JP2013021139A - 半導体レーザ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光を出力する半導体レーザ部10aと、半導体レーザ部10aの出力側に設けられ、前記光を変調する光変調部10bとからなる素子本体10を、同一基板上に備え、光変調部10bは、前記光が導波する光導波層と、前記光導波層に隣接して設けられ、低誘電率の有機材料から成る埋め込み層12,13と、埋め込み層12,13の表面に設けられた第一の絶縁膜14と、第一の絶縁膜14の上に設けられ、前記光導波層へ電気信号を給電する上部電極16とを具備する半導体レーザであって、第一の絶縁膜14の上面および上部電極16の上面に第二の絶縁膜17を設けた。
【選択図】図1
Description
まず、図3(a)に示すように、表面の所定箇所に上部電極16を形成する。これにより、第一の絶縁膜14における埋め込み層13の幅方向端部近傍に生じたクラック22が上部電極16で覆われることになる。
10a 半導体レーザ部
10b 光変調部
11 半導体基板
12,13 埋め込み層
14 第一の絶縁膜
15 上部電極(半導体レーザ部用の電極)
16 上部電極(光変調部用の電極)
17 第二の絶縁膜
18 光導波部
19,20 半導体層
21〜23 クラック
110 素子本体
110a 半導体レーザ部
110b 光変調部
111 半導体基板
112,113 埋め込み層
114 絶縁膜
115 上部電極(半導体レーザ部用の電極)
116 上部電極(光変調部用の電極)
118 光導波部
119,120 半導体層
121〜123 クラック
Claims (2)
- 光を出力する半導体レーザ部と、前記半導体レーザ部の出力側に配置され、前記光を変調する光変調部とからなる素子本体を、同一基板上に備え、前記光変調部は、前記光が導波する光導波層と、前記光導波層に隣接して設けられ、低誘電率の有機材料からなる埋め込み層と、前記埋め込み層の表面に設けられた第一の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜の上に設けられ、前記光導波層へ電気信号を給電する電極とを具備する半導体レーザであって、
前記第一の絶縁膜の上面および前記電極の上面に第二の絶縁膜を設けた
ことを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項1に記載の半導体レーザにおいて、
前記第二の絶縁膜は、前記電極の縁部を除く部分に対向する箇所に窓部を備える
ことを特徴とする半導体レーザ。
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