JP4709259B2 - 面発光レーザ - Google Patents
面発光レーザ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4709259B2 JP4709259B2 JP2008252429A JP2008252429A JP4709259B2 JP 4709259 B2 JP4709259 B2 JP 4709259B2 JP 2008252429 A JP2008252429 A JP 2008252429A JP 2008252429 A JP2008252429 A JP 2008252429A JP 4709259 B2 JP4709259 B2 JP 4709259B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- multilayer mirror
- refractive index
- semiconductor multilayer
- emitting laser
- incident
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/185—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/185—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL]
- H01S5/187—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL] using Bragg reflection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure
- H01S5/2018—Optical confinement, e.g. absorbing-, reflecting- or waveguide-layers
- H01S5/2027—Reflecting region or layer, parallel to the active layer, e.g. to modify propagation of the mode in the laser or to influence transverse modes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/11—Comprising a photonic bandgap structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
本発明は、面発光レーザに関し、例えば、複写機やレーザプリンタなどの画像形成装置が有する感光ドラムへ描画を行うための光源としても利用することができる面発光レーザに関する。
近年、フォトニック結晶を用いた光デバイスに関する研究が盛んであり、非特許文献1には、2次元フォトニック結晶と多層膜ミラーとで構成される面発光レーザに関する技術が開示されている。
具体的には、図17に示すように、Si基板3000の基板上に、SiとSiO2の積層体からなる多層膜ミラー3100と、2次元フォトニック結晶スラブ3300とが、SiO2からなる貼り合わせ層3200を介して設けられている。この2次元フォトニック結晶スラブは、In0.53Ga0.47Asと、InPの障壁層とInAs0.65P0.35の量子井戸層とからなる。この構成において、当該スラブの平均屈折率は約3.2と推定される。
そして、基板3000と反対側の2次元フォトニック結晶スラブ3300は、空気(屈折率1.0)と接している。
また、基板側の2次元フォトニック結晶スラブ3300と隣接しているSiO2からなる貼り合わせ層(下部クラッド層)3200の屈折率は約1.4である。
具体的には、図17に示すように、Si基板3000の基板上に、SiとSiO2の積層体からなる多層膜ミラー3100と、2次元フォトニック結晶スラブ3300とが、SiO2からなる貼り合わせ層3200を介して設けられている。この2次元フォトニック結晶スラブは、In0.53Ga0.47Asと、InPの障壁層とInAs0.65P0.35の量子井戸層とからなる。この構成において、当該スラブの平均屈折率は約3.2と推定される。
そして、基板3000と反対側の2次元フォトニック結晶スラブ3300は、空気(屈折率1.0)と接している。
また、基板側の2次元フォトニック結晶スラブ3300と隣接しているSiO2からなる貼り合わせ層(下部クラッド層)3200の屈折率は約1.4である。
このように、該スラブの両側に、該スラブよりも低屈折率媒体である空気と、貼り合わせ層3200とが設けられているため、該スラブはスラブ導波路を形成している。
このスラブ導波路中には、発光する活性層が埋め込まれており、2次元フォトニック結晶のDFB作用により、活性層で発生した光が該スラブの面内方向に共振しレーザ発振する。
2次元フォトニック結晶によって、レーザ発振した光の2次回折光が基板垂直方向に取り出されるため、面発光レーザが実現できる。
このスラブ導波路中には、発光する活性層が埋め込まれており、2次元フォトニック結晶のDFB作用により、活性層で発生した光が該スラブの面内方向に共振しレーザ発振する。
2次元フォトニック結晶によって、レーザ発振した光の2次回折光が基板垂直方向に取り出されるため、面発光レーザが実現できる。
また、前記スラブと基板との間には、各層の光学的厚さがλ/4(λは共振波長)で構成される多層膜ミラーが設置されている。
ここで、光学的厚さとは、ある層の厚さに、その層を構成する材料の屈折率を掛けたものをいう。
この多層膜ミラー3100は、スラブから基板側に放射された光を戻すことで光取り出し効率を上げるだけでなく、スラブ共振器中の発振モードを制御するものである。
スラブ3300と多層膜ミラー3100との距離を適切にとることにより、共振器のQ値をコントロールできる。
例えば、Q値を高めることにより、レーザのしきい値を下げることができるということが記載されている。
APPLIED PHYSICS LETTERS 88,081113(2006)
ここで、光学的厚さとは、ある層の厚さに、その層を構成する材料の屈折率を掛けたものをいう。
この多層膜ミラー3100は、スラブから基板側に放射された光を戻すことで光取り出し効率を上げるだけでなく、スラブ共振器中の発振モードを制御するものである。
スラブ3300と多層膜ミラー3100との距離を適切にとることにより、共振器のQ値をコントロールできる。
例えば、Q値を高めることにより、レーザのしきい値を下げることができるということが記載されている。
APPLIED PHYSICS LETTERS 88,081113(2006)
前記先行技術は、フォトニック結晶および活性層を含むスラブ3300を、それより屈折率の低い貼りあわせ層3200と、空気とで挟むことにより、スラブ導波路を実現している。
すなわち、上側クラッド層は屈折率が約1の空気であり、下側クラッド層は屈折率1.4のSiO2となっている。
ここで、下部クラッド層3200は、基板3000から活性層までエピタキシャル成長可能な半導体層で構成されることが望ましい。
しかし、格子整合する半導体の組合せは限られ、一般にそれらの間の屈折率は近い値である。そのため、スラブとクラッド層との間で屈折率の差を確保することが難しい。
また一方で、周期的な空孔の形成などによってフォトニック結晶が形成された半導体スラブ層は、フォトニック結晶形成前に比べて実効的な屈折率が下がる。
そのため、スラブ層とクラッド層との間で屈折率差を確保することが更に難しくなる。
すなわち、上側クラッド層は屈折率が約1の空気であり、下側クラッド層は屈折率1.4のSiO2となっている。
ここで、下部クラッド層3200は、基板3000から活性層までエピタキシャル成長可能な半導体層で構成されることが望ましい。
しかし、格子整合する半導体の組合せは限られ、一般にそれらの間の屈折率は近い値である。そのため、スラブとクラッド層との間で屈折率の差を確保することが難しい。
また一方で、周期的な空孔の形成などによってフォトニック結晶が形成された半導体スラブ層は、フォトニック結晶形成前に比べて実効的な屈折率が下がる。
そのため、スラブ層とクラッド層との間で屈折率差を確保することが更に難しくなる。
特に、フォトニック結晶での回折効率を上げるためには、空孔を大きくすることが望まれるが、空孔を大きくすると空孔を含むフォトニック結晶領域の実効的な屈折率をより一層下げることになる。
このように、半導体材料を用いた場合において、フォトニック結晶層とクラッド層との屈折率差を大きくすることには、大きな困難を伴う。
したがって、フォトニック結晶を含むスラブ層と半導体下部クラッド層との屈折率差によって先行技術のように光閉じ込めを利用するスラブ導波路を形成することは、きわめて困難である。
特に、青色の半導体レーザを実現するために有用であるとされるGaN−AlGaInN系では、格子整合と屈折率差の関係を満足する材料がなく、この問題が顕著に生じる。
このように、半導体材料を用いた場合において、フォトニック結晶層とクラッド層との屈折率差を大きくすることには、大きな困難を伴う。
したがって、フォトニック結晶を含むスラブ層と半導体下部クラッド層との屈折率差によって先行技術のように光閉じ込めを利用するスラブ導波路を形成することは、きわめて困難である。
特に、青色の半導体レーザを実現するために有用であるとされるGaN−AlGaInN系では、格子整合と屈折率差の関係を満足する材料がなく、この問題が顕著に生じる。
本発明は、上記課題に鑑み、屈折率差を大きく取ることができない半導体材料を用いた場合であっても、導波路を形成することのできる、フォトニック結晶を用いた面発光レーザを提供することを目的とする。
本発明は、以下のように構成した面発光レーザを提供するものである。
本発明の面発光レーザは、
基板の上に、第1の半導体多層膜ミラー、活性層、基板の面内方向に屈折率分布を有するフォトニック結晶、を含む複数の半導体層が積層されて構成された発振波長λの面発光レーザであって、
前記フォトニック結晶は、面内に対して垂直方向から前記発振波長λの入射光が入射されたときに、第1の回折光と、該第1の回折光とは回折角度が異なる第2の回折光とに回折するように構成され、
前記第1の半導体多層膜ミラーは、前記フォトニック結晶によって回折される前記第1の回折光と前記第2の回折光のそれぞれに対してストップバンドを有することを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、前記第1の半導体多層膜ミラーが、前記第1の回折光に対応する屈折率分布の周期と、前記第2の回折光に対応する屈折率分布の周期を有することを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、前記第1の回折光が、前記入射光の入射方向とのなす角度が0度であり、前記第2の回折光が、前記入射光の入射方向とのなす角度が、0度より大きく90度未満であることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、前記第1の半導体多層膜ミラーの法線に対する前記第2の回折光の入射角をθとしたときに、前記第1の半導体多層膜ミラーを構成する層は、λ/4の光学的厚さではなく、
