TWI673860B - 製造有機發光顯示設備之方法 - Google Patents

Abstract

本發明揭露一種製造有機發光顯示設備之方法，其包含設置低熔點玻 璃(LMG)薄膜以覆蓋設置於基板上之顯示單元，以及照射能量束於LMG薄膜。因此，具有良好密封特性之封裝層可快速地形成，因而使製程效率及產品可靠度可被提升。

Description

製造有機發光顯示設備之方法 相關申請之交互參照

本申請案主張於2013年7月25日提出之韓國專利申請號第10-2013-0088272號之優先權及效益，其如同於本文充分闡述的所有目的係於此併入作為參考。

本發明是關於一種製造有機發光顯示設備之方法，以及更具體地，是製造具有密封特性之有機發光顯示設備之方法。

有機發光顯示設備是自發光之顯示設備且可包含一或多個有機發光裝置，例如有機發光二極體，每一個均包含電洞注入電極、電子注入電極、以及提供於其間之有機發光層。當由電洞注入電極注入的電洞與由電子注入電極注入之電子在有機發光層中再次結合會產生激子。當激子由激態落至基態時發射光。

由於有機發光顯示設備是自發光顯示設備，單獨之光源如液晶顯示裝置之背光單元，對於有機發光顯示設備可能不是必要的。因此，有機發光顯示設備可在較低電壓被驅動且可被製造成具有輕量化及超薄外型之裝置。此 外，有機發光顯示設備具有優質之特性，例如廣視角、高對比、以及快速反應時間。因此，有機發光顯示設備一般被視為下一代之顯示設備。

然而，由於有機發光裝置容易受到外部環境如氧或水氣的損傷，需要有密封結構將有機發光裝置密封以免於外部環境的傷害。

因為有機發光裝置容易受到損傷，有機發光裝置之生產力、耐用性及品質可取決於用於有機發光裝置之密封結構之品質。

本發明之例示性實施例提供一種製造具有密封結構之有機發光顯示設備之方法。有機發光顯示設備可具有密封結構，其包含以低熔點材料形成之封裝層，例如用於快速且有效率層的形成之低熔點玻璃。根據例示性實施例，提升製造密封結構之方法以快速且有效率地形成具有良好密封特性之封裝層。

其他之態樣將部分列於下文之描述中，且部分由描述將是顯而易見的，或者可藉由本實施例之實施而了解。

根據例示性實施例，製造有機發光顯示設備之方法包含設置低熔點玻璃(low melting glass,LMG)薄膜以覆蓋設置於基板上之顯示單元，以及照射能量束於LMG薄膜。

根據例示性實施例，使用低熔點材料之密封結構之製造方法包含設置低熔點材料以密封設置於基板上之密封物件，及照射能量束於低熔點材料以加熱低熔點材料之露出表面，達到或高於低熔點材料之轉換溫度。低熔點材料具有之轉換溫度低於二氧化矽(SiO2)之轉換溫度。

根據例示性實施例，有機發光顯示設備包含基板、設置於基板上之有機發光裝置、以及設置於有機發光裝置上以密封有機發光裝置之低熔點玻璃(LMG)薄膜。LMG薄膜包含對應於能量束照射LMG薄膜部分之密封層。

可以被理解的是前述一般性之描述與下列詳細之描述均為例示性及解釋性，且旨在提供本發明申請專利範圍進一步之解釋。

100‧‧‧基板

200‧‧‧顯示單元

208‧‧‧通孔

211‧‧‧緩衝膜

212‧‧‧主動層

213‧‧‧閘極絕緣膜

214‧‧‧閘極電極

215‧‧‧層間絕緣膜

216‧‧‧源極電極

217‧‧‧汲極電極

218‧‧‧平坦化膜

219‧‧‧像素定義膜

220‧‧‧有機發光裝置

221‧‧‧第一電極

222‧‧‧第二電極

223‧‧‧有機發光層

224‧‧‧保護層

300‧‧‧LMG薄膜

310‧‧‧氧化膜

400‧‧‧平台

410‧‧‧冷卻線

TR‧‧‧薄膜電晶體

包含之附圖提供本發明進一步的理解且結合並構成本說明書之部分，說明本發明例示性實施例，並與描述一起解釋本發明之原則。

第1圖、第2圖、第3圖及第4圖係為根據本發明例示性實施例說明製造有機發光顯示設備之方法之剖面圖。

第5圖係為根據本發明例示性實施例說明第4圖區域A的詳細結構之剖面圖。

現在將參考附圖所示之範例詳細描述實施例，其中相似標號在整份說明書中指相似元件。在這方面，本實施例可具有不同形式且不應被解釋為限制在本文中之描述。因此，以下描述之實施例僅藉由參照圖來解釋本說明書之態樣。在這所用之用詞「及/或(and/or)」包含一或多個相關所列項目之任一及所有組合。

