JP4766704B2 - 面発光レーザ - Google Patents
面発光レーザ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4766704B2 JP4766704B2 JP2008052906A JP2008052906A JP4766704B2 JP 4766704 B2 JP4766704 B2 JP 4766704B2 JP 2008052906 A JP2008052906 A JP 2008052906A JP 2008052906 A JP2008052906 A JP 2008052906A JP 4766704 B2 JP4766704 B2 JP 4766704B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitting laser
- photonic crystal
- surface emitting
- conductive film
- period
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04254—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/185—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04252—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the material
- H01S5/04253—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the material having specific optical properties, e.g. transparent electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/11—Comprising a photonic bandgap structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
面発光レーザは、単一縦モード、低しきい値、2次元アレイ化が容易、などの優れた特性を持つ。
このような面発光レーザとして、フォトニック結晶を利用した2次元フォトニック結晶面発光レーザの開発が進められてきている。
ここで、フォトニック結晶とは光の波長と同程度もしくはより小さい屈折率周期を有する構造体である。
上記特許文献1の面発光レーザは、再成長または貼り合わせ工程が不要な面発光レーザを構成するため、具体的には図5に示すような構造を備えている。
この面発光レーザは、図5に示すように、基板11上に下部クラッド12、活性層13、上部クラッド14が積層されている。
また、この上部クラッド層14の中央部分にはレーザ共振器となるフォトニック結晶周期構造体21を伴う発光領域が設けられ、その周囲にリング状の上部電極17が配置されている。
上部電極17と基板11下の下部電極16から、キャリアを活性層13に注入することで活性層を発光させ、レーザ発振させるように構成されている。
この面発光レーザでは、スラブ導波路に形成されたフォトニック結晶によって、スラブ導波路の導波モードが、スラブの外部に光を放出する輻射モードと共鳴している。
その結果、フォトニック結晶スラブは上記GMRの共鳴波長においてスラブ導波路の面に垂直な方向からの入射光の透過率を著しく減少させたり反射率を著しく増加させたりできる。
すなわち、フォトニック結晶構造を持つスラブ導波路は、ミラーとしての機能を有することができる。
このフォトニック結晶構造を持つミラーと、他のミラー(例えば別の同種ミラーや多層膜反射鏡)とを活性層を挟んで対向させ、垂直共振器とする。
そして電極からフォトニック結晶構造ミラーを経由してキャリアを前記活性層に注入するとレーザ発振にいたる面発光レーザが、実施形態として開示されている。
フォトニック結晶層を利用する面発光レーザにおいて、活性層に電流を注入するための電極は、活性層で発生した光をできるだけ吸収しないことがレーザの発光効率の観点から望ましい。
このため、一般的には電極はフォトニック結晶領域近傍を避けるように配置する。
なぜなら、上記特許文献1および特許文献2では、フォトニック結晶領域では光が共振し光強度が大きくなっているため、近傍に吸収体があると共振している光が強く吸収されてしまうからである。
そこで、特許文献1では、フォトニック結晶を取り囲むように周辺に配置したリング状の電極を形成することにより、光の吸収を抑制している。
この結果、活性層までキャリアが十分に注入されないという不都合が生じる。
すなわち、半導体でのキャリアの拡散長はあまり大きくないため、リング状の電極の中心下に位置している、活性層により構成される発光領域の中央部まで、キャリアが十分に注入されないこととなる。
そのため、電流注入効率が落ち、高いレーザ光出力を得ることが困難となる。
一方、活性層への効率的なキャリアの注入を優先してフォトニック結晶上の全面に電極または導電膜を設けた場合においては、この電極または導電膜により光吸収が強くなる。この結果、高いレーザ光出力を得ることが困難となる。
本発明に係る面発光レーザは、基板上に活性層を介してフォトニック結晶層を有する面発光レーザであって、
前記フォトニック結晶層は、少なくとも面内方向に共振させる第1の周期構造と、面内方向の光の強度分布を変調させる第2の周期構造とを含み、
前記フォトニック結晶層内の前記光の強度分布は、前記第2の周期構造によって、光強度が高い領域と低い領域とに周期性をもって分布しており、
前記光強度が低い領域の直上に、前記活性層に電流注入するための導電膜が選択的に設けられていることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、基板上に活性層を介してフォトニック結晶層を有する面発光レーザであって、
前記フォトニック結晶層は、少なくとも面内方向に共振させる第1の周期構造と、面内方向の光の強度分布を変調させる第2の周期構造とを含み、
前記第2の周期構造により前記光の強度分布が低い強度分布に周期的に変調されている前記フォトニック結晶層上の領域に、前記活性層に電流注入するための導電膜が設けられていることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、前記第1の周期構造が、前記面内方向に共振させる光の真空波長よりも短い周期による短周期構造であり、
前記第2の周期構造が、前記光の真空波長よりも長い周期による長周期構造であることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、前記フォトニック結晶層には、該フォトニック結晶層の周囲に前記導電膜を介して上部電極が設けられていることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、前記導電膜と前記電極が、同じ材料で形成されていることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、前記導電膜が、薄膜で形成されていることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、前記短周期構造が、ホールの2次元正方格子状の配列または2次元三角格子状の配列によることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、前記長周期構造が、前記ホール径またはホール深さに、1次元的または2次元的に周期変調を加えて構成されていることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、前記ホールの空孔に、誘電体が充填されていることを特徴とする。
具体的には、基板上に活性層を介してフォトニック結晶層を有する面発光レーザである。そして、前記フォトニック結晶層は、少なくとも2種類の周期構造を有する。
2種類の周期構造とは、面内方向に共振させるための第1の周期構造と、該共振モードにおける光の面内方向の強度分布を変調させるための第2の周期構造である。
ここで、第2の周期構造の周期は第1の周期構造の周期よりも長いことが特徴である。
前記フォトニック結晶層内の前記光の強度分布は、前記第1の周期構造の周期によって空間的に強度分布の強弱が変化する。
これに加え、前記第2の周期構造によって光強度が高い領域と低い領域とに緩やかに周期性をもって空間分布するように構成される。
前記光強度が低い領域の直上に、前記活性層に電流注入するための導電膜を選択的に設ける。
なお、導電膜は、必ずしも、光強度が低い領域の直上のみに設ける必要は無く、導電膜を設けることによる光強度の低下が問題にならないかぎり、光強度が高い領域の直上におく事も可能である。
但し、光強度が高い領域と低い領域との総和のエリアを見た場合に、低い領域の直上に設けられた導電膜のエリア面積を、高い領域の直上に設けられている導電膜のエリア面積よりも多くするのがよい。
そこで、本実施形態に係る面発光レーザでは、光強度が低い領域に選択的に導電膜を設ける構成としている。
上記構成によって、光吸収を抑制し、キャリアを効率よく注入して高出力化を図ることが可能となる、基板上に活性層を介してフォトニック結晶層を有する面発光レーザを得ることができる。
そして、上記第2の周期構造は、第1の周期構造による共振光強度分布を、さらに面内方向に長周期に変調させるように機能するように構成される。
具体的には、前記第1の周期構造は、前記面内方向に共振させる光の真空波長よりも短い周期による短周期構造とし、前記第2の周期構造は、前記光の真空波長よりも長い周期による長周期構造とする。
そして、この第2の周期構造によって生じた、前記光の強度分布が低い強度分布に周期的に変調されている前記フォトニック結晶層上の領域に導電膜を設け、この導電膜を介して活性層にキャリアを注入するようにする。
図6、図7はそれぞれ、(B)フォトニック結晶構造の誘電率分布と(A)その分布に対応して決まる共振モードの光強度分布の一例を表す模式図である。
それぞれ(A)のグラフの縦軸は光強度を、(B)のグラフの縦軸は誘電率を表す。
誘電率を屈折率と読み替えても以下の議論に本質的に差し支えは無い。また、(A)(B)のグラフの横軸は空間位置を表す。
図6の(B)では、ある空間方向、ここではx方向に対し周期aで誘電率分布を持つフォトニック結晶構造の一例を表している。
このフォトニック結晶構造に対しては、図6の(A)に示すように、共振する光の強度分布も周期aの分布となる。ここでは説明の簡単のために光強度を2値で表示している。
この共振モードにある光の波長λはたとえばa/2程度である。次に、図7の(B)で示すように、周期aの周期性を持つ誘電率分布に、周期bでの周期的な変調が加えられた誘電率分布を持つフォトニック結晶構造を考える。
ここでも簡単のために光強度を離散的に示しているが、前記特徴を有する点において、実際の光強度分布と本質的に同じである。
さて、図7の(A)の領域710に示すように、前記のような2重周期を持つフォトニック結晶構造では、その共振モードの光強度分布において、相対的に強度が小さくなる領域が周期的に存在する。
このような相対的に強度が小さくなる領域が周期的に存在する光強度分布は、単周期のフォトニック結晶構造のときには現れない。
したがって、この領域710の付近に光吸収体(例えば、導電膜、電極などの金属)がある場合と、例えば図6の(A)の領域610の付近に同様に光吸収体がある場合とで比較すると、前者の共振器ロスは抑制されることになる。
このように、光強度分布の小さい場所を設け、導電膜を設けることにより、光吸収により影響を最小にしながら、フォトニック結晶層の面内全面に電流注入を実現することにより、高出力化が可能となる。
なお、フォトニック結晶構造の持つ周期性は図6、図7では一次元方向の周期性についてのみ触れているが、フォトニック結晶構造は二次元的な周期構造を持っていても良い。
図1に、本実施例における面発光レーザを説明する断面模式図を示す。
また、図2は図1における面発光レーザの上面を模式的に示す図である。
図1及び図2において、100は面発光レーザ、105は基板、120は下部クラッド層、125は活性層、130は上部クラッド層、170は導電膜、180は上部電極、185は下部電極、190はフォトニック結晶構造である。
図1に示すように、本実施例の面発光レーザ100は、基板105上に、下側クラッド層120、活性層125、上側クラッド層130、により構成されている。
また、上側クラッド層130には、導電膜170および上部電極180、基板105には下部電極185が設けられている。
本実施例における上側クラッド層130の上部には、2次元的なホール配列によるフォトニック結晶構造190が構成されている。
上部電極180はこのフォトニック結晶構造190を取り囲むようにリング状の形状をしている。
図3において、195は上側クラッド層が円柱状にエッチングされたホールである。
本実施例のフォトニック結晶構造190においては、上側クラッド層が円柱状にエッチングされた形状であるホール195が、レーザ共振波長より短い周期aで2次元正方格子状に配されている。
そして、フォトニック結晶構造において、個々のホールの半径は場所による周期変調が1次元的に加えられ、その周期はレーザ共振波長より長い周期bである。例えば、bはaの20倍とし、あるホールから数えて20*n+i番目(nは整数、0<=i<20)のホールの半径は(0.4−0.03*|10−i|)*aとする。
ここで、上部クラッド層において、この前記長周期bに応じた変調で電場強度が弱くなっている上部クラッド層上の当該箇所に導電膜を配し、逆に電場強度が強くなっている箇所の上には、導電膜を配さないようにする。
上記導電膜は、例えば、厚さが100nmのインジウムスズ酸化物(ITO:Indium−tin−oxide)で構成することができる。
したがって、共振器であるフォトニック結晶構造付近に、導電膜を設置すると、そこで共振する光を吸収してしまい、吸収が大きければレーザ発振が不可能になる。
しかし、本実施例の上記構成のように、フォトニック結晶にさらに変調を加え、定在波電場強度に長周期での強弱をつけ、電場強度が弱くなっている個所だけを選んで、上部クラッド層上における上記個所に導電膜を設けると、
導電膜を上部クラッド層上の全面につけたときよりも、光吸収は大きく抑えることが可能となる。
一方、導電膜をつけたことで、キャリアの拡散はこの導電膜を通じても行われるようになるので、リング電極の内径が大きくとも広いエリアの活性層にキャリアが注入できる。
したがって、本実施例によれば、電流注入効率をよくすることができ、レーザ発光強度を大きくすることが可能となる。
まず、基板105上に下部クラッド層120、活性層125、上部クラッド層130を積層させる。
基板105はたとえばn型GaAs基板からなる。
下部クラッド層120、上部クラッド層130はそれぞれn型、p型のAlGaAsからなる。活性層125はAlGaInP系の多重量子井戸構造からなっておりキャリアの注入により発光する。
これらの積層プロセスは通常の半導体成膜技術を用いる。
導電膜170は、例えばインジウムスズ酸化物(ITO:Indium−tin−oxide)とする。
上部クラッド層130および導電膜170にフォトニック結晶構造190を作製する。
ここでフォトニック結晶構造190は短周期aの2次元正方格子状のホール列であり、さらにホール径は長周期bで変調がかかっている。たとえばaは300nm、bは6μmとする。
フォトニック結晶構造190は、たとえば電子ビームリソグラフィ法でパターニングし、エッチング加工により形成する。
導電膜170を取り去る場所は、レーザ共振モードにおける長周期bでの定在波電場強度の大きい上部クラッド層の層上の部分である。この定在波の電場強度はフォトニック結晶構造190のパターンによって決まる。
このように、エッチングによって導電膜170の一部を取り去ることで、低い強度分布に周期的に変調されている上部クラッド層の当該層上の部分に、導電膜が形成される。
その後、リング型の上側電極180を導電膜170上に、下部電極185を基板下につける。
上側電極180、下部電極185はそれぞれたとえばTi/Au、AuGe/Auである。
また、ホールの空孔にSiNなどの誘電体などを充填してもよい。
また、ホール配列でなく、ピラー配列でもよい。
また、本実施例では、ホール径に変調を加える長周期変調は1次元的であるとしたが、2次元的であってもよい。
この場合、定在波電場強度の小さいところに応じて、図4に上から見た図を示すように、導電膜を網状に配置してもよい。
また、フォトニック結晶構造190への屈折率分布への変調の与え方について、ここではホール径への変調を述べたが、ホール深さへの変調などでもよい。
また、導電膜は上部電極と同じ材質でもよい。
その他、本発明に係る面発光レーザは本実施例の構成に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に変更することができる。
特に、半導体層、導電膜、フォトニック結晶、電極の材料や、フォトニック結晶の屈折率分布のパターンなどは任意である。
105:基板
120:下部クラッド層
125:活性層
130:上部クラッド層
170:導電膜
180:上部電極
185:下部電極
190:フォトニック結晶構造
195:ホール
Claims (8)
- 基板上に活性層を介してフォトニック結晶層を有する面発光レーザであって、
前記フォトニック結晶層は、少なくとも面内方向に共振させる第1の周期構造と、面内方向の光の強度分布を変調させる第2の周期構造とを含み、
前記フォトニック結晶層内の前記光の強度分布は、前記第2の周期構造によって、光強度が高い領域と低い領域とに周期性をもって分布しており、
前記光強度が低い領域の直上に、前記活性層に電流注入するための導電膜が選択的に設けられていることを特徴とする面発光レーザ。 - 前記第1の周期構造は、前記面内方向に共振させる光の真空波長よりも短い周期による短周期構造であり、
前記第2の周期構造は、前記光の真空波長よりも長い周期による長周期構造であることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ。 - 前記フォトニック結晶層には、該フォトニック結晶層の周囲に前記導電膜を介して上部電極が設けられていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の面発光レーザ。
- 前記導電膜と前記電極は、同じ材料で形成されていることを特徴とする請求項3に記載の面発光レーザ。
- 前記導電膜が、薄膜で形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の面発光レーザ。
- 前記短周期構造が、ホールの2次元正方格子状の配列または2次元三角格子状の配列によることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の面発光レーザ。
- 前記長周期構造は、前記ホール径またはホール深さに、1次元的または2次元的に周期変調を加えて構成されていることを特徴とする請求項6に記載の面発光レーザ。
- 前記ホールの空孔に、誘電体が充填されていることを特徴とする請求項6に記載の面発光レーザ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008052906A JP4766704B2 (ja) | 2007-04-20 | 2008-03-04 | 面発光レーザ |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007111318 | 2007-04-20 | ||
JP2007111318 | 2007-04-20 | ||
JP2008052906A JP4766704B2 (ja) | 2007-04-20 | 2008-03-04 | 面発光レーザ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008288558A JP2008288558A (ja) | 2008-11-27 |
JP4766704B2 true JP4766704B2 (ja) | 2011-09-07 |
Family
ID=40147953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008052906A Expired - Fee Related JP4766704B2 (ja) | 2007-04-20 | 2008-03-04 | 面発光レーザ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7876800B2 (ja) |
JP (1) | JP4766704B2 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5171318B2 (ja) * | 2008-03-05 | 2013-03-27 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザアレイ |
JP5388666B2 (ja) * | 2008-04-21 | 2014-01-15 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザ |
JP5106487B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザの製造方法及び面発光レーザアレイの製造方法、該製造方法による面発光レーザアレイを備えている光学機器 |
JP4639249B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2011-02-23 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザの製造方法及び面発光レーザアレイの製造方法、面発光レーザ及び面発光レーザアレイ、面発光レーザアレイを備えている光学機器 |
JP5038371B2 (ja) * | 2008-09-26 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザの製造方法 |
KR100993077B1 (ko) * | 2010-02-17 | 2010-11-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법, 발광소자 패키지 |
US9042421B2 (en) | 2010-10-18 | 2015-05-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface emitting laser, surface emitting laser array, and optical apparatus having surface emitting laser array |
CN103999304A (zh) * | 2012-01-18 | 2014-08-20 | 惠普发展公司,有限责任合伙企业 | 集成亚波长光栅元件 |
US9112331B2 (en) | 2012-03-22 | 2015-08-18 | Palo Alto Research Center Incorporated | Surface emitting laser incorporating third reflector |
US9124062B2 (en) | 2012-03-22 | 2015-09-01 | Palo Alto Research Center Incorporated | Optically pumped surface emitting lasers incorporating high reflectivity/bandwidth limited reflector |
US9112332B2 (en) * | 2012-06-14 | 2015-08-18 | Palo Alto Research Center Incorporated | Electron beam pumped vertical cavity surface emitting laser |
JP2014027264A (ja) * | 2012-06-22 | 2014-02-06 | Canon Inc | 面発光レーザ |
JP6080941B2 (ja) * | 2013-03-08 | 2017-02-15 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 | 2次元フォトニック結晶面発光レーザ |
US9627850B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-04-18 | Japan Science And Technology Agency | Two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser |
US11637409B2 (en) * | 2017-03-27 | 2023-04-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor light-emitting module and control method therefor |
US11646546B2 (en) | 2017-03-27 | 2023-05-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor light emitting array with phase modulation regions for generating beam projection patterns |
JP6959042B2 (ja) | 2017-06-15 | 2021-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 発光装置 |
JP6925249B2 (ja) * | 2017-12-08 | 2021-08-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 発光装置 |
JP7245169B2 (ja) | 2017-12-08 | 2023-03-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP7510698B2 (ja) | 2019-08-30 | 2024-07-04 | 国立大学法人京都大学 | 2次元フォトニック結晶面発光レーザ |
JP7504368B2 (ja) * | 2019-12-16 | 2024-06-24 | 国立大学法人京都大学 | 面発光レーザ素子及び面発光レーザ素子の製造方法 |
CN113795985B (zh) * | 2021-03-15 | 2023-12-15 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 垂直腔面发射激光器及电子设备 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6154480A (en) * | 1997-10-02 | 2000-11-28 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Vertical-cavity laser and laser array incorporating guided-mode resonance effects and method for making the same |
JP2003273453A (ja) | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Japan Science & Technology Corp | 2次元フォトニック結晶面発光レーザ及びその製造方法 |
JP2003273456A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Japan Science & Technology Corp | 2次元フォトニック結晶面発光レーザ |
US7808011B2 (en) * | 2004-03-19 | 2010-10-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor light emitting devices including in-plane light emitting layers |
JP4366598B2 (ja) * | 2004-11-01 | 2009-11-18 | セイコーエプソン株式会社 | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法、光モジュール、並びに、光伝達装置 |
JP4027392B2 (ja) * | 2005-04-28 | 2007-12-26 | キヤノン株式会社 | 垂直共振器型面発光レーザ装置 |
US7483466B2 (en) * | 2005-04-28 | 2009-01-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Vertical cavity surface emitting laser device |
JP4548345B2 (ja) * | 2006-01-12 | 2010-09-22 | セイコーエプソン株式会社 | 面発光型半導体レーザ |
US7697588B2 (en) * | 2006-11-02 | 2010-04-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Structure having photonic crystal and surface-emitting laser using the same |
US7499481B2 (en) * | 2006-11-14 | 2009-03-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface-emitting laser and method for producing the same |
US7535946B2 (en) * | 2006-11-16 | 2009-05-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Structure using photonic crystal and surface emitting laser |
-
2008
- 2008-03-04 JP JP2008052906A patent/JP4766704B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-04-18 US US12/105,481 patent/US7876800B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090232179A1 (en) | 2009-09-17 |
JP2008288558A (ja) | 2008-11-27 |
US7876800B2 (en) | 2011-01-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4766704B2 (ja) | 面発光レーザ | |
US7181120B2 (en) | Optical active device | |
US6683898B2 (en) | Mode control using transversal bandgap structure in VCSELs | |
KR100991064B1 (ko) | 수직공진기형 면발광레이저 | |
KR100759603B1 (ko) | 수직 공진기형 면발광 레이저 장치 | |
US8416826B2 (en) | Photonic crystal surface emitting laser | |
JP4968959B2 (ja) | フォトニック結晶および該フォトニック結晶を用いた面発光レーザ | |
JP5171318B2 (ja) | 面発光レーザアレイ | |
JP5769483B2 (ja) | 面発光レーザ及び画像形成装置 | |
JP5183555B2 (ja) | 面発光レーザアレイ | |
US20140219301A1 (en) | Reflectivity-modulated grating mirror | |
US11152760B2 (en) | Light emitter device based on a photonic crystal with pillar- or wall-shaped semiconductor elements, and methods for the operation and production thereof | |
US11658453B2 (en) | Concentric cylindrical circumferential laser | |
US6744804B2 (en) | Edge emitting lasers using photonic crystals | |
JP2006229222A (ja) | 変調器内蔵型の光ポンピング半導体レーザー素子 | |
CN114051682B (zh) | 垂直腔面发光器件 | |
JP5015641B2 (ja) | 2次元フォトニック結晶面発光レーザ | |
JP2010098136A (ja) | フォトニック結晶面発光レーザ素子およびその製造方法 | |
JP2011096964A (ja) | 発光素子およびそれを用いた投射型表示装置 | |
WO2022196394A1 (ja) | フォトニック結晶面発光レーザおよびその製造方法 | |
JPWO2014030361A1 (ja) | 面発光レーザ装置 | |
JP2010045066A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JPH07106694A (ja) | 半導体レーザー |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090605 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110518 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110525 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110613 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140624 Year of fee payment: 3 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |