JP5388666B2 - 面発光レーザ - Google Patents
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Description
例えば、垂直共振器型面発光レーザ(VCSEL:Vertical Cavity SurfaceEmitting Laser)は、基板に対して垂直方向にレーザ光を出射するレーザであり、高密度に2次元アレイ化が容易であるなどの利点を有している。
図10に、上記特許文献1に開示されているフォトニック結晶構造体を用いた面発光レーザの構成を示す。
この面発光レーザは、図10に示すように、基板1003上にn型クラッド層1004、活性層1005、第1のp型クラッド層1006、フォトニック結晶構造体1007、第2のp型クラッド層1008、コンタクト層1009がこの順で積層されている。
このレーザでは活性層1005、n型クラッド層1004およびp型クラッド層1006、1008で構成される光導波路により光を閉じ込める構造が採られている。
そして、フォトニック結晶構造体による面内方向の周期的な屈折率変化が、光をフィードバックする機能を有しており、このフィードバック機能により面内方向に共振モードを有する共振器が形成されている。
また、このフォトニック結晶構造体は、面内方向に共振している光の一部を垂直方向に回折する回折格子としての役割も果たしている。
すなわち、上記特許文献1に記載されている面発光レーザの共振方向は、基板に対して水平方向であり、フォトニック結晶構造体の高次の回折により共振している光の一部を、垂直方向に取り出している。
しかしながら、このような厚いクラッド層を設けると電気抵抗が高くなり、電圧の上昇、電力効率の低下等が生じ、素子特性へ影響を与える。
また、第1のp型クラッド層1006および第2のp型クラッド層1008は、導波路のコア層としての活性層1005と比較して屈折率を低くする必要があるため、これらの材料としてはAlを含んだ3元混晶半導体が用いられる場合が多い。
例えば、上記特許文献1では、p型クラッド層1008として、Al0.08Ga0.92Nが用いられている。
しかしながら、このような3元混晶は2元材料と比較して、電気抵抗が高くなるという問題がある。
そこで、電気抵抗を低下させるために、p型クラッド層の厚さを薄くすることが考えられる。
ところが、単にp型クラッド層の厚さを薄くすると、今度は電極と活性層との距離が近づくこととなり、光が電極に吸収されるという問題が生じる。
すなわち、電気抵抗を低下させるためにp型クラッド層を薄くした場合には、光のしみ出しを抑制することができず、光が電極によって吸収され、発光効率の低下等が生じるおそれがある。
本発明の面発光レーザは、370nmから1550nmの波長帯域における波長λの光が発振する面発光レーザであって、
フォトニック結晶構造体を含むフォトニック結晶層と、
前記フォトニック結晶層の一方の面側に、光を発する活性層およびn型電極が設けられた基板を含む積層半導体層と、
前記フォトニック結晶層の他方の面側に設けられたp型電極と、を備え、
前記フォトニック結晶層の前記一方の面側から、レーザ光が出射されるように構成され、
前記フォトニック結晶層は、前記波長λの光に対して前記フォトニック結晶層の面内方向に共振するモードを有し、
前記フォトニック結晶構造体の厚さが、前記フォトニック結晶層中での前記波長λの0.62倍以上であり、
前記フォトニック結晶構造体の厚さをl[nm]、前記p型電極と前記活性層との距離をL[nm]、前記フォトニック結晶層の単位格子における前記フォトニック結晶構造体の充填率をSとしたときに以下の式を満たすことを特徴とする。
そして、該半導体層の一方の面側に光を増幅するための活性層が設けられると共に、他方の面側に前記活性層に電流を注入するための電極が設けられ、該電極が設けられている側と反対方向からレーザ光が出射される構造となっている。
フォトニック結晶構造体を構成する穴の深さを100nm以上、400nm以下とすることにより、電極まで光が染み出すことを抑えることが可能となる。
その結果、電極による光の吸収を抑えつつ、フォトニック結晶構造体と電極との間に設けられていたクラッド層を薄くする、または設けないことができる。
