JP4294023B2 - 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源 - Google Patents
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Description
実際には2次元フォトニック結晶の大きさは有限であるため、反対称モードの光も対称性が崩れて面垂直方向に取り出すことができる。しかしその場合においても、面垂直方向に取り出される光の強度は干渉の影響を受けて弱められる。
該2次元フォトニック結晶が、板状の母材内に、該母材とは屈折率が異なる複数の領域から成り該領域のうち少なくとも2個の厚さが互いに異なる異屈折率領域集合体を多数、周期的に配置して成る、
ことを特徴とする。
また、異屈折率領域集合体内の各異屈折率領域は、平面形状の面積が大きいものほど厚さが厚い方が望ましい。
板状の母材上に面積が異なる2個以上の孔から成る孔集合体を多数、周期的に配置したマスクを形成し、
該マスクの上から該母材をドライエッチングし、母材に形成される空孔が全て母材を貫通する前に該ドライエッチングを終了する、
ことにより該2次元フォトニック結晶を形成することを特徴とする。
2次元フォトニック結晶を製造する際には、多くの場合、ドライエッチング法を用いて母材内に空孔を形成する。この空孔を形成する際に、平面形状の面積が小さい程、エッチングガスが空孔内に浸入しにくくなり、エッチング速度が遅くなる。その結果、異屈折率領域集合体内の各異屈折率領域は面積が大きいものほど厚さが厚くなる。すなわち、各異屈折率領域の面積を異なるものとしておくだけで、通常のドライエッチング法を用いることにより、特段の技術を要することなく、本発明に係る異屈折率領域集合体を容易に作製することができる。
但し、全ての空孔が母材を貫通してしまうと全ての異屈折率領域の厚さが同じになってしまうため、ドライエッチングは、母材に形成される空孔が全て母材を貫通する前に終了しなければならない。
本実施例のレーザ光源では、図2に示すように、陽電極21と陰電極22の間に、インジウム・ガリウム砒素(InGaAs)とガリウム砒素(GaAs)により形成される多重量子井戸(Multiple-Quantum Well; MQW)から成る活性層23を設ける。そして、活性層23の上にp型GaAsから成る2次元フォトニック結晶層24を設ける。2次元フォトニック結晶層24の構成は後述する。活性層23と陽電極21の間に、p型GaAsから成るスペーサ層261、p型AlGaAsから成るクラッド層271及びp型GaAsから成るコンタクト層28を設ける。また、活性層23と陰電極22の間に、n型GaAsから成るスペーサ層262及びn型AlGaAsから成るクラッド層272を設ける。なお、図2では、2次元フォトニック結晶層24の構造を示すために、スペーサ層261と2次元フォトニック結晶層24の間を空けて描いた。
図3(a)に2次元フォトニック結晶層24の上面図を示す。2次元フォトニック結晶層24はp型GaAsから成り厚さが130nmのスラブ状の母材に異屈折率領域集合体25を周期285nmで正方格子状に配置したものである。図3(b)に1つの異屈折率領域集合体25の上面図を、図3(c)に縦断面図を示す。異屈折率領域集合体25は、母材を穿孔することにより形成した第1空孔251及び第2空孔252から成る。第1空孔251の形状は長辺167nm、短辺87nm、厚さ120nmの直方体であり、第2空孔252の形状は直径56nm、厚さ60nmの円柱である。第2空孔252は第1空孔の長辺に隣接して配置する。両者の中心間距離は90nmである。2次元フォトニック結晶層24中で第1空孔251及び第2空孔252が占める割合(フィリングファクター)は0.18である。
まず、通常のMOCVD法等を用いてクラッド層272、スペーサ層262、活性層23、及びp型GaAsから成る母材31の順で積層した第1積層体32を形成する(a)。次に、母材31の上にレジスト33を形成し、電子ビーム露光法やナノインプリント法等により、第1空孔251及び第2空孔252を設ける位置に対応して、レジスト33に、平面形状が長辺167nm×短辺87nmの長方形である孔341と、直径56nmの円形である孔342を形成する(b)。その後、レジスト33上に塩素を含有するエッチングガスを導入する(c)。エッチングガスは長方形孔341及び円形孔342からそれぞれ、母材31をドライエッチングする。このドライエッチングを所定時間だけ行うことにより、母材31には長方形孔341の下に所定の厚さだけ形成された第1空孔251と、円形孔342の下に第1空孔251よりも厚さが薄い第2空孔252が穿孔され、2次元フォトニック結晶層24が作製される(d)。第1空孔251と第2空孔252が異なる厚さで形成される理由は後述する。前記所定時間は予備実験により求めておく。ドライエッチングの終了後、レジスト33を除去する。
12…空孔
21…陽電極
22…陰電極
23…活性層
24…2次元フォトニック結晶層
25…異屈折率領域集合体
251…第1空孔
252…第2空孔
261、262…スペーサ層
271、272…クラッド層
28…コンタクト層
31…母材
32…第1積層体
33…レジスト
341…長方形孔
342…円形孔
35…第2積層体
Claims (6)
- 活性層と、その一方の側に設けた2次元フォトニック結晶と、を有する2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源において、
該2次元フォトニック結晶が、板状の母材内に、該母材とは屈折率が異なる複数の領域から成り該領域のうち少なくとも2個の厚さが互いに異なる異屈折率領域集合体を多数、周期的に配置して成る、
ことを特徴とする2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源。 - 異屈折率領域集合体内の各異屈折率領域の平面形状が互いに異なることを特徴とする請求項1に記載の2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源。
- 前記異屈折率領域集合体内の各異屈折率領域が、平面形状の面積が大きいものほど厚さが厚いことを特徴とする請求項2に記載の2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源。
- 前記異屈折率領域集合体が、略長方形の平面形状を有する第1異屈折率領域と、該第1異屈折率領域の長辺に隣接して設けた、該長辺の長さよりも短い径を持つ略円形の平面形状を有し第1異屈折率領域よりも面積が小さく厚さが薄い第2異屈折率領域と、から成ることを特徴とする請求項3に記載の2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源。
- 前記異屈折率領域集合体内の各領域が空孔から成ることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源。
- 活性層と、その一方の側に設けた2次元フォトニック結晶と、を有する2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源の製造方法において、
板状の母材上に面積が異なる2個以上の孔から成る孔集合体を多数、周期的に配置したマスクを形成し、
該マスクの上から該母材をドライエッチングし、母材に形成される空孔が全て母材を貫通する前に該ドライエッチングを終了する、
ことにより該2次元フォトニック結晶を形成することを特徴とする2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源の製造方法。
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