當一個元件或層被指在另一元件或層「上(on)」、「連接於(connected to)」或「耦合於(coupled to)」另一元件或層，其可直接在其他元件或 層上、直接連接於或直接耦合於其他元件或層，或者可存在中間元件或層。然而當一個元件或層被指「直接於其上(directly on)」、「直接連接於(directly connected to)」或「直接耦合於(directly coupled to)」另一元件或層，則不存在中間元件或層。於本揭露之目的，「X、Y及Z至少其中之一(at least one of X,Y,and Z)」及「至少一選自包含X、Y及Z之群組(at least one selected from the group consisting of X,Y,and Z)」可被解釋為只有X、只有Y、只有Z、或者二個或多個X、Y及Z之任意組合，例如XYZ、XYY、YZ及ZZ。相似標號在整份說明書中指相似元件。本文中所用之用詞「及/或(and/or)」包含一或多個相關所列項目之任一及所有組合。

除非另有定義，本文中所用之所有用詞(包含技術及科學用詞)具有與本揭露所屬技術領域中通常知識者的一般理解下的相同含意。例如那些定義於一般常用字典的用詞，應被解釋為具有與其在相關領域的上下文中一致之含義，且將不會理想化或過度地解釋，除非本文中有明確的定義。

下文中所述之實施例是例示性的，且可做出各種變化及修正。進一步，當一層被指在另一層或基板「上(on)」時，其可直接在其他層或基板上，或者一或多個中間層也可存在於其間。空間上相對之用詞，例如「下(beneath)」、「下方(below)」、「下(lower)」、「上(above)」、「上(upper)」等可在本文中用作於說明之目的，因此描述在圖中所示的一元件或特徵與其他元件或特徵之關係。空間相關之用詞是旨在包含設備在使用、操作、及/或製造上除了附圖所描述之方位外之其他方向。舉例來說，如果圖中之設備被翻轉，被描述為在其他元件或特徵「下方(below)」或「下(beneath)」的元件接著可轉向為在其他元件或特徵「上(above)」。因此，例示性之用詞「下方(below)」可同時包含上方及 下方的方向。更進一步，設備可以其他方式轉向(例如轉動90度或其他方向)，且據此加以解釋本文中所用之空間上相對之描述。

本文中所使用之用詞目的在於說明特定之實施例而不是旨在限制。如本文中所使用之單數形式之「一(a)」、「一(an)」及「該(the)」也意圖包含複數形式，除非文中另有明確指明。將進一步被理解的是，當在本文中使用用詞如「包含(comprises)」、「包含(includes)」、「包含(including)」及/或「包含(comprising)」時，特指所述特徵、構件、群組、元件、步驟、操作、及/或其裝置的存在，但不排除另外一或多個其他特徵、構件、群組、元件、步驟、操作、及/或其裝置之存在或新增。

雖然用詞第一、第二等可在本文中被用來描述不同元件、構件、區域、層、及/或區段，這些元件、構件、區域、層、及/或區段不應侷限於這些用詞。這些用詞被用來區分一個元件、構件、區域、層、及/或區段與另一元件、構件、區域、層、及/或區段之不同。因此，第一元件、構件、區域、層、及/或區段在不背離本揭露之教示下可被稱為第二元件、構件、區域、層、及/或區段。

根據從例示性實施例之實施及/或修改，特定之製程順序可以不同於所述順序執行。例如，兩個連續地描述的製程可在相同時間同時執行或者以相反於所述順序來執行。

第1圖至第4圖是根據本發明例示性實施例說明製造有機發光顯示設備之方法之剖面圖。第5圖是根據本發明例示性實施例的第4圖區域A的放大剖面圖。

參閱第1圖，顯示單元200可形成於基板100上。

基板100可為硬質玻璃基板，但不侷限於此。基板100可為金屬或塑膠基板。例如，基板100可為由可撓性材料如聚醯亞胺(polyimide)形成之可撓性基板。

顯示單元200被提供以用來執行影像。如第5圖所示，顯示單元200可包含有機發光裝置220，其中第一電極221、有機發光層223及第二電極222依序層疊於基板100上。顯示單元200也可包含連接於有機發光裝置220的第一電極221之薄膜電晶體TR。顯示單元200之例示性詳細結構將在之後參考第5圖來描述。在整份說明書中，顯示單元200可被表示為包含有機發光裝置220；然而，根據本文中所描述之方法，其他型式之顯示裝置、構件、電路也可被密封。

