薄膜構件係一片袋狀片體，該第1薄膜及該第2薄膜係在該既定部中，彼此連接之兩片之該密封片。
  7. 如請求項1之可薄型化半導體裝置，其中該第1電路構件係具有第1基體與第1導體線路，該第1基體係由絕緣薄膜所構成，該第1導體線路係被形成於該第1基體上，具有該第1接點，該第2電路構件係具有第2基體與第2導體線路，該第2基體係由絕緣薄膜所構成，該第2導體線路係被形成於該第2基體上，具有該第2接點。
  8. 如請求項1之可薄型化半導體裝置，其中該第1薄膜及該第2薄膜之每一個，係具有較高之阻隔性。
  9. 如請求項8之可薄型化半導體裝置，其中該第1薄膜及該第2薄膜之每一個，係具有較高之氧阻隔性。
  10. 如請求項8之可薄型化半導體裝置，其中該第1薄膜及該第2薄膜之每一個，係具有較高之水蒸氣阻隔性。
  11. 如請求項1之可薄型化半導體裝置，其中該裝置係包括一個以上之彈性構件， 該彈性構件係被封入該密封空間的內部，該彈性構件係包含第1彈性構件及第2彈性構件中之至少一者，該第1彈性構件係至少局部性地位於該第1薄膜與該第1接點之間，該第2彈性構件係至少局部性地位於該第2薄膜與該第2接點之間。
  12. 如請求項11之可薄型化半導體裝置，其中該彈性構件之每一個，係具有本體部及兩個主面，該彈性構件之每一個中之該兩個主面，係在既定方向中，夾持該本體部以彼此位於相反側，在該彈性構件之每一個中，當壓縮該本體部，使得兩個之該主面在該既定方向中，彼此接近時，包含於該本體部之空氣的一部份係被排出，當停止壓縮時，空氣流入到該本體部。
  13. 如請求項12之可薄型化半導體裝置，其中該彈性構件之每一個，係連續氣泡構造體。
  14. 一種可薄型化半導體裝置之製造方法，其包括第1薄膜、第2薄膜、第1電路構件及第2電路構件，其特徵在於：其包括：準備工序，準備該第1薄膜、該第2薄膜、該第1電路構件及該第2電路構件，其中，該第1電路構件係包括第1接點，該第2電路構件係包括第2接點；配置工序，依照該第1薄膜、該第1電路構件、該第2電路構件及該第2薄膜之順序，彼此重疊，使該第1接點與該第2接點相向，以配置於腔體內；以及密封工序，在使該腔體內抽真空後之狀態下，密封該第1薄膜與該第2薄膜，藉此，使該第1電路構件及該第2電路構件，封入被該第1薄膜及該第2薄膜所包圍之密封空間內，而且，使該第1接點與該第2接點彼此接觸。
  15. 如請求項14之可薄型化半導體裝置之製造方法，其中在該密 封工序中，熱封該第1薄膜與該第2薄膜。
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