かつ、λ/(4・cosθ)の光学的厚さでもない厚さを有することを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、前記第1の半導体多層膜ミラーが、第1の屈折率を有する層と該第1の屈折率とは異なる第2の屈折率を有する層とが交互に積層されることにより構成されていることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、前記第1の半導体多層膜ミラーが、3種類以上の屈折率を有する層が積層されることにより構成されていることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、前記第1の半導体多層膜ミラーにおける前記第1及び第2の回折光に対する反射率が、90%以上であることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、前記第1の半導体多層膜ミラーにおける前記第1及び第2の回折光に対する反射率が、99%以上であることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、前記活性層と前記フォトニック結晶の間に、第2の半導体多層膜ミラーを有することを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、前記第2の半導体多層膜ミラーが、前記発振波長λの光が第2の半導体多層膜ミラーに垂直に入射したときの反射率が他の入射角度で入射するときの反射率よりも高くなる構造を備えていることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、基板の上に、第1の半導体多層膜ミラー、活性層、基板の面内方向に屈折率分布を有するフォトニック結晶、を含む複数の半導体層が積層されて構成された発振波長λの面発光レーザであって、
前記フォトニック結晶は、面内に対して垂直方向から前記発振波長λの入射光が入射されたときに、第1の回折光と、該第1の回折光とは回折角度が異なる第2の回折光とに回折するように構成され、
前記第1の半導体多層膜ミラーは、前記フォトニック結晶によって回折される前記第1の回折光と前記第2の回折光のそれぞれに対して反射させることができるように構成されており、
前記活性層の屈折率をn1とし、フォトニック結晶が前記基板側と反対側の界面で接している誘電体の屈折率をn2とするとき、
最も高い反射率を示す第1の反射率ピークと、該第1の反射率ピークと同じ反射率、または該第1の反射率ピークの次に高い反射率を示す第2の反射率ピークとの入射角との差が、
arcsin(n2/n1)を超えるように構成されていることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、前記誘電体が、空気であることを特徴とする。また、本発明の面発光レーザは、前記第1の半導体多層膜ミラーが、前記第1の回折光に対応する屈折率分布の周期と、前記第2の回折光に対応する屈折率分布の周期を有することを特徴とする。
本発明の面発光レーザは、
基板の上に、第1の半導体多層膜ミラー、活性層、基板の面内方向に屈折率分布を有するフォトニック結晶、を含む複数の半導体層が積層されて構成された発振波長λの面発光レーザであって、
前記フォトニック結晶は、面内に対して垂直方向から前記発振波長λの入射光が入射されたときに、第1の回折光と、該第1の回折光とは回折角度が異なる第2の回折光とに回折するように構成され、
前記第1の半導体多層膜ミラーは、前記フォトニック結晶によって回折される前記第1の回折光と前記第2の回折光のそれぞれに対してストップバンドを有することを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、前記第1の半導体多層膜ミラーが、前記第1の回折光に対応する屈折率分布の周期と、前記第2の回折光に対応する屈折率分布の周期を有することを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、前記第1の回折光が、前記入射光の入射方向とのなす角度が0度であり、前記第2の回折光が、前記入射光の入射方向とのなす角度が、0度より大きく90度未満であることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、前記第1の半導体多層膜ミラーの法線に対する前記第2の回折光の入射角をθとしたときに、前記第1の半導体多層膜ミラーを構成する層は、λ/4の光学的厚さではなく、
かつ、λ/(4・cosθ)の光学的厚さでもない厚さを有することを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、前記第1の半導体多層膜ミラーが、第1の屈折率を有する層と該第1の屈折率とは異なる第2の屈折率を有する層とが交互に積層されることにより構成されていることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、前記第1の半導体多層膜ミラーが、3種類以上の屈折率を有する層が積層されることにより構成されていることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、前記第1の半導体多層膜ミラーにおける前記第1及び第2の回折光に対する反射率が、90%以上であることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、前記第1の半導体多層膜ミラーにおける前記第1及び第2の回折光に対する反射率が、99%以上であることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、前記活性層と前記フォトニック結晶の間に、第2の半導体多層膜ミラーを有することを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、前記第2の半導体多層膜ミラーが、前記発振波長λの光が第2の半導体多層膜ミラーに垂直に入射したときの反射率が他の入射角度で入射するときの反射率よりも高くなる構造を備えていることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、基板の上に、第1の半導体多層膜ミラー、活性層、基板の面内方向に屈折率分布を有するフォトニック結晶、を含む複数の半導体層が積層されて構成された発振波長λの面発光レーザであって、
前記フォトニック結晶は、面内に対して垂直方向から前記発振波長λの入射光が入射されたときに、第1の回折光と、該第1の回折光とは回折角度が異なる第2の回折光とに回折するように構成され、
前記第1の半導体多層膜ミラーは、前記フォトニック結晶によって回折される前記第1の回折光と前記第2の回折光のそれぞれに対して反射させることができるように構成されており、
前記活性層の屈折率をn1とし、フォトニック結晶が前記基板側と反対側の界面で接している誘電体の屈折率をn2とするとき、
最も高い反射率を示す第1の反射率ピークと、該第1の反射率ピークと同じ反射率、または該第1の反射率ピークの次に高い反射率を示す第2の反射率ピークとの入射角との差が、
arcsin(n2/n1)を超えるように構成されていることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザは、前記誘電体が、空気であることを特徴とする。また、本発明の面発光レーザは、前記第1の半導体多層膜ミラーが、前記第1の回折光に対応する屈折率分布の周期と、前記第2の回折光に対応する屈折率分布の周期を有することを特徴とする。
本発明によれば、屈折率差を大きく取ることができない半導体材料を用いた場合であっても、導波路を形成することのできる、フォトニック結晶を用いた面発光レーザを提供することができる。
本発明の上記構成によれば、スラブ層とクラッド層との間の屈折率差を大きく取ることができない場合であっても、導波路を形成することができる。
それは、フォトニック結晶を有するスラブ層から斜めに出射した斜入射光を高い反射率で反射する下部半導体多層膜ミラーを設けることによって実現したものである。
すなわち、このような構成によれば、空気と半導体との界面による反射と、半導体多層膜ミラーによる反射により、フォトニック結晶層と上部スペーサ層と下部スペーサ層を導波路とする導波モードを存在させることができる。
それは、フォトニック結晶を有するスラブ層から斜めに出射した斜入射光を高い反射率で反射する下部半導体多層膜ミラーを設けることによって実現したものである。
すなわち、このような構成によれば、空気と半導体との界面による反射と、半導体多層膜ミラーによる反射により、フォトニック結晶層と上部スペーサ層と下部スペーサ層を導波路とする導波モードを存在させることができる。
また、本発明の上記構成によれば、共振器体積を抑えながら低しきい値を実現することが可能となる。
それは、図2に示した垂直方向から入射する回折光260(第1の回折光)と、回折光260とは回折角度が異なる回折光270(第2の回折光)に対して、
高い反射率を有する一つの下部半導体多層膜ミラー(第1の半導体多層膜ミラー)を構成することによって実現したものである。
すなわち、このような構成によれば、一つの下部半導体多層膜ミラーにより、例えば垂直方向からの入射光と、角度θの方向からの入射光を、共に高い反射率で反射することが可能となる。
そのため、それぞれの入射角による入射光に対応した複数の半導体多層膜ミラーを必要とせず、共振器体積を抑えることが可能となる。
それは、図2に示した垂直方向から入射する回折光260(第1の回折光)と、回折光260とは回折角度が異なる回折光270(第2の回折光)に対して、
高い反射率を有する一つの下部半導体多層膜ミラー(第1の半導体多層膜ミラー)を構成することによって実現したものである。
すなわち、このような構成によれば、一つの下部半導体多層膜ミラーにより、例えば垂直方向からの入射光と、角度θの方向からの入射光を、共に高い反射率で反射することが可能となる。
そのため、それぞれの入射角による入射光に対応した複数の半導体多層膜ミラーを必要とせず、共振器体積を抑えることが可能となる。
以下、その基本的構成について、本発明の実施形態に基づいて詳細に説明する。
図1に、本実施形態の面発光レーザを説明する断面模式図を示す。
図1において、100は面発光レーザ、110は基板、120は下部半導体多層膜ミラー(第1の半導体多層膜ミラー)、130は下部スペーサ層、140は活性層、150は上部スペーサ層、160はフォトニック結晶構造を備えたスラブ層である。
図1に、本実施形態の面発光レーザを説明する断面模式図を示す。
図1において、100は面発光レーザ、110は基板、120は下部半導体多層膜ミラー(第1の半導体多層膜ミラー)、130は下部スペーサ層、140は活性層、150は上部スペーサ層、160はフォトニック結晶構造を備えたスラブ層である。
本実施形態の面発光レーザにおいて、下部半導体多層膜ミラー120を含む上記の各層は、基板110の面内方向に対して垂直方向に積層されている。
活性層140は、例えば多重量子井戸構造であり、キャリアの注入により発光する。
また、ここで、フォトニック結晶構造を備えたスラブ層とは、基板に平行な方向に、1次元ないし2次元の周期的な屈折率変化を持つ層を意味している。
また、170、175は電極であり、これらの間に電圧をかけることにより、活性層140にキャリアを注入し、発光させる。
活性層140は、例えば多重量子井戸構造であり、キャリアの注入により発光する。
また、ここで、フォトニック結晶構造を備えたスラブ層とは、基板に平行な方向に、1次元ないし2次元の周期的な屈折率変化を持つ層を意味している。
また、170、175は電極であり、これらの間に電圧をかけることにより、活性層140にキャリアを注入し、発光させる。
つぎに、図2を用いて、本実施形態における下部半導体多層膜ミラー120の機能を説明する。
図2は、フォトニック結晶構造を備えたスラブ層160及び上部スペーサ層150の断面模式図である。
図2において、スラブ層160の面内方向には、細孔210と、該細孔210を分離する領域220が設けられており、フォトニック結晶構造が形成されている。
250は、フォトニック結晶構造を持つスラブ層160に対して垂直方向に入射する入射光である。
入射光250は、スラブ層160により、下部半導体多層膜ミラー120に対して垂直方向に入射する回折光260(第1の回折光)と、下部半導体多層膜ミラー120に対して角度θ方向から入射する回折光270(第2の回折光)に振り分けられる。
本実施形態においては、発振波長λでフォトニック結晶構造を含むスラブ層に入射した光が、回折により第1の回折光260と第2の回折光270に分かれて下部半導体多層膜ミラー120に入射する際、
これら第1及び第2の双方の回折光に対して共に高い反射率で反射することのできる下部半導体多層膜ミラーを有する構成としている。
これにより、それぞれの入射角による入射光に対応した複数の半導体多層膜ミラーを必要とせず、共振器体積を抑えることが可能となる。その詳細については後述する。
なお、ここで、第2の回折光270が下部多層膜ミラー120に入射する角度である角度θ(入射光250の入射方向と、第2の回折光270のなす角度)は、0度より大きく90度未満の角度である。
図2は、フォトニック結晶構造を備えたスラブ層160及び上部スペーサ層150の断面模式図である。
図2において、スラブ層160の面内方向には、細孔210と、該細孔210を分離する領域220が設けられており、フォトニック結晶構造が形成されている。
250は、フォトニック結晶構造を持つスラブ層160に対して垂直方向に入射する入射光である。
入射光250は、スラブ層160により、下部半導体多層膜ミラー120に対して垂直方向に入射する回折光260(第1の回折光)と、下部半導体多層膜ミラー120に対して角度θ方向から入射する回折光270(第2の回折光)に振り分けられる。
本実施形態においては、発振波長λでフォトニック結晶構造を含むスラブ層に入射した光が、回折により第1の回折光260と第2の回折光270に分かれて下部半導体多層膜ミラー120に入射する際、
これら第1及び第2の双方の回折光に対して共に高い反射率で反射することのできる下部半導体多層膜ミラーを有する構成としている。
これにより、それぞれの入射角による入射光に対応した複数の半導体多層膜ミラーを必要とせず、共振器体積を抑えることが可能となる。その詳細については後述する。
なお、ここで、第2の回折光270が下部多層膜ミラー120に入射する角度である角度θ(入射光250の入射方向と、第2の回折光270のなす角度)は、0度より大きく90度未満の角度である。
図3は、本実施形態における下部スペーサ層130及び下部半導体多層膜ミラー120の断面模式図である。
360は前記第1の回折光260に相当する垂直入射光であり、370は前記第2の回折光270に相当する斜入射光である。
362、372はそれぞれ360、370が半導体多層膜ミラー120によって反射された反射光である。
一般的に、半導体多層膜ミラーは、垂直に入射した共振波長の光にとって、反射率が最も高くなるように設計される。
具体的には、レーザ発振波長λに対し、層の光学的厚さがそれぞれλ/4となるように、高屈折率層と低屈折率層を交互に積層して半導体多層膜ミラーが形成される。
このような半導体多層膜ミラーにλの波長の光を入射角θで入射したときの反射率は、例えば、図7のように、θ=0°付近で反射率が高く、その他の入射角では反射率が低いものとなる。
360は前記第1の回折光260に相当する垂直入射光であり、370は前記第2の回折光270に相当する斜入射光である。
362、372はそれぞれ360、370が半導体多層膜ミラー120によって反射された反射光である。
一般的に、半導体多層膜ミラーは、垂直に入射した共振波長の光にとって、反射率が最も高くなるように設計される。
具体的には、レーザ発振波長λに対し、層の光学的厚さがそれぞれλ/4となるように、高屈折率層と低屈折率層を交互に積層して半導体多層膜ミラーが形成される。
このような半導体多層膜ミラーにλの波長の光を入射角θで入射したときの反射率は、例えば、図7のように、θ=0°付近で反射率が高く、その他の入射角では反射率が低いものとなる。
これに対して、本実施形態における下部半導体多層膜ミラー120は、波長λの入射光に対し、垂直入射光360に対する反射率だけでなく、斜入射光370に対する反射率も高くなるように構成される。
その際、これらの反射率はレーザ発振に至るためには高いことが好ましく、共に90%以上とすることが望ましい。
また、この観点からは、99%以上となるようにすることがより望ましく、100%により近い反射率が最も望ましい。
その際、これらの反射率はレーザ発振に至るためには高いことが好ましく、共に90%以上とすることが望ましい。
また、この観点からは、99%以上となるようにすることがより望ましく、100%により近い反射率が最も望ましい。
この面発光レーザの有する共振モードについて、光線近似を用いて図4により説明する。
この面発光レーザは、フォトニック結晶構造と下部半導体多層膜ミラーによって構成される導波路内を、斜め方向に共振する共振モードが存在するように構成されている。
具体的には、活性層140をその導波領域に含む導波モードに、フォトニック結晶160と半導体多層膜ミラー120によって面内共振作用が加わっている。
ここでは図4のようにxz面内を導波し、かつ共振状態にある光750を考える。
ここで、共振状態にある光750は、図2の光270、図3の光370、光372を含むものである。
また、xは基板面内方向、zは基板垂直方向であり、共振状態にある波長λの光の波数ベクトルkのz成分をkz、x成分をkxとする。
共振状態にある光750については、導波条件(z方向に定在波が立つ条件)から、以下の式が成立する。
n・d・kz+φ=lπ(lは整数)・・・(1)
また、フォトニック結晶による共振条件(垂直入射光250と光750の回折条件)から、以下の式が成立する。
n・a・kx=2mπ(mは整数)・・・(2)
ここで、nは導波路層の実効的な屈折率、dは実効的な導波路層厚、aはフォトニック結晶の格子定数、φは反射の際の位相シフト(グースヘンシェンシフト)である。
ここでは説明の簡単のために、m=1とし、φ=0とする。
λをレーザ共振波長、θを半導体多層膜ミラーへの入射角とすると、
kz=2πcosθ/λ、kx=2πsinθ/λ
である。
ここで式(1)と式(2)をλとθについて解くと、
λ=n/√((1/a)2+(l/2d)2)、θ=arctan(kx/kz)=arctan(2d/la)
となる。
すなわち、半導体多層膜ミラー120は、共振波長λにおいてこの半導体多層膜ミラー120に入射する入射角θの回折光に対し、反射率が高くなるように設計される。
この面発光レーザは、フォトニック結晶構造と下部半導体多層膜ミラーによって構成される導波路内を、斜め方向に共振する共振モードが存在するように構成されている。
具体的には、活性層140をその導波領域に含む導波モードに、フォトニック結晶160と半導体多層膜ミラー120によって面内共振作用が加わっている。
ここでは図4のようにxz面内を導波し、かつ共振状態にある光750を考える。
ここで、共振状態にある光750は、図2の光270、図3の光370、光372を含むものである。
また、xは基板面内方向、zは基板垂直方向であり、共振状態にある波長λの光の波数ベクトルkのz成分をkz、x成分をkxとする。
共振状態にある光750については、導波条件(z方向に定在波が立つ条件)から、以下の式が成立する。
n・d・kz+φ=lπ(lは整数)・・・(1)
また、フォトニック結晶による共振条件(垂直入射光250と光750の回折条件)から、以下の式が成立する。
n・a・kx=2mπ(mは整数)・・・(2)
ここで、nは導波路層の実効的な屈折率、dは実効的な導波路層厚、aはフォトニック結晶の格子定数、φは反射の際の位相シフト(グースヘンシェンシフト)である。
ここでは説明の簡単のために、m=1とし、φ=0とする。
λをレーザ共振波長、θを半導体多層膜ミラーへの入射角とすると、
kz=2πcosθ/λ、kx=2πsinθ/λ
である。
ここで式(1)と式(2)をλとθについて解くと、
λ=n/√((1/a)2+(l/2d)2)、θ=arctan(kx/kz)=arctan(2d/la)
となる。
すなわち、半導体多層膜ミラー120は、共振波長λにおいてこの半導体多層膜ミラー120に入射する入射角θの回折光に対し、反射率が高くなるように設計される。
このような構造を備えた下部半導体多層膜ミラー120およびフォトニック結晶構造を含むスラブ層160により、図1の面発光レーザ100は以下のように機能する。
活性層140から放射された光で、下部半導体多層膜ミラー120に図3における370の光路で斜入射したものは、下部半導体多層膜ミラー120によりその大部分が反射され、フォトニック結晶構造を含むスラブ層160に、372の方向で入射する。
この光は、フォトニック結晶構造を含むスラブ層160をはじめとした半導体層と空気との間の高い屈折率差によって一部が反射される。
活性層140から放射された光で、下部半導体多層膜ミラー120に図3における370の光路で斜入射したものは、下部半導体多層膜ミラー120によりその大部分が反射され、フォトニック結晶構造を含むスラブ層160に、372の方向で入射する。
この光は、フォトニック結晶構造を含むスラブ層160をはじめとした半導体層と空気との間の高い屈折率差によって一部が反射される。
また、スラブ層へ入射した光の一部はフォトニック結晶によって、基板の面内方向に垂直な軸と入射光路とのなす角度は維持される。例えば、正方格子構造の場合、当該垂直な軸に対して、その入射光路を0°、±90°、180°回転させた方向の基板側に回折される。
そして、再び下部半導体多層膜ミラー120に斜入射光370として入射し、再び反射される。
すなわち、空気と半導体との界面による反射および、半導体多層膜ミラーによる反射によって、フォトニック結晶構造を含むスラブ層160、上部スペーサ層150、下部スペーサ層130を導波路とする導波モードが存在することになる。すなわち、斜入射光に対し高い反射率を持つ下部半導体多層膜ミラー120により、屈折率の低い下部クラッド層を活性層の下側に設けなくとも、導波モードを存在させることができる。
また、前記導波モードの光は、フォトニック結晶での反射・回折および下部半導体多層膜ミラー120での反射を複数回繰り返すことにより元の光路に戻ることができるため、共振作用が生じる。
共振モードにある光は、共振器中の活性層により増幅されレーザ発振に至ることができる。
また、フォトニック結晶全域に渡って共振が起きるため、広範囲でコヒーレントな発振が可能である。
さらに、共振器中の定在波の電磁場強度の大きい位置に活性層を置くことにより、レーザに大きなゲインを与えることができる。
そして、再び下部半導体多層膜ミラー120に斜入射光370として入射し、再び反射される。
すなわち、空気と半導体との界面による反射および、半導体多層膜ミラーによる反射によって、フォトニック結晶構造を含むスラブ層160、上部スペーサ層150、下部スペーサ層130を導波路とする導波モードが存在することになる。すなわち、斜入射光に対し高い反射率を持つ下部半導体多層膜ミラー120により、屈折率の低い下部クラッド層を活性層の下側に設けなくとも、導波モードを存在させることができる。
また、前記導波モードの光は、フォトニック結晶での反射・回折および下部半導体多層膜ミラー120での反射を複数回繰り返すことにより元の光路に戻ることができるため、共振作用が生じる。
共振モードにある光は、共振器中の活性層により増幅されレーザ発振に至ることができる。
また、フォトニック結晶全域に渡って共振が起きるため、広範囲でコヒーレントな発振が可能である。
さらに、共振器中の定在波の電磁場強度の大きい位置に活性層を置くことにより、レーザに大きなゲインを与えることができる。
また、フォトニック結晶構造を含むスラブ層160によって、前記導波モードの光の一部は、基板に対して垂直な方向に回折される。
図5は、本発明の実施形態における面発光レーザの回折について説明する断面模式図である。
図5に示すように、フォトニック結晶を含むスラブ層160により回折される光は、基板側520と、基板反対側510とがある。
このうち、上側に放射される光510(図2での入射光250の反対向き)を取り出すことで、このレーザは面発光レーザとして機能する。
また、下側に放射される光520(図2の第1の回折光260の向き)は、下部半導体多層膜ミラー120に垂直入射光として入射し、反射され共振導波路およびフォトニック結晶層側に戻る。
この作用により、フォトニック結晶構造を含むスラブ層160や下部半導体多層膜ミラー120から構成される前記共振器の共振モードのQ値を変化させる。
下部半導体多層膜ミラー120の垂直入射に対する反射光の位相を、下部スペーサ層の厚さや下部半導体多層膜ミラー120の層構成を調節して、共振器のQ値が大きくなるように取ることで、面発光レーザの発振しきい値を下げることができる。
なお、角度θの範囲は、導波路層(下部スペーサ層、活性層、上部スペーサ層、フォトニック結晶構造を含むスラブ層)と空気との界面での全反射の臨界角を超えるようにすることが望ましい。
それは、θがその条件を満たす場合、270の方向(図2の矢印とは逆向き)でフォトニック結晶構造に光が入射した際、基板反対側に出射される光は、250の方向(図2の矢印とは逆向き)だけとなり、面発光レーザの実用上好ましいからである。
また、フォトニック結晶の格子構造は、上記では正方格子構造について説明したが、三角格子構造等でもよい。
また、細孔の孔径(細孔の前記基板面内方向における断面が円のときには、その直径を意味する)は、たとえばフォトニック結晶構造の格子間隔aの40%程度にすることが好ましい。
なお、孔径により回折効率が変わり、発光効率に影響を与えるため、孔径は発光効率が高くなるように適宜設定するのがよい。
図5は、本発明の実施形態における面発光レーザの回折について説明する断面模式図である。
図5に示すように、フォトニック結晶を含むスラブ層160により回折される光は、基板側520と、基板反対側510とがある。
このうち、上側に放射される光510(図2での入射光250の反対向き)を取り出すことで、このレーザは面発光レーザとして機能する。
また、下側に放射される光520(図2の第1の回折光260の向き)は、下部半導体多層膜ミラー120に垂直入射光として入射し、反射され共振導波路およびフォトニック結晶層側に戻る。
この作用により、フォトニック結晶構造を含むスラブ層160や下部半導体多層膜ミラー120から構成される前記共振器の共振モードのQ値を変化させる。
下部半導体多層膜ミラー120の垂直入射に対する反射光の位相を、下部スペーサ層の厚さや下部半導体多層膜ミラー120の層構成を調節して、共振器のQ値が大きくなるように取ることで、面発光レーザの発振しきい値を下げることができる。
なお、角度θの範囲は、導波路層(下部スペーサ層、活性層、上部スペーサ層、フォトニック結晶構造を含むスラブ層)と空気との界面での全反射の臨界角を超えるようにすることが望ましい。
それは、θがその条件を満たす場合、270の方向(図2の矢印とは逆向き)でフォトニック結晶構造に光が入射した際、基板反対側に出射される光は、250の方向(図2の矢印とは逆向き)だけとなり、面発光レーザの実用上好ましいからである。
また、フォトニック結晶の格子構造は、上記では正方格子構造について説明したが、三角格子構造等でもよい。
また、細孔の孔径(細孔の前記基板面内方向における断面が円のときには、その直径を意味する)は、たとえばフォトニック結晶構造の格子間隔aの40%程度にすることが好ましい。
なお、孔径により回折効率が変わり、発光効率に影響を与えるため、孔径は発光効率が高くなるように適宜設定するのがよい。
ところで、下部半導体多層膜ミラー中では、共振モードの斜入射光370と垂直入射光360の強度分布は、ともに多層膜厚さ方向に減衰する分布となる。
したがって、斜入射光用と垂直入射光用の半導体多層膜ミラーを個別に用意して積層した場合に比べて、斜入射光用と垂直入射光用が一体となった半導体多層膜ミラーを形成すれば、定在波が分布する実効的な共振器体積(基板垂直方向)を抑えることができる。
その結果、共振器サイズが大きいことによる余計な損失を減らすことができる。以上の構成により、導波路とクラッド層との屈折率差があまり取れない場合においても、電流注入可能な構成のフォトニック結晶を用いた面発光レーザを実現することができる。
また、共振器体積を抑えることで損失を抑制したフォトニック結晶を用いた面発光レーザを実現できる。
したがって、斜入射光用と垂直入射光用の半導体多層膜ミラーを個別に用意して積層した場合に比べて、斜入射光用と垂直入射光用が一体となった半導体多層膜ミラーを形成すれば、定在波が分布する実効的な共振器体積(基板垂直方向)を抑えることができる。
その結果、共振器サイズが大きいことによる余計な損失を減らすことができる。以上の構成により、導波路とクラッド層との屈折率差があまり取れない場合においても、電流注入可能な構成のフォトニック結晶を用いた面発光レーザを実現することができる。
また、共振器体積を抑えることで損失を抑制したフォトニック結晶を用いた面発光レーザを実現できる。
次に、下部半導体多層膜ミラー120の設計思想について説明する。
半導体多層膜ミラー120は、その屈折率分布の周期により、入射光の波長および入射角度に対する高反射領域(ストップバンド、またはフォトニックバンドギャップとも呼ばれる)が決まる。
このことを具体的な数値を用いながら説明する。
波長λ=670nmの光に対して、屈折率nL=3.1の層(低屈折率層)と屈折率nH=3.4の層(高屈折率層)からなる半導体多層膜ミラーの反射率を考える。
例えば、図6のように、低屈折率層、高屈折率層が、共に光学的厚さがλ/4(167.5nm)で交互に積層されている場合、屈折率3.4の物質からこの多層膜に入射したときの反射率は図7のグラフのようになる。
ここで、図6の横軸は光路長(実際の距離に屈折率を乗じたもの)を表し、半導体多層膜ミラーの表面からの光路長を表している。
また、横軸の値が負の領域から光が入射するものとする(図8、10、12も同様)。
また、図7のグラフの横軸は多層膜面の法線に対する入射角θ、縦軸は反射率である(図9、11、13も同様)。
また、多層膜の低屈折率層と高屈折率層のペア数は40とした。この多層膜では、波長λの光が垂直に入射する時に反射率が高くなる。
半導体多層膜ミラー120は、その屈折率分布の周期により、入射光の波長および入射角度に対する高反射領域(ストップバンド、またはフォトニックバンドギャップとも呼ばれる)が決まる。
このことを具体的な数値を用いながら説明する。
波長λ=670nmの光に対して、屈折率nL=3.1の層(低屈折率層)と屈折率nH=3.4の層(高屈折率層)からなる半導体多層膜ミラーの反射率を考える。
例えば、図6のように、低屈折率層、高屈折率層が、共に光学的厚さがλ/4(167.5nm)で交互に積層されている場合、屈折率3.4の物質からこの多層膜に入射したときの反射率は図7のグラフのようになる。
ここで、図6の横軸は光路長(実際の距離に屈折率を乗じたもの)を表し、半導体多層膜ミラーの表面からの光路長を表している。
また、横軸の値が負の領域から光が入射するものとする(図8、10、12も同様)。
また、図7のグラフの横軸は多層膜面の法線に対する入射角θ、縦軸は反射率である(図9、11、13も同様)。
また、多層膜の低屈折率層と高屈折率層のペア数は40とした。この多層膜では、波長λの光が垂直に入射する時に反射率が高くなる。
このように、通常用いられるいわゆるλ/4ペアの半導体多層膜ミラーでは、一般に波長λが斜入射した時の反射率は高くならない。
また、例えば、図8のように、低屈折率層、高屈折率層の光学的な厚さがそれぞれλ/(4・cosθL)、λ/(4・cosθH)(ここでnL・sinθL=nH・sinθH)である場合の半導体多層膜ミラーについて考える。
ここで、例えばθH=24°とすると、この半導体多層膜ミラーにおいて、低屈折率層、高屈折率層の厚さの光路長はそれぞれ265.3nm、236.9nmとなる。
高屈折率層と低屈折率層のペア数を40とした上記の多層膜に屈折率3.4の物質から入射角θで入射したときの反射率は図9のグラフのようになり、入射角が24°付近で反射率が高くなることがわかる。しかし、垂直入射光に対する反射率は高くならない。
また、例えば、図8のように、低屈折率層、高屈折率層の光学的な厚さがそれぞれλ/(4・cosθL)、λ/(4・cosθH)(ここでnL・sinθL=nH・sinθH)である場合の半導体多層膜ミラーについて考える。
ここで、例えばθH=24°とすると、この半導体多層膜ミラーにおいて、低屈折率層、高屈折率層の厚さの光路長はそれぞれ265.3nm、236.9nmとなる。
高屈折率層と低屈折率層のペア数を40とした上記の多層膜に屈折率3.4の物質から入射角θで入射したときの反射率は図9のグラフのようになり、入射角が24°付近で反射率が高くなることがわかる。しかし、垂直入射光に対する反射率は高くならない。
このように、半導体多層膜ミラーは積層方向における屈折率分布の周期に依存して、入射光の波長と入射角度に対する多層膜の反射域(フォトニックバンドギャップ)が決まる。
ところで、本実施形態おける下部半導体多層膜ミラー120は、上記したように垂直入射光に対する反射率と、斜入射光に対する反射率とが、共に高くなるように構成される。
そのためには、半導体多層膜ミラーの積層方向における屈折率分布に、前記のレーザ共振波長の光における上記した垂直入射および斜入射に対応する2つの周期を持たせる必要がある。
ところで、本実施形態おける下部半導体多層膜ミラー120は、上記したように垂直入射光に対する反射率と、斜入射光に対する反射率とが、共に高くなるように構成される。
そのためには、半導体多層膜ミラーの積層方向における屈折率分布に、前記のレーザ共振波長の光における上記した垂直入射および斜入射に対応する2つの周期を持たせる必要がある。
より具体的に説明するため、例えば、図10に示した実線のような屈折率分布を持つ多層膜を考える。
この図において、横軸は光路長、縦軸は屈折率であり、実線で示した屈折率分布は光路長で335nm、372.2nmの周期を持たせている。
