JP2019515508A - レーザ装置およびその動作方法 - Google Patents
レーザ装置およびその動作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019515508A JP2019515508A JP2018558173A JP2018558173A JP2019515508A JP 2019515508 A JP2019515508 A JP 2019515508A JP 2018558173 A JP2018558173 A JP 2018558173A JP 2018558173 A JP2018558173 A JP 2018558173A JP 2019515508 A JP2019515508 A JP 2019515508A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pcsel
- light
- reflector
- pcsel element
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/185—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/185—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL]
- H01S5/187—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL] using Bragg reflection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0265—Intensity modulators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/065—Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating
- H01S5/0656—Seeding, i.e. an additional light input is provided for controlling the laser modes, for example by back-reflecting light from an external optical component
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/11—Comprising a photonic bandgap structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
- H01S5/142—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon which comprises an additional resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/18—Semiconductor lasers with special structural design for influencing the near- or far-field
Abstract
Description
PCSELは、室温での連続波動作を与えることが示されている[1]、[2]。PCSELにおけるフォトニック結晶層の設計、すなわち周期構造を制御することにより、ビーム形状[3]および偏光[4]のようなレージング特性を制御することが可能である。このようにビームステアリングを実現することも可能である[5]。PCSELは、ウェーハ融着を通して[2]、またはエピタキシャル成長[6]、[7]、[8]、[9]、[10]により製造することができる。
[1]M. Imada, S. Noda, A. Chutinan, T. Tokuda, M. Murata and G. Sasaki, “Coherent two-dimensional lasing action in surface-emitting laser with triangular-lattice photonic crystal structure” Applied Physics Letters, vol. 75, no. 3, p. 316, 1999.
[2]D. Ohnishi, T. Okano, M. Imada and S. Noda, “Room temperature continuous wave operation of a surface emitting two dimensional photonic crystal laser” optics express, vol. 12, no. 8, p. 1562, 2004.
[3]E.Miyai, K. Sakai, T. Okano, W. Kunishi, D. Ohnishi and S.Noda, “Lasers producing tailored beams” Nature, vol. 441, no. 946, 2006.
[4]S. Noda, M. Yokoyama, A. Chutinan, M. Imada and M. Mochizuki, “Polarization Mode Control of Two-Dimensional Photonic Crystal Laser by Unit Cell Structure Design” Science, vol. 293, p. 1123, 2001.
[5]Y. Kurosaka, S. Iwahashi, Y. Liang, K. Sakai, E.Miyai, W. Kunishi, D. Ohnishi and S. Noda, “On-chip beam-steering photonic-crystal lasers” Nature Photonics, vol. 4, pp. 447-450, 2010.
[6]K. Hirose, Y. Liang, Y. Kurosaka, A. Watanabe, T. Sugiyama and S. Noda, “Watt-class high-power, high-beam-quality photonic-crystal lasers” Nature Photonics, vol. 8, pp. 406-411, 2014.
[7]D. Williams, K. Groom, D. Childs, R. Taylor, S. Khamas, R. Hogg, B. Stevens, N. Ikeda and Y. Sugimoto, “Epitaxially regrown GaAs-based photonic crystal surface emitting laser” Photonics Technology Letters, vol. 24, no. 11, pp. 966-968, 2012.
[8]D. Williams, K. Groom, D. Childs, R. Taylor, S. Khamas, R. Hogg, B. Stevens, N. Ikeda and Y. Sugimoto, “Optimisation of coupling between photonic crystal and active elements in an epitaxially regrown GaAs based photonic crystal surface emitting laser” Japanese Journal of Applied Physics, vol. 52, no. 02BG05-1-3, 2012.
[9]R. Taylor, D. Williams, D. Childs, B. Stevens, L. Shepherd, S. Khamas, K. Groom and R. Hogg, “All-semiconductor photonic crystal surface emitting lasers based on epitaxial regrowth” IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, vol. 19, no. 4, p. 4900407, 2013.
[10]M. Nishimoto, K. Ishizaki, K. Maekawa, K. Kitamur and S. Noda, “Air-Hole Retained Growth by Molecular Beam Epitaxy for Fabricating GaAs-Based Photonic-Crystal Lasers” Applied physics express, vol. 6, no. 4, 2013.
[11]R. Taylor, D. Child, P. Ivanov, B. Stevens, N. Babazadeh, A. Crombie, S. T. G. Ternent, H. Zhou and R. Hogg, “Electronic control of coherence in a two-dimensional array of photonic crystal surface emitting lasers” Nature Scientific Reports, vol. 5, p. 13203, 2015.
