JP5697907B2 - 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 - Google Patents
窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5697907B2 JP5697907B2 JP2010144660A JP2010144660A JP5697907B2 JP 5697907 B2 JP5697907 B2 JP 5697907B2 JP 2010144660 A JP2010144660 A JP 2010144660A JP 2010144660 A JP2010144660 A JP 2010144660A JP 5697907 B2 JP5697907 B2 JP 5697907B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride semiconductor
- ridge portion
- semiconductor layer
- semiconductor laser
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 240
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims description 195
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 37
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 42
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 13
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 46
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 24
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017109 AlON Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 229910004140 HfO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017768 LaF 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
- H01S2301/176—Specific passivation layers on surfaces other than the emission facet
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/065—Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating
- H01S5/0651—Mode control
- H01S5/0653—Mode suppression, e.g. specific multimode
- H01S5/0655—Single transverse or lateral mode emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
- H01S5/3054—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure p-doping
- H01S5/3063—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure p-doping using Mg
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3211—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
図1および図2は、本発明の第1実施形態による窒化物半導体レーザ素子の断面図である。図3は、本発明の第1実施形態による窒化物半導体レーザ素子の平面図である。なお、図1は、図3のA−A線に沿った断面を示しており、図2は、図1の一部を拡大した断面を示している。まず、図1〜図3を参照して、本発明の第1実施形態による窒化物半導体レーザ素子の構造について説明する。
図11および図12は、本発明の第2実施形態による窒化物半導体レーザ素子の断面図である。次に、図1、図11および図12を参照して、本発明の第2実施形態による窒化物半導体レーザ素子の構造について説明する。なお、各図において、対応する構成要素には同一の符号を付すことにより、重複する説明は省略する。
図18および図19は、本発明の第3実施形態による窒化物半導体レーザ素子の断面図である。図20は、本発明の第3実施形態による窒化物半導体レーザ素子の構造を説明するための断面図である。次に、図18〜図20を参照して、本発明の第3実施形態による窒化物半導体レーザ素子の構造について説明する。なお、各図において、対応する構成要素には同一の符号を付すことにより、重複する説明は省略する。
11 n型クラッド層
12 活性層
13 AlGaN蒸発防止層
14 p型クラッド層(窒化物半導体層)
14a 凸部
14b 平坦部(延在部)
15 p型コンタクト層
16 リッジ部
17 コンタクト電極
18 導電性膜
19 p側パッド電極(電極層)
20 n側電極
30 共振器端面
110 絶縁性膜
210 高抵抗領域、拡散領域
220 可飽和吸収領域
Claims (12)
- 窒化物半導体からなる活性層と、
前記活性層の上面上に形成されてp型の窒化物半導体からなる窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層の一部に形成されたリッジ部と、
前記窒化物半導体層上における少なくとも前記リッジ部の外側の領域に形成されて前記リッジ部に接するとともに光吸収作用を有する導電性膜とを備え、
前記リッジ部の側面における前記窒化物半導体層表面のキャリア濃度、および、前記リッジ部の外側の領域における前記窒化物半導体層表面のキャリア濃度が、それぞれ、1×1017cm-3以下であり、
前記リッジ部のリッジ幅が、2μm以上6μm以下であるとともに、前記リッジ部において、前記窒化物半導体層表面のキャリア濃度が1×10 17 cm -3 以下である領域の幅が1μm以下であることを特徴とする、窒化物半導体レーザ素子。 - 前記導電性膜は、前記窒化物半導体層上における前記リッジ部の外側の領域および前記リッジ部の側面のそれぞれを覆うように形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 前記リッジ部の側面における前記窒化物半導体層表面のキャリア濃度、および、前記リッジ部の外側の領域における前記窒化物半導体層表面のキャリア濃度が、それぞれ、1×1016cm-3以下であることを特徴とする、請求項1または請求項2に記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 前記導電性膜の厚みが、15nm以上100nm以下であることを特徴とする、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 前記導電性膜は、Ti、Mo、Ni、Cr、Cu、Fe、Zr、Hf、Nb、W、Rh、Ru、Mg、Si、Al、Sc、Y、Ta、Co、Pd、Ag、AuおよびPtの群から選択される少なくとも1つを含む材料から構成されていることを特徴とする、請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 前記導電性膜の上面上には、絶縁性膜が形成されており、
前記絶縁性膜を介して、前記導電性膜上に電極層が形成されていることを特徴とする、請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の窒化物半導体レーザ素子。 - 前記絶縁性膜は、Ti、Si、Zr、Alの酸化物または窒化物であることを特徴とする、請求項6に記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 前記窒化物半導体層には、p型ドーパントであるMgがドープされていることを特徴とする、請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 前記窒化物半導体層表面には、水素が供給されており、
前記リッジ部の側面における前記窒化物半導体層表面の水素濃度、および、前記リッジ部の外側の領域における前記窒化物半導体層表面の水素濃度が、それぞれ、1×1018cm-3以上であることを特徴とする、請求項8に記載の窒化物半導体レーザ素子。 - 窒化物半導体からなる活性層上に、p型の窒化物半導体層を形成する工程と、
前記窒化物半導体層の一部にリッジ部を形成する工程と、
前記リッジ部の側面における前記窒化物半導体層表面、および、前記リッジ部の外側の領域における前記窒化物半導体層表面に、水素を供給する工程と、
前記窒化物半導体層上における少なくとも前記リッジ部の外側の領域に、光吸収作用を有する導電性膜を前記リッジ部に接するように形成する工程とを備え、
前記p型の窒化物半導体層を形成する工程は、p型ドーパントとしてMgをドープする工程を含み、
前記リッジ部を形成する工程は、前記リッジ部のリッジ幅を2μm以上6μm以下とする工程を含み、
前記リッジ部の側面における前記窒化物半導体層表面のキャリア濃度、および、前記リッジ部の外側の領域における前記窒化物半導体層表面のキャリア濃度が、それぞれ、1×1017cm-3以下であるとともに、
前記リッジ部において、前記窒化物半導体層表面のキャリア濃度が1×10 17 cm -3 以下である領域の幅が1μm以下であることを特徴とする、窒化物半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記窒化物半導体層表面に水素を供給する工程は、前記窒化物半導体層表面に、ラジカル水素源によってラジカル水素を供給する工程を含むことを特徴とする、請求項10に記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
- 前記窒化物半導体層表面に水素を供給する工程は、前記窒化物半導体層表面に水素を打ち込む工程を含むことを特徴とする、請求項10に記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010144660A JP5697907B2 (ja) | 2010-06-25 | 2010-06-25 | 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 |
US13/067,747 US8379682B2 (en) | 2010-06-25 | 2011-06-23 | Nitride semiconductor laser chip and method of fabrication thereof |
CN201110173888.5A CN102299481B (zh) | 2010-06-25 | 2011-06-27 | 氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010144660A JP5697907B2 (ja) | 2010-06-25 | 2010-06-25 | 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012009650A JP2012009650A (ja) | 2012-01-12 |
JP5697907B2 true JP5697907B2 (ja) | 2015-04-08 |
Family
ID=45352531
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010144660A Expired - Fee Related JP5697907B2 (ja) | 2010-06-25 | 2010-06-25 | 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8379682B2 (ja) |
JP (1) | JP5697907B2 (ja) |
CN (1) | CN102299481B (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3878868B2 (ja) * | 2002-03-01 | 2007-02-07 | シャープ株式会社 | GaN系レーザ素子 |
US9269662B2 (en) * | 2012-10-17 | 2016-02-23 | Cree, Inc. | Using stress reduction barrier sub-layers in a semiconductor die |
JP2015023175A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光装置 |
DE102015203113B4 (de) * | 2015-02-20 | 2023-12-28 | Ferdinand-Braun-Institut gGmbH, Leibniz- Institut für Höchstfrequenztechnik | Laserdiode mit verbesserten elektrischen Leiteigenschaften |
JP6940572B2 (ja) * | 2019-01-29 | 2021-09-29 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子および半導体レーザ装置 |
JP7453650B2 (ja) | 2020-03-27 | 2024-03-21 | 株式会社デンソー | 半導体発光素子 |
CN114352704B (zh) * | 2022-01-14 | 2024-03-15 | 深圳特斯特半导体设备有限公司 | 划片机刀片主轴结构 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10229246A (ja) * | 1997-02-18 | 1998-08-25 | Mitsubishi Electric Corp | リッジ型半導体レーザダイオードとその製造方法 |
JP3440980B2 (ja) * | 1997-03-19 | 2003-08-25 | シャープ株式会社 | 自励発振型半導体レーザ装置の製造方法 |
JP3300657B2 (ja) | 1997-12-19 | 2002-07-08 | 株式会社東芝 | 化合物半導体レーザ装置 |
JP2002270967A (ja) | 2001-03-13 | 2002-09-20 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ素子 |
JP2003152268A (ja) * | 2001-11-16 | 2003-05-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザおよびその製造方法 |
JP4901068B2 (ja) | 2004-02-05 | 2012-03-21 | シャープ株式会社 | 窒化物系半導体レーザ素子とそれを含む光学式情報処理装置 |
US7751455B2 (en) * | 2004-12-14 | 2010-07-06 | Palo Alto Research Center Incorporated | Blue and green laser diodes with gallium nitride or indium gallium nitride cladding laser structure |
JP4660400B2 (ja) * | 2006-03-14 | 2011-03-30 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子の製造方法 |
DE102006046297A1 (de) | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaser |
JP2008159806A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Sharp Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP2007329487A (ja) * | 2007-06-25 | 2007-12-20 | Sharp Corp | レーザ素子および光記録再生装置 |
JP2009283822A (ja) * | 2008-05-26 | 2009-12-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ及びその製造方法 |
JP2010034246A (ja) | 2008-07-29 | 2010-02-12 | Opnext Japan Inc | 半導体レーザ素子 |
JP4621791B2 (ja) * | 2009-06-11 | 2011-01-26 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
-
2010
- 2010-06-25 JP JP2010144660A patent/JP5697907B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-06-23 US US13/067,747 patent/US8379682B2/en active Active
- 2011-06-27 CN CN201110173888.5A patent/CN102299481B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102299481B (zh) | 2013-05-08 |
CN102299481A (zh) | 2011-12-28 |
US8379682B2 (en) | 2013-02-19 |
US20110317733A1 (en) | 2011-12-29 |
JP2012009650A (ja) | 2012-01-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5697907B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
JP4902682B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ | |
JP4805887B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
US20090262775A1 (en) | Surface emitting laser | |
JP6152848B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JPWO2009078482A1 (ja) | 半導体発光素子 | |
KR101254817B1 (ko) | 반도체 레이저 다이오드 | |
JP5507792B2 (ja) | Iii族窒化物半導体光素子 | |
JP2009158647A (ja) | 窒化物系半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
JP4821385B2 (ja) | Iii族窒化物半導体光素子 | |
JP2007214221A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
JP2011029224A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2006295016A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP2012099738A (ja) | 窒化物半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
JP5223531B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
US7095769B2 (en) | Semiconductor laser diode with higher-order mode absorption layers | |
KR20050082251A (ko) | 반도체 레이저 디바이스 | |
JP2011258883A (ja) | 半導体レーザ | |
JP2005216990A (ja) | 窒化物半導体レーザ装置 | |
JP5079613B2 (ja) | 窒化物系半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
JP5233987B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ | |
KR101111720B1 (ko) | 활성층 상에 유전체층이 형성된 측면 발광형 반도체 레이저다이오드 | |
US20240038932A1 (en) | Nitride semiconductor light-emitting device | |
JP2011044648A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
JP2011023406A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130401 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131211 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131224 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140218 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140902 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141113 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20141120 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150120 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150212 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5697907 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |