JP2010232504A - 半導体レーザ、レーザ光の発生方法、およびレーザ光のスペクトル線幅の狭窄化方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体活性層と、前記半導体活性層に直接、もしくは間接的に接続した、半導体積層方向に垂直な面内において2次元的な屈折率の周期構造を形成するフォトニック結晶光導波路と、前記半導体活性層と前記フォトニック結晶光導波路とを内蔵し、前記半導体活性層から発生して前記フォトニック結晶光導波路を導波する光をレーザ発振させる光共振器と、を備える。
【選択図】図1
Description
また、式(1)におけるQ値は、式(3)で表される。
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体レーザの模式的な平面図である。本実施の形態1に係る半導体レーザ100は、基板上10に、半導体活性層22を含む能動部20と、フォトニック結晶光導波路30と、能動部20とフォトニック結晶光導波路30との間に挿入されたモード変換器40とを備えている。能動部20とフォトニック結晶光導波路30とは、モード変換器40によって間接的に接続している。また、この半導体レーザ100は、能動部20と、フォトニック結晶光導波路30と、モード変換器40とを内蔵する光共振器50を備えている。光共振器50は、能動部20の端面とフォトニック結晶光導波路30の端面とにそれぞれ形成された高反射率反射膜51、52を有するファブリー・ぺロー型光共振器である。
つぎに、本実施の形態1に係る半導体レーザ100の製造方法について説明する。図8〜11は、図1に示す半導体レーザ100の製造方法の一例を説明する説明図である。
さらに、図10(c)に示すように、保護膜26上に、フォトリソグラフィーにより、電極パッド28に対応する部分をパターニングしたレジストR3を形成し、その上にTi/Pt膜E2を蒸着する。その後、図10(d)に示すように、レジストR3を除去し、リフトオフして電極パッド28を形成する。
つぎに、本発明の実施の形態2について説明する。図12は、本実施の形態2に係る半導体レーザの模式的な平面図である。本実施の形態2に係る半導体レーザ200は、実施の形態1に係る半導体レーザ100において、能動部20を能動部20aに置き換え、光共振器50を光共振器60に置き換えた構成を有している。
つぎに、本発明の実施の形態3について説明する。図13は、本実施の形態3に係る半導体レーザの模式的な平面図である。図13に示すように、この半導体レーザ300は、実施の形態2に係る半導体レーザ200において、高反射率反射膜62を高反射率反射膜72に置き換え、DBR膜61、63を高反射率反射膜72と同様の高反射率反射膜71、73に置き換えた構成を有している。高反射率反射膜71、72は光共振器70を構成している。そして、この半導体レーザ300では、能動部20aの光導波方向において半導体活性層22を挟むように配置した一対の高反射率反射膜71、73が構成する内部光共振器が波長選択手段として機能している。その結果、この半導体レーザ300は、実施の形態1の半導体レーザ100と同様に、きわめて狭線幅なレーザ光を発振できるとともに、小型、低コストであり、かつ安定した特性を有するものとなる。なお、この半導体レーザ300においても、上述した式(4)を用いて、高反射率反射膜71、73の内部光共振器の縦モードの波長と光共振器70の縦モードの波長とを一致させるようにすることが重要である。
つぎに、本発明の実施の形態4について説明する。上記実施の形態1〜3に係る半導体レーザ100〜300は、CWレーザ光を出力するものであるが。本実施の形態4に係る半導体レーザは、モード同期手段を備え、レーザパルス光を出力するものである。
11 n側電極
20、20a、20b 能動部
21、31 下部クラッド層
22 半導体活性層
22a 光増幅領域
22b 可飽和吸収領域
23a〜23c、33a〜33c 上部クラッド層
24 電流阻止層
24a 下部電流阻止層
24b 上部電流阻止層
25 コンタクト層
26 保護膜
27 p側電極
28、28a、28b 電極パッド
30 フォトニック結晶光導波路
32 半導体コア層
40 モード変換器
50〜70 光共振器
51、52、62、71〜73 高反射率反射膜
61、63 DBR膜
100〜400 半導体レーザ
AA 能動領域
C キャップ層
DW 線欠陥導波路部
E 偶モード
E1 AuZn膜
E2 Ti/Pt膜
G1 回折格子
G2 エアギャップ
H 空孔
L 積層体
L1〜L7 長さ
M ハイメサ構造
M1、M2 マスク
O 奇モード
PA 受動領域
R1〜R4 レジスト
S スラブ構造
W1〜W6 幅
Claims (10)
- 半導体活性層と、
前記半導体活性層に直接、もしくは間接的に接続した、半導体積層方向に垂直な面内において2次元的な屈折率の周期構造を形成するフォトニック結晶光導波路と、
前記半導体活性層と前記フォトニック結晶光導波路とを内蔵し、前記半導体活性層から発生して前記フォトニック結晶光導波路を導波する光をレーザ発振させる光共振器と、
を備えることを特徴とする半導体レーザ。 - 半導体活性層と、
前記半導体活性層に直接、もしくは間接的に接続した、半導体積層方向に垂直な面内において2次元的な屈折率の周期構造を形成するフォトニック結晶光導波路と、
前記半導体活性層と前記フォトニック結晶光導波路との間に挿入されたモード変換器と、
前記半導体活性層と前記モード変換器と前記フォトニック結晶光導波路とを内蔵し、前記半導体活性層から発生して前記モード変換器と前記フォトニック結晶光導波路とを導波する光をレーザ発振させる光共振器と、
を備えることを特徴とする半導体レーザ。 - 前記モード変換器は、上部クラッド層からコア層を挟んで少なくとも下部クラッド層に到る深さまでメサストライプ状に形成されたハイメサ構造を有することを特徴とする請求項2に記載の半導体レーザ。
- 少なくとも、前記半導体活性層と前記フォトニック結晶光導波路とは、バットジョイント成長方法を用いてモノリシックに集積して形成したものであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体レーザ。
- 前記光共振器内に形成され、前記光共振器の少なくともいずれか一つの縦モードに対応する波長の光を選択的にレーザ発振させる波長選択手段をさらに備えることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体レーザ。
- 前記波長選択手段は、前記半導体活性層に沿って形成された分布帰還用回折格子であることを特徴とする請求項5に記載の半導体レーザ。
- 前記波長選択手段は、光導波方向において前記半導体活性層を挟むように配置した一対の分布ブラッグ反射鏡であることを特徴とする請求項5に記載の半導体レーザ。
- 半導体可飽和吸収体を有するモード同期手段をさらに備えることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体レーザ。
- 半導体活性層から発生させた光を、フォトニック結晶光導波路に導波させ、前記半導体活性層と前記フォトニック結晶光導波路とを内蔵する光共振器によってレーザ発振させることを特徴とするレーザ光の発生方法。
- 発振すべきレーザ光のスペクトル線幅を狭窄化するために、フォトニック結晶光導波路を光共振器内に挿入することを特徴とするレーザ光のスペクトル線幅の狭窄化方法。
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