JP5573192B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
実施の形態1に係る半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。図1,3,5−7は実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するための上面図であり、図2,4,8,9は断面図である。
実施の形態2に係る半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。図10,11は実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。実施の形態1と同様の構成要素又は対応する構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する。
実施の形態3に係る半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。図12は実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を説明するための上面図である。図13は図12のA−A´に沿った断面図である。実施の形態1と同様の構成要素又は対応する構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する。
実施の形態4に係る半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。図14は実施の形態4に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。実施の形態1と同様の構成要素又は対応する構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する。
実施の形態5に係る半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。図15は実施の形態5に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。実施の形態1と同様の構成要素又は対応する構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する。
12 半導体積層構造
14 半導体レーザ
16 ウェハ
20 保護膜
22 第1の溝部
24 汚染物
26 レーザバー
30 第2の溝部
36 近傍領域
Claims (9)
- 基板上に半導体積層構造を形成することで複数の半導体レーザを有するウェハを形成する工程と、
前記半導体レーザ間において前記ウェハの主面に第1の溝部を形成する工程と、
前記第1の溝部を形成した後に、前記ウェハを前記半導体レーザがバー状に並んだレーザバーに分離する工程と、
前記第1の溝部と同じか又は狭い幅を持つ第2の溝部を前記レーザバーの前記第1の溝部内に形成する工程と、
前記第2の溝部に沿って前記レーザバーを個々の前記半導体レーザに分離する工程とを備え、
前記第2の溝部をレーザ光の照射により形成し、このレーザ光の照射により発生する汚染物が前記第1の溝部内にのみ存在するようにレーザ照射条件を設定することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の溝部を形成する前に、前記第1の溝部を形成する領域以外において前記ウェハの前記主面に保護膜を形成する工程と、
前記第1の溝部を形成した後に、前記保護膜を除去する工程とを更に備え、
前記第1の溝部をレーザ光の照射により形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記レーザ光の照射時に前記基板を冷却することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記レーザバーに含まれる前記半導体レーザの共振器端面の近傍領域には前記第2の溝部を形成しないことを特徴とする請求項1−3の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体レーザの前記共振器端面から前記第2の溝部までの前記近傍領域の長さは10μm以下であることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の溝部の深さと前記第2の溝部の深さの合計値は、前記半導体レーザの共振器方向で変化し、前記半導体レーザの共振器端面の近傍で相対的に深いことを特徴とする請求項1−3の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の溝部の深さと前記第2の溝部の深さの合計値は、前記半導体レーザの共振器方向で変化し、前記半導体レーザの共振器端面の近傍で相対的に浅いことを特徴とする請求項1−3の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基板の厚さと前記半導体積層構造の厚さの合計値を全体厚さとし、前記全体厚さの30%又は30μmの何れか薄い方を臨界厚さとすると、
前記全体厚さから前記第1の溝部の深さを引いた厚さは前記臨界厚さ以上であり、
前記全体厚さから前記第1の溝部の深さと前記第2の溝部の深さの合計値を引いた厚さは前記臨界厚さより小さいことを特徴とする請求項1−7の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記基板は窒化物系化合物半導体からなることを特徴とする請求項1−8の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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