在形成顯示單元200於基板100後，低熔點材料如低熔點玻璃(LMG)薄膜300可被形成為覆蓋顯示單元200之密封層，如第2圖所示。LMG薄膜300可覆蓋整個顯示單元200，使得密封物件(如顯示單元200)從外部環境如水分、外部空氣、氧氣等隔離或密封。LMG薄膜300是由具有低玻璃轉化溫度之LMG材料形成。

用詞「玻璃轉化溫度(glass transition temperature)」指可對LMG薄膜300提供流動性之最低溫度。玻璃轉化溫度可為其非晶性固體在加熱後變軟或冷卻後變脆之溫度，或者可為其非晶性固體變成其他狀態之溫度範圍。LMG薄膜300之玻璃轉化溫度是約250℃至約400℃。LMG薄膜300之玻璃轉化溫度比起SiO₂，也就是一般玻璃材料之轉化溫度(約1200℃)要低很多，但是比起包含於顯示單元200之材料及/或包含於基板100之材料之變質溫度要高得多。因此，當整個LMG薄膜300被加熱至玻璃轉化溫度或更高溫度時，顯示單元200是直接暴露於超過變質溫度之條件下，因而其特性可能容易劣化或損壞。然而，如果LMG 薄膜300之表面是在玻璃轉化溫度或更高溫度加熱很短的時間，LMG薄膜300可暫時維持在玻璃轉化溫度或更高溫度而不會劣化顯示單元200及/或基板100元件之特性。然而，由於LMG薄膜300之表面是加熱很短時間，例如幾秒鐘，其足夠使其從固態改變，LMG薄膜300露出之表面緊密地密封顯示單元200，可防止顯示單元200之劣化。根據例示性實施例，由於能量束照射於LMG薄膜300表面一定的時間，防止了顯示單元200之劣化且LMG薄膜300之表面可加熱至玻璃轉化溫度或略高之溫度。如果能量束在玻璃轉化溫度或更高溫度照射於LMG薄膜300之部分一定的時間，照射部分可變得夠軟以密封LMG薄膜300部分之缺陷，以加強顯示單元200及/或基板100之密封，而其他部分如顯示單元200可少加熱。製程之範例將在下面更詳細的描述。如果LMG薄膜300的露出表面藉由加熱元件如能量束加熱至玻璃轉化溫度之溫度或更高，LMG薄膜300的露出表面可從固態改變以形成加強之密封層，例如緊密氧化膜310。

LMG薄膜300可由單一化合物或者兩種或更多種化合物的混合物來形成。例如，LMG薄膜300可由錫氧化物所形成，如一氧化錫(SnO)。LMG薄膜300可進一步包含P₂O₅、鎢(W)、硼(B)、鈮(Nb)、TiO₂、ZnO、SiO₂、BaO、Al₂O₃、以及B₂O₃中之至少一種。例如，LMG薄膜300可由錫磷酸鹽玻璃(SnO-P₂O₅)之組合物形成。

LMG薄膜300可由濺鍍、蒸鍍、化學氣相沉積(CVD)、脈衝雷射沉積(PLD)、或電漿噴塗來形成，且可形成為具有約1μm至約30μm之厚度。進一步，如果要實施具有較薄LMG薄膜的結構，LMG薄膜300可形成為具有約0.1μm至約30μm之厚度。在可撓性結構的實施當中，LMG薄膜300可形成為具有約 1μm至約5μm之厚度。進一步，如果要實施具有較薄LMG薄膜的可撓性結構，LMG薄膜300可形成為具有約0.1μm至約5μm之厚度。

在形成LMG薄膜300後，能量束可照射於LMG薄膜300，如第3圖所示。能量束可為雷射光束、電子束、離子束、中子束、電漿束、或脈衝雷射光束，且可為具有波長頻帶之光束，其能使發射能量有效的被LMG薄膜300之主要材料如SnO所吸收。舉例來說，紅外光頻帶及紫外光頻帶中的一種或者兩種頻帶可被用於SnO使得LMG薄膜300良好地吸收照射能量。

當能量束被照射於LMG薄膜300，LMG薄膜300之表面可被加熱至玻璃轉化溫度或更高溫度，以提供流動性來密封顯示單元200，防止顯示單元200特性劣化。加熱之LMG薄膜300流動以填補其表面缺陷。更具體而言，可能因為在沉積製程中產生的一些不平均之沉積造成之表面缺陷，可能經由能量束照射而消失或減少，因而使得防止外部氧或水分滲透之密封特性可進一步提升。進一步，部分加熱之LMG薄膜300變軟以緊密地密封LMG薄膜300之凹痕、缺口、以及孔洞，且沉積之LMG薄膜300可緊密地密封附於LMG薄膜300之基板100之外圍。

進一步，LMG薄膜300表面之氧化反應藉由能量束照射而加速，且SnO被氧化成SnO₂以在其表面上形成緊密氧化膜310，如第4圖所示。更具體而言，當LMG薄膜300具有原本為SnO與P₂O₅之組成時，具有SnO₂與P₂O₅之組成之氧化膜310會形成於其表面上。由於緊密氧化膜310形成於LMG薄膜300表面上，保護顯示單元200免於外部空氣傷害之密封特性可進一步提升。氧化反應也可自然地在氧氣環境下進行。然而，氧化反應速率在自然的氧化反應過程太慢，因此降低了生產力。再者，沉積之LMG薄膜300在自然的氧化反應過程中可能不緊 密地密封顯示單元200。然而，如果能量束照射，由於氧化反應速率顯著地增加，緊密氧化膜310可藉由照射能量束幾秒鐘而快速地形成。由於緊密氧化膜310已被形成，能量束照射可良好地在含氧環境下執行。本文中，含氧環境並非100%之氧氣環境，而是存在氧氣或者與大氣中之氣體如氬氣或氮氣混合之環境。能量束可藉由點源或線源產生。

如上所述，如果LMG薄膜300之表面僅暫時加熱至玻璃轉化溫度或更高溫度然後冷卻，顯示單元200之特性幾乎不劣化。進一步，為了更有效及固定之方法避免或防止顯示單元200之特性劣化，如第3圖所示，冷卻線410可被安裝在基板100設置於其上之平台400，在能量束照射期間冷卻基板100。基板100及/或顯示單元200在藉由能量束照射加熱LMG薄膜300時可被冷卻，因而防止顯示單元200因為熱而變形、劣化、或損壞。通過這樣做，具有減少LMG薄膜300缺陷之堅固封裝層以及緊密氧化膜310可牢固的形成。

因此，具有優良密封特性之封裝層可藉由上述製造方法快速地形成。

下文中，顯示單元200之詳細結構將參考第5圖來描述。

如第5圖所示，顯示單元200包含薄膜電晶體TR以及有機發光裝置220。

緩衝膜211可設置於基板100上。緩衝膜211可防止雜質離子擴散至基板100之上表面，防止水分或外部空氣滲透，以及平坦化基板100之表面。舉例來說，緩衝膜211可由無機材料如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦、氮化鈦，及/或有機材料如聚亞醯胺、聚酯、或丙烯醯基而形成，或者無機材料及有機材料之層疊而形成。

薄膜電晶體TR包含主動層212、閘極電極214、源極電極216、以及汲極電極217。閘極絕緣膜213可設置於閘極電極214與主動層212之間以將閘極電極214從主動層212隔離。

主動層212可設置於緩衝層211上。主動層212可包含無機半導體如非晶矽或多晶矽，或者是有機半導體。在一些實施例中，主動層212可包含氧化物半導體。舉例來說，氧化物半導體可包含選自12族、13族、或14族金屬元素材質之氧化物，金屬元素為例如鋅(Zn)、銦(In)、鎵(Ga)、錫(Sn)、鎘(Cd)、鍺(Ge)、或鉿(Hf)，以及其任意之組合。

閘極絕緣膜213可設置於緩衝層211上以覆蓋主動層212，且閘極電極214可形成於閘極絕緣膜213上。

層間絕緣膜215可形成於閘極絕緣膜213上以覆蓋閘極電極214。源極電極216及汲極電極217可形成於層間絕緣膜215上而部分之源極電極216及汲極電極217是連接於主動層212。

薄膜電晶體TR不侷限於上述之結構，且各種結構也都可能被用在薄膜電晶體TR。舉例來說，薄膜電晶體TR可具有上端閘極結構，或者可具有其中閘極電極214是設置於主動層212下方之底部閘極結構。

平坦化膜218可提供於層間絕緣膜215上以覆蓋薄膜電晶體TR。平坦化膜218可包含無機材料及/或有機材料。舉例來說，平坦化膜218可包含光阻劑、丙烯醯類聚合物、聚醯亞胺類聚合物、聚醯胺類聚合物、矽氧烷類聚合物、包含光敏性丙烯酸羧基的聚合物、酚醛樹脂、鹼溶性樹脂、氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳氧化矽、碳氮化矽、鋁、鎂、鋅、鉿、鋯、鈦、鉭、氧化鋁、氧化鉭、氧化鎂、氧化鋅、氧化鉿、氧化鋯或氧化鈦。

有機發光裝置220可設置於平坦化膜218上。有機發光裝置220包含第一電極221、有機發光層223、以及第二電極222。像素定義膜219可設置於平坦化膜218及第一電極221上，並可定義像素區域及非像素區域。

有機發光層223可包含低分子量或高分子量之有機材料。在使用低分子量有機材料的情況下，電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、發光層(EML)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)可堆疊成單一或多層結構。低分子量有機材料可藉由真空沉積形成。在此範例中，發光層可在每個紅色(R)、綠色(G)、及藍色(B)像素獨立地形成。電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、及電子注入層可作為共用層而共同地應用於紅色、綠色和藍色像素。然而，態樣並不侷限於此。

當有機發光層223是由高分子量之有機材料所形成時，只有電洞傳輸層(HTL)可包含在從發光層朝向第一電極221之方向。進一步，當有機發光層223是由高分子量之有機材料形成時，電洞傳輸層(HTL)可設置於第一電極221與發光層(EML)之間而電子傳輸層(ETL)與電子注入層(EIL)是設置於發光層(EML)上。然而，態樣不侷限於此。電洞傳輸層(HTL)可藉由使用聚-(2,4)-乙烯-二羥基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)之噴墨印刷或旋塗形成於第一電極221上。可用的有機材料的實例可包含基於聚伸苯基伸乙烯(poly-phenylenevinylene,PPV)及聚茀的高分子量有機材料。色彩圖樣可藉由如噴墨印刷、旋塗、或使用雷射光束之熱轉印之一般方法形成。

電洞注入層(HIL)可由酞菁化合物如銅酞菁，或者星芒型胺如三(4-咔唑-9-苯基)胺(TCTA)、三苯胺(m-MTDATA)、或1,3,5-三[4-(3-甲基苯基苯基氨基)苯基]苯(m-MTDAPB)所形成。

電洞傳輸層(HTL)可由N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-聯苯基]-4,4'-二胺(TPD)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基聯苯胺(α-NPD)等所形成。

電子注入層(EIL)可由如LiF、NaCl、CsF、Li₂O、BaO、Liq等所形成。

電子傳輸層(ETL)可由Alq₃形成。

發光層(EML)可包含基質(host)材料及摻質。

基質材料之範例可包含三(8-羥基喹啉)鋁(Alq₃)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、3-第三丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、4,4'-雙(2,2-二苯基-乙烯-1-基)-4,4'-二甲基苯(DPVBi)、4,4'-雙(2,2-二苯基-乙烯-1-基)-4,4'-二甲基苯(p-DMDPVBi)、第三(9,9-二芳基茀)(TDAF)、2-(9,9'-螺二茀-2-基)-9,9'-螺二茀(BSDF)、2,7-雙(9,9'-螺二茀-2-基)-9,9'-螺二茀(TSDF)、雙(9,9-二芳基茀)(BDAF)、4,4'-雙(2,2-二苯基-乙烯-1-基)-4,4'-二-(第三丁基)苯(p-TDPVBi)、1,3-雙(咔唑-9-基)苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tCP)、4,4',4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TcTa)、4,4'-雙(咔唑-9-基)聯苯(CBP)、4,4'-雙(9-咔唑基)-2,2'-二甲基聯苯(CBDP)、4,4'-雙(咔唑-9-基)-9,9-二甲基-茀(DMFL-CBP)、4,4'-雙(咔唑-9-基)-9,9-雙(9-苯基-9H-咔唑)茀(FL-4CBP)、4,4'-雙(咔唑-9-基)-9,9-二-甲苯基-茀(DPFL-CBP)、9,9-雙(9-苯基-9H-咔唑)茀(FL-2CBP)等。