[12]R. Taylor, D. Childs, P. Ivanov, B. Stevens, N. Babazadeh, J. Sarma, S. Khamas, Crombie, G. Li, G.Ternent, S. Thoms, H. Zhou and R. Hogg, “Coherently Coupled Photonic Crystal Surface Emitting Laser Array” Journal of selected topics in quantum electronics, vol. 21, no. 6, p. 4900307, 2015.
[13]S. Noda, T. Sakaguchi, W. Kunishi, S. Arimura, K. Nagase, E. Miyai, D. Ohnishi and K. Sakai, “Surface-Emitting Photonic-Crystal Laser with 35W Peak Power, in Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO) and the International Quantum Electronics Conference (IQEC), 2009.
[14]R. J. E. Taylor, D. M. Williams, J. R. Orchard, D. T. Childs, S. Khamas and R. Hogg, “Band structure and waveguide modelling of epitaxially regrown photonic crystal surface emitting lasers” Journal of Physics D, vol. 46, no. 26, p. 264005, 2013.
[15]J. GELLETA., Y. LIANG., H. KITAGAWA. and S. NODA., “Influence of external reflection on the TE mode of photonic crystal surface-emitting lasers” Journal of the Optical Society of America B, vol. 32, no. 7, p. 1435, 2015.
[16]Y. Chassagneux, R. Colombell, W. Maineult, S. Barbieri, H. E. Beere, D. A. Ritchie, S. Khanna, E. H. Linfield and A. Davies, “Electrically pumped photonic-crystal terahertz lasers controlled by boundary conditions” Nature, vol. 457, pp. 174-178, 2009.
[17]S. G. Johnson and J. D. Joannopoulos, “Block-iterative frequency-domain methods for Maxwell’s equations in a planewave basis” optics express, vol. 8, no. 3, pp. 173-190, 2001.
[18]M. Yokoyama and S. Noda, “Polarisation mode control of two-dimensional photonic crystal laser having a square lattice structure” IEEE journal of quantum electronics, vol. 39, no. 9, p. 1074, 2003.
[19]Y.Kurosaka, S. Iwahashi, K. Sakai, E. Miyai, W. Kunishi, D.Ohnishi and S. Noda, “Band structure observation of 2D photonic crystal with various v-shaped air hole arrangements” IEICE Electronics express, vol. 6, no. 13, p. 966, 2009.
[20]R.Taylor, E.James, D.Childs, “Improved Laser Structure”, WO2016/027105 A1
102 下部クラッド層
104 活性層
106 エッチストップ層
108 フォトニック結晶層
110 上部クラッド層
112 キャップ層
114 リング電極
500 レーザ装置
502 PCSEL素子
504 制御可能な光透過領域
506 反射器
600 電極
702 反射面
703 反射面
800 レーザ装置
802 制御可能な光透過領域
804 セグメント
900 レンズ
902 面
Claims (16)
- フォトニック結晶面発光レーザ(PCSEL)素子であって、前記PCSEL素子の少なくとも第1の側面に、前記PCSEL素子の前記第1の側面を通って前記PCSEL素子の外に出ていく光の少なくとも一部を反射して前記PCSEL素子内に戻すように配置された反射器が設けられており、前記PCSEL素子の前記第1の側面と前記反射器との間に、電気入力に基づいて、前記PCSEL素子から前記反射器への光の透過を制御するように構成された、電気的に制御可能な光透過領域が介在されている、PCSEL素子を有する、レーザ装置。
- 前記反射器は、波長選択性反射器である、請求項1に記載のレーザ装置。
- 前記電気的に制御可能な光透過領域は、電気入力により、実質的にすべての光が前記光透過領域を通って透過されて対応する反射器によって反射される透過状態と、実質的に光が前記光透過領域を透過されない吸光状態との間で切り替え可能であり、それにより、前記PCSEL素子から前記反射器への光の透過を制御している、請求項1または2に記載のレーザ装置。
- 前記PCSEL素子の第2の側面に、前記PCSEL素子の前記第2の側面を通って前記PCSEL素子の外に出ていく光の少なくとも一部を反射して前記PCSEL素子内に戻すように配置された第2の反射器がさらに設けられている、請求項1から3のいずれか一項に記載のレーザ装置。
- 前記PCSEL素子の前記第2の側面と前記第2の反射器との間に、電気入力に基づいて、前記PCSEL素子から前記第2の反射器への光の透過を制御するように構成された第2の電気的に制御可能な光透過領域が介在されている、請求項4に記載のレーザ装置。
- 前記第1および第2の側面は、互いに隣接している、請求項4または5に記載のレーザ装置。
- 前記PCSEL素子の第1、第2、第3および第4の側面にそれぞれの反射器が設けられており、各々は、前記PCSEL素子のそれぞれの前記側面を通って前記PCSEL素子の外に出ていく光の少なくとも一部を反射して前記PCSEL素子に戻すようにそれぞれ配置されている、請求項1から3のいずれか一項に記載のレーザ装置。
- それぞれ電気的に制御可能な光透過領域が、それぞれの反射器と前記レーザ装置の側面との間に介在されている、請求項7に記載のレーザ装置。
- 各電気的に制御可能な光透過領域は、それぞれの電気入力により独立して制御されている、請求項5または8に記載のレーザ装置。
- 少なくとも1つの電気的に制御可能な光透過領域は、少なくとも2つのセグメントに分割されており、各セグメントは、前記PCSEL素子から前記反射器への光のそれぞれの部分の透過を制御するように構成されている、請求項1から9のいずれか一項に記載のレーザ装置。
- 各セグメントは、それぞれの電気入力によって個別に制御される、請求項10に記載のレーザ装置。
- レーザ装置を動作させる方法であって、前記レーザ装置はフォトニック結晶面発光レーザ(PCSEL)素子を有しており、前記方法は、前記PCSEL素子の第1の側面を通って前記PCSEL素子の外に出ていく光を前記PCSEL素子に戻す反射を制御するステップであって、電気入力に前記PCSEL素子の前記第1の側面と反射器との間に介在された光透過領域を通る光の透過を制御させることによる、反射を制御するステップを含む、方法。
