JP5545648B2 - 半導体ウエハの劈開方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウエハの劈開方法に関し、特に、スクライブ溝に応力を与えて半導体ウエハを劈開する劈開方法に関する。

従来、半導体ウエハからチップを製造する際、スクライブ装置にて半導体ウエハの表面に縦横方向に延伸した連続線のスクライブ溝を形成し、劈開装置にてスクライブ溝に応力を与えて劈開する技術が知られている。また、半導体ウエハの表面に形成するスクライブ溝の他の例として、縦方向および横方向のうちの一方の方向のスクライブ溝は連続線とし、他方の方向のスクライブ溝は破線とする技術が知られている（例えば、特許文献１）。

特開２００４−１８６３４０号公報

半導体ウエハの表面に縦横方向に延伸した連続線のスクライブ溝を形成し、このスクライブ溝に応力を与えて半導体ウエハを劈開した場合、半導体ウエハに割れ、欠けなどが発生し、歩留まりが低下してしまうという課題があった。

特許文献１では、割れ、欠けなどの発生を抑制すべく、半導体ウエハの表面に連続線のスクライブ溝と破線のスクライブ溝とを形成し、連続線のスクライブ溝を用いてアレイ化を行った後、破線のスクライブ溝を用いてチップ化を行っている。このような劈開方法を用いることで、割れ、欠けなどの発生を抑制でき、歩留まりを向上させることができたが、未だ改善の余地は残されている。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、半導体ウエハの劈開において割れ、欠け、亀裂の発生を抑えることが可能な半導体ウエハの劈開方法を提供することを目的とする。

本発明は、半導体ウエハの表面に設けられた第１の方向に延伸する複数の第１のスクライブ領域と前記第１の方向に交差する第２の方向に延伸する複数の第２のスクライブ領域との夫々に、前記第１のスクライブ領域と前記第２のスクライブ領域とが交差する交差領域に入り込まないように不連続線のスクライブ溝を形成する工程と、前記スクライブ溝に応力を与えて前記半導体ウエハを劈開する工程と、を有し、前記スクライブ溝を形成する工程は、前記第１のスクライブ領域と前記第２のスクライブ領域との両方において、隣接する前記交差領域の間の中央部に前記スクライブ溝を形成することを特徴とする半導体ウエハの劈開方法である。本発明によれば、半導体ウエハを劈開する際にスクライブ溝に与えた応力が、劈開方向以外の方向に伝搬され難くなり、割れ、欠け、亀裂が発生することを抑制できる。

本発明は、半導体ウエハの表面に設けられた第１の方向に延伸する複数の第１のスクライブ領域と前記第１の方向に交差する第２の方向に延伸する複数の第２のスクライブ領域との夫々に、前記第１のスクライブ領域と前記第２のスクライブ領域とが交差する交差領域に入り込まないように不連続線のスクライブ溝を形成する工程と、前記スクライブ溝に応力を与えて前記半導体ウエハを劈開する工程と、を有し、前記スクライブ溝を形成する工程は、前記第１のスクライブ領域では、隣接する前記交差領域の間の中央部に前記スクライブ溝を形成し、前記第２のスクライブ領域では、前記交差領域に寄せて前記スクライブ溝を形成することを特徴とする半導体ウエハの劈開方法である。本発明によれば、半導体ウエハを劈開する際にスクライブ溝に与えた応力が、劈開方向以外の方向に伝搬され難くなり、割れ、欠け、亀裂が発生することを抑制できる。

上記構成において、前記半導体ウエハを劈開する工程は、前記第１のスクライブ領域に形成された前記スクライブ溝に応力を与えて前記半導体ウエハをアレイ化した後、前記第２のスクライブ領域に形成された前記スクライブ溝に応力を与えてチップ化する構成とすることができる。

本発明によれば、半導体ウエハを劈開する際にスクライブ溝に与えた応力が、劈開方向以外の方向に伝搬され難くなり、割れ、欠け、亀裂が発生することを抑制できる。

図１（ａ）および図１（ｂ）は、実施例１に係る半導体ウエハの劈開方法を用いて、半導体ウエハからチップを製造する工程を示す模式図（その１）の例である。 図２（ａ）から図２（ｃ）は、実施例１に係る半導体ウエハの劈開方法を用いて、半導体ウエハからチップを製造する工程を示す模式図（その２）の例である。 図３は、比較例１に係る半導体ウエハの劈開方法を用いてスクライブ溝を形成した場合の、半導体ウエハの上面から見た模式図の例である。 図４は、比較例２に係る半導体ウエハの劈開方法を用いてスクライブ溝を形成した場合の、半導体ウエハの上面から見た模式図の例である。 図５は、実施例２に係る半導体ウエハの劈開方法を用いてスクライブ溝を形成した場合の、半導体ウエハの上面から見た模式図の例である。 図６は、実施例２の変形例１に係る半導体ウエハの劈開方法を用いてスクライブ溝を形成した場合の、半導体ウエハの上面から見た模式図の例である。

以下、図面を参照して、本発明の実施例を説明する。

図１（ａ）から図２（ｃ）は、実施例１に係る半導体ウエハの劈開方法を用いて、半導体ウエハからチップを製造する工程を示す模式図の例である。図１（ａ）は、スクライブ溝を形成した後の半導体ウエハを上面から見た模式図である。図１（ｂ）は、アレイ化する際の半導体ウエハを側面から見た模式図である、図２（ａ）は、アレイ化した半導体ウエハを上面から見た模式図である。図２（ｂ）は、チップ化する際の半導体ウエハを側面から見た模式図である。図２（ｃ）は、チップを上面から見た模式図である。

まず、図１（ａ）を用いて、半導体ウエハ１０の表面にスクライブ溝を形成する工程を説明する。最初に、表面に複数の素子（例えば、ＬＤ（レーザダイオード）素子やＰＤ（フォトダイオード）素子）が形成された半導体ウエハ１０を準備する。複数の素子は、格子状に区切られた複数の素子形成領域１６に夫々形成されている。半導体ウエハ１０は、例えばＩｎＰ、ＧａＡｓ、Ｇａ、Ｓｉなどの半導体基板を用いることができる。素子形成領域１６の周囲には、スクライブ領域２２が設けられている。スクライブ領域２２は、横方向（第１の方向）に延伸した第１のスクライブ領域１８と、横方向に直交した方向である縦方向（第２の方向）に延伸した第２のスクライブ領域２０と、で構成される。即ち、スクライブ領域２２は、格子状に設けられている。また、スクライブ領域２２では、チップ化を容易にすべく、半導体ウエハ１０上に膜が形成されてなく、半導体ウエハ１０の表面が露出している。

このような半導体ウエハ１０を準備した後、半導体ウエハ１０の裏面に粘着テープ２４を貼り付ける。粘着テープ２４は、例えばダイシングテープなどを用いることができる。その後、スクライブ装置にて、第１のスクライブ領域１８に第１のスクライブ溝２６を形成し、第２のスクライブ領域２０に第２のスクライブ溝２８を形成する。第１のスクライブ溝２６と第２のスクライブ溝２８との形成は、一定間隔で設けられた破線状の溝とし、第１のスクライブ領域１８と第２のスクライブ領域２０とが交差する交差領域３０に入り込まないように形成する。また、第１のスクライブ溝２６の長さと第２のスクライブ溝２８の長さは共に素子形成領域１６の幅Ｘよりも短くなるように形成し、第１のスクライブ溝２６と第２のスクライブ溝２８とを夫々、隣接する交差領域３０の間の中央部に位置するように形成する。即ち、第１のスクライブ溝２６と第２のスクライブ溝２８とを、１つの素子形成領域１６を構成する辺の中央部に位置するように形成する。第１のスクライブ溝２６の長さと第２のスクライブ溝２８の長さは、例えば素子形成領域１６の幅Ｘの半分程度の長さとすることができる。また、第１のスクライブ溝２６の長さと第２のスクライブ溝２８の長さとは同じ長さとすることができる。

次に、図１（ｂ）を用いて、アレイ化のために半導体ウエハ１０を劈開する工程を説明する。半導体ウエハ１０の表面に形成された第１のスクライブ溝２６に対応した半導体ウエハ１０の裏面側に、粘着テープ２４を介して劈開ブレード３２を配置する。半導体ウエハ１０の表面側には、開口部３４を有する台座３６を配置し、劈開ブレード３２により劈開を行おうとする第１のスクライブ溝２６が開口部３４に位置するように位置合せをする。そして、劈開ブレード３２にて半導体ウエハ１０の裏面側から破線状の第１のスクライブ溝２６に応力を与えることで、半導体ウエハ１０を劈開する。複数の第１のスクライブ溝２６夫々に対して、劈開ブレード３２を用いて半導体ウエハ１０を劈開することで、複数のアレイ化した半導体ウエハ１２が得られる。複数のアレイ化した半導体ウエハ１２は、粘着テープ２４上に並んだ状態になる。図２（ａ）には、簡略化のため、粘着テープ２４上に並んだ複数のアレイ化した半導体ウエハ１２のうちの１つの半導体ウエハ１２を図示している。

次に、図２（ｂ）を用いて、チップ化のためにアレイ化した半導体ウエハ１２を劈開する工程を説明する。図１（ｂ）で説明したアレイ化の場合と同様に、アレイ化した半導体ウエハ１２の表面に形成されている第２のスクライブ溝２８に対応した半導体ウエハ１２の裏面側に、粘着テープ２４を介して劈開ブレード３２を配置する。また、半導体ウエハ１２の表面側には、劈開を行おうとする第２のスクライブ溝２８が開口部３４に位置するように台座３６を位置合せする。そして、劈開ブレード３２にて半導体ウエハ１２の裏面側から破線状の第２のスクライブ溝２８に応力を与えることで、半導体ウエハ１２を劈開する。複数の第２のスクライブ溝２８夫々に対して、劈開ブレード３２を用いて半導体ウエハ１２を劈開することで、複数のチップ１４が得られる。複数のチップ１４は、粘着テープ２４上に並んだ状態になる。図２（ｃ）には、粘着テープ２４上に並んだ複数のチップ１４のうちの１つのチップ１４を図示している。

以上のような、実施例１に係る半導体ウエハの劈開方法を用いて半導体ウエハからチップを形成した場合の効果を、比較例１に係る劈開方法および比較例２に係る劈開方法を用いて半導体ウエハからチップを形成した場合と比較して説明する。比較例１に係る劈開方法は、図１（ａ）で説明したスクライブ溝を形成する工程において、第１のスクライブ領域１８に形成する第１のスクライブ溝２６と、第２のスクライブ領域２０に形成する第２のスクライブ溝２８と、を夫々連続線状とした場合である。図３に、比較例１に係る劈開方法にてスクライブ溝を形成した後の半導体ウエハを上面から見た模式図の例を示す。図３のように、スクライブ装置にて、第１のスクライブ領域１８に連続線状の第１のスクライブ溝２６を形成し、第２のスクライブ領域２０に連続線状の第２のスクライブ溝２８を形成する。その後の、半導体ウエハ１０の劈開工程は、図１（ｂ）および図２（ｂ）で説明した劈開方法と同様の方法を用いる。即ち、劈開ブレード３２にて、連続線状の第１のスクライブ溝２６に応力を与えて劈開してアレイ化する。その後、劈開ブレード３２にて、連続線状の第２のスクライブ溝２８に応力を与えて劈開してチップ化する。

比較例２に係る劈開方法は、図１（ａ）で説明したスクライブ溝を形成する工程において、第１のスクライブ領域１８に形成する第１のスクライブ溝２６を連続線状とし、第２のスクライブ領域２０に形成する第２のスクライブ溝２８を破線状とした場合の例である。図４に、比較例２に係る劈開方法にてスクライブ溝を形成した後の半導体ウエハを上面から見た模式図の例を示す。図４のように、スクライブ装置にて、第１のスクライブ領域１８に連続線状の第１のスクライブ溝２６を形成し、第２のスクライブ領域２０に破線状の第２のスクライブ溝２８を形成する。第２のスクライブ溝２８は、実施例１と同様に、交差領域３０に入り込まないように、隣接する交差領域３０の間の中央部に形成する。その後の、半導体ウエハ１０の劈開工程は、図１（ｂ）および図２（ｂ）で説明した劈開方法と同様の方法を用いる。即ち、劈開ブレード３２にて、連続線状の第１のスクライブ溝２６に応力を与えて劈開してアレイ化する。その後、劈開ブレード３２にて、破線状の第２のスクライブ溝２８に応力を与えて劈開してチップ化する。

実施例１、比較例１、および比較例２に係る劈開方法を用いて半導体ウエハからチップを製造した場合のチップ歩留まりについて説明する。製造条件を以下に示す。実施例１、比較例１、および比較例２に係る劈開方法何れの場合でも、厚さが１５０μｍで１４．４ｍｍ×１４．４ｍｍの大きさのＩｎＰ基板の表面に１２９６個の素子が形成された試料を用いた。粘着テープ２４は、厚さが８０μｍで材料が塩化ビニルフィルムの物を用いた。第１のスクライブ領域１８および第２のスクライブ領域２０の幅は共に５０μｍである。また、実施例１における第１のスクライブ溝２６と第２のスクライブ溝２８の長さは共に２００μｍである。比較例２における第２のスクライブ溝２８の長さも２００μｍである。チップ化した後のチップサイズは、４００μｍ×４００μｍである。また、歩留まりは、全チップ数（１２９６個）に対する良品チップ数の割合として算出した。ここで、良品チップとは、チップの素子形成領域１６に達する割れ、欠け、亀裂が発生していないチップとし、不良品チップとは、チップの素子形成領域１６にまで達する割れ、欠け、亀裂が発生しているチップとした。

表１は、実施例１、比較例１、および比較例２に係る劈開方法を用いて半導体ウエハからチップを製造した場合のチップ歩留まりの結果である。表１のように、第１のスクライブ溝２６と第２のスクライブ溝２８とを連続線状とした比較例１に係る劈開方法では、チップ歩留まりは８４．０％であった。これに対し、第１のスクライブ溝２６を連続線状とし、第２のスクライブ溝２８を破線状とした比較例２に係る劈開方法では、チップ歩留まりが９２．７％と改善した。さらに、第１のスクライブ溝２６と第２のスクライブ溝２８とを破線状とした実施例１に係る劈開方法では、チップ歩留まりが９６．４％とさらに改善した。

このように、実施例１に係る劈開方法を用いることで、チップ歩留まりが改善した理由は以下のように推測される。比較例１に係る劈開方法では、第１のスクライブ溝２６と第２のスクライブ溝２８とを連続線状としているため、第１のスクライブ領域１８と第２のスクライブ領域２０とが交差する交差領域３０で、第１のスクライブ溝２６と第２のスクライブ溝２８とが交差する。このため、アレイ化する際の劈開工程で第１のスクライブ溝２６に与えた応力は、第２のスクライブ溝２８が形成された方向にも伝搬され易くなり、割れ、欠け、亀裂が生じ易く歩留まりが悪くなると考えられる。一方、比較例２に係る劈開方法では、第２のスクライブ溝２８を破線状とし、第１のスクライブ溝２６と第２のスクライブ溝２８とが交差領域３０で交差しないような構造としている。このため、第１のスクライブ溝２６に与えた応力は、第２のスクライブ領域２０の延伸方向には伝搬され難くなり、割れ、欠け、亀裂が発生することが抑制されたものと考えられる。しかしながら、比較例２に係る劈開方法においても、第１のスクライブ溝２６は連続線状であり、交差領域３０に入り込んでいる。このため、第１のスクライブ溝２６に与えた応力は、交差領域３０に入り込んだ部分の第１のスクライブ溝２６が起点となって、例えば第２のスクライブ領域２０の延伸方向など、劈開方向以外の方向に伝搬され、割れ、欠け、亀裂が発生することが考えられる。これに対し、実施例１に係る劈開方法では、第１のスクライブ溝２６と第２のスクライブ溝２８とを破線状にすると共に、交差領域３０に入り込まないようにしている。これにより、第１のスクライブ溝２６に応力を与えた場合でも、応力が、例えば第２のスクライブ領域２０の延伸方向などの劈開方向以外の方向に伝搬されることが抑制され、割れ、欠け、亀裂の発生が抑制され、チップ歩留まりが向上したものと考えられる。

