TWI759064B - 密封裝置以及該裝置之製造方法 - Google Patents

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TWI759064B
TWI759064B TW110100939A TW110100939A TWI759064B TW I759064 B TWI759064 B TW I759064B TW 110100939 A TW110100939 A TW 110100939A TW 110100939 A TW110100939 A TW 110100939A TW I759064 B TWI759064 B TW I759064B
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橋口徹
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日商日本航空電子工業股份有限公司
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    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector

Abstract

提供一種具有可薄型化之嶄新構造之裝置。裝置10係包括由薄膜所構成之第1密封構件20、由薄膜所構成之第2密封構件30、第1電路構件40、第2電路構件50、及兩個可壓縮構件60。第1密封構件20係具有：第1外側部24，具有第1密封部26；以及第1內側部22，位於第1外側部24的內側。第2密封構件30係具有：第2外側部34，具有第2密封部36；以及第2內側部32，位於第2外側部34的內側。第1密封部26與第2密封部36係被彼此連接。第1電路構件40及第2電路構件50，係被封入被第1內側部22及第2內側部32所包圍之密封空間18的內部，而且，位於被封入密封空間18內部之兩個之可壓縮構件60之間。

Description

密封裝置以及該裝置之製造方法
本發明係關於一種包括被薄膜所密封之電路構件之裝置。
例如在專利文獻1，係開示有一種可薄型化之裝置。
當參照圖19時，於專利文獻1中，係開示有一種半導體晶片內建模組(裝置)90。裝置90係包括熱硬化性樹脂組成物(密封樹脂)92、及包含半導體晶片96及佈線圖98之電路構件94。密封樹脂92係被形成為埋設電路構件94於內部。之後，密封樹脂92的表面係被研磨，藉此，裝置90係被薄型化。
〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開2001-332654號公報
針對包括電路構件之裝置，係被要求更加薄型化。
在此，本發明之目的係在於提供一種可薄型化之嶄新之裝置。
本發明係提供一種裝置，當作第1裝置，其包括第1密封構件、第2密封構件、第1電路構件、第2電路構件及一個以上之可壓縮構件，其特徵在於：該第1密封構件係由薄膜構成，其具有第1內側部與第1外側部， 該第1內側部係位於該第1外側部的內側， 該第2密封構件係具有第2內側部與第2外側部， 該第2內側部係位於該第2外側部的內側， 該第1外側部係具有第1密封部， 該第2外側部係具有第2密封部， 該第1密封部與該第2密封部，係被彼此連接以形成密封標記， 在該裝置係形成有被該第1內側部及該第2內側部所包圍之密封空間， 該第1電路構件及該第2電路構件，係被封入該密封空間的內部， 該第1電路構件係包括第1接點， 該第2電路構件係包括第2接點， 該第1接點與該第2接點，係彼此接觸， 該可壓縮構件係被封入該密封空間的內部， 該可壓縮構件係包含第1可壓縮構件及第2可壓縮構件中之至少一者， 該第1可壓縮構件係至少局部性地位於該第1密封構件與該第1接點之間， 該第2可壓縮構件係至少局部性地位於該第2密封構件與該第2接點之間， 該可壓縮構件之每一個，係具有本體部與兩個主面， 該可壓縮構件之每一個中之兩個之該主面，係在既定方向中，夾持該本體部以彼此位於相反側， 在該可壓縮構件之每一個中，包含於該本體部之空氣的一部份係被排出。
本發明係提供第1裝置，當作第2裝置，其中 該可壓縮構件之每一個係連續氣泡構造體。
本發明係提供第1或第2裝置，當作第3裝置，其中 該第1外側部係具有第1接觸部， 該第2外側部係具有第2接觸部， 該第1接觸部與該第2接觸部係在接觸領域中，彼此接觸， 該接觸領域係綿延全周以包圍該第1內側部及該第2內側部。
本發明係提供第1～第3中任一項之裝置，當作第4裝置，其中 該第1密封部與該第2密封部，係藉熱封而被彼此連接。
本發明係提供第4裝置，當作第5裝置，其中 該第1密封構件及該第2密封構件之每一個，係包括藉熱封而熔融之熔融層、及不藉熱封而熔融之非熔融層之兩層。
本發明係提供第1～第5中任一項之裝置，當作第6裝置，其中 該第2密封構件係由薄膜所構成。
本發明係提供第6裝置，當作第7裝置，其中 該第1密封構件及該第2密封構件，係在一片薄膜構件中，被彼此重疊之兩片密封片， 該薄膜構件係具有既定部與端緣， 該第1密封構件及該第2密封構件，係在該既定部中，彼此連接， 該密封標記係至少被形成於該接觸領域與該端緣之間。
本發明係提供第7裝置，當作第8裝置，其中 該薄膜構件係一片平面片體， 該第1密封構件及該第2密封構件，係在該既定部中，被彎折重疊之兩片之該密封片。
本發明係提供第7裝置，當作第9裝置，其中 該薄膜構件係一片袋狀片體， 該第1密封構件及該第2密封構件，係在該既定部中，彼此連接之兩片之該密封片。
本發明係提供第1～第9中任一項之裝置，當作第10裝置，其中 該第1密封構件及該第2密封構件之每一個，係具有較高之阻隔性。
本發明係提供第10裝置，當作第11裝置，其中 該第1密封構件及該第2密封構件之每一個，係具有較高之氧阻隔性。
本發明係提供第10裝置，當作第12裝置，其中 該第1密封構件及該第2密封構件之每一個，係具有較高之水蒸氣阻隔性。
本發明係提供第1～第12中任一項之裝置，當作第13裝置，其中 該第1電路構件係具有第1基體與第1導體線路， 該第1基體係由絶緣薄膜所構成， 該第1導體線路係被形成於該第1基體上，具有該第1接點， 該第2電路構件係具有第2基體與第2導體線路， 該第2基體係由絶緣薄膜所構成， 該第2導體線路係被形成於該第2基體上，具有該第2接點。
本發明係提供第1～第13中任一項之裝置，當作第14裝置，其中 該第1可壓縮構件係除了該第1電路構件的端部，覆蓋該第1電路構件整體， 該第2可壓縮構件係除了該第2電路構件的端部，覆蓋該第2電路構件整體。
本發明係提供第1～第13中任一項之裝置，當作第15裝置，其中 該第1電路構件及該第2電路構件中之至少一者，係包含電子零件， 該電子零件係包括主部與端子， 該端子係當作該第1接點及該第2接點中之一者以發揮功能，自該主部往該第1接點及該第2接點中之另一者延伸， 該可壓縮構件中之一個，係不覆蓋該主部，而覆蓋該端子。
