JP5138898B2 - 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源 - Google Patents

2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源 Download PDF

Info

Publication number
JP5138898B2
JP5138898B2 JP2006097651A JP2006097651A JP5138898B2 JP 5138898 B2 JP5138898 B2 JP 5138898B2 JP 2006097651 A JP2006097651 A JP 2006097651A JP 2006097651 A JP2006097651 A JP 2006097651A JP 5138898 B2 JP5138898 B2 JP 5138898B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photonic crystal
dimensional photonic
refractive index
different refractive
laser light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2006097651A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007273730A (ja
Inventor
進 野田
剛孝 黒坂
英次 宮井
大 大西
渡 國師
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Kyoto University
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Kyoto University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd, Kyoto University filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP2006097651A priority Critical patent/JP5138898B2/ja
Priority to TW096110503A priority patent/TW200803093A/zh
Priority to PCT/JP2007/000340 priority patent/WO2007116584A1/ja
Priority to EP07736997A priority patent/EP2006965A2/en
Priority to US12/225,530 priority patent/US8923358B2/en
Publication of JP2007273730A publication Critical patent/JP2007273730A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5138898B2 publication Critical patent/JP5138898B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/11Comprising a photonic bandgap structure

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Description

本発明は、平面状の光源から面に垂直な方向にレーザ光を放射する2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源に関する。
近年、フォトニック結晶を用いた新しいタイプのレーザ光源が開発されている。フォトニック結晶とは、誘電体から成る母材に周期構造を人工的に形成したものである。周期構造は一般に、母材とは屈折率が異なる領域(異屈折率領域)を母材内に周期的に設けることにより形成される。この周期構造により、結晶内でブラッグ回折が生じ、また、光のエネルギーにエネルギーバンドギャップが現れる。フォトニック結晶レーザ光源には、バンドギャップ効果を利用して点欠陥を共振器として用いるものと、光の群速度が0となるバンド端の定在波を利用するものがあるが、いずれも所定の波長の光を増幅してレーザ発振を得るものである。
特許文献1には、発光材料を含む活性層の近傍に2次元フォトニック結晶を形成したレーザ光源が記載されている。この2次元フォトニック結晶には、半導体から成る板状の母材に円柱状の空孔が周期的(三角格子状、正方格子状、六角格子状等)に設けられ、屈折率の分布が2次元的な周期性を持っている。この周期を、電極からのキャリアの注入により活性層で生成される光の媒質内波長に一致させておくことにより、2次元フォトニック結晶の内部に2次元定在波が形成され、それにより光が強められてレーザ発振する。これにより生じたレーザ光は2次元フォトニック結晶によりそれに垂直な方向に回折され、2次元フォトニック結晶の表面から面発光が得られる。
図1に、特許文献1に記載のレーザ光源において空孔11が正方格子状に配置されている場合について、2次元フォトニック結晶の内部に形成される定在波の電磁界分布を計算した結果を示す。図中に太線で示した円は空孔11を、灰色の濃淡は磁界の強弱を、矢印の方向及び長さは電界の方向及び強度を、それぞれ示している。電界は空孔11の円の重心(中心)を取り巻き、この重心に関して反対称になるように形成されている。2次元フォトニック結晶の大きさが無限大であると仮定すると、この電界の反対称性により全ての空孔において干渉により電界が打ち消され(消失性干渉)、レーザ光は外部に放出されない。
実際には2次元フォトニック結晶の大きさが有限であることにより、その反対称性が崩れ、電界が完全には打ち消されないため、2次元フォトニック結晶内で生じたレーザ光の一部は外部に放出される。しかし、外部に放出されるレーザ光の強度は電界の干渉の影響を受けて弱められる。
特許文献2には、格子の形状と異屈折率領域の形状を合わせて成る格子構造が並進対称性を備えるが回転対称性がない2次元フォトニック結晶を用いた面発光レーザ光源について記載されている。このような2次元フォトニック結晶として、例えば異屈折率領域を正方格子状に配置して各異屈折率領域を正三角形にする等、格子と異屈折率領域が異なる回転対称性を有するものが挙げられる。この面発光レーザ光源は特許文献1のものよりも、2次元フォトニック結晶の構造の対称性が低いため、消失性干渉の影響は抑えられ、それにより面垂直方向に取り出される光の強度は強くなる。
特開2000-332351号公報([0037]〜[0056],図1) 特開2004-296538号公報([0026]〜[0037], [0046], 図1〜5, 図22)
特許文献2に記載の2次元フォトニック結晶は消失性干渉の影響を抑えてレーザ光の強度をある程度強くすることができるが、より一層強い強度のレーザ光が得られる面発光レーザ光源が求められている。
本発明が解決しようとする課題は、従来よりも強い強度のレーザ光が得られる2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源を提供することである。
上記課題を解決するために成された本発明に係る2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源の第1の態様のものは、板状の母材に該母材とは屈折率が異なる同一形状の領域が周期的に配置されて成る2次元フォトニック結晶と、該2次元フォトニック結晶の一方の側に設けた活性層と、を備える2次元フォトニック結晶面発光レーザにおいて、
各異屈折率領域において、該異屈折率領域の重心及び該重心を起点とし2次元フォトニック結晶の面内に延びる第1の半直線上に該異屈折率領域が存在せず、該重心を起点とし第1半直線の反対側に延びる第2の半直線上の少なくとも一部に該異屈折率領域が存在し、
各異屈折率領域がV字形であることを特徴とする。
た、本発明に係る2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源の第2の態様のものは、板状の母材に該母材とは屈折率が異なる同一形状の領域が周期的に配置されて成る2次元フォトニック結晶と、該2次元フォトニック結晶の一方の側に設けた活性層と、を備える2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源において、
各異屈折率領域において、該異屈折率領域の重心及び該重心を起点とし2次元フォトニック結晶の面内に延びる第1の半直線上に該異屈折率領域が存在せず、該重心を起点とし第1半直線の反対側に延びる第2の半直線上の少なくとも一部に該異屈折率領域が存在し、
各異屈折率領域が、同一形状の3個の、母材とは屈折率が異なる領域が三角形状に配置されたものであることを特徴とする。
本発明の2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源では、異屈折率領域の重心を挟んで第1半直線側には異屈折率領域がなく母材が存在し、第2半直線側には少なくとも一部に異屈折率領域が存在する。そのため、第2半直線側の異屈折率領域が存在する位置に形成される定在波の電界と、前記重心に関して対称な位置に形成される定在波の電界は、両位置での屈折率(誘電率)が異なることにより強度も異なるため、消失性干渉が抑制される。これにより、2次元フォトニック結晶内のレーザ光はその結晶に垂直な方向に、従来の2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源よりも強い強度で取り出すことができる。
本発明に係る2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源は、活性層の一方の側に2次元フォトニック結晶を有する。但し、活性層と2次元フォトニック結晶は接している必要はなく、両者の間にスペーサ等の部材が挿入されていてもよい。活性層は、電流が注入されることにより、目的とするレーザ光の波長を含む波長帯の光を発光するものであり、従来よりファブリ・ペロー型レーザ光源に用いられているものと同様のものを用いることができる。
2次元フォトニック結晶は従来の面発光レーザと同様に、板状の母材に、それとは屈折率が異なる領域(異屈折率領域)が周期的に配置されることにより屈折率の周期分布が形成されたものである。異屈折率領域の配列は正方格子状、三角格子状等、従来の面発光レーザと同様のものを用いることができる。各異屈折率領域は同一形状とする。異屈折率領域は母材との屈折率の差を大きくすることができるという点、及び製造上の容易さの点から、空孔とすることが望ましい。しかし、母材に何らかの部材を埋め込むことにより異屈折率領域を形成してもよい。部材を埋め込んだ異屈折率領域は、例えば製造の際に2次元フォトニック結晶と他の層を高い温度で融着する必要がある場合に、高温による異屈折率領域の変形を防ぐために、好適に用いることができる。部材を埋め込んだ異屈折率領域は、まずそれら部材を形成、配置した後に、それらの周囲を母材の材料で埋めることによっても作製することができる。
本発明では、各異屈折率領域には、以下に述べる形状を持つものを用いる。まず、異屈折率領域は、その重心がその異屈折率領域の外に存在する、言い換えれば重心上にその異屈折率領域が存在しないような形状を選択する。そして、その重心を起点として2次元フォトニック結晶の面内のいずれかの方向に延びる半直線(第1半直線)上にも、その異屈折率領域が存在しないようにする。第1半直線は、異屈折率領域が配列される格子の方向に関わらず、いずれの方向に延びていてもよい。一方、その重心から第1半直線の反対側(180°異なる方向)に延びる第2の半直線上には、少なくともその異屈折率領域の一部が存在するようにする。このような異屈折率領域には、例えば、V字形のものや、同一形状の3個の、母材とは屈折率が異なる領域が三角形状に配置されたもの等がある。
このように異屈折率領域を形成することにより、第1半直線及び第2半直線から成る直線上においては、少なくとも一部において、重心に関して対称な2点での屈折率は互いに異なる(一方は母材の屈折率、他方は異屈折率領域の屈折率)。前述の通り、2次元フォトニック結晶内に形成される光の定在波の電界ベクトルは異屈折率領域の重心付近を中心として周回するように形成されるが、これら2点における電界ベクトルはこの屈折率の違いにより、互いに反対称にはならないため、消失性干渉が抑制される。そのため、2次元フォトニック結晶に垂直な方向に取り出される出力光の強度は従来よりも増加する。
従来の2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源における異屈折率領域では、円形、楕円形、正三角形、二等辺三角形、直角三角形、凸字形、鈎形及び大小2個の円を並べたもの(円形のものは特許文献1に、その他の形状の空孔は特許文献2に記載)等、重心は異屈折率領域内に存在し、その重心の周囲はいずれの方向にも異屈折率領域が存在する。そのため、これら従来の面発光レーザ光源では、少なくとも重心の近傍において、その重心に関して互いに対称な2点では両者の屈折率は同じになり、それによりその位置での電界ベクトルは互いに反対称になる。そのため、それら2点における電界は消失性干渉により打ち消し合う。それに対して本発明では上述のように消失性干渉が抑制されるため、従来の2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源よりも強い強度のレーザ光を取り出すことができる。
本発明の2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源の使用方法は従来のものと同様であり、活性層に電流を注入することによりレーザ光が得られる。
活性層に電流を注入すると、目的とするレーザ光の波長を含む波長帯の光が活性層から発光する。この光のうち2次元フォトニック結晶の周期に対応する波長の光により2次元フォトニック結晶内に2次元定在波が形成され、この光が強められることによりレーザ発振が得られ、2次元フォトニック結晶に垂直な方向に取り出される。
本発明に係る2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源(以下、「面発光レーザ」とする)の実施例を、図2〜図6を用いて説明する。
図2は本実施例の面発光レーザの斜視図である。n型半導体のガリウムヒ素(GaAs)から成る上部基板21の下にn型半導体のアルミニウム・ガリウム砒素(AlGaAs)から成るクラッド層22を挟んで、インジウム・ガリウム砒素/ガリウムヒ素(InGaAs/GaAs)から成る多重量子井戸(Multiple-Quantum Well; MQW)を有する活性層23が設けられている。活性層23の下に2次元フォトニック結晶24が設けられている。2次元フォトニック結晶24の構成は後述する。2次元フォトニック結晶24の下にp型AlGaAsから成るクラッド層25を挟んでp型GaAsから成る下部基板26が設けられている。
上部基板21の上に上部電極27が、下部基板26の下に下部電極28が、それぞれ設けられている。このうち上部電極27は本実施例の面発光レーザが放出するレーザ光を通過させることができる窓271を有する。下部電極28は、窓271を含めた上部電極27の面積よりも小さい面積を有する。また、下部電極28と活性層23の間の距離は、上部電極27と活性層23の間の距離よりも小さい。これら上部電極27及び下部電極28の構成により、上部電極27と下部電極28の間に電圧が印加された時に、活性層23内の狭い範囲に電流を集中させてその領域での電流密度を高めることができ、それによりレーザ発振に十分な強度の光を活性層23から得ることができる。また、活性層23に発生した熱を効率よく下部基板26等に放出することができる。
なお、活性層23と2次元フォトニック結晶24は互いの位置を入れ替えて配置してもよい。また、ここでは便宜上「上」「下」という表現を用いたが、これらは本実施例の面発光レーザの向きを限定するものではない。
本実施例の面発光レーザにおける2次元フォトニック結晶24の構成を説明する。本実施例では図3(a)及び(b)に示した2種類の2次元フォトニック結晶24A及び24Bを用いた。2次元フォトニック結晶24A及び24Bはいずれも、p型GaAsから成る板状の母材241に空孔(異屈折率領域)が正方格子状に配置されたものである。
2次元フォトニック結晶24Aに配置された空孔242AはV字形状を有する。その空孔242Aのうちの1個である空孔242A’を取り出して図4(a)に示す。空孔242A’の重心G1の位置には空孔242A’が存在せず、母材241のp型GaAsが存在する。また、重心G1の左方に延びる第1半直線251上にはその空孔242A’は存在しない。一方、重心G1から第1半直線251の反対側に延びる第2半直線252は空孔242A’を通過する。即ち、第2半直線252上の一部には空孔242A’が存在する。
2次元フォトニック結晶24Aでは、図4(a)中に太矢印で示すように、第2半直線252上の空孔242A内に形成される電界ベクトル292と、重心G1に関して電界ベクトル292と対称な位置である母材241内に形成される電界ベクトル291は、両者の存在する位置における屈折率が異なるため、反対称性を持たない。そのため、電界ベクトル291と292の消失性干渉は抑制される。
次に、2次元フォトニック結晶24Bに配置された空孔242Bのうちの1個である空孔242B’を取り出して図4(b)に示す。空孔242B’は円形の空孔から成る3個の空孔構成要素261、262、263を正三角形(図中に細い破線で示したもの)の頂点に配置したものである。この2次元フォトニック結晶24Bではこれら3個の空孔構成要素261〜263は1個の異屈折率領域(空孔)242B’として作用する。空孔242B’の重心G2は細破線の正三角形の重心の位置に存在する。この重心G2の位置には空孔構成要素261〜263が存在せず、母材241のp型GaAsが存在する。また、重心G2の左方に延びる第1半直線251上にも空孔構成要素261〜263は存在しない。一方、第1半直線251の反対側に延びる第2半直線252は空孔構成要素263を通過する。即ち、第2半直線252上の一部には空孔242B’が存在する。
2次元フォトニック結晶24Bにおいても、2次元フォトニック結晶24Aと同様に、第2半直線252上の空孔242B内に形成される電界ベクトル292と、重心G1に関して電界ベクトル292と対称な位置である母材241内に形成される電界ベクトル291は反対称性を持たず、それにより電界ベクトル291と292の消失性干渉は抑制される。
なお、ここでは一例として空孔構成要素261〜263を正三角形の頂点に配置した空孔を示したが、正三角形以外の形状の三角形の頂点に空孔構成要素261〜263を配置した空孔を用いた2次元フォトニック結晶も、2次元フォトニック結晶24Bと同様の効果を奏する。
図4では(a), (b)共に半直線251及び252は1組のみ示したが、実際には図5に斜線で示した範囲内を通過し重心を起点とする半直線は全て第1半直線としての要件を満たし、その第1半直線の反対側に延びる半直線(図5の網掛けの範囲内に存在)はその上に空孔が存在するため第2半直線の要件を満たす。そのため、消失性干渉が抑制される領域は2次元フォトニック結晶内の広い範囲に亘る。
このように、2次元フォトニック結晶内の広い範囲内で消失性干渉が抑制され、重心に関して対称な位置にある電界ベクトルが互いに完全には打ち消し合わないため、2次元フォトニック結晶内で共振して得られるレーザ光は従来よりも強い強度で上部電極27の窓271から外部に取り出すことができる。
本実施例において2次元フォトニック結晶内に形成される電磁界分布を2次元FDTD法で計算した結果を図6に示す。図1と同様に、灰色の濃淡は磁界の強弱を示し、矢印の方向及び長さは電界の方向及び強度を示している。図6(a)は2次元フォトニック結晶24Aを用いた場合、図6(b)は2次元フォトニック結晶24Bを用いた場合、の計算結果である。2次元フォトニック結晶24Aでは、重心G1の右側にある空孔242A内の位置における電界の強度よりも、重心G1に関してその空孔242A内の位置と対称な位置における電界の強度が弱い。2次元フォトニック結晶24Bでは、空孔構成要素261及び262内の電界の強度よりも、重心G2に関して空孔構成要素261及び262に対称な位置における電界の強度の方が強い。また、空孔構成要素263内の電界の強度よりも、重心G2に関して空孔構成要素263に対称な位置における電界の強度の方が弱い。このように本実施例では重心に対して非対称な電界が形成されるため、消失性干渉の影響を抑制することができ、それにより強い強度のレーザ光を得ることができる。
2次元フォトニック結晶24A及び2次元フォトニック結晶24Bを用いた場合についてそれぞれ、2次元FDTD法により求めたフォトニック結晶層の面内の電界分布をフーリエ変換したもののうち、面垂直方向に出射する波数成分の割合を示すα⊥値を計算した。このα⊥は、その値が大きいほど2次元フォトニック結晶に垂直な方向に出力される光の強度が強いことを意味する。比較のため、正三角形の空孔を正方格子状に配置した2次元フォトニック結晶を用いた従来の面発光レーザについても同様の計算を行った。その結果、この従来の面発光レーザにおけるα⊥を1とした場合に、2次元フォトニック結晶24Aを用いたもののα⊥は7.1となり、2次元フォトニック結晶24Bを用いたもののα⊥は14.9となった。この計算結果より、本実施例の面発光レーザでは従来のものよりも強い強度でレーザ光を取り出すことができることが確認された。
なお、本発明において異屈折率領域(空孔)の形状は、前述のように第1半直線上にはその異屈折率領域が存在せず第2半直線上の少なくとも一部にその異屈折率領域が存在するものであればよく、言うまでもなく本実施例に示されたものには限定されない。また、異屈折率領域の配置は、本実施例では正方格子状としたが、三角格子状、斜交格子状、直方格子状等、他の配置を取ることもできる。更に、活性層、クラッド層、電極等、2次元フォトニック結晶以外の構成要素には、本実施例に示したものに限らず、従来の2次元フォトニック結晶面発光レーザで用いられているものをそのまま用いることができる。
従来の2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源における2次元フォトニック結晶内の電磁界分布を計算した結果を示す図。 本発明に係る2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源の一実施例を示す斜視図。 本実施例における2次元フォトニック結晶の斜視図。 本実施例における2次元フォトニック結晶内に設けられている空孔の平面図。 本実施例における2次元フォトニック結晶の空孔内で第1半直線及び第2半直線の要件を満たす領域を示す平面図。 本実施例において2次元フォトニック結晶に形成される電磁界分布を計算した結果を示す図。
符号の説明
11、242A、242B…空孔
21…上部基板
22…クラッド層
23…活性層
24、24A、24B…2次元フォトニック結晶
241…母材
25…クラッド層
251…第1半直線
252…第2半直線
26…下部基板
261、262、263…空孔構成要素
27…上部電
71…窓
28…下部電極
291、292…電界ベクトル
G1、G2…重心

Claims (2)

  1. 板状の母材に該母材とは屈折率が異なる同一形状の領域が周期的に配置されて成る2次元フォトニック結晶と、該2次元フォトニック結晶の一方の側に設けた活性層と、を備える2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源において、
    各異屈折率領域において、該異屈折率領域の重心及び該重心を起点とし2次元フォトニック結晶の面内に延びる第1の半直線上に該異屈折率領域が存在せず、該重心を起点とし第1半直線の反対側に延びる第2の半直線上の少なくとも一部に該異屈折率領域が存在し、
    各異屈折率領域がV字形であることを特徴とする2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源。
  2. 板状の母材に該母材とは屈折率が異なる同一形状の領域が周期的に配置されて成る2次元フォトニック結晶と、該2次元フォトニック結晶の一方の側に設けた活性層と、を備える2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源において、
    各異屈折率領域において、該異屈折率領域の重心及び該重心を起点とし2次元フォトニック結晶の面内に延びる第1の半直線上に該異屈折率領域が存在せず、該重心を起点とし第1半直線の反対側に延びる第2の半直線上の少なくとも一部に該異屈折率領域が存在し、
    各異屈折率領域が、同一形状の3個の、母材とは屈折率が異なる領域が三角形状に配置されたものであることを特徴とする2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源。
JP2006097651A 2006-03-31 2006-03-31 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源 Active JP5138898B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006097651A JP5138898B2 (ja) 2006-03-31 2006-03-31 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源
TW096110503A TW200803093A (en) 2006-03-31 2007-03-27 Two-dimensional photonic crystal surface light-emitting laser light source
PCT/JP2007/000340 WO2007116584A1 (ja) 2006-03-31 2007-03-30 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源
EP07736997A EP2006965A2 (en) 2006-03-31 2007-03-30 Two-dimensional photonic crystal surface light-emitting laser light source
US12/225,530 US8923358B2 (en) 2006-03-31 2007-03-30 Two-dimensional photonic crystal surface emitting laser light source

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006097651A JP5138898B2 (ja) 2006-03-31 2006-03-31 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007273730A JP2007273730A (ja) 2007-10-18
JP5138898B2 true JP5138898B2 (ja) 2013-02-06

Family

ID=38580886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006097651A Active JP5138898B2 (ja) 2006-03-31 2006-03-31 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8923358B2 (ja)
EP (1) EP2006965A2 (ja)
JP (1) JP5138898B2 (ja)
TW (1) TW200803093A (ja)
WO (1) WO2007116584A1 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7991036B2 (en) * 2007-06-28 2011-08-02 Konica Minolta Holdings, Inc. Two-dimensional photonic crystal plane emission laser
US8320191B2 (en) 2007-08-30 2012-11-27 Infineon Technologies Ag Memory cell arrangement, method for controlling a memory cell, memory array and electronic device
JP5388666B2 (ja) * 2008-04-21 2014-01-15 キヤノン株式会社 面発光レーザ
JP5303221B2 (ja) 2008-08-29 2013-10-02 独立行政法人科学技術振興機構 2次元フォトニック結晶レーザ
GB201607996D0 (en) 2016-05-06 2016-06-22 Univ Glasgow Laser device and method for its operation
JP7333666B2 (ja) * 2017-02-28 2023-08-25 学校法人上智学院 光デバイスおよび光デバイスの製造方法
JP7090861B2 (ja) * 2017-02-28 2022-06-27 学校法人上智学院 光デバイスおよび光デバイスの製造方法
US11637409B2 (en) * 2017-03-27 2023-04-25 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor light-emitting module and control method therefor
US11646546B2 (en) 2017-03-27 2023-05-09 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor light emitting array with phase modulation regions for generating beam projection patterns
JP6959042B2 (ja) 2017-06-15 2021-11-02 浜松ホトニクス株式会社 発光装置
JP6355178B2 (ja) * 2017-06-29 2018-07-11 国立大学法人京都大学 レーザ装置
US11626709B2 (en) 2017-12-08 2023-04-11 Hamamatsu Photonics K.K. Light-emitting device and production method for same
JP7125867B2 (ja) * 2018-06-20 2022-08-25 浜松ホトニクス株式会社 発光素子

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3983933B2 (ja) * 1999-05-21 2007-09-26 進 野田 半導体レーザ、および半導体レーザの製造方法
JP3561244B2 (ja) * 2001-07-05 2004-09-02 独立行政法人 科学技術振興機構 二次元フォトニック結晶面発光レーザ
JP4484134B2 (ja) 2003-03-25 2010-06-16 独立行政法人科学技術振興機構 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
US8605769B2 (en) * 2004-12-08 2013-12-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
TW200803093A (en) 2008-01-01
JP2007273730A (ja) 2007-10-18
US8923358B2 (en) 2014-12-30
US20090175304A1 (en) 2009-07-09
EP2006965A2 (en) 2008-12-24
WO2007116584A1 (ja) 2007-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5138898B2 (ja) 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源
JP4820749B2 (ja) 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源
JP5072402B2 (ja) 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
EP1610427B1 (en) Two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser
US8711895B2 (en) Surface-emitting laser light source using two-dimensional photonic crystal
JP5303221B2 (ja) 2次元フォトニック結晶レーザ
JP4793820B2 (ja) 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源
JP2003023193A (ja) 二次元フォトニック結晶面発光レーザ
US20070075318A1 (en) Two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser
JP4294023B2 (ja) 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源
US20190157836A1 (en) Two-dimensional photonic-crystal surface-emitting laser
JP4310297B2 (ja) 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源
KR101771273B1 (ko) 포토닉결정 레이저
US20100172389A1 (en) Two-dimensional photonic crystal plane emission laser
WO2022181723A1 (ja) 2次元フォトニック結晶レーザ
JP5309877B2 (ja) フォトニック結晶面発光レーザ素子
JP2010056338A (ja) 2次元フォトニック結晶レーザ
JP5305423B2 (ja) 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源
JP2003273454A (ja) 2次元フォトニック結晶面発光レーザ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20081203

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110816

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111017

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20111220

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20111220

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120207

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120409

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121106

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121115

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5138898

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151122

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250