- PCSEL素子を有するレーザ装置であって、少なくとも前記PCSEL素子の第1の側面および前記PCSEL素子の第2の側面にそれぞれの反射器が設けられており、各々は、前記PCSEL素子のそれぞれの前記側面を通って前記PCSEL素子の外に出ていく光の少なくとも一部を反射して前記PCSEL素子内に戻すようにそれぞれ配置されており、それぞれの前記反射器は波長選択性である、レーザ装置。
- 前記第1および第2の側面は互いに隣接している、請求項13に記載のレーザ装置。
- それぞれの反射器は、前記PCSEL素子の第1、第2、第3および第4の側面に設けられており、各々は、前記PCSEL素子のそれぞれの前記側面を通って前記PCSEL素子の外に出ていく光を反射するようにそれぞれ配置されており、それぞれの反射器は波長選択性である、請求項13に記載のレーザ装置。
- レーザ装置を動作させる方法であって、前記レーザ装置はフォトニック結晶面発光レーザ(PCSEL)素子を有しており、少なくとも前記PCSEL素子の第1の側面および前記PCSEL素子の第2の側面にそれぞれの波長選択性反射器が設けられており、前記方法は、前記PCSEL素子から前記PCSEL素子のそれぞれの前記側面を通る光を放射させるステップを含み、前記反射器は、前記PCSEL素子のそれぞれの前記側面を通って前記PCSEL素子の外に出ていく光の少なくとも一部を反射して前記PCSEL素子内に戻すようにそれぞれ配置されている、方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB1607996.4 | 2016-05-06 | ||
GBGB1607996.4A GB201607996D0 (en) | 2016-05-06 | 2016-05-06 | Laser device and method for its operation |
PCT/EP2017/060834 WO2017191320A1 (en) | 2016-05-06 | 2017-05-05 | Laser device and method for its operation |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019515508A true JP2019515508A (ja) | 2019-06-06 |
JP7038667B2 JP7038667B2 (ja) | 2022-03-18 |
Family
ID=56297309
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018558173A Active JP7038667B2 (ja) | 2016-05-06 | 2017-05-05 | レーザ装置およびその動作方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11050219B2 (ja) |
EP (2) | EP3453086B1 (ja) |
JP (1) | JP7038667B2 (ja) |
DK (1) | DK3453086T3 (ja) |
ES (1) | ES2886369T3 (ja) |
GB (1) | GB201607996D0 (ja) |
WO (1) | WO2017191320A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB201607996D0 (en) | 2016-05-06 | 2016-06-22 | Univ Glasgow | Laser device and method for its operation |
JP6747910B2 (ja) | 2016-08-10 | 2020-08-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 発光装置 |
US11031751B2 (en) | 2016-08-10 | 2021-06-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Light-emitting device |
US10734786B2 (en) | 2016-09-07 | 2020-08-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor light emitting element and light emitting device including same |
US11646546B2 (en) | 2017-03-27 | 2023-05-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor light emitting array with phase modulation regions for generating beam projection patterns |
US11637409B2 (en) | 2017-03-27 | 2023-04-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor light-emitting module and control method therefor |
JP6959042B2 (ja) | 2017-06-15 | 2021-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 発光装置 |
DE112018006285T5 (de) | 2017-12-08 | 2021-01-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Lichtemittierende vorrichtung und herstellungsverfahren dafür |
DE112019002892T5 (de) * | 2018-06-08 | 2021-02-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Lichtemittierendes Element |
JP7125865B2 (ja) * | 2018-06-11 | 2022-08-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 発光装置 |
JP7125867B2 (ja) * | 2018-06-20 | 2022-08-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 発光素子 |
JP7170978B2 (ja) * | 2019-03-13 | 2022-11-15 | 株式会社デンソー | 光偏向器 |
DE102022101787A1 (de) * | 2022-01-26 | 2023-07-27 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Laserdiodenbauelement und verfahren zur herstellung zumindest einer photonischen kristallstruktur für ein laserdiodenbauelement |
EP4280399A1 (en) * | 2022-05-18 | 2023-11-22 | Imec VZW | Vertical laser emitter and manufacturing method thereof |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003273456A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Japan Science & Technology Corp | 2次元フォトニック結晶面発光レーザ |
JP2003304033A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 光ポンピング可能な垂直エミッタを有する面発光半導体レーザ装置 |
JP2004253811A (ja) * | 2002-02-08 | 2004-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2007258262A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Kyoto Univ | 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源 |
JP2008243963A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Kyoto Univ | 2次元フォトニック結晶面発光レーザ |
JP2009043918A (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Canon Inc | フォトニック結晶を有する構造体、面発光レーザ |
JP2010232504A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ、レーザ光の発生方法、およびレーザ光のスペクトル線幅の狭窄化方法 |
JP2017524266A (ja) * | 2014-08-22 | 2017-08-24 | ザ・ユニヴァーシティ・オヴ・シェフィールド | 改良されたレーザ構造 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1371120B1 (en) * | 2001-03-09 | 2013-05-08 | Alight Photonics ApS | Mode control using transversal bandgap structure in vcsels |
JP3561244B2 (ja) | 2001-07-05 | 2004-09-02 | 独立行政法人 科学技術振興機構 | 二次元フォトニック結晶面発光レーザ |
JP3613348B2 (ja) | 2002-02-08 | 2005-01-26 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
AU2003224626A1 (en) | 2002-03-07 | 2003-09-22 | The Government Of The United States Of America As Represented By Thesecretary Of The Navy | Photonic-crystal distributed-feedback and distributed-bragg reflector lasers |
US6826223B1 (en) | 2003-05-28 | 2004-11-30 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Surface-emitting photonic crystal distributed feedback laser systems and methods |
JP4820749B2 (ja) | 2004-03-05 | 2011-11-24 | 国立大学法人京都大学 | 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源 |
KR101131380B1 (ko) | 2004-12-08 | 2012-04-04 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법 |
US7609376B2 (en) * | 2005-01-05 | 2009-10-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method and apparatus for pixel display and SERS analysis |
US20090135869A1 (en) | 2005-09-05 | 2009-05-28 | Kyoto University | Surface-emitting laser light source using two-dimensional photonic crystal |
JP5138898B2 (ja) | 2006-03-31 | 2013-02-06 | 国立大学法人京都大学 | 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源 |
CN101689523B (zh) | 2007-07-17 | 2012-02-22 | 住友电气工业株式会社 | 电子器件的制作方法、外延衬底的制作方法、ⅲ族氮化物半导体元件及氮化镓外延衬底 |
JP5305423B2 (ja) | 2011-06-13 | 2013-10-02 | 国立大学法人京都大学 | 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源 |
US9088133B2 (en) | 2012-02-28 | 2015-07-21 | Kyoto University | Two-dimensional photonic crystal surface emitting laser |
US9281661B2 (en) * | 2014-07-02 | 2016-03-08 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Integrated optoelectronic device comprising a Mach-Zehnder modulator and a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) |
GB2528896B (en) | 2014-08-01 | 2016-07-20 | Oriel Silicon Photonics Ltd | Methods and apparatus for phase shifting and modulation of light |
GB201607996D0 (en) | 2016-05-06 | 2016-06-22 | Univ Glasgow | Laser device and method for its operation |
-
2016
- 2016-05-06 GB GBGB1607996.4A patent/GB201607996D0/en not_active Ceased
-
2017
- 2017-05-05 DK DK17721404.6T patent/DK3453086T3/da active
- 2017-05-05 EP EP17721404.6A patent/EP3453086B1/en active Active
- 2017-05-05 EP EP21173755.6A patent/EP3893340A1/en active Pending
- 2017-05-05 JP JP2018558173A patent/JP7038667B2/ja active Active
- 2017-05-05 US US16/097,591 patent/US11050219B2/en active Active
- 2017-05-05 ES ES17721404T patent/ES2886369T3/es active Active
- 2017-05-05 WO PCT/EP2017/060834 patent/WO2017191320A1/en unknown
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004253811A (ja) * | 2002-02-08 | 2004-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2003273456A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Japan Science & Technology Corp | 2次元フォトニック結晶面発光レーザ |
JP2003304033A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 光ポンピング可能な垂直エミッタを有する面発光半導体レーザ装置 |
JP2007258262A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Kyoto Univ | 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源 |
JP2008243963A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Kyoto Univ | 2次元フォトニック結晶面発光レーザ |
JP2009043918A (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Canon Inc | フォトニック結晶を有する構造体、面発光レーザ |
JP2010232504A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ、レーザ光の発生方法、およびレーザ光のスペクトル線幅の狭窄化方法 |
JP2017524266A (ja) * | 2014-08-22 | 2017-08-24 | ザ・ユニヴァーシティ・オヴ・シェフィールド | 改良されたレーザ構造 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
HAMED DALIR, AKIHIRO MATSUTANI, MOUSTAFA AHMED, AHMED BAKRY, AND FUMIO KOYAMA: "High Frequency Modulation of Transverse-Coupled-Cavity VCSELs for Radio Over Fiber Applications", IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, vol. 26, no. 3, JPN6022003988, 5 December 2013 (2013-12-05), US, pages 281 - 284, XP011536987, ISSN: 0004699713, DOI: 10.1109/LPT.2013.2292577 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190165546A1 (en) | 2019-05-30 |
DK3453086T3 (da) | 2021-09-06 |
EP3453086B1 (en) | 2021-06-23 |
GB201607996D0 (en) | 2016-06-22 |
US11050219B2 (en) | 2021-06-29 |
WO2017191320A1 (en) | 2017-11-09 |
JP7038667B2 (ja) | 2022-03-18 |
EP3893340A1 (en) | 2021-10-13 |
ES2886369T3 (es) | 2021-12-17 |
EP3453086A1 (en) | 2019-03-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7038667B2 (ja) | レーザ装置およびその動作方法 | |
JP4275948B2 (ja) | Vcselにおける横断バンドギャップ構造を使用するモードの制御 | |
KR100759603B1 (ko) | 수직 공진기형 면발광 레이저 장치 | |
Zhou et al. | High-power single-mode antiresonant reflecting optical waveguide-type vertical-cavity surface-emitting lasers | |
US8917752B2 (en) | Reflectivity-modulated grating mirror | |
US8416826B2 (en) | Photonic crystal surface emitting laser | |
US6810056B1 (en) | Single mode vertical cavity surface emitting laser using photonic crystals with a central defect | |
JP2005538532A (ja) | 傾斜型共振器半導体レーザー(tcsl)及びその製造方法 | |
JP2007234724A (ja) | 垂直共振器型面発光レーザ、該垂直共振器型面発光レーザにおける二次元フォトニック結晶の製造方法 | |
US20230223735A1 (en) | Topologic insulator surface emitting laser system | |
JP2008098379A (ja) | 2次元フォトニック結晶面発光レーザおよびその製造方法 | |
JPH11186657A (ja) | フォトニックバンド構造を有する垂直共振器レーザ | |
US10840673B1 (en) | Electrically pumped surface-emitting photonic crystal laser | |
JP2017524266A (ja) | 改良されたレーザ構造 | |
KR20230021622A (ko) | Vcsel에 대한 반사기 | |
JP5309877B2 (ja) | フォトニック結晶面発光レーザ素子 | |
JPS63150981A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
Kalapala et al. | Optically pumped 1 μm low threshold photonic crystal surface emitting lasers grown on GaAs substrate | |
Yoshida et al. | 10 W High-Power and High-Beam-Quality Pulsed Operation of Double-Hole Photonic-Crystal Surface-Emitting Lasers | |
JPH11307860A (ja) | 半導体レーザ及び半導体光アンプ | |
JPWO2014030361A1 (ja) | 面発光レーザ装置 | |
Kwon et al. | Photonic crystal lasers | |
JP2006041013A (ja) | 光制御素子、発光素子、光回路装置 | |
Ning et al. | 980nm Photonic Microcavity Vertical Cavity Surface Emitting Laser | |
Choquette et al. | Photonic crystal vertical cavity lasers and arrays |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200501 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210405 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20210625 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211005 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220207 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220308 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7038667 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |