JP2010003885A

JP2010003885A - 面発光レーザ

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Publication number: JP2010003885A
Application number: JP2008161486A
Authority: JP
Inventors: Yoshinori Tanaka; 良宜田中; Tadashi Yamamoto; 匡史山本
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2008-06-20
Filing date: 2008-06-20
Publication date: 2010-01-07

Abstract

【課題】静電容量や製造プロセス上の問題を解決し、ワイヤーボンディング側の電極を剥がれにくくした面発光レーザを提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板２の上に、ｎ側多層反射膜３、活性層４が形成されており、活性層４の上には、Ａｌ_Ｘ３ＧａＡｓ電流ブロック層５、ｐ側多層反射膜６、ｐ型ＧａＡｓ層７等が順に積層されており、一部がメサエッチングされて略円柱状のメサ領域２０と外部領域２１を形成している。メサ領域２０上にはｐ電極１９が設けられる。このｐ電極１０は、コンタクト電極部１０ａ、引き出し配線部１０ｂ、ボンディング用電極部１０ｃの各部から構成されており、ボンディング用電極部１０ｃは、外部領域２１上に形成される。また、ｐ電極１０は、一体的に形成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、垂直共振器型といわれる面発光レーザに関し、特にボンディング用電極部を有する面発光レーザに関する。

半導体基板面に対して垂直方向に光が出る面発光レーザは、垂直共振器型（Vertical Cavity Surface Emitting Laser；ＶＣＳＥＬ）と呼ばれ、例えば、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ半導体薄膜を縦方向に積層してｐｎ接合を設け、上下に多層膜反射ミラーを形成して共振器とし、共振器で光を上下に多重反射させて位相の合った光を発生させるものである。

面発光レーザは、端面発光型のレーザに比べて低閾値電流、高効率、単一横モード動作など優れた特徴があると言われている。光通信用のアレイ型送信器として実用化が進んでおり、また、光通信以外の用途も期待されている。

従来の樹脂型面発光型レーザの構造の一例を図６に示す。図６（ａ）は上から見た平面図を、図６（ｂ）は図６（ａ）のＣ−Ｃ線断面構造を示す。ｎ型ＧａＡｓ基板３２の上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓとｎ型ＧａＡｓを交互に積層したｎ側多層反射膜３３が形成され、ｎ側多層反射膜３３上には、ＩｎＧａＡｓ層とＧａＡｓ層の量子井戸構造からなる活性層３４が積層される。

活性層３４上には、メサ領域４０としてＡｌＡｓ電流ブロック層３５、ｐ型ＡｌＧａＡｓとｐ型ＧａＡｓを交互に積層したｐ側多層反射膜３６、ｐ型ＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層３７が形成される。メサ領域４０の周囲は絶縁性の樹脂３８で埋められており、樹脂３８の上面からｐ型コンタクト層３７の上面にかけてｐ電極３９が設けられる。また、ＧａＡｓ基板３２の底面にｎ電極３１が形成される。上記ｎ側多層反射膜３３とｐ側多層反射膜３６との間で共振器を構成しており、この共振器で光を上下に多重反射させて位相の合った光を発生させ、ｐ電極３９の開口部３９Ｄからレーザ光が出射される。

レーザの誘導放射がおこるためには光の密度が高くなくてはならず、そのためには注入電流密度が高くなければならない。電流の広がりを狭い空間に制限するために、電流ブロック層３５の原材料となるＡｌＡｓ層を周囲から酸化して中心に狭いＡｌＡｓ部分を残している。周辺部は酸化アルミニウムとなって絶縁性だから電流が流れず中心のＡｌＡｓ部分だけを電流が流れる。このようにＡｌＡｓ電流ブロック層３５は、周辺部が酸化されて電流の通過経路を狭くしたものであり、電流狭窄層とも呼ばれる。

ところで、電流ブロック層３５の作製は、ＧａＡｓ基板３２の上に全てのエピタキシャル層を成長させ、ｐ型コンタクト層３７から少なくとも電流ブロック層３５までをメサエッチングしてメサ領域４０を形成した後、メサ領域４０の側面が露出した状態で水蒸気を導入して加熱し、側面からＡｌＡｓ層を酸化する。ＡｌＡｓ層を環状に酸化させた後に、メサ領域４０を保護するためと、ｐ電極３９を形成する際に平坦性を保つために、樹脂３８が形成される。

一方、ｐ電極３９は、コンタクト電極部３９ａと引き出し配線部３９ｂとボンディング用電極部３９ｃで構成されている。コンタクト電極部３９ａの一部は、メサ領域４０に電流を供給するために、ｐ型コンタクト層３７上に直接接合されている。他方、ボンディング用電極部３９ｃは、外部から面発光レーザに電力を供給するためのワイヤーがボンディング接続される領域であり、樹脂３８上に形成されている。
特開２００３−３２４２３３号公報

しかし、上記従来技術では、ボンディング用電極部３９ｃが、樹脂３８上に接着剤等で接着されているために、ワイヤーボンディング時に加えられる熱や圧力により、ボンディング用電極部３９ｃが樹脂３８から剥離して、ｐ電極３９全体が剥がれやすい。

一方、特許文献１に示されるように、メサ領域を２つ形成し、２つのメサ領域間の溝部には樹脂を形成せずに、引き出し配線部を形成し、これらとコンタクト電極部とボンディング用電極部とを接続した素子が記載されている。この場合、図６に示す樹脂は介在しないので剥がれにくくはなるが、メサ領域間の溝部には、いくつかの角が存在するので、金属を蒸着させて引き出し配線部を形成し、かつ断線が起きないように電極部とを接続形成することは難しい作業となる。さらに、引き出し配線部が溝部に形成されることから、ｐｎ電極間の静電容量が高くなるという問題があった。

本発明は、上述した課題を解決するために創案されたものであり、静電容量や製造プロセス上の問題を解決し、ワイヤーボンディング側の電極を剥がれにくくした面発光レーザを提供することを目的としている。

上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、半導体積層体に基づいて形成され面発光領域となるメサ領域と、前記半導体積層体に基づいて形成され前記メサ領域と溝を隔てて分離された外部領域と、前記溝の内部に形成された樹脂層と、前記メサ領域上に形成されたコンタクト電極部と、前記外部領域上に形成されたボンディング用電極部と、前記コンタクト電極部とボンディング用電極部を接続する引き出し配線部とを備え、前記コンタクト電極部とボンディング用電極部と引き出し配線部は一体的に形成されていることを特徴とする面発光レーザである。

また、請求項２記載の発明は、前記外部領域とボンディング用電極部との間に配置された絶縁膜を備え、少なくとも該絶縁膜表面と前記樹脂層表面の間は平坦に形成されていることを特徴とする請求項１記載の面発光レーザである。

また、請求項３記載の発明は、前記溝の内部は、前記メサ領域の周囲を少なくとも金属で形成し、残りの溝領域を樹脂層で形成したことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の面発光レーザである。

また、請求項４記載の発明は、前記半導体積層体は、ＧａＡｓ系半導体、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体、ＧａＮ系半導体のいずれかで構成されていることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の面発光レーザである。

共通の半導体積層体に基づいて形成された外部領域と面発光領域となるメサ領域とが溝を隔てて分離されており、溝の内部には樹脂層が、メサ領域上にはコンタクト電極部が、外部領域上にはボンディング用電極部が形成されている。このように、樹脂層上ではなく、メサ領域と共通の半導体積層体に基づいて形成された外部領域上にボンディング用電極が形成されているので、ワイヤーボンディング接続時に、ボンディング用電極の剥離は起こりにくくなる。また、コンタクト電極部とボンディング用電極部を接続する引き出し配線部が設けられているが、このコンタクト電極部とボンディング用電極部と引き出し配線部は一体的に形成されているので、ｐｎ電極間の距離を一様に長く保つことができ、電極間静電容量を小さくすることができる。

以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。図１は本発明の面発光レーザの構成の一例を示す。図１（ａ）は面発光レーザをレーザ光の取り出し方向から見た上面図を示す。また、図１（ｂ）は、図１のＡ−Ａ線の断面構造を示す。図１の実施例では、ＧａＡｓ系の面発光レーザとして説明する。

面発光レーザは、ＧａＡｓ基板２の上に、ｎ側多層反射膜３、活性層４が形成されており、活性層４の上には、Ａｌ_Ｘ３ＧａＡｓ電流ブロック層５、ｐ側多層反射膜６、ｐ型ＧａＡｓ層７等が順に積層されており、一部がメサエッチングされて略円柱状のメサ領域２０を有している。図に示すように、メサ領域２０は、活性層４、Ａｌ_Ｘ３ＧａＡｓ電流ブロック層５、ｐ側多層反射膜６、ｐ型ＧａＡｓ層７等で構成されている。

また、図３に示すように、メサエッチングされた環状の溝１５は、メサ領域２０と外部領域２１とを分離するものであり、メサ領域２０は、溝１５を隔てて外部領域２１に取り囲まれており、溝１５の内部は、樹脂９が全体を埋めるように形成されている。樹脂９にはポリイミド等が用いられる。また、素子側面から見た樹脂９の横方向の幅は、５μｍ以上に形成されている。

外部領域２１は、活性層４、Ａｌ_Ｘ３ＧａＡｓ電流ブロック層５、ｐ側多層反射膜６、ｐ型ＧａＡｓ層７等で構成されている。メサ領域２０と外部領域２１とは、ＧａＡｓ基板２〜ｐ型ＧａＡｓ層７までの共通の半導体積層体から作製されるもので、メサ領域２０と外部領域２１は同一の積層体構造となっている。ただし、メサ領域２０は、電流ブロック層５の高抵抗領域５ｂで電流を狭窄して低抵抗領域５ａに密度の高い電流を流し、面発光する面発光領域となっている。なお、溝１５は、後述する製造工程においてメサ領域２０における電流ブロック層５の高抵抗領域５ｂを形成するため、その断面に電流ブロック層５を完全に露出させることができる深さを有することが好ましい。また、高抵抗領域５ｂを酸化作用により作製するときに、外部領域２１側のＡｌＧａＡｓ層も酸化されるので、高抵抗領域５ｃが形成される。

メサ領域２０、外部領域２１の表面、及び溝１５の側面及び底面には、例えば、ＳｉＯ_２（酸化ケイ素）やＳｉＮ（窒化ケイ素）からなる絶縁膜８が形成されている。活性層４は、量子井戸構造（Quantum Well）を有する活性層であり、井戸層（ウェル層）を、井戸層よりもバンドギャップの大きな障壁層（バリア層）でサンドイッチ状に挟んだ構造となっている。この量子井戸構造は、１つではなく、多重化しても良く、この場合は、ＭＱＷ（Multi Quantum Well）、すなわち多重量子井戸構造となる。

活性層４は、例えば、ノンドープのＡｌ_０．３ＧａＡｓ井戸層を膜厚８０Å（オングストローム）で、ノンドープのＧａＡｓ障壁層を膜厚１００Åで、これらを交互に３周期積層した多重量子井戸構造により構成されている。Ａｌ_Ｘ３ＧａＡｓ電流ブロック層５は、例えば、Ａｌ_０．９８ＧａＡｓ（前記Ｘ３＝０．９８）と非常にＧａ成分の小さいものを用い、ＡｌＧａＡｓよりなる低抵抗領域５ａの周囲に、ＡｌＧａＡｓを酸化させた環状の高抵抗領域５ｂを有し、電流は低抵抗領域５ａのみに狭窄されるようになっている。低抵抗領域５ａに対応する活性層４の領域が発光領域となっている。活性層４の発光のピーク波長は８５０ｎｍである。Ａｌ_Ｘ３ＧａＡｓ電流ブロック層５は、例えば、膜厚３００Åで形成される。図１（ｂ）のメサ領域２０の直径は、例えば２０μｍ程度であり、低抵抗領域５ａの直径は１０μｍ程度である。

ところで、ｎ側多層反射膜３とｐ側多層反射膜６との間で共振器を構成しているが、ｎ側多層反射膜３は、ｎ型ＡｌＧａＡｓ混晶よりなる多層構造を有するＤＢＲミラー（ブラッグ反射鏡）で、ｐ側多層反射膜６も、ｐ型ＡｌＧａＡｓ混晶よりなる多層構造を有するＤＢＲミラーで形成されている。

ＤＢＲミラーは、特定の波長に対しある入射角においてブラッグ反射の条件を満足するように反射面を一定間隔で蓄積し、反射光の干渉を利用して反射光強度を強め、高反射率の実現を目指したものである。

ｎ側多層反射膜３は、例えば、高Ａｌ組成層であるｎ型Ａｌ_０．９２ＧａＡｓと低Ａｌ組成層であるｎ型Ａｌ_０．１６ＧａＡｓで構成される。ｎ側多層反射膜３は、例えば、基板２に接する側から膜厚４９３Åのｎ型Ａｌ_０．９２ＧａＡｓと膜厚４１１Åのｎ型Ａｌ_０．１６ＧａＡｓを交互に４０周期積層されている。

また、ｐ側多層反射膜６は、例えば、高Ａｌ組成層であるｐ型Ａｌ_０．９２ＧａＡｓと低Ａｌ組成層であるｐ型Ａｌ_０．１６ＧａＡｓで構成されている。ｐ側多層反射膜６は、例えば、電流ブロック層５に接する側から膜厚４９３Åのｐ型Ａｌ_０．９２ＧａＡｓと膜厚４１１Åのｐ型Ａｌ_０．１６ＧａＡｓを交互に例えば２１周期積層されている。また、ｎ側多層反射膜３及びｐ側多層反射膜６ともに、多層構造の層間には膜厚２００Åのグレーディッド層が挟まれている。

ｐ型ＧａＡｓ層７は、ｐ型コンタクト層の役割を果たすものであり、外部領域２１、メサ領域２０に共通に形成されている。ｐ型ＧａＡｓ層７は、例えば、膜厚４９０Åで形成される。

メサ領域２０上から樹脂９上にかけて、さらに、樹脂９上から外部領域２１上にかけてｐ電極１０が形成されている。樹脂９は絶縁膜８上に溝１５を充填するように形成され、樹脂９の表面と外部領域２１上の絶縁膜８の表面との間、樹脂９の表面とメサ領域２０上の絶縁膜８の表面との間で段差がなく、平坦になるように形成される。このｐ電極１０は、コンタクト電極部１０ａ、引き出し配線部１０ｂ、ボンディング用電極部１０ｃの各部から構成されており、これらの領域が連続した形状で一体的に、かつ半導体積層体の側面から見て直線状に形成されている。

コンタクト電極部１０ａは、メサ領域２０のｐ型ＧａＡｓ層７に接合するように、ボンディング用電極部１０ｃは、外部領域２１の絶縁膜８に接合するように、引き出し配線部１０ｂは、樹脂９の表面と接合するように形成される。なお、図１（ａ）におけるボンディング用電極部１０ｃのサイズは、例えば、直径が１００μｍ〜１５０μｍ程度である。

また、光を取り出す側に設けられるコンタクト電極部１０ａは、光を吸収してしまうので、光を取り出すための開口部が形成され、その開口部のｐ型ＧａＡｓ層７上には、保護のため絶縁膜８が作製されている。一方、ＧａＡｓ基板２は、ｎ型ＧａＡｓ基板により構成されており、ＧａＡｓ基板２の裏側にはｎ電極１が形成されている。なお、ｐ型にするためのドーパントとしてＭｇ等が、ｎ型にするためのドーパントとしてはＳｉ等が用いられる。

ここで、ボンディング用電極部１０ｃには、面発光レーザ素子に電力を供給するためのワイヤーがボンディング接続されることになるが、ボンディング用電極部１０ｃが従来のように樹脂上に形成されているのではなく、半導体積層体で構成された外部領域２１に、半導体製造プロセスに用いられる方法（蒸着等）で形成されているので、ワイヤーボンディング時に加えられる圧力や熱があっても、ボンディング用電極部１０ｃは容易に剥がれない。

一方、ｐ電極１０全体は、半導体積層体の側面から見て、一体的に直線状に形成されているので、ｎ電極との間の電極間距離を一様に大きく維持することができ、電極間静電容量を小さくすることができる。

次に、図２は、本発明の面発光レーザの他の構成例を示す。図２（ａ）は面発光レーザをレーザ光の取り出し方向から見た上面図を示す。また、図２（ｂ）は、図２のＢ−Ｂ線の断面構造を示す。図１と同じ符号は、同じ構成要素を示す。ここで、図１と異なるのは、溝１５の内部に充填されているのが、樹脂９だけでなく、金属１２も充填されていることである。メサ領域２０の少なくとも周囲の溝領域には、金属１２が埋め込まれており、残りの溝領域には、樹脂９が埋め込まれている。

図２のように、円柱状のメサ領域２０の側面を覆う絶縁膜８に接して、金属１２を形成することにより、面発光動作を行ったときにメサ領域２０から発生する熱を金属１２を介して外部に放熱させることができ、冷却効果を高めることができる。したがって、金属１２には、特に放熱性の良いＡｕ（金）等を用いることが望ましい。図２の実施例では、メサ領域２０の周辺だけでなく、溝１５の底部においては、溝１５の底部全面に形成するようにしており、素子内部の放熱効率はより向上する。素子側面から見た金属１２の幅（厚み）は、例えば、１μｍ程度に形成される。

上記のように構成された面発光レーザの製造方法を図３及び図４を参照しつつ以下に説明する。まず、ＧａＡｓ基板２に、ＭＯＣＶＤ法等により、エピタキシャル成長を行い、ｎ側多層反射膜３、活性層４、ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層５、ｐ側多層反射膜６、ｐ型ＧａＡｓ層７を順次成長させる。

ｐ型ＧａＡｓ層７を成長させた後、ｐ型ＧａＡｓ層７の上にレジストよりなるマスクを選択的に形成する。次に、ｐ型ＧａＡｓ層７、ｐ側多層反射膜６、ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層５および活性層４をＩＣＰ等を用いてメサエッチングして選択的に除去する。これにより、図３（ａ）のように、共通に成長させた半導体積層体に溝１５を形成してメサ領域２０と外部領域２１とを分離する。

溝１５を形成したのち、例えば水蒸気中で加熱することにより、溝１５に露出したＡｌＧａＡｓ電流ブロック層５を酸化させる。メサ領域２０におけるＡｌＧａＡｓ層の酸化は、周囲から中心へ向かって環状に進行していく。一方、外部領域２１のＡｌＧａＡｓ層も側面が溝１５にが露出しているので、この側面から酸化が進行する。適切な時期に酸化を停止させることにより、図３（ｂ）に示すように、メサ領域２０には、環状の高抵抗領域５ｂが形成され、中央の酸化されなかった部分が低抵抗領域５ａとなる。これにより、ＡｌＧａＡｓ層では低抵抗領域５ａを高抵抗領域５ｂで囲んだ電流ブロック層５が形成される。

図３（ｃ）に示すように、例えばＳｉＯ_２からなる絶縁膜８を、プラズマＣＶＤ等を用いて形成する。次に、図４（ｄ）に示すように、溝１５内部に樹脂９を埋め込むように形成する。このときの樹脂９の横方向の幅は５μｍ以上に形成される。

その後、図４（ｅ）に示すように、基板２の裏側にｎ電極１を蒸着やスパッタ等により形成する。ｎ電極１は、例えば合金の多層膜で構成され、基板２に膜厚２１００ÅのＡｕＧｅを形成した後、この上に膜厚３００ÅのＮｉＡｕが積層された多層膜等で構成される。

次に、図４（ｆ）に示すように、コンタクト電極部が配置される領域のＳｉＯ_２を除去し、メサ領域２０の光取り出し部分となる開口領域を除き、ｐ電極１０を蒸着やスパッタ等により形成する。ｐ電極１０のうち、コンタクト電極部１０ａ及び引き出し配線部１０ｂは、例えば、膜厚５００ÅのＡｕＺｎ上に膜厚５００ÅのＡｕを積層したＡｕＺｎ／Ａｕの金属多層膜で構成される。一方、ボンディング用電極部１０ｃについては、膜厚５００ÅのＡｕＺｎ上に膜厚８００ÅのＡｕを積層したＡｕＺｎ／Ａｕの金属多層膜で構成される。このようにして、図１に示す面発光レーザが完成する。

図５は、図１や図２の面発光レーザにおけるメサ領域２０の部分を取り出して、拡大したものである。図１、２では、本発明の面発光レーザをＧａＡｓ系のレーザとして説明したが、図１、２における本発明の構成は、他のＡｌＧａＩｎＰ系レーザ、ＧａＮ系レーザにも適用することができるので、図５を用いてＡｌＧａＩｎＰ系及びＧａＮ系の層構造の説明をする。

基本構造は、図５に示すように、基板２２上に、ｎ側多層反射膜２３が形成され、メサ領域として、さらに活性層２４、電流ブロック層２５、ｐ側多層反射膜２６が形成される。また、基板２２の裏面にはｎ電極２１が、ｐ側多層反射膜２６上にはレーザ光の取り出し領域を除いてｐ電極２７が形成される。図５には、ｐ型コンタクト層を示していないが、ｐ側多層反射膜２６でｐ電極２７とオーミックコンタクトを取ることができれば、問題はない。また、電流ブロック層２５は、前述したように、環状の高抵抗領域２５ｂを有し、電流は低抵抗領域２５ａのみに狭窄されるようになっている。

ＡｌＧａＩｎＰ系レーザの場合、一例を示すと、基板２２にＧａＡｓ基板が、ｎ側多層反射膜２３にはｎ型Ａｌ_０．９５ＧａＡｓ層とｎ型Ａｌ_０．５ＧａＡｓ層を交互に５８周期積層した積層体が、活性層２４にはＩｎＧａＰ井戸層とＡｌＧａＩｎＰ障壁層を交互に３周期積層した多重量子井戸構造が、電流ブロック層２５にはＡｌ_０．９８ＧａＡｓ層が、ｐ側多層反射膜２６にはｐ型Ａｌ_０．９５ＧａＡｓ層とｐ型Ａｌ_０．５ＧａＡｓ層を交互に３８周期積層した積層体が用いられる。

一方、ＧａＮ系レーザの場合、一例を示すと、基板２２にＧａＮ基板が、ｎ側多層反射膜２３にはｎ型ＡｌＧａＮ層とｎ型ＧａＮ層を交互に積層した積層体が、活性層２４にはＩｎＧａＮ井戸層とＧａＮ障壁層を交互に数周期積層した多重量子井戸構造が、電流ブロック層２５にはＡｌＧａＮ層が、ｐ側多層反射膜２６にはｐ型ＡｌＧａＮ層とｐ型ＧａＮ層を交互に積層した積層体が用いられる。

本発明の面発光レーザの一構成例を示す図である。本発明の面発光レーザの他の構成例を示す図である。面発光レーザの前半の製造工程を示す図である。面発光レーザの後半の製造工程を示す図である。他の組成の半導体で構成されたメサ領域の拡大図である。従来の樹脂型面発光レーザの平面図及び断面図である。

符号の説明

１ｎ電極
２ＧａＡｓ基板
３ｎ側多層反射膜
４活性層
５ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層
６ｐ側多層反射膜
７ｐ型ＧａＡｓ層
８絶縁膜
９樹脂
１０ｐ電極
２０メサ領域
２１外部領域

Claims

半導体積層体に基づいて形成され面発光領域となるメサ領域と、
前記半導体積層体に基づいて形成され前記メサ領域と溝を隔てて分離された外部領域と、
前記溝の内部に形成された樹脂層と、
前記メサ領域上に形成されたコンタクト電極部と、
前記外部領域上に形成されたボンディング用電極部と、
前記コンタクト電極部とボンディング用電極部を接続する引き出し配線部とを備え、
前記コンタクト電極部とボンディング用電極部と引き出し配線部は一体的に形成されていることを特徴とする面発光レーザ。
前記外部領域とボンディング用電極部との間に配置された絶縁膜を備え、
少なくとも該絶縁膜表面と前記樹脂層表面の間は平坦に形成されていることを特徴とする請求項１記載の面発光レーザ。
前記溝の内部は、前記メサ領域の少なくとも周囲を金属で形成し、残りの溝領域を樹脂層で形成したことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の面発光レーザ。
前記半導体積層体は、ＧａＡｓ系半導体、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体、ＧａＮ系半導体のいずれかで構成されていることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の面発光レーザ。