CN114630537B - 器件及其形成方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种器件及其形成方法。器件包括基本上包括由膜形成的第一膜的第一密封构件、第二密封构件、包括第一接触点的第一电路构件和包括第二接触点的第二电路构件。该器件形成有封闭空间,该封闭空间由第一密封构件和第二密封构件所围成且与器件外的外部空间隔绝。第一电路构件和第二电路构件被封闭在封闭空间中。第一密封构件和第二密封构件中的至少一个设有凹凸部。凹凸部与第一电路构件和第二电路构件中的至少一个接触,并覆盖与第一接触点和第二接触点中的至少一个相对应的预定区域。本发明整个器件的厚度可以做得非常薄。

Description

器件及其形成方法
技术领域
本发明涉及一种包括由薄膜密封的电路构件的器件。
背景技术
例如,在JP2001-332654A(专利文献1)中公开了一种可以做得更薄的器件,其内容通过引用结合在此。
参考图23,专利文献1公开了具有内置半导体芯片的模块(器件)90。器件90包括热固性树脂组合物(密封树脂)92,以及包括半导体芯片96和布线图案98的电路构件94。密封树脂92形成为使得电路构件94嵌入其中。然后,打磨密封树脂92的表面,以使器件90变薄。
但是,对于包括电路构件的器件来说,需要进一步减小厚度。
发明内容
本发明的一目的在于提供一种可以做得更薄的新器件。
本发明一方面提供了一种器件,包括第一密封构件、第二密封构件、第一电路构件和第二电路构件。所述第一密封构件基本上包括由薄膜形成的第一膜。所述器件形成有封闭空间。所述封闭空间由所述第一密封构件和所述第二密封构件所围成,并与所述器件外的外部空间隔绝。所述第一电路构件和所述第二电路构件封闭于所述封闭空间内。所述第一电路构件包括第一接触点。所述第二电路构件包括第二接触点。所述第一接触点与所述第二接触点彼此相互接触。所述第一密封构件和所述第二密封构件中的至少一个设有凹凸部。所述凹凸部与所述第一电路构件和所述第二电路构件中的至少一个相接触,并且覆盖与所述第一接触点和所述第二接触点中的至少一个相对应的预定区域。
本发明另一方面提供了一种器件的形成方法,所述器件包括第一密封构件、第二密封构件、第一电路构件和第二电路构件。所述形成方法包括准备步骤、层叠步骤、封闭步骤和抽真空步骤。在准备步骤中,准备所述第一密封构件、所述第二密封构件、所述第一电路构件和所述第二电路构件。所述第一密封构件基本上包括由膜形成的第一膜。所述第一膜设有空气阀。所述第一密封构件和所述第二密封构件中的至少一个具有凹凸部。所述第一电路构件包括第一接触点。所述第二电路构件包括第二接触点。在层叠步骤中,将所述第一密封构件、所述第一电路构件、所述第二电路构件和所述第二密封构件依次层叠在一起。所述第一接触点与所述第二接触点彼此相对。所述凹凸部朝向所述第一电路构件和所述第二电路构件中的至少一个。所述凹凸部覆盖与所述第一接触点和所述第二接触点中的至少一个相对应的预定区域。在封闭步骤中,将所述第一电路构件和所述第二电路构件封闭在形成于所述器件内的内部空间中。所述内部空间由所述第一密封构件和所述第二密封构件所围成,并且除了所述空气阀,与所述器件外的外部空间隔绝。在抽真空步骤中,使用所述空气阀对所述内部空间抽真空,以使所述第一接触点和所述第二接触点相互接触。
根据本发明一方面的器件,第一密封构件和第二密封构件彼此重叠,同时第一电路构件和第二电路构件(以下简称为“电路构件”)夹在其间。第一密封构件基本上由膜形成。此外,每个电路构件的结构不受限制,只是每个电路构件应设有接触点。因此,本发明一方面的各电路构件都具有简单的结构,且可以由各种材料形成。例如,每个电路构件可以是形成有具有接触点的导电图案的绝缘膜。在这种情况下,整个器件的厚度可以做得非常薄。因此,本发明一方面提供了一种可以做得更薄的新器件。
附图说明
图1是本发明实施例器件的立体图,其中,第一密封构件与第二密封构件之间形成的接触区域的边界线用虚线示出,且由点划线包围的器件的一部分被放大示出。
图2是图1所示器件的立体图,其中,第一密封构件被移除,且接触区域的边界线用虚线示出。
图3是图1所示器件的III-III向剖视示意图,其中,仅示意示出了器件的内部结构,各构件的尺寸和布置不是其实际的尺寸和布置。
图4是图3所示器件的一实例的截面图,其中,示出了第一电路构件的第一导电图案和第二电路构件的第二导电图案的示例,仅示意示出了器件的内部结构,且每个构件的尺寸和布置不是其实际的尺寸和布置。
图5是图4所示第一导电图案和第二导电图案的电路结构示意图,其中,虽然示出的第一电路的第一接触点与示出的第二电路的第二接触点分离,但是第一接触点实际上位于第二接触点上。
图6是用于形成图1的器件的形成方法的一实例的流程图。
图7是在图6所示的形成方法的准备步骤中被准备的器件材料组的立体图,其中,对应于空气阀的第一膜的一部分用虚线示出。
图8是图7所示空气阀的立体图。
图9是图7所示器件材料组的侧视图,其中,点划线包围的器件材料组的一部分被放大并示出。
图10是图6的形成方法的封闭步骤中的器件立体图。
图11是图10所示器件沿图1的III-III线切割的截面示意图,其中,示出了真空仪器的侧表面,仅示意示出了器件的内部结构,且每个构件的尺寸和布置不是其实际的尺寸和布置。
图12是图7所示器件材料组的一变型的立体图,其中,隐藏的第一电路构件、隐藏的第二电路构件和隐藏的附加膜的轮廓用虚线示出。
图13是由图12示出的器件材料组形成的器件的俯视图,其中,隐藏的附加膜的轮廓用虚线示出。
图14是图7所示器件材料组的另一变型的立体图,其中,隐藏的第一电路构件、隐藏的第二电路构件和隐藏的附加膜的轮廓用虚线示出。
图15是由图14的器件材料组形成的器件的俯视图,其中,隐藏的附加膜的轮廓用虚线示出。
图16是图15所示器件的一变型的俯视图,其中,隐藏的第一电路构件和隐藏的第二电路构件的轮廓用虚线示出,接触区域的边界线用点划线表示。
图17是图16所示器件的仰视图,其中,接触区域的边界线用点划线示出。
图18是将图17所示器件的一部分切掉而形成的器件的仰视图,其中,包括隐藏的空气阀的切除部分的轮廓用双点划线表示,对应于第二接触点的隐藏的预定区域的轮廓用虚线示出,且接触区域的边界线用点划线示出。
图19是图7所示器件材料组的第一电路构件和第二电路构件的实例的立体图。
图20是图7所示器件材料组的第一膜和第一电路构件的实例的立体图。
图21是图7所示器件材料组的附加膜和第二电路构件的实例的立体图。
图22是图7所示器件材料组的第二膜、附加膜和第二电路构件的实例的立体图。
图23是专利文献1的器件的剖视图。
具体实施方式
参考图1,本发明实施例的器件10是一独立的电子器件。更具体地,器件10可以单独工作而无需物理连接到另一电子器件(未示出)。例如,器件10通过将器件10附接到对象的心脏附近来测量对象的心率,并将测量结果发送到另一电子器件。因此,器件10可用作用于测量诸如心率的生物信息的电子器件。然而,本发明不限于此,其还可应用于具有各种功能的各种器件。
一并参阅图2和图1,本实施例的器件10包括电路结构12和密封构件14。电路结构12是使器件10作为电子器件工作的构件。例如,电路结构12具有用于测量心率的电子电路(未示出)及用于将测量结果传送至另一电子器件(未示出)的另一电子电路(未示出)。密封构件14将电路结构12完全容纳在其中并保护电路结构12免受外部环境的影响。因此,电路结构12被封闭在密封构件14中。
本实施例的电路结构12包括第一电路构件40和第二电路构件50。本实施例的密封构件14包括第一密封构件20和第二密封构件30。因此,器件10包括第一密封构件20、第二密封构件30、第一电路构件40和第二电路构件50。
连同图1和图2一起参考图7,前述的四个构件,如器件10的第一密封构件20、第二密封构件30、第一电路构件40和第二电路构件50沿上下方向(Z方向)层叠并组合形成作为单个结构的器件10。本实施例的器件10仅包括上述四个构件。然而,本发明不限于此,器件10除了上述四个构件之外,还可以包括其他构件。
下面对本实施例的器件10的各构件进行说明。
参考图7,本实施例的第一密封构件20由作为其基材的第一膜20F形成。第一膜20F是绝缘膜。换句话说,第一密封构件20基本上包括由膜形成的第一膜20F。本实施例的第一膜20F是薄的矩形片且可弯曲。第一膜20F平行于水平面(片平面:XY平面)延伸。第一膜20F在XY平面上具有外围边缘29。第一膜20F形成有孔76。孔76在与XY平面垂直的上下方向(Z方向)上贯穿第一膜20F。
参考图1和图7,本实施例的第一密封构件20除了第一膜20F之外还包括空气阀70。参考图7和图8,空气阀70包括由薄绝缘膜形成的盖部72和由绝缘体制成的基部74。如图8所示,基部74形成有通孔748。通孔748沿Z方向贯穿基部74。盖部72形成有分别对应于阀722的五个阀722和五个切口724。每个切口724在Z方向上贯穿盖部72。阀722和切口724在XY平面上位于盖部72的外圆周的内侧。
与图7一起参考图8,盖部72粘附并固定在基部74的上表面(正Z侧表面)上。特别地,盖部72在XY平面上的外圆周在整个圆周上紧密地粘附到基部74的上表面。相反,在XY平面上位于盖部72的外圆周内侧的盖部72的内部可以被拉离基部74的上表面。因此,允许空气从中通过的通道可形成在通孔748与每个切口724之间。基部74具有下表面(负Z侧表面),下表面以通孔748与第一膜20F的孔76连通的方式粘附并固定在第一膜20F上。因此,第一膜20F设有空气阀70。
参考图1和图8,空气阀70可以处于图8所示的打开状态或图1所示的关闭状态。当空气阀70处于打开状态时,每个阀722与相对应的切口724分开。当空气阀70处于关闭状态时,每个阀722完全覆盖相对应的切口724。当空气阀70处于打开状态时,通过空气阀70在器件10的内部与外部之间形成空气通道。当空气阀70处于关闭状态时,器件10的内部与器件10的外部隔绝。
如后所述,空气阀70用于在制造器件10时对器件10的内部进行抽真空。本实施例的空气阀70具有适合这种用途的结构。然而,本发明不限于此。例如,空气阀70的结构没有特别限制,只要器件10的内部空气可以通过使用空气阀70排出即可。此外,可以在不设置空气阀70的情况下对器件10的内部进行抽真空。换句话说,第一密封构件20可以根据需要包括空气阀70。因此,第一密封构件20可以仅包括第一膜20F。
参考图7,本实施例的第二密封构件30由作为其基材的第二膜30F形成。第二膜30F是绝缘膜。换句话说,第二密封构件30基本上包括由膜形成的第二膜30F。本实施例的第二膜30F是薄的矩形片且可弯曲。第二膜30F平行于XY平面延伸。第二膜30F在XY平面上具有外围边缘39。然而,本发明不限于此。例如,第二密封构件30可以基本上包括具有刚性且难以弯曲的刚性电路板,而不是第二膜30F。
参考图2和图7,本实施例的第二密封构件30除了第二膜30F之外还包括由绝缘膜形成的附加膜60。附加膜60具有凹凸部62。如后所述,设置凹凸部62是为了在对器件10内部进行抽真空时保持允许空气通过的通道。详细地,凹凸部62形成有大量的突起64。每个突起64是向上或沿正Z方向突起且可弹性变形的突起。突起64在XY平面上在整个附加膜60上均匀且连续地形成。根据上述结构,允许空气从其中通过的通道形成在各相邻两个突起64之间。只要可形成有允许空气通过的通道,每个突起64都可以具有任何形状和任何尺寸。
连同图2一起参考图1,本实施例的第一膜20F和第二膜30F彼此重叠,以使得外围边缘29的位置与外围边缘39的位置在XY平面上彼此对齐。然而,本发明不限于此。例如,XY平面上的第一膜20F的尺寸和XY平面上的第二膜30F的尺寸可以彼此不同。第一膜20F和第二膜30F的形状均不限于矩形,而是可以根据需要进行改变。
参考图2和图7,本实施例的第一电路构件40具有第一基部42和第一导电图案44。本实施例的第一基部42是由绝缘膜形成的薄矩形片且可弯曲。第一基部42平行于XY平面延伸。第一导电图案44形成于第一基部42上。详细地,第一导电图案44由诸如铜的导体制成,并通过诸如银墨印刷或蚀刻的形成方法形成于第一基部42的下表面上。
本实施例的第二电路构件50具有第二基部52和第二导电图案54。本实施例的第二基部52是由绝缘膜形成的薄矩形片且可弯曲。第二基部52平行于XY平面延伸。第二导电图案54形成于第二基部52上。具体而言,第二导电图案54由诸如铜的导体制成,并通过诸如银墨印刷或蚀刻的形成方法形成于第二基部52的上表面上。
本实施例的第一电路构件40和第二电路构件50具有上述结构。然而,本发明不限于此。例如,第一电路构件40和第二电路构件50均可以设有一个或多个电子元件。第一电路构件40和第二电路构件50中的一个可以是单个电子元件。第一电路构件40和第二电路构件50均可以是刚性电路板。第一导电图案44和第二导电图案54各自的形成方法没有特别限制,只要第一导电图案44和第二导电图案54均由导体制成即可。
在本实施例中,第一导电图案44具有第一接触点48,而第二导电图案54具有第二接触点58。因此,第一电路构件40包括第一接触点48,第二电路构件50包括第二接触点58。参考图2和图3,第一接触点48和第二接触点58在制造的器件10中彼此接触。因此,第一电路构件40和第二电路构件50彼此结合,以使得第一接触点48与第二接触点58彼此接触。结果,第一导电图案44与第二导电图案54彼此电连接。
为了简单解释本发明,图2和图3所示的第一导电图案44和第二导电图案54是抽象的导电图案,且不具有特定功能。换句话说,即使当示出的第一接触点48和示出的第二接触点58彼此接触时,器件10也不能作为电子器件工作。实际的第一导电图案44和实际的第二导电图案54例如具有图4和图5所示的结构。
参考图4和图5,第一基部42具有形成在其下表面上的第一电路43,且第二基部52具有形成在其上表面上的第二电路53。第一电路43具有纽扣电池46和分别形成有第一接触点48的两个第一导电图案44。第二电路53具有发光二极管(LED)56和分别形成有第二接触点58的两个第二导电图案54。当各第一接触点48分别与各第二接触点58接触时,纽扣电池46向LED 56供电,LED 56发光。第一电路43和第二电路53的结构可以改变为比图4和图5的实例更实用的结构。例如,第二电路53可以具有用于测量心率的电路和用于传输测量结果的另一电路,而不是LED 56。
根据图4和图5的实例,第一接触点48的数量和第二接触点58的数量均是两个。然而,第一接触点48的数量和第二接触点58的数量均可以是图2所示的一个,或者可以是三个或更多个。因此,参考图2和图3,第一电路构件40应具有一个或多个第一接触点48,而第二电路构件50应具有分别对应于各第一接触点48的一个或多个第二接触点58。在制造的器件10中,每个第一接触点48应与相应的第二接触点58接触。
下面对本实施例的器件10进行更具体的说明。
参考图1,本实施例的第一密封构件20具有第一内部22和第一外部24。第一内部22和第一外部24均是第一膜20F的一部分。第一内部22在XY平面上位于第一外部24的内侧。换句话说,第一外部24是围绕第一内部22的第一膜20F的一部分。
参考图2,本实施例的第二密封构件30具有第二内部32和第二外部34。第二内部32和第二外部34均是第二膜30F的一部分。第二内部32在XY平面上位于第二外部34的内侧。换句话说,第二外部34是围绕第二内部32的第二膜30F的一部分。
参考图1至图3,器件10的第一膜20F的第一内部22和第二膜30F的第二内部32是用于容纳电路结构12的部分。根据本实施例,在形成器件10之前(参见图7),第一膜20F沿XY平面均匀延伸,且在第一内部22与第一外部24之间没有可见边界。在形成器件10之前(参见图7),第二膜30F沿XY平面均匀延伸,且在第二内部32与第二外部34之间没有可见边界。然而,本发明不限于此。例如,在第一内部22与第一外部24之间可以形成诸如凹陷的可见边界,且在第二内部32与第一外部34之间可以形成诸如凹陷的可见边界。
参考图1,本实施例的第一外部24具有第一密封部26和第一接触部28。参考图2,本实施例的第二外部34具有第二密封部36和第二接触部38。参考图1至图3,本实施例的第一密封部26和第二密封部36结合在一起,以形成密封痕迹16。根据本实施例,第一密封部26和第二密封部36通过热封的方式结合在一起。因此,本实施例的密封痕迹16是第一密封部26和第二密封部36通过加热来彼此熔接的迹线。然而,本发明不限于此,第一密封部26和第二密封部36还可以通过诸如高频、超声波、激光或胶粘的各种方式彼此结合。
参考图1和图2,本实施例的密封痕迹16形成在第一密封部26和第二密封部36的整个圆周上。换句话说,密封痕迹16在XY平面上的整个圆周上围绕着第一内部22和第二内部32。然而,本发明不限于此,密封痕迹16可以根据器件10的形成方法而形成在必要的部分上。例如,密封痕迹16可以部分地形成或可以根本不形成。
参考图3,如后所述,在第一密封部26和第二密封部36结合在一起后,器件10的内部被抽真空。根据本实施例,当器件10的内部被抽真空时,由于气压差,第一接触部28和第二接触部38在接触区域17内彼此接触。结果,器件10形成有封闭空间18。封闭空间18被第一内部22和第二内部32包围。本实施例的接触区域17在XY平面上的整个圆周上无缝地围绕第一内部22和第二内部32。然而,本发明不限于此,而是根据器件10的形成方法,接触区域17可以在必要的部分上形成。例如,接触区域17可以部分地形成或可以根本不形成。
如上所述形成的封闭空间18被第一密封构件20和第二密封构件30包围且与器件10外的外部空间隔绝。根据本实施例,第一密封部26和第二密封部36牢固地结合在一起。另外,接触区域17在XY平面上位于密封痕迹16的内侧,且阻挡可能在封闭空间18的内部与外部之间流动的空气。因此,封闭空间18中的气压保持为低于大气压的低压。
第一电路构件40和第二电路构件50被封闭在保持为上述低压的封闭空间18内。第一接触点48和第二接触点58在封闭空间18内彼此接触。详细地,第一接触点48与第二接触点58之间由于封闭空间18的内外气压差而产生接触力。由于该气压差,第一接触点48和第二接触点58相互挤压。因此,第一接触点48与第二接触点58之间的接触可以可靠地保持。
总结上述说明,包括本实施例的器件10的附加膜60的第一密封构件20与第二密封构件30彼此重叠来彼此接触,同时第一电路构件40和第二电路构件50(以下简称为“电路构件”)夹在其间。本实施例的第一密封构件20和第二密封构件30基本上由膜形成。附加膜60可以通过压印薄绝缘膜来形成。
此外,除了每个电路构件应设有接触点,例如第一接触点48或第二接触点58之外,每个电路构件的结构不受限制。因此,本实施例的每个电路构件具有简单的结构且可以由各种材料形成。例如,每个电路构件可以是形成有诸如具有接触点的第一导电图案44或具有接触点的第二导电图案54的导电图案的绝缘膜。在这种情况下,整个器件10的厚度可以做得非常薄。因此,本实施例提供了新的且可以做得更薄的新器件10。
根据本实施例,第一密封部26和第二密封部36结合在一起,且第一接触部28和第二接触部38彼此接触。根据该结构,封闭空间18能够可靠地保持气密。然而,本发明不限于此。例如,第一密封部26和第二密封部36可以在XY平面上部分地围绕第一接触部28和第二接触部38。第一密封部26和第二密封部36可以在XY平面上部分地围绕第一内部22和第二内部32。
根据本实施例,通过切断第一密封部26和第二密封部36,第一电路构件40和第二电路构件50能够被容易地从封闭空间18中取出。因此,根据本实施例,部件可以很容易地被独立收集并可被重复使用。
参考图1,本实施例的第一密封构件20和第二密封构件30均包括由可通过热封熔化的可熔化层146和通过热封不能熔化的不可熔化层148组成的两层。可熔化层146和不可熔化层148形成在第一膜20F中。可熔化层146和不可熔化层148也形成在第二膜30F或替代第二膜30F的刚性电路板中。因此,本实施例的第一膜20F和第二膜30F均具有由可熔化层146和不可熔化层148形成的双层结构。
例如,可熔化层146由聚乙烯制成,不可熔化层148由尼龙制成。根据该结构,第一密封部26和第二密封部36的不可熔化层148能够被保持的同时,各可熔化层146能够彼此熔合。然而,本发明不限于此,第一膜20F和第二膜30F均可以根据密封方法而具有一种结构。例如,第一膜20F和第二膜30F均可以仅包括一层或可以包括三层或更多层。
本实施例的第一膜20F和第二膜30F均形成为使得其除了第一密封部26和第二密封部36之外的一部分还包括可熔化层146和不可熔化层148。然而,本发明不限于此。例如,可熔化层146可以仅形成在第一密封部26和第二密封部36中。
参考图1,第一密封构件20和第二密封构件30均优选具有针对氧的高阻隔性。更具体地,第一膜20F和第二膜30F均优选包括由高阻氧材料制成的层,该高阻氧材料是针对氧具有高阻隔性的材料。根据该层结构,电路结构12的金属构件的氧化可以被减少。
例如,高氧阻材料可以是线性低密度聚乙烯(LLDPE)。更具体的,高阻氧材料可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯、铝和聚乙烯层压而成的PET/A1/PE;由双轴拉伸尼龙和聚乙烯层压而成的ON/PE;由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚氯乙烯和聚乙烯层压而成的PET/EVOH/PE;或者可以通过层压透明高阻隔膜和聚乙烯形成。透明高阻隔膜可以是沉积有SiOx或氧化铝的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。
本实施例的第一密封构件20和第二密封构件30均优选除了针对氧的高阻隔性之外具有针对水蒸气的高阻隔性。更具体地,第一膜20F和第二膜30F均优选包括由高水蒸气阻挡材料制成的层,该高水蒸气阻挡材料是针对水蒸气具有高阻隔性的材料。根据该层结构,电路结构12可以是防水的。例如,高水蒸气阻隔材料可以是由ON/PE、双轴拉伸聚丙烯(OPP)或PET制成并涂覆有聚偏二氯乙烯(PVDC)的片材材料。
除了针对氧的高阻隔性和针对水蒸气的高阻隔性之外,第一密封构件20和第二密封构件30均可以具有各种阻隔性,例如针对氮的阻隔性。因此,第一密封构件20和第二密封构件30均优选根据其用途具有高阻隔性。
参考图6,本实施例的器件10(见图1)经过四个步骤形成,包括准备步骤(STEP 1)、层叠步骤(STEP 2)、封闭步骤(STEP 3)和抽真空步骤(STEP 4)。然而,本发明不限于此,器件10的形成方法可以根据需要改变。下面将对本实施例器件10的形成方法进行说明。
参考图7,在准备步骤(见图6)中,准备器件材料组11。器件材料组11包括第一密封构件20、第二密封构件30、第一电路构件40和第二电路构件50。第一密封构件20基本上包括第一膜20F,并包括设置在第一膜20F上的空气阀70。第二密封构件30基本上包括第二膜30F,并包括形成有凹凸部62的附加膜60。第一电路构件40包括第一接触点48。第二电路构件50包括第二接触点58。
然后,参考图7和图9,在层叠步骤(见图6)中,第一密封构件20、第一电路构件40、第二电路构件50和第二密封构件30沿Z方向从上到下依次层叠。同时,第一电路构件40和第二电路构件50被布置成使得第一接触点48与第二接触点58在Z方向上彼此相对。附加膜60位于XY平面上的第二膜30F的中间。第一电路构件40和第二电路构件50在XY平面上位于附加膜60的中间。此外,第一膜20F和第二膜30F被布置成使得它们的两个可熔化层146在Z方向上彼此相对。
参考图9,如上所述布置的附加膜60的凹凸部62在Z方向上朝向第二电路构件50。凹凸部62从下方覆盖与第二接触点58相对应的预定区域19。换句话说,凹凸部62覆盖预定区域19的负Z侧。本实施例的预定区域19是位于第二接触点58正下方的第二电路构件50的第二基部52的下表面的一部分。
然后,参考图9和图10,在封闭步骤(见图6)中,对第一膜20F和第二膜30F进行热封。详细地,两个可熔化层146位于XY平面上的第一膜20F和第二膜30F外周处的部分经由热封而彼此焊接。
与图10一起参考图11,作为热封的结果,器件10形成有密封痕迹16和位于其中的内部空间18S。密封痕迹16在XY平面上形成在第一膜20F和第二膜30F的外周上,以连续且无缝地延伸。因此,内部空间18S被第一密封构件20和第二密封构件30包围,且除了空气阀70之外,与器件10的外部隔绝。第一电路构件40和第二电路构件50与第二密封构件30的附加膜60一起被封闭于内剖空间18S内。
然后,在抽真空步骤(见图6)中,内部空间18S被抽真空。根据本实施例,空气阀70和仪器80用于将空气排出内部空间18S。本实施例的仪器80是注射器式活塞泵。仪器80包括注射器82和柱塞84。注射器82在XY平面上具有环状的下端。注射器82的环形形状与空气阀70的盖部72的外周相对应。
在抽真空步骤中,首先,注射器82的下端压靠盖部72的上表面。然后,向上拉动柱塞84。同时,空气阀70处于打开状态,内部空间18S与注射器82内部之间形成空气通道。内部空间18S中的空气通过空气阀70的通孔748和切口724(见图9)排放到注射器82内部。结果,内部空间18S的气压被逐渐降低。当内部空间18S的气压变为接近真空的低压时,停止使用仪器80抽真空。
当抽真空停止时,由于内部空间18S的气压与大气压力之间的气压差,空气阀70的阀722(见图9)覆盖切口724(见图9),从而空气阀70处于关闭状态。结果,内部空间18S中的气压被保持为低压。因此,器件10形成有封闭空间18(见图3)。封闭空间18是与外部隔绝且具有低压的内部空间18S。由于封闭空间18内外的气压差,第一接触点48与第二接触点58相互挤压且相互接触。
与图3一起参考图11,第一膜20F和第二膜30F在抽真空时趋于彼此紧密接触,从而趋于形成紧密接触区域,例如接触区域17。如果不提供附加膜60,那么,第一膜20F和第二膜30F的紧密接触区域将形成在空气阀70与预定区域19之间。如此形成的紧密接触区域可能阻塞空气阀70与预定区域19之间的空气通道。结果,第一接触点48和第二接触点58所在空间的气压可能没有充分降低,从而第一接触点48与第二接触点58可能不可靠地相互接触。
相反,由于本实施例的附加膜60位于第一膜20F与第二膜30F之间,因此防止了第一膜20F与第二膜30F之间的直接接触。此外,由于附加膜60具有凹凸部62,所以即使在第一膜20F和第二膜30F通过附加膜60彼此间接接触的情况下,空气阀70与预定区域19之间的空气通道也能够保持。因此,本实施例的凹凸部62防止了可能阻塞空气阀70与预定区域19之间的空气通道的紧密接触区域的形成。因此,第一接触点48和第二接触点58可以可靠地相互接触。
参考图2和图3,本实施例的凹凸部62封闭在封闭空间18内,且完全覆盖与封闭空间18对应的区域。然而,本发明不限于此。从抽真空时第一接触点48与第二接触点58之间可靠接触的观点来看,凹凸部62可以仅连续地覆盖从空气阀70延伸到预定区域19的区域。特别地,凹凸部62可以仅连续地覆盖从预定区域19延伸到作为空气阀70中的空气通道的通孔748的区域。在气阀70与预定区域19之间的距离较短的情况下,凹凸部62可以仅覆盖与第一接触点48和第二接触点58中的至少一个相对应的预定区域19。
然而,当凹凸部62在XY平面上具有小尺寸时,在抽真空期间可能在远离预定区域19的位置处形成空气池。空气池可以被第一膜20F和第二膜30F彼此紧密接触的紧密接触区域包围。在形成这样的空气池的情况下,当使用器件10时,空气可能从空气池流到预定区域19。结果,预定区域19的气压可能会更高。因此,凹凸部62优选完全覆盖与本实施例公开的封闭空间18对应的区域。
参考图3,本实施例的附加膜60是与第二膜30F不同且可分离的压纹膜,并且设置在第二膜30F上。凹凸部62形成在附加膜60的上表面和下表面上。然而,本发明不限于此。例如,附加膜60可以粘附并固定在第二膜30F的上表面上。凹凸部62可以仅形成在附加膜60的上表面上。第二膜30F可以被压印,以形成凹凸部62。在这种情况下,不需要提供附加膜60。因此,第二密封构件30可以仅包括具有凹凸部62的第二膜30F。
本实施例的附加膜60与第二膜30F一起形成第二密封构件30。然而,本发明不限于此。例如,附加膜60可以与第一膜20F一起形成第一密封构件20。更具体地,附加膜60可以布置在第一膜20F之下。在这种情况下,凹凸部62从上方覆盖与第一接触点48对应的预定区域19。如此覆盖的预定区域19是位于第一接触点48正上方的第一电路构件40的第一基部42的上表面的一部分。此外,第一膜20F可以被压印,以形成有凹凸部62。在这种情况下,不需要提供附加膜60。
本实施例的器件10仅包括一个凹凸部62。然而,本发明不限于此。第一密封构件20和第二密封构件30均可以设有一个凹凸部62。更具体地,第一密封构件20和第二密封构件30均可以设有一个附加膜60。相反,第一膜20F和第二膜30F均可以形成有一个凹凸部62。
考虑到上述变型,第一密封构件20和第二密封构件30中的至少一个可以包括附加膜60。此外,不必一定提供附加膜60。因此,第一密封构件20和第二密封构件30中的至少一个可以设有该凹凸部62。该凹凸部62可以与第一电路构件40和第二电路构件50中的至少一个接触。
考虑上述变型来总结器件10的形成方法,器件10的形成方法包括准备第一密封构件20、第二密封构件30、第一电路构件40和第二电路构件50,第一密封构件20基本上包括由薄膜形成的第一膜20F,第一膜20F设有空气阀70,第一密封构件20和第二密封构件30中的至少一个设有该凹凸部62,第一电路构件40包括第一接触点48,第二电路构件50包括第二接触点58。
此外,器件10的形成方法包括将第一密封构件20、第一电路构件40、第二电路构件50和第二密封构件30按此顺序彼此层叠,第一接触点48和第二接触点58彼此相对,凹凸部62朝向第一电路构件40和第二电路构件50中的至少一个,该凹凸部62覆盖与第一接触点48和第二接触点58中的至少一个相对应的预定区域19。
此外,器件10的形成方法包括将第一电路构件40和第二电路构件50封闭在形成于器件10内的内部空间18S(见图11)中,内部空间18S通过第一密封构件20和第二密封构件30封闭,并与除空气阀70之外的器件10外的外部空间隔绝。
此外,器件10的形成方法包括通过使用空气阀70对内部空间18S(见图11)抽真空,以使得第一接触点48与第二接触点58彼此接触。
参考图3,根据本实施例的形成方法,第一接触点48与第二接触点58彼此牢固地接触,而不使用诸如粘合剂的固定构件。因此,当器件10不再使用时,只需切断第一外部24和第二外部34就可以拆卸器件10。另外,第一电路构件40和第二电路构件50可以在具有低压的封闭空间18中被关闭,以可以减少例如由于氧化导致的金属构件的劣化。
参考图11,根据本实施例的形成方法,简单的仪器80可以被用于便利抽真空。通过仪器80的抽真空可以被反复进行。例如,即使在器件10使用过程中,封闭空间18内的气压较高时,仪器80也可以再次用于抽真空。因此,在器件10使用过程中,第一接触点48与第二接触点58之间的接触力可被保持。然而,本发明不限于此,可根据需要改变器件10的形成方法.
例如,仪器80的结构没有特别限制,只要它可用于抽真空即可。可以使用喷嘴代替示出的仪器80。喷嘴可以被插入器件10中来抽真空。在这种情况下,不需要提供空气阀70。可替代地,市售的台式真空包装机(未示出)可被使用进行密封和抽真空。参考图7,器件材料组11可以布置在腔室(未示出)中,以使得抽真空与热封同时进行。然而,通过使用诸如仪器80(见图11)之类的市售的简单仪器,器件10可以被容易地形成,且第一接触点48与第二接触点58之间的接触力可以易于保持。
参考图3,能够可视地显示封闭空间18内空气压力的压力感测构件(未示出)在封闭空间18内能够被关闭。例如,压力感测构件可以是根据气压发出各种颜色的压力测量膜。替代地,压力感测构件可以是可弹性变形的缓冲材料,例如聚氨酯海绵。当缓冲材料用作压力感测构件时,封闭空间18内的气压可以通过缓冲材料的厚度的视觉识别来估计。缓冲材料可以布置成挤压第一接触点48或第二接触点58。在第一电路构件40或第二电路构件50具有足够可视厚度的情况下,封闭空间18内的气压可以在不使用压力感测构件的情况下估计。例如,参考图1和图10,通过视觉识别第一膜20F位于第一电路构件40一侧附近的部分或第二膜30F位于第二电路构件50一侧附近的部分的形状变化来估计封闭空间18内的气压。
除了已经描述的变型之外,本实施例可以进一步进行各种改变。下面将说明四个变型。
参考图12和图13,根据第一变型的器件10A由器件材料组1IA形成。比较图12与图7,器件材料组11A包括与器件材料组11的密封构件14不同的密封构件14A,并包括与器件材料组11相同的电路结构12。密封构件14A包括由绝缘体制成的一个膜构件(平面片材)14L、附加膜60和空气阀70。电路结构12包括第一电路构件40和第二电路构件50。因此,器件10A包括第一电路构件40和第二电路构件50。
参考图12,在前后方向(X方向)上,平面片材14L在其中间处,即预定部142A弯曲,从而形成有在Z方向上彼此重叠的第一膜(薄片)20L和第二膜(薄片)30L。因此,第一膜20L和第二膜30L是彼此重叠的单个膜构件14L的两个薄片。膜构件14L是具有预定部142A和外围边缘144A的单个平面片材。外围边缘144A在XY平面上是膜构件14L的边缘。
参考图12和图13,器件10A包括与器件10(见图1)相似的第一密封构件20A和第二密封构件30A。第一密封构件20A基本上包括第一膜20L,并且包括设置在第一膜20L上的空气阀70。第二密封构件30A基本上包括第二膜30L,并且包括附加膜60。
本变型的器件10A可以通过与器件10(见图10)的形成方法相类似的形成方法来形成。例如,在层叠步骤(见图6)中,电路结构12在Z方向上布置在第一密封构件20A与第二密封构件30A之间。附加膜60在Z方向上布置在第二膜30L与电路结构12之间。
器件10A具有类似于器件10(见图1)的结构。例如,第一密封部26A和第二密封部36A结合在一起来形成密封痕迹16A。器件10A形成有被第一密封构件20A和第二密封构件30A包围的封闭空间18(见图3)。第一电路构件40、第二电路构件50和附加膜60被封闭在封闭空间18内。第一电路构件40的第一接触点48(见图3)与第二电路构件50的第二接触点58(见图3)彼此接触。
然而,器件10A与器件10(参见图1)的不同之处在于以下几点。首先,第一膜20L和第二膜30L是在预定部142A处折叠来彼此重叠的两个薄片。因此,第一膜20L和第二膜30L在预定部142A处彼此连接。根据这种结构,不需要密封预定部142A与封闭空间18之间的部分(见图3)。因此,仅封闭空间18与外围边缘144A之间的部分被密封。换句话说,密封痕迹16A仅形成在封闭空间18与外围边缘144A之间。
参考图14和图15,根据第二变型的器件10B由器件材料组11B形成。比较图14与图7,器件材料组11B包括与器件材料组11的密封构件14不同的密封构件14B,并且包括与器件材料组11相同的电路结构12。密封构件14B包括由绝缘体制成的一个膜构件(折叠状片材)14M、附加膜60和空气阀70。电路结构12包括第一电路构件40和第二电路构件50。因此,器件10B包括第一电路构件40和第二电路构件50。
参考图14,折叠状片材14M在XY平面上具有三个连接边,即预定部142B,并且在其前端(正X侧端)开口。根据该结构,折叠状片材14M在Z方向上由彼此重叠的第一膜(薄片)20M和第二膜(薄片)30M形成。因此,第一膜20M和第二膜30M是彼此重叠的单个膜构件14M的两个薄片。膜构件14M是具有预定部142B和外围边缘144B的单个折叠状片材。外围边缘144B是膜构件14M的开口的边缘。
参考图14和图15,器件10B包括与器件10(见图1)相似的第一密封构件20B和第二密封构件30B。第一密封构件20B基本上包括第一膜20M,并且包括设置在第一膜20M上的空气阀70。第二密封构件30B基本上包括第二膜30M,并且包括附加膜60。
本变型的器件10B可以通过与器件10(参见图1)的形成方法相类似的形成方法来形成。例如,在层叠步骤(参考图6)中,电路结构12被放入膜构件14M中,并沿Z方向设置在第一密封构件20B与第二密封构件30B之间。附加膜60在Z方向上布置在第二膜30M与电路结构12之间。
器件10B具有类似于器件10(见图1)的结构。例如,第一密封部26B和第二密封部36B结合在一起,以形成密封痕迹16B。第一接触部28B与第二接触部38B在接触区域17B中彼此接触。器件10B形成有被第一密封构件20B和第二密封构件30B包围的封闭空间18(见图3)。第一电路构件40、第二电路构件50和附加膜60被封闭在封闭空间18中。第一电路构件40的第一接触点48(见图3)与第二电路构件50的第二接触点58(见图3)彼此接触。
然而,器件10B与器件10(见图1)的不同之处在于以下几点。首先,第一膜20M和第二膜30M是在预定部142B处彼此连接的两个薄片。因此,第一膜20M和第二膜30M在预定部142B处彼此连接。根据这种结构,不需要密封预定部142B与封闭空间18之间的部分(见图3)。因此,仅封闭空间18与外围边缘144B之间的部分被密封。换句话说,密封痕迹16B仅形成在封闭空间18与外围边缘144B之间。
将图16和图17与图14和图15相比较,根据第三变型的器件10C包括与器件10B的密封构件14B不同的密封构件14C,并且包括与器件10B相同的第一电路构件40和第二电路构件50。密封构件14C包括一个由绝缘体制成的膜构件(折叠状片材)14N、设置在折叠状片材14N的开口上的紧固件16C和设置在折叠状片材14N上的空气阀70。密封构件14C不包括附加膜60。
折叠状片材14N具有与折叠状片材14M相类似、在Z方向上彼此重叠的第一膜(薄片)20N和第二膜(薄片)30N。折叠状片材14N具有紧固件16C提供的一侧边。第一膜20N和第二膜30N在三个侧边,即预定部142C处彼此连接,在该预定部142C上没有设置紧固件16C。
器件10C包括第一密封构件20C和第二密封构件30C。第一密封构件20C基本上包括第一膜20N。另外,第一密封构件20C包括设置在第一膜20N上的空气阀70和紧固件16C的上部分(正Z侧部分)。第二密封构件30C基本上包括第二膜30N,并且包括设置在第二膜30N上的紧固件16C的下部分(负Z侧部分)。
第二密封构件30C与第二密封构件30B的不同之处在于未设置附加膜60。相反,第二膜30N形成有凹凸部62C。凹凸部62C在第二膜30N的大致整体上连续形成。然而,本发明不限于此,第二密封构件30C可以包括与第二密封构件30B类似的附加膜60。在这种情况下,第二膜30N不需要形成有凹凸部62C。
器件10C的第一密封构件20C具有第一内部22C和第一外部24C。第一内部22C位于第一外部24C的内侧。第二密封构件30C具有第二内部32C和第二外部34C。第二内部32C位于第二外部34C的内侧。封闭空间18(见图3)被第一内部22C和第二内部32C包围。第一外部24C具有第一接触部28C。第二外部34C具有第二接触部38C。第一接触部28C和第二接触部38C在接触区域17C中彼此接触。凹凸部62C完全覆盖与封闭空间18相对应的区域。
本变型的器件10C可以通过与器件10B相同的形成方法来形成。例如,在层叠步骤(见图6)中,电路结构12在Z方向上布置在第一密封构件20C与第二密封构件30C之间。然而,没有布置附加膜60。在封闭步骤(见图6)中,不将热封应用于折叠状片材14N,而仅闭合紧固件16C。因此,器件10C形成为没有密封痕迹。
将图18与图16和图17相比较,根据第四变型的器件10D由器件10C形成。详细地,在形成器件10C之后,对器件10C施加热封,以形成密封痕迹16D。然后,位于密封痕迹16D与空气阀70之间的器件10C的一部分被切断,以使得设有空气阀70的部分被分离。结果,器件10D形成。
器件10D的第一密封构件20C不包括空气阀70,但具有第一内部22C和第一外部24D。第一内部22C位于第一外部24D的内侧。第二密封构件30C具有第二内部32C和第二外部34D。第二内部32C位于第二外部34D的内侧。封闭空间18被第一内部22C和第二内部32C包围。除了第一接触部28C之外,第一外部24D还具有第一密封部26D。除了第二接触部38C之外,第二外部34D还具有第二密封部36D。
第一密封部26D和第二密封部36D结合在一起,以形成密封痕迹16D。凹凸部62C连续地覆盖从密封痕迹16D延伸至预定区域19的区域。预定区域19对应于第二接触点58。器件10D的封闭空间18与器件10D外的外部空间完全隔绝。通过从密闭器件10D切出空气阀70,封闭空间18的气密性能够被提高。
在上述四种变型中,膜构件是一平面片材或一折叠状片材。然而,根据本发明的膜构件不限于此,而是可以进行各种改变。
参考图3,本实施例的第一电路构件40是与第一密封构件20不同且可分离的构件,并且没有通过诸如粘合剂的方法固定到第一膜20F。本实施例的第二电路构件50是与第二密封构件30不同且可分离的构件,并且不通过诸如粘合剂的方法固定到附加膜60。然而,本发明不限于此。如下所述,第一电路构件40可以是与第一密封构件20一体的构件,第二电路构件50可以是与第二密封构件30一体的构件。
例如,第一电路构件40可以设置在第一膜20F上。更具体地,第一基部42可以粘附并固定在第一膜20F的下表面上。替代地,第一导电图案44可以形成在第一膜20F的下表面上。因此,第一接触点48可以设置在第一膜20F的下表面上。当第一膜20F具有凹凸部62时,第一接触点48可设置在凹凸部62上。此外,当第一密封构件20包括附加膜60时,第一基部42可粘附并固定在附加膜60的下表面上。替代地,第一导电图案44可以形成在附加膜60的下表面上。因此,第一接触点48可设置在附加膜60的下表面上。
例如,第二电路构件50可以设置在附加膜60上。更具体地,第二基部52可以粘附并固定在附加膜60的上表面上。替代地,第二导电图案54可以在附加膜60的上表面上形成。因此,可以在附加膜60的上表面上设置第二接触点58。此外,当第二密封构件30不包括附加膜60时,第二基部52可以粘附并固定在第二膜30F的上表面上。替代地,第二导电图案54可以形成在第二膜30F的上表面上。因此,第二接触点58可以设置在第二膜30F的上表面上。当第二膜30F具有凹凸部62时,第二接触点58可以设置在凹凸部62上。
除了上述改变之外,第一电路构件40和第二电路构件50中的一个可以是如前所述的单个电子构件。下面将参考图19至图22对该实施例(实施例1)和实施例2至4进行具体说明。实施例2的第一电路构件40是与第一密封构件20一体的构件。实施例3和4中的第二电路构件50是与第二密封构件30一体的构件。
图19示出了实施例1。实施例1的第一电路构件40是单个电子组件41。电子组件41具有两个第一接触点48。实施例1的第二电路构件50具有分别与电子组件41的各第一接触点48相对应的两个第二接触点58。在器件10(见图3)中,各第一接触点48分别与各第二接触点58接触。
图20示出了实施例2。实施例2的第一电路构件40是单个的第一导电图案44,并具有第一接触点48。实施例2的第一导电图案44粘附或形成在第一膜20F的下表面上。因此,实施例2的第一接触点48被提供在第一膜20F的下表面上。
图21示出了实施例3。实施例3的第二电路构件50是单个的第二导电图案54,并且具有第二接触点58。实施例3的第二导电图案54粘附或形成在附加膜60的上表面上。因此,实施例3的第二接触点58被提供在附加膜60的上表面上。
图22示出了实施例4。实施例4的第二电路构件50是类似于实施例3的单个的第二导电图案54,并且具有第二接触点58。实施例4的第二膜30F形成有凹凸部62。实施例4的第二导电图案54粘附或形成在凹凸部62的上表面上。因此,实施例4的第二接触点58被提供在第二膜30F的上表面上。
以上所述是本发明较佳实施例及其所运用的技术原理,对于本领域的技术人员来说,在不背离本发明的精神和范围的情况下,任何基于本发明技术方案基础上的等效变换、简单替换等显而易见的改变,均属于本发明保护范围之内。

Claims (20)

1.一种器件,包括第一密封构件、第二密封构件、第一电路构件和第二电路构件,其特征在于:
所述第一密封构件包括由薄膜形成的第一膜;
所述器件形成有封闭空间;
所述封闭空间由所述第一密封构件和所述第二密封构件所围成,并与所述器件外的外部空间隔绝;
所述第一电路构件和所述第二电路构件封闭于所述封闭空间内;
所述第一电路构件包括第一接触点;
所述第二电路构件包括第二接触点;
所述第一接触点与所述第二接触点在不使用固定构件的条件下凭借所述封闭空间的内部与外部之间的空气压力差而被挤压来彼此相互接触;
所述第一密封构件和所述第二密封构件中的至少一个设有凹凸部;以及
所述凹凸部与所述第一电路构件和所述第二电路构件中的至少一个相接触,并且覆盖与所述第一接触点和所述第二接触点中的至少一个相对应的预定区域。
2.如权利要求1所述的器件,其特征在于:
所述第一密封构件和所述第二密封构件中的至少一个包括附加膜;以及
所述附加膜具有所述凹凸部。
3.如权利要求1所述的器件,其特征在于:
所述第一膜设有空气阀;以及
所述凹凸部连续覆盖从所述空气阀延伸至所述预定区域的区域。
4.如权利要求3所述的器件,其特征在于:
所述第一密封构件具有第一内部和第一外部;
所述第一内部位于所述第一外部的内侧;
所述第二密封构件具有第二内部和第二外部;
所述第二内部位于所述第二外部的内侧;
所述封闭空间由所述第一内部和所述第二内部所围成;
所述第一外部具有第一密封部;
所述第二外部具有第二密封部;
所述第一密封部与所述第二密封部结合在一起来形成密封痕迹;以及
所述凹凸部被封闭在所述封闭空间内。
5.如权利要求1所述的器件,其特征在于:
所述第一密封构件具有第一内部和第一外部;
所述第一内部位于所述第一外部的内侧;
所述第二密封构件具有第二内部和第二外部;
所述第二内部位于所述第二外部的内侧;
所述封闭空间由所述第一内部和所述第二内部所围成;
所述第一外部具有第一密封部;
所述第二外部具有第二密封部;
所述第一密封部与所述第二密封部结合在一起来形成密封痕迹;以及
所述凹凸部连续覆盖从所述密封痕迹延伸至所述预定区域的区域。
6.如权利要求4所述的器件,其特征在于:
所述第一密封部和所述第二密封部通过热封结合在一起。
7.如权利要求6所述的器件,其特征在于:
所述第一密封构件和所述第二密封构件均包括由可熔化层和不可熔化层组成的两层,所述可熔化层通过热封可熔化,所述不可熔化层不能通过热封熔化。
8.如权利要求1所述的器件,其特征在于:
所述凹凸部完全覆盖与所述封闭空间相对应的区域。
9.如权利要求1所述的器件,其特征在于:
所述第二密封构件包括由膜形成的第二膜。
10.如权利要求9所述的器件,其特征在于:
所述第一膜和所述第二膜是彼此重叠的单个膜构件的两个薄片;
所述膜构件具有预定部;以及
所述第一膜与所述第二膜在所述预定部彼此连接。
11.如权利要求10所述的器件,其特征在于:
所述膜构件是单个的平面片材;以及
所述第一膜和所述第二膜是在所述预定部处被折叠来彼此重叠的所述两个薄片。
12.如权利要求10所述的器件,其特征在于:
所述膜构件是单个的折叠状片材;以及
所述第一膜和所述第二膜是在所述预定部处相互连接的所述两个薄片。
13.如权利要求1所述的器件,其特征在于:
所述第一电路构件是与所述第一密封构件不同且可分离的构件;以及
所述第二电路构件是与所述第二密封构件不同且可分离的构件。
14.如权利要求1所述的器件,其特征在于:
所述第一电路构件是与所述第一密封构件一体的构件。
15.如权利要求1所述的器件,其特征在于:
所述第二电路构件是与所述第二密封构件一体的构件。
16.如权利要求1所述的器件,其特征在于:
所述第一电路构件具有第一基部和第一导电图案;
所述第一基部由绝缘膜形成;
所述第一导电图案形成在所述第一基部上并具有所述第一接触点;
所述第二电路构件具有第二基部和第二导电图案;
所述第二基部由绝缘膜形成;以及
所述第二导电图案形成在所述第二基部上并具有所述第二接触点。
17.如权利要求1所述的器件,其特征在于:
所述第一密封构件和所述第二密封构件均具有高阻隔性。
18.如权利要求17所述的器件,其特征在于:
所述第一密封构件和所述第二密封构件均针对氧气具有高阻隔性。
19.如权利要求17所述的器件,其特征在于:
所述第一密封构件和所述第二密封构件均针对水蒸气具有高阻隔性。
20.一种器件的形成方法,所述器件包括第一密封构件、第二密封构件、第一电路构件和第二电路构件,其特征在于,所述形成方法包括:
准备所述第一密封构件、所述第二密封构件、所述第一电路构件和所述第二电路构件,所述第一密封构件包括由膜形成的第一膜,所述第一膜设有空气阀,所述第一密封构件和所述第二密封构件中的至少一个具有凹凸部,所述第一电路构件包括第一接触点,所述第二电路构件包括第二接触点;
将所述第一密封构件、所述第一电路构件、所述第二电路构件和所述第二密封构件依次层叠在一起,所述第一接触点与所述第二接触点彼此相对,所述凹凸部朝向所述第一电路构件和所述第二电路构件中的至少一个,所述凹凸部覆盖与所述第一接触点和所述第二接触点中的至少一个相对应的预定区域;
将所述第一电路构件和所述第二电路构件封闭在形成于所述器件内的内部空间中,所述内部空间由所述第一密封构件和所述第二密封构件所围成,并且除了所述空气阀,与所述器件外的外部空间隔绝;以及
使用所述空气阀对所述内部空间抽真空,以使所述第一接触点与所述第二接触点在不使用固定构件的条件下凭借所述内部空间的内部与外部之间的空气压力差而被挤压来彼此相互接触。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11800643B2 (en) * 2021-04-05 2023-10-24 Japan Aviation Electronics Industry, Limited Device having closed space between overlapping sealing members
JP2022159909A (ja) 2021-04-05 2022-10-18 日本航空電子工業株式会社 デバイス

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4933042A (en) * 1986-09-26 1990-06-12 General Electric Company Method for packaging integrated circuit chips employing a polymer film overlay layer
US5285619A (en) * 1992-10-06 1994-02-15 Williams International Corporation Self tooling, molded electronics packaging
US5776278A (en) * 1992-06-17 1998-07-07 Micron Communications, Inc. Method of manufacturing an enclosed transceiver
CN1641903A (zh) * 2004-01-16 2005-07-20 Neclamilion能源株式会社 具有压力释放开口的薄膜包覆电子器件
CN201545294U (zh) * 2009-12-17 2010-08-11 邢德龙 纹路导气膜压缩袋

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3910008A (en) 1974-08-20 1975-10-07 Svenska Manufacturing Corp Vacuum packaging
US5605547A (en) 1995-03-27 1997-02-25 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mounting a component to a substrate using an anisotropic adhesive, a compressive cover film, and a conveyor
JP3341833B2 (ja) 2000-02-21 2002-11-05 株式会社サントク 真空保管袋
JP3537400B2 (ja) 2000-03-17 2004-06-14 松下電器産業株式会社 半導体内蔵モジュール及びその製造方法
JP2003258413A (ja) 2002-03-06 2003-09-12 Nikkiso Co Ltd 回路素子の実装装置および実装方法
JP3789438B2 (ja) 2003-03-03 2006-06-21 Necラミリオンエナジー株式会社 フィルム外装電池
JP6851131B2 (ja) * 2013-12-04 2021-03-31 株式会社半導体エネルギー研究所 可撓性を有する二次電池
TWI660471B (zh) * 2017-10-06 2019-05-21 財團法人工業技術研究院 晶片封裝
KR102073295B1 (ko) * 2018-06-22 2020-02-04 삼성전자주식회사 반도체 패키지
JP7274477B2 (ja) * 2018-06-27 2023-05-16 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
TWI762052B (zh) * 2019-03-26 2022-04-21 新加坡商Pep創新私人有限公司 封裝方法、面板組件以及晶圓封裝體
JP2022159909A (ja) * 2021-04-05 2022-10-18 日本航空電子工業株式会社 デバイス
US11800643B2 (en) * 2021-04-05 2023-10-24 Japan Aviation Electronics Industry, Limited Device having closed space between overlapping sealing members

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4933042A (en) * 1986-09-26 1990-06-12 General Electric Company Method for packaging integrated circuit chips employing a polymer film overlay layer
US5776278A (en) * 1992-06-17 1998-07-07 Micron Communications, Inc. Method of manufacturing an enclosed transceiver
US5285619A (en) * 1992-10-06 1994-02-15 Williams International Corporation Self tooling, molded electronics packaging
CN1641903A (zh) * 2004-01-16 2005-07-20 Neclamilion能源株式会社 具有压力释放开口的薄膜包覆电子器件
CN201545294U (zh) * 2009-12-17 2010-08-11 邢德龙 纹路导气膜压缩袋

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