以上説明してきたように、実施例１に係る劈開方法によれば、第１の方向に延伸する複数の第１のスクライブ領域１８と第１の方向に交差する第２の方向に延伸する複数の第２のスクライブ領域２０との夫々に、交差領域３０に入り込まないような破線状の第１のスクライブ溝２６と第２のスクライブ溝２８とを形成する。そして、第１のスクライブ溝２６および第２のスクライブ溝２８に応力を与えることで半導体ウエハ１０を劈開する。このように、第１のスクライブ溝２６と第２のスクライブ溝２８とを交差領域３０に入り込まないように形成することで、半導体ウエハ１０を劈開する際に第１のスクライブ溝２６に与えた応力が、第２のスクライブ領域２０の延伸方向など、劈開方向以外の方向に伝搬され難くなる。これにより、半導体ウエハを劈開する際に割れ、欠け、亀裂の発生が抑制でき、表１に示したようにチップ歩留まりが向上できる。

第１のスクライブ溝２６の長さおよび第２のスクライブ溝２８の長さは、素子形成領域１６の幅Ｘよりも短い長さとする場合が好ましい。これにより、第１のスクライブ領域１８および第２のスクライブ領域２０において、スクライブ溝が形成されていない領域を大きくすることができる。スクライブ溝が形成されていない領域は、スクライブ溝が形成されている領域に比べて、劈開工程で生じる応力に対して強くなるため、劈開方向以外の方向に応力が伝搬した場合でも、割れ、欠け、亀裂の発生をより抑制できる。また、割れ、欠け、亀裂の発生の抑制と劈開の容易性との兼ね合いを考慮すると、第１のスクライブ溝２６の長さと第２のスクライブ溝２８の長さは、素子形成領域１６の幅Ｘの半分程度の長さである場合が好ましい。

実施例１においては、第１のスクライブ溝２６と第２のスクライブ溝２８とは夫々、一定間隔で形成された破線状である場合を説明したが、一定間隔で形成されている場合に限らず、不規則な間隔で形成されている場合でもよい。即ち、第１のスクライブ溝２６と第２のスクライブ溝２８とは、交差領域３０に入り込まないような不連続線の場合であればよい。この場合でも、第１のスクライブ溝２６に与えた応力が、劈開方向以外の方向に伝搬されることを抑制でき、割れ、欠け、亀裂の発生を抑制できる。また、第１のスクライブ溝２６の長さと第２のスクライブ溝２８の長さとは、同じ長さである場合に限られず、異なる長さの場合でもよい。また、第１のスクライブ溝２６の長さと第２のスクライブ溝２８の長さとは、素子形成領域１６の幅Ｘよりも短い場合に限られる訳ではなく、素子形成領域１６の幅Ｘと等しい長さである場合でもよい。

表１に示したチップ歩留まりの結果は、厚さが１５０μｍのＩｎＰ基板を用いた場合を例に示した。しかしながら、１５０μｍ以外の厚さのＩｎＰ基板を用いた場合であっても、実施例１に係る劈開方法を用いた場合は、比較例１および比較例２に係る劈開方法を用いた場合に比べて、チップ歩留まりが向上するという傾向が得られた。

