JPH01239892A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH01239892A JPH01239892A JP63065749A JP6574988A JPH01239892A JP H01239892 A JPH01239892 A JP H01239892A JP 63065749 A JP63065749 A JP 63065749A JP 6574988 A JP6574988 A JP 6574988A JP H01239892 A JPH01239892 A JP H01239892A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffraction grating
- resonator
- phase shifting
- semiconductor laser
- waveguide layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims description 14
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 5
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 5
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 235000017166 Bambusa arundinacea Nutrition 0.000 description 1
- 235000017491 Bambusa tulda Nutrition 0.000 description 1
- 241001330002 Bambuseae Species 0.000 description 1
- 235000015334 Phyllostachys viridis Nutrition 0.000 description 1
- 230000018199 S phase Effects 0.000 description 1
- 239000011425 bamboo Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/124—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers incorporating phase shifts
- H01S5/1246—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers incorporating phase shifts plurality of phase shifts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野）
本発明は半導体レーリ゛装置に１ｙ１シ、分子ｒ］帰還
型の半導体レーＩＪ″装置に関する。
型の半導体レーＩＪ″装置に関する。
従来よりコヒーレント光通（Ｓ用の光源どして゛に導体
レーザ％Ｎが用いられている５、 分布帰還型半導体レー’Ｊ”（ＤＦＢレーリー）は、安
定な甲−波＆発振が冑られることから、コヒーレント光
通信用光源としてｆｊ望である。しかしε〜のスペクト
ル、線幅は１０・〜ｉ００ＭＩＩＺ稈度と広く、コヒー
レント光通信に用いるためにこれを狭くすることが要望
されている、。
レーザ％Ｎが用いられている５、 分布帰還型半導体レー’Ｊ”（ＤＦＢレーリー）は、安
定な甲−波＆発振が冑られることから、コヒーレント光
通信用光源としてｆｊ望である。しかしε〜のスペクト
ル、線幅は１０・〜ｉ００ＭＩＩＺ稈度と広く、コヒー
レント光通信に用いるためにこれを狭くすることが要望
されている、。
〔従来の技術）
第４図（Δ）、第５図（Ａ）人々は従来のＤＦＢレープ
の各間の断面図を示す。両図中、１０はＭ仮、１１は導
波層、１２はン古竹にく、１３はクラッド層である。
の各間の断面図を示す。両図中、１０はＭ仮、１１は導
波層、１２はン古竹にく、１３はクラッド層である。
第４図（Δ）においては、導波層１１と基板１０との境
冑に周囲的に凹凸をｆ」けて構成した回１１ｉ格子が共
振器方向くＺｈ向）に均一であり、臂界面１４．ａ、１
４ｂの反射率を異ならしめて単一波長の］ヒーレント光
を取り出寸４ 第５図（［３＞にＪ３いては、共振器方向の中央部イ」
近で回折格子の位相をπ（１／４波長）だｔＪシフトし
、翼界面１４ａ、１４ｂは共に反射率を零として甲−波
長の］ヒーレント光を取り出す１゜〔発明が解決しＪ、
うとづる課題） Ｄ Ｆ Ｂレーザのスペクトル線幅は、例えばＯＰ目で
０ＮＩＣ３１９８７年７月号Ｐ９４−１００に記載の如
く、共振器長りを長くすることにより狭くぐきる。しか
し、共振器長［を長くすると規格化した結合定数ＫＬ（
但しＫは結合定数）も人さくなる。この規格化した結合
定数１〈［−は等何泊な反射率に対応しており、ＫＬが
人となることは、光が共振器内で中央部に片寄った分布
となることを示す。
冑に周囲的に凹凸をｆ」けて構成した回１１ｉ格子が共
振器方向くＺｈ向）に均一であり、臂界面１４．ａ、１
４ｂの反射率を異ならしめて単一波長の］ヒーレント光
を取り出寸４ 第５図（［３＞にＪ３いては、共振器方向の中央部イ」
近で回折格子の位相をπ（１／４波長）だｔＪシフトし
、翼界面１４ａ、１４ｂは共に反射率を零として甲−波
長の］ヒーレント光を取り出す１゜〔発明が解決しＪ、
うとづる課題） Ｄ Ｆ Ｂレーザのスペクトル線幅は、例えばＯＰ目で
０ＮＩＣ３１９８７年７月号Ｐ９４−１００に記載の如
く、共振器長りを長くすることにより狭くぐきる。しか
し、共振器長［を長くすると規格化した結合定数ＫＬ（
但しＫは結合定数）も人さくなる。この規格化した結合
定数１〈［−は等何泊な反射率に対応しており、ＫＬが
人となることは、光が共振器内で中央部に片寄った分布
となることを示す。
第４図＜Ａ）のＤＦＢレーデではＫ Ｌが人となると同
図＜８）に示す如く不均一な光強度分布となる。また第
５図（Ａ＞のＤＦＢレーザではＫ［が人となると、同図
（Ｂ）に丞す如く光強度が回折格子のシフト位ｌに集中
した不均一な分布となる。これはシフト位置にＪ３いて
、共振器内を進む光と戻る光とが同相となるためである
。１光強度が著しく不均一になった場合には、例えば電
子通信学会技術研究報告０ＱＥ８６−７゜Ｄ４９〜５６
に記載の如く、高出力時に多波長発振を生じＩｂすいと
いう問題がある。
図＜８）に示す如く不均一な光強度分布となる。また第
５図（Ａ＞のＤＦＢレーザではＫ［が人となると、同図
（Ｂ）に丞す如く光強度が回折格子のシフト位ｌに集中
した不均一な分布となる。これはシフト位置にＪ３いて
、共振器内を進む光と戻る光とが同相となるためである
。１光強度が著しく不均一になった場合には、例えば電
子通信学会技術研究報告０ＱＥ８６−７゜Ｄ４９〜５６
に記載の如く、高出力時に多波長発振を生じＩｂすいと
いう問題がある。
本発明は上記の点に鑑みなされたもので、スペクトル線
幅が狭く、かつ高出力口、１においても安定した単一波
長発振を１７る半導体レーザ装置を提供することを目的
とする。
幅が狭く、かつ高出力口、１においても安定した単一波
長発振を１７る半導体レーザ装置を提供することを目的
とする。
第１図（Ａ＞、（Ｂ）は本発明の詳細な説明するための
図を示す、。
図を示す、。
第１図（△）の断面構造図において、２０は基板、２２
は導波層、２３は活性層、２５はクラッド層Ｃある。
は導波層、２３は活性層、２５はクラッド層Ｃある。
活性層２３に接づる導波層２２の基板２０とのｌ長’７
Ｊ′ｒ−ある裏面には且昭Ｘ方向（１方向）に囚１１１
１ＰＩ４ｒ＋？ｊつだ凹凸が設Ｇノられ、これが回折格
子３２を形成している。
Ｊ′ｒ−ある裏面には且昭Ｘ方向（１方向）に囚１１１
１ＰＩ４ｒ＋？ｊつだ凹凸が設Ｇノられ、これが回折格
子３２を形成している。
回折格子３２のＪ（振器方向上で異なる３箇所には回Ｉ
ｆｆ格子３２の位相をシフトした位相シフト点３２ａ・
〜３２Ｃが設けられている、。
ｆｆ格子３２の位相をシフトした位相シフト点３２ａ・
〜３２Ｃが設けられている、。
本発明装置においては、位相シフト点３２ａ・〜３２ｃ
で３回以上回ＩＪｉ Ｖ８子３２の位相をシフトするた
め、Ｚ７Ｊ向に進む光と戻る光との合成により共融：己
艮りが人であってら、第１図（Ｂ）に承り如く、共振：
３：方向の全域で平坦イ【光強度分布を冑ることができ
る。
で３回以上回ＩＪｉ Ｖ８子３２の位相をシフトするた
め、Ｚ７Ｊ向に進む光と戻る光との合成により共融：己
艮りが人であってら、第１図（Ｂ）に承り如く、共振：
３：方向の全域で平坦イ【光強度分布を冑ることができ
る。
第２図（Δ）、（Ｂ）夫々は本発明の゛ト３ｖ体レーザ
装置の一実施例の正面図Ｉ［［３−ＩＩＢ線に沿う断面
４Ｍ ｉ５図を示す。この半導体レーザ装置は平坦表面
埋込み構造（Ｆ Ｂ Ｈ’）のＤＦＢレーザである。
装置の一実施例の正面図Ｉ［［３−ＩＩＢ線に沿う断面
４Ｍ ｉ５図を示す。この半導体レーザ装置は平坦表面
埋込み構造（Ｆ Ｂ Ｈ’）のＤＦＢレーザである。
第２図中、２０はｎ−ＩｎＰの基板であり、その下部に
ＡｕＧｅＮ ｉの電極２１が設けられてＧＸる。基板２
０のＸ方向中央部にはｎ −１ｎＧａ八ｓＰの導波層２
２が設けられ、その上部に活Ｐｌ［３及びメルトバック
防止層２４が設けられている。導波層２２〜メルトバッ
ク防止層２４はノンドープＩｎＧａＡＳＰで、その組成
を変えている。例えば導波層２２はバンドギャップが、
３μｍ波長で、活性層２３は１，５５μｍ波長、メルト
！＜ツク防１［層２４は１．３μｍ波長とされている。
ＡｕＧｅＮ ｉの電極２１が設けられてＧＸる。基板２
０のＸ方向中央部にはｎ −１ｎＧａ八ｓＰの導波層２
２が設けられ、その上部に活Ｐｌ［３及びメルトバック
防止層２４が設けられている。導波層２２〜メルトバッ
ク防止層２４はノンドープＩｎＧａＡＳＰで、その組成
を変えている。例えば導波層２２はバンドギャップが、
３μｍ波長で、活性層２３は１，５５μｍ波長、メルト
！＜ツク防１［層２４は１．３μｍ波長とされている。
また、ｐ−ｔｎｐのクラッド層２５にはｎ−ＩｎＰのＳ
？ｆ流阻流層止層２６込まれて（入る。クラッド層２５
の上部にはｐ−１ｎＧａＡｓ、Ｐのコンタクト層２７及
びＳ！０２の絶縁１模２９が形成され、コンタクト）ｉ
？ｉ ２７１．よＴ’ ｉ ／ Ｐ ｔ ／ΔＵの層状
の電極２８に接続されている１、また、この゛［ｍｑ休
体−ザのＺｈ向の両端面に（１反Ｑ（防ｌ−膜３０゜３
１が設【］られている。
？ｆ流阻流層止層２６込まれて（入る。クラッド層２５
の上部にはｐ−１ｎＧａＡｓ、Ｐのコンタクト層２７及
びＳ！０２の絶縁１模２９が形成され、コンタクト）ｉ
？ｉ ２７１．よＴ’ ｉ ／ Ｐ ｔ ／ΔＵの層状
の電極２８に接続されている１、また、この゛［ｍｑ休
体−ザのＺｈ向の両端面に（１反Ｑ（防ｌ−膜３０゜３
１が設【］られている。
基板２０ど導波層２２との境界は例えば２４００人周期
で周期的に凹凸をイー」けて回折格子３２を（？１１成
している。導波層２２のＺｈ向長叩ら共振器長を１２０
０μｍとした場合、反射防止膜３０からＺｈ向に１５０
ｕＩｌｌ 、６００ｃｚｍ 、１０５０ｕｍ夫々の位置
ぐ回折格ｒ；３２に位相シフト点３２ａ。
で周期的に凹凸をイー」けて回折格子３２を（？１１成
している。導波層２２のＺｈ向長叩ら共振器長を１２０
０μｍとした場合、反射防止膜３０からＺｈ向に１５０
ｕＩｌｌ 、６００ｃｚｍ 、１０５０ｕｍ夫々の位置
ぐ回折格ｒ；３２に位相シフト点３２ａ。
３２ｂ、３２ｃ（！Ｚ設けている。各ｆｒｌ相シフト点
３２ ａ−３２Ｃ人々の位Ｋｌシフ ｌ−ｈ”＋は０８
π（即ら１１５波長）とされている。
３２ ａ−３２Ｃ人々の位Ｋｌシフ ｌ−ｈ”＋は０８
π（即ら１１５波長）とされている。
ここで、光強度分イ１１の平坦さを光強１り分イ１１の
分１攻噴Ｆでｋわし、単一波長発振の安定性を主発振波
長と副発振波長どの間の刊１ｒｌ Ｘ−Δαで表わす。
分１攻噴Ｆでｋわし、単一波長発振の安定性を主発振波
長と副発振波長どの間の刊１ｒｌ Ｘ−Δαで表わす。
但し、Ｐ （Ｚ）はＺ方向の光強度分／ｌｉ、ＰはＰ（
Ｚ）の平均値である。
Ｚ）の平均値である。
また、位相シフト点３２ｂを共振２：：艮１−の１７２
の位置とし、位相シフ１へ点３２ａ、３２ｃから位相シ
フ１−点３２ｂまでの良さをし２としたとぎａ ＝ １
２ ／ （Ｌ ／ ２ ）で表わされる埴ａを（１′ｌ
相シフ１〜点のｆｆｆ、 １ｆｆｉのパラメータとする
。
の位置とし、位相シフ１へ点３２ａ、３２ｃから位相シ
フ１−点３２ｂまでの良さをし２としたとぎａ ＝ １
２ ／ （Ｌ ／ ２ ）で表わされる埴ａを（１′ｌ
相シフ１〜点のｆｆｆ、 １ｆｆｉのパラメータとする
。
ここで、規格化された結合定数Ｋ ｌ−＝ ２．５とし
たとき、位相シフ１−１６と利１７差Δαとの関係を第
３図（Δ）に示し、移相シフト闇と平Ｗ１さトとの関係
を第３図（Ｂ）に丞す。
たとき、位相シフ１−１６と利１７差Δαとの関係を第
３図（Δ）に示し、移相シフト闇と平Ｗ１さトとの関係
を第３図（Ｂ）に丞す。
第３図（Ａ）、（Ｂ）において、実線１ａ。
１ｂはａ＝０．８の場合、実１’ＪＩＩＪＩＩｂＬＬａ
−０，７の場合、−山鎖線ｍａ、［１１ｂはａ＝ ０．
５の場合、破ｌ５ＩＩＶａ、ＩＶｂはａ−０４の場合、
１政線Ｖａ。
−０，７の場合、−山鎖線ｍａ、［１１ｂはａ＝ ０．
５の場合、破ｌ５ＩＩＶａ、ＩＶｂはａ−０４の場合、
１政線Ｖａ。
Ｖｂハａ＝ ０．３ｆ７）場合、実線Ｖｉａ、Ｖｒｂは
ａ ＝−〜０．２の場合、夫々を示している。
ａ ＝−〜０．２の場合、夫々を示している。
この第３図（Ａ＞、’（Ｂ）からＫＬの−２５のとき、
ａ＝０．７〜０８ので平ｉｌｌな光強度分布が青られ、
また位相シフトｊｉｌｏ、７〜０．８πで多波ＪＸ光振
のｊ３それのない充分な初１！′７差が得られることが
分る。
ａ＝０．７〜０８ので平ｉｌｌな光強度分布が青られ、
また位相シフトｊｉｌｏ、７〜０．８πで多波ＪＸ光振
のｊ３それのない充分な初１！′７差が得られることが
分る。
この結果に従って、第２図の実施例ではａ＝０１５、位
相シフ１−Ｂｉｉｏ、ａπを選定している。
相シフ１−Ｂｉｉｏ、ａπを選定している。
ところで、第２図の実施例では反ｍ防止１３０゜３１人
々から同一の強度の光が出力されるが、このうち一方の
出力の光強度を他方の出力の光強度より小として、出カ
シ−る光強度のυ１１２１のためにモニタする場合等に
おいては、位）（］ジット点３２ｃの位置を共振器の中
央位１１イからずらすことができる。また、位相シフト
点３２８．３２Ｇ夫々から位相シフト点３２ｂまＣの距
離、又は位相シフト点３２ａ・〜３２ Ｃ夫々のＫｔ相
ジット１ｓ＋を巽ならしめても良く、上記実施例に限定
されない。
々から同一の強度の光が出力されるが、このうち一方の
出力の光強度を他方の出力の光強度より小として、出カ
シ−る光強度のυ１１２１のためにモニタする場合等に
おいては、位）（］ジット点３２ｃの位置を共振器の中
央位１１イからずらすことができる。また、位相シフト
点３２８．３２Ｇ夫々から位相シフト点３２ｂまＣの距
離、又は位相シフト点３２ａ・〜３２ Ｃ夫々のＫｔ相
ジット１ｓ＋を巽ならしめても良く、上記実施例に限定
されない。
なお、第２図の実施例ではイ◇相シフト魚を３箇所とし
ているが、位相シフ１〜点は５，７，９．・・・雪の３
以上の奇数個であれば、本実施例と同ＬＬの効果を（１
１るとができ、」記実施ｆ’４１に限定され４ｇい。
ているが、位相シフ１〜点は５，７，９．・・・雪の３
以上の奇数個であれば、本実施例と同ＬＬの効果を（１
１るとができ、」記実施ｆ’４１に限定され４ｇい。
上述の如く、本発明の半導体レーザ装置によれば、共振
器長を犬としてスペクトル線幅を狭くしても共振器の全
域で平坦な光強度分布を冑ることができ、多波長発振の
おそれのない安定しｌ、：中−波長発振を行ないＷ７、
実用上きわめてｈ用である、。
器長を犬としてスペクトル線幅を狭くしても共振器の全
域で平坦な光強度分布を冑ることができ、多波長発振の
おそれのない安定しｌ、：中−波長発振を行ないＷ７、
実用上きわめてｈ用である、。
第１図は本発明′！Ａ首の原理を説明するための図、；
ｎ２図は本発明装置の一実施例の正面図、断１ｎＪ図、 第３図は本発明装置を１３１明づるための１）１１図、
第４図、第５図人々は従来に；１ゴを説明するための図
である。 図において、 ２０は阜仮、 ２２は導波層、 ２３は活ｆ１層、 ２４はメルトバック防止膜、 ２５番、Ｌクラッド層、 ２６は電流阻葎層、 ３２は回折格子、 ３２ａ、３２ｂ、３２ｃは位相ジノ１−点をノ１−す。 特許出願人 畠゛ 十 通 株式会ネ１代 埋 人
か押土 伊 東 忠 彦−−□ °ノ （Ｂ） 杢渇ツ唱躬Ｈ１の原理を朔するた杓の図第１図 にＬ 、 ２．５ Ａｔごす目、ミー７Ｆ１μヒ −−−−−→−（Ａ） ヰｑをｙｌ用Ｋｌま嬰υ用オうための知勢註習笥３図（
’？ｌ’）１） にＬ＝２．５ Ａ峠λシ＞トｔ □ （Ｂ） 本発礫遷玉琥刈オるたｈ弓売柱司 第 ３ 図（ヤの２）
ｎ２図は本発明装置の一実施例の正面図、断１ｎＪ図、 第３図は本発明装置を１３１明づるための１）１１図、
第４図、第５図人々は従来に；１ゴを説明するための図
である。 図において、 ２０は阜仮、 ２２は導波層、 ２３は活ｆ１層、 ２４はメルトバック防止膜、 ２５番、Ｌクラッド層、 ２６は電流阻葎層、 ３２は回折格子、 ３２ａ、３２ｂ、３２ｃは位相ジノ１−点をノ１−す。 特許出願人 畠゛ 十 通 株式会ネ１代 埋 人
か押土 伊 東 忠 彦−−□ °ノ （Ｂ） 杢渇ツ唱躬Ｈ１の原理を朔するた杓の図第１図 にＬ 、 ２．５ Ａｔごす目、ミー７Ｆ１μヒ −−−−−→−（Ａ） ヰｑをｙｌ用Ｋｌま嬰υ用オうための知勢註習笥３図（
’？ｌ’）１） にＬ＝２．５ Ａ峠λシ＞トｔ □ （Ｂ） 本発礫遷玉琥刈オるたｈ弓売柱司 第 ３ 図（ヤの２）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 活性層（２３）又は該活性層（２３）に接する導波層（
２２）の表面に、共振器方向に周期性を持った凹凸を設
け回折格子（３２）を形成した分布帰還型の半導体レー
ザ装置において、 該回折格子（３２）の共振器方向上で異なる３以上の奇
数箇所に回折格子の位相をシフトした位相シフト点（３
２ａ〜３２ｃ）を設けたことを特徴とする半導体レーザ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63065749A JPH01239892A (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63065749A JPH01239892A (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01239892A true JPH01239892A (ja) | 1989-09-25 |
Family
ID=13295978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63065749A Pending JPH01239892A (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01239892A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0559192A2 (en) * | 1992-03-06 | 1993-09-08 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Distributed reflector and wavelength-tunable semiconductor laser |
| US6330268B1 (en) | 1998-08-27 | 2001-12-11 | Nec Corporation | Distributed feedback semiconductor laser |
| US6574261B2 (en) | 1998-08-27 | 2003-06-03 | Nec Corporation | Distributed feedback semiconductor laser |
| JP2017107958A (ja) * | 2015-12-09 | 2017-06-15 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
| JP2017204600A (ja) * | 2016-05-13 | 2017-11-16 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
| JP2017204601A (ja) * | 2016-05-13 | 2017-11-16 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
| EP3340405A1 (en) | 2016-12-15 | 2018-06-27 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor laser, light source unit, communication system, and wavelength division multiplexing optical communication system |
| US20210344172A1 (en) * | 2018-11-19 | 2021-11-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Optical semiconductor device and method of manufacturing optical semiconductor device |
-
1988
- 1988-03-22 JP JP63065749A patent/JPH01239892A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0559192A2 (en) * | 1992-03-06 | 1993-09-08 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Distributed reflector and wavelength-tunable semiconductor laser |
| US6330268B1 (en) | 1998-08-27 | 2001-12-11 | Nec Corporation | Distributed feedback semiconductor laser |
| US6574261B2 (en) | 1998-08-27 | 2003-06-03 | Nec Corporation | Distributed feedback semiconductor laser |
| JP2017107958A (ja) * | 2015-12-09 | 2017-06-15 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
| JP2017204600A (ja) * | 2016-05-13 | 2017-11-16 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
| JP2017204601A (ja) * | 2016-05-13 | 2017-11-16 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
| EP3340405A1 (en) | 2016-12-15 | 2018-06-27 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor laser, light source unit, communication system, and wavelength division multiplexing optical communication system |
| US20210344172A1 (en) * | 2018-11-19 | 2021-11-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Optical semiconductor device and method of manufacturing optical semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5190115B2 (ja) | 多重キャビティエッチファセットｄｆｂレーザ | |
| JPS6155981A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2010171329A (ja) | 波長可変レーザ | |
| JP3198338B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2007201425A (ja) | レーザ装置、レーザモジュール、半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP6510391B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH01239892A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH05183236A (ja) | 利得結合分布帰還型半導体レーザ | |
| JP2011086714A (ja) | 波長可変レーザ | |
| JP2950302B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS60187078A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS622478B2 (ja) | ||
| JPH01238181A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH0435914B2 (ja) | ||
| JP2637763B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH03268379A (ja) | 半導体レーザ・チップおよびその製造方法 | |
| JPS6362917B2 (ja) | ||
| JP2894285B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP5058087B2 (ja) | 波長可変半導体レーザ | |
| JPH03110885A (ja) | 分布帰還型半導体レーザー | |
| KR100368323B1 (ko) | 이득 결합형 단일모드 반도체 레이저의 제조 방법 | |
| JPS62217689A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH03268380A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0437182A (ja) | 波長可変多重量子井戸半導体レーザ光源装置 | |
| JPS6032381A (ja) | 面発光半導体レ−ザ装置 |