JPH01161886A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH01161886A JPH01161886A JP62320784A JP32078487A JPH01161886A JP H01161886 A JPH01161886 A JP H01161886A JP 62320784 A JP62320784 A JP 62320784A JP 32078487 A JP32078487 A JP 32078487A JP H01161886 A JPH01161886 A JP H01161886A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/125—Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
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- H01S5/1215—Multiplicity of periods
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/124—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers incorporating phase shifts
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザに関し、より具体的にはレーザ発
振のための共振器構造に関する。
振のための共振器構造に関する。
半導体レーザを単一縦モードでレーザ発振させるための
共振器構造としては、集積化に適するものとして、分布
帰還型（Ｄ Ｆ Ｂ）及び分布反射型（Ｄ Ｂ Ｒ）が
公知である。ＤＦＢ型の基本構造の断面図を第３図に示
し、ＤＢＲ型の基本構造の断面図を第４図に示す。
共振器構造としては、集積化に適するものとして、分布
帰還型（Ｄ Ｆ Ｂ）及び分布反射型（Ｄ Ｂ Ｒ）が
公知である。ＤＦＢ型の基本構造の断面図を第３図に示
し、ＤＢＲ型の基本構造の断面図を第４図に示す。
第３図において、１０が活性領域を含む導波層、１２．
１４はクラッド層であり、積層されている。
１４はクラッド層であり、積層されている。
１６．１８は、分布反射器を構成すべくクラッド層１２
に形成された回折格子（又はコラゲーション）であり、
同じ、ピンチ八で形成されている。導波層ｌＯにおいて
、回折格子１６と同１８との間の領域ｌは、互いに他方
から反射してくる光波の結合領域であり、ＤＦＢ型で動
的単一縦モード発振を実現するための条件として、当該
結合領域ｌでは回折格子１６及び同１８の回折格子間の
位相を（２ｍ＋１）π／２相当量だけ移相させる構造′
であるのが好ましいとされている（荒井滋久「動的
単一モードレーザ」テレビジョン学会誌、ｖｏｌ。
に形成された回折格子（又はコラゲーション）であり、
同じ、ピンチ八で形成されている。導波層ｌＯにおいて
、回折格子１６と同１８との間の領域ｌは、互いに他方
から反射してくる光波の結合領域であり、ＤＦＢ型で動
的単一縦モード発振を実現するための条件として、当該
結合領域ｌでは回折格子１６及び同１８の回折格子間の
位相を（２ｍ＋１）π／２相当量だけ移相させる構造′
であるのが好ましいとされている（荒井滋久「動的
単一モードレーザ」テレビジョン学会誌、ｖｏｌ。
３９、Ｎｏ、１１参照）。導波層１０における電流注入
領域、即ち活性領域を斜線で示した。ＤＦＢ型では、回
折格子１６．１８による分布反射領域Ｊ。
領域、即ち活性領域を斜線で示した。ＤＦＢ型では、回
折格子１６．１８による分布反射領域Ｊ。
及び同１！並びに結合領域ｌの下側が、全てレーザ発振
の活性領域となる。
の活性領域となる。
第４図において、２０は活性領域を含む導波層、２２．
２４はクラッド層であり、積層されている。
２４はクラッド層であり、積層されている。
２６．２８は、分布反射器を構成すべくクラッド層２２
に形成された回折格子である。導波層２０において、回
折格子２６による分布反射領域１１と回折格子２８によ
る分布反射領域１．との間の領域ｌが、電流注入される
活性領域（第４図では斜線で示した）である、即ち、Ｄ
ＢＲ型では、導波層２０においても、回折格子２６．２
８の下側部分（即ち、分布反射領域１１１．１ｔ）はパ
ッシブ領域であり、当該分布反射器２６．２８で反射さ
れた光波が、斜線で示す活性領域３０で増幅され、レー
ザ発振する。ＤＢＲ構造で動的単一縦モード発振を実現
させるための条件は、活性層の伝播定数を分布反射領域
のそれとわずかに違えて、回折格子２６．２８の相対的
移相量を（２ｍ＋１）π／２相当量にするのが好ましい
。
に形成された回折格子である。導波層２０において、回
折格子２６による分布反射領域１１と回折格子２８によ
る分布反射領域１．との間の領域ｌが、電流注入される
活性領域（第４図では斜線で示した）である、即ち、Ｄ
ＢＲ型では、導波層２０においても、回折格子２６．２
８の下側部分（即ち、分布反射領域１１１．１ｔ）はパ
ッシブ領域であり、当該分布反射器２６．２８で反射さ
れた光波が、斜線で示す活性領域３０で増幅され、レー
ザ発振する。ＤＢＲ構造で動的単一縦モード発振を実現
させるための条件は、活性層の伝播定数を分布反射領域
のそれとわずかに違えて、回折格子２６．２８の相対的
移相量を（２ｍ＋１）π／２相当量にするのが好ましい
。
ＤＦＢ型やＤＢＲ型では、へき開によらずに反射器を形
成できるので、量産化及び集積化に向いており、また、
発振波長を目的のものに選択でき、単一波長発振を得や
すいという長所を持つが、それぞれ、以下の欠点を具備
する。即ち、ＤＦＢ型（第３図）では活性領域を長くで
きるので、大出力のものを得ることができるが、両側の
反射器１６．１８からほぼ均等のレーザ光が出力される
ので、一方の出力パワーの殆どは無駄になり、出力パワ
ーの利用効率が悪いという欠点がある。
成できるので、量産化及び集積化に向いており、また、
発振波長を目的のものに選択でき、単一波長発振を得や
すいという長所を持つが、それぞれ、以下の欠点を具備
する。即ち、ＤＦＢ型（第３図）では活性領域を長くで
きるので、大出力のものを得ることができるが、両側の
反射器１６．１８からほぼ均等のレーザ光が出力される
ので、一方の出力パワーの殆どは無駄になり、出力パワ
ーの利用効率が悪いという欠点がある。
他方、ＤＢＲ型（第４図）では、２つの反射器の内、一
方の反射率を高めることが容易であり、従って、出力パ
ワーの利用効率を高めることができる。しかし、動的単
一縦モード発振の条件に相当する移相量を一定に保つた
めには、励起電流の注入される活性領域（第４図の領域
ｌ）の状態を一定に保つ必要がある。しかし、発生する
熱などにより一定の媒質状態を得ることは難しく、勢い
、デバイスとして大型化しにくく、従って、大出力のも
のを得るのは極めて困難である。
方の反射率を高めることが容易であり、従って、出力パ
ワーの利用効率を高めることができる。しかし、動的単
一縦モード発振の条件に相当する移相量を一定に保つた
めには、励起電流の注入される活性領域（第４図の領域
ｌ）の状態を一定に保つ必要がある。しかし、発生する
熱などにより一定の媒質状態を得ることは難しく、勢い
、デバイスとして大型化しにくく、従って、大出力のも
のを得るのは極めて困難である。
そこで、本発明は、ＤＦＢ型及びＤＢＲ型の欠点を克服
し、それらの長所を併せ持つ半導体レーザを提示するこ
とを目的とする。
し、それらの長所を併せ持つ半導体レーザを提示するこ
とを目的とする。
本発明に係る半導体レーザは、回折格子による第１及び
第２の分布反射器を具備し、当該筒１及び第２の分布反
射器のそれぞれの回折格子の間に所定移相量を導入する
位相調整領域を設けである。
第２の分布反射器を具備し、当該筒１及び第２の分布反
射器のそれぞれの回折格子の間に所定移相量を導入する
位相調整領域を設けである。
そして、第１の分布反射器の全部又は一部を活性領域と
し、少なくとも第２の分布反射器の全部又は一部をエネ
