JP6588858B2 - 半導体レーザ - Google Patents
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Description
はじめに、本発明の実施の形態1について説明する。図1Aは、本発明の実施の形態1における半導体レーザの斜視図である。図1B,図1Cは、本発明の実施の形態1における半導体レーザの構成を示す断面図であり、光出射方向に垂直な断面を示している。
次に、本発明の実施の形態2について説明する。実施の形態2における半導体レーザは、前述した実施の形態1と基本的な構成は共通である。実施の形態2では、第1回折格子121の両端における周期長を、活性層中央部における周期長より長くする。
Claims (2)
- 基板の上に形成された活性層と、
前記活性層の上に形成された第1回折格子と、
前記活性層に接して形成されたp型半導体層およびn型半導体層と、
前記n型半導体層に接続するn型電極と、
前記p型半導体層に接続するp型電極と
を有する分布帰還活性領域と、
前記活性層に連続して形成されたコア層と、
前記コア層の上に形成された第2回折格子と
を有して前記分布帰還活性領域に連続して配置された分布ブラッグ反射鏡領域と
を備え、
前記第1回折格子の結合係数は、分布帰還活性領域の中央部分から両端部分にかけて増大し、
前記分布帰還活性領域のブラッグ波長は、中央部分から両端部分にかけて増大または減少し、
前記第1回折格子は、導波方向に複数の領域に分割されて隣り合う前記領域の間に設けられた位相シフトを備え、
前記分布ブラッグ反射鏡領域の位相シフト量Δφ i (z)は、以下の式で示されるように設計されている
ことを特徴とする半導体レーザ。
- 請求項1記載の半導体レーザにおいて、
前記第2回折格子の結合係数は、前記第1回折格子の結合係数よりも高い状態とされていることを特徴とする半導体レーザ。
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