本發明係提供一種裝置之製造方法，當作第1製造方法， 該裝置係包括第1密封構件、第2密封構件、第1電路構件、第2電路構件及可壓縮構件，其特徵在於： 其包括： 準備工序，準備該第1密封構件、該第2密封構件、該第1電路構件、該第2電路構件及該可壓縮構件，其中，該第1密封構件係由薄膜所構成，該第1電路構件係包括第1接點，該第2電路構件係包括第2接點，該可壓縮構件係包含第1可壓縮構件及第2可壓縮構件中之至少一者，該可壓縮構件之每一個，係具有本體部與兩個主面，該可壓縮構件之每一個中之兩個之該主面，係在既定方向中，夾持該本體部以彼此位於相反側，當在該可壓縮構件之每一個中，加壓使得兩個之該主面在該既定方向中，彼此接近，以壓縮該本體部時，包含於該本體部之空氣的一部份係被排出； 配置工序，以該第1密封構件、該第1電路構件、該第2電路構件及該第2密封構件之順序，彼此重疊，使該第1接點與該第2接點相向，其中，使該第1可壓縮構件至少局部性地位於該第1密封構件與該第1接點之間，使該第2可壓縮構件至少局部性地位於該第2密封構件與該第2接點之間；以及 密封工序，持續壓縮該可壓縮構件，使該第1密封構件與該第2密封構件彼此接觸以密封，藉此，使該第1電路構件、該第2電路構件及該可壓縮構件，封入被該第1密封構件及該第2密封構件所包圍之密封空間內，而且，使該第1接點與該第2接點彼此接觸。 ［發明效果］
在本發明之裝置中，第1密封構件及第2密封構件，係夾持電路構件（第1電路構件及第2電路構件）及可壓縮構件於其間，以被重疊使得彼此接觸。第1密封構件係由薄膜所構成。可壓縮構件係可藉加壓而壓縮以較薄。又，電路構件之每一個係除了包括接點，沒有構造上之限制。亦即，本發明之電路構件，係具有簡易之構造，可由種種材料所形成。例如電路構件也可以係形成有具有接點之導體線路之絶緣薄膜。在此情形下，可使裝置整體之厚度非常薄。亦即，當依據本發明時，可提供一種可薄型化之嶄新之裝置。
當參照圖1及圖2時，本發明實施形態之裝置10，係獨立之電子設備。更具體說來，裝置10係不物理性地安裝於其他電子設備（未圖示）地，可單獨動作。例如裝置10係藉黏著於對象者的心臟附近，量測對象者之心跳數，傳送量測結果到其他電子設備。亦即，裝置10係可當作量測心跳數等之生物體資訊之電子設備而使用。但是，本發明係並不侷限於此，而可適用於具有種種功能之裝置。
當參照圖1、圖3及圖8時，本實施形態之裝置10係包括電路構造體12、密封構件（薄膜構件）14、及兩個之可壓縮構件60。電路構造體12係用於將裝置10當作電子設備以發揮功能之構件。例如電路構造體12係具有：電子電路（未圖示），用於量測心跳數；以及電子電路（未圖示），用於傳送量測結果到其他電子設備（未圖示）。當參照圖3時，薄膜構件14係使電路構造體12整體與可壓縮構件60整體，一同收容於內部。亦即，電路構造體12及可壓縮構件60，係被封入薄膜構件14內部，薄膜構件14係保護電路構造體12不受外部環境所影響。
以下，說明本實施形態之裝置10之構造。
當參照圖3及圖8時，本實施形態之電路構造體12係包括第1電路構件40、及第2電路構件50。本實施形態之薄膜構件14係包括由絶緣體所構成之第1密封構件20、及由絶緣體所構成之第2密封構件30。本實施形態之可壓縮構件60係包含藉加壓而可壓縮之第1可壓縮構件62、及藉加壓而可壓縮之第2可壓縮構件64。亦即，裝置10係包括第1密封構件20、第2密封構件30、第1電路構件40、第2電路構件50、第1可壓縮構件62、及第2可壓縮構件64。
當參照圖3及圖5時，上述六個構件（第1密封構件20、第2密封構件30、第1電路構件40、第2電路構件50、第1可壓縮構件62及第2可壓縮構件64），係在上下方向（Z方向）中，被堆積重疊，被組立為一個之裝置10。本實施形態之裝置10，係僅包括上述六個構件。但是，本發明係並不侷限於此。例如裝置10也可以在上述六個構件之外，還包括其他構件。例如裝置10也可以還包括附加性電路構件。另外，裝置10也可以係僅包括第1可壓縮構件62及第2可壓縮構件64中之一者。
當參照圖8時，本實施形態之第1電路構件40，係具有第1基體42與第1導體線路44。本實施形態之第1基體42，係由絶緣薄膜所構成之矩形之較薄片體，具有可撓性。第1基體42係與直交於Z方向之水平面（片體面：XY平面）平行地延伸。第1導體線路44係被形成於第1基體42上。詳細說來，第1導體線路44係由銅等導電體所構成，藉銀墨印刷或蝕刻等之形成方法，被形成於第1基體42的下表面（－Z側之面）。
本實施形態之第2電路構件50，係具有第2基體52與第2導體線路54。本實施形態之第2基體52，係由絶緣薄膜所構成之矩形之較薄片體，具有可撓性。第2基體52係與XY平面平行地延伸。第2導體線路54係被形成於第2基體52上。詳細說來，第2導體線路54係由銅等導電體所構成，藉銀墨印刷或蝕刻等之形成方法，被形成於第2基體52的上表面（＋Z側之面）。
本實施形態之第1電路構件40及第2電路構件50之每一個，係具有上述構造。但是，本發明係並不侷限於此。例如在第1電路構件40及第2電路構件50之每一個，也可以設有一個以上之電子零件。第1電路構件40及第2電路構件50中之一者，也可以係單一之電子零件。又，第1基體42及第2基體52之每一個之形狀，係並不侷限於矩形，可因應需要而變形之。第1基體42及第2基體52之每一個，也可以係剛硬（亦即，具有剛性而較難撓曲）之電路基板。第1導體線路44及第2導體線路54之每一個，只要係由導電體所形成，第1導體線路44及第2導體線路54之每一個之形成方法，係並未特別侷限。
在本實施形態中，第1導體線路44係具有第1接點48，第2導體線路54係具有第2接點58。亦即，第1電路構件40係包括第1接點48，第2電路構件50係包括第2接點58。當參照圖3及圖4時，在被組立後之裝置10中，第1接點48與第2接點58係彼此接觸。亦即，第1電路構件40與第2電路構件50係被組合，使得第1接點48與第2接點58彼此接觸，以形成電路構造體12。電路構造體12的第1導體線路44及第2導體線路54，係彼此被電性連接。
圖8所示之第1導體線路44及第2導體線路54，係用於簡易說明本發明之抽象性導體線路，其不具有具體性功能。亦即，即使圖示之第1接點48與第2接點58彼此接觸，裝置10（參照圖1）也不做為電子設備而發揮功能。另外，實際之第1導體線路44及第2導體線路54，係例如具有圖5及圖6所示之構造。
當參照圖5及圖6時，於第1基體42的下表面，係形成有第1電路43，在第2基體52的上表面，係形成有第2電路53。第1電路43係具有分別形成有第1接點48之兩個之第1導體線路44、及鈕釦電池46。第2電路53係具有分別形成有第2接點58之兩個之第2導體線路54、及LED（Light Emitting Diode）56。當第1接點48與第2接點58彼此接觸時，電力係自鈕釦電池46被供給到LED56，LED56係發光。第1電路43及第2電路53之構造，係可變形為比圖5及圖6之實施例還要更加實用之構造。例如第2電路53也可以取代LED56，而具有心跳數之量測電路、及量測結果之傳送電路。
當依據圖5及圖6之實施例時，第1接點48及第2接點58之每一個之數量係2。但是，第1接點48及第2接點58之每一個之數量，如圖8所示，也可以係1，或者，3以上。亦即，第1電路構件40係只要包括一個以上之第1接點48即可，第2電路構件50係只要包括分別對應第1接點48之一個以上之第2接點58即可。在被組立後之裝置10中，第1接點48之每一個，係只要與對應之第2接點58相接觸即可。
當參照圖1～圖3時，本實施形態之第1密封構件20與第2密封構件30，係具有彼此同樣之構造。更具體說來，第1密封構件20及第2密封構件30之每一個，係由薄膜所構成之矩形之較薄片體，具有可撓性。第1密封構件20及第2密封構件30之每一個，係與XY平面平行地延伸。第1密封構件20係具有XY平面中之周緣29。第2密封構件30係具有XY平面中之周緣39。
本實施形態之第1密封構件20與第2密封構件30，係使XY平面中之周緣29之位置與周緣39之位置彼此一致，以被彼此重疊。但是，本發明係並不侷限於此。例如XY平面中之第1密封構件20之尺寸，與XY平面中之第2密封構件30之尺寸，也可以係彼此不同。第1密封構件20及第2密封構件30之每一個之形狀，係並不侷限於矩形，可因應需要而變形之。
當參照圖1及圖3時，第1密封構件20係具有第1內側部22與第1外側部24。第1內側部22係在XY平面中，位於第1外側部24的內側。換言之，第1外側部24係在第1密封構件20之中，包圍第1內側部22之部位。第2密封構件30係具有第2內側部32與第2外側部34。第2內側部32係在在XY平面中，位於第2外側部34的內側。換言之，第2外側部34係在第2密封構件30之中，包圍第2內側部32之部位。
當參照圖3時，第1密封構件20的第1內側部22及第2密封構件30的第2內側部32，係在裝置10中，收容電路構造體12及可壓縮構件60之部位。當一併參照圖3與圖8時，當依據本實施形態時，在裝置10被組立之前，第1密封構件20係沿著XY平面，一氣呵成地延伸，在第1內側部22與第1外側部24之間，沒有可辨識之邊界。同樣地，在裝置10被組立之前，第2密封構件30係沿著XY平面，一氣呵成地延伸，在第2內側部32與第2外側部34之間，沒有可辨識之邊界。但是，本發明係並不侷限於此。例如也可以在第1內側部22與第1外側部24之間，形成有凹陷等之可辨識之邊界，或者，在第2內側部32與第2外側部34之間，形成有凹陷等之可辨識之邊界。
當參照圖1及圖3時，本實施形態之第1外側部24，係具有第1密封部26與第1接觸部28。本實施形態之第2外側部34，係具有第2密封部36與第2接觸部38。第1密封部26與第2密封部36係被彼此連接，以形成密封標記16。
當依據本實施形態時，第1密封部26與第2密封部36，係藉熱封而被彼此連接。亦即，本實施形態之密封標記16，係第1密封部26與第2密封部36藉加熱而彼此熔著之標記。但是，本發明係並不侷限於此，第1密封部26與第2密封部36，係可藉高週波、超音波、雷射、接著等之種種方法連接。例如第1密封部26與第2密封部36，也可以藉接著劑以被彼此連接。在此情形下，密封標記16係接著標記。又，在此情形下，第2密封構件30也可以係具有剛性之比較厚之構件。
本實施形態之密封標記16，係綿延第1密封部26及第2密封部36的全周以被形成。亦即，密封標記16係在XY平面中，綿延全周以包圍第1內側部22及第2內側部32。另外，第1密封部26及第2密封部36的一部份（尤其，XY平面中之外緣），係未被熱封，未形成有密封標記16。但是，本發明係並不侷限於此，密封標記16也可以綿延第1密封部26及第2密封部36整體以被形成。
當參照圖8時，可壓縮構件60之每一個，係具有反逆性之發泡性緩衝材。更具體說來，本實施形態之可壓縮構件60之每一個，係氨甲酸乙酯泡棉、聚烯烴泡棉、CR（氯丁二烯橡膠）泡棉等之連續氣泡構造體。本實施形態之連續氣泡構造體，係由可伸縮之彈性體、及於彈性體內部稠密地形成之多數氣泡所構成。氣泡係彼此連接以形成連續氣泡。連續氣泡係往彈性體的外部開口。當加壓連續氣泡構造體時，連續氣泡構造體係持續排出氣泡內部的空氣到外部而收縮。當停止往連續氣泡構造體之加壓時，連續氣泡構造體係持續吸收外部空氣到氣泡內部而膨脹，以復原到收縮前之形狀。本實施形態之可壓縮構件60之每一個，係由這種連續氣泡構造體所構成之優良緩衝材。
詳細說來，可壓縮構件60之每一個，係具有本體部602與兩個之主面604。可壓縮構件60之每一個中之兩個之主面604，係在既定方向（在圖8中，係Z方向）中，夾持本體部602以彼此位於相反側，沿著與既定方向直交之平面（在圖8中，係XY平面），彼此平行地延伸。在可壓縮構件60之每一個中，當加壓兩個之主面604，使其於既定方向中，彼此接近以壓縮本體部602時，包含於本體部602之空氣的一部份係被排出，當停止加壓時，空氣流入本體部602。
本實施形態之可壓縮構件60，係具有上述構造。但是，本發明係並不侷限於此。例如可壓縮構件60也可以形成，使得藉多數彈簧而連接兩片平板，而具有與連續氣泡構造體同樣之功能。
當一併參照圖3與圖8時，在組立本實施形態之裝置10時，持續壓縮可壓縮構件60，在Z方向中，使第1密封構件20與第2密封構件30彼此接近，使第1密封部26與第2密封部36彼此連接。在壓縮可壓縮構件60時，包含於可壓縮構件60之空氣係被排出。當使第1密封部26與第2密封部36彼此連接時，裝置10的內部係被與外部遮斷。可壓縮構件60之每一個，係吸收殘留於裝置10內部之空氣，藉此，裝置10的內部空間之氣壓係降低。第1接觸部28與第2接觸部38，係藉裝置10內部空間與外部間之氣壓差，於接觸領域17中，彼此接觸。結果，於裝置10形成有被第1內側部22及第2內側部32所包圍之密封空間18。
當參照圖1及圖3時，第1密封構件20的第1密封部26及第2密封構件30的第2密封部36，係用於使第1密封構件20及第2密封構件30，藉熱封等之密封而彼此牢固地連接之部位。第1密封構件20的第1接觸部28及第2密封構件30的第2接觸部38，係隨著第1密封部26及第2密封部36之在較低氣壓下之連接，而彼此接觸之部位。當依據本實施形態時，於密封前，在第1密封部26與第1接觸部28之間，沒有可辨識之邊界。同樣地，於密封前，在第2密封部36與第2接觸部38之間，沒有可辨識之邊界。但是，本發明係並不侷限於此。例如也可以於第1密封部26與第1接觸部28之間，形成有凹陷等之可辨識之邊界，也可以於第2密封部36與第2接觸部38之間，形成有凹陷等之可辨識之邊界。
當依據本實施形態時，第1密封部26與第2密封部36，係於使密封空間18內部之氣壓，為比大氣壓還要低之較低氣壓後之狀態下，彼此連接。而且，接觸領域17係在XY平面中，綿延全周以無縫地包圍第1內側部22及第2內側部32，藉此，遮斷密封空間18內部與外部間之空氣之流動。亦即，密封空間18內部之氣壓，在被彼此連接之第1密封部26及第2密封部36之外，還藉被彼此密著之第1接觸部28及第2接觸部38，被維持使得成為比大氣壓還要低之較低氣壓。但是，本發明係並不侷限於此。例如接觸領域17也可以係使第1內側部22及第2內側部32，在XY平面中，局部性地包圍。