ルギー・バンド・ギャップの広い導波領域としである。
し、少なくとも第２の分布反射器の全部又は一部をエネ
ルギー・バンド・ギャップの広い導波領域としである。
また、本出願の別の発明の係る半導体レーザは、回折格
子による第１及び第２の分布反射器を互いに隣接して設
け、当該筒１及び第２の分布反射器 ・はその回折格子
の位相及び波長特性の何れかが互いに異なっている。そ
して、第１の分布反射器の全部又は一部を活性領域とし
、少なくとも第２の分布反射器の全部又は一部をエネル
ギー・バンド・ギャップの広い導波領域とする。
子による第１及び第２の分布反射器を互いに隣接して設
け、当該筒１及び第２の分布反射器 ・はその回折格子
の位相及び波長特性の何れかが互いに異なっている。そ
して、第１の分布反射器の全部又は一部を活性領域とし
、少なくとも第２の分布反射器の全部又は一部をエネル
ギー・バンド・ギャップの広い導波領域とする。
第２の分布反射器の全部又は一部をエネルギー・バンド
・ギャップの広い導波領域とすることにより、当該領域
ではエネルギー・ロスが発生せず、従って、当該領域、
即ち第２の分布反射器を長く形成しても、入出力の効率
には悪影響を及ぼさない、第２の分布反射器を長くする
ことにより、当該反射器を透過する光量を少な（できる
ので、第１の分布反射器の側から、より多くのレーザ光
を取り出し得る。また、中間に位相調整領域を設け、又
は第１及び第２の分布反射器で分布位相及び波長反射特
性が互いに異なるようにすることにより、単一縦モード
での発振を得やす（なる。これらにより、高い出力効率
の、そして、活性領域を含む第１の分布反射器を長くで
きるので大出力の半導体レーザを提供できるようになる
。勿論、分布反射構造により、発振波長を望みの波長に
選択し易くなる。このようにして、ＤＦＢ型とＤＢＲ型
の両方の長所を併せ持つ半導体レーザが形成される。
・ギャップの広い導波領域とすることにより、当該領域
ではエネルギー・ロスが発生せず、従って、当該領域、
即ち第２の分布反射器を長く形成しても、入出力の効率
には悪影響を及ぼさない、第２の分布反射器を長くする
ことにより、当該反射器を透過する光量を少な（できる
ので、第１の分布反射器の側から、より多くのレーザ光
を取り出し得る。また、中間に位相調整領域を設け、又
は第１及び第２の分布反射器で分布位相及び波長反射特
性が互いに異なるようにすることにより、単一縦モード
での発振を得やす（なる。これらにより、高い出力効率
の、そして、活性領域を含む第１の分布反射器を長くで
きるので大出力の半導体レーザを提供できるようになる
。勿論、分布反射構造により、発振波長を望みの波長に
選択し易くなる。このようにして、ＤＦＢ型とＤＢＲ型
の両方の長所を併せ持つ半導体レーザが形成される。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。尚、以
下の説明ではレーザ発振のための活性領域を斜線で示し
である。他の領域は、例えば、導波路であり、エネルギ
ー・バンド・ギャップのより広い材料からなる。
下の説明ではレーザ発振のための活性領域を斜線で示し
である。他の領域は、例えば、導波路であり、エネルギ
ー・バンド・ギャップのより広い材料からなる。
第１図は本発明の一実施例の基本構造を示す断面図であ
る。４０は活性領域を含む導波層、４２゜４４はクラフ
ト層であり、積層されている。クラッド層４２に形成さ
れた回折格子４６．４８により、導波層４０では分布反
射器が形成される。図示例では、回折格子４６．４８の
ピッチＡ、、Ａ８は等しくしである０回折格子４６．４
８の間には、（２ｎ＋ １）π／２相当の移相調節を行
う位相調整領域ｔを設けである。この位相調整領域ｔに
より、回折格子４６及び同４８による分布反射領域り、
、ｔ、ｚで反射された光波が、他方の分布反射領域Ｌ！
、１．でうまく結合し、単一縦モード発振を実現し易く
なる。
る。４０は活性領域を含む導波層、４２゜４４はクラフ
ト層であり、積層されている。クラッド層４２に形成さ
れた回折格子４６．４８により、導波層４０では分布反
射器が形成される。図示例では、回折格子４６．４８の
ピッチＡ、、Ａ８は等しくしである０回折格子４６．４
８の間には、（２ｎ＋ １）π／２相当の移相調節を行
う位相調整領域ｔを設けである。この位相調整領域ｔに
より、回折格子４６及び同４８による分布反射領域り、
、ｔ、ｚで反射された光波が、他方の分布反射領域Ｌ！
、１．でうまく結合し、単一縦モード発振を実現し易く
なる。
図示実施例では、導波層４０において、回折格子４６の
下側の分布反射領域り、が活性領域になっており、他方
、回折格子４８の下側の分布反射領域り、及び位相調整
領域ｔは、エネルギー・バンド・ギャップの広い材料か
らなり、パッシブ領域になっている。但し、位相調整領
域ｔは活性領域であってもよいが、バフシブ領域である
のが好ましい。
下側の分布反射領域り、が活性領域になっており、他方
、回折格子４８の下側の分布反射領域り、及び位相調整
領域ｔは、エネルギー・バンド・ギャップの広い材料か
らなり、パッシブ領域になっている。但し、位相調整領
域ｔは活性領域であってもよいが、バフシブ領域である
のが好ましい。
第１図の実施例では、導波層４０の分布反射領域Ｌｌの
部分ではＤＢＦ型反射となり、他方の分布反射領域Ｌ２
の部分ではＤＢＲ型反射となる。
部分ではＤＢＦ型反射となり、他方の分布反射領域Ｌ２
の部分ではＤＢＲ型反射となる。
従って、分布反射領域Ｌ１及び同り、の伝播定数β並び
に回折格子４６．４８のピッチΔ３．Ａ！によって決定
される波長でレーザ発振を起こさせることができ、従来
のＤＦＢ型及びＤＢＲ型と同様の波長選択性を具備する
。
に回折格子４６．４８のピッチΔ３．Ａ！によって決定
される波長でレーザ発振を起こさせることができ、従来
のＤＦＢ型及びＤＢＲ型と同様の波長選択性を具備する
。
この波長選択性を発展させ、波長チューニングを簡単に
行うことも可能である。即ち、第２図に示すように、活
性領域Ｌｌにはレーザ発振を起こさせるような電流Ｉ、
を流し、他方、領域Ｌ２には、その屈折率（又は伝播定
数）を変化させる電流１．を流すようにし、分布反射領
域Ｌ２における波長反射特性を変化させて、発振波長を
チューニングする。この際、単一モード発振を容易にす
るために、領域ｔにも適当な電流Ｉ２を流すことにより
当該領域ｔにおける実効屈折率を変化させ、（２ｎ＋
１）π／２相当の移相量を維持させるのが好ましい。
行うことも可能である。即ち、第２図に示すように、活
性領域Ｌｌにはレーザ発振を起こさせるような電流Ｉ、
を流し、他方、領域Ｌ２には、その屈折率（又は伝播定
数）を変化させる電流１．を流すようにし、分布反射領
域Ｌ２における波長反射特性を変化させて、発振波長を
チューニングする。この際、単一モード発振を容易にす
るために、領域ｔにも適当な電流Ｉ２を流すことにより
当該領域ｔにおける実効屈折率を変化させ、（２ｎ＋
１）π／２相当の移相量を維持させるのが好ましい。
第１図（及び第２図）の実施例では、分布反射領域Ｌ８
を成る程度以上長くすることにより、当該分布反射領域
Ｌｘの透過光量を極めて少なく、又はゼロにできる。従
うて、レーザ発振光の殆どを分布反射領域Ｌｌの側から
取り出すことができ、出力光を効率よく利用できる。
を成る程度以上長くすることにより、当該分布反射領域
Ｌｘの透過光量を極めて少なく、又はゼロにできる。従
うて、レーザ発振光の殆どを分布反射領域Ｌｌの側から
取り出すことができ、出力光を効率よく利用できる。
第５図は、本発明の別の実施例の基本構造を示す断面図
である。６０は活性領域を含む導波層、６２．６４はク
ラッド層であり、これらは積層されている。６６．６８
は、第１図の回折格子４６゜４８と同様に、分布反射器
を構成するための回折格子である０図示実施例では、第
１図とは異なり、回折格子６６に隣接して回折格子６８
を形成しである。即ち、導波層６０において、回折格子
６６による分布反射領域Ｌ３と、回折格子６８による分
布反射領域Ｌ４とは互いに接しており、第１図の位相調
整領域ｔは存在しない。第５図の実施例では、分布反射
領域り、の分布反射の周期Ａ、は、分布反射領域Ｌ４の
分布反射の周期Ａ２とは異なるようにしである。尚、分
布反射の周期Ａは、八＝２ｎ、Ｑ／λｌ で与えられる。ｎ、Ｑは導波路としての等価屈折率、λ
、はブラッグ波長である。
である。６０は活性領域を含む導波層、６２．６４はク
ラッド層であり、これらは積層されている。６６．６８
は、第１図の回折格子４６゜４８と同様に、分布反射器
を構成するための回折格子である０図示実施例では、第
１図とは異なり、回折格子６６に隣接して回折格子６８
を形成しである。即ち、導波層６０において、回折格子
６６による分布反射領域Ｌ３と、回折格子６８による分
布反射領域Ｌ４とは互いに接しており、第１図の位相調
整領域ｔは存在しない。第５図の実施例では、分布反射
領域り、の分布反射の周期Ａ、は、分布反射領域Ｌ４の
分布反射の周期Ａ２とは異なるようにしである。尚、分
布反射の周期Ａは、八＝２ｎ、Ｑ／λｌ で与えられる。ｎ、Ｑは導波路としての等価屈折率、λ
、はブラッグ波長である。
回折格子による分布反射器の場合、分布反射の周期は、
回折格子のピッチ及びその媒体の等価屈折率に依存する
ので、ピッチ及び／又は等価屈折率を両頭域Ｌｓ、Ｌａ
で異ならしめることにより、周期Ａ、、Ａ、が互いに異
なる値をとるようにできる。実際には、活性領域でもあ
る領域り、と、導波路となる領域Ｌ４とは別々の結晶成
長過程により形成するので、その屈折率は一般的には異
なる値をとる。従って、レーザ発振条件を成立させるた
めには、周期Ａ１．Ａ、を相互に調節することも必要に
なるが、その場合には、第２図で説明したように、適当
なバイアス電流を、例えば領域Ｌ４に注入すればよい。
回折格子のピッチ及びその媒体の等価屈折率に依存する
ので、ピッチ及び／又は等価屈折率を両頭域Ｌｓ、Ｌａ
で異ならしめることにより、周期Ａ、、Ａ、が互いに異
なる値をとるようにできる。実際には、活性領域でもあ
る領域り、と、導波路となる領域Ｌ４とは別々の結晶成
長過程により形成するので、その屈折率は一般的には異
なる値をとる。従って、レーザ発振条件を成立させるた
めには、周期Ａ１．Ａ、を相互に調節することも必要に
なるが、その場合には、第２図で説明したように、適当
なバイアス電流を、例えば領域Ｌ４に注入すればよい。
このように、回折格子６６による分布反射の周期Ａ、に
対し回折格子６８による分布反射の周期Ａ２を相違させ
ることにより、単一縦モード発振の選択性を強めている
。
対し回折格子６８による分布反射の周期Ａ２を相違させ
ることにより、単一縦モード発振の選択性を強めている
。
第５図に図示した実施例では、回折格子６６による分布
反射領域Ｌ３の部分が活性領域になり、回折格子６８に
よる分布反射領域Ｌ４は、エネルギー・バンド・ギャッ
プの広いパッシブ領域である。従って、分布反射領域り
、では増幅及び反射が分布して起こり、分布反射領域Ｌ
４では反射のみが分布して起こる。この実施例でも、分
布反射領域Ｌ４の長さを成る程度以上にすることにより
、分布反射領域Ｌ４を透過する光量をゼロ又は極めて少
なくでき、レーザ発振光の殆どを分布反射領域り、の側
から取り出すことができる。
反射領域Ｌ３の部分が活性領域になり、回折格子６８に
よる分布反射領域Ｌ４は、エネルギー・バンド・ギャッ
プの広いパッシブ領域である。従って、分布反射領域り
、では増幅及び反射が分布して起こり、分布反射領域Ｌ
４では反射のみが分布して起こる。この実施例でも、分
布反射領域Ｌ４の長さを成る程度以上にすることにより
、分布反射領域Ｌ４を透過する光量をゼロ又は極めて少
なくでき、レーザ発振光の殆どを分布反射領域り、の側
から取り出すことができる。
第６図は、１．５μｍで発振するように設計し、実際に
試作した半導体レーザの一部断面の斜視図を示す、７０
はｐ−１ｎＰのバッファ層（又は基盤）、７１はＱ２１
ｎＡｓＰ（７ｍ ＝１．５ ｐｒｎ）の活性層、７２は
アンチ・メルトバック（ＡＭＢ）層、７３はｎ−１ｎＰ
のデブレッシッン層、７４はｎ−Ｇａ１ｎＡｓＰのパッ
シブ層、７５はｎ−１ｎＰのクラッド層、７６は回折格
子、７７はＡ ｕ ／ Ｓ ｎのオーミック電極、７８
はＳｉＯ□の電気絶縁膜、７９はＡ ｕ ／ Ｚ ｎの
オーミック電極である。活性層７１の領域８０がＤＦＢ
領域、パッシブ層７４の領域８１は位相調整領域、領域
８２がＩ）ＢＲ領領域ある。
試作した半導体レーザの一部断面の斜視図を示す、７０
はｐ−１ｎＰのバッファ層（又は基盤）、７１はＱ２１
ｎＡｓＰ（７ｍ ＝１．５ ｐｒｎ）の活性層、７２は
アンチ・メルトバック（ＡＭＢ）層、７３はｎ−１ｎＰ
のデブレッシッン層、７４はｎ−Ｇａ１ｎＡｓＰのパッ
シブ層、７５はｎ−１ｎＰのクラッド層、７６は回折格
子、７７はＡ ｕ ／ Ｓ ｎのオーミック電極、７８
はＳｉＯ□の電気絶縁膜、７９はＡ ｕ ／ Ｚ ｎの
オーミック電極である。活性層７１の領域８０がＤＦＢ
領域、パッシブ層７４の領域８１は位相調整領域、領域
８２がＩ）ＢＲ領領域ある。
上記実施例では、活性領域における分布反射器の側から
出力光を取り出したが、このようにすることにより、エ
ネルギー・ロスの無い分布反射領域Ｌ！、Ｌ４の長さを
長くでき、効率的な完全反射面を形成できる。出力光を
取り出す側の分布反射器は短くてもよいから、その部分
を活性領域とすることにより、媒質の歪み、不等方性な
どの影響を受は難くなる。
出力光を取り出したが、このようにすることにより、エ
ネルギー・ロスの無い分布反射領域Ｌ！、Ｌ４の長さを
長くでき、効率的な完全反射面を形成できる。出力光を
取り出す側の分布反射器は短くてもよいから、その部分
を活性領域とすることにより、媒質の歪み、不等方性な
どの影響を受は難くなる。
以上の説明から容易に理解できるように、本発明によれ
ば、大きな出力と高い出力効率を有し、しかも量産性に
すぐれた半導体レーザを提供できる。また、単一縦モー
ド発振をさせることが容易であり、更には、簡単に目的
の発振波長にチューニングすることができる。
ば、大きな出力と高い出力効率を有し、しかも量産性に
すぐれた半導体レーザを提供できる。また、単一縦モー
ド発振をさせることが容易であり、更には、簡単に目的
の発振波長にチューニングすることができる。
第１図は、本発明の基本構造の断面図、第２図は発振波
長チューニングのための電流印加の説明図、第３図は従
来のＤＦＢ型半導体レーザの断面図、第４図は従来のＤ
ＢＲ型半導体レーザの断面図、第５図は本発明の別の実
施例の断面図、第６図は本発明に係る半導体レーザの試
作例の一部断面の斜視図である。 １０．２０，４０．６０−・・導波層 １２．１４゜２
２．２４．４２，４４，６２．６４・−・−・クラッド
層 １６． １８． ２６． ２Ｂ、 ４６． ４
８． ６６゜６８・−回折格子 ８０・−・ＤＦＢ領域
８１−・位相調整領域 ８２・・−・・ＤＢＲ領域
長チューニングのための電流印加の説明図、第３図は従
来のＤＦＢ型半導体レーザの断面図、第４図は従来のＤ
ＢＲ型半導体レーザの断面図、第５図は本発明の別の実
施例の断面図、第６図は本発明に係る半導体レーザの試
作例の一部断面の斜視図である。 １０．２０，４０．６０−・・導波層 １２．１４゜２
２．２４．４２，４４，６２．６４・−・−・クラッド
層 １６． １８． ２６． ２Ｂ、 ４６． ４
８． ６６゜６８・−回折格子 ８０・−・ＤＦＢ領域
８１−・位相調整領域 ８２・・−・・ＤＢＲ領域
Claims (2)
- （１）回折格子による第１及び第２の分布反射器を具備
し、当該第１及び第２の分布反射器のそれぞれの回折格
子の間に所定移相量を導入する位相調整領域を設け、第
１の分布反射器の全部又は一部を活性領域とし、少なく
とも第２の分布反射器の全部又は一部をエネルギー・バ
ンド・ギャップの広い導波領域としたことを特徴とする
半導体レーザ。 - （２）回折格子による第１及び第２の分布反射器を互い
に隣接して設け、当該第１及び第２の分布反射器はその
回折格子の位相及び波長特性の何れかが互いに異なって
おり、第１の分布反射器の全部又は一部を活性領域とし
、少なくとも第２の分布反射器の全部又は一部をエネル
ギー・バンド・ギャップの広い導波領域としたことを特
徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62320784A JPH01161886A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62320784A JPH01161886A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01161886A true JPH01161886A (ja) | 1989-06-26 |
Family
ID=18125206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62320784A Pending JPH01161886A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01161886A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012186419A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-09-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光パワーモニタ集積ｄｆｂレーザ |
| US8579167B2 (en) | 2009-06-12 | 2013-11-12 | Honda Motor Co., Ltd. | Vehicle body rear part structure |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6055489A (ja) * | 1983-09-06 | 1985-03-30 | 藤田観光株式会社 | 自動フロント・システム |
| JPS6123382A (ja) * | 1984-07-11 | 1986-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 多重波長半導体レ−ザ |
| JPS6147685A (ja) * | 1984-08-15 | 1986-03-08 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 分布帰還形半導体レ−ザ |
-
1987
- 1987-12-18 JP JP62320784A patent/JPH01161886A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6055489A (ja) * | 1983-09-06 | 1985-03-30 | 藤田観光株式会社 | 自動フロント・システム |
| JPS6123382A (ja) * | 1984-07-11 | 1986-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 多重波長半導体レ−ザ |
| JPS6147685A (ja) * | 1984-08-15 | 1986-03-08 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 分布帰還形半導体レ−ザ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8579167B2 (en) | 2009-06-12 | 2013-11-12 | Honda Motor Co., Ltd. | Vehicle body rear part structure |
| JP2012186419A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-09-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光パワーモニタ集積ｄｆｂレーザ |
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