JP6672721B2 - 半導体レーザーおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
第2の目的は、製造プロセスを単純化することが可能な構造の半導体レーザーを得ることである。
図1〜図6は、実施の形態1に係る半導体レーザー10の製造方法を示す断面図である。図1において、半導体基板12は溝14および両側を溝14に挟まれたメサ部17を備える。また、半導体基板12は、メサ部17の上面に電極対応箇所18を備える。
図7〜図9は、実施の形態2に係る半導体レーザー10の製造方法を示す断面図である。本実施の形態では、先ず実施の形態1で示したステップ1〜6を実施する。次に、図7に示すように、ドライフィルム30の上面にハードマスク45を成膜する(ステップ21)。本実施の形態では、ハードマスク45はシリコン酸化膜44である。本実施の形態では、絶縁層124は絶縁膜16、ドライフィルム30、中空部15およびハードマスク45を備える。
図10および図11は、本実施の形態に係る半導体レーザー10の製造方法を示す断面図である。本実施の形態では、まず実施の形態1で示したステップ1〜5を実施する。次に、図10に示すように、絶縁膜16の上面に感光性の永久レジスト36を貼り付ける(ステップ31)。永久レジスト36には東京応用化学製TMMF(登録商標)S2000(商品名)等を用いる。永久レジスト36の貼り付け方法は実施の形態1と同様である。
図12および図13は、本実施の形態に係る半導体レーザー10の製造方法を示す断面図である。本実施の形態では、まず、実施の形態1で示したステップ1〜6を実施する。次にステップ7〜10と同様の工程において、第1開口66に加えて第2開口70も形成する(ステップ41)。図12に示すように、第2開口70は半導体基板12のボンディング対応箇所19に絶縁膜16が露出する様に設けられる。本実施の形態では、ステップ41が開口形成工程である。絶縁層130は、絶縁膜16、中空部15およびドライフィルム30を備える。
Claims (13)
- 溝および両側を前記溝に挟まれたメサ部を備える半導体基板の表面に絶縁膜を成膜する工程と、
前記溝の開口面の少なくとも一部を塞ぐ様に絶縁フィルムを前記絶縁膜の上面に貼り付け、前記半導体基板上に、前記絶縁膜と、前記絶縁フィルムと、前記溝と前記絶縁フィルムに囲まれた中空部と、を備えた絶縁層を形成する工程と、
前記半導体基板のうち前記メサ部の上面の電極対応箇所が露出するように前記絶縁層に第1開口を設ける開口形成工程と、
前記第1開口を埋め込む様に、前記絶縁層の上面に電極を形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体レーザーの製造方法。 - 前記絶縁フィルムはドライフィルムであり、
前記開口形成工程は、
前記絶縁フィルムの上面にフォトレジストを塗布する工程と、
前記フォトレジストをリソグラフィーによりパターン化する工程と、
パターン化されたフォトレジストをエッチングマスクとして前記ドライフィルムをエッチングする工程と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザーの製造方法。 - 前記絶縁フィルムは永久レジストであり、
前記開口形成工程は、
前記永久レジストをリソグラフィーによりパターン化する工程を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザーの製造方法。 - 前記絶縁層を形成する工程は、
前記絶縁フィルムの上面に絶縁性マスクを成膜する工程を含み、
前記開口形成工程は、
エッチングにより前記絶縁性マスクをパターン化する工程と、
パターン化された絶縁性マスクをエッチングマスクとして前記絶縁フィルムをエッチングする工程と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザーの製造方法。 - 前記絶縁フィルムはドライフィルムであることを特徴とする請求項4に記載の半導体レーザーの製造方法。
- 前記絶縁層の上面に電極を形成する工程は、
前記絶縁層の上面にレジストを塗布する工程と、
前記レジストをリソグラフィーによりパターン化する工程と、
前記絶縁層およびパターン化されたレジストの上面に前記第1開口を埋め込む様に金属層を成膜する工程と、
前記レジストを除去することにより前記レジストの上部の前記金属層を取り除き、前記電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の半導体レーザーの製造方法。 - 前記絶縁層の上面に電極を形成する工程は、
前記絶縁層の上面に前記第1開口を埋め込む様に金属層を成膜する工程と、
前記金属層の表面にレジストを塗布する工程と、
前記レジストをリソグラフィーによりパターン化する工程と、
パターン化されたレジストをエッチングマスクとして前記金属層をエッチングすることで、前記電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の半導体レーザーの製造方法。 - 前記開口形成工程は、前記半導体基板のボンディング対応箇所に前記絶縁膜が露出するように第2開口を設ける工程を含み、前記電極は前記第1開口に加えて第2開口も埋め込む様に形成されることを特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載の半導体レーザーの製造方法。
- 溝および両側を前記溝に挟まれたメサ部を備える半導体基板と、
前記半導体基板の上部に形成された絶縁層と、
前記半導体基板のうち前記メサ部の上面の電極対応箇所が露出するように前記絶縁層に設けられた第1開口と、
前記絶縁層の上面に前記第1開口を埋め込む様に形成された電極と、
を備え、
前記絶縁層は、
前記半導体基板の表面に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上部に、前記溝の開口面の少なくとも一部を塞ぐ様に設けられた絶縁フィルムと、
前記溝と前記絶縁フィルムに囲まれた中空部と、
を備えることを特徴とする半導体レーザー。 - 前記絶縁フィルムはドライフィルムであることを特徴とする請求項9に記載の半導体レーザー。
- 前記絶縁フィルムは永久レジストであることを特徴とする請求項9に記載の半導体レーザー。
- 前記絶縁層は、前記絶縁フィルムの上面に形成された絶縁性マスクをさらに備えることを特徴とする請求項9〜11の何れか1項に記載の半導体レーザー。
- 前記半導体基板のボンディング対応箇所に前記絶縁膜が露出するように第2開口が設けられ、前記電極は前記第1開口に加えて第2開口も埋め込む様に形成されていることを特徴とする請求項9〜12の何れか1項に記載の半導体レーザー。
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