JP2016046461A - 半導体発光素子ウエハ及び半導体発光素子並びに半導体発光素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体発光素子の光取り出し効率の向上にあたり、基板の裏面側に比較的大きな凹凸を採用しても、半導体発光素子ウエハの状態から個々の半導体発光素子へと分離するための切断起点部を形成する位置としての分離領域を容易に検出して特定することを可能とする。
【解決手段】半導体発光素子ウエハは、第１の面と、その反対側の面である第２の面とを有する基板と、該第１の面に形成される半導体発光素子層とから成る。半導体発光素子ウエハには、複数の半導体発光素子基体が形成され、該半導体発光素子基体は、隣接する半導体発光素子基体同士の境界部に分離領域を有している。基板の第２の面に於いて、分離領域に該当しない部分は粗面部となっており、分離領域に該当する部分は、分離領域に該当しない部分よりも平坦であるとともに、切断起点部が形成されている。
【選択図】図３

Description

本発明は、半導体発光素子ウエハ及び半導体発光素子並びに半導体発光素子の製造方法に関する。

半導体発光素子の光取り出し効率の向上について、様々な提案が成されている。例えば、特許文献１では、フリップチップ素子（ＦＣ素子）の様な、主に基板の裏面側（半導体層が形成されていない側）から光を取り出す素子について、基板の裏面側に加工を施して凹凸を形成し、粗面化する構成が提案されている。この構成に於いては、半導体発光素子ウエハの状態から個々の半導体発光素子へと分離するにあたって、基板へレーザ光を照射して、基板の内部に改質部を形成し、該改質部を分離するための切断起点部としている。そして、基板の内部に於ける切断起点部とする位置に、レーザ光の焦光点を正確に合せることを可能とするため、基板の裏面側の凹凸の程度として、表面粗さＲａを３ｎｍ〜２５ｎｍとしている。また、特許文献２では、基板の裏面側の凹凸の程度として、凹凸の高さを３００ｎｍ〜５００ｎｍとしたものが提案されている。また、特許文献３や特許文献４では、半導体発光素子ウエハの状態から個々の半導体発光素子へと分離するにあたって、基板の裏面側に切断起点部としての溝（スクライブライン）を、予め形成しておく方法が提案されている。

特開２０１０−１０３４２４号公報 特開２００６−１００５１８号公報 特開２００５−１０９４３２号公報 特開平１１−３５４８４１号公報

しかし乍ら、特許文献１では、レーザ光の焦光点を正確に合せるために、基板の裏面側の凹凸の程度として表面粗さＲａを３ｎｍ〜２５ｎｍとしていることから、特許文献２の様な、比較的大きな凹凸を基板の裏面側に形成する技術に対して、特許文献１の技術をそのまま適用することは困難である。また、特許文献２の技術に対して、特許文献３や特許文献４の技術を適用し、基板の裏面側を粗面化するための凹凸を形成した後に、切断起点部としての溝を形成することにより、前述の課題の解決を図ることが考えられるものの、溝の形成の際に、真直ぐな溝を形成しようとしても、凹凸の形状の影響を受けて、溝が蛇行した状態で形成されてしまう懸念が有る。更に、その様な溝を用いて分離工程を行った場合には、半導体発光素子同士を上手く分離することが出来なかったり、分離することが出来たとしても、溝の蛇行の影響を受けて、半導体発光素子の分離した部分の形状的なバラツキが発生し、それに起因した、半導体発光素子間の性能のバラツキを引き起こすことが懸念される。別の解決手段としては、凹凸の形成に先駆けて、基板の裏面側に溝を設けることが考えられるものの、凹凸の形成の際に溝の部分も影響を受けることが予想される。例えば、溝の深さを比較的浅く設定した場合には、凹凸の中に溝が紛れ込んでしまい、分離工程の際に、光学顕微鏡等を用いたとしても、人間の目視による確認では、切断起点部としての溝の位置の特定が困難となってしまう懸念が有る。或いは、凹凸の程度よりも溝の深さを深く形成しておくことも考えられるが、半導体発光素子ウエハに溝を加工した後に、凹凸を形成する工程へ搬送する際、半導体発光素子ウエハが溝を起点として割れて破損してしまう懸念が有る。更に別の解決手段としては、切断起点部を、半導体発光素子ウエハの基板の裏面側ではなく、半導体発光素子層側に形成する方法も考えられる。しかし乍ら、この様な方法を採用した場合には、半導体発光素子ウエハの分離工程の際に、半導体発光素子層を形成した側を受け台に当接させ、基板の裏面側から分離刃を当てて加圧することとなるため、半導体発光素子層への加圧による半導体発光素子層の損傷が懸念される。

本発明に於いては、半導体発光素子の光取り出し効率の向上を図るべく、基板の裏面側に比較的大きな凹凸を採用しても、半導体発光素子ウエハの状態から個々の半導体発光素子へと分離する際に於ける、前述の様な懸念事項を解消可能とする、半導体発光素子ウエハ及び半導体発光素子並びに半導体発光素子の製造方法について提案する。より詳細には、半導体発光素子ウエハの状態から個々の半導体発光素子へと分離するための切断起点部を形成する位置としての分離領域を容易に検出して特定することを可能とし、更に、半導体発光素子の分離工程に於いて、半導体発光素子への加圧による半導体発光素子の損傷が抑制されることを可能とする、半導体発光素子ウエハ及び半導体発光素子並びに半導体発光素子の製造方法について提案する。

本発明は、第１の面と、その反対側の面である第２の面とを有する基板と、第１の面に形成される半導体発光素子層とから成る、半導体発光素子ウエハであって、半導体発光素子ウエハには、複数の半導体発光素子基体が形成され、半導体発光素子基体は、隣接する半導体発光素子基体同士の境界部に分離領域を有し、分離領域は、半導体発光素子基体に於ける機能部分の周囲を囲む様に形成され、第２の面に於いて、分離領域に該当しない部分は粗面部となっており、分離領域に該当する部分は、分離領域に該当しない部分よりも平坦であり、分離領域には、切断起点部が形成されていることを特徴とする。

本発明の半導体発光素子に於いては、第１の面と、その反対側の面である第２の面とを有する基板と、第１の面に形成される半導体発光素子層とから成る半導体発光素子ウエハに形成された複数の半導体発光素子基体が分離されて成る半導体発光素子であって、隣接する半導体発光素子基体同士の境界部に於いて、少なくとも一部に半導体発光素子基体同士が分離された後に残る残存部分を有し、残存部分は、半導体発光素子に於ける機能部分の周囲を囲む様に形成され、第２の面に於いて、残存部分に該当しない部分は粗面部となっており、残存部分に該当する部分は、残存部分に該当しない部分よりも平坦であることを特徴とする。

本発明の半導体発光素子の製造方法に於いては、基板に於ける第１の面に半導体発光素子層を形成する工程と、第１の面の反対側の面である第２の面を粗面化する工程と、隣接する半導体発光素子基体同士を境界部の分離領域に於いて分離する工程とを有する半導体発光素子の製造方法であって、第２の面に於いて、半導体発光素子基体に於ける機能部分の周囲を囲む部位であって、分離領域に該当する部分を、平坦化する平坦化工程と、第２の面に於いて、分離領域以外の部分を粗面化する粗面化工程と、平坦化工程を経た後に、分離領域に切断起点部を形成する加工工程とを有することを特徴とする。

本発明の半導体発光素子ウエハに於いては、半導体発光素子ウエハに形成された、隣接する半導体発光素子基体同士の境界部の分離領域について、基板の第２の面側である裏面側に於いて、分離領域に該当しない部分である粗面部よりも平坦である。従って、特許文献１に開示される半導体発光素子ウエハと比較して、基板の裏面側に比較的大きな凹凸を採用しても、半導体発光素子ウエハの状態から個々の半導体発光素子へと分離するための切断起点部を形成する位置としての分離領域を容易に検出して特定することが可能となる。また、切断起点部の形成も容易に行えることとなる。更に、分離領域を半導体発光素子基体の機能部分よりも外側に設けていることから、基板の裏面側の平坦部を必要最小限に留めることとなる。

本発明の半導体発光素子に於いては、半導体発光素子ウエハの状態から個々の半導体発光素子へと分離した際の残存部分を、半導体発光素子の機能部分よりも外側の部位に設けるとともに、該残存部分は、基板の第２の面側である裏面側に於いて、残存部分に該当しない部分である粗面部よりも平坦である。従って、特許文献１に開示される半導体発光素子と比較して、基板の外周部分となる僅かな領域を除いて、基板の裏面側の殆どの領域に、比較的大きな凹凸が形成されるとともに、分離の際に必要となる平坦な残存部分が、必要最小限に留められている。

本発明の半導体発光素子の製造方法に於いては、基板の第２の面である裏面に於いて切断起点部を形成する部位が、平坦化されている。従って、特許文献１に開示される半導体発光素子の製造方法と比較して、基板の裏面側に比較的大きな凹凸を採用しても、半導体発光素子ウエハの状態から個々の半導体発光素子へと分離するための切断起点部を形成する位置としての分離領域を容易に検出して特定することが可能となるとともに、切断起点部の形成を容易に行えることとなる。更に、分離領域を半導体発光素子層の機能部分よりも外側に設けていることから、基板の裏面側の平坦部を必要最小限に留めることとなる。

図１は本発明の半導体発光素子ウエハの正面図である。（実施例１） 図２は図１の半導体発光素子ウエハのＡ部を拡大した部分拡大図である。（実施例１） 図３は図２の半導体発光素子ウエハのＢ−Ｂ断面の部分断面図である。（実施例１） 図４は図３の半導体発光素子ウエハのＣ部を拡大した部分拡大図である。（実施例１） 図５は本発明の半導体発光素子の断面図である。（実施例１） 図６は本発明の半導体発光素子の製造方法の工程を示す図である。（実施例１）

以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。なお、実施例では、フリップチップ型の半導体発光素子（フリップチップ素子）を例に採り、その構成と製造方法について説明する。また、全ての図は、半導体発光素子ウエハ及び半導体発光素子の構成を判り易くするために模式的に描いている。

先ず、実施例１の半導体発光素子ウエハ１の構成について説明する。

図１から図４に示す様に、この半導体発光素子ウエハ１は、オリエンテーションフラット部２となる直線状部分を有した、略円形の板状の部材である。半導体発光素子ウエハ１は、窒化ガリウム（ＧａＮ）から成る基板２０と、半導体発光素子層３０とから成り、図３における上方側の面であって、該基板２０の第１の面２１の上に、半導体発光素子層３０が形成されている。第１の面２１の反対側の面であって、基板２０の裏面となる第２の面２２には、粗面部２４と、粗面部２４よりも平坦な平坦面２３が形成されている。基板２０の厚みＴ１は、３０μｍ〜２００μｍの範囲で設定され、この実施例では、１００μｍに設定されている。

半導体発光素子層３０は、窒化ガリウム系のｎ型半導体材料から成る第１の半導体層３１と、窒化ガリウム系の半導体材料から成る発光層３３と、窒化ガリウム系のｐ型半導体材料から成る第２の半導体層３４とが、基板２０の側から順次積層されて形成されている。第１の半導体層３１には、発光層３３と第２の半導体層３４とを除去して形成した露出面３１ｂに、ｎ側パッド電極となる第１の電極となる第１の電極３２が形成されている。第２の半導体層３４には、ｐ側パッド電極となる第２の電極３５が形成されている。第１の半導体層３１の露出面３１ｂと、発光層３３と、第２の半導体層３４と、第１の電極３２と、第２の電極３５とは、実装時の第１の電極３２と第２の電極３５との表面部分を除いて、保護膜３６に被覆されている。保護膜３６は各半導体層や電極を保護するものであり、電気的な絶縁性を有する材料として、ＳｉＯ２を用いている。本明細書に於いては、これ等の半導体層、発光層、電極、保護膜をまとめて、半導体発光素子層３０と称する。

半導体発光素子層３０に於いて、機能部分３０ｂは、後述する分離領域４０に囲まれた領域に形成されている。この機能部分３０ｂは、１つの半導体発光素子基体１０に対して１つ備わっており、第１の半導体層３１の一部と、発光層３３と、第２の半導体層３４と、第１の電極３２と、第２の電極３５と、保護膜３６とから形成され、発光する機能を担う部分である。より詳細には、分離領域４０は、図２に於いて、機能部分３０ｂとして重要な部分である第１の電極３２や第２の半導体層３４が形成されている領域と重複しない様に、それ等の構成要素の外側の部位に形成されており、分離領域４０と機能部分３０ｂとは、隣接している。なお、保護膜３６は、機能部分３０ｂと分離領域４０との境界部分から、機能部分３０ｂの方に幾分控えた部位までを被覆する様に形成されているが、後述する分離工程Ｓ１５０に於いて作業を阻害したりする様な態様でなければ、該境界部分まで延設されていても良く、分離領域４０まで食み出して形成されていても良い。

この半導体発光素子ウエハ１は、複数の半導体発光素子基体１０が、縦横に隣接して並んだ状態となっている。隣接する半導体発光素子基体１０同士の間の部分である境界部には、半導体発光素子基体１０同士を分離して、個々の半導体発光素子１０ａとするための分離領域４０が設けられている。図３に於いて２点鎖線の間に挟まれた斜線部で示される分離領域４０は、図中において１点鎖線で示される分離予定線３を中心として、その幅Ｗ１が２０μｍ〜１００μｍの範囲で設定され、この実施例では、４０μｍに設定されている。この幅Ｗ１は、後述する溝６０を形成する際の加工精度（位置精度）に因って決まるものである。図２に示す様に、半導体発光素子層３０が積層されてゆく方向から見て、半導体発光素子基体１０は、左右方向に横長の矩形となる様に、分離予定線３によって囲まれている。図２に於ける左右方向の分離予定線３は、直線状に形成されたオリエンテーションフラット部２と略平行となる様に設定されている。

基板２０の第２の面２２に於ける分離領域４０には、前述の平坦面２３が形成されている。この平坦面２３は、後述する粗面化工程Ｓ１２０によって粗面部２４が粗面化される際に、第２の面２２の一部が粗面化されずにそのまま残された部分であり、その表面粗さＲａは０．１ｎｍ〜１．０ｎｍの範囲で設定され、この実施例では、０．５ｎｍ程度に設定されている。そして、この平坦面２３には、後述する加工工程Ｓ１４０によって、切断起点部となる溝６０が形成される。

基板２０の第２の面２２に於ける分離領域４０に該当しない部分には、前述の粗面部２４が形成されている。この粗面部２４は、粗面化工程Ｓ１２０によって凹凸が形成されて粗面化される。その凹凸の高さＨ１は１．０μｍ〜１０．０μｍの範囲で設定され、この実施例では、最大で５．０μｍ程度に設定されている。なお、凹凸の高さＨ１は、粗面部２４の凹部の底の部分から、突出した凸部の頂部までの長さで定義される。また、凸部の頂部同士の間のピッチは３．０μｍ〜５．０μｍ程度に設定されている。また、この凹凸の形状は、六角錐である。なお、この凹凸の凸部に於ける頂部は、分離領域４０の平坦面２３に接する平面Ｓを超えない様に形成されている。換言すれば、凹凸の凸部は、基板２０が粗面化される前の第２の面２２を超える様に突出して形成されることはない。

前述の溝６０は、基板２０の第２の面２２に於ける分離領域４０に対して、分離予定線３に沿う様に形成されており、溝を横切る方向の断面形状がＶ字状をしている。また、溝６０は、半導体発光素子基体１０を囲む様に形成されている。平坦面２３に於ける溝６０の開口幅Ｗ２は１０μｍ〜４０μｍの範囲で設定され、この実施例では、２０μｍ程度に設定されている。また、溝６０の深さＤ１は１０μｍ〜４０μｍの範囲で設定され、この実施例では、２０μｍ程度に設定されている。

次に、実施例１の半導体発光素子ウエハ１から製造される、半導体発光素子１０ａの構成について説明する。

図５に示す様に、この半導体発光素子１０ａは、基板２０ａと、半導体発光素子層３０ａとから成り、図５における下方側であって、半導体発光素子層３０ａから基板２０ａへ向かう方向が、光取り出しの主な方向となる、所謂、フリップチップ型の半導体発光素子である。この半導体発光素子１０ａは、図１〜４に於いて１点鎖線で示される分離予定線３に沿って、半導体発光素子ウエハ１に於ける複数の半導体発光素子基体１０を分離することで、個々に分離されて成る。そして、この半導体発光素子１０ａは、半導体発光素子層３０ａが積層されてゆく方向から（換言すれば、図５における上方側から）見て、その外形形状が、左右方向に横長となった矩形に形成されている。

基板２０ａは、半導体発光素子ウエハ１に於ける基板２０が分離されたものであり、その材料は窒化ガリウム（ＧａＮ）である。基板２０ａの第１の面２１ａの上に、半導体発光素子層３０ａが形成されている。第１の面２１ａの反対側の面であって、基板２０ａの裏面となる第２の面２２ａには、粗面部２４ａと、粗面部２４ａよりも平坦な平坦面２３ａが形成されている。隣接する半導体発光素子基体１０同士の間の部分である境界部に設けられた分離領域４０の一部は、半導体発光素子１０ａの外周部分に、残存部分４１として残っており、平坦面２３ａは、基板２０ａの裏面となる第２の面２２ａに於ける残存部分４１に該当する部分に形成されている。なお、基板２０ａに於ける最外周部分となる素子端部１１は、分離予定線３に沿う様に形成され、半導体発光素子１０ａの外形形状（矩形）を形成している。

基板２０ａの第２の面２２ａに於ける残存部分４１に該当しない部分には、前述の粗面部２４ａが形成されている。この凹凸の形状は、六角錐である。なお、この凹凸の凸部に於ける頂部は、残存部分４１の平坦面２３ａに接する平面Ｓａを超えない様に形成されている。

半導体発光素子層３０ａは、半導体発光素子ウエハ１に於ける半導体発光素子層３０が分離されたものである。半導体発光素子層３０ａは、窒化ガリウム系のｎ型半導体材料から成る第１の半導体層３１ａと、窒化ガリウム系の半導体材料から成る発光層３３と、窒化ガリウム系のｐ型半導体材料から成る第２の半導体層３４とが、基板２０ａの側から順次積層されて形成されている。第１の半導体層３１ａには、発光層３３と第２の半導体層３４とを除去した露出面３１ｂに、ｎ側パッド電極となる第１の電極となる第１の電極３２が形成されている。第２の半導体層３４には、ｐ側パッド電極となる第２の電極３５が形成されている。第１の半導体層３１の露出面３１ｂと、発光層３３と、第２の半導体層３４と、第１の電極３２と、第２の電極３５とは、実装時の第１の電極３２と第２の電極３５との表面部分を除いて、保護膜３６に被覆されている。本明細書に於いては、これ等の半導体層、発光層、電極、保護層をまとめて、半導体発光素子層３０ａと称する。なお、第１の半導体層３１ａは、分離される前の半導体発光素子ウエハ１の状態では、半導体発光素子層３０に於ける第１の半導体層３１を形成している。

半導体発光素子層３０ａに於いて、機能部分３０ｂは、残存部分４１に囲まれた領域に形成されている。この機能部分３０ｂは、１つの半導体発光素子１０ａに対して１つ備わっており、第１の半導体層３１ａの一部と、発光層３３と、第２の半導体層３４と、第１の電極３２と、第２の電極３５と、保護膜３６とから形成されている。より詳細に述べれば、残存部分４１の分離前の状態である分離領域４０は、図２に於いて、機能部分３０ｂとして重要な部位である第１の電極３２や第２の半導体層３４が形成されている領域と重複しない様に、それ等の構成要素の外側の部位に形成されており、残存部分４１と機能部分３０ｂとは、隣接している。また、平坦面２３ａを有する残存部分４１は、矩形である半導体発光素子１０ａの外周の４辺全てに形成されていることが望ましいが、この４辺のうち、少なくとも２辺に形成されていれば良い。また、半導体発光素子１０ａに於ける残存部分４１には、溝６０を形成したことにより、切断起点部の痕跡とも云える傾斜面４１ａが形成される。この傾斜面４１ａが存在しない場合に比べて、傾斜面４１ａが存在する分、粗面部２４ａと同様の効果を得ることが期待される。なお、保護膜３６は、機能部分３０ｂと分離領域４０との境界部分から、機能部分３０ｂの方に幾分控えた部位までを被覆する様に形成されているが、後述する分離工程Ｓ１５０に於いて作業を阻害したりする様な態様でなければ、該境界部分まで延設されていても良く、分離領域４０まで食み出して形成されていても良い。

次に、実施例１の半導体発光素子ウエハ１から製造される、半導体発光素子１０ａの製造方法について説明する。

図６に示す様に、先ず、基板２０に対して、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）等を用いて、順次、第１の半導体層３１、発光層３３、第２の半導体層３４を積層して形成する。

次いで、第２の半導体層３４に於ける所定領域上に、被覆部材としてのレジスト材にて被覆し、エッチング用のマスクを形成する。レジスト材の被覆にあたっては、ＣＶＤ法等を用いる。

次いで、前述のマスクで被覆されていない、第１の半導体層３１、発光層３３、第２の半導体層３４の一部をドライエッチング（ＩＣＰ）で除去して、第１の半導体層３１に於ける露出面３１ｂを形成する。

次いで、前述のマスクを除去する。

次いで、スパッタ法等を用いて、第１の電極３２と、第２の電極３５と、保護膜３６とを順次形成する。以上までが、半導体発光素子ウエハ１に於ける、半導体発光素子層３０を形成する形成工程Ｓ１００である。

次いで、基板２０の裏面となる第２の面２２に於ける所定領域上に、被覆部材５０としてのレジスト材にて被覆し、エッチング用のマスクを形成する。第２の面２２に於ける所定領域は、分離領域４０に該当する部分である。この工程が、被覆工程Ｓ１１０である。

次いで、第２の面２２に於いて被覆部材５０で被覆されていない部分をウェットエッチングして凹凸を形成し、粗面化する。この粗面化された部分が、半導体発光素子ウエハ１に於ける、粗面部２４と成る。この工程が、粗面化工程Ｓ１２０である。このウェットエッチングには、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）水溶液を用いることが好ましい。エッチング条件として、濃度２２％、温度６０℃のＴＭＡＨ水溶液中に、半導体発光素子ウエハ１を６０分間浸漬させることで、高さＨ１が５．０μｍ程度の六角錐の凹凸が形成される。

次いで、被覆部材５０を除去する。この工程が除去工程Ｓ１３０である。被覆部材５０で被覆されていたことにより、粗面化工程Ｓ１２０で粗面化されなかった部分が、半導体発光素子ウエハ１に於ける、平坦面２３と成る。なお、実施例１に於いては、粗面化工程Ｓ１２０を間に挟み、被覆工程Ｓ１１０と除去工程Ｓ１３０とが、平坦面２３を形成する平坦化工程を成している。

次いで、半導体発光素子ウエハ１に於ける平坦面２３に、分離予定線３に沿う様に溝６０を形成する。この工程が加工工程Ｓ１４０である。この溝６０の形成にあたっては、ダイヤモンドカッター等を用いる。この溝６０が切断起点部となる。

次いで、基板２０の側（第２の面２２側）が受け台に当接する様に、半導体発光素子ウエハ１を受け台へ配置し、分離予定線３に沿う様に、半導体発光素子層３０側から分離刃を当てて加圧し、半導体発光素子ウエハ１を分離してゆく。これにより、半導体発光素子基体１０が分離されてゆき、個々の半導体発光素子１０ａが製造されることとなる。この工程が分離工程Ｓ１５０である。この分離工程Ｓ１５０に於いては、分離後の半導体発光素子基体１０や半導体発光素子１０ａが散逸したりしない様に、基板２０の第２の面２２側に粘着テープ等を貼付しておいても良い。