當參照圖3時，可壓縮構件60係被封入被維持於上述較低氣壓之密封空間18內部。第1可壓縮構件62係在Z方向中，位於第1密封構件20與第1電路構件40之間。第2可壓縮構件64係在Z方向中，位於第2密封構件30與第2電路構件50之間。
當參照圖3時，第1電路構件40及第2電路構件50係與可壓縮構件60，一同被封入被維持於上述較低氣壓之密封空間18內部。當組立裝置10時，第1密封構件20係加壓第1可壓縮構件62，而往第1電路構件40壓抵，第2密封構件30係加壓第2可壓縮構件64，而往第2電路構件50壓抵。當參照圖3及圖8時，此時，可壓縮構件60之每一個，係持續排出本體部602之空氣，主要係在既定方向（Z方向）上，被壓縮。亦即，於被組立後之裝置10的可壓縮構件60之每一個中，包含於本體部602之空氣的一部份係被排出。因此，裝置10中之可壓縮構件60之每一個之厚度（Z方向中之尺寸），係在與壓縮前之可壓縮構件60（參照圖8）比較下，非常薄。
當參照圖3及圖4時，第1接點48與第2接點58，係在密封空間18內部，彼此接觸。詳細說來，被封入密封空間18內之可壓縮構件60，係吸收殘留於密封空間18之少許空氣。結果，密封空間18之氣壓係降低。第1接點48與第2接點58，係因為密封空間18內部與外部間之氣壓差，而被彼此壓抵，同時藉可壓縮構件60之復原力，而被彼此壓抵。第2接點58係藉被壓縮後之第2可壓縮構件64之復原力，被壓抵到第1接點48。亦即，第1接點48與第2接點58，係藉可壓縮構件60之復原力，而被彼此壓抵。因此，第1接點48與第2接點58間之接觸係被確實地維持。
當總結以上之說明時，在本實施形態之裝置10中，第1密封構件20及第2密封構件30，係夾持電路構件（第1電路構件40及第2電路構件50）及可壓縮構件60於其間，以被重疊使得彼此接觸。第1密封構件20及第2密封構件30之每一個，係由較薄之薄膜所構成。可壓縮構件60係可藉加壓而壓縮以變薄。又，電路構件之每一個，係除了包括接點（第1接點48或第2接點58），在構造上沒有限制。亦即，本實施形態之電路構件，係具有簡易之構造，可由種種材料形成。例如電路構件也可以係形成有具有接點之導體線路（第1導體線路44或第2導體線路54）之絶緣薄膜。在此情形下，可使裝置10整體之厚度非常薄。亦即，當依據本實施形態時，可提供可薄型化之嶄新之裝置10。
本實施形態之可壓縮構件60，係包含第1可壓縮構件62及第2可壓縮構件64。當依據本實施形態時，配置第1可壓縮構件62及第2可壓縮構件64，使得夾入第1接點48及第2接點58，藉此，可使第1接點48與第2接點58，更穩定地連接。但是，本發明係並不侷限於此。例如可壓縮構件60也可以僅包含第1可壓縮構件62及第2可壓縮構件64中之任一者。又，第1可壓縮構件62及第2可壓縮構件64之每一個之數量，也可以係兩個以上。亦即，裝置10係只要包括一個以上之可壓縮構件60即可。可壓縮構件60係只要包含第1可壓縮構件62及第2可壓縮構件64中之至少一者即可。
當參照圖3及圖8時，本實施形態之第1可壓縮構件62，係除了第1電路構件40的端部，覆蓋第1電路構件40整體。本實施形態之第2可壓縮構件64，係除了第2電路構件50的端部，覆蓋第2電路構件50整體。亦即，可壓縮構件60之每一個，係在XY平面中，與第1接點48及第2接點58之每一個相比較下，具有非常大之尺寸（面積）。具有如此大之面積之可壓縮構件60之每一個係很容易配置，使得與第1接點48及第2接點58相對應。
壓縮前之可壓縮構件60之每一個，係在XY平面中，不僅具有較大之尺寸，於Z方向中，具有較大之尺寸。換言之，本實施形態之壓縮前之可壓縮構件60之每一個，係具有較大之體積。當使用裝置10時，空氣進入密封空間18內部時，空氣係被可壓縮構件60所吸收，藉此，可壓縮構件60之復原力係減少。但是，本實施形態之可壓縮構件60之每一個係較大，所以，可使復原力之改變較小。
但是，本發明係並不侷限於此。只要可使第1接點48及第2接點58彼此壓抵，以封入可壓縮構件60到密封空間18內部，可壓縮構件60之每一個之尺寸及形狀係並未特別侷限。例如第1可壓縮構件62也可以僅位於第1密封構件20與第1接點48之間。第2可壓縮構件64也可以僅位於第2密封構件30與第2接點58之間。亦即，第1可壓縮構件62係只要至少局部性地位於第1密封構件20與第1接點48之間即可。第2可壓縮構件64係只要至少局部性地位於第2密封構件30與第2接點58之間即可。
本實施形態之裝置10，係包括可壓縮構件60，所以，當組立裝置10後，於第1接點48與第2接點58之間，係產生起因於可壓縮構件60之復原力之接觸力。而且，可使第1接點48與第2接點58間之接觸力，綿延長期間而穩定地維持。又，可壓縮構件60係當作緩衝材而發揮功能，所以，裝置10係即使彎曲也較難破損。當依據本實施形態時，可提供在種種環境中，綿延長期間，可穩定地動作之裝置10。
當參照圖1及圖3時，當依據本實施形態時，第1接觸部28及第2接觸部38，係在XY平面中，綿延全周以無縫地包圍第1內側部22及第2內側部32。第1密封部26及第2密封部36，係在XY平面中，綿延全周以無縫地包圍第1接觸部28及第2接觸部38。當依據此構造時，密封空間18之氣密性係可確實地維持。而且，藉切除第1密封部26及第2密封部36，可自密封空間18，容易地取出第1電路構件40及第2電路構件50。亦即，當依據本實施形態時，可容易地分別回收構件，而且，可再利用。但是，本發明係並不侷限於此。例如第1密封部26及第2密封部36，係也可以在XY平面中，局部性地包圍第1接觸部28及第2接觸部38。第1接觸部28及び第2接觸部38，係可以局部性地形成，也可以未形成。
當參照圖1及圖11時，本實施形態之第1密封構件20及第2密封構件30之每一個，係包括藉熱封而熔融之熔融層146、及不藉熱封而熔融之非熔融層148。亦即，第1密封部材20及第2密封構件30之每一個，係具有由熔融層146及非熔融層148所構成之雙層構造。例如熔融層146係由聚乙烯所構成，非熔融層148係由尼龍所構成。藉此構造，可持續維持第1密封部26及第2密封部36的非熔融層148，使熔融層146彼此熔著。但是，本發明係並不侷限於此、第1密封構件20及第2密封構件30之每一個，係只要具有對應密封方法之構造即可。例如第1密封構件20及第2密封構件30之每一個，也可以僅包括一層，也可以包括三層以上之層。
本實施形態之第1密封構件20及第2密封構件30之每一個，係在第1密封部26及第2密封部36以外之部位，也包括熔融層146與非熔融層148。但是，本發明係並不侷限於此。例如熔融層146也可以僅形成於第1密封部26及第2密封部36之每一個。
當參照圖1時，第1密封構件20及第2密封構件30之每一個，最好係具有較高之氧阻隔性。更具體說來，第1密封構件20及第2密封構件30之每一個，係最好包括由具有較高氧阻隔性之材料（高氧阻隔材）所構成之層。當依據此層構造時，可減少電路構造體12的金屬構件之氧化。
例如高氧阻隔材也可以係線性聚乙烯（LLDPE : Linear Low Density Polyethylene）。更具體說來，高氧阻隔材也可以係覆膜加工聚對苯二甲酸乙二酯、鋁及聚乙烯後之PET／AI／PE，也可以係覆膜加工雙軸延伸尼龍及聚乙烯後之ON／PE，也可以係覆膜加工聚對苯二甲酸乙二酯、聚氯乙烯及聚乙烯後之PET／EVOH／PE，也可以係覆膜加工透明高阻隔薄膜及聚乙烯以形成之。透明高阻隔薄膜也可以係SiOx蒸著PET（聚對苯二甲酸乙二酯），也可以係氧化鋁蒸著PET（聚對苯二甲酸乙二酯）。
本實施形態之第1密封構件20及第2密封構件30之每一個，最好在具有較高之氧阻隔性之外，還具有較高之水蒸氣阻隔性。更具體說來，第1密封構件20及第2密封構件30之每一個，最好係包括由具有較高之水蒸氣阻隔性之材料（高水蒸氣阻隔材）所構成之層。當依據此層構造時，可使電路構造體12防水。例如高水蒸氣阻隔材也可以係在ON／PE、OPP（雙軸延伸聚丙烯）、PET等之片體，施加過PVDC（聚偏二氯乙烯）塗層之材料。
第1密封構件20及第2密封構件30之每一個，也可以在具有較高之氧阻隔性及較高之水蒸氣阻隔性之外，還具有氮阻隔性等之種種阻隔性。亦即，第1密封構件20及第2密封構件30之每一個，最好係具有因應用途之較高之阻隔性。
當參照圖7時，本實施形態之裝置10（參照圖1），係經過準備工序（步驟1）、配置工序（步驟2）、及密封工序（步驟3）之三個工序以被製造。但是，本發明係並不侷限於此、裝置10之製造方法，係可因應需要而變形之。以下，說明本實施形態之裝置10之製造方法。
當參照圖8時，於準備工序（參照圖7）中，準備裝置構件11。裝置構件11係包括第1密封構件20、第2密封構件30、第1電路構件40、第2電路構件50、及可壓縮構件60。各構件係具有已經說明過之構造，如已經說明過地，可做種種變形。
亦即，本實施形態之製造方法，係包括準備工序，準備第1密封構件20、第2密封構件30、第1電路構件40、第2電路構件50及可壓縮構件60，其中，第1密封構件20係由薄膜所構成，第1電路構件40係包括第1接點48，第2電路構件50係包括第2接點58，可壓縮構件60係包含第1可壓縮構件62及第2可壓縮構件64中之至少一者，可壓縮構件60之每一個，係具有本體部602與兩個之主面604，可壓縮構件60之每一個中之兩個之主面604，係在既定方向（在圖8中，係Z方向）中，夾持本體部602而彼此位於相反側，於可壓縮構件60之每一個中，當加壓使得兩個主面604在既定方向中，彼此接近，以壓縮本體部602時，包含於本體部602之空氣的一部份係被排出，當停止加壓時，空氣流入本體部602。
接著，當參照圖9～圖11時，於配置工序（參照圖7）中，沿著Z方向，自上而下，依序重疊第1密封構件20、第1電路構件40、第2電路構件50及第2密封構件30。此時，使第1電路構件40及第2電路構件50，位於第1密封構件20及第2密封構件30之XY平面中之中間部。配置第1電路構件40及第2電路構件50，使得第1接點48與第2接點58在Z方向中，相向。配置第1可壓縮構件62及第2可壓縮構件64，使得上下夾持第1電路構件40的第1接點48及第2電路構件50的第2接點58。又，配置第1密封構件20及第2密封構件30，使得兩個之熔融層146在Z方向中，相向。
接著，當參照圖9～圖12時，收容如上所述地配置之裝置構件11於組立裝置70內部。亦即，本實施形態之製造方法，係包括配置工序，依序重疊第1密封構件20、第1電路構件40、第2電路構件50及第2密封構件30，使第1接點48與第2接點58相向，其中，使第1可壓縮構件62至少局部性地位於第1密封構件20與第1接點48之間，使第2可壓縮構件64至少局部性地位於第2密封構件30與第2接點58之間，配置於組立裝置70內。
當參照圖12時，本實施形態之組立裝置70，係包括模具74、加壓部76、及熱封棒78。裝置構件11係被置於模具74之上。之後，使組立裝置70的加壓部76與熱封棒78一同移動到下方，持續加壓裝置構件11，壓抵到模具74。藉加壓部76之加壓，可壓縮構件60之每一個，係持續排出內部的空氣，主要係於Z方向上，被壓縮。當可壓縮構件60之每一個被充分地壓縮後，藉熱封棒78密封第1密封構件20與第2密封構件30。
詳細說來，本實施形態之熱封條78，係具有加熱部782。當依據本實施形態時，係加熱加熱部782，使得成為熔融層146（參照圖11）之熔點以上之高溫。壓抵如此加熱後之加熱部782，到被上下重疊之第1密封構件20的第1密封部26及第2密封構件30的第2密封部36，以熱封第1密封部26與第2密封部36。
熱封之結果，第1電路構件40、第2電路構件50及可壓縮構件60，係被封入被第1密封構件20及第2密封構件30所包圍之密封空間18（參照圖3）內。當熱封後，停止由加壓部76所做之加壓時，可壓縮構件60係回到原來之形狀，以吸收密封空間18的空氣。吸收空氣後之可壓縮構件60係膨脹，藉此，密封空間18之體積係變大，密封空間18之氣壓係下降。結果，在密封空間18內部與外部之間產生氣壓差，而產生壓縮可壓縮構件60之壓縮力。在此壓縮力與可壓縮構件60之復原力均衡後，可壓縮構件60之膨脹係結束。
當可壓縮構件60之膨脹結束後，可壓縮構件60係未回到原來之形狀，具有復原力。第1接點48與第2接點58，係藉因為密封空間18（參照圖3）的內部與外部間之氣壓差，所產生之可壓縮構件60之復原力，而被彼此壓抵。結果，第1接點48與第2接點58係彼此確實地接觸。
亦即，本實施形態之製造方法，係包括密封工序，其持續壓縮可壓縮構件60，使第1密封構件20與第2密封構件30彼此接觸以密封，藉此，使第1電路構件40、第2電路構件50及可壓縮構件60，封入被第1密封構件20及第2密封構件30所包圍之密封空間18（參照圖3）內，而且，使第1接點48與第2接點58彼此接觸。
當參照圖3時，當依據本實施形態之製造方法時，第1接點48與第2接點8係不藉軟焊等而彼此固定地，彼此確實地接觸。因此，當無須裝置10時，僅藉切除第1密封部26及第2密封部36，就可分解裝置10。而且，可封入第1電路構件40及第2電路構件50到較低氣壓之密封空間18內部，藉此，可減少由金屬構件之氧化等所致之劣化。但是，本發明係並不侷限於此，裝置10之製造方法及密封方法，係可因應需要而變形之。
當參照圖7～圖12時，當依據上述製造方法時，藉自準備工序至密封工序為止之工序，由一個之裝置構件11製造一個之裝置10（參照圖1）。但是，本發明係並不侷限於此。例如當參照圖13時，也可以係準備及配置包括複數之裝置構件11之構件，對於此構件整體實施密封工序（參照圖7及圖12）。又，也可以藉滾輪等，傳遞圖13所示之構件到組立裝置70（參照圖12）內部。
本實施形態係在已經說明過之變形例之外，還可做種種變形。以下，說明五個變形例。
當比較圖14與圖5時，本實施形態之第1變形例之裝置10A係包括：電路構造體12A，與裝置10的電路構造體12不同；密封構件14A，與裝置10的密封構件14不同；以及可壓縮構件60A，與裝置10的可壓縮構件60不同。密封構件14A係與密封構件14同樣地，使電路構造體12A與可壓縮構件60A一同收容於內部。
本變形例之密封構件14A係包括：第1密封構件20，由與裝置10同樣之薄膜所構成；以及第2密封構件（基板）30A。第2密封構件30A係剛硬之電路基板。本變形例之電路構造體12A，係包括第1電路構件40A與第2電路構件50A。第1電路構件40A係單一之電子零件，包括兩個之第1接點48A。第2電路構件50A係被形成於第2密封構件30A之導體線路，包括兩個之第2接點58A。第1接點48A係分別與第2接點58A相接觸，藉此，被形成於第2密封構件30A之導體線路係導通。可壓縮構件60A係僅包含一個之第1可壓縮構件62A。第1壓縮可能構件62A係與第1可壓縮構件62同樣之連續氣泡構造體。
如上所述，裝置10A係包括第1密封構件20、第2密封構件30A、第1電路構件40A、第2電路構件50A、及一個之可壓縮構件60A。第1密封構件20及第2密封構件30A，係例如藉接著劑而被密封。但是，本發明係並不侷限於此。例如也可以第1密封構件20及第2密封構件30A係被熱封。在此情形下，也可以第2密封構件30A係與第1密封構件20同樣地，包括藉熱封而熔融之熔融層（未圖示）、及不藉熱封而熔融之非熔融層（未圖示）。又，第2密封構件30A也可以係與第1密封構件20同樣地，具有較高之氧阻隔性、及較高之水蒸氣阻隔性等之較高之阻隔性。
在裝置10A係形成有與裝置10同樣之密封空間18。第1電路構件40A及第2電路構件50A係與可壓縮構件60A一同，被封入密封空間18內部。可壓縮構件60A係位於第1密封構件20與包含第1接點48A之第1電路構件40A整體之間，使第1接點48A分別壓抵於第2接點58A。當依據本變形例時，使第1電路構件40A不藉軟焊等而固定於第2電路構件50A地，可穩定地連接第1接點48A與第2接點58A。
當比較圖15與圖14時，本實施形態之第2變形例之裝置10B係包括：電路構造體12B，與裝置10A的電路構造體12A不同；密封構件14B，與裝置10A的密封構件14A不同；以及可壓縮構件60B，與裝置10A的可壓縮構件60A不同。密封構件14B係與密封構件14A同樣地，使電路構造體12B與可壓縮構件60B一同收容於內部。
本變形例之密封構件14B係包括：第1密封構件20，由與裝置10A相同之薄膜所構成；以及第2密封構件（基板）30B，與裝置10A的第2密封構件30A同樣之剛硬電路基板。本變形例之電路構造體12B，係包括第1電路構件40B與第2電路構件50B。第1電路構件40B係由單一之電子零件41B所構成。電子零件41B係包括主部42B與兩個之端子49B。端子49B之每一個，係當作第1接點48B而發揮功能。第2電路構件50B係被形成於第2密封構件30B之導體線路，其包括分別與第1接點48B相對應之兩個之第2接點58B。可壓縮構件60B係僅包含分別與第1接點48B相對應之兩個之第1可壓縮構件62B。第1可壓縮構件62B之每一個，係與第1可壓縮構件62A同樣之連續氣泡構造體。
如上所述，裝置10B係包括第1密封構件20、第2密封構件30B、第1電路構件40B、第2電路構件50B、及兩個之可壓縮構件60B。第1密封構件20及第2密封構件30B，係例如藉接著劑而被密封。在裝置10B係形成有與裝置10A同樣之密封空間18。第1電路構件40B及第2電路構件50B，係與兩個之可壓縮構件60B一同，被封入密封空間18的內部。第1接點48B係分別與第2接點58B相接觸。
可壓縮構件60B之每一個，係位於對應之第1接點48B與第1密封構件20之間，使端子49B的第1接點48B壓抵到第2接點58B。端子49B之每一個，係被設於主部42B的下部，朝向對應之第2接點58B而往下方延伸。可壓縮構件60B之每一個，係不覆蓋主部42B，而覆蓋對應之端子49B。
當依據本變形例時，與裝置10A同樣地，使第1電路構件40B不藉軟焊等以固定於第2電路構件50B地，可穩定地連接第1接點48B與第2接點58B。又，當依據本變形例時，可使可壓縮構件60B之XY平面中之尺寸，小於第1電路構件40B整體。
本變形例係還可變形。例如電子零件41B之數量也可以係兩個以上。第1電路構件40B也可以係剛硬之電路基板。在此情形下，第2電路構件50B也可以係單一之電子零件41B。亦即，第1電路構件40B及第2電路構件50B中之至少一者，也可以包含電子零件41B。電子零件41B的端子49B係只要當作第1接點48B及第2接點58B中之一者以發揮功能即可。又，電子零件41B的端子49B，只要係自主部42B往第1接點48B及第2接點58B中之另一者延伸即可。可壓縮構件60B中之一個，也可以係不覆蓋主部42B，而覆蓋端子49B。
當比較圖16與圖10時，本實施形態之第3變形例之裝置構件11C係包括：電路構造體12C，與裝置構件11的電路構造體12不同；密封構件（薄膜構件）14，與裝置構件11相同；以及可壓縮構件60C，與裝置構件11的可壓縮構件60不同。薄膜構件14係與裝置10（參照圖1）同樣地被熱封。在於裝置構件11C所組立後之裝置（未圖示），係形成有與裝置10同樣之密封空間18（參照圖3）。
本變形例之電路構造體12C，係包括第1電路構件40C與第2電路構件50C。第1電路構件40C係包括與第1電路構件40同樣之第1基體42、被形成於第1基體42之第1導體線路44、及被連接於第1導體線路44之電子零件471C。第2電路構件50C係包括與第2電路構件50同樣之第2基體52、被形成於第2基體52之第2導體線路54、及被連接於第2導體線路54之電子零件571C。可壓縮構件60C係包含三個之第1可壓縮構件62C、及三個之第2可壓縮構件64C。可壓縮構件60C之每一個，係與可壓縮構件60同樣之連續氣泡構造體。
第1電路構件40C係包括四個之第1接點48C。第1接點48C中之三個，係被設於第1導體線路44。第1接點48C中之另一個，係被設於電子零件471C。第2電路構件50C係包括分別對應於第1接點48C之四個之第2接點58C。第2接點58C中之兩個，係被設於第2導體線路54。第2接點58C中之另兩個，係被設於電子零件571C。
由圖16可以理解到：由裝置構件11C所組立之裝置（未圖示）係包括第1密封構件20、第2密封構件30、第1電路構件40C、第2電路構件50C、及六個之可壓縮構件60C。第1電路構件40C及第2電路構件50C，係與六個之可壓縮構件60C一同，被封入裝置的密封空間18（參照圖3）內部。第1接點48C係分別與第2接點58C相接觸。第1可壓縮構件62C之每一個，係位於對應之第1接點48C與第1密封構件20之間，壓抵第1接點48C到對應之第2接點58C。第2可壓縮構件64C之每一個，係位於對應之第2接點58C與第2密封構件30之間，壓抵第2接點58C到對應之第1接點48C。
當依據本變形例時，與裝置10同樣地，對於包含電子零件471C之第1電路構件40C及包含電子零件571C之第2電路構件50C，不施加軟焊等地，可分別穩定地連接第1接點48C到第2接點58C。又，當依據本變形例時，可使可壓縮構件60C之Z方向中之尺寸，因應第1接點48C與第2接點58C間之距離而調整。例如第1導體線路44的第1接點48C與第2導體線路54的第2接點58C，係與其他第1接點48C及第2接點58C相比較下，彼此較大地遠離。在此情形下，只要加大對應之可壓縮構件60C之Z方向中之尺寸，以加大可壓縮構件60C被壓縮後之復原力即可。藉這種調整，可使裝置10B整體之厚度為均等，可分別穩定地連接第1接點48C到第2接點58C。
當比較圖17與圖8時，本實施形態之第4變形例之裝置10D，係由裝置構件11D所製造。裝置構件11D係取代裝置構件11的第1密封構件20及第2密封構件30，而包括由絶緣體所構成之一片之薄膜構件（平面片體）14D，而且，其包括與裝置構件11相同之電路構造體12、及比裝置構件11的可壓縮構件60還要小之可壓縮構件（未圖示）。
平面片體14D係在前後方向（X方向）中之中間部（既定部142D）中，被彎折，藉此，形成有在Z方向中，彼此重疊之第1密封構件（密封片）20D與第2密封構件（密封片）30D。亦即，第1密封構件20D及第2密封構件30D，係在一片之薄膜構件14D中，被彼此重疊之兩片密封片。薄膜構件14D係一片平面片體，具有既定部142D與端緣144D。端緣144D係薄膜構件14D之XY平面中之緣。
本變形例之裝置10D，係可藉與裝置10（參照圖1）同樣之製造方法，製造為同樣之構造。例如在配置工序（參照圖7）中，電路構造體12及可壓縮構件，係被配置於Z方向中之第1密封構件20D與第2密封構件30D之間。又，第1密封部26D與第2密封部36D，係被彼此連接以形成密封標記16D。第1接觸部28D與第2接觸部38D係在接觸領域17D中，彼此接觸。於裝置10D係形成有與裝置10（參照圖3）同樣之密封空間18（參照圖3）。第1電路構件40、第2電路構件50及可壓縮構件，係被封入密封空間18的內部。第1電路構件40的第1接點48與第2電路構件50的第2接點58，係藉可壓縮構件而被彼此壓抵以接觸。
另外，裝置10D係在以下之點中，與裝置10（參照圖1）不同。首先，第1密封構件20D及第2密封構件30D係在既定部142D中，被彎折重疊之兩片密封片。亦即，第1密封構件20D及第2密封構件30D，係在既定部142D中，彼此連接。當依據此構造時，既定部142D與接觸領域17D之間，係無須密封。因此，僅接觸領域17D與端緣144D間係被密封。亦即，密封標記16D係僅被形成於接觸領域17D與端緣144D之間。但是，本發明係並不侷限於此，也可以密封既定部142D與接觸領域17D之間。亦即，密封標記16D係只要至少被形成於接觸領域17D與端緣144D之間即可。
當比較圖18與圖8時，本實施形態之第5變形例之裝置10E，係由裝置構件11E所製造。裝置構件11D係取代裝置構件11的第1密封構件20及第2密封構件30，而包括由絶緣體所構成之一片之薄膜構件（袋狀片體）14E，而且，其包括與裝置構件11相同之電路構造體12、及比裝置構件11的可壓縮構件60還要小之可壓縮構件（未圖示）。
袋狀片體14E係在XY平面中之三邊（既定部142E）中，連接，在前端（＋X側之端）中，開口。藉此構造，於袋狀片體14E係形成有在Z方向中，彼此重疊之第1密封構件（密封片）20E與第2密封構件（密封片）30E。亦即，第1密封構件20E及第2密封構件30E，係在一片之薄膜構件14E中，被彼此重疊之兩片密封片。薄膜構件14E係一片袋狀片體，其具有既定部142E與端緣144E。端緣144E係薄膜構件14E的開口部的緣。
本變形例之裝置10E，係可藉與裝置10（參照圖1）同樣之製造方法，製造為同樣之構造。例如在配置工序（參照圖7）中，電路構造體12及可壓縮構件，係被封入薄膜構件14E的內部，被配置於Z方向中之第1密封構件20E與第2密封構件30E之間。又，第1密封部26E與第2密封部36E，係被彼此連接以形成密封標記16E。第1接觸部28E與第2接觸部38E，係在接觸領域17E中，彼此接觸。於裝置10E係形成有與裝置10（參照圖3）同樣之密封空間18。第1電路構件40、第2電路構件50及可壓縮構件，係被封入密封空間18內部。第1電路構件40的第1接點48與第2電路構件50的第2接點58，係藉可壓縮構件而被彼此壓抵以接觸。
另外，裝置10E係在以下之點中，與裝置10（參照圖1）不同。首先，第1密封構件20E及第2密封構件30E，係在既定部142E中，彼此連接之兩片密封片。亦即，第1密封構件20E及第2密封構件30E，係在既定部142E中，彼此連接。當依據此構造時，既定部142E與接觸領域17E之間，係無須密封。因此，僅接觸領域17E與端緣144E間係被密封。亦即，密封標記16E係僅被形成於接觸領域17E與端緣144E之間。但是，本發明係並不侷限於此，也可以密封既定部142E與接觸領域17E之間。亦即，密封標記16E係只要至少被形成於接觸領域17E與端緣144E之間即可。
在上述之第4及第5變形例中，薄膜構件係一片平面片體或一片袋狀片體。但是，本發明之薄膜構件係並不侷限於此，而可做種種變形。
10,10A,10B,10D,10E:裝置 11,11C,11D,11E:裝置構件 12,12A,12B,12C:電路構造體 14:密封構件（薄膜構件） 14A:密封構件 14B:密封構件 14D:薄膜構件（平面片體） 14E:薄膜構件（袋狀片體） 142D,142E:既定部 144D,144E:端緣 146:熔融層 148:非熔融層 16,16D,16E:密封標記 17,17D,17E:接觸領域 18:密封空間 20:第1密封構件 20D,20E:第1密封構件（密封片） 22:第1內側部 24:第1外側部 26,26D,26E:第1密封部 28,28D,28E:第1接觸部 29:周緣 30:第2密封構件 30A,30B:第2密封構件（基板） 30D,30E:第2密封構件（密封片） 32:第2內側部 34:第2外側部 36,36D,36E:第2密封部 38,38D,38E:第2接觸部 39:周緣 40,40A,40B,40C:第1電路構件 41B:電子零件 42:第1基體 42B:主部 43:第1電路 44:第1導體線路 46:鈕釦電池 471C:電子零件 48,48A,48B,48C:第1接點 49B:端子 50,50A,50B,50C:第2電路構件 52:第2基體 53:第2電路 54:第2導體線路 56:LED 571C:電子零件 58,58A,58B,58C:第2接點 60,60A,60B,60C:可壓縮構件 602:本體部 604:主面 62,62A,62B,62C:第1可壓縮構件 64,64C:第2可壓縮構件 70:組立裝置 74:模具 76:加壓部 78:熱封棒 782:加熱部
