JP5136054B2 - 膜付き基体および膜形成用ガラス - Google Patents

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Description

本発明は、主として液晶表示素子や有機EL等のディスプレィ等の表示装置に適用が可能な軟化点が低いガラスからなる膜が被覆された基体、および該膜を形成するためのガラスに関する。
従来、液晶表示素子や有機EL等のディスプレィ用の基体として、形状が自由に変えられること、曲面の表示が可能であること、軽量であること等の理由で、各種のフィルム基体を使用する試みがなされている(例えば、非特許文献1または3参照。)。
しかし、フィルムは、ガラスと比較してガスバリア性に劣るという問題がある。液晶表示素子や有機EL等のディスプレィ用の基体として用いるためには、素子の劣化を防ぐために高いガスバリア性が必要である。特に有機EL用の基板として用いるためには、その基体の水蒸気透過率は、5×10−5グラム/m/日以下という、包装材などとは比較にならないほど厳しい性能が要求される。従来のガス透過性測定装置では、5×10−3グラム/m/日程度しか定量的な評価を行うことができない。これに対し、金属Caの変質を用いた新たなガス透過性測定方法が非特許文献4に提案されている。
ガスバリア性を有する基体として、フィルム上にある特定の樹脂を設けたもの(例えば、特許文献1参照。)、フィルム上にフッ素化合物から構成される樹脂層を設けたもの(例えば、特許文献3参照。)が開示されている。しかし、これらの基体は必ずしもガスバリア性が十分とは言えない。
また、無機化合物膜と無機化合物膜間に挿入された樹脂膜との交互積層からなる多層ガスバリア膜が提案されている(例えば、特許文献5参照。)。しかし、1層目に生じたピンホール等の欠陥が次の層にも影響し、ガスバリア性に大きく影響を与える欠陥密度を軽減することが難しい。加えて、膜のエッジにおいて、サイドからのガスバリア性が十分でないという問題もある。
他にもフィルム上に窒化酸化シリコン、窒化シリコン等の無機化合物からなる多層膜を設けたものが開示されている(例えば、特許文献6参照。)しかし、数種の無機化合物の多層膜をいくつかの成膜法により形成させる必要があるため、成膜速度が遅く、生産性が悪いという問題がある。
また、近年、ブラウン管などの従来の表示装置に替わる新しい表示装置が期待されている。その中で、特に有機ELディスプレィは、印加電圧が10V弱であっても高輝度な発光が実現し、単純な素子構造で発光が可能で、液晶表示素子と比較しても、さらに薄型のディスプレィが実現できるという利点を有する。よって、特定のパターンを発光表示させる広告表示用ディスプレィや低価格の簡易表示ディスプレィ、フルカラーディスプレィとしての応用が期待されている。
有機EL素子は陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、陰極が順次積層された構成からなり、一般的に透明基板上に形成される。この有機EL素子は、有機発光層、陰極などの材料が大気中の水分や酸素などによって劣化するため、輝度劣化、ダークスポットなどの欠陥の発生の問題が指摘されている。よって、素子の劣化を防ぐために高いガスバリア性を持った封止が必要である。特に有機ELディスプレィ用の封止基体として用いるためには、その封止基体内部への水蒸気透過率は、5×10−5グラム/m/日以下という、包装材などとは比較にならないほど厳しい性能が必要である。
透明基板側に光取り出し面が存在するボトムエミッション型の有機ELディスプレィにおいて、水分や酸素による性能劣化を抑制する方法として、メタルやガラスからなる封止キャップにより乾燥剤をデバイス内部に封じ込める方法が開示されている(例えば、特許文献7参照。)。また、その乾燥剤は、フルオロカーボン油に合成ゼオライトなどの脱水剤を含有させた不活性液体が好ましい旨が開示されている(例えば、特許文献8参照。)。しかし、いずれの方法も封止工程が煩雑で、生産性が悪い。また、封止基体が厚いためにディスプレィの厚みが増大してしまうという問題がある。そのため、これらの課題を克服するために、素子中に入った水分を吸収する方法以外に、水分の浸入を防止できるような封止が期待されている。
上記封止の発明として、透明基板上にある特定の樹脂を設けたもの(例えば、特許文献1参照。)や、透明基板上にフッ素化合物から構成される樹脂層を設けたもの(例えば、特許文献3参照。)が開示されている。しかし、これらの封止は必ずしもガスバリア性が十分とは言えない。
また、別な発明として、基板上に特定の無機化合物膜を形成したもの、具体的にはアルミナや窒化珪素からなる膜を形成したものが提案されている。しかし、これらの膜は一般に膜厚が数十nmと小さく、また緻密な膜を形成し難いため、単層ではピンホールの生成を抑制することが困難となる問題がある。
この欠点を補うために、無機化合物膜と無機化合物膜間に樹脂膜を挿入し、これらの膜を交互に積層させた多層膜からなる膜も提案されている(例えば、特許文献5参照。)。しかし、無機化合物膜はピンホール等の欠陥が生じやすく、これらのピンホール等が次の層にも影響し、ガスバリア性に大きく影響を与えるため、欠陥密度を軽減することが難しいという問題がある。また、生産性に劣る問題もある。
他にも、窒化酸化シリコン、窒化シリコン等の無機化合物膜を積層した多層膜が開示されている(例えば、特許文献6参照。)。しかし、この多層膜はガスバリア性が十分とは言えない。また、多層膜の形成は工程が煩雑となり、生産性が悪いため、コストの上昇を招きやすい。さらに、これらの無機化合物膜は成膜速度が遅く、生産性が悪いという問題がある。また、多層膜を形成するためには、何層もの層を順に積層する必要がある。有機EL素子の上に多層膜を積層する場合、素子の上表面は、順序よく層が形成されていくので問題は生じにくいが、有機EL素子のサイドの部分に順序よく層を形成することは困難であり、サイド部からのガスバリア性が十分でないという問題もある。
特開2003−335820号公報 国際公開第03/094256号パンフレット 特開2003−340955号公報 特開2003−340971号公報 国際公開第00/36665号パンフレット 特開2004−119138号公報 特開平5−182759号公報 特開平5−41281号公報 M.Benmalek,H.M.Dunlop,"Inorganic coatings on polymers",Surface and Coatings Technology 76−77,(1995),pp821−826. Yoji Kawamoto,Shoji Tsuchihashi,"Glass−Forming Regions and Structure of Glasses in the System Ge−S"J. of The American Ceramic Society vol.52,No.11,(1969),pp626−627. Andreas Weber, Silke Deutschbein, Armin Plichta,"Thin Glass−Polymer Systems as Flexible Substrates for Displays",SID 02 Digest,(2002),pp53−55. G. Nisato,P.C.P Bouten, P.J.Slikkerveer, W.D.Bennet, G.L.Graff, N.Rutherford, L.Wiese, "Evaluating High Performance Diffusison Barriers:the Calcium Test", Asia Display/IDW ‘01 Proceedings, (2001), pp1435−1438.
本発明は、ガスバリア性が高く、可視光域で高い透過率を有し、かつ単層でも有効なガスバリア性を得られるため生産性が高い膜付き基体と該膜を形成する膜形成用ガラスを提供することを目的とする。さらには、耐候性を有する膜付き基体と該膜を形成する膜形成用ガラスを提供することを目的とする。
本発明は、下記の内容を提供する。
体の少なくとも片面に、Pを含有するリン酸塩ガラスを材料とする無機質非結晶質膜を有し、
前記リン酸塩ガラスが、さらにフッ化物を含む膜付き基体。
本発明の膜付き基体は、ガラス転移温度が50〜500℃または軟化温度が100〜800℃である無機質非結晶質膜を用いており、かつ可視光域の透過率が高く、さらに高いガスバリア性を有するので、液晶表示素子や有機EL等のディスプレィの基体として有用である。
特に、フツリン酸塩ガラスからなる膜はガスバリア性が高く、可視光域の透過率が高く、さらに優れた耐候性を有しているため有用である。
本発明の膜付き基体の概略横断面図である。 本発明の基体がフィルムである場合の封止基体の概略横断面図である。 本発明の基体がガラス基板である場合の封止基体の概略横断面図である。 本発明のGeS膜付きフィルム(ポリカフィルム)の透過率を表す図である。 本発明のGeS膜付きフィルム(PETフィルム)の透過率を表す図である。 本発明のガスバリア性の評価結果を示す図である。 本発明のP系ガラス膜付きフィルム(ポリカフィルム)の透過率を表す図である。 本発明のP系ガラス膜付きフィルム(PETフィルム)の透過率を表す図である。 本発明のSnO−SnF−Pガラス膜付きフィルムの透過率を表す図である。 本発明のSnO−SnF−Pガラス膜付きガラス基板の透過率を表す図である。 本発明におけるSnO−SnF−Pガラス膜が付いたフィルムの透過率を表す図である。 本発明におけるSnO−SnF−Pガラス膜のガスバリア性の評価結果を示す図である。 本発明におけるSnO−Pガラス膜ガラス膜が付いたフィルムの透過率(ポリカフィルム)を表す図である。 本発明におけるSnO−Pガラス膜ガラス膜が付いたフィルムの透過率(PETフィルム)を表す図である。
符号の説明
1:基体
2:有機物素子
3:無機質非晶質膜
4:下地膜
10:膜付き基板(封止基体)
本発明の膜付き基体に用いられる基体としてはフィルム基板またはガラス基板が例示される。基体がフィルム基板である場合、フィルム基板の材料は特に制限されず、例えば、ポリカーボネート樹脂、PET(ポリエチレンテレフタラート)樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。フィルム基板の厚さは50〜500μm、特に100〜400μmであることが軽量化ならびに優れた可撓性を発揮できる点で好ましい。
基体がガラス基板である場合、ガラスの組成は特に限定されない。また、ガラス基板の厚さも現在生産されているガラス基板をそのまま使用でき、ガラス基板の板厚は0.05〜5mmであることが好ましい。しかし、曲げることができるような形状としてガラス基板を用いるためには、ガラス基板の板厚は0.05〜0.3mmのような薄板を使用することが好ましい。基体の形状は、平面、拡散面、凹面、凸面、台形などの各種の形状が利用できる。
また、基体は400〜700nmの波長全域において透過率が65%以上、つまり400〜700nmの波長域における最低透過率(以下、最低可視光透過率という。)は、65%以上、70%以上、特に75%以上、さらには80%以上、85%以上であることが透明性の点で好ましい。なお、ガラス基板自体はガスバリア性を有することが多いので、基体としてガラス基板を用いるのはガラス基板上に有機物素子などを有する場合、つまり後述する封止基体の場合である。
本発明の膜付き基体とは、基体上に直接無機質非晶質膜を有する場合はもちろん、基体上に有機物素子などを有する場合にその上に無機質非晶質膜を有する場合も含む。
基体上に直接無機質非結晶質膜を有する場合とは、具体的には、図1に示すとおり、基体1上に直接無機質非晶質膜3を有する膜付き基板10が挙げられる。
また、基体上に有機物素子などを有する場合とは、具体的には、図2および3に示すとおり、基体1上に有機物素子2を有し、さらにその上に無機質非晶質膜3を有する膜付き基板10が挙げられる。基体上に有機物素子を有し、さらにその上に無機質非晶質膜を有する膜付き基板を封止基体という。
本発明の封止基体を図2および3を用いて説明する。図2は、基体がフィルムである場合の封止基体の概略横断面図であり、図3は、基体がガラス基板である場合の封止基体の概略横断面図である。
図2において、基体1がフィルムである場合、フィルムはガスバリア性が不十分である場合が多いため、下地膜4を形成することが多い。下地膜4もガスバリア性を有することが好ましい。下地膜4の製造方法は特に限定されず、蒸着装置やスパッタ装置などにより成膜することが可能である。ついで、膜4の上に、電極と有機発光層等を有する有機物素子2を形成する。有機物素子2の製造方法も特に限定されず、蒸着装置やスピンコーターなどの成膜装置により成膜することが可能である。その後、無機質非晶質膜3を成膜して、本発明の封止基体10を形成する。その後、封止基体10の上にフィルム等を形成し、有機ELディスプレィを形成する。
図3において、基体1がガラス基板である場合、ガラスはガスバリア性が十分である場合が多いため、フィルム基板のように下地膜4を形成する必要はない。次いで、ガラスの上に電極と有機発光層等を有する有機物素子2を形成する。有機物素子2の製造方法も特に限定されず、蒸着装置やスピンコーターなどの成膜装置により成膜することが可能である。その後、無機質非晶質膜3を成膜して、本発明の封止基体10を形成する。その後、封止基体10の上にフィルム等を形成し、有機ELディスプレィを形成する。
なお、下地膜4の組成は、特に限定されない。ただし、ガスバリア性や生産性を考慮すると、無機質非晶質膜3と同じ組成の膜を形成することが好ましい。
有機物素子2の1種である有機EL素子は、通常に使用されている素子をそのまま使用できる。具体的には、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、陰極が順次積層された構成である。陽極の材料としては仕事関数の大きい金属、例えば錫ドープ酸化インジウム(以後はITOとする)が例示される。正孔注入層の材料としては電界印加時に陽極もしくは正孔輸送層から正孔を注入することができる注入機能をもつもの、例えば銅フタロシアニン(以後はCuPcとする)が例示される。正孔輸送層の材料としては注入された正孔を移動させることができる輸送機能をもつもの、例えばジフェニルナフチルジアミン(以後はNPDとする)が例示される。発光層の材料としては電子と正孔の再結合の場を提供して、これを発光につなげる発光機能等を有する層を形成できるもの、例えばアルミナキノリン(以後はAlqとする)が例示される。陰極の材料としては仕事関数の小さい金属、例えばマグネシウムが例示される。
本発明の膜付き基体に用いられる無機質非結晶質膜は、軟化温度が100〜800℃であることが好ましい。800℃超の場合、たとえばSiO膜のような場合では、緻密な膜が得られにくく、ガスバリア性が劣る傾向にあり好ましくない。好ましくは、軟化温度が100〜700℃である。特に好ましくは150〜700℃、150℃〜500℃である。最も好ましくは150〜400℃である。
無機質非結晶質膜は、ガラス転移温度が50〜500℃であることが好ましい。500℃超の場合、たとえばSiO膜のような場合では、緻密な膜が得られにくく、ガスバリア性が劣る傾向にあり好ましくない。ガラス転移温度が50〜400℃、100〜400℃、特に50〜300℃、100〜300℃であることが好ましい。最も好ましくは100〜200℃である。さらに好ましくは、軟化温度およびガラス転移温度の両方が上記範囲にある場合である。なお、ガラス転移温度とは、2次の相転移で、比熱などの特性が不連続となる点を意味する。
本発明の無機質非結晶質膜は、膜構成材料が非晶質になりやすく、結晶質の粒子が形成されないため、ガスバリア性に優れる。膜構成材料が非晶質になりにくく、結晶質の粒子が形成される場合(たとえば、Al膜の場合)は、膜中に粒界が存在しやすく、ピンホールなどの欠陥を生じる原因となるため、ガスバリア性が劣る傾向にあり好ましくない。
無機質非結晶質膜の材料としては、具体的には、Bを主成分として含有するホウ酸塩ガラス、Pを含有するリン酸塩ガラス、TeOを主成分として含有するテルライト系組成物、Biを主成分として含有する酸化ビスマス系組成物、またはS、SeおよびTeからなる群から選ばれる1種以上の元素を含有するカルコゲナイド系組成物が挙げられる。
前記カルコゲナイド系組成物としては、As、Ge、P、Sb、Si、Sn、In、Ga、Bi、Pb、ZnおよびAgからなる群から選ばれる1種以上の元素と、S、SeおよびTeからなる群から選ばれる1種以上の元素とを組み合わせた組成物が例示される。
前記カルコゲナイド系組成物としては、特に、GeS系組成物であることが非晶質となる組成範囲が広い点で好ましい。GeS系組成物膜中のGeの含有量は5〜40モル%、Sの含有量は60〜95モル%であることが形成される膜の透明性を維持できる点で好ましい。
前記カルコゲナイド系組成物に、ハロゲン元素(Cl、Br、I)を含んでいてもよい。前期ハロゲン元素を含有させることで非晶質膜のガラス転移温度を低下できる点で好ましい。
無機質非結晶質膜の材料としては、Pを含有するリン酸塩ガラスであることがガスバリア性に優れる点で特に好ましい。リン酸塩ガラスがガスバリア性に優れる理由は、ガラスを構成する原子配列に隙間が少なく、水蒸気分子が拡散しにくいためであると推定している。リン酸塩ガラス中のPの含有量は、5モル%以上、30モル%以上、特に60モル%以上、70モル%以上さらには80モル%以上であることが好ましい。
リン酸塩ガラスは、さらにSnOを含むことが、耐水性に優れるという理由で好ましい。また、上記リン酸塩ガラスはB、ZnO、PbO、TeO、アルカリ金属酸(LiO、NaO、KO等)、アルカリ土類金属酸(MgO、CaO等)、BiO等の化合物をガスバリア性を阻害しない程度に含んでいてもよい。
前記リン酸塩ガラスとしては、上記リン酸塩ガラスにフッ化物を含有した、フッ化物およびPを含有するフツリン酸塩ガラスからなる膜(以下、フツリン酸塩ガラス膜と略す。)であることが非晶質になりやすく、膜厚が薄い場合(0.1〜0.5μm程度)であってもガスバリア性に優れる点で特に好ましい。
本発明のフツリン酸塩ガラス膜は、膜構成材料が非晶質になりやすく、結晶質の粒子が形成されにくいため、ガスバリア性に優れる。膜構成材料が非晶質になりにくく、結晶質の粒子が形成される場合(たとえば、Al膜の場合)は、膜中に粒界が存在しやすく、ピンホールなどの欠陥を生じる原因となるため、ガスバリア性が劣る傾向にあり好ましくない。
フツリン酸塩ガラス膜とは、フッ化物およびPを含有するガラス膜である。具体的には、Pの含有量がガラス膜中に5〜39モル%であることが好ましい。39モル%超では、耐候性が劣る可能性があり、また膜表面に変質層が生じるため、ガスバリア性に劣るという問題が生じる可能性があり好ましくない。また、フッ化物の含有量がガラス膜中に1〜70モル%であることが耐候性に優れ、ガラス化しやすいという理由で好ましい。特に1〜55モル%、さらに30〜55モル%であることが好ましい。フッ化物とは、化合物中にフッ素を含有する化合物であり、具体的には、SnF、ZnF、PbF、フッ化アルカリ金属等が例示される。
フツリン酸塩ガラス膜は、フッ化物およびP以外の成分として、SnO、B、ZnO、PbO、TeO、アルカリ金属酸(LiO、NaO、KO等)、BiO等を含むことができる。特にSnO、ZnO、PbO、Bを含むことで、耐候性の高い膜が形成できる点で好ましい。フツリン酸塩ガラス膜中にSnOを含む場合、SnOの含有量が1〜80モル%、特に15〜60モル%であることが好ましい。
非晶質となる組成範囲が広く低融点である点で、フツリン酸塩ガラス膜中にSnOおよびSnFを含むこと、つまりフツリン酸塩ガラス膜がオキシフッ化スズ−リンガラス膜であることがさらに好ましい。フツリン酸塩ガラス膜中に耐水性を有する材料(例えば、SnO)を含むことにより、耐候性の高い膜が形成でき、かつSnFを含むことにより緻密な膜が形成できるという利点がある。フツリン酸塩ガラス膜中にSnOおよびSnFを含む場合、Pの含有量が5〜39モル%、SnOの含有量が1〜80モル%、およびSnFの含有量が1〜60モル%であることが好ましい。フツリン酸塩ガラスの融点は、800℃以下、特に400℃以下であることが緻密な膜が形成できる点で好ましい。
無機質非結晶質膜の膜厚は、0.1〜5μm、特に0.1〜4μm、さらには0.2〜3μm、0.2〜1μmであることが好ましい。0.1μm未満では所望のガスバリア性が得られにくく、ピンホール等が発生しやすくなり好ましくない。また、5μm超では基体を好ましい形状で曲げることが困難となり、曲げた際に膜にクラックが生じる可能性があり好ましくない。なお、膜厚とは、封止基体の場合、有機物素子を覆っている無機質結晶質膜の素子上の膜厚を意味する。
本発明の無機質非結晶質膜は、気相を経由して形成されることが好ましい。「気相を経由して形成する」とは、「原料となる母材を一旦気体にした後に膜として形成する」という意味である。具体的には、無機質非結晶質膜は、真空蒸着法、スパッタ法、CVD法等の方法により、無機質非結晶質膜の材料を用いることで形成できる。特に短時間で大面積の基板に所望の膜厚を有する膜を形成できる点で、真空蒸着法を用いることが好ましい。無機質非結晶質膜の材料としては、Bを主成分として含有するホウ酸塩ガラス、Pを含有するリン酸塩ガラス、TeOを主成分として含有するテルライト系組成物、Biを主成分として含有する酸化ビスマス系組成物、またはS、SeおよびTeからなる群から選ばれる1種以上の元素を含有するカルコゲナイド系組成物が例示される。
真空蒸着法で無機質非結晶質膜を形成する場合、温度を上昇させながら原料となる無機質非結晶質膜を形成するためのガラス母材を揮発させ、気相を経由して基体上に膜を形成させる。または、膜のガラスを構成する各々の成分を別々に原料として同時に揮発させて、気相を経由して基体上に堆積させてもよい。上記ガラス母材は、比較的蒸気圧の高い成分から構成されていることが成膜速度を上げることができる点で好ましい。
すなわち、比較的蒸気圧の高い物質を無機質非晶質膜中に含むことで、成膜時の成膜速度を上げることができ、成膜後の無機質非晶質膜の組成を操作しやすい点で好ましい。前記比較的蒸気圧の高い物質とは、具体的にはリン酸塩、SnO、SnF等のフッ化物、SnCl等の塩化物、B、アルカリホウ酸塩、NaO、KO、TeO等が例示できる。無機質非晶質膜中に含まれる比較的蒸気圧の高い物質の蒸気圧は、1600℃において1×10−7atm(1×10−2Pa)以上であることが好ましい。例えば、SnFの蒸気圧は、1600℃において249atmである。これに対し、Al、MgOは1600℃において1×10−7atm(1×10−2Pa)未満である。なお、蒸気圧は、熱力学計算ソフト(OUTOKUMPU・RESEARCH・OY社製:HSC Chemistry)により、SnO、SnF、B、KO、TeO、AlおよびMgO等の各化合物の0℃から1600℃までの蒸気圧曲線を計算して求めること、または各化合物の気相と凝縮相との自由エネルギー差から計算して求めることが可能である。
無機質非結晶質膜の材料によっては、数種類の異なる物質が含まれているため、前記異なる物質の蒸気圧によっては、無機質非結晶質膜の材料と、それにより形成される無機質非結晶質膜との組成が若干異なる場合がある。例えば、リン酸塩ガラス中に蒸気圧の低いMgOが含まれている場合、真空蒸着法でリン酸塩ガラス膜を形成しようとすると、MgOが蒸発せず、リン酸塩ガラス膜中にMgOが含まれなくなり、所望の組成のリン酸塩ガラス膜を形成することができない。よって、無機質非結晶質膜を構成する成分のすべてが、上記比較的蒸気圧の高い物質、すなわち上述したように蒸気圧が1600℃において1×10−7(1×10−2Pa)atm以上であることが好ましい。例えばリン酸塩ガラス中に含まれる物質としては、具体的には、SnO、SnF等のフッ化物、B、NaO、KO、TeO等が例示できる。
無機質非結晶質膜は、最低可視光透過率が65%以上、特に70%以上であることが、光取り出し面側にも用いることができ、特にトップエミッション型の有機ELディスプレィに用いる場合の明るさを維持できる点で好ましい。より好ましくは80%以上、最も好ましくは90%以上である。
本発明の膜付き基体においては、無機質非結晶質膜を基体の片面に設けてもよく、両面に設けてもよい。また、両面に形成する無機質非結晶質膜の構成は、同じであってもよく、異なっていてもよい。また、他の特性を付加させるために、無機質非結晶質膜上に反射防止膜や絶縁膜等、無機質非結晶質膜と基体との間に下地膜等を設けてもよい。ただし、生産性の点では、無機質非結晶質膜単層でガスバリア膜付き基体を形成することが好ましい。本発明の無機質非結晶質膜は、単層でも好ましいガスバリア性を奏することができる点で優れている。
本発明の膜付き基体は、最低可視光透過率が65%以上であることが好ましい。特に70%以上であることが、ディスプレィの基体用として用いる場合の透明性を維持できる点で好ましい。さらに75%以上、80%以上、特に90%以上であることが好ましい。
また、本発明の膜付き基体は、絶縁性であることが、フィルムの表面に形成された電子デバイスの動作を阻害しない点で好ましい。
また、無機質非結晶質膜の材料の50℃から350℃までの平均膨張係数は、基体や有機物素子などの表示素子との膨張係数の整合性の点で、基体がフィルム基板である場合、100×10−7〜500×10−7/℃、特に150×10−7〜500×10−7/℃であることが好ましい。また、基体がガラス基板である場合、上記と同様に理由で、20×10−7〜100×10−7/℃であることが好ましい。さらに、基体上の導電膜にエッチングを施す必要性から、化学的耐久性に優れることが好ましい。
他の特性を付加させるために、無機質非結晶質膜上に反射防止膜や絶縁膜等、無機質非結晶質膜と有機物素子との間に下地膜等を設けてもよい。ただし、生産性の点では、無機質非結晶質膜単層で有機物素子を封止することが好ましい。本発明の封止基体は、単層でも好ましいガスバリア性を持つ無機質非結晶質膜を使用する点で、生産性に優れている。
本発明の封止基体は、基体としてフィルム基板を用いる場合は、ロール・トゥ・ロール方式を用いて連続で形成されてもよい。本発明の封止基体は、曲げることが可能なディスプレィに適用することも可能である。
本発明における有機物素子は、有機物からなる素子、言い換えれば稼動させるためにある程度のガスバリア性が必要な素子を意味し、具体的には、有機EL素子、有機メモリ素子、有機センサ素子、有機太陽電池素子などの有機半導体素子を意味する。
本発明の封止基体は、透明性が高いため、ガスバリア性を必要とする表示装置に特に有用である。表示装置としては、有機EL(トップエミッション型、ボトムエミッション型)、有機TFTなどの表示装置が例示される。
本発明の膜付き基体は、有機EL、液晶表示素子、電子ペーパー等のディスプレィ用の基体として有用である。また、太陽電池等の電子デバイスの基体としても有用である。本発明のガスバリア性基体は、フィルム基板を用いる場合、軽量かつ薄型であり、自由な形状に加工でき、ロール・トゥ・ロール方式で製造できるという特質を有する。
以下に、本発明の膜付き基体の例1〜17について詳細に説明する。ただし、本発明は下記実施例に限定されない。
<ガスバリア膜の形成>
(例1)
真空蒸着装置内に、基板として、ポリカーボネート(ポリカ)フィルムとPETフィルムとをそれぞれ設置する(最低可視光透過率:ポリカフィルム88%、PETフィルム89%。)。フィルムの厚さは、ポリカーボネートフィルム:250μm、PETフィルム:80μmである。
蒸着させる材料としてGeSガラス塊(Ge:20モル%、S:80モル%)をTaを材料とするボート型に入れ、30Aの電流をボート型に流して真空蒸着装置内でガラス成分を揮発させ、2種類のフィルム上にGeS膜をそれぞれ形成する。形成されたGeS膜の組成は、材料であるGeSガラス塊と同等である。形成されたGeS膜の膜厚は0.7μmである。形成されたGeS膜のガラス転移温度はDTAの測定により、250℃である。形成されたGeS膜の軟化温度はDTAの測定により、750℃である。また、形成されたGeS膜は回折X線法により測定により、非結晶質である。
形成されたガスバリア膜は高いバリア性を有している。
形成されたGeS膜付きフィルムの最低可視光透過率を下記の方法で評価し、(1)の結果を図4(ポリカフィルム)および図5(PETフィルム)に示す。
(1)最低可視光透過率
形成したGeS膜付きフィルムの400〜700nmの波長全域の透過率を、分光光度計(U−3500型自記分光光度計:日立製作所製)を用いて測定する。
図4および図5より、形成されたガスバリア性フィルムは、最低可視光透過率が70%以上という高い透過率を有し、透明性に優れることが分かる。
(例2)
真空蒸着装置内に、基板として、例1と同様にポリカーボネート(ポリカ)フィルムとPETフィルムとをそれぞれ設置した。
蒸着させる材料としてガラス転移温度が310℃、軟化温度が404℃であるSnO−P−MgOガラス塊(P:31.3モル%、SnO:63.8モル%、MgO:4.9モル%)をTaを材料とするボート型に入れ、25Aの電流をボート型に流して真空蒸着装置内でガラス成分を揮発させ、2種類のフィルム上にSnO−Pガラス膜(P:44.0モル%、SnO:56.0モル%。以下、P系ガラス膜という。)をそれぞれ形成した。形成されたP系ガラス膜の膜厚は0.45μmであった。また、形成されたP系ガラス膜は回折X線法により測定により、非結晶質であった。
なお、例10でも後述するが、MgOは蒸気圧が低く、P系ガラス膜中に含まれない。
形成されたP系ガラス膜の最低可視光透過率を例1と同様の方法で評価し、その結果を図7(ポリカフィルム)および図8(PETフィルム)に示す。
図7および図8より、形成されたガスバリア性フィルムは、450〜700nmの波長全域において透過率が65%以上という高い透過率を有し、透明性に優れることが分かる。
(例3)
<ガスバリア膜の評価>
真空蒸着装置内で、ガラス基板上に金属Ca薄膜を直径1cm大の円形に形成した。次に、基板を真空蒸着装置内に留めたまま、上記例2と同様の方法でP系ガラス膜を0.45μmの厚みに形成した。この際、金属Ca薄膜の一部にはP系ガラス膜が形成されないように、マスキングを行った。その後基板を真空蒸着装置より取り出し、常温大気中に放置し、ガスバリア性の評価を行った。
0.5時間経過時点ではCaに大きな変化は認められなかった(図6(A))。しかし、16.6時間経過後、P系ガラス薄膜が被覆されていない金属Ca薄膜(図6(B)における右半円部)は、大気中の水蒸気と反応して金属光沢が失われた。一方、P系ガラス薄膜で被覆された金属Ca薄膜(図6(B)における左半円部)は、16.6時間経過後も金属光沢を保っていた(図6(B))。このことから、P系ガラス膜が優れたガスバリア性を有することが分かった。
なお、上記の金属Ca薄膜を利用した評価は、下記の文献に記載されている方法である(G. Nisato,P.C.P Bouten, P.J.Slikkerveer, W.D.Bennet, G.L.Graff, N.Rutherford, L.Wiese, “Evaluating High Performance Diffusison Barriers:the Calcium Test”, Asia Display/IDW ‘01 Proceedings, (2001), pp1435−1438.)。この評価方法は、従来のガス透過性測定装置による水蒸気透過率の検出限界(5×10−3g/m/日程度)を下回る水蒸気透過率を測定するために、新規に開発された評価方法である。よって、例2のP系ガラス膜金属Caは、水蒸気透過率が5×10−3g/m/日以下であることが十分に推測される。
<ガスバリア膜の形成>
(例4)
真空蒸着装置内に、基板として、ポリカーボネート(ポリカ)フィルムを設置した(最低可視光透過率:ポリカフィルム88%。)。フィルムの厚さは250μmであった。蒸着させる材料としてSnO−SnF−Pガラス塊(P:25モル%、SnO:30モル%、SnF:45モル%、ガラス転移温度:110℃)をTaによって作成されたボート型に入れ、20Aの電流をボート型に流して真空蒸着装置内でガラス成分を揮発させ、フィルム上にSnO−SnF−Pガラス膜を形成した。上記ガラス塊の50℃から300℃までの平均線膨張係数はTMA(装置名:TMA、ブルワー・エイエックスエス社製)の測定により、185×10−7/Kであった。
形成されたSnO−SnF−Pガラス膜の膜厚は0.2μmであった。SnO−SnF−Pガラス膜の組成は、P:21モル%、SnO:27モル%、SnF:52モル%であった。なお、SnO−SnF−Pガラス塊のガラス転移温度はDTA(装置名:DTA、ブルワー・エイエックスエス社製)の測定により、110℃であった。
形成されたSnO−SnF−Pガラス膜付きフィルムの400〜700nmの波長全域の透過率を、分光光度計(U−3500型自記分光光度計:日立製作所製)を用いて測定した。結果を図9に示す。
(例5)
組成が異なるSnO−SnF−Pガラス塊(P:25モル%、SnO:45モル%、SnF:30モル%、ガラス転移温度:125℃、平均線膨張係数(測定方法は例4と同じ):180×10−7/K)を用いる以外は例4と同様に処理して、SnO−SnF−Pガラス膜を得た。形成されたSnO−SnF−Pガラス膜の膜厚は0.4μmであった。
形成されたSnO−SnF−Pガラス膜付きフィルムの400〜700nmの波長全域の透過率を、分光光度計(U−3500型自記分光光度計:日立製作所製)を用いて測定した。結果を図9に示す。
(例6)
ポリカフィルムの代わりにガラス基板(最低可視光透過率:86%、板厚2.8mm)を用いる以外は例4と同様に処理して、SnO−SnF−Pガラス膜を得た。形成されたSnO−SnF−Pガラス膜の膜厚は0.4μmであった。
形成されたSnO−SnF−Pガラス膜付きガラス基板の400〜700nmの波長全域の透過率を、分光光度計(U−3500型自記分光光度計:日立製作所製)を用いて測定した。結果を図10に示す。
図10により、形成されたガスバリア性基体は、最低可視光透過率が65%以上という高い透過率を有し、透明性に優れることが分かる。
例1,2,4〜6において形成された膜の組成と各種物性を表1に示す。
Figure 0005136054
<ガスバリア性の評価>
例4〜6で形成されたガスバリア膜は高いガスバリア性を有している。このことを確かめるために、以下の実験を行った。
(例7)
例3と同様の評価方法を用いて評価した。
具体的には、真空蒸着装置内で、ガラス基板上にまず金属Caの薄膜を直径1cm大の円形に形成した。次に、基板を真空蒸着装置内に留めたまま、上記例4と同様の方法でSnO−SnF−Pガラス塊(P:25モル%、SnO:30モル%、SnF:45モル%)を用いて、ガラス膜を0.4μmの厚みに形成した。この際、金属Ca薄膜の一部にはガラス膜が形成されないように、マスキングを行った。その後基板を真空蒸着装置より取り出し、大気中に放置した。
例3と同様の結果となった。0.5時間経過時点ではCaに大きな変化は認められなかったが、16.6時間経過後、ガラス膜が被覆されていない金属Ca薄膜は、大気中の水蒸気と反応して金属光沢が失われた。一方、ガラス膜で被覆された金属Ca薄膜は、16.6時間経過後も金属光沢を保っていた。さらに、実験を継続すると、2184時間経過後も、金属Ca薄膜が金属光沢を保っていた。このことから、例4のSnO−SnF−Pガラス膜が優れたガスバリア性を有することが分かった。
よって、例4〜6のSnO−SnF−Pガラス膜は、水蒸気透過率が5×10−3グラム/m/日以下であることが十分に推測される。
(例8)
大気中で放置した例7とは異なり、60℃90%RHの恒温恒湿槽内でガラス膜を放置した。
具体的には、真空蒸着装置内で、ガラス基板上にまず金属Caの薄膜を直径1cm大の円形に形成した。次に、基板を真空蒸着装置内に留めたまま、上記例4と同様の方法でSnO−SnF−Pガラス塊(P:25モル%、SnO:30モル%、SnF:45モル%)を用いて、ガラス膜を0.4μmの厚みに形成した。この際、金属Ca薄膜の一部にはガラス膜が形成されないように、マスキングを行った。その後基板を真空蒸着装置より取り出し、60℃90%RHの恒温恒湿槽内に静置し、例7と同様の金属Ca薄膜を利用した評価を行った。
24時間経過後、ガラス膜が被覆されていない金属Ca薄膜は、大気中の水蒸気と反応して金属光沢が失われた。一方、ガラス膜で被覆された金属Ca薄膜は、24時間経過後も金属光沢を保っていた。よって、例4〜6のSnO−SnF−Pガラス膜は、水蒸気透過率が5×10−3グラム/m/日以下であることが十分に推測される。
なお、この例8の試験は、例7の加速試験の位置づけである。
<組成変化>
(例9)
真空蒸着装置内に、基板として、石英基板を設置した。蒸着させる材料としてSnO−SnF−Pガラス塊(P:24.4モル%、SnO:51.4モル%、SnF:24.2モル%)をTaによって作成されたボート型に入れ、20Aの電流をボート型に流して真空蒸着装置内でガラス成分を揮発させ、石英基板上にSnO−SnF−Pガラス膜を形成した。
上記ガラス膜の組成を湿式分析(試料100グラムを(1+1)塩酸110ミリリットル中に溶かし、溶液中のSn、P、Mgの含有量をICP発光分析により定量し、酸化物のモル%に換算した。Fについては、該溶液を中和した後にフッ素イオン電極により定量し、全量がSnFとなっているとして算出した。)により測定したところ、P:21.1モル%、SnO:45.9モル%、SnF:33モル%であった。
(例10)
SnO−SnF−Pガラス塊を用いる代わりにSnO−MgO−Pガラス塊(P:32.6モル%、SnO:66.4モル%、MgO:5.1モル%)を用いる以外は例9と同様に処理して石英基板上にSnO−MgO−Pガラス膜を形成した。
上記ガラス膜の組成を、例9と同様に湿式分析で測定したところ、P:45.8モル%、SnO:58.2モル%、MgO:0モル%であった。
上記のとおり、MgOを含む膜を真空蒸着法で形成しようとしても、MgOの蒸気圧が低く、ガラス膜中にMgOは含まれず、材料としては好ましくない。これに対し、SnFは、蒸気圧が高いため、原料であるガラス塊とほぼ同様の量が膜中に含まれており好ましい。
<耐候性>
例4〜6で形成されたガスバリア膜は高い耐候性を有している。このことを確かめるために、以下の実験を行った。
(例11)
例4、5で形成されたSnO−SnF−Pガラス膜付き基体を大気雰囲気下に静置しておいたところ、624時間後もガラス膜の状態に変化は見られなかった。
例6で形成されたSnO−SnF−Pガラス膜付き基体を大気雰囲気下に静置しておいたところ、2100時間後もガラス膜の状態に変化は見られなかった。
上記実験により、例4〜6で形成されたSnO−SnF−Pガラス膜は高い耐候性を有していると考えられる。
<変質層の生成>
(例12)
500℃で溶解し、作成したフツリン酸塩ガラス(P:25モル%、SnO:30モル%、SnF:45モル%)を大気雰囲気下に静置しておいたところ、1週間後であっても表面に変質層が生じなかった。
(例13)
500℃で溶解し、作成したフツリン酸塩ガラス(P:45モル%、SnO:35モル%、SnF:20モル%)を大気雰囲気下に静置しておいたところ、吸湿し、1週間後には表面に変質層が生じたが、実用上問題はなかった。
(例14)
500℃で溶解し、作成したフツリン酸塩ガラス(P:40モル%、SnO:50モル%、SnF:10モル%)を大気雰囲気下に静置しておいたところ、吸湿し、1週間後には表面に変質層が生じたが、実用上問題はなかった。
(例15)
500℃で溶解し、作成したフツリン酸塩ガラス(P:45モル%、SnF:55モル%)を大気雰囲気下に静置しておいたところ、吸湿し、1週間後には表面に変質層が生じたが、実用上問題はなかった。
例12〜15の結果より、Pが25モル%、つまり5〜39モル%の範囲内であると、表面に変質層が生じず、ガラス膜が大気中の水蒸気によって劣化しないため、優れたガスバリア性がより長期間発揮されるという点で好ましい。
(例16)SnO−SnF−P膜を用いた封止基体
(1)SnO−SnF−P膜の形成
真空蒸着装置内に、基板として、ポリカーボネート(ポリカ)フィルム(最低可視光透過率:88%。)を設置する。フィルムの厚さは、250μmである。
蒸着させる材料としてSnO−SnF−Pガラス母材(P:24.4モル%、SnO:51.4モル%、SnF:24.2モル%、軟化温度:200℃、ガラス転移温度:110℃)をTaによって作成されたボート型に入れ、20Aの電流をボート型に流して真空蒸着装置内でガラス成分を揮発させ、フィルム上にSnO−SnF−P膜を形成した。上記ガラス母材の50℃から300℃までの平均線膨張係数はTMA(装置名:TMA、ブルワー・エイエックスエス社製)の測定により、185×10−7/℃であった。
形成されたSnO−SnF−P膜の膜厚は0.2μmであった。なお、SnO−SnF−Pガラス母材のガラス転移温度はDTA(装置名:DTA、ブルワー・エイエックスエス社製)の測定により、110℃であった。膜の軟化温度は母材と同等であった。
(2)最低可視光透過率
形成したSnO−SnF−Pガラス膜付きフィルムの400〜700nmの波長全域の透過率を、分光光度計(U−3500型自記分光光度計:日立製作所製)を用いて測定した。結果を図11に示す。図11より、形成されたガスバリア性フィルムは、400〜700nmの波長全域において最低可視光透過率が70%以上という高い透過率を有し、透明性に優れることが分かる。
(3)組成分析
ポリカフィルムの代わりに石英ガラス基板を用いる以外は上記と同様に処理して、SnO−SnF−Pガラス膜を得た。このSnO−SnF−Pガラス膜の組成を、湿式分析(試料100グラムを(1+1)塩酸110ミリリットル中に溶かし、溶液中のSn、P、の含有量をICP発光分析により定量し、酸化物のモル%に換算した。Fについては、該溶液を中和した後にフッ素イオン電極により定量し、全量がSnFとなっているとして算出した。)により測定したところ、P:21.1モル%、SnO:45.9モル%、SnF:33モル%であった。
(4)ガスバリア性の評価(1)
真空蒸着装置内で、ガラス基板(旭硝子製:PD200)上にまず金属Caの薄膜を直径1cm大の円形に形成した。使用したガラス基板の厚みは2.8mmであった。次に、基板を真空蒸着装置内に留めたまま、上記(1)と同様の方法でSnO−SnF−Pガラス母材(P:24.4モル%、SnO:51.4モル%、SnF:24.2モル%)を用いて、SnO−SnF−P膜を金属Ca薄膜上に0.4μmの厚みに形成し、膜付きガラス基板を得た。この際、金属Ca薄膜の一部にはSnO−SnF−P膜が形成されないように、マスキングを行った。その後膜付きガラス基板を真空蒸着装置より取り出し、大気中に放置した。
0.5時間経過時点ではCaに大きな変化は認められなかった(図12(A))。しかし、16.6時間経過後、ガラス膜が被覆されていない金属Ca薄膜(図12(B)における右半円部)は、大気中の水蒸気と反応して金属光沢が失われた。一方、ガラス膜で被覆された金属Ca薄膜(図12(B)における左半円部)は、16.6時間経過後も金属光沢を保っていた(図12(B))。さらに、実験を継続すると、2184時間経過後も、図12(B)と同様に金属Ca薄膜が金属光沢を保っていた。このことから、SnO−SnF−Pガラス膜が優れたガスバリア性を有することが分かった。
なお、上記の金属Ca薄膜を利用した評価は、(例3)に挙げた文献に記載されている方法である。
(5)ガスバリア性の評価(2)
(4)と同様に作成した膜付きガラス基板を真空蒸着装置より取り出した後、60℃90RH%の恒温恒湿槽内に静置し、(4)と同様の金属Ca薄膜を利用した評価を行った。
24時間経過後、ガラス膜が被覆されていない金属Ca薄膜は、大気中の水蒸気と反応して金属光沢が失われた。一方、ガラス膜で被覆された金属Ca薄膜は、24時間経過後も金属光沢を保っていた。なお、この試験は、上記の加速試験の位置づけである。
(6)耐候性
上記で形成されたSnO−SnF−Pガラス膜付き基体を大気雰囲気下に静置しておいたところ、2100時間後もガラス膜の状態に変化は見られなかった。これより形成されたSnO−SnF−Pガラス膜は優れた耐候性を有していることが分かる。
(7)封止基体の形成
(1)で形成したSnO−SnF−P膜付きフィルムの上に、陽極としてITO、正孔注入層としてCuPc、正孔輸送層としてNPD、発光層としてAlq、陰極としてマグネシウム層を順次積層した有機EL素子を形成し、その上に、(1)と同様の方法でSnO−SnF−P膜を0.4μm形成し、封止基体を得る。
形成した封止基体は、透明性、ガスバリア性および耐候性に優れることが確認される。
(例17)SnO−P膜を用いた封止基体
(1)SnO−P膜の形成
真空蒸着装置内に、基板として、ポリカーボネート(ポリカ)フィルムとPETフィルムと石英ガラス基板をそれぞれ設置する(最低可視光透過率:ポリカフィルム88%、PETフィルム89%。)。フィルムの厚さは、ポリカーボネートフィルム:250μm、PETフィルム:80μmである。
蒸着させる材料としてガラス転移温度が310℃、軟化温度が404℃であるSnO−P−MgOガラス母材(P:31.3モル%、SnO:63.8モル%、MgO:4.9モル%)をTaを材料とするボート型に入れ、25Aの電流をボート型に流して真空蒸着装置内でガラス成分を揮発させ、2種類のフィルム上にSnO−Pガラス膜をそれぞれ形成した。形成されたP系ガラス膜の膜厚はそれぞれ0.45μmであった。また、形成されたP系ガラス膜は回折X線法の測定により、非結晶質であった。軟化温度は100〜800℃の範囲内であった。
(2)最低可視光透過率
例16の(2)におけるSnO−SnF−P膜のかわりに、例17の(1)で形成したSnO−P膜を用いる以外は同様に処理して、SnO−P膜付きフィルムの400〜700nmの波長全域における透過率を測定した。結果を図13(ポリカフィルム)および図14(PETフィルム)に示す。
図13および図14より、形成されたSnO−SnF−P膜付きフィルムは、400〜700nmの波長全域において最低可視光透過率が65%以上という高い透過率を有し、透明性に優れることが分かる。
(3)組成分析
例16の(3)におけるSnO−SnF−P膜のかわりに、例17の(1)で形成したSnO−P膜を用いる以外は同様に処理して、SnO−P膜の組成を評価した。その結果、SnO−P膜の組成は、P:44.0モル%、SnO:56.0モル%、MgO:0モル%であった。
上記のとおり、MgOを含む膜を真空蒸着法で形成しようとしても、MgOの蒸気圧が低く、ガラス膜中にMgO含まれず材料としては好ましくない。これに対し、例16に例示されるSnFは、蒸気圧が高いため、原料であるガラス母材とほぼ同様の量が膜中に含まれており好ましい。
(4)ガスバリア性の評価
例16(4)と同様の方法で評価した。具体的には、真空蒸着装置内で、ガラス基板(旭硝子製:PD200)上にまず金属Caの薄膜を直径1cm大の円形に形成した。使用したガラス基板の厚みは2.8mmであった。次に、基板を真空蒸着装置内に留めたまま、上記例2の(1)と同様の方法でSnO−P−MgOガラス母材(P:31.3モル%、SnO:63.8モル%、MgO:4.9モル%)を用いて、SnO−P膜を金属Ca薄膜上に0.4μmの厚みに形成し、膜付きガラス基板を得た。この際、金属Ca薄膜の一部にはSnO−P膜が形成されないように、マスキングを行った。その後膜付きガラス基板を真空蒸着装置より取り出し、大気中に放置した。
例16と同様の結果となった。0.5時間経過時点ではCaに大きな変化は認められなかったが、16.6時間経過後、ガラス膜が被覆されていない金属Ca薄膜は、大気中の水蒸気と反応して金属光沢が失われた。一方、SnO−P膜で被覆された金属Ca薄膜は、16.6時間経過後も金属光沢を保っていた。さらに、実験を継続すると、2184時間経過後も、図12(B)と同様に金属Ca薄膜が金属光沢を保っていた。このことから、SnO−Pガラス膜が優れたガスバリア性を有することが分かった。
これより、例16の(4)と同様、SnO−P膜は、水蒸気透過率が5×10−3g/m/日以下であることが十分に推測される。
(5)封止基体の形成
例17の(1)で形成したSnO−P膜付きフィルムの上に、陽極としてITO、正孔注入層としてCuPc、正孔輸送層としてNPD、発光層としてAlq、陰極としてマグネシウム層を順次積層した有機EL素子を形成し、その上に、例17の(1)と同様の方法でSnO−P膜を0.4μm形成し、封止基体を得る。
形成した封止基体は、透明性およびガスバリア性に優れることが確認される。
本発明のガスバリア膜付き基体は、ガスバリア性が高いので、液晶表示素子や有機EL等のディスプレィの基体として有用である。

なお、2005年8月25日に出願された日本特許出願2005−244332号および、2005年9月12日に出願された日本特許出願2005−263774号のそれぞれの明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として取り入れるものである。

Claims (17)

  1. 基体の少なくとも片面に、Pを含有するリン酸塩ガラスを材料とする無機質非結晶質膜を有し、
    前記リン酸塩ガラスが、さらにフッ化物を含む膜付き基体。
  2. 前記フッ化物の含有量が、無機質非結晶質膜中において1〜70モル%である請求項に記載の膜付き基体。
  3. 前記フッ化物はSnFである請求項またはに記載の膜付き基体。
  4. 前記Pの含有量が、無機質非結晶質膜中において5〜39モル%である請求項1〜3のいずれか1項に記載の膜付き基体。
  5. 前記リン酸塩ガラスは、さらにSnOを含む請求項1〜のいずれか1項に記載の膜付き基体。
  6. 前記SnOの含有量が、無機質非結晶質膜中において1〜80モル%である請求項に記載の膜付き基体。
  7. 前記無機質非結晶質膜の軟化温度が100〜800℃である請求項1〜のいずれか1項に記載の膜付き基体。
  8. 前記無機質非結晶質膜のガラス転移温度が50〜500℃である請求項1〜のいずれか1項に記載の膜付き基体。
  9. 前記無機質非結晶質膜は、気相を経由して形成される請求項1〜のいずれか1項に記載の膜付き基体。
  10. 前記無機質非結晶質膜を構成するすべての成分の1600℃における蒸気圧が、1×10−2Pa以上である請求項1〜のいずれか1項に記載の膜付き基体。
  11. 400〜700nmの波長域における最低透過率が65%以上である請求項1〜10のいずれか1項に記載の膜付き基体。
  12. 前記無機質非結晶質膜の膜厚が0.1〜5μmである請求項1〜11のいずれか1項に記載の膜付き基体。
  13. 前記無機質非結晶質膜がガスバリア性を有する請求項1〜1のいずれか1項に記載の膜付き基体。
  14. 請求項1〜13のいずれか1項に記載の膜付き基体を用いた有機ELディスプレィ。
  15. およびフッ化物を含有するリン酸塩ガラスからなる、請求項1に記載の無機質非結晶質膜の膜形成用ガラス。
  16. 前記フッ化物はSnFである請求項1に記載の膜形成用ガラス。
  17. 前記リン酸塩ガラスは、さらにSnOを含む請求項15または16に記載の膜形成用ガラス。
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