以上の様にして、半導体発光素子１０ａが完成する。

以上、図１から図６に基づいて、半導体発光素子ウエハ１、半導体発光素子１０ａの構成と、半導体発光素子１０ａの製造方法を説明してきたが、本発明を実施する上では、下記の様に、更に構成の一部を適宜変更可能である。以下、箇条書きに列記する。
・半導体発光素子ウエハ１に於ける半導体発光素子基体１０の配置の仕方としては、オリエンテーションフラット部２に沿う方向が半導体発光素子基体１０の短手方向となる様に設定しても良い。
・半導体発光素子１０ａは、歩留まりの良さ等の観点から、矩形であることが一般的であり、半導体発光素子ウエハ１を分離する際にも、矩形であることが望ましいが、この点を考慮しなければ、特に外形形状は限定されない。
・半導体発光素子１０ａは、対向して配置される第１の電極３２と第２の電極３５との間を結ぶ方向を、半導体発光素子の長手方向とした、長方形としているが、正方形であっても良い。
・基板２０（２０ａ）の材料は、窒化ガリウム系の材料から成る半導体発光素子層３０を積層して形成する際の作業性や、半導体層の結晶成長性等を考慮すると、同質の材料である窒化ガリウム系の材料を用いることが望ましいが、本発明と同様の加工等が可能であれば、特に材料は限定されず、サファイア等の材料を用いても良い。また、サファイア基板を用いる場合は、半導体層との間に、バッファ層を設けることとしても良い。また、サファイア基板を用いる場合は、粗面部２４（２４ａ）の凸部の高さＨ１は、３００ｎｍ〜５００ｎｍとすることが望ましい。
・基板２０（２０ａ）の粗面部２４（２４ａ）の凹凸の高さＨ１は揃っていても良いが、前述の数値の範囲内であれば、不揃いとなっていても良い。
・基板２０（２０ａ）の粗面部２４（２４ａ）の凹凸の形状は、六角錐に限らず、略コーン状（円錐状）等、任意の形状に設定して良い。
・基板２０（２０ａ）として、半導体発光素子層３０（３０ａ）を形成する面に粗面化加工を施した、所謂加工基板を採用しても良い。具体的には、基板２０（２０ａ）の第１の面２１（２１ａ）に、任意の凹凸形状を形成しても良い。
・基板２０ａに於ける残存部分４１は、パッケージ化する際に、波長変換部材や封止部材を搭載するための部位として利用しても良い。具体的には、それ等の部材の固定面（接着面）として利用可能である。
・基板２０ａに於ける残存部分４１は、配光特性の調整のために、分離工程Ｓ１５０を終えた後に、その一部や、その全てを除去しても良い。或いは、残存部分４１における平坦面２３ａを含んで、その表面を粗面化することとしても良い。
・基板２０ａに形成する切断起点部としては、溝６０でなくとも良く、特許文献１の様にレーザ光を照射することによって改質部を形成する方法を採用しても良い。
・分離領域４０と機能部分３０ｂとの間に、機能部分３０ｂ程には発光する機能に寄与しない、中間的な部位が介在しても良い。即ち、分離領域４０は、機能部分３０ｂから外側に離れているほど望ましい。この様に分離領域４０を形成すれば、分離領域４０内に於いて切断起点部（溝６０）の位置が極端に偏った状態になったとしても、機能部分３０ｂへの影響が抑制されることとなり、半導体発光素子１０ａの性能への影響が抑制される。なお、この場合は、残存部分４１と機能部分３０ｂとの間に、前述した、機能部分３０ｂ程には発光する機能に寄与しない、中間的な部位が介在していることとなる。
・残存部分４１に於ける平坦面２３ａは、基板２０ａの裏面をそのまま利用したものに限られず、例えば、配光特性の調整のために、予め、更に平滑度を向上する加工を施しておいても良い。或いは、粗面化加工の際の被覆部材５０の剥離を抑制するべく、粗面部２４（２４ａ）よりも平坦であり、切断起点部としての溝６０の形成を阻害するものでなければ、多少、粗面化しておいても良い。更に、被覆部材５０を除去した後に於いて、前述の配光特性の調整のために、平滑度を向上する加工を施しても良い。更に、分離工程Ｓ１５０を経た後に於いて、前述の接着面の利便性向上のために粗面化しても良く、この粗面化においては、粗面部２４（２４ａ）より平坦でなくても良い。
・第１の半導体層３１（３１ａ）、発光層３３、第２の半導体層３４はいずれも、図３や図５において単層状に図示されているが、複数の層が積層されて成る態様であっても良い。
・各電極と各半導体層との間に、透明電極層を形成しても良い。
・各電極と各半導体層との間に、各電極と略同形状の電流阻止層や、反射膜を付加しても良い。
・保護膜３６の材料は、ＳｉＯ２に限定されない。また、保護膜３６に反射機能を持たせても良い。
・ＴＭＡＨ水溶液を用いたウェットエッチング条件としては、濃度を５％〜５０％、温度を５０℃〜１００℃、浸漬時間を１０分〜１２０分の範囲内で、任意に設定しても良い。また、ウェットエッチング後に、残渣除去のための洗浄を半導体発光素子ウエハ１に行っても良い。
・半導体発光素子ウエハ１の分離をより容易に行える様に、半導体発光素子層３０側から、溝６１や、溝６２を形成しても良い。溝６１の開口幅Ｗ３は、１０μｍ〜５０μｍの範囲であれば良い。溝６２の開口幅Ｗ４は、５μｍ〜３０μｍの範囲で、溝６１より狭ければ良い。溝６１と溝６２の深さは特に限定されないが、いずれも基板２０に達する深さであれば良く、溝６２の方が溝６１より深く形成されていることが望ましい。各溝の形成順序は特に限定されないが、溝６０、溝６１、溝６２の順序で形成することが望ましい。また、各溝に於ける、溝を横切る方向の断面形状も、特に限定されない。
・溝６０を形成する際の加工精度が高ければ、分離領域４０の幅Ｗ１と溝６０の開口幅Ｗ２とを略同じ寸法としたり、開口幅Ｗ２に対して幅Ｗ１を僅かに大きい寸法として、平坦面２３ａが極力小さくなる様に設定しても良い。
・前述した半導体発光素子１０ａの製造方法は代表的な例であり、同様の構成を得られる製造方法であれば、特にこれに限定されるものではない。

本発明は、フリップチップ型の半導体発光素子を実施例に採り、その構成と製造方法について説明しているが、本発明を適用可能な半導体発光素子としては、これに限られるものではない。

１ ・・・ 半導体発光素子ウエハ（実施例１）
２ ・・・ オリエンテーションフラット部
３ ・・・ 分離予定線
１０ ・・・ 半導体発光素子基体（実施例１）
１０ａ ・・・ 半導体発光素子（実施例１）
１１ ・・・ （半導体発光素子１０ａの）素子端部
２０ ・・・ （半導体発光素子ウエハ１に於ける）基板
２０ａ ・・・ （半導体発光素子１０ａに於ける）基板
２１ ・・・ （基板２０の）第１の面
２１ａ ・・・ （基板２０ａの）第１の面
２２ ・・・ （基板２０の）第２の面
２２ａ ・・・ （基板２０ａの）第２の面
２３ ・・・ （基板２０の）平坦面
２３ａ ・・・ （基板２０ａの）平坦面
２４ ・・・ （基板２０の）粗面部
２４ａ ・・・ （基板２０ａの）粗面部
３０ ・・・ （半導体発光素子ウエハ１に於ける）半導体発光素子層
３０ａ ・・・ （半導体発光素子１０ａに於ける）半導体発光素子層
３０ｂ ・・・ 機能部分
３１ ・・・ （半導体発光素子ウエハ１に於ける）第１の半導体層
３１ａ ・・・ （半導体発光素子１０ａに於ける）第１の半導体層
３１ｂ ・・・ （第１の半導体層３１の）露出面
３２ ・・・ 第１の電極
３３ ・・・ 発光層
３４ ・・・ 第２の半導体層
３５ ・・・ 第２の電極
３６ ・・・ 保護膜
４０ ・・・ 分離領域
４１ ・・・ 残存部分
４１ａ ・・・ （残存部分４１の）傾斜面
５０ ・・・ 被覆部材
６０ ・・・ （切断起点部としての）溝
６１ ・・・ 溝
６２ ・・・ 溝
Ｄ１ ・・・ （溝６０の）深さ
Ｈ１ ・・・ （凹凸の）高さ
Ｓ ・・・ （平坦部２３と接する）平面
Ｓａ ・・・ （平坦部２３ａと接する）平面
Ｓ１００ ・・・ 形成工程
Ｓ１１０ ・・・ 被覆工程
Ｓ１２０ ・・・ 粗面化工程
Ｓ１３０ ・・・ 除去工程
Ｓ１４０ ・・・ 加工工程
Ｓ１５０ ・・・ 分離工程
Ｔ１ ・・・ （基板２０の）厚み
Ｗ１ ・・・ （分離領域４０の）幅
Ｗ２ ・・・ （溝６０の）開口幅
Ｗ３ ・・・ （溝６１の）開口幅
Ｗ４ ・・・ （溝６２の）開口幅

Claims (3)

1. 第１の面と、その反対側の面である第２の面とを有する基板と、
   前記第１の面に形成される半導体発光素子層とから成る、半導体発光素子ウエハであって、
   前記半導体発光素子ウエハには、複数の半導体発光素子基体が形成され、
   前記半導体発光素子基体は、隣接する前記半導体発光素子基体同士の境界部に分離領域を有し、
   前記分離領域は、前記半導体発光素子基体に於ける機能部分の周囲を囲む様に形成され、
   前記第２の面に於いて、前記分離領域に該当しない部分は粗面部となっており、
   前記分離領域に該当する部分は、前記分離領域に該当しない部分よりも平坦であり、
   前記分離領域には、切断起点部が形成されていることを特徴とする半導体発光素子ウエハ。
2. 第１の面と、その反対側の面である第２の面とを有する基板と、前記第１の面に形成される半導体発光素子層とから成る半導体発光素子ウエハに形成された複数の半導体発光素子基体が分離されて成る半導体発光素子であって、
   隣接する前記半導体発光素子基体同士の境界部に於いて、少なくとも一部に前記半導体発光素子基体同士が分離された後に残る残存部分を有し、
   前記残存部分は、前記半導体発光素子に於ける機能部分の周囲を囲む様に形成され、
   前記第２の面に於いて、前記残存部分に該当しない部分は粗面部となっており、前記残存部分に該当する部分は、前記残存部分に該当しない部分よりも平坦であることを特徴とする半導体発光素子。
3. 基板に於ける第１の面に半導体発光素子層を形成する工程と、
   前記第１の面の反対側の面である第２の面を粗面化する工程と、
   隣接する半導体発光素子基体同士を境界部の分離領域に於いて分離する工程とを有する半導体発光素子の製造方法であって、
   前記第２の面に於いて、前記半導体発光素子基体に於ける機能部分の周囲を囲む部位であって、前記分離領域に該当する部分を、平坦化する平坦化工程と、
   前記第２の面に於いて、前記分離領域以外の部分を粗面化する粗面化工程と、
   前記平坦化工程を経た後に、前記分離領域に切断起点部を形成する加工工程とを有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

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