〔圖1〕係表示本發明實施形態之裝置之立體圖。以虛線描繪被形成於第1密封構件與第2密封構件間之接觸領域的邊界。放大描繪裝置的一部份（以中心線包圍之部分）。 〔圖2〕係表示圖1之裝置之側視圖。 〔圖3〕係沿著III-III線，表示圖2之裝置之剖面圖。放大描繪裝置的一部份（以中心線包圍之兩個部分）。在放大圖中之一個中，以虛線描繪接觸領域的邊界。 〔圖4〕係更放大表示圖3之放大圖中之裝置的一部份（以假想線A包圍之部分）之剖面圖。 〔圖5〕係概略表示圖3之裝置之具體例之剖面圖。 〔圖6〕係概略表示圖5之裝置的第1電路構件的第1導體線路及第2電路部材的第2導體線路之圖。圖示之第1電路的第1接點，雖然遠離第2電路的第2接點，但是，第1接點係實際上，位於第2接點之上。 〔圖7〕係表示圖1之裝置之製造方法例之圖。 〔圖8〕係表示以圖7之製造方法之準備工序所準備之裝置構件之立體圖。以虛線描繪隱藏之第1電路之輪廓。 〔圖9〕係表示以圖7之製造方法之配置工序所配置之圖8之裝置構件之立體圖。 〔圖10〕係表示圖9之裝置構件之側視圖。 〔圖11〕係沿著XI-XI線，表示圖10之裝置構件之剖面圖。放大描繪裝置構件的一部份（以虛線包圍之兩個部分）。 〔圖12〕係使在圖7之製造方法之配置工序中，被配置於組立裝置內之圖10之裝置構件，與組立裝置之示意性構造一同表示之圖。 〔圖13〕係表示包括複數個圖9之裝置構件之構件之立體圖。以虛線描繪裝置構件間之邊界。 〔圖14〕係表示圖5之裝置之變形例之剖面圖。 〔圖15〕係表示圖5之裝置之另一變形例之剖面圖。 〔圖16〕係表示圖5之裝置之又一變形例中之裝置構件之剖面圖。 〔圖17〕係表示圖8之裝置構件的薄膜構件之變形例之立體圖。針對薄膜構件的一部份（以虛線包圍之部分），描繪裝置被組立後之構造。 〔圖18〕係表示圖8之裝置構件的薄膜構件之另一變形例之立體圖。針對薄膜構件的一部份（以虛線包圍之部分），描繪裝置被組立後之構造。 〔圖19〕係表示專利文獻1之裝置之剖面圖。
12:電路構造體 14:密封構件（薄膜構件） 16:密封標記 17:接觸領域 18:密封空間 20:第1密封構件 22:第1內側部 24:第1外側部 26:第1密封部 28:第1接觸部 29:周緣 30:第2密封構件 32:第2內側部 34:第2外側部 36:第2密封部 38:第2接觸部 39:周緣 40:第1電路構件 42:第1基體 44:第1導體線路 48:第1接點 50:第2電路構件 52:第2基體 54:第2導體線路 58:第2接點 60:可壓縮構件 62:第1可壓縮構件 64:第2可壓縮構件 602:本體部 604:主面

Claims (15)

  1. 一種密封裝置，其包括第1密封構件、第2密封構件、第1電路構件、第2電路構件及一個以上之可壓縮構件，其特徵在於：該第1密封構件係由薄膜構成，其具有第1內側部與第1外側部，該第1內側部係位於該第1外側部的內側，該第2密封構件係具有第2內側部與第2外側部，該第2內側部係位於該第2外側部的內側，該第1外側部係具有第1密封部，該第2外側部係具有第2密封部，該第1密封部與該第2密封部，係被彼此連接以形成密封標記，在該裝置係形成有被該第1內側部及該第2內側部所包圍之密封空間，該第1電路構件及該第2電路構件，係被封入該密封空間的內部，該第1電路構件係包括第1接點，該第2電路構件係包括第2接點，該第1接點與該第2接點，係彼此接觸，該可壓縮構件係被封入該密封空間的內部，該可壓縮構件係包含第1可壓縮構件及第2可壓縮構件中之至少一者，該第1可壓縮構件係至少局部性地位於該第1密封構件與該第1接點之間，該第2可壓縮構件係至少局部性地位於該第2密封構件與該第2接點之間，該可壓縮構件之每一個，係具有本體部與兩個主面，該可壓縮構件之每一個中之兩個之該主面，係在既定方向中，夾持該本體部以彼此位於相反側，在該可壓縮構件之每一個中，包含於該本體部之空氣的一部份係被排出；其中該可壓縮構件之每一個係連續氣泡構造體。
  2. 如請求項1之裝置，其中該第1外側部係具有第1接觸部，該第2外側部係具有第2接觸部，該第1接觸部與該第2接觸部係在接觸領域中，彼此接觸，該接觸領域係綿延全周以包圍該第1內側部及該第2內側部。
  3. 如請求項1之裝置，其中該第1密封部與該第2密封部，係藉熱封而被彼此連接。
  4. 如請求項3之裝置，其中該第1密封構件及該第2密封構件之每一個，係包括藉熱封而熔融之熔融層、及不藉熱封而熔融之非熔融層之兩層。
  5. 如請求項1之裝置，其中該第2密封構件係由薄膜所構成。
  6. 如請求項2之裝置，其中該第1密封構件及該第2密封構件，係在一片薄膜構件中，被彼此重疊之兩片密封片，該薄膜構件係具有既定部與端緣，該第1密封構件及該第2密封構件，係在該既定部中，彼此連接，該密封標記係至少被形成於該接觸領域與該端緣之間。
  7. 如請求項6之裝置，其中該薄膜構件係一片平面片體，該第1密封構件及該第2密封構件，係在該既定部中，被彎折重疊之兩片之該密封片。
  8. 如請求項6之裝置，其中該薄膜構件係一片袋狀片體，該第1密封構件及該第2密封構件，係在該既定部中，彼此連接之兩片之該密封片。
  9. 如請求項1之裝置，其中該第1密封構件及該第2密封構件之每一個，係具有較高之阻隔性。
  10. 如請求項9之裝置，其中該第1密封構件及該第2密封構件之每一個，係具有較高之氧阻隔性。
  11. 如請求項9之裝置，其中該第1密封構件及該第2密封構件之每一個，係具有較高之水蒸氣阻隔性。
  12. 如請求項1之裝置，其中該第1電路構件係具有第1基體與第1導體線路，該第1基體係由絶緣薄膜所構成，該第1導體線路係被形成於該第1基體上，具有該第1接點，該第2電路構件係具有第2基體與第2導體線路，該第2基體係由絶緣薄膜所構成，該第2導體線路係被形成於該第2基體上，具有該第2接點。
  13. 如請求項1之裝置，其中該第1可壓縮構件係除了該第1電路構件的端部，覆蓋該第1電路構件整體，該第2可壓縮構件係除了該第2電路構件的端部，覆蓋該第2電路構件整體。
  14. 如請求項1之裝置，其中該第1電路構件及該第2電路構件中之至少一者，係包含電子零件，該電子零件係包括主部與端子，該端子係當作該第1接點及該第2接點中之一者以發揮功能，自該主部往該第1接點及該第2接點中之另一者延伸，該可壓縮構件中之一個，係不覆蓋該主部，而覆蓋該端子。
  15. 一種密封裝置之製造方法，該裝置係包括第1密封構件、第2密封構件、第1電路構件、第2電路構件及可壓縮構件，其特徵在於：其包括：準備工序，準備該第1密封構件、該第2密封構件、該第1電路構件、該第2電路構件及該可壓縮構件，其中，該第1密封構件係由薄膜所構成，該第1電路構件係包括第1接點，該第2電路構件係包括第2接點，該可壓縮構件係包含第1 可壓縮構件及第2可壓縮構件中之至少一者，該可壓縮構件之每一個，係具有本體部與兩個主面，該可壓縮構件之每一個中之兩個之該主面，係在既定方向中，夾持該本體部以彼此位於相反側，當在該可壓縮構件之每一個中，加壓使得兩個之該主面在該既定方向中，彼此接近，以壓縮該本體部時，包含於該本體部之空氣的一部份係被排出，其中該可壓縮構件之每一個係連續氣泡構造體；配置工序，以該第1密封構件、該第1電路構件、該第2電路構件及該第2密封構件之順序，彼此重疊，使該第1接點與該第2接點相向，其中，使該第1可壓縮構件至少局部性地位於該第1密封構件與該第1接點之間，使該第2可壓縮構件至少局部性地位於該第2密封構件與該第2接點之間；以及密封工序，持續壓縮該可壓縮構件，使該第1密封構件與該第2密封構件彼此接觸以密封，藉此，使該第1電路構件、該第2電路構件及該可壓縮構件，封入被該第1密封構件及該第2密封構件所包圍之密封空間內，而且，使該第1接點與該第2接點彼此接觸。
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