JPH0435914B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0435914B2 JPH0435914B2 JP60097048A JP9704885A JPH0435914B2 JP H0435914 B2 JPH0435914 B2 JP H0435914B2 JP 60097048 A JP60097048 A JP 60097048A JP 9704885 A JP9704885 A JP 9704885A JP H0435914 B2 JPH0435914 B2 JP H0435914B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- diffraction grating
- waveguide layer
- active layer
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 21
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 11
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 10
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
- H01S5/06255—Controlling the frequency of the radiation
- H01S5/06258—Controlling the frequency of the radiation with DFB-structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1206—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers having a non constant or multiplicity of periods
- H01S5/1212—Chirped grating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1206—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers having a non constant or multiplicity of periods
- H01S5/1215—Multiplicity of periods
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は半導体レーザ装置に関し、特にレー
ザ発振波長が注入電流により制御できる半導体レ
ーザ装置に関するものである。
ザ発振波長が注入電流により制御できる半導体レ
ーザ装置に関するものである。
［従来の技術］
第３図はたとえば文献「昭和59年度電子通信学
会総合全国大会、講演番号1024（４−78）、“位相
制御機構を有するDFB−DC−PBHLD”」に示さ
れた従来の波長可変型半導体レーザ装置を示す断
面図である。初めにこの装置の構成について説明
する。図において、基板１の上面にレーザ発振さ
せるための活性層２が形成されている。活性層２
の上面に、この活性層で生じた光を伝搬させるた
めの導波路層３が形成されている。導波路層３の
上面の左部に、この導波路層に沿つてピツチが等
しい凹凸からなる回折格子３１が作り付けられて
おり、回折格子３１は導波路層３を伝搬する光を
反射する。導波路層３の上面に、活性層２で生じ
た光を導波路層３および活性層２に閉じ込めるた
めのクラツド層５が形成されている。基板１、活
性層２、導波路層３およびクラツド層５の右側端
面はへき開面８となつており、このへき開面は導
波路層３、活性層２を伝搬する光を反射する。回
折格子３１とへき開面８とはレーザ発振のための
いわゆる光共振器の役割をする。クラツド層５の
上面に位相制御用電極６および光出力制御用電極
７が形成されている。位相制御用電極６に電流が
注入され、これによつて導波路層３を伝搬する光
の位相を制御する。光出力制御用電極７に電流が
注入され、これによつてレーザ発振の光出力を制
御する。
会総合全国大会、講演番号1024（４−78）、“位相
制御機構を有するDFB−DC−PBHLD”」に示さ
れた従来の波長可変型半導体レーザ装置を示す断
面図である。初めにこの装置の構成について説明
する。図において、基板１の上面にレーザ発振さ
せるための活性層２が形成されている。活性層２
の上面に、この活性層で生じた光を伝搬させるた
めの導波路層３が形成されている。導波路層３の
上面の左部に、この導波路層に沿つてピツチが等
しい凹凸からなる回折格子３１が作り付けられて
おり、回折格子３１は導波路層３を伝搬する光を
反射する。導波路層３の上面に、活性層２で生じ
た光を導波路層３および活性層２に閉じ込めるた
めのクラツド層５が形成されている。基板１、活
性層２、導波路層３およびクラツド層５の右側端
面はへき開面８となつており、このへき開面は導
波路層３、活性層２を伝搬する光を反射する。回
折格子３１とへき開面８とはレーザ発振のための
いわゆる光共振器の役割をする。クラツド層５の
上面に位相制御用電極６および光出力制御用電極
７が形成されている。位相制御用電極６に電流が
注入され、これによつて導波路層３を伝搬する光
の位相を制御する。光出力制御用電極７に電流が
注入され、これによつてレーザ発振の光出力を制
御する。
次にこの装置の動作について説明する。活性層
２で生じた光は導波路層３および活性層２を伝搬
し、回折格子３１とへき開面８で反射されてレー
ザ発振する。このとき、位相制御用電極６に注入
する電流を変えると導波路層３を伝搬する光の位
相が変わり、レーザ発振条件が変化してレーザ発
振波長が変化する。またこのとき、光出力制御用
電極７に注入する電流を変えるとレーザ発振の光
出力が変化する。
２で生じた光は導波路層３および活性層２を伝搬
し、回折格子３１とへき開面８で反射されてレー
ザ発振する。このとき、位相制御用電極６に注入
する電流を変えると導波路層３を伝搬する光の位
相が変わり、レーザ発振条件が変化してレーザ発
振波長が変化する。またこのとき、光出力制御用
電極７に注入する電流を変えるとレーザ発振の光
出力が変化する。
［発明が解決しようとする問題点］
従来の波長可変型半導体レーザ装置において
は、端面をへき開することが必要で、製造プロセ
スが複雑になつて歩留りが低くなり、また、導波
路層を伝搬する光の位相を制御してレーザ発振波
長を変化させるため、波長チユーニングの範囲が
狭いという問題点があつた。さらに、このような
へき開面を有する半導体レーザ装置は光電子集積
回路には不適であるという問題点もあつた。
は、端面をへき開することが必要で、製造プロセ
スが複雑になつて歩留りが低くなり、また、導波
路層を伝搬する光の位相を制御してレーザ発振波
長を変化させるため、波長チユーニングの範囲が
狭いという問題点があつた。さらに、このような
へき開面を有する半導体レーザ装置は光電子集積
回路には不適であるという問題点もあつた。
この発明は上記のような問題点を解消するため
になされたもので、製造プロセスが簡単で歩留り
が高く、かつ広範囲にレーザ発振波長を連続的に
変えることができる、かつへき開面を使うことが
難しい光電子集積回路に適した半導体レーザ装置
を得ることを目的とする。
になされたもので、製造プロセスが簡単で歩留り
が高く、かつ広範囲にレーザ発振波長を連続的に
変えることができる、かつへき開面を使うことが
難しい光電子集積回路に適した半導体レーザ装置
を得ることを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
この発明に係る半導体レーザ装置は、活性層ま
たは導波路層に、ピツチが変化する凹凸からなる
回折格子を作り付け、クラツド層の上面に複数の
電極を互いに間隔を隔てて形成し、これら各電極
に電流を注入することにより、上記回折格子の実
効的な反射率を制御して、レーザ発振波長を変え
るようにしたものである。
たは導波路層に、ピツチが変化する凹凸からなる
回折格子を作り付け、クラツド層の上面に複数の
電極を互いに間隔を隔てて形成し、これら各電極
に電流を注入することにより、上記回折格子の実
効的な反射率を制御して、レーザ発振波長を変え
るようにしたものである。
［作用］
この発明においては、上記各電極間の注入電流
比を変えることにより、上記回折格子の該各電極
下部の領域の実効的な反射率が変化し、これによ
つてレーザ発振条件が変化してレーザ発振波長が
変わる。
比を変えることにより、上記回折格子の該各電極
下部の領域の実効的な反射率が変化し、これによ
つてレーザ発振条件が変化してレーザ発振波長が
変わる。
［実施例］
以下、この発明の実施例を図について説明す
る。なお、この実施例の説明において、従来の技
術の説明と重複する部分については適宜その説明
を省略する。
る。なお、この実施例の説明において、従来の技
術の説明と重複する部分については適宜その説明
を省略する。
第１図はこの発明の実施例である、分布帰還型
（DFB）レーザ型の半導体レーザ装置を示す断面
図である。初めにこの装置の構成について説明す
る。図において、基板１の上面に活性層２が形成