この結果、前記電極と前記活性層を近づけることが可能となり、電気抵抗を下げることができる。
図1に、本実施形態のフォトニック結晶面発光レーザにおける層構成を示す図を示す。
図1において、102はp型電極、103はフォトニック結晶構造体、104はフォトニック結晶層としてのp−GaN層、105は活性層である。
106はn−GaN層、107はAlGaNクラッド層(n型クラッド層)、108はGaN基板、109は光取り出し窓、110はn電極である。
具体的には、図1に示すように、層の途中までフォトニック結晶構造体103が作製されたp−GaN層(フォトニック結晶層)104に接するようにp型電極102が形成されている。
このフォトニック結晶層104の上記p型電極の形成側と反対側に活性層105が形成され、この活性層に接してn−GaN層106、n型クラッド層107が形成されている。また、このn型クラッド層107の上記n−GaN層106の形成側と反対側に、上記した各半導体層を成長させるための基板108が構成されている。
そして、基板の裏面側にn側電極110と光取り出し窓109が設けられている。
上記光閉じ込めはホール深さを100nm以上とすれば、光閉じ込めの点からは十分であり、フォトニック結晶層の上に電極を配置しても電極による光の吸収を回避できることが見出された。
図2に、フォトニック結晶構造体における共振と光吸収を評価するための計算モデルを示す。
図2において、201は図1の107に相当するクラッド層、202は図1の103に相当するフォトニック結晶構造体、203は図1の104、105、106を合わせたものに相当する高屈折率層、204は電極金属である。
この計算はパッシブなフォトニック結晶構造体202を持つスラブ導波路構造であり、フォトニック結晶構造体202の上部には金属204が形成されている。
金属の吸収が少なければ入射光は回折により導波路に結合し、共振を起こしたあと入射側へ戻ってくるため反射率は100%に近づく。一方、金属の吸収がある場合は、反射率は低下する。
なお、この計算は図に示された波長帯で一般に用いられる材料系を想定したものであり、例えば、青色帯(370nmから520nm)では、GaN系材料である。
この計算結果より、青色帯(370nmから520nm)の場合には、フォトニック結晶構造体を構成する穴の深さを100nm以上とすれば、金属による光吸収を抑制できることが理解される。
この100nmを(真空中での発振波長/半導体の屈折率)で除した値は、0.62である。すなわち、フォトニック結晶層を構成する半導体中での発振波長の0.62倍以上とすればよい。
また、980nm帯では、穴の深さを150nm以上とすれば、金属による光吸収を抑制することができる。すなわち、穴の深さはフォトニック結晶層を構成する半導体中での発振波長の0.53倍以上とすればよい。
また、1550nm帯では、穴の深さを250nm以上とすれば、金属による光吸収を抑制することができる。すなわち、穴の深さはフォトニック結晶層を構成する半導体中での発振波長の0.54倍以上とすればよい。
上記特許文献1に記載されている従来の構成では、光吸収を抑えつつクラッド層の層厚を薄くすることは難しかった。
しかし、本発明では、上記発振波長帯域において、フォトニック結晶層を構成する半導体中(フォトニック結晶層中)での発振波長の略0.50倍から0.60倍程度の厚さを有するフォトニック結晶層構造体であれば、十分な光閉じ込めを確保できるため、電極による光吸収を抑制することができる。
ところで、上記特許文献1の構成では、光閉じ込めを実現するために、p型半導体層に活性層1005をそれより屈折率の低い3元混晶半導体層で挟持している。
具体的には、AlGaNで構成されるn型クラッド層1004および第1のp型クラッド層1006で活性層1005を挟持している。
一方、本実施形態の構成では、p型のクラッド層として、活性層より屈折率の低い3元混晶材料で構成される材料を用いる必要がないため、電気抵抗を低減することもできる。
そのため、本構成では、上記のように電極での吸収を避けつつ活性層と電極を近づけることが可能な点に加え、電気抵抗の高いp型3元混晶半導体を用いることなく素子を構成できることにより、従来例と比較して大幅に電気抵抗を下げることが可能となる。
なお、上記実施形態では、フォトニック結晶層104とp型電極102が接しているが、これらの間に従来技術よりも薄膜化したp型クラッド層を設けても良い。
[実施例1]
実施例1では、本発明を適用したフォトニック結晶面発光レーザについて説明する。
図4に、本発明を適用したフォトニック結晶面発光レーザの構成を説明する断面模式図を示す。
図4において、図1に示した構成と同様の構成には同一の符号が付されている。101は表面に電極パターンを有するSiC基板である。
具体的には、図4に示すように、層の途中までフォトニック結晶構造体103が作製されたp−GaN層(フォトニック結晶層)104に接するようにp型電極102が形成されており、このp型電極102の他方の面がSiC基板101に接合されている。
また、p型半導体層104の上記p型電極102が形成された側と反対側に活性層105が設けられており、この活性層105に接してn−GaN層106、n型クラッド層107が形成されている。
また、このn型クラッド層107の上記n−GaN層106の形成側と反対側に、上記した各半導体層を成長させるためのGaN基板108が構成されている。そして、GaN基板108の裏面側にn側電極110と光取り出し窓109が設けられている。
また、n−GaN層106は厚さ100nmとし、このn−GaN層上のクラッドとして機能するAlGaN層107は厚さ500nmとしている。
なお、p電極102は全面ではなく一部のみに形成されており、p型半導体層104を十分薄くすれば、電極パターンにより注入領域がほぼ決定されることになる。
そのため、本構成では電極狭窄構造を用いることなく、効果的にキャリアの閉じ込めもできる。
比較のため、同じドーピング濃度で上記特許文献1に記載されているレーザの場合の電気抵抗も計算したところ、上記特許文献1に記載のレーザでは電気抵抗は17Ωとなった。
一方、本実施例の構成では、図5に示すように、フォトニック結晶構造体の厚さが100nmでは1.8Ω、300nmでも3.7Ωとなり、従来の構成と比較して1/5程度に大幅に電気抵抗が下げられることが分かる。400nmを超えたときの電気抵抗は、100nmのときの電気抵抗と比較して倍以上となる。
そのため、電気抵抗の面からはフォトニック結晶構造体の厚さは100nm以上、400nm以下、すなわち、電極102から活性層105までの距離(フォトニック結晶層の厚さ=フォトニック結晶構造体の厚+100nm)は200nm以上、500nm以下が好適である。
また、本構成により電気抵抗とともに熱抵抗の低減も実現できる。従来構成では熱抵抗の値は216K/Wであるが、本提案構成では90K/Wと熱抵抗の値を大幅に低減することができる。
すなわち、本実施例の構成では上記特許文献1に記載の面発光レーザと比較し、電気抵抗の大幅な低減が可能であると共に、熱抵抗も低減することができ、素子特性の大幅な向上が可能となる。
本実施例の作製方法においては、まず、MOCVD法を用いてn−GaN基板108上にn−AlGaNクラッド層107、n−GaN層106、InGaN量子井戸を含んだ活性層105、p−GaN層104、の順で層を積層する。
次に、最表面のp−GaN層104上にp電極102となる5nmのNi、10nmのAu膜を形成する。
そして、フォトレジストを塗った後に現像を行い、ドライエッチングを用いてフォトニック結晶構造体103を形成する。ホールは深さ150nm、半径64nm、ピッチ160nmである。なお、図1では便宜上、フォトニック結晶構造体103形成時に同時にp電極102内に形成される穴が省略されている。
ここで、次工程に移る前に保護のためにフォトニック結晶構造体103の上に保護膜を形成する。その後、GaN基板108裏面に両面マスクアライナーによりフォトニック結晶構造体103のパターンに合わせて光取り出し窓109を形成するためのフォトレジストパターンを形成する。
そして、n型電極110としてTi50nm、Al300nmの膜を形成した後リフトオフ法により光取り出し窓109を形成する。
また、本実施例ではサブマウントとしてSiC基板を用いたが、配線パターンを形成可能なサブマウントであれば、SiC基板以外の材料でもよい。例えばSi基板でも良い。
なお、p−GaN層104内にキャリアが活性層から漏れるのを防ぐために、キャリア障壁層を設けてもよい。キャリア障壁層の材料としてはAlGaNなどがある。
実施例2においては、前記フォトニック結晶層内に半導体多層膜反射鏡を含んだ構成例について説明する。
本実施例では、半導体による多層膜反射鏡をフォトニック結晶層内に有しているため、光の取り出し効率の向上が図られる。
図6に、本実施例における面発光レーザの構成を説明する断面模式図を示す。
図6において、図1に示した構成と同様の構成には同一の符号が付されている。本実施例の構成においては、フォトニック結晶層内に2種類の屈折率の異なる半導体層602および半導体層603を1ペアとするミラーが積層された半導体DBR605を有する点が異なる。
また、第2の半導体層603は第1の半導体層602より屈折率が低い材料であり、ここではAlInNである。
半導体DBR605を設けることにより、フォトニック結晶層の下側に回折した光を上部に戻すことができ、光の取り出し効率を上げることができる。
また、半導体DBR605と電極金属102の組み合わせにより、垂直方向に回折してきた光の反射率を大きくすることができる。
DBR605の設計は、レーザの発振波長の垂直入射光に対して反射率が最適になるように設計するのが望ましい。
例えば、各層の厚さは通常の多層膜反射鏡の設計とは異なり、各材料中での発振波長の1/4波長ではなく、PhC中の光の分布を考慮して設計する必要がある。それに加え、最上層602の厚さは金属がもつ屈折率の虚部による位相のシフトを考慮して厚さを決定する必要がある。
実施例3においては、上記した積層構造におけるp型半導体層よりも離れたレーザ光の出射側の領域に、半導体による多層膜反射鏡が設けられた構成例について説明する。
本実施例では、n側にDBRが形成され、Q値と取り出し効率の制御を可能としたフォトニック結晶面発光レーザが構成される。
図7に本実施例におけるフォトニック結晶面発光レーザの構成を説明する断面模式図を示す。
図7において、図1に示した構成と同様の構成には同一の符号が付されている。
また、本実施例において、DBR703は、n−GaN層701とn−AlGaN層702により構成されている。それぞれの層厚はそれぞれの層を構成する材料中での共振波長の1/4である。DBR703は共振器のQ値を制御するために設けられている。
このDBR703を設けることにより、活性層からの距離を制御すれば、フォトニック結晶構造体を構成するホール径等を変化させなくても共振器のQ値を独立に制御することが可能である。
レーザでは光の取り出し効率を最適化するためにQ値を制御することが必要であり、本構成ではより最適なパラメータに設定することができる。
例えば、Q値が高すぎる場合には、光が外部に出てくる前に内部吸収で消えていく割合が増加し、光取り出し効率は低下する。
また、Q値が低すぎる場合には、レーザ発振に必要な光のフィードバックが得られず、レーザとして動作しない。
実施例4においては、実施例3よりもDBRを光出射側に配置し、垂直方向に共振するフォトニック結晶面発光レーザの構成例について説明する。
本構成は非特許文献(PHYSICAL REVIEW B,VOLUME 65,235112)で示されている、Guided resonance(GR)という現象を利用している。
GRとは、回折格子と光導波路が 特定の波長で共鳴し、高い反射率が得られる現象である。図8に本実施例に係る面発光レーザ構造の断面模式図を示す。
図8において、図1に示した構成と同様の構成には同一の符号が付されている。
また、本実施例の面発光レーザは、実施例1から実施例3とは異なり、垂直方向に共振する点で異なっている。
また、本実施例では共振器のQ値を低くし、かつ活性層とフォトニック結晶層との距離を長くすることで水平方向へ導波しているモードと活性層との光のオーバーラップを低くしている点が異なっている。
そして、本実施例では、フォトニック結晶構造体を構成する穴の直径を大きくすることにより回折する割合を大きくしている。
その結果、フォトニック結晶層では、実施例1から実施例3で挙げている構成よりも水平方向で発振しにくくなる。
そして、n−クラッド層807の上部に設けられているDBR803とフォトニック結晶層とのGRによる垂直方向の共振モードの閾値利得を低くしていることから、垂直方向で発振する。
実施例5においては、実施例4のn側のDBRがGRを生じるフォトニック結晶層に置き換えられている。
図9に、本実施例におけるフォトニック結晶面発光レーザの構成を説明する断面模式図を示す。
図9において、図1に示した構成と同様の構成には同一の符号が付されている。
n−GaN光ガイド層およびフォトニック結晶層902によりGR反射鏡が構成されており、実施例4と同様に垂直方向に共振する。
本実施例では、フォトニック結晶層902の直上には、フォトニック結晶層104とは異なり電極はついていない。
フォトニック結晶層902、光ガイド層901、クラッド層107、n−GaN層106はn型GaN系材料で構成されており、p型GaN系材料と比較して電気抵抗率が低い。そのため、このように電子を横から注入する構成をとってもデバイスの電気抵抗は大きく増加しない。
102:p型電極
103:フォトニック結晶構造体
104:p−GaN層(フォトニック結晶層)
105:活性層
106:n−GaN層
107:AlGaNクラッド層(n型クラッド層)
108:GaN基板
109:光取り出し窓
110:n型電極
Claims (9)
- 370nmから1550nmの波長帯域における波長λの光が発振する面発光レーザであって、
フォトニック結晶構造体を含むフォトニック結晶層と、
前記フォトニック結晶層の一方の面側に、光を発する活性層およびn型電極が設けられた基板を含む積層半導体層と、
前記フォトニック結晶層の他方の面側に設けられたp型電極と、を備え、
前記フォトニック結晶層の前記一方の面側から、レーザ光が出射されるように構成され、
前記フォトニック結晶層は、前記波長λの光に対して前記フォトニック結晶層の面内方向に共振するモードを有し、
前記フォトニック結晶構造体の厚さが、前記フォトニック結晶層中での前記波長λの0.62倍以上であり、
前記フォトニック結晶構造体の厚さをl[nm]、前記p型電極と前記活性層との距離をL[nm]、前記フォトニック結晶層の単位格子における前記フォトニック結晶構造体の充填率をSとしたときに以下の式を満たすことを特徴とする面発光レーザ。
- 前記フォトニック結晶層と前記p型電極とは接していることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ。
- 前記フォトニック結晶層と前記p型電極との間にp型クラッド層をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ。
- 前記p型クラッド層は2元材料から構成されることを特徴とする請求項4に記載の面発
光レーザ。 - 前記p型電極と前記活性層との距離は200nm以上、500nm以下であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の面発光レーザ。
- 前記フォトニック結晶層は、p型半導体であることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の面発光レーザ。
- 前記フォトニック結晶層は、多層膜反射鏡を含んだ構造を備え、
前記多層膜反射鏡は、2種類の屈折率の異なる半導体層が積層されることにより構成されていることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の面発光レーザ。 - 前記フォトニック結晶層の前記一方の面側に、半導体多層膜反射鏡を有することを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の面発光レーザ。
- 前記フォトニック結晶層の前記一方の面側に、他のフォトニック結晶層を有することを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の面発光レーザ。
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