摻質之範例可包含4,4'-雙[4-(二對甲苯氨基)苯乙烯基]聯苯(DPAVBi)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、3-第三丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)等。

第一電極221可設置於平坦化膜218上且可經由穿過平坦化膜218之通孔208電性連接於薄膜電晶體TR的汲極電極217。

第一電極221及第二電極222可分別作為陽極電極及陰極電極，但不侷限於此。第一電極221及第二電極222之極性可被反轉。

像素定義膜219可包含露出第一電極221之開口，且定義有機發光裝置220之像素區域與非像素區域。雖然僅圖示一個開口，像素定義膜219可包含複數個開口。第一電極221、有機發光層223、及第二電極222依序層疊於像素定義膜219之開口內，且有機發光層223被設置以發射光。

當形成複數個開口時，有機發光顯示設備可包含複數個有機發光裝置220。單一像素可形成於每個有機發光裝置220內，且紅色、綠色、藍色、及白色中之一可在像素中實現。另外，有機發光層223可共同形成於整個平坦化膜218上，不論像素的位置。有機發光層223可藉由垂直層疊或包含發射紅光、綠光、及藍光之發光材料之結合層來形成。其他顏色之組合也可被應用只要白光之發射是可能的。另外，有機發光顯示設備可進一步包含彩色濾光片或將發射之白光轉換成預定色光的色彩轉換層。

保護層224可提供以覆蓋及保護有機發光裝置220。保護層224可包含無機絕緣膜及/或有機絕緣膜。無機絕緣膜可包含SiO₂、SiNx、SiON、Al₂O₃、TiO₂、Ta₂O₅、HfO₂、ZrO₂、BST、或PZT。有機絕緣膜可包含通用之聚合物，例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚苯乙烯(PS)，聚合物衍生物具有酚基族、丙烯醯基聚合物(acryl-based polymer)、亞醯胺類聚合物、芳基醚類聚合物、醯胺類聚合物、氟類聚合物、對二甲苯類聚合物、乙烯醇類聚合物、及其混合物。保護層224可以不同沉積方法沉積，例如電漿化學氣相沉積(PECVD)、常壓化學氣相沉積(APCVD)、或低壓化學氣相沉積(LPCVD)。

具有上述設置之顯示單元200可藉由LMG薄膜300之加強密封特性而被安全地保護。

如上所述，根據本發明上述之一或多個實施例，具有加強密封特性且安全地保護顯示單元之封裝層可被形成，因此提升製程效率及產品可靠度是可能的。

雖然特定的實施例及實現方式已在本文中描述，從這個描述中之其他實施例及修改將是顯而易見的。因此，本發明不侷限於這些實施例，而是在本申請專利範圍更廣之範疇及各種明顯的修改與等效置換。

Claims (8)

1. 一種製造有機發光顯示設備之方法，包含：設置一低熔點玻璃(LMG)薄膜以覆蓋設置於一基板上之一顯示單元；照射一能量束於該低熔點玻璃薄膜，以加熱該低熔點玻璃薄膜的一露出表面至等於或高於該低熔點玻璃薄膜之玻璃轉化溫度的一加熱溫度；以及在照射該能量束期間冷卻該基板，其中該低熔點玻璃薄膜包含一氧化錫(SnO)，且具有約250℃到約400℃的玻璃轉化溫度。
2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該能量束包含一雷射光束、一電子束、一離子束、一中子束、一電漿束、及一脈衝雷射光束中之任一種。
3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該能量束具有一紅外光波長及一紫外光波長之任一種。
4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中照射該能量束係在一含氧大氣中執行。
5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該低熔點玻璃薄膜進一步包含五氧化二磷(P₂O₅)、鎢(W)、硼(B)、鈮(Nb)、二氧化鈦(TiO₂)、氧化鋅(ZnO)、二氧化矽(SiO₂)、氧化鋇(BaO)、三氧化二鋁(Al₂O₃)、及三氧化二硼(B₂O₃)中之至少一種。
6. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該一氧化錫藉由照射該能量束而於該低熔點玻璃薄膜之表面上氧化成二氧化錫(SnO₂)。
7. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該低熔點玻璃薄膜之玻璃轉化溫度係高於該顯示單元之變質溫度。
8. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中設置該低熔點玻璃薄膜包含濺鍍、蒸鍍、化學氣相沉積(CVD)、脈衝雷射沉積(PLD)、及電漿噴塗中之任一種。