実施例２は、第１のスクライブ領域１８に形成する第１のスクライブ溝２６および第２のスクライブ領域２０に形成する第２のスクライブ溝２８のうち少なくとも一方のスクライブ溝を、交差領域３０に寄せて形成する場合の例である。

図５に、実施例２に係る劈開方法にてスクライブ溝を形成した後の半導体ウエハを上面から見た模式図の例を示す。図５のように、第１のスクライブ領域１８では、隣接する交差領域３０の間の中央部に位置する破線状の第１のスクライブ溝２６を形成する。第２のスクライブ領域２０では、交差領域３０に寄せて破線状の第２のスクライブ溝２８を形成する。例えば、第２のスクライブ溝２８の先端部３８は、第１のスクライブ領域１８に平行な素子形成領域１６の２つの辺のうち一方の辺を延伸させた線上に位置するように形成する。その他の構成については、図１（ａ）と同じであるため、ここでは説明を省略する。

その後の半導体ウエハ１０の劈開工程は、図１（ｂ）および図２（ｂ）で説明した劈開方法と同様な方法を用いる。即ち、劈開ブレード３２にて、隣接する交差領域３０の中央部に形成された第１のスクライブ溝２６に応力を与えて劈開してアレイ化する。その後、劈開ブレード３２にて、交差領域３０に寄せて形成された第２のスクライブ溝２８に応力を与えて劈開してチップ化する。

次に、図６に、実施例２の変形例１に係る劈開方法にてスクライブ溝を形成した後の半導体ウエハを上面から見た模式図の例を示す。図６のように、第１のスクライブ領域１８では、交差領域３０に寄せて破線状の第１のスクライブ溝２６を形成する。同様に、第２のスクライブ領域２０でも、交差領域３０に寄せて破線状の第２のスクライブ溝２８を形成する。例えば、第１のスクライブ溝２６の先端部４０は、第２のスクライブ領域２０に平行な素子形成領域１６の２つの辺のうち一方の辺を延伸させた線上に位置するように形成する。第２のスクライブ溝２８の先端部３８は、第１のスクライブ領域１８に平行な素子形成領域１６の２つの辺のうち一方の辺を延伸させた線上に位置するように形成する。

その後の半導体ウエハ１０の劈開工程は、図１（ｂ）および図２（ｂ）で説明した劈開方法と同様な方法を用いる。即ち、劈開ブレード３２にて、交差領域３０に寄せて形成された第１のスクライブ溝２６に応力を与えて劈開してアレイ化する。その後、劈開ブレード３２にて、交差領域３０に寄せて形成された第２のスクライブ溝２８に応力を与えて劈開してチップ化する。

このような実施例２および実施例２の変形例１に係る劈開方法を用いて半導体ウエハからチップを製造した場合のチップ歩留まりについて説明する。製造条件は、表１に示した実施例１に係る劈開方法での製造条件と同じ条件を用いた。表２は、実施例２および実施例２の変形例１に係る劈開方法を用いて半導体ウエハからチップを製造した場合のチップ歩留まりの結果である。なお、比較のために、実施例１に係る劈開方法を用いて半導体ウエハからチップを製造した場合のチップ歩留まりの結果も示す。表２のように、隣接する交差領域３０の間の中央部に破線状の第１のスクライブ溝２６と第２のスクライブ溝２８とを形成した実施例１に係る劈開方法では、チップ歩留まりは９６．４％であった。これに対し、交差領域３０に寄せて破線状の第１のスクライブ溝２６と第２のスクライブ溝２８とを形成した実施例２の変形例１に係る劈開方法では、チップ歩留まりは９８．５％と改善した。また、隣接する交差領域３０の間の中央部に破線状の第１のスクライブ溝２６を形成し、交差領域３０に寄せて破線状の第２のスクライブ溝２８を形成した実施例２に係る劈開方法でも、チップ歩留まりは９９．２％と改善した。

以上説明してきたように、実施例２に係る劈開方法は、第１のスクライブ領域１８では隣接する交差領域３０の間の中央部に第１のスクライブ溝２６を形成し、第２のスクライブ領域２０では交差領域３０に寄せて第２のスクライブ溝２８を形成する。その後、第１のスクライブ溝２６に応力を与えてアレイ化した後、第２のスクライブ溝２８に応力を与えてチップ化をする。チップ化ではアレイ化の場合に比べて半導体ウエハが割り難いため、割れ、欠け、亀裂が発生し易い。しかしながら、実施例２に係る劈開方法のように、チップ化の際に使用する第２のスクライブ溝２８を交差領域３０に寄せることで、より劈開性を利用してチップ化を行うことができる。このため、チップ化の際に割れ、欠け、亀裂が発生することを抑制でき、表２で示したように歩留まりが向上できる。

また、実施例２の変形例１に係る劈開方法のように、第１のスクライブ領域１８と第２のスクライブ領域２０との両方で、交差領域３０に寄せて第１のスクライブ溝２６と第２のスクライブ溝２８を形成する場合でも、実施例２と同様に、チップ化の際に、より劈開性を利用できる。よって、チップ化の際に割れ、欠け、亀裂が発生することを抑制でき、表２で示したように歩留まりが向上できる。

実施例２および実施例２の変形例１に係る劈開方法のように、チップ化に使用する第２のスクライブ溝２８は、一定間隔で設けられた破線状をした溝である場合が好ましい。これにより、アレイ化した半導体ウエハ１２において、複数の第２のスクライブ溝２８の先端部３８は、半導体ウエハ１２の一辺から等間隔に位置する構造となる。このため、劈開性をより利用した劈開を容易に且つ確実に行うことができる。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ 半導体ウエハ
１２ アレイ化した半導体ウエハ
１４ チップ
１６ 素子形成領域
１８ 第１のスクライブ領域
２０ 第２のスクライブ領域
２２ スクライブ領域
２４ 粘着テープ
２６ 第１のスクライブ溝
２８ 第２のスクライブ溝
３０ 交差領域
３２ 劈開ブレード
３４ 開口部
３６ 台座
３８ 第２のスクライブ溝の先端部
４０ 第１のスクライブ溝の先端部

Claims (3)

1. 半導体ウエハの表面に設けられた第１の方向に延伸する複数の第１のスクライブ領域と前記第１の方向に交差する第２の方向に延伸する複数の第２のスクライブ領域との夫々に、前記第１のスクライブ領域と前記第２のスクライブ領域とが交差する交差領域に入り込まないように不連続線のスクライブ溝を形成する工程と、
   前記スクライブ溝に応力を与えて前記半導体ウエハを劈開する工程と、を有し、
   前記スクライブ溝を形成する工程は、前記第１のスクライブ領域と前記第２のスクライブ領域との両方において、隣接する前記交差領域の間の中央部に前記スクライブ溝を形成することを特徴とする半導体ウエハの劈開方法。
2. 半導体ウエハの表面に設けられた第１の方向に延伸する複数の第１のスクライブ領域と前記第１の方向に交差する第２の方向に延伸する複数の第２のスクライブ領域との夫々に、前記第１のスクライブ領域と前記第２のスクライブ領域とが交差する交差領域に入り込まないように不連続線のスクライブ溝を形成する工程と、
   前記スクライブ溝に応力を与えて前記半導体ウエハを劈開する工程と、を有し、
   前記スクライブ溝を形成する工程は、前記第１のスクライブ領域では、隣接する前記交差領域の間の中央部に前記スクライブ溝を形成し、前記第２のスクライブ領域では、前記交差領域に寄せて前記スクライブ溝を形成することを特徴とする半導体ウエハの劈開方法。
3. 前記半導体ウエハを劈開する工程は、前記第１のスクライブ領域に形成された前記スクライブ溝に応力を与えて前記半導体ウエハをアレイ化した後、前記第２のスクライブ領域に形成された前記スクライブ溝に応力を与えてチップ化することを特徴とする請求項１または２記載の半導体ウエハの劈開方法。

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