まず、周期335nmである正弦関数と、周期372.2nmである正弦関数を足し合わせた関数について、関数の値の最小値が3.1、最大値が3.4となるように線形変換する(図10の破線に相当)。
次に、この線形変換された関数を、いくつかのステップ関数で近似する。このようにして、実線で示した屈折率分布が得られる。
この方法では、この屈折率分布は、周期335nm、周期372.2nmに対応する空間周波数成分を持つため、各々に対応する入射光の波長と角度における反射率が高くなる。
また、屈折率の値が3.1から3.4の間に収まっているため、その屈折率に対応する半導体材料でこの屈折率分布を構成することができる。
このような屈折率分布を持つ多層膜ミラー(光学距離で厚さ26μm積層したもの)に、波長λ=670nmの光が入射角θで入射したときの反射率は図11のようになる。
図11の反射率のピークは図7のピーク、および図9のピークとほぼ同じところにある(0°と約24°)。
これは図10の多層膜ミラーに、図6および図8の多層膜ミラーが有する屈折率分布の周期を持たせたことに起因する。
この図において、横軸は光路長、縦軸は屈折率であり、実線で示した屈折率分布は光路長で335nm、372.2nmの周期を持たせている。
まず、周期335nmである正弦関数と、周期372.2nmである正弦関数を足し合わせた関数について、関数の値の最小値が3.1、最大値が3.4となるように線形変換する(図10の破線に相当)。
次に、この線形変換された関数を、いくつかのステップ関数で近似する。このようにして、実線で示した屈折率分布が得られる。
この方法では、この屈折率分布は、周期335nm、周期372.2nmに対応する空間周波数成分を持つため、各々に対応する入射光の波長と角度における反射率が高くなる。
また、屈折率の値が3.1から3.4の間に収まっているため、その屈折率に対応する半導体材料でこの屈折率分布を構成することができる。
このような屈折率分布を持つ多層膜ミラー(光学距離で厚さ26μm積層したもの)に、波長λ=670nmの光が入射角θで入射したときの反射率は図11のようになる。
図11の反射率のピークは図7のピーク、および図9のピークとほぼ同じところにある(0°と約24°)。
これは図10の多層膜ミラーに、図6および図8の多層膜ミラーが有する屈折率分布の周期を持たせたことに起因する。
このような手法を用いれば、屈折率分布の2つの周期を調整することにより、多層膜ミラーに2つの好適な入射角に反射率ピークを持たせることができる。
なお、ここでは、多層膜ミラーの屈折率分布の周期を2つとし、2つの反射率ピークを得ているが、周期を3つ以上にしてもよく、その場合はその数に応じた反射率ピークを持たせることも可能である。
なお、ここでは、多層膜ミラーの屈折率分布の周期を2つとし、2つの反射率ピークを得ているが、周期を3つ以上にしてもよく、その場合はその数に応じた反射率ピークを持たせることも可能である。
ところで、このように屈折率分布に周期を複数持つ多層膜ミラーは、屈折率分布が周期を1つだけ持つ多層膜ミラーに比べて、対応する入射角度において、同じ厚さで反射率を比較すると劣ってしまうことがある。この場合には、多層膜ミラーを厚く積むことによって、反射率を上げることが可能である。
また、この多層膜ミラーの2つの反射ピークに対応する入射角での反射光の位相、およびそれらの間の関係は、屈折率分布の周期の足し方を変えることによって調整可能である。
すなわち、先の例で正弦波を足し合わせるとき、それらの正弦波の位相を適当にずらして足し合わせればよい。
例えば、図16に実線で示した屈折率分布のように多層膜ミラーを構成してもよい。
まず、周期335nmである正弦関数と、周期372.2nmの正弦関数を90°位相をずらして足しあわせた関数について、関数の値の最小値が3.1、最大値が3.4となるように線形変換する(図16の破線に相当)。
次に、この線形変換された関数を、いくつかのステップ関数で近似する。このようにして、実線で示した屈折率分布を得ることができ、図16に示した屈折率分布は、図10に示した屈折率分布とは異なる屈折率分布となる。
図16の屈折率分布で構成された多層膜反射鏡に約24°で斜入射した波長670nmの光の反射光は、図10の屈折率分布で構成された多層膜反射鏡の反射光に比べて、位相がずれることになる。
つまり多層膜ミラーは、導波路を形成するための斜入射光の反射、および共振器のQ値を制御するための垂直入射光の反射において、それぞれの反射光の位相を独立に制御できる。これらは所望の面発光レーザにとってそれぞれ最適な位相とすることが望ましい。
すなわち、先の例で正弦波を足し合わせるとき、それらの正弦波の位相を適当にずらして足し合わせればよい。
例えば、図16に実線で示した屈折率分布のように多層膜ミラーを構成してもよい。
まず、周期335nmである正弦関数と、周期372.2nmの正弦関数を90°位相をずらして足しあわせた関数について、関数の値の最小値が3.1、最大値が3.4となるように線形変換する(図16の破線に相当)。
次に、この線形変換された関数を、いくつかのステップ関数で近似する。このようにして、実線で示した屈折率分布を得ることができ、図16に示した屈折率分布は、図10に示した屈折率分布とは異なる屈折率分布となる。
図16の屈折率分布で構成された多層膜反射鏡に約24°で斜入射した波長670nmの光の反射光は、図10の屈折率分布で構成された多層膜反射鏡の反射光に比べて、位相がずれることになる。
つまり多層膜ミラーは、導波路を形成するための斜入射光の反射、および共振器のQ値を制御するための垂直入射光の反射において、それぞれの反射光の位相を独立に制御できる。これらは所望の面発光レーザにとってそれぞれ最適な位相とすることが望ましい。
また、2つの反射率ピークの反射率に差をつけることも可能である。すなわち、上記した手法を用いて、正弦波を足し合わせる際の正弦波の振幅比を調整すればよく、より強く反射させたいピークに対応する正弦波の振幅強度を上げればよい。
このように、2つの反射光の位相関係や強度比を最適化することにより、多層膜ミラー120を、より面発光レーザにとって好適なものにすることができる。
このように、2つの反射光の位相関係や強度比を最適化することにより、多層膜ミラー120を、より面発光レーザにとって好適なものにすることができる。
また、上記した構成例では、多層膜ミラーを構成する層の屈折率は3種類以上のものについて説明したが、このような構成に限られるものではない。
すなわち、2種類の屈折率を用いて上記のような多層膜ミラーを構成することも可能である。具体的には、第1の屈折率を有する層と、該第1の屈折率とは異なる第2の屈折率を有する層を交互に積層することによって構成する。
例えば、図12に実線で示した屈折率分布で多層膜ミラーを構成することもできる。
このような屈折率分布を持つ多層膜ミラー(光学距離で厚さ20μm積層)に入射角θで入射したときの反射率は図13のようになる。すなわち、この多層膜ミラーは、0°と約24°に高い反射率ピークを持つ。
ここで図12の実線で示した屈折率分布も図10に示した屈折率分布の作成方法と同様に、2種の正弦波の和を参考にして2つの周期を持つように構成した。
但し、屈折率は3.1と3.4の2値のみ取る条件としている。
多層膜ミラーを構成する層の屈折率の種類が少なければ、多層膜ミラーの形成がより簡単になる。
例えば、化合物半導体では構成元素の組成比を変更することで屈折率を変化させることができる。
しかし、化合物半導体の結晶成長のプロセスを考えると、できるだけ化合物半導体の種類を減らしたほうが好ましい。
図12に実線で示した屈折率分布を持つ多層膜ミラーを化合物半導体で構成する際、2種類の組成比のみ用意すればよいため、図10の分布より結晶成長が簡単になる。
すなわち、2種類の屈折率を用いて上記のような多層膜ミラーを構成することも可能である。具体的には、第1の屈折率を有する層と、該第1の屈折率とは異なる第2の屈折率を有する層を交互に積層することによって構成する。
例えば、図12に実線で示した屈折率分布で多層膜ミラーを構成することもできる。
このような屈折率分布を持つ多層膜ミラー(光学距離で厚さ20μm積層)に入射角θで入射したときの反射率は図13のようになる。すなわち、この多層膜ミラーは、0°と約24°に高い反射率ピークを持つ。
ここで図12の実線で示した屈折率分布も図10に示した屈折率分布の作成方法と同様に、2種の正弦波の和を参考にして2つの周期を持つように構成した。
但し、屈折率は3.1と3.4の2値のみ取る条件としている。
多層膜ミラーを構成する層の屈折率の種類が少なければ、多層膜ミラーの形成がより簡単になる。
例えば、化合物半導体では構成元素の組成比を変更することで屈折率を変化させることができる。
しかし、化合物半導体の結晶成長のプロセスを考えると、できるだけ化合物半導体の種類を減らしたほうが好ましい。
図12に実線で示した屈折率分布を持つ多層膜ミラーを化合物半導体で構成する際、2種類の組成比のみ用意すればよいため、図10の分布より結晶成長が簡単になる。
ところで、図11にその反射率を示した多層膜ミラーは、最も高い反射率を示す第1の反射率ピーク(0°)と、
該第1の反射率ピークと同じ反射率または該第1の反射率ピークの次に高い反射率を示す第2の反射率ピーク(約24°)を有するミラーと表現することもできる。
ここで、最も高い反射率を示す第1の反射率ピークは必ずしも90%以上でなくてもよい。但し、レーザ発振に至ることを考慮すると、90%以上であることが好ましい。
また、上記説明では、第1の反射率ピークは第1の回折光に対応し、第2の反射率ピークは第2の回折光に対応している。
しかし、第2の回折光に対応するピークが最も高い反射率を示すピーク(第1の反射率ピーク)であるように構成してもよい。
また、本発明の面発光レーザは、基板側と反対側における一部の界面で誘電体と接するフォトニック結晶において、第1の反射率ピークの入射角と、第2の反射率ピークの入射角との差が、arcsin(n2/n1)を超えるように構成することが望ましい。
ここで、n1は活性層の屈折率であり、n2は、フォトニック結晶が接する前記誘電体の屈折率である。
上記条件を満たした場合に、第2の回折光は、基板側からフォトニック結晶と誘電体との界面へ、その臨界角以上で入射することになる。
この結果、フォトニック結晶構造の基板反対側に出射される光は、第1の回折光に関係する方向だけに限定される。
このような形態は、面発光レーザの実用上好ましい形態であるといえる。
なお、フォトニック結晶が基板反対側で空気と接している場合は、フォトニック結晶が接する誘電体とは空気のことであり、n2はほぼ1となる。
該第1の反射率ピークと同じ反射率または該第1の反射率ピークの次に高い反射率を示す第2の反射率ピーク(約24°)を有するミラーと表現することもできる。
ここで、最も高い反射率を示す第1の反射率ピークは必ずしも90%以上でなくてもよい。但し、レーザ発振に至ることを考慮すると、90%以上であることが好ましい。
また、上記説明では、第1の反射率ピークは第1の回折光に対応し、第2の反射率ピークは第2の回折光に対応している。
しかし、第2の回折光に対応するピークが最も高い反射率を示すピーク(第1の反射率ピーク)であるように構成してもよい。
また、本発明の面発光レーザは、基板側と反対側における一部の界面で誘電体と接するフォトニック結晶において、第1の反射率ピークの入射角と、第2の反射率ピークの入射角との差が、arcsin(n2/n1)を超えるように構成することが望ましい。
ここで、n1は活性層の屈折率であり、n2は、フォトニック結晶が接する前記誘電体の屈折率である。
上記条件を満たした場合に、第2の回折光は、基板側からフォトニック結晶と誘電体との界面へ、その臨界角以上で入射することになる。
この結果、フォトニック結晶構造の基板反対側に出射される光は、第1の回折光に関係する方向だけに限定される。
このような形態は、面発光レーザの実用上好ましい形態であるといえる。
なお、フォトニック結晶が基板反対側で空気と接している場合は、フォトニック結晶が接する誘電体とは空気のことであり、n2はほぼ1となる。
[実施例1]
実施例1においては、本発明を適用した面発光レーザについて説明する。
図14に、本実施例における面発光レーザを説明する断面模式図を示す。
図14において、1400は面発光レーザ、1410は基板、1420は第1の半導体多層膜ミラー、1430は下部スペーサ層である。
1440は活性層、1450は上部スペーサ層、1460はフォトニック結晶構造を持つスラブ層、1470は上部電極、1475は下部電極である。
実施例1においては、本発明を適用した面発光レーザについて説明する。
図14に、本実施例における面発光レーザを説明する断面模式図を示す。
図14において、1400は面発光レーザ、1410は基板、1420は第1の半導体多層膜ミラー、1430は下部スペーサ層である。
1440は活性層、1450は上部スペーサ層、1460はフォトニック結晶構造を持つスラブ層、1470は上部電極、1475は下部電極である。
本実施例の面発光レーザを作成するに際し、まず、n−GaAs基板1410上に、n−AlGaAs層のAl組成比を変えた複数の層からなる第1の半導体多層膜ミラー1420を成長させる。
第1の半導体多層膜ミラー1420の層構成は、例えば、以下の表1に示されるように、AlGaAs18層からなるユニットを、8ユニット積層したものとする。
[表1]
第1の半導体多層膜ミラー1420の層構成は、例えば、以下の表1に示されるように、AlGaAs18層からなるユニットを、8ユニット積層したものとする。
[表1]
上記第1の半導体多層膜ミラー1420を成長させる成長方法として、例えば、MOCVD法を用いることができる。
この第1の半導体多層膜ミラー1420は、波長670nmの光に対して、図13に示した反射率のように、n−Al0.9Ga0.1As下部スペーサ層からの入射角が0°および約24°のときに反射率が最大となるように設計されている。
前記第1の半導体多層膜ミラー1420の上に、共振器を構成できる厚さのn−Al0.9Ga0.1As下部スペーサ層1430、GaInP/AlGaInP多重量子井戸層を含む活性層1440を成長させる。
次いで、p−Al0.9Ga0.1As上部スペーサ層1450、p−Al0.5Ga0.5Asスラブ層1460を成長させる。
なお、この活性層1440は、波長670nmで光学利得を持つものとする。
この第1の半導体多層膜ミラー1420は、波長670nmの光に対して、図13に示した反射率のように、n−Al0.9Ga0.1As下部スペーサ層からの入射角が0°および約24°のときに反射率が最大となるように設計されている。
前記第1の半導体多層膜ミラー1420の上に、共振器を構成できる厚さのn−Al0.9Ga0.1As下部スペーサ層1430、GaInP/AlGaInP多重量子井戸層を含む活性層1440を成長させる。
次いで、p−Al0.9Ga0.1As上部スペーサ層1450、p−Al0.5Ga0.5Asスラブ層1460を成長させる。
なお、この活性層1440は、波長670nmで光学利得を持つものとする。
スラブ層1460上部表面にレジスト(不図示)を塗布し、電子ビーム露光によって、半径100nm、格子間隔500nmの二次元正方格子パターンをレジストに形成する。
そして、レジストを現像後、SiCl4/Arプラズマによる反応性イオンエッチングを用いてp−AlGaAsスラブ層1460に二次元ホール列1463からなるフォトニック結晶構造を形成する。
このフォトニック結晶構造を含むスラブ層1460は、前記第1の半導体多層膜ミラー1420との間に導波モードが存在し、かつフォトニック結晶構造により共振作用が生じるように形成される。そして、このホール列を形成した後、レジストを除去する。
下部電極1475を基板1410下に、上部電極1470をスラブ層1460上に形成する。
上部電極1470は例えばTi/Au、下部電極1475は例えばAuGe/Auとする。
こうして作製した面発光レーザ1400に対して電流注入を行うと活性層1440が発光し、前述の共振原理によるレーザ発振により、基板垂直方向に波長約670nmの面発光が起きる。
そして、レジストを現像後、SiCl4/Arプラズマによる反応性イオンエッチングを用いてp−AlGaAsスラブ層1460に二次元ホール列1463からなるフォトニック結晶構造を形成する。
このフォトニック結晶構造を含むスラブ層1460は、前記第1の半導体多層膜ミラー1420との間に導波モードが存在し、かつフォトニック結晶構造により共振作用が生じるように形成される。そして、このホール列を形成した後、レジストを除去する。
下部電極1475を基板1410下に、上部電極1470をスラブ層1460上に形成する。
上部電極1470は例えばTi/Au、下部電極1475は例えばAuGe/Auとする。
こうして作製した面発光レーザ1400に対して電流注入を行うと活性層1440が発光し、前述の共振原理によるレーザ発振により、基板垂直方向に波長約670nmの面発光が起きる。
[実施例2]
実施例2において、実施例1における第1の半導体多層膜ミラーとは別に第2の半導体多層膜ミラー1590を設けた構成例について説明する。
図15に、本実施例における面発光レーザを説明する断面模式図を示す。
図15には、図14に示す実施例1と同じ構成に同一の符号が付されているので、共通する部分の説明は省略する。
図15において、1500は面発光レーザ、1590は第2の半導体多層膜ミラーである。
本実施例における面発光レーザ1500は、図15にその要部を示すように、実施例1における活性層1440と、フォトニック結晶の設けられたスラブ層1460との間に、第2の半導体多層膜ミラー1590を備えている。
その際、第2の半導体多層膜ミラー1590は、レーザ発振波長の光に対し、光が半導体多層膜ミラーに垂直に入射する場合の反射率が、他の入射角度で入射する場合よりも高い反射率とされている。
このような第2の半導体多層膜ミラー1590と、第1の半導体多層膜ミラー1420との間に活性層1440を挟み、基板垂直方向にも共振器を形成することで、レーザ共振器全体のQ値をさらに高めることができる。この結果、しきい値を下げることができる。
なお、面発光レーザの出力光をフォトニック結晶側(基板反対側)から取り出すためには、第2の半導体多層膜ミラー1590の垂直入射反射率は第1の半導体多層膜ミラー1420の垂直入射反射率にくらべて低いことが望ましい。
具体的には、実施例1における上部スペーサ層1450とスラブ層1460との間に、p−Al0.9Ga0.1As層53.2nmとp−Al0.5Ga0.5As層48.6nmを10ペア積層した第2の半導体多層膜ミラーを結晶成長時点で形成する。
実施例2において、実施例1における第1の半導体多層膜ミラーとは別に第2の半導体多層膜ミラー1590を設けた構成例について説明する。
図15に、本実施例における面発光レーザを説明する断面模式図を示す。
図15には、図14に示す実施例1と同じ構成に同一の符号が付されているので、共通する部分の説明は省略する。
図15において、1500は面発光レーザ、1590は第2の半導体多層膜ミラーである。
本実施例における面発光レーザ1500は、図15にその要部を示すように、実施例1における活性層1440と、フォトニック結晶の設けられたスラブ層1460との間に、第2の半導体多層膜ミラー1590を備えている。
その際、第2の半導体多層膜ミラー1590は、レーザ発振波長の光に対し、光が半導体多層膜ミラーに垂直に入射する場合の反射率が、他の入射角度で入射する場合よりも高い反射率とされている。
このような第2の半導体多層膜ミラー1590と、第1の半導体多層膜ミラー1420との間に活性層1440を挟み、基板垂直方向にも共振器を形成することで、レーザ共振器全体のQ値をさらに高めることができる。この結果、しきい値を下げることができる。
なお、面発光レーザの出力光をフォトニック結晶側(基板反対側)から取り出すためには、第2の半導体多層膜ミラー1590の垂直入射反射率は第1の半導体多層膜ミラー1420の垂直入射反射率にくらべて低いことが望ましい。
具体的には、実施例1における上部スペーサ層1450とスラブ層1460との間に、p−Al0.9Ga0.1As層53.2nmとp−Al0.5Ga0.5As層48.6nmを10ペア積層した第2の半導体多層膜ミラーを結晶成長時点で形成する。
以上、実施例1及び実施例2について説明したが、本発明の面発光レーザは、これらの実施例に限定されるものではない。
例えば、波長400nm帯ではAlGaInN系、1um帯ではInGaAsP系を用いることができる。
特に、半導体層、フォトニック結晶、半導体多層膜ミラー、電極の材料や、フォトニック結晶の格子形状、半導体多層膜ミラーなどは適宜設定できる。
また上記実施例では、レーザ発振波長として670nmのものを示したが、それらに限られるものではなく、適切な材料・構造の選択により任意の波長の発振が可能である。
以上に説明した本発明の面発光レーザは、複写機やレーザプリンタなどの画像形成装置が有する感光ドラムへ描画を行うための光源としても利用することができる。
例えば、波長400nm帯ではAlGaInN系、1um帯ではInGaAsP系を用いることができる。
特に、半導体層、フォトニック結晶、半導体多層膜ミラー、電極の材料や、フォトニック結晶の格子形状、半導体多層膜ミラーなどは適宜設定できる。
また上記実施例では、レーザ発振波長として670nmのものを示したが、それらに限られるものではなく、適切な材料・構造の選択により任意の波長の発振が可能である。
以上に説明した本発明の面発光レーザは、複写機やレーザプリンタなどの画像形成装置が有する感光ドラムへ描画を行うための光源としても利用することができる。
100:面発光レーザ
110:基板
120:下部半導体多層膜ミラー
130:下部スペーサ層
140:活性層
150:上部スペーサ層
160:フォトニック結晶構造を備えたスラブ層
170:上部電極
175:下部電極
250:入射光
260:第1の回折光
270:第2の回折光
360:垂直入射光
370:斜入射光
1400:面発光レーザ
1410:基板
1420:第1の半導体多層膜ミラー
1430:下部スペーサ層
1440:活性層
1450:上部スペーサ層
1460:フォトニック結晶構造を持つスラブ層
1470:上部電極
1475:下部電極
1500:面発光レーザ
1590:第2の半導体多層膜ミラー
110:基板
120:下部半導体多層膜ミラー
130:下部スペーサ層
140:活性層
150:上部スペーサ層
160:フォトニック結晶構造を備えたスラブ層
170:上部電極
175:下部電極
250:入射光
260:第1の回折光
270:第2の回折光
360:垂直入射光
370:斜入射光
1400:面発光レーザ
1410:基板
1420:第1の半導体多層膜ミラー
1430:下部スペーサ層
1440:活性層
1450:上部スペーサ層
1460:フォトニック結晶構造を持つスラブ層
1470:上部電極
1475:下部電極
1500:面発光レーザ
1590:第2の半導体多層膜ミラー
Claims (13)
- 基板の上に、第1の半導体多層膜ミラー、活性層、基板の面内方向に屈折率分布を有するフォトニック結晶、を含む複数の半導体層が積層されて構成された発振波長λの面発光レーザであって、
前記フォトニック結晶は、面内に対して垂直方向から前記発振波長λの入射光が入射されたときに、第1の回折光と、該第1の回折光とは回折角度が異なる第2の回折光とに回折するように構成され、
前記第1の半導体多層膜ミラーは、前記フォトニック結晶によって回折される前記第1の回折光と前記第2の回折光のそれぞれに対してストップバンドを有することを特徴とする面発光レーザ。 - 前記第1の半導体多層膜ミラーは、前記第1の回折光に対応する屈折率分布の周期と、前記第2の回折光に対応する屈折率分布の周期を有することを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ。
- 前記第1の回折光は、前記入射光の入射方向とのなす角度が0度であり、
前記第2の回折光は、前記入射光の入射方向とのなす角度が、0度より大きく90度未満であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の面発光レーザ。 - 前記第1の半導体多層膜ミラーの法線に対する前記第2の回折光の入射角をθとしたときに、前記第1の半導体多層膜ミラーを構成する層は、λ/4の光学的厚さではなく、
かつ、λ/(4・cosθ)の光学的厚さでもない厚さを有することを特徴とする請求項3に記載の面発光レーザ。 - 前記第1の半導体多層膜ミラーは、第1の屈折率を有する層と該第1の屈折率とは異なる第2の屈折率を有する層とが交互に積層されることにより構成されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の面発光レーザ。
- 前記第1の半導体多層膜ミラーは、3種類以上の屈折率を有する層が積層されることにより構成されていることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の面発光レーザ。
- 前記第1の半導体多層膜ミラーにおける前記第1及び第2の回折光に対する反射率が、90%以上であることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の面発光レーザ。
- 前記第1の半導体多層膜ミラーにおける前記第1及び第2の回折光に対する反射率が、99%以上であることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の面発光レーザ。
- 前記活性層と前記フォトニック結晶の間に、第2の半導体多層膜ミラーを有することを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の面発光レーザ。
- 前記第2の半導体多層膜ミラーは、前記発振波長λの光が第2の半導体多層膜ミラーに垂直に入射したときの反射率が他の入射角度で入射するときの反射率よりも高くなる構造を備えていることを特徴とする請求項9に記載の面発光レーザ。
- 基板の上に、第1の半導体多層膜ミラー、活性層、基板の面内方向に屈折率分布を有するフォトニック結晶、を含む複数の半導体層が積層されて構成された発振波長λの面発光レーザであって、
前記フォトニック結晶は、面内に対して垂直方向から前記発振波長λの入射光が入射されたときに、第1の回折光と、該第1の回折光とは回折角度が異なる第2の回折光とに回折するように構成され、
前記第1の半導体多層膜ミラーは、前記フォトニック結晶によって回折される前記第1の回折光と前記第2の回折光のそれぞれに対して反射させることができるように構成されており、
前記活性層の屈折率をn1とし、フォトニック結晶が前記基板側と反対側の界面で接している誘電体の屈折率をn2とするとき、
最も高い反射率を示す第1の反射率ピークと、該第1の反射率ピークと同じ反射率、または該第1の反射率ピークの次に高い反射率を示す第2の反射率ピークとの入射角との差が、
arcsin(n2/n1)を超えるように構成されていることを特徴とする面発光レーザ。 - 前記誘電体は、空気であることを特徴とする請求項11に記載の面発光レーザ。
- 前記第1の半導体多層膜ミラーは、前記第1の回折光に対応する屈折率分布の周期と、前記第2の回折光に対応する屈折率分布の周期を有することを特徴とする請求項11または12に記載の面発光レーザ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008252429A JP4709259B2 (ja) | 2007-10-12 | 2008-09-30 | 面発光レーザ |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007266246 | 2007-10-12 | ||
JP2007266246 | 2007-10-12 | ||
JP2008252429A JP4709259B2 (ja) | 2007-10-12 | 2008-09-30 | 面発光レーザ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009111360A JP2009111360A (ja) | 2009-05-21 |
JP4709259B2 true JP4709259B2 (ja) | 2011-06-22 |
Family
ID=40288793
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008252429A Expired - Fee Related JP4709259B2 (ja) | 2007-10-12 | 2008-09-30 | 面発光レーザ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7940826B2 (ja) |
EP (1) | EP2195894A1 (ja) |
JP (1) | JP4709259B2 (ja) |
KR (1) | KR101133380B1 (ja) |
CN (1) | CN101821917B (ja) |
WO (1) | WO2009048159A1 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5171318B2 (ja) * | 2008-03-05 | 2013-03-27 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザアレイ |
JP5388666B2 (ja) * | 2008-04-21 | 2014-01-15 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザ |
JP5106487B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザの製造方法及び面発光レーザアレイの製造方法、該製造方法による面発光レーザアレイを備えている光学機器 |
JP4639249B2 (ja) | 2008-07-31 | 2011-02-23 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザの製造方法及び面発光レーザアレイの製造方法、面発光レーザ及び面発光レーザアレイ、面発光レーザアレイを備えている光学機器 |
JP5038371B2 (ja) * | 2008-09-26 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザの製造方法 |
JP4975130B2 (ja) * | 2009-05-07 | 2012-07-11 | キヤノン株式会社 | フォトニック結晶面発光レーザ |
WO2012035621A1 (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-22 | キヤノン株式会社 | フォトニック結晶面発光レーザ、該レーザを用いたレーザアレイ、該レーザアレイを用いた画像形成装置 |
JP5335818B2 (ja) * | 2010-09-14 | 2013-11-06 | キヤノン株式会社 | フォトニック結晶面発光レーザ、該レーザを用いたレーザアレイ、該レーザアレイを用いた画像形成装置 |
US9042421B2 (en) | 2010-10-18 | 2015-05-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface emitting laser, surface emitting laser array, and optical apparatus having surface emitting laser array |
CN105679767A (zh) * | 2016-01-25 | 2016-06-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置 |
JP6747910B2 (ja) | 2016-08-10 | 2020-08-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 発光装置 |
US11031751B2 (en) | 2016-08-10 | 2021-06-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Light-emitting device |
US10734786B2 (en) | 2016-09-07 | 2020-08-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor light emitting element and light emitting device including same |
JP6747922B2 (ja) * | 2016-09-07 | 2020-08-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体発光素子及び発光装置 |
US11646546B2 (en) | 2017-03-27 | 2023-05-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor light emitting array with phase modulation regions for generating beam projection patterns |
US11637409B2 (en) | 2017-03-27 | 2023-04-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor light-emitting module and control method therefor |
JP6959042B2 (ja) | 2017-06-15 | 2021-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 発光装置 |
DE112018006285T5 (de) | 2017-12-08 | 2021-01-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Lichtemittierende vorrichtung und herstellungsverfahren dafür |
US11923655B2 (en) * | 2018-08-27 | 2024-03-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Light emission device |
CN112397998B (zh) * | 2020-11-13 | 2022-04-01 | 中国科学院半导体研究所 | 一种面发射激光器及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003273456A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Japan Science & Technology Corp | 2次元フォトニック結晶面発光レーザ |
JP2004521499A (ja) * | 2001-03-09 | 2004-07-15 | アライト テクノロジーズ アクティーゼルスカブ | Vcselにおける横断バンドギャップ構造を使用するモードの制御 |
JP2005538532A (ja) * | 2002-02-12 | 2005-12-15 | ニコラエビチ レデンチョフ,ニコライ | 傾斜型共振器半導体レーザー(tcsl)及びその製造方法 |
JP2007287733A (ja) * | 2006-04-12 | 2007-11-01 | Canon Inc | 面発光レーザ |
JP2007533126A (ja) * | 2004-04-07 | 2007-11-15 | エンエル ナノセミコンダクター ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 反導波路傾斜空洞型vcselまたはled |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0567838A (ja) * | 1991-09-09 | 1993-03-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 面発光レ―ザ |
EP1098375A1 (en) | 1999-11-05 | 2001-05-09 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Optical filter and Resonant Cavity LED comprising the said optical filter |
US6782021B2 (en) * | 2001-03-02 | 2004-08-24 | Xiaodong Huang | Quantum dot vertical cavity surface emitting laser |
US6704343B2 (en) * | 2002-07-18 | 2004-03-09 | Finisar Corporation | High power single mode vertical cavity surface emitting laser |
TW200524236A (en) | 2003-12-01 | 2005-07-16 | Nl Nanosemiconductor Gmbh | Optoelectronic device incorporating an interference filter |
US7697588B2 (en) | 2006-11-02 | 2010-04-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Structure having photonic crystal and surface-emitting laser using the same |
US7499481B2 (en) | 2006-11-14 | 2009-03-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface-emitting laser and method for producing the same |
US7535946B2 (en) | 2006-11-16 | 2009-05-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Structure using photonic crystal and surface emitting laser |
JP4350774B2 (ja) | 2007-07-31 | 2009-10-21 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザ |
JP4347369B2 (ja) | 2007-07-31 | 2009-10-21 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザの製造方法 |
JP5137514B2 (ja) | 2007-09-27 | 2013-02-06 | キヤノン株式会社 | 2次元面発光レーザアレイ |
-
2008
- 2008-09-30 JP JP2008252429A patent/JP4709259B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-08 EP EP08838324A patent/EP2195894A1/en not_active Withdrawn
- 2008-10-08 US US12/377,934 patent/US7940826B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-08 WO PCT/JP2008/068691 patent/WO2009048159A1/en active Application Filing
- 2008-10-08 KR KR1020107009767A patent/KR101133380B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-10-08 CN CN2008801105709A patent/CN101821917B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004521499A (ja) * | 2001-03-09 | 2004-07-15 | アライト テクノロジーズ アクティーゼルスカブ | Vcselにおける横断バンドギャップ構造を使用するモードの制御 |
JP2005538532A (ja) * | 2002-02-12 | 2005-12-15 | ニコラエビチ レデンチョフ,ニコライ | 傾斜型共振器半導体レーザー(tcsl)及びその製造方法 |
JP2003273456A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Japan Science & Technology Corp | 2次元フォトニック結晶面発光レーザ |
JP2007533126A (ja) * | 2004-04-07 | 2007-11-15 | エンエル ナノセミコンダクター ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 反導波路傾斜空洞型vcselまたはled |
JP2007287733A (ja) * | 2006-04-12 | 2007-11-01 | Canon Inc | 面発光レーザ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100166034A1 (en) | 2010-07-01 |
JP2009111360A (ja) | 2009-05-21 |
CN101821917B (zh) | 2011-12-14 |
EP2195894A1 (en) | 2010-06-16 |
KR101133380B1 (ko) | 2012-04-06 |
KR20100072063A (ko) | 2010-06-29 |
US7940826B2 (en) | 2011-05-10 |
CN101821917A (zh) | 2010-09-01 |
WO2009048159A1 (en) | 2009-04-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4709259B2 (ja) | 面発光レーザ | |
US7483466B2 (en) | Vertical cavity surface emitting laser device | |
JP4027393B2 (ja) | 面発光レーザ | |
KR100759603B1 (ko) | 수직 공진기형 면발광 레이저 장치 | |
KR100991068B1 (ko) | 회절에 의한 도파용 포토닉 결정미러를 가진 면발광 레이저 | |
US7539226B2 (en) | Optical element, method for manufacturing optical element and semiconductor laser device using the optical element | |
JP4927411B2 (ja) | 2次元フォトニック結晶面発光レーザ | |
JP2009212359A (ja) | 面発光レーザアレイ | |
JP2007234835A (ja) | 垂直共振器型面発光レーザ | |
JP2007294789A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP5892534B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP2008098379A (ja) | 2次元フォトニック結晶面発光レーザおよびその製造方法 | |
US10283937B2 (en) | Optoelectronic device with enhanced lateral leakage of high order transverse optical modes into alloy-intermixed regions and method of making same | |
JPH04167484A (ja) | 光半導体装置 | |
US10243330B2 (en) | Optoelectronic device with resonant suppression of high order optical modes and method of making same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110221 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110222 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110317 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |