JPH0567838A - 面発光レ―ザ - Google Patents
面発光レ―ザInfo
- Publication number
- JPH0567838A JPH0567838A JP22912491A JP22912491A JPH0567838A JP H0567838 A JPH0567838 A JP H0567838A JP 22912491 A JP22912491 A JP 22912491A JP 22912491 A JP22912491 A JP 22912491A JP H0567838 A JPH0567838 A JP H0567838A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- laser
- surface emitting
- light
- diffraction grating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 注入電流が増加しても所定の偏光方向を安定
に維持できる面発光レ−ザを実現する。 【構成】 半導体基板１の主面上に第１の光反射層２、
活性層３２を含むキャビティ層３、第２の光反射層５の
順に積層して構成した光共振器内に、第１の格子周期中
に第２の格子周期を持ち、かつ、当該第２の格子周期が
光学膜厚においてレ−ザ発振波長の１／２以下である回
折格子５を設ける。
に維持できる面発光レ−ザを実現する。 【構成】 半導体基板１の主面上に第１の光反射層２、
活性層３２を含むキャビティ層３、第２の光反射層５の
順に積層して構成した光共振器内に、第１の格子周期中
に第２の格子周期を持ち、かつ、当該第２の格子周期が
光学膜厚においてレ−ザ発振波長の１／２以下である回
折格子５を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レ−ザ光を成長基板に
対して垂直に取り出す垂直共振器型の面発光レ−ザに関
するものである。
対して垂直に取り出す垂直共振器型の面発光レ−ザに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】通常、GaAsあるいはInGaAsP に代表され
る III−Ｖ族化合物半導体レ−ザは、基板に対して平行
な方向に光共振器を構成し、光共振器の端面（通常はへ
き界面）よりレ−ザ光を取り出している。
る III−Ｖ族化合物半導体レ−ザは、基板に対して平行
な方向に光共振器を構成し、光共振器の端面（通常はへ
き界面）よりレ−ザ光を取り出している。
【０００３】この場合、その構造上の問題から２次元的
にウェハ面上のレ−ザを高密度に集積することは極めて
困難である。すなわち、個々のレ−ザは、光共振器の長
さが１００μｍ〜３００μｍと長いので、ウェハ内に単
位面積当たりに集積できるレ−ザの個数には限界がある
上、レ−ザ光は基板に対して平行に出射するので、基板
に垂直な方向に光を取り出すには、レ−ザ部分とは別に
４５度高反射ミラ−をエッチングにより形成しなければ
ならないという欠点を有していた。
にウェハ面上のレ−ザを高密度に集積することは極めて
困難である。すなわち、個々のレ−ザは、光共振器の長
さが１００μｍ〜３００μｍと長いので、ウェハ内に単
位面積当たりに集積できるレ−ザの個数には限界がある
上、レ−ザ光は基板に対して平行に出射するので、基板
に垂直な方向に光を取り出すには、レ−ザ部分とは別に
４５度高反射ミラ−をエッチングにより形成しなければ
ならないという欠点を有していた。
【０００４】これに対して、レ−ザ光を成長基板に対し
て垂直に取り出す、垂直共振器型のいわゆる面発光レ−
ザは、その構造から容易に高密度の２次元集積化が可能
である。しかも、面発光レ−ザは、通常のレ−ザと比較
して、１mAを下回る極めて低いしきい値を有するレ−ザ
が実現可能である。
て垂直に取り出す、垂直共振器型のいわゆる面発光レ−
ザは、その構造から容易に高密度の２次元集積化が可能
である。しかも、面発光レ−ザは、通常のレ−ザと比較
して、１mAを下回る極めて低いしきい値を有するレ−ザ
が実現可能である。
【０００５】従来、面発光レ−ザは、レ−ザ光と垂直を
なす結晶面中の任意の＜１１０＞方向に偏光した直線偏
光を示すが、その注入電流を増加すると上記＜１１０＞
方向とは９０度回転した別の＜１１０＞方向に偏光し、
その結果安定に偏光方向を維持して発振しないことが知
られている。
なす結晶面中の任意の＜１１０＞方向に偏光した直線偏
光を示すが、その注入電流を増加すると上記＜１１０＞
方向とは９０度回転した別の＜１１０＞方向に偏光し、
その結果安定に偏光方向を維持して発振しないことが知
られている。
【０００６】これは、一般に報告されている面発光レ−
ザにおいては、直径数１０μｍ程度の円筒周辺を空気も
しくはポリイミドに囲まれた円筒形状を呈しており、キ
ャビティ構造において光導波路構造を考慮した単一モ−
ドになるための条件と比較すると２桁程度大きいためと
考えられる。
ザにおいては、直径数１０μｍ程度の円筒周辺を空気も
しくはポリイミドに囲まれた円筒形状を呈しており、キ
ャビティ構造において光導波路構造を考慮した単一モ−
ドになるための条件と比較すると２桁程度大きいためと
考えられる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
面発光レ−ザでは、光の閉じ込めを考慮して上記した面
発光レ−ザの円筒直径を小さくすることは、製造プロセ
スの上から困難であり、また、微小径にするほど面発光
レ−ザにおいては側面の表面再結合による損失の寄与が
無視できなくなるため、ついにはレ−ザ発振に至らなく
なる。このため、低しきい値で、かつ、偏光方向を安定
に維持できる面発光レ−ザを得ることは不可能であっ
た。
面発光レ−ザでは、光の閉じ込めを考慮して上記した面
発光レ−ザの円筒直径を小さくすることは、製造プロセ
スの上から困難であり、また、微小径にするほど面発光
レ−ザにおいては側面の表面再結合による損失の寄与が
無視できなくなるため、ついにはレ−ザ発振に至らなく
なる。このため、低しきい値で、かつ、偏光方向を安定
に維持できる面発光レ−ザを得ることは不可能であっ
た。
【０００８】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、注入電流が増加しても所定の偏
光方向を安定に維持でき、しかも低しきい値の面発光レ
−ザを提供することにある。
のであり、その目的は、注入電流が増加しても所定の偏
光方向を安定に維持でき、しかも低しきい値の面発光レ
−ザを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明では、半導体基板の主面上に第１の光反射
層、活性層を含むキャビティ層、第２の光反射層の順に
積層して光共振器を構成し、前記活性層から放出される
光をレ−ザ発振させる面発光レ−ザにおいて、前記光共
振器内に、第１の格子周期中に第２の格子周期を持ち、
かつ、当該第２の格子周期が光学膜厚においてレ−ザ発
振波長の１／２以下である回折格子を設けた。
め、本発明では、半導体基板の主面上に第１の光反射
層、活性層を含むキャビティ層、第２の光反射層の順に
積層して光共振器を構成し、前記活性層から放出される
光をレ−ザ発振させる面発光レ−ザにおいて、前記光共
振器内に、第１の格子周期中に第２の格子周期を持ち、
かつ、当該第２の格子周期が光学膜厚においてレ−ザ発
振波長の１／２以下である回折格子を設けた。
【００１０】
【作用】本発明によれば、一の偏光方向の光のみが回折
格子により共振に係る光路に導かれ、この光が第１の光
反射層と第２の光反射層との間を往復する。すなわち、
注入電流が増加しても回折格子により所定の偏光方向が
安定に維持されレ−ザ発振に至る。
格子により共振に係る光路に導かれ、この光が第１の光
反射層と第２の光反射層との間を往復する。すなわち、
注入電流が増加しても回折格子により所定の偏光方向が
安定に維持されレ−ザ発振に至る。
【００１１】
【実施例】図１は、本発明に係る面発光レ−ザの一実施
例を示す断面図であり、ここでは活性層として井戸幅１
０nmのInGaAs/GaAs 歪超格子を用いた発振波長1.0 μｍ
面発光レ−ザについて説明する。
例を示す断面図であり、ここでは活性層として井戸幅１
０nmのInGaAs/GaAs 歪超格子を用いた発振波長1.0 μｍ
面発光レ−ザについて説明する。
【００１２】図中、１はｎ型GaAs基板、２はｎ−AlAs／
GaAs多層膜からなる第１の光反射層、３はアンド−プAl
0.3 Ga0.7 As層３１と、アンド−プIn0.2 Ga0.8 As/GaA
s 歪超格子を３層積層してなる活性層３２と、アンド−
プAl0.3 Ga0.7 As層３３とからなるキャビティ層、４は
ｐ++-GaAs コンタクト層、５は回折格子、６は TiO2／
SiO2 多層膜からなる第２の光反射層、７はAuZnNi/Au
からなるリング状ｐ電極、８はTi／Auからなる電極パッ
ド、９はAuGeNi／Auからなるｎ電極、１０はポリイミド
である。
GaAs多層膜からなる第１の光反射層、３はアンド−プAl
0.3 Ga0.7 As層３１と、アンド−プIn0.2 Ga0.8 As/GaA
s 歪超格子を３層積層してなる活性層３２と、アンド−
プAl0.3 Ga0.7 As層３３とからなるキャビティ層、４は
ｐ++-GaAs コンタクト層、５は回折格子、６は TiO2／
SiO2 多層膜からなる第２の光反射層、７はAuZnNi/Au
からなるリング状ｐ電極、８はTi／Auからなる電極パッ
ド、９はAuGeNi／Auからなるｎ電極、１０はポリイミド
である。
【００１３】回折格子５は、屈折率1.44の SiO2 からな
り、二重構造、すなわち、第１の格子周期ｐ1 中に第２
の格子周期ｐ2を持ち、かつ、この第２の格子周期ｐ2
が光学膜厚において面発光レ−ザの発振波長の１／２以
下であるという条件を満足するように構成されている。
り、二重構造、すなわち、第１の格子周期ｐ1 中に第２
の格子周期ｐ2を持ち、かつ、この第２の格子周期ｐ2
が光学膜厚において面発光レ−ザの発振波長の１／２以
下であるという条件を満足するように構成されている。
【００１４】図２は、回折格子５の構造を示す斜視図で
ある。一般に、微細ピッチで形成された複屈折回折格子
を部分的に含む回折格子が偏光特性を持つことが知られ
ており（MOC/GRIN '89 TOKYO p. 164 ）、このような回
折格子を面発光レ−ザの内部に組み入れることにより、
面発光レ−ザの偏光特性を制御することができる。
ある。一般に、微細ピッチで形成された複屈折回折格子
を部分的に含む回折格子が偏光特性を持つことが知られ
ており（MOC/GRIN '89 TOKYO p. 164 ）、このような回
折格子を面発光レ−ザの内部に組み入れることにより、
面発光レ−ザの偏光特性を制御することができる。
【００１５】具体的には、図３に示すように、上記した
回折格子構造の第１の格子周期（ｐ1 ）及び深さ
（ｔ1 ）、第２の格子周期（ｐ2 ）及び深さ（ｔ2 ）を
制御し、下記の(3) 式または(4) 式に基づいて、回折格
子に平行な透過率（ＴP ）もしくは垂直な透過率
（ＴV ）のいずれか一方を「１」とすることにより、図
２に示すように、回折格子に平行あるいは垂直の偏光波
のみを透過し、もう一方は回折を起こすようにできる。
本実施例では、(3) 式が「１」となるように構成されて
いる。
回折格子構造の第１の格子周期（ｐ1 ）及び深さ
（ｔ1 ）、第２の格子周期（ｐ2 ）及び深さ（ｔ2 ）を
制御し、下記の(3) 式または(4) 式に基づいて、回折格
子に平行な透過率（ＴP ）もしくは垂直な透過率
（ＴV ）のいずれか一方を「１」とすることにより、図
２に示すように、回折格子に平行あるいは垂直の偏光波
のみを透過し、もう一方は回折を起こすようにできる。
本実施例では、(3) 式が「１」となるように構成されて
いる。
【００１６】 ｎP ＝（0.5n1 2 ＋0.5n2 2 ）1/2 …(1) ｎv ＝１／［0.5 ／ n1 2 ＋0.5 ／ n2 2 ］1/2 …(2) ＴP ＝0.5 {1 + cos［ 2π/ λ (ｎP ｔ1 +(ｔ2 - ｔ1 ）ｎ2 - ｔ2 ｎ1 )]} …(3) ＴV ＝0.5 {1 + cos [ 2π/ λ (ｎV ｔ1 +(ｔ2 - ｔ1 ）ｎ2 - ｔ2 ｎ1 )]} …(4) ここで、ｎ1 は回折格子の材料の屈折率、ｎ2 は回折格
子と接している材料の屈折率、ｎP は構成した回折格子
の平行方向の屈折率、ｎV は構成した回折格子の垂直方
向の屈折率である。
子と接している材料の屈折率、ｎP は構成した回折格子
の平行方向の屈折率、ｎV は構成した回折格子の垂直方
向の屈折率である。
【００１７】次に、図１の面発光レ−ザの製造方法につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１８】まず最初に、ｎ型GaAs基板１上にMBE 法に
より第１の光反射層２として、各層の光学膜厚が発振波
長のλ／４である29.5対のｎ−AlAs（83.9nm）／GaAs
（69.8nm）反射層を形成する。
より第１の光反射層２として、各層の光学膜厚が発振波
長のλ／４である29.5対のｎ−AlAs（83.9nm）／GaAs
（69.8nm）反射層を形成する。
【００１９】続いて、アンド−プAl0.3 Ga0.7 As層３
１、活性層３２として１０nmアンド−プIn0.2 Ga0.8 As
/GaAs 歪超格子を３層、アンド−プAl0.3 Ga0.7 As層３
３からなるキャビティ層３を形成し、さらに、キャビテ
ィ層３上にｐ++-GaAs コンタクト層４（ｐ〜１０19c
m-3）を100nm 厚に、かつ全体が、発振波長の光学膜厚
の３倍であるように形成する。その後、ｐ電極７として
AuZnNi/Auをリング状に形成し、シンタ−を行う。
１、活性層３２として１０nmアンド−プIn0.2 Ga0.8 As
/GaAs 歪超格子を３層、アンド−プAl0.3 Ga0.7 As層３
３からなるキャビティ層３を形成し、さらに、キャビテ
ィ層３上にｐ++-GaAs コンタクト層４（ｐ〜１０19c
m-3）を100nm 厚に、かつ全体が、発振波長の光学膜厚
の３倍であるように形成する。その後、ｐ電極７として
AuZnNi/Auをリング状に形成し、シンタ−を行う。
【００２０】続いて、コンタクト層４及びリング状ｐ電
極７上に、第１の格子周期ｐ1 中に第２の格子周期ｐ2
を持ち、かつ、前記第２の格子周期ｐ2 が光学波長にお
いて面発光レ−ザの発振波長の１／２以下であるという
条件を満たす回折格子５を、SiO2 （ｎ1 ＝1.44）を用
いて形成する。
極７上に、第１の格子周期ｐ1 中に第２の格子周期ｐ2
を持ち、かつ、前記第２の格子周期ｐ2 が光学波長にお
いて面発光レ−ザの発振波長の１／２以下であるという
条件を満たす回折格子５を、SiO2 （ｎ1 ＝1.44）を用
いて形成する。
【００２１】具体的には、まず、スパッタ−により SiO
2 を500nm 形成した後、上記第１の格子周期の回折格子
を形成するため、デュ−ティ−0.5 、１０μｍピッチで
上記結晶面内のある＜１１０＞方向にＥＢ露光法により
ストライプをレジストパタ−ニングする。次に、ＣＦ4
＋Ｈ2 （４：１）を用いレジストをマスクとして深さ50
nmのドライエッチングを行う。続いて、再びデュ−ティ
−0.5 、0.4 μｍピッチで、上記(3) 式を「１」とする
ように、上記ストライプと同じ方向である＜１１０＞方
向にＥＢ露光法によりストライプをレジストパタ−ニン
グし、ＣＦ4 ＋Ｈ2 （４：１）を用いて深さ33nmのドラ
イエッチングを行い、図２に示すような回折格子構造を
形成する。
2 を500nm 形成した後、上記第１の格子周期の回折格子
を形成するため、デュ−ティ−0.5 、１０μｍピッチで
上記結晶面内のある＜１１０＞方向にＥＢ露光法により
ストライプをレジストパタ−ニングする。次に、ＣＦ4
＋Ｈ2 （４：１）を用いレジストをマスクとして深さ50
nmのドライエッチングを行う。続いて、再びデュ−ティ
−0.5 、0.4 μｍピッチで、上記(3) 式を「１」とする
ように、上記ストライプと同じ方向である＜１１０＞方
向にＥＢ露光法によりストライプをレジストパタ−ニン
グし、ＣＦ4 ＋Ｈ2 （４：１）を用いて深さ33nmのドラ
イエッチングを行い、図２に示すような回折格子構造を
形成する。
【００２２】続いて、第２の光反射層６として、ＥＢ蒸
着により光反射層６の中心波長が上記発振波長に合った
TiO2 ／ SiO2 多層膜からなる反射層を６対形成する
（この時ｎ2 ＝2.19( TiO 2 ）となる）。その後、レジ
ストパタ−ニングを行い、ＣＦ4 ＋Ｈ2 （４：１）を用
いてレジストをマスクとしてAuZnNi/Au リング電極７ま
でドライエッチングを行う。続いて、上記パタ−ン上に
レジストパタ−ニングにより上記パタ−ンより少し大き
いマスクを形成する。
着により光反射層６の中心波長が上記発振波長に合った
TiO2 ／ SiO2 多層膜からなる反射層を６対形成する
（この時ｎ2 ＝2.19( TiO 2 ）となる）。その後、レジ
ストパタ−ニングを行い、ＣＦ4 ＋Ｈ2 （４：１）を用
いてレジストをマスクとしてAuZnNi/Au リング電極７ま
でドライエッチングを行う。続いて、上記パタ−ン上に
レジストパタ−ニングにより上記パタ−ンより少し大き
いマスクを形成する。
【００２３】次いで、マスク外部を塩素ガスによるＥＣ
Ｒエッチングを用いてn-GaAs基板１までドライエッチン
グ及び上記ドライエッチングのダメ−ジ除去のため硫酸
系の化学エッチング溶液によるスライトエッチを行った
後、直径１０μｍ、高さ５μｍの円筒を形成する。この
後、ポリイミド１０により平坦化を行った後、その上に
Ti／Auからなる電極パッド８を形成し、基板１の下部に
ｎ電極９としてAuGeNi／Auを蒸着し、シンタ−を行った
後、工程を完了する。
Ｒエッチングを用いてn-GaAs基板１までドライエッチン
グ及び上記ドライエッチングのダメ−ジ除去のため硫酸
系の化学エッチング溶液によるスライトエッチを行った
後、直径１０μｍ、高さ５μｍの円筒を形成する。この
後、ポリイミド１０により平坦化を行った後、その上に
Ti／Auからなる電極パッド８を形成し、基板１の下部に
ｎ電極９としてAuGeNi／Auを蒸着し、シンタ−を行った
後、工程を完了する。
【００２４】上記のように構成した面発光レ−ザに対し
て、電流を注入しＩ−Ｌ特性を調べたところ、直径１０
μｍと微細径であるにもかかわらず、従来報告されてい
る値と比較してほぼ同等の値である２mA前後においてＩ
−Ｌ曲線が立ち上がり、レ−ザ発振に至ることが確認さ
れた。
て、電流を注入しＩ−Ｌ特性を調べたところ、直径１０
μｍと微細径であるにもかかわらず、従来報告されてい
る値と比較してほぼ同等の値である２mA前後においてＩ
−Ｌ曲線が立ち上がり、レ−ザ発振に至ることが確認さ
れた。
【００２５】次に、そのまま電流を増加していき、シリ
コンビジコンにより遠視野像を観察すると、従来のレ−
ザでは通常４ないし５mAで偏光方向変化が生じ観測され
ていたのに対して、本発明による面発光レ−ザは１５mA
を越えても偏光方向の変化は見られなかった。この時、
Ｉ−Ｌ曲線においてキンク等は見られなかった。
コンビジコンにより遠視野像を観察すると、従来のレ−
ザでは通常４ないし５mAで偏光方向変化が生じ観測され
ていたのに対して、本発明による面発光レ−ザは１５mA
を越えても偏光方向の変化は見られなかった。この時、
Ｉ−Ｌ曲線においてキンク等は見られなかった。
【００２６】また、発振スペクトルは、第１の光反射層
２及び第２の光反射層６から構成されるエタロンにより
決定される１μｍであり、半値幅も0.2nm以下と分光器
の分解能の限界以下であり、通常の面発光レ−ザと遜色
がなかった。
２及び第２の光反射層６から構成されるエタロンにより
決定される１μｍであり、半値幅も0.2nm以下と分光器
の分解能の限界以下であり、通常の面発光レ−ザと遜色
がなかった。
【００２７】なお、本実施例では、活性層に井戸幅１０
nmであるInGaAs/GaAs 歪超格子を用いた発振波長1.0 μ
ｍ面発光レ−ザの場合を例にとり説明したが、他の発振
波長を有する面発光レ−ザの場合でも同様の効果が得ら
れる。
nmであるInGaAs/GaAs 歪超格子を用いた発振波長1.0 μ
ｍ面発光レ−ザの場合を例にとり説明したが、他の発振
波長を有する面発光レ−ザの場合でも同様の効果が得ら
れる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
注入電流が増加しても所定の偏光方向を安定に維持で
き、しかも低しきい値を有する面発光レ−ザを実現でき
る。このため、光交換、光ニュ−ラルネットワ−ク、光
情報処理用の光源等に適用できる利点がある。
注入電流が増加しても所定の偏光方向を安定に維持で
き、しかも低しきい値を有する面発光レ−ザを実現でき
る。このため、光交換、光ニュ−ラルネットワ−ク、光
情報処理用の光源等に適用できる利点がある。
【図１】本発明に係る面発光レ−ザの一実施例を示す断
面図
面図
【図２】本発明に係る回折格子の構造図
【図３】図２の回折格子の説明図
１…ｎ型GaAs基板、２…ｎ−AlAs／GaAs多層膜からなる
第１の光反射層、３…キャビティ層、３１…アンド−プ
Al0.3 Ga0.7 As層、３２…アンド−プIn0.2 Ga0.8 As/G
aAs 歪超格子を３層積層してなる活性層３２、３３…ア
ンド−プAl0.3 Ga0.7 As層３３、４…ｐ++-GaAs コンタ
クト層、５…回折格子、６… TiO2 ／ SiO2 多層膜から
なる第２の光反射層、７…AuZnNi/Au からなるリング状
ｐ電極、８…Ti／Auからなる電極パッド、９…AuGeNi／
Auからなるｎ電極、１０…ポリイミド。
第１の光反射層、３…キャビティ層、３１…アンド−プ
Al0.3 Ga0.7 As層、３２…アンド−プIn0.2 Ga0.8 As/G
aAs 歪超格子を３層積層してなる活性層３２、３３…ア
ンド−プAl0.3 Ga0.7 As層３３、４…ｐ++-GaAs コンタ
クト層、５…回折格子、６… TiO2 ／ SiO2 多層膜から
なる第２の光反射層、７…AuZnNi/Au からなるリング状
ｐ電極、８…Ti／Auからなる電極パッド、９…AuGeNi／
Auからなるｎ電極、１０…ポリイミド。
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の主面上に第１の光反射層、
活性層を含むキャビティ層、第２の光反射層の順に積層
して光共振器を構成し、前記活性層から放出される光を
レ−ザ発振させる面発光レ−ザにおいて、 前記光共振器内に、第１の格子周期中に第２の格子周期
を持ち、かつ、当該第２の格子周期が光学膜厚において
レ−ザ発振波長の１／２以下である回折格子を設けたこ
とを特徴とする面発光レ−ザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22912491A JPH0567838A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 面発光レ―ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22912491A JPH0567838A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 面発光レ―ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0567838A true JPH0567838A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=16887129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22912491A Pending JPH0567838A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 面発光レ―ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0567838A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0738196A (ja) * | 1993-07-22 | 1995-02-07 | Nec Corp | 面発光素子 |
| JP2009111360A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-05-21 | Canon Inc | 面発光レーザ |
| US7580436B2 (en) | 2003-09-18 | 2009-08-25 | Seiko Epson Corporation | Surface-emitting type semiconductor laser and method for manufacturing the same |
| JP2013505426A (ja) * | 2009-09-18 | 2013-02-14 | プレスコ テクノロジー インコーポレーテッド | ナローバンド除氷および脱氷システムならびに方法 |
-
1991
- 1991-09-09 JP JP22912491A patent/JPH0567838A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0738196A (ja) * | 1993-07-22 | 1995-02-07 | Nec Corp | 面発光素子 |
| US7580436B2 (en) | 2003-09-18 | 2009-08-25 | Seiko Epson Corporation | Surface-emitting type semiconductor laser and method for manufacturing the same |
| US7983319B2 (en) | 2003-09-18 | 2011-07-19 | Seiko Epson Corporation | Surface-emitting type semiconductor laser that controls polarization directions of laser light and method for manufacturing the same |
| JP2009111360A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-05-21 | Canon Inc | 面発光レーザ |
| KR101133380B1 (ko) * | 2007-10-12 | 2012-04-06 | 캐논 가부시끼가이샤 | 면 발광 레이저 |
| JP2013505426A (ja) * | 2009-09-18 | 2013-02-14 | プレスコ テクノロジー インコーポレーテッド | ナローバンド除氷および脱氷システムならびに方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7795058B2 (en) | Method for manufacturing optical element | |
| US7769067B2 (en) | Vertical cavity surface emitting laser device | |
| US10777970B2 (en) | Metamaterial-based reflector, optical cavity structure including the same and vertical cavity surface emitting laser | |
| US6792026B2 (en) | Folded cavity solid-state laser | |
| JP5057354B2 (ja) | 面発光レーザの製造方法 | |
| JP2006140446A (ja) | 面発光レーザ素子および面発光レーザアレイおよび面発光レーザ素子の製造方法および面発光レーザモジュールおよび電子写真システムおよび光通信システムおよび光インターコネクションシステム | |
| JP2001284722A (ja) | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP2007294789A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2002064244A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ素子 | |
| JPH06314854A (ja) | 面型発光素子とその製造方法 | |
| JPH03293790A (ja) | 広ストライプ型レーザダイオード | |
| US6577661B1 (en) | Semiconductor laser with lateral light confinement by polygonal surface optical grating resonator | |
| JPH0567838A (ja) | 面発光レ―ザ | |
| JPH06252504A (ja) | 面発光レーザとその製造方法 | |
| JP2973460B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH11204875A (ja) | 面発光レーザとそれを用いたレーザ光送信モジュール及び応用システム | |
| KR102623516B1 (ko) | 메타물질 기반의 반사체와 이를 포함한 광학적 캐비티 구조체 및 수직 공진형 표면 발광 레이저 | |
| JP2004235339A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2007227861A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH0563301A (ja) | 半導体光素子および光通信システム | |
| JP2875929B2 (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JPH04316387A (ja) | 面発光レーザ | |
| JP2001308452A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0548195A (ja) | 波長可変面発光レーザ | |
| JPH0537090A (ja) | 半導体光反射層 |