KR102096053B1 - 유기발광표시장치의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
유기발광표시장치의 제조방법을 개시한다. 개시된 유기발광표시장치의 제조방법은 기판 상에 디스플레이부를 형성하는 단계와, 디스플레이부를 덮는 LMG(Low Melting Glass) 박막을 형성하는 단계 및, LMG 박막에 에너지빔을 조사하는 단계로 진행된다. 이러한 방법에 따르면 밀봉특성이 우수한 봉지층을 신속하게 형성할 수 있게 되며, 따라서, 생산작업의 효율성과 제품의 신뢰도를 모두 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 유기발광표시장치의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 밀봉 특성이 우수한 유기발광표시장치를 제조하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 유기발광표시장치는 정공 주입 전극과 전자 주입 전극 그리고 이들 사이에 형성되어 있는 유기발광층을 포함하는 유기발광소자를 구비하며, 정공 주입 전극에서 주입되는 정공과 전자 주입 전극에서 주입되는 전자가 유기발광층에서 결합하여 생성된 엑시톤(exiton)이 여기 상태(exited state)로부터 기저 상태(ground state)로 떨어지면서 빛을 발생시키는 자발광형 표시 장치이다.
자발광형 표시 장치인 유기발광표시장치는 별도의 광원이 불필요하므로 저전압으로 구동이 가능하고 경량의 박형으로 구성할 수 있으며, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트(contrast) 및 빠른 응답 속도 등의 고품위 특성으로 인해 차세대 표시 장치로 주목받고 있다.
그런데, 이러한 유기발광소자는 외부 환경, 예를 들면, 산소, 수분 등에 매우 취약한 특성이 있어서, 유기발광소자를 외부 환경으로부터 밀봉시키는 밀봉구조가 반드시 필요하다.
따라서, 이 밀봉구조를 얼마나 효율적으로 견고하게 만들 수 있느냐에 따라 전체 제품의 생산성과 품질이 좌우될 수 있다.
본 발명의 실시예는 우수한 밀봉특성을 가진 봉지층을 신속하고 효율적으로 형성할 수 있도록 개선된 유기발광표시장치의 제조방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 제조방법은, 기판 상에 디스플레이부를 형성하는 단계; 상기 디스플레이부를 덮는 LMG(Low Melting Glass) 박막을 형성하는 단계; 및, 상기 LMG 박막에 에너지빔을 조사하는 단계;를 포함한다.
상기 에너지빔은 레이저빔, 전자빔, 이온빔, 중성자빔, 플라즈마빔, 펄스 레이저빔 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 에너지빔은 적외선과 자외선 중 어느 한 영역의 파장을 가질 수 있다.
상기 에너지빔 조사는 산소가 존재하는 분위기에서 진행될 수 있다.
상기 에너지빔 조사 시 상기 기판을 냉각시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 LMG 박막은 주석 산화물을 포함할 수 있다.
상기 LMG 박막은 SnO를 포함하고, P2O5, W, B, Nb, TiO2 , ZnO, SiO2, BaO, Al2O3 및 B2O3 중에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 더 포함할 수 있다.
상기 LMG 박막의 표면에서 상기 SnO는 상기 에너지빔 조사에 의해 SnO2로 산화될 수 있다.
상기 LMG 박막의 유리전이온도는 상기 디스플레이부의 변성온도보다 높을 수 있다.
상기 LMG 박막의 형성은 스퍼터링, 이베퍼레이션, 화학기상증착, 펄스레이저증착 및, 플라즈마 용사 중 어느 한 공정으로 수행할 수 있다.
상기 기판은 글라스 기판 또는 플렉서블(flexible) 기판을 포함할 수 있다.
상술한 유기발광표시장치의 제조방법에 따르면, 밀봉특성이 우수한 봉지층을 신속하게 형성할 수 있게 되며, 따라서, 생산작업의 효율성과 제품의 신뢰도를 모두 향상시킬 수 있다.
도 1 내지 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치의 제조 과정을 도시한 도면이다.
도 5는 도 4에 표시된 A부분의 세부 구조를 보인 단면도이다.
도 5는 도 4에 표시된 A부분의 세부 구조를 보인 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 개시에 따른 실시예들을 상세히 설명한다.도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 이들에 대한 중복된 설명은 생략한다. 또한, 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성과 편의상 과장되어 있을 수 있다.
한편, 이하에 설명되는 실시예는 단지 예시적인 것에 불과하며, 이러한 실시예들로부터 다양한 변형이 가능하다. 예를 들면, 한 층이 기판이나 다른 층의 "위", "상부" 또는 "상"에 구비된다고 설명될 때, 그 층은 기판이나 다른 층에 직접 접하면서 위에 존재할 수도 있고, 그 사이에 또 다른 층이 존재할 수도 있다.
또한, 본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다" 또는 "포함하는"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 수행될 수도 있다.
도 1 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 제조과정을 순차적으로 나타낸 도면이며, 도 5는 도 4의 A부분을 확대해서 도시한 도면이다.
먼저, 도 1에 도시된 바와 같이 기판(100) 상에 디스플레이부(200)를 형성한다.
기판(100)은 단단한 글라스 재질의 기판일 수 있는데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 금속 또는 플라스틱 기판일 수도 있고 또는 예컨대 폴리이미드와 같은 유연한 재질의 플렉시블 기판이 될 수 있다.
상기 디스플레이부(200)는 화상을 구현하기 위한 것으로, 그 세부 구조를 확대해서 보면 도 5에 도시된 바와 같이, 제1전극(221), 유기발광층(223), 제2전극(222)이 차례로 적층된 유기발광소자(220) 및, 이 유기발광소자(220)의 제1전극(221)과 연결된 박막트랜지스터(TR) 등을 구비하고 있다. 이 디스플레이부(200)의 보다 자세한 구조는 뒤에서 다시 설명하기로 한다.
이와 같이 기판(100) 상에 디스플레이부(200)를 형성한 다음에는, 도 2에 도시된 바와 같이, 디스플레이부(200)를 덮어주는 봉지층으로서 LMG(Low Melting Glass) 박막(300)을 형성한다. 이 LMG 박막(300)은 디스플레이부(200)를 외기와 차단되도록 전체적으로 덮어주며, 이름 그대로 유리전이온도가 낮은 저융점유리(Low Melting Glass) 재질로 이루어져 있다.
여기서 유리전이온도란 상기 LMG 박막(300)에 유동성(fluidity)이 제공될 수 있는 최소 온도를 의미하는데, LMG 박막(300)의 유리전이온도는 약250~400℃로 일반 글라스 재질인 SiO2의 전이온도(약1200℃)보다는 많이 낮지만, 상기 디스플레이부(200)에 포함된 물질의 변성온도 보다는 높다. 따라서, LMG 박막(300) 전체를 유리전이온도 이상으로 가열하면 디스플레이부(200)도 변성온도 이상의 조건에 직접적으로 노출되므로 특성이 열화되기 쉽다. 하지만, LMG 박막(300)의 표면만 유리전이온도 이상의 온도로 짧은 시간 동안 가열한다면, 유리전이온도 이상을 잠시 유지하더라도 단시간 동안 LMG 박막(300)의 표면에만 국한되어 가열이 일어나게 되므로 디스플레이부(200)가 열화되는 현상을 막을 수 있다. 본 실시예에서는 LMD 박막(300)의 표면에 에너지빔을 조사하여 디스플레이부(200)의 열화가 방지되게 하면서 LMD 박막(300)의 표면만 유리전이온도 이상을 가열한다. 이 과정에 대해서는 다음 단계에서 다시 설명한다.
한편, 상기 LMG 박막(300)은 1종의 화합물 또는 2종 이상의 화합물로 이루어진 혼합물로 형성될 수 있다. 예를 들어 LMG 박막(300)을 주석 산화물의 일종인 SnO로 형성할 수 있다. 그리고, P2O5, W, B, Nb, TiO2 , ZnO, SiO2, BaO, Al2O3 및 B2O3 중에서 1종 이상을 더 포함할 수 있다. 즉, 예컨대 LMG 박막(300)을 주석 인산염 유리(SnO-P2O5)의 조성으로 형성할 수 있다.
이 LMG 박막(300)은 스퍼터링, 이베퍼레이션, 화학기상증착, 펄스레이저증착 및, 플라즈마 용사법 등으로 형성할 수 있으며, 그 두께는 1㎛ 내지 30㎛ 정도로, 만일 플렉시블 구조를 구현할 경우라면 1㎛ 내지 5㎛의 정도로 형성할 수 있다.
이와 같이 LMG 박막(300)이 형성되면, 이어서 도 3에 도시된 바와 같이 그 LMG 박막(300) 위에 에너지빔을 조사한다. 이 에너지빔으로는 레이저빔, 전자빔, 이온빔, 중성자빔, 플라즈마빔, 펄스 레이저빔 등이 사용될 수 있으며, LMG 박막(300)의 주 재료인 SnO가 에너지를 잘 흡수할 수 있는 파장대 즉, 적외선과 자외선 중 어느 한 영역의 파장을 갖는 빔을 사용한다.
이렇게 에너지빔을 조사하게 되면, LMG 박막(300)의 표면이 유리전이온도 이상으로 가열되면서 유동성을 확보하게 된다. 그러면 가열된 LMG 박막(300)이 유동하면서 표면의 결함을 스스로 메우게 된다. 즉, 성막 단계에서 약간의 불균일한 증착 등에 의해 형성될 수 있는 표면의 결함이 이 에너지빔 조사 단계를 거치면서 메워지게 되며, 따라서 외부로부터의 산소나 수분의 침투를 막는 밀봉 특성이 한층 향상된다.
뿐만 아니라, 이 에너지빔의 조사에 의해 표면의 산화가 촉진되면서 SnO가 SnO2로 산화되어 도 4에 도시된 바와 같이 표면에 치밀한 산화막(310)이 형성된다. 즉, 본래 LMG 박막(300)이 SnO + P2O5의 조성이면 표면에는 SnO2 + P2O5 조성의 산화막이 형성되는 것이다. 이렇게 되면 치밀한 산화막(310)이 표면에 형성됨에 따라 디스플레이부(200)를 외기로부터 보호하는 밀봉 특성은 더욱 더 향상될 수 있다. 물론, 이러한 산화는 산소 분위기 하에 가만히 두더라도 진행될 수 있지만, 그렇게 하면 산화 속도가 너무 느려지기 때문에 생산성 측면에서 문제가 될 수 있다. 그러나, 본 실시예와 같이 에너지빔을 조사하면 산화 속도가 상당히 빨라지기 때문에 수 초 동안의 에너지빔 조사로도 산화막(310)을 형성할 수 있다. 그리고, 이와 같이 산화막이 형성되어야 하므로, 당연히 에너지빔 조사 과정은 산소가 존재하는 분위기 하에서 진행한다. 여기서 산소가 존재하는 분위기라는 것은 100% 산소 분위기를 의미하는 것은 아니며, 아르곤이나 질소 등의 분위기 가스에 산소가 섞여있는 분위기를 의미한다. 에너지빔은 포인트 소스를 사용할 수도 있고 라인 소스를 사용할 수도 있다.
그리고, 전술한 바와 같이 이 과정은 에너지빔의 조사를 통해 LMD 박막(300)의 표면만 잠시 유리전이온도 이상으로 가열했다가 식히는 것이므로, 디스플레이부(200)의 특성이 열화되는 문제는 거의 발생하지 않는다. 그러나, 디스플레이부(200)의 특성 열화를 보다 안전하게 억제하기 위해서는, 도 3에 도시된 바와 같이 기판(100)이 놓이는 스테이지(400)에 냉각라인(410)을 설치해서 에너지빔을 조사하는 동안 기판(100)을 식혀주는 것도 효과적인 방안이 될 수 있다. 즉, 에너빔의 조사에 의해 LMG 박막(300)이 가열되는 동안, 기판(100) 측은 냉각시켜줌으로써 디스플레이부(200)가 열에 의해 변성되지 않도록 막아주는 것이다. 이렇게 하면, 결함이 메워진 LMG 박막(300)과 치밀한 산화막(310)을 가진 매우 견고한 봉지층이 안전하게 만들어지게 된다.
따라서, 이러한 제조과정을 통해 밀봉특성이 우수한 봉지층을 신속하게 형성할 수 있다.
마지막으로, 도 5를 참조하여, 상기 디스플레이부(200)의 세부 구조를 간략히 설명하기로 한다.
도시된 바와 같이 디스플레이부(200)는 박막트랜지스터(TR)와 유기발광소자(220)를 구비하고 있다.
하나씩 살펴보면, 우선 참조부호 211은 기판(100) 상에 형성된 버퍼막을 나타낸다. 이 버퍼막(211)은 기판(100) 상면에 불순물 이온이 확산되는 것을 방지하고, 수분이나 외기의 침투를 방지하며, 표면을 평탄화하는 역할을 한다. 예를 들어 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물 또는 이들의 적층체로 버퍼막(211)을 형성할 수 있다.
박막트랜지스터(TR)는 활성층(212), 게이트전극(214) 및 소스/드레인 전극(216,217) 등을 포함한다. 게이트전극(214)과 활성층(212) 사이에는 이들 간의 절연을 위한 게이트절연막(213)이 개재되어 있다.
활성층(212)은 버퍼막(211) 상에 마련될 수 있다. 활성층(212)은 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 폴리 실리콘(poly silicon)과 같은 무기 반도체나, 유기 반도체가 사용될 수 있다. 일부 실시예에서, 활성층(212)는 산화물 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 산화물 반도체는 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 또는 하프늄(Hf) 과 같은 12, 13, 14족 금속 원소 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물을 포함할 수 있다.
게이트절연막(213)은 버퍼막(211) 상에 마련되어 상기 활성층(212)을 덮고, 게이트절연막(213) 상에 게이트전극(214)이 형성된다.
게이트전극(214)을 덮도록 게이트절연막(213) 상에 층간절연막(215)이 형성되고, 이 층간절연막(215) 상에 소스전극(216)과 드레인전극(217)이 형성되어 각각 활성층(212)과 연결된다.
상기와 같은 박막트랜지스터(TR)의 구조는 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 형태의 박막트랜지스터의 구조가 적용 가능하다. 예를 들면, 상기 박막트랜지스터(TR)는 탑 게이트 구조로 형성된 것이나, 게이트전극(214)이 활성층(212) 하부에 배치된 바텀 게이트 구조로 형성될 수도 있다.
층간절연막(215) 상에는 상기 박막트랜지스터(TR)를 덮는 평탄화막(218)이 마련된다. 평탄화막(218)은 무기물 및/또는 유기물로 형성될 수 있다. 예를 들면, 평탄화막(218)은 포토레지스트, 아크릴계 폴리머, 폴리이미드계 폴리머, 폴리아미드계 폴리머, 실록산계 폴리머, 감광성 아크릴 카르복실기를 포함하는 폴리머, 노볼락 수지, 알칼리 가용성 수지, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 알루미늄, 마그네슘, 아연, 하프늄, 지르코늄, 티타늄, 탄탈륨, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 마그네슘 산화물, 아연 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다.
유기발광소자(220)는 상기 평탄화막(218) 상에 배치되며, 제1전극(221), 유기발광층(223), 제2전극(222)을 포함한다. 화소 정의막(219)은 상기 평탄화막(218)및 상기 제1전극(221) 상에 배치되며, 화소 영역과 비화소 영역을 정의한다.
유기발광층(223)은 저분자 또는 고분자 유기물에 의해서 형성될 수 있다. 저분자 유기물을 사용할 경우, 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있다. 이들 저분자 유기물은 진공증착의 방법으로 형성될 수 있다. 이 때, 상기 발광층은 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 화소마다 독립되게 형성될 수 있고, 홀 주입층, 홀 수송층, 전자 수송층, 및 전자 주입층 등은 공통층으로서, 적, 녹, 청색의 화소에 공통으로 적용될 수 있다.
한편, 유기발광층(223)이 고분자 유기물로 형성되는 경우에는, 발광층을 중심으로 제1전극(221) 방향으로 정공 수송층만이 포함될 수 있다. 정공 수송층은 폴리에틸렌 디히드록시티오펜(PEDOT: poly-(2,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)이나, 폴리아닐린(PANI: polyaniline) 등을 사용하여 잉크젯 프린팅이나 스핀 코팅의 방법에 의해 제1전극(221) 상부에 형성할 수 있다. 이때 사용 가능한 유기 재료로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등의 고분자 유기물을 사용할 수 있으며, 잉크젯 프린팅이나 스핀 코팅 또는 레이저를 이용한 열전사 방식 등의 통상의 방법으로 컬러 패턴을 형성할 수 있다.
상기 정공주입층(HIL)은 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물 또는 스타버스트(Starburst)형 아민류인 TCTA, m-MTDATA, m-MTDAPB 등으로 형성할 수 있다.
상기 정공 수송층(HTL)은 N,N'-비스(3-메틸페닐)- N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(α-NPD)등으로 형성될 수 있다.
상기 전자 주입층(EIL)은 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO, Liq 등의 물질을 이용하여 형성할 수 있다.
상기 전자 수송층(ETL)은 Alq3를 이용하여 형성할 수 있다.
상기 발광층(EML)은 호스트 물질과 도판트 물질을 포함할 수 있다.
상기 호스트 물질로는 트리스(8-히드록시-퀴놀리나토)알루미늄 (Alq3), 9,10-디(나프티-2-일)안트라센 (AND), 3-Tert-부틸-9,10-디(나프티-2-일)안트라센 (TBADN), 4,4'-비스(2,2-디페닐-에텐-1-일)-4,4'-디메틸페닐 (DPVBi), 4,4'-비스Bis(2,2-디페닐-에텐-1-일)-4,4'-디메틸페닐 (p-DMDPVBi), Tert(9,9-디아릴플루오렌)s (TDAF), 2-(9,9'-스피로비플루오렌-2-일)-9,9'-스피로비플루오렌 (BSDF), 2,7-비스(9,9'-스피로비플루오렌-2-일)-9,9'-스피로비플루오렌 (TSDF), 비스(9,9-디아릴플루오렌)s (BDAF), 4,4'-비스(2,2-디페닐-에텐-1-일)-4,4'-디-(tert-부틸)페닐 (p-TDPVBi), 1,3-비스(카바졸-9-일)벤젠 (mCP), 1,3,5-트리스(카바졸-9-일)벤젠 (tCP), 4,4',4"-트리스(카바졸-9-일)트리페닐아민 (TcTa), 4,4'-비스(카바졸-9-일)비페닐 (CBP), 4,4'-비스Bis(9-카바졸일)-2,2'-디메틸-비페닐 (CBDP), 4,4'-비스(카바졸-9-일)-9,9-디메틸-플루오렌 (DMFL-CBP), 4,4'-비스(카바졸-9-일)-9,9-비스bis(9-페닐-9H-카바졸)플루오렌 (FL-4CBP), 4,4'-비스(카바졸-9-일)-9,9-디-톨일-플루오렌 (DPFL-CBP), 9,9-비스(9-페닐-9H-카바졸)플루오렌 (FL-2CBP) 등이 사용될 수 있다.
상기 도판트 물질로는 DPAVBi (4,4'-비스[4-(디-p-톨일아미노)스티릴]비페닐), ADN (9,10-디(나프-2-틸)안트라센), TBADN (3-터트-부틸-9,10-디(나프-2-틸)안트라센) 등이 사용될 수 있다.
제1전극(221)은 평탄화막(218) 상에 배치되어, 평탄화막(218)을 관통하는 관통홀(208)을 통하여 박막트랜지스터(TR)의 드레인전극(217)과 전기적으로 연결된다.
상기 제1전극(221)은 애노드 전극의 기능을 하고, 상기 제2전극(222)은 캐소드 전극의 기능을 할 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 이들 제1전극(221)과 제2전극(222)의 극성은 서로 반대로 될 수 있다.
화소 정의막(219)은 제1전극(221)을 드러내는 개구부를 가지고 유기발광소자(220)의 화소 영역과 비화소 영역을 정의한다. 비록 도면에서는 하나의 개구부만을 도시하였으나, 화소 정의막(219)은 복수의 개구부를 가질 수 있고, 각 개구부 내에 제1전극(221), 유기발광층(223), 제2전극(222)이 차례로 적층되어 발광할 수 있다.
복수의 개구부가 형성됨에 따라, 유기발광표시장치는 복수의 유기발광소자(220)를 포함할 수 있다. 각 유기발광소자(220) 마다 하나의 화소를 형성할 수 있으며, 각 화소별로 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 색을 구현할 수 있다. 또는, 유기발광층(223)이 화소의 위치에 관계없이 평탄화막(218) 전체에 공통으로 형성될 수 있다. 이때, 유기 발광층은 예를 들어, 적색, 녹색 및 청색의 빛을 방출하는 발광 물질을 포함하는 층이 수직으로 적층되거나 혼합되어 형성될 수 있다. 물론, 백색광을 방출할 수 있다면 다른 색의 조합이 가능함은 물론이다. 또한, 상기 방출된 백색광을 소정의 컬러로 변환하는 색변환층이나, 컬러 필터를 더 구비할 수 있다.
참조부호 224는 유기발광소자(220)를 덮어서 보호하는 보호층(224)을 나타낸다. 보호층(224)은 무기 절연막 및/또는 유기 절연막을 사용할 수 있다. 무기 절연막으로는 SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, PZT 등이 포함되도록 할 수 있다. 유기 절연막으로는 일반 범용고분자(PMMA, PS), 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등이 포함되도록 할 수 있다. 보호층(115)은 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deosition)법, APCVD(atmospheric pressure CVD)법, LPCVD(low pressure CVD)법 등 다양한 증착 방법에 의해 증착될 수 있다.
이와 같은 구성의 디스플레이부(200)는 상기한 LMG 박막(300)의 견고한 밀봉 특성에 의해 안전하게 보호될 수 있다.
결론적으로, 본 실시예의 제조방법에 따르면 디스플레이부를 안전하게 보호해주는 밀봉 특성이 우수한 봉지층을 신속하게 형성할 수 있게 되며, 따라서, 생산작업의 효율성과 제품의 신뢰도를 모두 향상시킬 수 있다.
이상에서 설명한 유기발광표시장치의 제조방법은 이해를 돕기 위하여 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.
100: 기판 200: 디스플레이부
300: LMG 박막 310: 산화막
400: 스테이지 410: 냉각라인
300: LMG 박막 310: 산화막
400: 스테이지 410: 냉각라인
Claims (12)
- 기판 상에 디스플레이부를 형성하는 단계;
상기 디스플레이부를 덮는 LMG(Low Melting Glass) 박막을 형성하는 단계; 및,
상기 LMG 박막에 에너지빔을 조사하는 단계;를 포함하며,
상기 에너지빔 조사는 상기 LMG 박막의 표면에 산화막이 생기도록 산소가 존재하는 분위기에서 진행되는 유기발광표시장치의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 에너지빔은 레이저빔, 전자빔, 이온빔, 중성자빔, 플라즈마빔, 펄스 레이저빔 중 어느 하나를 포함하는 유기발광표시장치의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 에너지빔은 적외선과 자외선 중 어느 한 영역의 파장을 갖는 유기발광표시장치의 제조방법. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 에너지빔 조사 시 상기 기판을 냉각시키는 단계를 더 포함하는 유기발광표시장치의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 LMG 박막은 주석 산화물을 포함하는 유기발광표시장치의 제조방법. - 제6항에 있어서,
상기 LMG 박막은 SnO를 포함하고,
P2O5, W, B, Nb, TiO2 , ZnO, SiO2, BaO, Al2O3 및 B2O3 중에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 더 포함하는 유기발광표시장치의 제조방법. - 제7항에 있어서,
상기 LMG 박막의 표면에서 상기 SnO는 상기 에너지빔 조사에 의해 SnO2로 산화되는 유기발광표시장치의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 LMG 박막의 유리전이온도는 상기 디스플레이부의 변성온도보다 높은 유기발광표시장치의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 LMG 박막의 형성은 스퍼터링, 이베퍼레이션, 화학기상증착, 펄스레이저증착 및, 플라즈마 용사 중 어느 한 공정으로 수행하는 유기발광표시장치의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 기판은 글라스 기판을 포함하는 유기발광표시장치의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 기판은 플렉서블(flexible) 기판을 포함하는 유기발광표시장치의 제조방법.
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