されており、活性層２の上面に導波路層３が形成
されている。導波路層３の上面に、その全域にわ
たつてチヤープ回折格子３２、すなわち導波路層
３に沿つて連続的にピツチが変化する凹凸からな
る回折格子が作り付けられている。チヤープ回折
格子３２は導波路層３を伝搬する光を反射し、レ
ーザ発振のための光共振器の役割をする。導波路
層３の上面にクラツド層５が形成されており、ク
ラツド層５の上面に電極９，１０，１１，１２，
１３が互いに間隔を隔てて並んで形成されてい
る。各電極９，１０，１１，１２，１３に電流が
注入され、これによつてチヤープ回折格子３２の
実効的な反射率を変化させる。
（DFB）レーザ型の半導体レーザ装置を示す断面
図である。初めにこの装置の構成について説明す
る。図において、基板１の上面に活性層２が形成
されており、活性層２の上面に導波路層３が形成
されている。導波路層３の上面に、その全域にわ
たつてチヤープ回折格子３２、すなわち導波路層
３に沿つて連続的にピツチが変化する凹凸からな
る回折格子が作り付けられている。チヤープ回折
格子３２は導波路層３を伝搬する光を反射し、レ
ーザ発振のための光共振器の役割をする。導波路
層３の上面にクラツド層５が形成されており、ク
ラツド層５の上面に電極９，１０，１１，１２，
１３が互いに間隔を隔てて並んで形成されてい
る。各電極９，１０，１１，１２，１３に電流が
注入され、これによつてチヤープ回折格子３２の
実効的な反射率を変化させる。
次にこの装置の動作について説明する。まず、
この装置の動作を説明する前に、説明の便宜上、
２つの電極、すなわち電極９および電極１０のみ
がクラツド層５の上面に形成されており、チヤー
プ回折格子３２の代わりに電極９の下部では凹凸
のピツチが〓1であり、電極１０の下部では凹凸
のピツチが〓2であるような回折格子が導波路層
３の上面に作り付けられているようなモデル化し
た半導体レーザ装置の動作について説明する。電
極９に電流I1、電極１０に電流I2（I1≠I2）を注入
したとすると、このモデル化した半導体レーザ装
置の回折格子の電極９の下部の領域および電極１
０の下部の領域の実効的な反射率の波長依存性は
第２図ａの実線で示すようになる。このとき、ピ
ツチ〓1の領域とピツチ〓2の領域間の領域、すな
わち電極９と電極１０間の下部の領域の両端は、
第２図ａで示す反射率特性を持つ２つの領域で挟
まれることになる。したがつて、この領域の実効
的な反射率の波長依存性は、第２図ａの破線で示
すようなうなこれら２つの反射率特性の積にな
り、その最大値付近の波長でレーザ発振すること
になる。また、電極９と電極１０への注入電流量
を変えると、たとえば電極９に電流I2、電極１０
に電流I1を注入したとすると、この回折格子の電
極９の下部の領域および電極１０の下部の領域の
実効的な反射率の波長依存性は第２図ｂの実線で
示すようになる。したがつて、この回折格子の電
極９と電極１０間の下部の領域の実効的な反射率
の波長依存性は、第２図ｂの破線で示すようなこ
れら２つの反射率特性の積になり、その最大値付
近の波長でレーザ発振し、レーザ発振波長は第２
図ａの場合と異なることになる。以上のように、
電極９および電極１０に注入する電流量を変える
ことによつて、レーザ発振波長を連続的にチユー
ニングできる。
この装置の動作を説明する前に、説明の便宜上、
２つの電極、すなわち電極９および電極１０のみ
がクラツド層５の上面に形成されており、チヤー
プ回折格子３２の代わりに電極９の下部では凹凸
のピツチが〓1であり、電極１０の下部では凹凸
のピツチが〓2であるような回折格子が導波路層
３の上面に作り付けられているようなモデル化し
た半導体レーザ装置の動作について説明する。電
極９に電流I1、電極１０に電流I2（I1≠I2）を注入
したとすると、このモデル化した半導体レーザ装
置の回折格子の電極９の下部の領域および電極１
０の下部の領域の実効的な反射率の波長依存性は
第２図ａの実線で示すようになる。このとき、ピ
ツチ〓1の領域とピツチ〓2の領域間の領域、すな
わち電極９と電極１０間の下部の領域の両端は、
第２図ａで示す反射率特性を持つ２つの領域で挟
まれることになる。したがつて、この領域の実効
的な反射率の波長依存性は、第２図ａの破線で示
すようなうなこれら２つの反射率特性の積にな
り、その最大値付近の波長でレーザ発振すること
になる。また、電極９と電極１０への注入電流量
を変えると、たとえば電極９に電流I2、電極１０
に電流I1を注入したとすると、この回折格子の電
極９の下部の領域および電極１０の下部の領域の
実効的な反射率の波長依存性は第２図ｂの実線で
示すようになる。したがつて、この回折格子の電
極９と電極１０間の下部の領域の実効的な反射率
の波長依存性は、第２図ｂの破線で示すようなこ
れら２つの反射率特性の積になり、その最大値付
近の波長でレーザ発振し、レーザ発振波長は第２
図ａの場合と異なることになる。以上のように、
電極９および電極１０に注入する電流量を変える
ことによつて、レーザ発振波長を連続的にチユー
ニングできる。
次に、上記と同様な考え方によつて、第１図に
示す半導体レーザ装置の動作について説明する。
各電極９，１０，１１，１２，１３に電流を注入
すると、これに応じてチヤープ回折格子３２の各
電極９，１０，１１，１２，１３の下部の領域の
実効的な反射率の波長依存性が定まり、これら各
反射特性の積の最大値付近の波長でレーザ発振す
る。したがつて、各電極９，１０，１１，１２，
１３に注入する電流量を変えることによつて、レ
ーザ発振波長を連続的にチユーニングできる。ま
た、この実施例においては、導波路層３の上面に
チヤープ回折格子３２が作り付けられ、クラツド
層５の上面に複数の電極９，１０，１１，１２，
１３が形成されるので、従来の半導体レーザ装置
に比べてレーザ発振波長のチユーニング範囲を広
げることができる。
示す半導体レーザ装置の動作について説明する。
各電極９，１０，１１，１２，１３に電流を注入
すると、これに応じてチヤープ回折格子３２の各
電極９，１０，１１，１２，１３の下部の領域の
実効的な反射率の波長依存性が定まり、これら各
反射特性の積の最大値付近の波長でレーザ発振す
る。したがつて、各電極９，１０，１１，１２，
１３に注入する電流量を変えることによつて、レ
ーザ発振波長を連続的にチユーニングできる。ま
た、この実施例においては、導波路層３の上面に
チヤープ回折格子３２が作り付けられ、クラツド
層５の上面に複数の電極９，１０，１１，１２，
１３が形成されるので、従来の半導体レーザ装置
に比べてレーザ発振波長のチユーニング範囲を広
げることができる。
また、この半導体レーザ装置は端面をへき開す
る必要がないので、その製造プロセスが簡単にな
つて歩留りが高くなり、したがつてこの半導体レ
ーザ装置のコストを安価にすることができる。
る必要がないので、その製造プロセスが簡単にな
つて歩留りが高くなり、したがつてこの半導体レ
ーザ装置のコストを安価にすることができる。
また、この半導体レーザ装置は光を反射するた
めにチヤープ回折格子を用いへき開面を用いてい
ないので、この半導体レーザ装置は同一基板上に
多数集積することが可能で光電子集積回路に適し
たものとなる。
めにチヤープ回折格子を用いへき開面を用いてい
ないので、この半導体レーザ装置は同一基板上に
多数集積することが可能で光電子集積回路に適し
たものとなる。
なお、上記実施例では、導波路層にチヤープ回
折格子を作り付ける場合について示したが、活性
層にチヤープ回折格子を作り付けてもよく、また
活性層に近接して基板にチヤープ回折格子を作り
付けてもよく、これらの場合についても上記実施
例と同様の効果を奏する。
折格子を作り付ける場合について示したが、活性
層にチヤープ回折格子を作り付けてもよく、また
活性層に近接して基板にチヤープ回折格子を作り
付けてもよく、これらの場合についても上記実施
例と同様の効果を奏する。
また、上記実施例では、導波路層の上面に作り
付ける回折格子としてチヤープ回折格子を示した
が、凹凸のピツチが順次段階的に変わるような回
折格子を作り付けてもよく、また凹凸のピツチが
不規則に変わるような回折格子を作り付けてもよ
く、これらの場合についても上記実施例と同様の
効果を奏する。
付ける回折格子としてチヤープ回折格子を示した
が、凹凸のピツチが順次段階的に変わるような回
折格子を作り付けてもよく、また凹凸のピツチが
不規則に変わるような回折格子を作り付けてもよ
く、これらの場合についても上記実施例と同様の
効果を奏する。
また、上記実施例では、通常の縦方向電流注入
構造のDFBレーザについて示したが、横方向電
流注入構造、たとえば文献「J.Appl.Phys.45，
2785（1974）」に示されたTJS型のDFBレーザに
ついてもこの発明は適用できる。
構造のDFBレーザについて示したが、横方向電
流注入構造、たとえば文献「J.Appl.Phys.45，
2785（1974）」に示されたTJS型のDFBレーザに
ついてもこの発明は適用できる。
［発明の効果］
以上のようにこの発明によれば、活性層または
導波路層に、ピツチが変化する凹凸からなる回折
格子を作り付け、クラツド層の上面に複数の電極
を互いに間隔を隔てて形成し、これら各電極に電
流を注入することにより、上記回折格子の実効的
な反射率を制御して、レーザ発振波長を変えるよ
うにしたので、製造プロセスが簡単で歩留りが高
く、かつ広範囲にレーザ発振波長を連続的に変え
ることができる、かつへき開面を使うことが難し
い光電子集積回路に適した半導体レーザ装置を得
ることができる。
導波路層に、ピツチが変化する凹凸からなる回折
格子を作り付け、クラツド層の上面に複数の電極
を互いに間隔を隔てて形成し、これら各電極に電
流を注入することにより、上記回折格子の実効的
な反射率を制御して、レーザ発振波長を変えるよ
うにしたので、製造プロセスが簡単で歩留りが高
く、かつ広範囲にレーザ発振波長を連続的に変え
ることができる、かつへき開面を使うことが難し
い光電子集積回路に適した半導体レーザ装置を得
ることができる。
第１図はこの発明の実施例である半導体レーザ
装置を示す断面図である。第２図ａ，ｂはモデル
化した半導体レーザ装置における回折格子の実効
的な反射率の波長依存性を示す図である。第３図
は従来の波長可変型半導体レーザ装置を示す断面
図である。 図において、１は基板、２は活性層、３は導波
路層、５はクラツド層、６は位相制御用電極、７
は光出力制御用電極、８はへき開面、９，１０，
１１，１２，１３は電極、３１は回折格子、３２
はチヤープ回折格子である。なお、各図中同一符
号は同一または相当部分を示す。
装置を示す断面図である。第２図ａ，ｂはモデル
化した半導体レーザ装置における回折格子の実効
的な反射率の波長依存性を示す図である。第３図
は従来の波長可変型半導体レーザ装置を示す断面
図である。 図において、１は基板、２は活性層、３は導波
路層、５はクラツド層、６は位相制御用電極、７
は光出力制御用電極、８はへき開面、９，１０，
１１，１２，１３は電極、３１は回折格子、３２
はチヤープ回折格子である。なお、各図中同一符
号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 分布帰還型レーザに関するものであつて、 基板と、 前記基板の上面に形成され、レーザ発振させる
ための活性層と、 前記活性層の上面に形成され、前記活性層で生
じた光を伝搬させるための導波路層とを備え、 前記活性層または前記導波路層には、該活性層
または該導波路層を伝搬する前記光を反射するよ
うに、該活性層または該導波路層に沿つてピツチ
が変化する凹凸からなる回折格子が作り付けられ
ており、 前記導波路層の上面に形成され、前記活性層で
生じた前記光を前記導波路層および前記活性層に
閉じ込めるためのクラツド層と、 前記クラツド層の上面に互いに間隔を隔てて形
成され、前記活性層または前記導波路層を伝搬す
る前記光に対する前記回折格子の実効的な反射率
を制御してレーザ発振波長を変えるよう、電流が
注入される複数の電極とを備えた半導体レーザ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60097048A JPS61255085A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60097048A JPS61255085A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61255085A JPS61255085A (ja) | 1986-11-12 |
| JPH0435914B2 true JPH0435914B2 (ja) | 1992-06-12 |
Family
ID=14181773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60097048A Granted JPS61255085A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61255085A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2825508B2 (ja) * | 1987-10-09 | 1998-11-18 | 株式会社日立製作所 | 半導体レーザ装置および光通信システム |
| GB8907304D0 (en) * | 1989-03-31 | 1989-05-17 | British Telecomm | Distributed feedback lasers |
| US5091916A (en) * | 1990-09-28 | 1992-02-25 | At&T Bell Laboratories | Distributed reflector laser having improved side mode suppression |
| JP3194503B2 (ja) * | 1992-06-04 | 2001-07-30 | キヤノン株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
| CA2101411C (en) * | 1992-08-14 | 2003-06-10 | Jean-Pierre Weber | Tunable optical filter |
| US7366220B2 (en) | 2005-03-17 | 2008-04-29 | Fujitsu Limited | Tunable laser |
| JP4469759B2 (ja) * | 2005-03-17 | 2010-05-26 | 富士通株式会社 | 波長可変レーザ |
| JP2008085214A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Fujitsu Ltd | 波長可変レーザ |
-
1985
- 1985-05-08 JP JP60097048A patent/JPS61255085A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61255085A (ja) | 1986-11-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4847857A (en) | Single wavelength semiconductor laser | |
| US4658402A (en) | Optical bistable semiconductor laser producing lasing light in direction normal to semiconductor layers | |
| JP2006189893A (ja) | 電気的に制御可能なフィルタ装置 | |
| US5621828A (en) | Integrated tunable optical filter | |
| EP0285393B1 (en) | Wavelength conversion element | |
| JPH0435914B2 (ja) | ||
| US6208793B1 (en) | Wavelength-tunable optoelectronic apparatus | |
| US6925229B2 (en) | Wavelength controllable optical device and light control method | |
| JP2947142B2 (ja) | 波長可変半導体レーザ | |
| US7058095B2 (en) | Tunable semiconductor laser and production method | |
| JP3219983B2 (ja) | 波長可変素子 | |
| US4639922A (en) | Single mode injection laser structure | |
| JPS58114476A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| EP0613571B1 (en) | Integrated tunable optical filter | |
| JPH0479287A (ja) | 波長可変半導体レーザ | |
| JP2804502B2 (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| US5784398A (en) | Optoelectronic component having codirectional mode coupling | |
| JPS61255086A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH10223971A (ja) | 半導体パルスレーザ装置およびその製造方法 | |
| JPH02174181A (ja) | 波長制御機能付分布反射型半導体レーザ | |
| JPS62155584A (ja) | 半導体発光装置 | |
| EP3970246A1 (en) | Optical device with passive window | |
| KR100364772B1 (ko) | 반도체레이저 | |
| JPS61212082A (ja) | 集積型半導体レ−ザ | |
| JPH01161886A (ja) | 半導体レーザ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |